3.

2 Tratamente in afar de echilibru

3.2.1 Implantare ionic
Este un proces care permite modificarea compoziiei superficiale a materialelor prin penetrarea de ioni posednd energie suficienta pentru dep irea barierei de potenial a suprafeei. Energia fiind furnizat prin accelerare intr-un cmp electric. Tehnica este utilizata din: - 1951 la dopajul semiconductorilor - 1971 la fabricarea circuitelor integrate - 1973 cu aplicaii in mecanica - 1985 pentru tratamentul superficial al biomaterialelor 3.2.1.2 fenomene fizice particulare Interaciunea fasciculelor de ioni cu materia Ionii care poseda energii superioare(cuprinse in intervalul 500 eV...300eV) pot traversa suprafaa unui material provocnd o succesiune de coliziuni in atomii acestuia. Sub efectul acestor coliziuni ioni au o traiectorie in zig-zag. Totodat la fiecare coliziune atomii lovii pot avea o micare de recul, astfel nct pot intra ei nii in coliziune cu ali atomi multiplicnd primul efectul de impact. Cercetrile dovedesc ca un singur ion posednd o energie de 200...300 KeV poate interaciona cu sute de atomi provocnd direct sau indirect formarea a mii de defecte punctiforme tip vacane sau interstiiali. Daca fasciculul ionic este suficient de intens, atomi din zonele superficiale vor fi ejectai prin fenomenul de pulverizare(sputtering). Gradul de pulverizare p poate atinge valoarea 1, situaie in care pentru fiecare ion incident exista un atom ejectat. p se exprima astfel:

p
unde: kB= constanta lui Bretzmann

KB Fp S EL

(3.1)

EL= energia de legtura interatomica a ionilor intei Fp= funcia de pulverizare Fp=f(Mi,Mm,); este o funcie dependent

Mi = masa atomilor incideni Mm= masa atomilor a materialului int = unghiul format de particulele incidente si normala la suprafaa(Fp este maxima pentru =60o) S = capacitatea de frnare a materialului pentru ionii incideni S= f(E0); este o funcie dependenta de energie E0 a ionilor incideni Observaie: concentraia ionilor implantai este exprimat prin fluena, adic numrul de ioni incideni pe cm2 de suprafee. Aadar, cunoscnd fluena fascicolului de ioni si gradul de pulverizare p se poate aprecia valoarea adncimii suprafeei ndeprtata prin pulverizare. Din date experimentare, pentru o fluenta de 1017 ioni Ti+ cu energie de 110KeV pe cm2 pierderile in suprafaa a unui oel astfel prelucrat ajung la o grosime de 12 nm. In figura 3.1 sunt schematizate fenomenele provocate de interaciunea ionilor cu materia

Fig.3.1 interaciunea ioni-materie Ionii care ptrund in material i pierd energia, consecina a doua procese:

coliziuni directe cu atomii materialului, care provoac pierderi de energie nucleara si conducnd la o capacitate de frnare nucleara S nucleara. Interaciune in lan cu ansamblul electronic al atomilor producnd ionizri si/sau excitaii; in acest caz capacitatea de frnare este de tip electronic S electronica.

