Convertoare statice

CURS 6

http://www.conv.pub.ro/convertoare_statice/an_2_A/

4. TRANZISTOARE DE PUTERE

CLASIFICAREA TRANZISTOARELOR DE PUTERE

Tranzistoare Bipolare PNP NPN Tranzistoare Darlington cu gril jonciune JFET

Bipolare cu gril izolat IGBT

Unipolare cu efect de cmp FET cu gril izolat MOSFET

canal N canal P canal N canal P

cu canal iniial cu regim de srcire (depletion) cu canal indus cu regim de mbogire (enhacement)

4.1. Tranzistoare bipolare de putere

C B E J E JC + n p n B B E JE JE + p n p B b) C C a)

Tranzistorul bipolar de putere : a) simbolul ; b) structura. n structura sa exist dou jonciuni p-n i trei straturi semiconductoare: n-p-n sau p-n-p. Cele dou straturi exterioare sunt puternic dopate , iar cel median este slab dopat i ngust, cu o lime inferioar lungimii de difuzie a purttorilor de sarcin. Tranzistorul bipolar de putere are trei electrozi : E numit emitor, conectat la unul dintre straturile exterioare (foarte puternic dopat) ; C numit colector, conectat la al doilea strat exterior ; B numit baz, conectat la stratul median. Jonciuni: - jonciunea baz-emitor (a emitorului, notat JE) - jonciunea baz-colector (a colectorului, notat JC).

4.1.1. Principiul si ecuatia de functionare a tranzistorului bipolar de putere

RC n IE E + + + + (1- )I E B IB JE K
1

+ V n
P

JC

p + -

IC I
E

I BE

-I CB0

I CB0

RB K2 + VC

Explicativ pentru funcionarea i ecuaia tranzistorului bipolar de putere

RC n IE E + + + + (1- )I E B IB JE K
1

+ V n
P

JC

p + -

IC I
E

I BE

-I CB0

I CB0

RB K2 + VC

Pentru a funciona, tranzistorul are nevoie de dou tensiuni exterioare : de polarizare VP (de sute de voli) i de comand VC (de civa voli). Amndou polarizeaz direct jonciunea emitorului JE. n absena semnalului de comand (K1 nchis i K2 deschis) tranzistorul este blocat (JE polarizat direct i JC polarizat invers). ntreaga tensiune VP este suportat de jonciunea JC. Prin tranzistor trece un curent foarte mic, datorat agitaiei termice, format din purttori de sarcin minoritari i care este curentul invers al jonciunii JC . El se numete curent colectoremitor cu baza n gol, se noteaz ICE0 i are valori cuprinse ntre 0,1 i 1 mA, la tranzistoare de putere.

RC n IE E + + + + (1- )I E B IB JE K
1

+ V n
P

JC

p + -

IC I
E

I BE

-I CB0

I CB0

RB K2 + VC

La aplicarea semnalului de comand (se nchide i K2) jonciunea JE este polarizat direct suplimentar i un numr mare de purttori de sarcin majoritari (care formeaz curentul de emitor IE ) din emitorul puternic dopat (cu sarcini negative) trec prin difuzie n baz. Baza fiind mai ngust dect lungimea de difuzie a purttorilor majoritari, acetia ajung n zona jonciunii colectorului, unde sunt antrenai de cmpul electric existent aici i astfel, cea mai mare parte a purttorilor de sarcin plecai din emitor ajung n colector. n aceasta const efectul de tranzistor : trecerea curentului dintr-un circuit cu rezisten mic (JE polarizat direct), ntr-un circuit cu rezisten mare (JC polarizat invers).

RC n IE E + + + + (1- )I E B IB JE K
1

+ V n
P

JC

p + -

IC I
E

I BE

-I CB0

I CB0

RB K2 + VC

Se noteaz cu IE fraciunea care ajunge n colector. Coeficientul este subunitar, dar apropiat de 1 i se numete factor de amplificare n curent colector-emitor. Datorit slabei dopri a bazei, doar o mic parte din purttorii majoritari provenii din emitor, i anume (1-)IE, se recombin n baz i formeaz o parte a curentului de baz IB . Curentul baz-emitor IBE este format tot din purttori majoritari provenii ns din baz (sarcini pozitive), care trec prin difuzie prin jonciunea JE . Baza fiind slab dopat, acest curent este neglijabil. Prin jonciunea JC , polarizat invers, se formeaz un curent baz-colector ICB0 , de purttori minoritari, egal cu curentul rezidual al jonciunii. Prin plecarea golurilor spre colector se formeaz un curent egal de electroni -ICB0 .

