L1.

STUDIUL OSCILOSCOPULUI CATODIC

I. Consideraii teoretice Osciloscopul catodic este un aparat electronic de punere n eviden i msurare a tensiunilor electrice continue sau variabile n timp i de vizualizare a dependenei unei mrimi electrice n funcie de alt mrime electric sau neelectric. Semnalele electrice sunt transformate n semnale optice vizualizate pe ecranul tubului catodic, partea principal a osciloscopului. n figura 1 este prezentat schema de principiu a unui tub catodic, a crui funcionare se bazeaz pe devierea n cmp electric a fascicolului de electroni. filament de wolfram W, produce un fascicul de electroni, care poate fi dirijat i focalizat pe ecranul luminiscent E, de ctre un sistem de electrozi cilindrici A1si A2. Dou perechi de electrozi paraleli Px i Py aezai respectiv, n plan orizontal i n plan vertical constituie sistemul de deflexie pe orizontal i vertical al vidat, fasciculului de electroni. de un

Fig. 1

n tubul termocatodul C,

catodic nclzit

Pentru vizualizarea unor dependene de timp, fasciculul de electroni este silit s "baleieze" cu vitez constant de la stnga la dreapta ecranului i invers. Acest lucru se poate realiza dac tensiunea aplicat plcilor Px este o tensiune n forma de "dini de fierstru " (Fig. 2).

Durata T0 a unui "dinte" reprezint baza de timp sau perioada de baleiaj. Dac perioada bazei de timp este egal cu perioada T a semnalului aplicat plcilor de deflexie pe vertical Py, pe ecran se vizualizeaz o singur perioad a semnalului aplicat. Dac ns T0=mT pe ecran vor apare

Fig. 2

mai multe perioade ale acestuia (m N). Prin aplicarea unei tensiuni electrice Ux ntre plcile de deflexie pe orizontal Px, respectiv a unei tensiuni electrice Uy ntre plcile pe vertical Py, fasciculul electronic este deviat pe orizontal cu mrimile -- X = U x S x i Y = U yS y (1)

unde Sx i Sy reprezint sensibilitatea pe orizontal i respectiv pe vertical a osciloscopului. Determinarea sensibilitilor Sx i Sy este necesar n aplicaiile curente ale osciloscopului (msurarea tensiunilor alternative, msurarea puterii). II. Dispozitiv experimental

a)

Determinarea sensibilitii osciloscopului

Dac se aplic plcilor de deflexie pe vertical Py o tensiune alternativ sinusoidal, iar plcilor de deflexie pe orizontal Px nu li se aplic nici o tensiune i nici baza de timp, spotul va trasa pe ecran o linie vertical a crei lungime corespunde valorii tensiunii vrf la vrf -2Umax. Atunci, din relaia (1) rezult: D y = 2U max S y = 2 2U ef S y deci Sy = Dy 2 2U ef
2

(2)

(3)

n mod analog pentru determinarea sensibilitii Sx, se aplic plcilor Px o tensiune sinusoidal, iar plcilor Py nu li se aplic nimic, rezult sensibilitatea pe orizontal: Sx = Dx 2 2U ef (4)

osciloscopului este reprezentat n figura 3. Valoarea efectiv a tensiunii aplicate de la generatorul de semnal se citete la un voltmetru V, conectat n paralel cu osciloscopul, iar lungimile Dy i Dx se citesc cu ajutorul caroiajului de pe ecranul osciloscopului.

Fig. 3

Montajul determinarea

care permite sensibilitilor

b) Msurarea puterii active absolute

Pentru msurarea puterii cu osciloscopul se realizeaz montajul din figura 4. Se conecteaz n serie cu bobina real Z, a crei putere activ absorbit dorim s-o msurm, un condensator C, fr pierderi. Tensiunile de la bornele bobinei Z i de la bornele condensatorului C, vor fi aplicate porilor Y i X ale osciloscopului, sub influena crora spotul luminos va descrie o elips (Fig. 5).

Aria acestei elipse se poate calcula cu relaia: A= SxS y C

T 0

uidt

(5)

Puterea activ este definit prin relaia:

T 1T P = u idt = u idt T0 0

(6)

Deci puterea activ va fi: C P= A SxSy unde este frecvena curentului alternativ.