Mecanica cuantica demonstreaz ca interaciunile de tip nuclear sunt predominante, cu ioni posednd energii mici sau medii(de la 1...100KeV pana la 100...200KeV). Aceasta reprezint domeniul implantrii ionice clasice. Interaciunile de tip electronic devin predominante, daca energiile sunt mari, de ordinul 1...100MeV. In acest caz implantarea se situeaz in domeniul implantrii ionice de mare energie. Procesul ionilor implantai pe distana Rp urmeaz o lege de distribuie cvasi-gaussiana cu deviaia standard Rp. Daca implantarea ionica se face cu fluente ridicate, este posibil ca fenomenul sa dezorganizeze destul de puternic cristalinitatea materialului, transformndu-l chiar in amorf. Exista insa tendina de rentoarcere spre echilibrul termodinamic printr-o rearanjare atomica, urmare a agitaiei termice in solide. Zonele exterioare ale suprafeei pot rmne insa amorfe, iar efectul devine si mai puternic dac implantarea ionica a fost realizata cu elemente tip bor sau fosfor, denumite chiar elemente cu efect amorfizant. 3.2.1.3 Principiul constructiv al unui dispozitiv de implantare ionic. Pentru realizarea unui astfel de dispozitiv este necesar: - producerea de ioni activi, cu ajutorul unei surse specializate(sursa de ioni) - extragerea de ioni ai sursei - separarea acestora conform masei ionice cu ajutorul unui cmp magnetic cu scop de selecia mare a electronului de implantat si a numrului sau de sarcini. - accelerarea ionilor pentru a le conferi energia impus si focalizarea lor intr-un fascicul incident - baleerea(oscilarea) fascicolului focalizat pe suprafaa ce urmeaz a fi tratat superficial - obinerea profilului de implantare ionica asupra piesei(dispozitivului prelucrat)

In fig 3.2 va fi prezentat schema de principiu a unei instalaii de implantare ionica

Fig.3.2 Schema de principiu a unei instalaii de implantare ionica. Elementele ce urmeaz a fi implantate sunt obinute fie dintr-un gaz simplu (N2, Ar), fie dintr-un compus gazos(BF3- triflorura de bor, AsH3 hidrura de As, SiH4 - silan) sau din vapori metalici obinuii dintr-un creuzet nclzit. Ionizarea este produsa fie la contactul cu filamentul cald fie mai eficient printr-o descrcare in gaz. 3.2.1.4 Aplicabilitate: Avantajele si dezavantajele procedeului. Aplicabilitatea rezulta in mod direct din avantajele procedeului Avantaje: independenta de lucru fata de caracteristicile termo-fizice si structurale ale materialului(coeficient de difuzie, posibilitate de obinere, stri in afara de echilibre, depirea limitei de solubilitate etc.) meninerea proprietarilor substratului in afara de zona implantat inexistenta variaiilor dimensionale(posibilitatea aplicrii asupra

pieselor si dispozitivelor finisate) suprafeele implantate nu pun probleme de aderenta. procedeu nepoluant dificil de tratat suprafee cu geometrie complexa(imposibil zone filetate)

Dezavantaje: -

adncimi de tratament limitate dimensional(maxim 1m), urmare a parcursului ionilor implantaii si fenomenele de pulverizare

procedeu destul de costisitor

in consecina procedeul este ... mod plenar aplicat tuturor materialelor metalice ceramice polimerice

a Aplicaii ale implantrii ionice asupra materialelor metalice - Concentraiile atomice ce sunt obinute uzual in suprafee sunt destul de importante(20%at pentru fluente de 1017...1018 ion cm2). Microstructura si proprietile sunt modificate prin urmtoarele efecte : - blocarea dislocaiilor in vecintatea suprafeelor prin crearea tensiunilor cu sens compresiv - durificare superficiala prin favorizarea apariiei precipitatelor fine sau a zonelor amorfizate(fenomene de glazurare monometric) - sunt influenate favorabil. Proprieti de rezisten mecanica - comportamentul de rezistenta la uzura - in oteluri, implantarea cu azot creste rezistenta la uzura prin formarea de precipitate de nitruri(otelul sa fie aliat in elemente cu afinitate pentru) creste de 20 de ori rezistenta la uzura in oteluri pentru construcii mecanice. - in oteluri de scule martensitice(scule in industria chimica si instrumental medical) prin precipitatele fine de nitruri(oxinitruri) creste rezistenta la uzura in medii chimice - in aliajele de Ti(Ti6Al4V), performantele de rezistenta la uzura cresc prin precipitarea unor nitruri fine; rezultatele sunt spectaculoase in protezele ortopedice - implantarea cu azot limiteaz temperaturile de lucru la maxim 300oC - comportamentul de rezistenta la oboseala creste prin blocarea amorselor de fisuri. Pentru aliajul Ti6Al4V limita de oboseala este ameliorata cu 20%. Proprietii de rezistenta la coroziune: prin implantare ionica cu Cr(in oteluri) se mbogete coninutul de Cr (ce poate depi 12%) ameliornd comportamentul de coroziune.