RC n IE E + + + + (1- )I E B IB JE K
1

+ V n
P

JC

p + -

IC I
E

I BE

-I CB0

I CB0

RB K2 + VC

Tranzistorul se numete bipolar pentru c n funcionarea sa intervin att purttorii de sarcin majoritari, ct i cei minoritari. Calculul curenilor de baz i de colector ai tranzistorului :
I B = (1 ) I E I CB 0 I C = I E + I CB 0

IB =
sau

1 1 I C I CB 0
IC = = hFE IB 1

ICB0 IB

IB

1 IC

Raportul hFE se numete factor static de amplificare n curent baz-colector i este o mrime caracteristic, indicat n catalogul de produs. Pentru tranzistoarele de putere, hFE este mic, de ordinul zecilor : pentru (0,950,99), hFE (1999).

4.1.2. Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar

E B
a)

C B

C B E
b)

E B E C
c)

Posibiliti de conectare pentru tranzistorul bipolar de putere : a) cu baz comun ; b) cu emitor comun ; c) cu colector comun Caracteristicile statice se vor prezenta pentru conexiunea cu emitor comun, deoarece aceasta este cel mai frecvent utilizat n electronica de putere. Exist trei tipuri de caracteristici statice : caracteristica de intrare, pentru mrimile circuitului de intrare ; caracteristica de transfer, care prezint dependena ntre mrimi ale circuitului de intrare i mrimi ale circuitului de ieire ; caracteristica de ieire, pentru mrimile circuitului de ieire.

Caracteristica de intrare reprezint dependena i B = f ( v BE ) cnd tensiunea VCE este meninut constant
iB IB M 2

V (BR)BE 0

vBE VBE

Aceast curb este caracteristica static a jonciunii JE i este, din acest motiv, asemntoare cu caracteristica static a unei diode Curba din cadranul nti reprezint caracteristica direct, cnd jonciunea JE este polarizat direct, iar tranzistorul conduce. Pentru fiecare punct de funcionare M se definesc -rezistena static de intrare R1 =
VBE = ctg1 IB
d v BE = ctg 2 diB

-rezistena dinamic de intrare r1 =

Caracteristicile de transfer reprezint legturi ntre mrimi ale circuitului de intrare i mrimi ale circuitului de ieire : a) iC = f ( v BE ) cnd tensiunea VCE este meninut constant ; b) iC = f (i B ) cnd tensiunea VCE este meninut constant.
iC I I M
C C

iC M 2

1 VBE a)

vBE

1 IB b)

Caracteristicile de transfer ale tranzistorului bipolar a) pentru fiecare punct de funcionare M se definesc: I - transconductana static : S = C = tg1 VBE - transconductana dinamic: s =
diC = tg 2 d v BE

iC I I M
C C

iC M 2

1 VBE a)

vBE

1 IB b)

b) pentru fiecare punct de funcionare M se definesc: -factor static de amplificare n curent baz-colector: hFE = =
IC = tg1 IB

-factor dinamic de amplificare n curent baz-colector: d = diC = tg 2

diB

Caracteristica de ieire reprezint dependena iC = f ( vCE ) cnd curentul de comand IB este meninut constant
iC 1a 1 1b VCB=0 2 IC VP RC M1 M2 M I CE0 VCEsat V CE 2 M3 VP 3 IB> IB
4 3