(7)

Y Z X

X C

Fig. 4

Fig. 5

III. Modul de lucru

1) Se realizeaz montajul din figura 3.

2)

Se aplic plcilor Y ale osciloscopului o tensiune reglabil ntre anumite limite care se ncadreaz pe ecranul osciloscopului. Se citete lungimea Dy i tensiunea Uef -corespunztoare. Plcile X sunt lsate n gol. Se determin sensibilitatea Sy cu ajutorul relaiei (3) . Se procedeaz analog pentru determinarea sensibilitii Sx (relaia 4), tensiunile se aplic pe plcile X, iar plcile Y sunt lsate n gol.

3) 4)

5) Rezultatele experimentale se trec n tabelul urmtor:

Nr. crt

Uy (V)

Dy (div)

Sy (div/V)

Sy
(div/V) 4

Ux (V)

Dx (div)

Sx (div/V)

Sx
(div/V)

6) Se realizeaz montajul din figura 4. 7) Pentru determinarea ariei A a elipsei se determin semiaxele a i b ale elipsei (n diviziuni).Atunci A = ab
8)

(8)

Cu valorile sensibilitilor Sx i Sy determinate la punctele 3 i 4 se poate calcula puterea absorbit cu relaia (7). Se repet msurtorile pentru diferite valori ale tensiunii de la bornele bobinei Z i ale frecvenei sale. Rezultatele msurtorilor se trec n tabelul urmtor:

9)

Nr. crt

a(div)

b(div)

A(div2)

(Hz)

P(W)

L2. STUDIUL LEGILOR TRANSPORTULUI DE ENERGIE PRIN RADIAIE

I Consideraii teoretice. Orice corp a crui temperatur este superioar lui 0 K emite radiaii electromagnetice, ale cror proprieti depind de natura i temperatura sa. Radiaia electromagnetic emis de corpuri sub aciunea energiei termice se numete radiaie termic. Compoziia spectral a acestor radiaii se modific cu creterea temperaturii corpurilor. Dac corpul ajunge la incandescen el devine o surs de radiaie vizibil. Radiaiile emise se propag n spaiul nconjurtor i cznd pe un alt corp sunt transformate n cldur n urma absorbiei. Energia emis de corp sub forma de radiaie electromagnetic n unitatea de timp, se numete flux de energie radiant. = dW ( Watt ) dt
5

(1)

Energia radiant n unitatea de timp de ctre unitatea de suprafa a corpului se numete putere de emisie sau radian RT = d dS Watt 2 m (2)

Puterea de emisie care corespunde unei lungimi de unda reprezint puterea de emisie spectral: E = dR d astfel c R T = E d
0

(3)

Din fasciculul radiant care cade pe un corp, o parte din energie este absorbit, alta trece prin corp i o alt parte este reflectat. Raportul dintre fluxul radiant absorbit i fluxul radiant incident reprezint puterea de absorbie a corpului A= abs incid

iar corespunztor radiaiei cu lungimea de und se definete puterea de absorbie spectral: A = abs incid (4)

Puterea de absorbie este un numr cuprins ntre 0 si 1. Un corp caracterizat prin A=1, pentru radiaii de orice lungime de und, este complet absorbant i se numete corp absolut negru. Raportul dintre puterea de emisie spectral i puterea de absorbie spectral a unui corp oarecare, este independent de natura corpului, fiind o funcie de T si E = f (T, ) A Relaia (5) reprezint legea lui Kirrchhoff. Cu alte cuvinte, corpuri diferite pot avea puteri de emisie diferite i puteri de absorbie diferite, dar raportul celor dou mrimi pentru aceeai temperatur i aceeai regiune spectral, este acelai. Funcia f(T, ) reprezint puterea spectral de emisie a corpului negru, pentru c acesta are A=1.
6

(5)