Acelai efect in Ti prin implantare cu Pd, cresc performantele mecanice si chimice la implanturile dentare daca implantarea are loc cu elemente amorfizante(B), zonele exterioare devenind amorfe, nu mai prezint structura granulara(deci limitele de grunte prin care se realizeaz coroziunea intergranular), deci devin rezistente in medii chimice agresive. b. Aplicaii ale implantrii ionice asupra materialelor ceramice - ceramicele sunt materiale fragile, cea mai mare parte a amorselor de fisuri pornesc din suprafa. Implantarea ionica poate consolida SiC,Si 3N4, Al2O3, ZrO2... prin ioni metalici(Cr, Ti, Zr, Fe...), ceramicele pot fi cristaline sau amorfe, de legtur ionica covalent in ceramicele cristaline implantarea poate favoriza implantarea de soluii solide care pot permite precipitarea unor faze durificatoare printr un tratament termic ulterior. Sunt mbuntete astfel proprietile de tenacitate, duritatea, rezistenta la flexiune in ceramicele amorfe implantarea acioneaz sub forma introducerii tensiunilor superficiale de compresiune. c. Aplicaii ale implantrii ionice in polimeri - modificarea proprietilor de suprafaa ale polimerilor sunt consecina interaciunii ionilor implantate cu legaturile interatomice de tip covalent. Astfel, lanurile covalente pot fi rupte sau din potriva create noi legaturi(prin fenomene de reticulare). Principalele efecte sunt : - modificarea proprietilor fizice ale polimerilor - pentru deveni semi-conductori - pot deveni conductori proprietati mecanice, chimice(comportamentul la mbtrnire), optice Totodat energia suprafeei poate fi modificata cu incidena asupra biocompatibilitii polimerului utilizat ca biomaterial(creste aderenta metal polimer)

3.2.2.Tehnicile laser
3.2.2.1.Tipuri de radiaii laser si interaciunea lor cu suprafeele. Schematizarea tratamentelor de suprafaa. Tehnicile laser utilizeaz asupra suprafeelor efectele radiaiei luminoase amplificate (LASER=Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation). In tratamentele de suprafaa au urmtoarele aplicaii: - rencrcarea laser, formarea unui aliaj superficial prin reacie activata de ctre fascicolul laser; sau aliere superficial prin descompunere si topire superficial ( urmata de rcire rapida) - amelioreaz rezistenta la uzura si coroziune, amortizeaz vibraiile prin diminuarea zgomotului. curare superficial cu efecte inexistente de poluare, Deposition - PLD (Depuneri laser in regim pulsatoriu) - acoperiri de diamant, supraconductori de nalt temperatura critic, acoperiri optice, biocompatibile, asigurarea unei rugoziti controlate in suprafa. Mrimile fizice care caracterizeaz radiaia laser sunt: pentru sursa laser: puterea P[w] pentru fascicolul laser focalizat : - energie specific (fluena), [J/cm2] - densitatea de putere[w/cm2] timpul de interaciune cu suprafaa. Radiaia laser poate avea o interaciune continu (regim continuu) intermiten (regim pulsatoriu). n diagrama din figura 3.3 sunt marcate, n funcie de parametrii de lucru, domeniile privind posibilitatea de tratamente de suprafa cu radiaie laser. - depuneri de straturi subiri (acoperiri) laser procedeul Pulsed Laser