IB > IB 3 2 IB >IB 2 1 IB >0 1 I B=0 v CE

Caracteristica de ieire a tranzistorului bipolar de putere Pentru fiecare punct de funcionare M se definete rezistena static de ieire R2 =
VCE IC

iC 1a

1 1b VCB=0 2 IB > IB
4 3

IC

VP RC

M1 M2 M 2 M3 V CE VP 3

IB > IB 3 2 IB >IB 2 1 IB >0 1 I B=0 v CE

I CE0 VCEsat

n planul (iC,vCE) sunt marcate trei zone, corespunztoare celor trei regimuri de funcionare posibile ale tranzistorului bipolar.
Zona 1, tranzistorul este n conducie la saturaie i se comport n circuit ca un ntreruptor nchis : prin el trece un curent IC mare, iar cderea de tensiune la bornele sale este mic : tensiunea colector-emitor la saturaie (VCEsat). Rezistena de ieire R2 este minim, iar curentul este limitat practic numai de rezistena consumatorului, RC ; astfel, punctul M1 este determinat de perechea de valori : (VCE =VCEsat , IC =VP /RC ). Dreapta 1, pe care se afl punctul M1 se numete dreapta de saturaie. Dreapta 1 mparte zona 1 n dou pri : zona 1a de suprasaturaie, n care tranzistorul nu trebuie adus, pentru c i crete timpul necesar pentru blocare, deci se micoreaz frecvena maxim de comutaie la care va putea fi folosit ; zona 1b de cvasisaturaie, care reprezint un regim favorabil de funcionare pentru tranzistoarele din convertoarele statice de putere.

iC 1a

1 1b VCB=0 2 IB > IB
4 3

IC

VP RC

M1 M2 M 2 M3 V CE VP 3

IB > IB 3 2 IB >IB 2 1 IB >0 1 I B=0 v CE

I CE0 VCEsat

Zona 3, tranzistorul este blocat n absena curentului de comand (IB=0) i se comport n circuit ca un ntreruptor deschis : prin el trece un curent foarte mic, ICE0, curent emitor-colector cu baza n gol, iar tensiunea la bornele sale este mare, egal practic cu tensiunea aplicat din exterior, VP . Rezistena de ieire R2 este mult mai mare dect rezistena consumatorului. Astfel, punctul M3 este determinat de perechea de valori : (VCE =VP , IC =ICE0 ). Dreapta 2 determinat de punctele M1 i M3 se numete dreapta de sarcin, pentru c este determinat de mrimile circuitului de sarcin considerat rezistiv: tensiunea VP i rezistena consumatorului, RC . n cadrul convertoarelor statice, tranzistorul funcionnd n regim de comutaie, punctul lui de funcionare se va deplasa ntre M2 (conducie n zona cvasisaturat) i M3 (starea blocat) pe dreapta de sarcin, dac sarcina circuitului n care se afl tranzistorul este rezistiv.

iC 1a

1 1b VCB=0 2 IB > IB
4 3

IC

VP RC

M1 M2 M 2 M3 V CE VP 3

IB > IB 3 2 IB >IB 2 1 IB >0 1 I B=0 v CE

I CE0 VCEsat

Zona 2, tranzistorul se comport ca un amplificator linear ; este zona activ normal, care ns nu prezint interes pentru funcionarea convertoarelor statice de putere. Curentul de colector rmne practic constant, pentru un curent de comand dat : IC=hFE IB. Rezistena de ieire este variabil, funcie de curentul de baz i particip la limitarea curentului de colector.

Toate caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar depind de temperatur, precum i parametrii caracteristici importani : VCEsat , hFE i ICE0 . Pentru stabilizarea punctului de funcionare cu temperatura trebuie s se intervin n circuitul de polarizare a bazei.

4.1.3. Blocarea si strapungerea tranzistoarelor. Aria de functionare sigura

iC D
a doua strpungere (ireversibil)

C I C1 ICE0 0 B IB=0

prima strpungere (reversibil)

A vCE V CE0 (sus) V (BR) CE0

Comportarea tranzistorului bipolar, n absena semnalului de comand (IB=0) la creterea tensiunii colector-emitor Dac, intre bornele (colector si emitor) unui tranzistor blocat se aplica o tensiune tot mai mare, curentul se mentine foarte mic si practic constant, la valoarea ICE0 , pana la tensiunea de strapungere, notata V(BR)CE0 . La depasirea acestei tensiuni, curentul prin tranzistor creste datorita multiplicarii n avalansa a purtatorilor de sarcina, iar tensiunea se mentine practic constanta. Curentul de colector este limitat numai de rezistenta din circuitul exterior. Dac acest curent nu depaseste valoarea IC1 , corespunzator tensiunii de sustinere VCE0(sus) , atunci tranzistorul poate reveni la functionare normala. Portiunea AB din caracteristica reprezinta zona primei strapungeri, care este un fenomen reversibil si nedistructiv pentru tranzistor.