Un corp pentru care A=1 nu exist in realitate, totui se poate construi un model fizic considernd o incint cu perei exteriori foarte absorbani, n care se face un orificiu, foarte mic n comparaie cu dimensiunile incintei. Suprafaa orificiului se comport ca un corp negru. O prim lege a radiaiei corpului negru a fost stabilit experimental de J. Stefan i demonstrat teoretic, folosind legile termodinamicii, de ctre L. Boltzmann: R = T 4 (6)

unde este constanta lui Stefan-Boltzmann cu =5,71.10-8 W/m2K4. n general, corpurile nclzite emit radiaii crora nu li se poate aplica legile radiaiei corpului negru. n acest caz radiana este dat de relaia: R = eT 4 (7)

unde e se numete coeficient de emisivitate i caracterizeaz abaterea fa de proprietile corpului negru. Ca izvoare de radiaii cu spectru continuu sunt folosite foarte des lmpile cu filament incandescent. n figura 1 sunt reprezentate curbele de distribuie ale puterii de emisie spectrale pentru corpul negru i un filament de wolfram aflat n aceeai temperatur. Pentru temperatura de 2100 K, emisivitatea wolframului este egal cu 0,5 n regiunea spectrului vizibil i cu 0,175 pentru =3 m.

E 8 7 6 5 4 3 2 1

corp negru W

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11

(m)

Fig. 1
7

Din energia radiant total emis de izvoarele cu filament incandescent aproximativ 70% se gsete n regiunea infrarou i numai 20% n vizibil. Dac un corp, aflat la temperatura T, emite radiaii termice care cad pe pereii unui alt corp care-l nconjoar dW = eS(T 4 T0 4 ) dt (8)

Aceast relaie reprezint legea transportului de energie prin radiaie. n aceast lucrare corpul care emite radiaia termic l constituie filamentul de wolfram al unui bec obinuit. Dac I este intensitatea curentului iar R rezistena filamentului, puterea absorbit de filament este dW = RI 2 dt (9)

Aceast energie este transformat n energie termic, filamentul nclzindu-se la temperatura T. Energia termic este transferat prin radiaie, mediului nconjurtor, a crui temperatura se presupune a fi T0<T. Conform relaiilor (8) si (9): RI 2 = eS(T 4 T0 4 ) (10) Dac temperatura T0 a mediului nconjurtor este mult mai mic dect temperatura T a filamentului, relaia (10) devine: RI 2 = eST 4 (11) Pentru a verifica aceast relaie este mai comod s se logaritmeze: log(RI 2 ) = 4 log(T) + log(eS) (12)

relaiei (12) se verifica experimental dependena mrimii log(RI 2 ) de log(T ) obinndu-se o dreapt a crei Pentru verificarea pant este egal 4 (Fig. 2). Determinarea temperaturii filamentului T, se realizeaz indirect prin msurarea rezistenei filamentului la aceasta temperatura cu ajutorul unei puni Wheastone (Fig. 3). La echilibrul punii (curentul indicat de aparatul de msur plasat pe diagonala punii este nul) se obine: Rx = (13) unde R x = R 0 [1 + (T T0 )] (14) -R0 s-a determinat cu ohmmetrul la temperatura T0=300 K a mediului nconjurtor (R0=65 ). - reprezint coeficientul de variaie a rezistenei cu temperatura, pentru wolfram =0,0036 K-1. Din relaiile (13) si (14) se obine: T = T0 + (15) Intensitatea curentului I, ce trece prin filament se poate calcula cu relaia: I= U R x + R1 Rx R0 R 0 R1 R R2

(16) Tensiunea U aplicat punii se msoar cu voltmetrul. n acest fel se cunosc mrimile I, R, T i deci un punct experimental de pe curba (12). Modificnd valoarea tensiunii U se pot obine i alte puncte experimentale. Verificarea legii transferului de energie prin radiaie nseamn a constata dispunerea acestora de-a lungul unei drepte. Prin extrapolarea curbei pn la intersecia cu axa OY (log(RI2)) se calculeaz din valoarea constantei Stefan-Boltzmann .
9

Punctul de intersecie reprezint valoarea termenului liber al relaiei (12) adic, log(eS). Cunoscndu-se produsul eS=1,1.10-4 (uniti SI) se determin constanta .

log(RI 2)

log(T)

Fig. 2

R1 24V + V

R2

RX

Fig. 3 II.Modul de lucru

1)

Se alimenteaz puntea la diferite tensiuni ( pn la 24V) i de fiecare dat se realizeaz echilibrul ei, prin variaia rezistenei R. Cu ajutorul relaiei (13) se determin valoarea rezistenei Rx a filamentului.

2) Se determin temperatura T a filamentului cu ajutorul relaiei (15).