Fig 3.3.Posibiliti de tratamente de suprafa cu radiaii laser. Laserii utilizai n prezent pot fi: - laseri continui cu CO2 cu =10,6m i o putere medie P=25..45 Kw, utilizai pentru tratamente termice superficiale (durificri superficiale).Lucreaz n regim continuu, - laseri Nd:YAG (Nd dopat cu granat de Yttriu si Aluminiu, un oxid mixt Y3Al5O5) cu =1,06 m care pot funciona n regim continuu (P=4Kw) sau pulsatoriu (P=1..2Kw) laseri excineri , care sunt laseri cu gaz i care emit o radiaie pulsatorie, cu energie cuprins in ultraviolet . In funcie de mediu activ(excimer F2, ArF, KrF, XeCl, XeF) lungimea de und caracteristic se plaseaz n intervalul =157351nm. Puterea este ns de mic intensitatea (P200w) cu o durat a pulsului de 1030 ns, dar cu o frecven de repetiie important (poate ajunge la 500Hz).

3.2.2.2.Fenomene fizice caracteristice - Interaciunea radiaiei laser cu materia. Energia radiaiei laser trebuie s fie transmis substratului cu maximum de randament, n trei fenomene fizice perturb acest transfer. Acestea sunt: a) fascicolul iese din cavitatea rezonant cu o dimensiune definit de dimensiunea elementelor optice (fantele luminoase). Forma geometric cea mai frecvent se ncadreaz ntr-un cilindru cu diametru de 25 mm. n acest fascicol repartiia energetic nu este uniform. Ea depinde de modelul dominant al cavitii. b) O parte important din energia poate fi reflectat de substrat, fenomen indus de cuplajul fascicol - materie, c) Vaporizarea superficial a substratului poate provoca o stare local de plasm care absoarbe energia fascicolului. Fenomenul devine avantajos doar n cazul cnd radiaia suprafeei urmrete curirea avansat a sa, sau , durificarea local prin oc. a)Repartiia energiei n radiaia laser n funcie de tipul lor , laserii pot funciona: - n mod fundamental transversal electromagnetic TEM00 cu energia repartizat cu un aspect gaussian

Fig.3.4.a)Forma de repartizare a energiei laser n modul TEM00 - Aceast form este recomandat pentru operaiile de sudare sau tiere laser. - un mod superior de repartizare electromagnetic TEM10

Fig 3.4.b)Forma de repartizare a energiei laser n modul TEM10 Distribuia energetic, mult mai uniform(dar de intensitate diminuat) este recomandat n tratamentele de suprafa. Omogenizarea fascicolului poate fi i mai intens, utiliznd dispozitive optice speciale, dar cu diminuri importante ale randamentului. b) Interaciunea radiaiei laser-materie Materialele metalice sunt caracterizate de opacitate. Prezena electronilor liberi (de valen), justificai de legtura metalic , explic fenomenul de reflectivitate al suprafeei metalice, dar i luciul metalic caracteristic. Fenomenologic, electronii liberi absorb energia fotonilor si o restituie cu aceeai frecven. Dac lungimea de und a radiaiei se diminueaz, energia electronilor crete, crescnd totodat i probabilitatea coliziunii cu ali electroni, fotoni sau ioni. O parte din energie va fi absorbit pe adncime n interiorul materialului. - Interaciunea dintre radiaia laser i suprafaa se produce mai precis ntr -un spaiu ce are grosimi foarte mici (ntre 10 .100nm) corespunztor undei electromagnetice asociate. n continuare energia este transferat reelei cristaline sub form de cldur. Cldura va penetra pe adncime urmare a fenomenelor de conducie. nainte de a atinge suprafaa , radiaia laser interacioneaz cu mediul nconjurtor, care poate fi sau un gaz de proiecie sau aerul. Rezultatul poate fi formarea local a unei plasme, mediul nconjurtor fiind ionizat suficient de radiaie pentru a atinge starea de plasm. Efectele devin negative asupra radiaiei laser care i diminueaz drastic intensitatea. Utilizarea drept gaz de protecie a He (foarte greu de ionizat) devine foarte avantajoas, ns preul de cost este destul de ridicat.

