Prvu Mihai Cristian Petre Gabriel Catalin Tini Daniel Cudlenco Nicolae, 321 CB

Referat Laborator 2: DIODA SEMICONDUCTOARE

Scopul lucrrii - Ridicarea caracteristicilor i determinarea principalilor parametri ai diodelor semiconductoare i studiul comportrii diodei semiconductoare n circuite elementare.

1.1 Caracteristica static

Reprezint dependena curent-tensiune, teoretic, a unei diode semiconductoare dedus prin analiza fenomenelor fizice n jonciunea PN ideal ce au loc la aplicarea unei tensiuni din exterior.

I0

- curentul de saturaie al diodei; - tensiunea de polarizare;

k q T

- constanta lui Boltzman; - sarcina electronului; - temperatura n Kelvini; - constant.

La cureni direci de ordinul 110 mA (valori des ntlnite n practic) tensiunea direct pe diod este de 0,2 0,3 V pentru diodele din germaniu respectiv 0,6 0,8 V pentru diodele din siliciu.

Prvu Mihai Cristian Petre Gabriel Catalin Tini Daniel Cudlenco Nicolae, 321 CB

Curentul de saturaie Io este dependent de parametrii fizici, tehnologici i geometrici ai jonciunii PN:

A - suprafaa jonciunii; ni - concentraia intrinsec de purttori; Dp , Dn - constantele de difuzie; Lp , Ln - lungimile de difuzie ale purttorilor de sarcin; ND , N A - concentraiile de impuriti.

1.2 Dependena de temperatur a caracteristicii statice a unei diode

semiconductoare este foarte puternic, nregistrndu-se o dublare a curentului de saturaie la fiecare 100C pentru diode din germaniu, respectiv la fiecare 60C pentru diodele din siliciu. Aceast dependen poate fi pus n eviden i prin coeficientul de variaie a tensiunii directe de pe diod cu temperatura, la curent constant. Teoretic, aceast variaie este de circa 2 mV per grad Celsius, pentru ambele tipuri de material utilizate curent pentru realizarea diodelor semiconductoare.

2. Determinarea mrimilor I0 i
Se reprezint ecuaia diodei semiconductoare la scar semilogaritmic (ca n figur). Pe abscis se reprezint tensiunea aplicat pentru conducie direct la scar liniar i pe ordonat curentul prin diod la scar logaritmic. Panta dreptei astfel obinute permite deducerea coeficientului. n relaia de jos se neglijeaz -I0 i se logaritmeaz, dup care se face separarea de variabile pentru obinerea relaiei lui y:

Prvu Mihai Cristian Petre Gabriel Catalin Tini Daniel Cudlenco Nicolae, 321 CB

Caracteristica static a diodei la polarizare direct, la scar semilogaritmic

Prin prelungirea aceleiai drepte, la intersecia cu axa ordonatei se obine curentul de saturaie.

3. Punctul static de funcionare

n circuitele electronice, diodele semiconductoare pot ndeplini mai multe funcii (redresare, detecie, limitare, etc.), n multe situaii fiind necesar stabilirea unui regim static de funcionare.

Circuit pentru determinarea punctului static de funcionare al diodei

Determinarea teoretic a punctului static de funcionare al diodei

Prvu Mihai Cristian Petre Gabriel Catalin Tini Daniel Cudlenco Nicolae, 321 CB

Pentru circuitul elementar din figur, punctul static de funcionare se determin prin rezolvarea grafoanalitic a sistemului de ecuaii format din ecuaia caracteristicii statice a diodei i ecuaia dreptei statice de funcionare :

Punctul static de funcionare M are coordonatele M(Ud, Id) , iar n acest punct de funcionare dioda este caracterizat din punct de vedere al semnalelor lent variabile (ce pot fi aplicate n serie cu tensiunea continu ) printr-o rezisten dinamic, pentru care se deduce relaia :

Rezistena dinamic se determin experimental prin calculul pantei caracteristicii statice, n punctul static de funcionare conform relaiei:

4. Tipuri de diode
a) Dioda Zener (stabilizatoare de tensiune)
Diodele stabilizatoare de tensiune (impropriu dar frecvent denumite diode Zener) sunt caracterizate printr-o tensiune de strpungere bine definit, ca urmare a efectului de multiplicare n avalan ce determin o cretere foarte puternic a curentului invers n zona de strpungere. Tensiunea de strpungere este controlat prin concentraia de impuriti. Funcionarea normal a diodei se face n zona reprezentat n figura 2.5 (caracteristica static, att cea direct ct i cea invers). Aceasta permite nelegerea noiunii de tensiune stabilizat, , precum i determinarea rezistenei dinamice a diodei, , conform relaiei:

Caracteristica static a diodei Zener

Prvu Mihai Cristian Petre Gabriel Catalin Tini Daniel Cudlenco Nicolae, 321 CB

b) Dioda Schottky
Diodele Schottky se realizeaz prin jonciune metal-semiconductor de tip redresor. La contactul metalsemiconductor se formeaz o barier de potenial i o regiune de sarcin spaial extins numai n semiconductor. Astfel, dioda Schottky funcioneaz numai cu purttori majoritari, electroni n cazul semiconductorului de tip N i goluri pentru P. La echilibru termodinamic, curentul prin diod este nul. La polarizare direct (uD > 0) bariera de potenial se micoreaz i apare un curent prin jonciune, prin deplasarea electronilor din semiconductor n metal.

La polarizare invers (uD < 0) bariera de potenial crete, iar fluxul de electroni de la semiconductor spre metal scade foarte mult. Nu exist curent rezidual. Proprieti: -cdere de tensiune direct mai mic (0,4V Schottky) n comparaie cu o diod semiconductoare de tip PN(0,75V diod de Siliciu); -funcionare foarte bun la frecvene mari i timpi de comutaie foarte mici (mai mici de 100 ps).

c) Dioda electrolumniscient (LED)

Dioda electroluminiscent (LED Light Emitting Diode) LED-urile sunt realizate din jonciuni GaAs, semiconductor avnd banda interzis de circa 1,6 1,7 eV. Ca urmare a recombinrilor directe, se emit cuante de lumin n spectrul vizibil, cu diferite culori, n funcie de lungimea de und a luminii emise. Diferite lungimi de und se obin prin adugarea de impuriti n procesul de dopare. Diodele electroluminiscente funcioneaz doar la polarizare direct, la cureni de ordinul a 20 mA. Culori i materiale RGB :

Prvu Mihai Cristian Petre Gabriel Catalin Tini Daniel Cudlenco Nicolae, 321 CB

5. Masuratori in laborator
Exercitiul 4.2 Dioda Siliciu Germaniu Schottky Zenner LED (R) LED (G) LED (B) 1. Dioda de Si ID (mA) 4.15 5 4.95 4.2 3.3 3.1 1.5 UD (V) 0.65 0.14 0.27 0.76 1.73 1.9 3.42

Rezultatul simularii: Din masuratori:

Diferenta dintre cele 2 valori este mica.

2. Dioda Schottky Rezultatul simularii:

Din masuratori:

Diferenta dintre cele 2 valori este mica.

Prvu Mihai Cristian Petre Gabriel Catalin Tini Daniel Cudlenco Nicolae, 321 CB

3. Dioda Zener Rezultatul simularii:

Din masuratori:

Diferenta dintre cele 2 valori este mica.

4. LED Rezultatul simularii:

Din masuratori: Led (R) Led (G) ed (B) Tinand cont de faptul ca in LT Spice nu se poate selecta anume ce culoare are led-ul, rezultatele masuratorilor sunt aproximativ egale cu cel de la simulare, exceptand cazul led-ului (B). Exercitiul 5.1 E(V) 0 5 10 20 UD(V) 0 4.95 9.87 19.5 ID(mA) 0 0 0.06 0.065 L

n LT Spice nu am gasit dioda de Germaniu, prin urmare nu am putut face simularea.

Prvu Mihai Cristian Petre Gabriel Catalin Tini Daniel Cudlenco Nicolae, 321 CB

Exercitiul 5.2

E(V) 5 10 15 20

UD(V) 5 6.24 6.32 6.41

ID 0.5 A 3.65 mA 8.53 mA 13.55 mA

Rezultatele simularii variind tensiunea: E(V) 5 10 15 20 ID 1.7 nA 3.69 mA 8.62 mA 13.59 mA

Exercitiul 1(LED R) I(mA) 0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 UD(V) 1,55 1,59 1,62 1,66 1,7 1,74 1,81 1,92

Exercitiul 2 La incalzire se observa pe aparatul de masura ca tensiunea scade.