10

3)

Se calculeaz intensitatea curentului cu ajutorul relaiei (16) tiind c R1=R2=33. Pentru fiecare determinare se calculeaz log(RI2) i log(T) i se reprezint grafic log(RI2)=f(log(T)) Se verific prin reprezentare grafic faptul c panta graficului este 4 i din valoarea termenului liber se calculeaz constanta .

4)

5)

Nr . de t

R0 ()

T0

U (V)

R ()

R1 ()

R2 ()

Rx ()

T (K)

I (A)

log(RI2 log(T ) )

65

300

33

33

STUDIUL DIODEI SEMICONDUCTOARE

I. Consideraii teoretice Diodele semiconductoare sunt dispozitive electronice ce au ca element de baz o jonciune p-n. Ea reprezint un strat subire la limita de separaie dintre dou domenii ale unui cristal semiconductor, care se deosebesc prin tipul de conducie: unul de tip p obinut prin doparea cu impuriti acceptoare i unul de tip n, obinut prin dopare cu impuriti donoare. Lrgimea jonciunii p-n este de ordinul a 10-4 cm. Electronii liberi (purttorii majoritari din regiunea n) datorit diferenei de
11

concentraie, vor difuza in regiunea p tinznd s uniformizeze concentraia n ntregul volum al semiconductorului. Din acelai motiv golurile vor difuza n regiunea n. Astfel, pe o anumit poriune din imediata vecintate a suprafeei de separaie de o parte i de alta a ei, apare o sarcin spaial (strat de baraj). n regiunea p sarcina spaial este negativ, format din ionii acceptori, imobili, iar in regiunea n o sarcin spaial pozitiv, format din ionii donori imobili. Prezena sarcinii spaiale d natere unui cmp electric E, orientat de la n la p (Fig. 1). trecerea purttorilor minoritari, din regiunea n a golurilor n regiunea p i a electronilor din regiunea p n regiunea n. La echilibru intensitatea curentului prin jonciune determinat de trecerea purttorilor majoritari i minoritari dintr-o regiune n alta este nul. Existena cmpului electric determin apariia unei bariere de potenial U0.

Fig. 1

Cmpul electric din jonciune favorizeaz n schimb,

Aplicndu-se din exterior o tensiune de polarizare se constat c se obine o caracteristic I-U nelinear. n cazul polarizrii directe bariera de potenial pentru purttorii majoritari se micoreaz iar prin jonciune trece un curent direct: I = Is
eU (e kT

1)

(1)

unde Is este curentul de saturaie prin jonciune, dat de purttorii minoritari, iar U este tensiunea aplicat din exterior. Relaia (1) reprezint ecuaia diodei ideale - ecuaia Shockley. n polarizare direct deoarece eU >> 1 kT curentul prin jonciune va fi
12

(2)

I = Is

eU e kT

(3)

iar n polarizare invers eU 1 kT i curentul este I = Is Caracteristica ideal a unei diode semiconductoare este dat de figura 2 (5) (4)

Fig. 2

Ecuaia Schokley descrie bine caracteristica I-U a jonciunii p-n la densiti mici de curent. Dac se iau n consideraie ns i fenomenul de generare i recombinare de purttori n stratul de baraj, caracteristica I-U a jonciunii are expresia : I = I s (e
eU kT

1)

(4)

unde 1 2 cu =1 dac predomin curentul de difuzie i =2 dac predomin recombinarea n strat. Pe de alt parte din tensiunea U aplicat la capetele jonciunii, pe regiunea activ cu proprieti neliniare cade numai tensiunea (U-rI) unde r este rezistena serie a regiunilor neliniare ale jonciunii i a contactelor.
13

II. Dispozitivul experimental Pentru trasarea caracteristicii I-U a unei diode semiconductoare, se realizeaz montajul din figura 3. Tensiunea aplicat poate fi reglat cu ajutorul reostatului P. Tensiunea aplicat diodei se variaz ntre limitele astfel alese nct s nu fie depit tensiunea de strpungere a diodei n sens invers i s nu se ating curentul direct maxim.