Fig.3.5.Interaciunea radiaiei laser cu materia La interaciunea cu suprafaa metalic, se produce o vaporizare superficial a metalului. Vaporii metalici sunt mai uori de ionizat dect gazele de protecie, iar pragul critic de formare a plasmei locale este mai cobort. n consecin va exista la interfa o plasm dubl a ionilor metalici i a gazului.

Fig 3.6... Att ct plasma rmne n contact cu suprafaa, va fi un transfer de energie ctre solid, iar parametrii de lucru vor fi ajustai n funcie de tipul tratamentului de suprafa.: clire martensitic superficial retopire local

 retopire i aliere superficial depunere prin metoda laser pulsat. 3.2.2.3.Tratamente de suprafa cu radiaie laser. Tratamentele de suprafa pot fi clasificate n funcie de tipurile de interaciune ale radiaiei cu suprafaa: A. Tratamente superficiale cu transformri n stare solid. Sunt un mod esenial caracteristice oelurilor i fontelor cenuii conducnd la o clire martensitic superficial, bazat pe aportul termic superficial al radiaiei. Astfel se atinge temperatura de austenitizare a materialului. Gradul de subrcire necesar transferului martensitic se atinge prin absorbia cldurii n profunzimea piesei (substratului). Prin aceste cicluri termice rapide temperaturile critice Ac3 i Ac1 se permut la valori ceva mai ridicate. Parametrii de lucru . densitatea de putere :p=102.103w/cm2 timpi: grosimi strat: t=35 sec strat1mm

Rezultatele efective constau n creteri importante ale duritii superficiale (conform specificului martensitei) i a tensiunilor de compresiune n suprafa. Aplicabilitate: zone supuse uzurii n piese masive, greu de deplasat (glisiere la maini-unelte), cmi ale motoarelor termice.

B. Tratamente cu topire superficial Aceste tratamente se efectueaz cu sau FR aport de material. a) Tratamente cu topire superficiala fr aport de material Topirea superficial este urmat de o solidificare rapid ce conduce la finisarea microstructurii improprii denumita amorfizare. Totodat structura poate evolua de la o structur de echilibru ctre una metastabil. Concret, se pot trata superficial scule de tiere( i instrumental medical utilizat n acest sens) provocnd dizolvarea carburilor prin topire; dup solidificare rapid suprafaa

tratat poate avea o structur martensitic, mbogit in elemente de aliere, materialul posednd un nalt potenial de durificare prin revenire. Dificultatea eseniala la aceste tratamente este riscul apariiei tensiunilor, defavorabile comportamentului la oboseala, dar favorabile la uzur. b) Tratamentele cu topire superficial cu aport de material (aliere superficial). Procedeul reprezint o modalitate foarte eficient de a obine structuri superficiale cu proprieti specifice, oferind totodat avantajul unei legturi metalurgice, fr caracteristicile unei simple aderene ca n cazul acoperirilor clasice. Se mbuntete astfel duritatea, comportamentul la uzur sau coroziune. Aportul de materie poate fi sub form de : predepunere, topit ulterior de radiaia laser odat cu adncimea prestabilit din substrat. prin injectare de material pulverulent n fascicolul laser, prin retopirea unui fir confecionat din materialul de aport(procedeu foarte asemntor sudurii). In procesul topirii superficiale, exista doua situaii de interaciune a topiturii: - cu diluie totala (aliere superficiala) - cu diluie parial - topiturile nu intra in interaciune totala, ci doar parial (la interfaa este cazul) c) Depuneri superficiale prin ablaie laser Ablaia laser denumita si metoda PLD (Pulsed Laser Deposition, depunere laser in regim pulsatoriu) consta in vaporizarea materialului unei inte prin efectului energetic al unui fascicul laser. In figura 3.7 se prezint schema de principiu a metodei.