Fig. 3 III. Modul de lucru

1) Se traseaz caracteristica I = f(U) a diodei semiconductoare att n conducie direct i n conducie invers, pe hrtie milimetric. 2) Din caracteristica direct se determin tensiunea de deschidere a diodei, adic tensiunea de la care prin diod ncepe s treac un curent considerabil. 3) Din panta caracteristicii la tensiuni inverse se determin rezistena unt Rsh n paralel cu jonciunea: R sh = U 2 U1 I 2 I1 (5)

unde (U1,I1) i (U2,I2) snt dou puncte de pe caracteristica IU din polarizare invers a diodei. 4) Rezultatele msurtorilor se trec n tabelele urmtoare:

14

Polarizare direct Nr.cr U(V) t 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 I(mA)

Polarizare invers U(V) I(A) Nr.crt 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18

15

L4. DEPENDENA DE TEMPERATUR A CONDUCTIVITII SEMICONDUCTORILOR I DETERMINAREA ENERGIEI DE ACTIVARE

I. Consideratii teoretice Semiconductorii cei mai folosii n dispozitivele electronice sunt cristalele elementelor tetravalente Ge i Si, i n mai mic msur compui intermetalici GeAs. n cristalele de Ge i Si fiecare atom de valen al unui atom formeaz o pereche cu un electron de valen din atomul vecin stabilind o legtur covalent. Rupere unei legturi covalente const n trecerea unui electron din banda de valen n banda de conducie i necesit o anumit cantitate de energie numit energie de activare (Eg). n teoria benzilor de energie, energia de activare se numete lrgimea benzii interzise. Lrgimea benzii interzise se definete ca energia necesar pentru a trece de pe ultima stare energetic ocupat n banda de valen pe prima stare energetic liber n banda de conducie. Lrgimea benzii interzise este cea mai important caracteristica a semiconductorilor, de valoarea ei depind majoritatea proprietilor fizice ale acestora. Pentru semiconductori lrgimea benzii interzise variaz de la cteva zecimi de eV pn la 3eV ( pentru Ge Eg=0,72eV, pentru Si Eg=1,1eV). Substanele care au lrgimea benzii interzise mai mare de 3eV se numesc izolatori. Sub aciunea unui agent exterior (temperatur, cmp electric, radiaii etc.) un numr de electroni din banda de valen trec n banda de conducie determinnd conductibilitatea electric. Locul rmas liber n banda de valen se numete gol i este ncrcat pozitiv. Astfel n semiconductori particip la conducie dou tipuri de purttori de sarcini mobili: electroni (cu sarcin negativ) i golurile (cu sarcin pozitiv). n materialele de nalt puritate cum ar fi Ge i conductibilitatea este determinat de electronii proprii materialului de baz.
16

Si ai

Semiconductorul n care concentraiile electronilor n i golurilor p, sunt egale se numete semiconductor intrinsec iar concentraia respectiv ni, concentraie intrinsec: n = p = ni (1)

Conductivitatea electrica a unui semiconductor intrinsec este dat de expresia: p = n e n + p e p = n i e n 1 + n (2)

unde: reprezint conductivitatea electric ( 1m 1 ), nI concentraia intrinsec (m-3), n, p mobilitatea electronic a golurilor (m2/Vs) i e sarcina electric a electronului (1,6.10-19C) p < 1 . n Dac semiconductorul se gsete n condiii de echilibru, produsul concentraiilor electronilor i golurilor este dat de relaia: p n = ni = NC NV e
2 Eg kT

(3)

unde: NC i NV reprezint densitatea de stri n benzile de conducie i de valen (m-3), k-constanta lui Boltzmann (k=8,62.10-5 eV/K) i T temperatura (K). Aceasta expresie indic dependenta exponenial temperatur a concentraiei purttorilor intrinseci, adic:
Eg

de

n i ~ e 2 kT

(4)

Pe un interval de temperatur relativ larg, mobilitatea este n prim aproximaie constant, atunci conductivitatea electric a probei semiconductoare depinde de temperatura T i de mecanismul de mprtiere a purttorilor. Impurificarea controlat a semiconductorilor are o influen deosebit asupra conductivitii electrice. Pentru o concentraie foarte mic de bor n Si (1 la 105m-3), rezistivitatea la temperatura camerei scade de 1000 de ori fa de starea pur, deci conductivitatea crete. Impurificarea unui semiconductor cu
17

impuriti pentavalente (P, As, Sb) duce la creterea conductivitii electrice a semiconductorului pur. Astfel de semiconductori impurificai (dopai) cu impuriti -pentavalente se numesc semiconductori extrinseci de tip n, iar conducia se numete conducie de tip n. Semiconductorii dopai prin elemente trivalente(B, Al, Ga, In) au o conductibilitate prin goluri, se numesc semiconductori de tip p i conducia se numete de tip p. Nivelele energetice ale atomilor cu impuriti se plaseaz n zona interzis. La temperatura camerei ns toi atomii de impuriti sunt neutrii i nu particip la conducia electric. Intr-un semiconductor de tip n electronii sunt purttorii majoritari iar golurile, purttori minoritari. Intr-un semiconductor de tip p golurile sunt purttori majoritari iar electronii purttori minoritari . Purttorii minoritari sunt generai pe cale termic. Pentru un semiconductor intrinsec conductivitatea depinde de temperatura T i de mecanismul de mprtiere:
Eg

~ T s e 2 kT

, unde s= 3 2 , 3, 0.

(5) 3 ) 2

La temperaturi joase, predomin mprtierea pe impuriti ( s =

La temperaturi mari, predomin mprtierea pe impuriti ionizate (s=3) La temperaturi mari, n semiconductori mprtierea pe fononi acustici (s=0) puri, predomin

Sunt semiconductori care prezint o variaie puternic a rezistenei lor cu temperatura (5%/0C). Semiconductorii a cror rezisten scade brusc odat cu creterea temperaturii se numesc termistori. La temperatura camerei conductivitatea lor este cuprins intre 10-10:10-3(-1m-1). Odat cu creterea temperaturii rezistena lor scade, deci conductivitatea electric creste. n practic se determin dependena rezistenei electrice a probei semiconductoare de temperatur. Astfel, tiind c 1 1 iar R ~ , rezistena electric este egal cu ( n cazul mecanismului de mprtiere caracterizat de s=0): rezistivitatea =
18

Eg

R ~ e 2 kT Logaritmnd relaia se va obine ln(R ) = ln(R 0 ) + Eg 2kT

(6)

(7)

unde R0 este rezistena termistorului la o temperatur dat. Se va msura rezistena R a probei semiconductoare la diferite 1 temperaturi i se va trasa graficul: ln(R ) = f ( ) , se va determina T Eg panta acestei drepte tg = care ne permite s determinm 2k energia de activare E g = 2k tg (8)

II. Modul de lucru

1) Se realizeaz montajul de mai jos. n interiorul termostatului Th se introduce termistorul Tb a crui rezisten se poate msura cu un ohmmetru.

Th

Tb

Fig. 1

2)

Se msoar rezistena termistorului pentru diferite temperaturi (din 5 n 50C n intervalul 20-650C).
19

3) Se completeaz urmtorul tabel de date experimentale:

t(0C)

T(K)

1 1 (K ) T

R()

.ln R

E g (eV)

4)

1 Conform relaiei (7) din reprezentarea grafic ln(R ) = f ( ) se T determin valoarea energiei de activare (relaia (8)). Se folosesc k=1,38.10-23 J/K, 1eV=1,6.10-19 J.

DETERMINAREA CONSTANTEI LUI PLANCK I A LUCRULUI DE IEIRE AL ELECTRONILOR

I. Consideraii teoretice Emisia de electroni de ctre unele metale sub aciunea luminii se numete efect fotoelectric extern. Electrodinamica clasic, conform creia lumina se propag sub forma unor unde monocromatice continue, nu poate explica legile efectului fotoelectric. Teoria cuantic a radiaiei afirm c emisia de lumin nu are loc n mod continuu, ci n cantiti discrete, numite cuante de lumin (fotoni). Fiecare cuant poate fi exprimat printr-o frecven determinat. Energia cuantei este: = h unde : - frecvena radiaiei iar h - constanta lui Planck. Presupunem c suprafaa unui metal este lovit de o cuant de energie. Dac energia este transmis unui electron din metal, electronul va primi energia = h . O parte din aceast energie este folosit pentru nvingerea lucrului de ieire L. Aceast energie va fi
20

(1)

mai mare pentru electronii aflai la o oarecare adncime de suprafaa metalului i mai mic pentru electronii aflai imediat sub suprafa. nelegnd prin lucru de ieire energia minim necesar scoaterii electronilor din metal, energia maxim a electronilor smuli din metal se determin din ecuaia lui Einstein:
h = L + 1 mv max 2 2