Fig 3.7.Schema de principiu a unei instalaii PLD Funcionare: - Fasciculul laser este focalizat asupra intei cu ajutorul unui sistem optic. Astfel, sursa de vaporizare este externa sistemului, ceea ce poate constitui un avantaj, in situaia in care in spaiul de lucru se introduce un gaz reactiv ce favorizeaz o reacie chimica cu materialul ce se evaporeaz - (obinerea de nitruri prin introducerea - spre exemplu a azotului inta fiind metalice) - un alt avantaj al principiului este ca transferul de materie este in general stoechiometric. - dezavantajul consta in aceea ca suprafeele de acoperire sunt in general mici, PLD avnd un caracter foarte direcionat de depunere. Mecanismul de depunere consta in: - absorbia radiaiei laser de ctre int si conversia energiei de aport prin excitatiile electronice in energia termica, chimica sau mecanica. - evaporarea, transferul si formarea plasmei. In zona de transfer, vor fi regsii atomi, molecule, electroni, ioni sau chiar agregate si particule micronice din int.

Particulariti ale sursei laser - laserii utilizai in PLD au in general lungimi de unda =200...400nm. Cel mai frecvent sunt laserii cu excimeri care permit obinerea unor fluene ridicate cu un nivel de repetiie (impuls) de ctre sute de Hz. - Fenomenele optice caracteristice trebuie sa permit focalizarea fascicolului si transmiterea sa in camera de depunere prin ferestrele optice si orientarea lui spre inta (Pentru laserul cu excimeri KrF*, =248 nm, lentilele de SiO2 sunt cele mai recomandate.

Particulariti ale intei si substratului intele - pot fi utilizate toate tipurile de inte solide: Pulberi presate si sinterizate Materiale masive, aliaje

- cu cat inta este mai densa, cu att calitatea filmului va fi superioar. Obs: intele din materiale pulverulente au capacitatea de a obinere a unui strat cu proeminente tip pictur. - substratul - va fi in micare de rotaie pentru omogenizarea depunerii Totodat va fi nclzit pentru favorizarea difuziei superficiale a particulelor(atomilor, moleculelor) depunerii si evitarea creterilor columnare sau insulare. O regula empiric recomand ca Tsubstr=1/3.....1/2 T subst top [K] - vidul - din spaiul de lucru trebuie sa fie: - preliminar (10-6 mbar) pentru aplicaii - ultranalt (10-10mbar) pentru microelectronic, unde gradul de impuriti trebuie sa fie minim.

3.3 Realizarea de straturi subiri prin tehnici PVD si CVD

PVD(Physical Vapor Deposition depunere fizica din stare de vapori) si CVD(Chemical Vapor Deposition depunere chimica din stare de vapori) desemneaz depunerea de straturi subiri din vaporii formai ca urmare a unor

fenomene fizice si chimice. In aceasta clasificare, decisiva este energia particulelor vaporizate care va face diferena tipului de depunere: dac energia nscrie valori sczute, particulele sunt rapid depuse in suprafa, fr se existe fenomene de difuzie la suprafaa strat/substrat. In consecina creterea este adesea eterogena; fenomenele fizice decisive. Dac energia are valori ridicate, particulele ce se vor depune in suprafa vor avea tendina sa difuze pe adncimi nanometrice ale suprafeei, conducnd la o cretere mai omogena. Fenomenele chimice fiind cele majoritare. Clasificarea este de cele mai multe ori arbitra ra si convenional, valoarea temperaturii este cea care face diferena: Daca Tsubst<500o PVD Tsubst>500o CVD (temperatura mai ridicat stimuleaz difuzia si accelereaz cinetica de reacie) 3.3.1 Tipuri de depuneri fizice in stare de vapori A) Depuneri prin evaporare termic Principiul metodei Materialul de evaporat(inta) este nclzit intr-un creuzet(prin efect Joule sau sub interaciunea unui flux de electroni). - metoda este recomandata pentru depunerile metalice, asigurnd pentru cele mai multe metale uzuale un grad ridicat de evaporare. procedeul se realizeaz in vid preliminar, pentru prentmpinarea efectelor de oxidare ale vaporilor metalici. aplicabilitate: - optic(oglinzi) - straturi de protecie - electronic variante ale procedeului MBE(molecular beam epitaxy) epitaxie prin jet molecular realizat in vid naintat: termenul jet molecular nu se refer la evaporare