(2)

Din ecuaia (1) rezult cele 4 legi ale efectului fotoelectric. n lucrarea de fa folosim drept fotoelement o celul fotoelectric cu stibiu-cesiu. Celula are forma unui balon din sticl din care s-a scos aerul, presiunea ajungnd la 10-6-10-7 mm. Col. Hg. Pe o jumtate de suprafa interioar a balonului, cptuit cu o ptur de argint s-a depus un strat foarte subire de stibiu i apoi un strat subire de cesiu. Se obine un amestec de Ca3Sb care servete drept catod. Un asemenea catod are un lucru de ieire mic i pragul rou al efectului fotoelectric pentru elementul fotoelectric dat se afl n domeniul vizibil al spectrului. n partea central a balonului se afl anodul A care este de forma unui inel metalic. Dac asupra catodului se trimite un fascicul de lumin, din catod vor fi smuli electroni (Fig.1). electronii respectivi se vor ndrepta spre anod i vor nchide circuitul format din celula fotoelectric, galvanometru i sursa de tensiune. Legnd catodul celulei fotoelectrice la polul pozitiv al sursei de tensiune reglabil, se poate fixa cu ajutorul poteniometrului P o diferen de potenial care s frneze electronii smuli sub influena luminii. n aceast situaie, curentul din circuit este nul i:

Fig. 1

Datorit diferenei de potenial ce exist ntre anod i catod,

21

mv max 2 = eU 2 unde : U- tensiunea electric de frnare. Folosind ultima ecuaie, relaia devine:
h = L + eU

(3)

(4)

din care reiese c tensiunea electric de frnare este funcie de frecven:

h L U= e e

(5)

Se observ c reprezentnd grafic dependena U=f() se poate determina constanta lui Planck i lucrul de ieire al electronilor. Mrimea h/e reprezint tangenta unghiului de nclinare sau panta dreptei (5) iar L/e reprezint ordonata la origine a graficului ( Fig. 2)

Fig. 2

III. Modul de lucru

Se realizeaz montajul din figura 3, unde C-A este fotocelula ( C- catodul; A- anodul ), P- poteniometru, V- voltmetru, Ggalvanometru. Catodul fotocelulei este legat la polul (+) al sursei de curent continuu.
22

+ -

+ P V G

Fig. 3

Se efectueaz urmtoarele operaii: 1) Se pune n funciune lampa cu mercur. Prin introducerea techerului n priza de curent de la reeaua electric. Se are n vedere c lumina nu poate ajunge la celula fotoelectric CA fiind obturat de fant. 2) Se aduce galvanometrul G la zero cu ajutorul reglajului brut i fin ce se afl pe suprafaa exterioar a galvanometrului. 3) Tensiunea indicat de voltmetrul V fiind nul (operaia se face cu poteniometrul P), se introduce primul filtru ntre lampa cu mercur i celula fotoelectric. 4) Deschiznd fanta, lumina trece prin filtrul colorat, ajunge la celula fotoelectric iar galvanometrul indic un curent electric (fotocurent). 5) Cu ajutorul poteniometrului P se aduce la zero curentul indicat de galvanometru, notnd frecvena filtrului de lumin i tensiunea de frnare. Se execut aceast operaie cu 3-4 filtre, avnd grij ca dup fiecare msurtoare s obturm lumina dat de lampa cu mercur. Obturator se afl ntre lamp cu mercur i fotocelul. 6) Datele se trec n tabela de mai jos:

23

Nr. Crt.

Frecvena radiaiei (s-1)

Potenialul de frnare Umax (V)

Constanta lui Planck h (Js)

Lucrul de extracie L (eV)

7). Se traseaz printre puncte, pe hrtie milimetric, dreapta U=f(). Se msoar unghiul dintre dreapt i orizontal. Cunoscnd e=1,6.10-19C, din tg = h h = e tg e

8). Din tietura dreptei (segmentul OD) determinat n voli rezult:

L = OD A = e OD e

Lungimea segmentului msurat n voli ne d chiar lucrul de extracie n eV. Datele obinute la (7) i (8) se trec n tabelul de mai sus.

24