moleculara, ci jetul materiei evaporate se face in regim molecular, unde drumul liber mijlociu ale moleculelor(sau atomilor)fazei gazoase se face fr coliziuni secundare pn la atingerea substratului. Particulariti depunerea este foarte uniform, fr impuriti, cu aplicabilitate in semiconductori. AMBE(accelerated MBE) si IVD(ionized vapor deposition) tehnici care in mod suplimentar sau doar fluxul de vapori este ionizat(parial sub impactul unui fascicol de electroni auxiliari), sau particulele sunt accelerate urmare a polarizrii substratului. B) Depuneri prin pulverizare catodic(Catodic Sputtering) Principiul metodei sub impactul unei radiaii incidente (electromagnetice) inta este pulverizat, evaporat si apoi ionizat, apoi fascicolul este orientat ctre substrat; metoda se aplica att pentru metale cat si compuilor cu caracter metalic. Pulverizarea aadar nu este un fenomen care conserva stoechiometria intei, randamentul depinznd direct proporional de numrul atomic. Avantajul metodei consta in gradul de pulverizare ridicat ce implica o viteza de depunere destul de importanta. Structura stratulu i obinut este dependenta de parametrii de lucru cu cat viteza este mai ridicata, cu att distribuia granulara are un caracter orientat, columnar. Sursele de polarizare sunt in general de tip magnetic un cmp magnetic care permite creterea lungimii traiectului ionilor, ceea ce creste probabilitatea coliziunilor(efecte reactive).

Variante ale procesului IBS(Ion beam sputtering pulverizare prin fascicol de ioni) metoda clasica, ce nu permite grade mari de pulverizare(deci si viteze mici de depunere), insa calitatea stratului este ridicata(nu prezint distribuie columnar) IBAD(Ion beam assisted sputtering pulverizare prin fascicul de ioni stimulai energetic) o metoda hibrid reunind evaporarea termica cu pulverizarea catodica a intei. Stimularea energetica a fasciculului

incident ndreptat asupra intei se face printr-o descrcare coroan(in arc) intre materialul de depus si substrat, accelernd randamentul depunerii. Procedeul devine mult mai rapid insa stratul are un puternic caracter orientat(columnar) . Aplicabilitate : - industria constructoare de maini(automobile) - dispozitive electronice cu structura multistrat - depuneri biocompatibile(medicin) 3.3.2 Depuneri chimice in stare de vapori Procedeele CVD sunt bazate pe reacii chimice asupra substratului nclzit, realizate intre mai multe componente gazoase reactive. In general gazul portant, cel care conine atomi din elementul de depus este descompus si apoi amestecat cu un gaz-vector , care poate fi activ (sau inactiv)...??? Variante ale procedeului MOCVD(metal organic CVD) favorizeaz interaciunea unor compui organo metalici pentru depunerea de straturi de tip MexCy: Me - metal de tranziie C carbon Avantajul: depunere de straturi subiri pe substraturi cu geomerii Complexe Inconvenientele sunt relevate caracterul toxic si inflamabil al gazului portant. Procedeele CVD, in ultimul timp, sunt din ce in ce mai mult nlocuite de procedeele PVD