iC

D
a doua strpungere (ireversibil)

C I C1 ICE0 0 B IB=0

prima strpungere (reversibil)

A vCE V CE0 (sus) V (BR) CE0

Dac rezistena din circuitul exterior nu poate limita curentul de colector la valori inferioare lui IC1 , se produce a doua strpungere, care este ireversibil (zona CD). Curentul prin tranzistor crete rapid , n timp ce cderea de tensiune vCE scade pn la valori foarte mici, corespunztoare conduciei la saturaie. Aceste fenomene determin distrugerea tranzistorului, deoarece intrarea n conducie s-a produs n absena semnalului de comand, iar tranzistorul va rmne mereu n conducie, deci nu mai este capabil s ndeplineasc rolul de ntreruptor comandabil al circuitului.

Metode de blocare ale tranzistorului: - lsarea bazei n gol (notat O); - legarea ntre baz i emitor a unei rezistene R (notat R); - scurtcircuitarea circuitului baz-emitor (notat S); - polarizarea invers a bazei la un potenial -VC (notat X).
RC + K
a b

RC I CEO T VP K
a
C

+ I CER
b

VP

T R BE b)

V C

I B=0 a)

V -

RC + I CES K
a b

RC VP K
a b

+ I CEX T
+

VP

V C c)

V C

-VC d)

iC I C1(O) I C1(X) I CE0(O) I

CE0(X)

VCE0(sus)(O)

VCE0(sus)(X) V(BR)CE0(O) V

v CE

(BR)CE0(X)

Comparaie ntre metodele de blocare a tranzistorului bipolar

I CE 0( X ) < I CE 0( S ) < I CE 0( R ) < I CE 0(O ) V( BR )CE 0( X ) > V( BR )CE 0( S ) > V( BR )CE 0( R ) > V( BR )CE 0(O )
Cea mai eficient metoda de blocare este blocarea prin polarizarea invers a jonciunii baz-emitor, deoarece un tranzistor astfel blocat suport o tensiune colector-emitor maxim i este parcurs de un curent colector-emitor minim, adic asemnarea cu un contact deschis este cea mai bun.

Aria de funcionare sigur (SOA)

iC ICM IC TC= 25 C 3 SOA 4 vCE V CE0(sus) 1 2

Aria de funcionare sigur Pentru ca tranzistorul s nu ajung la strpungere sau la supranclzire, n catalog se indic n planul (iC , vCE ) limitele ntre care dispozitivul poate funciona normal i care definesc aria de funcionare sigur, notat SOA (Safe Operating Area). Diagrama este trasat n coordonate logaritmice i este delimitat de urmtoarele patru segmente :

iC ICM IC TC= 25 C

1 2

3 SOA 4 vCE V CE0(sus)

- segmentul 1 reprezint valoarea maxim a curentului de colector care poate trece prin tranzistor fr a duce la depirea temperaturii de lucru maxime admise TJmax ; - segmentul 2 reprezint valoarea maxim a puterii pe care ansamblul tranzistorradiator l poate disipa Pd max , fr a ajunge la depirea temperaturii de lucru maxime admise, la jonciunea colectorului, pentru o temperatur determinat a capsulei ; de obicei TC =25C ; - segmentul 3 reprezint a doua strpungere ; - segmentul 4 reprezint tensiunea maxim colector-emitor , cu baza n gol, care poate fi aplicat tranzistorului : VCE0(sus). n regim de impuls, aria de funcionare sigur se mrete (perimetrul desenat cu linie ntrerupt), cu att mai mult cu ct impulsul este mai scurt.

4.1.4. Regimul dinamic al tranzistoarelor bipolare de putere Regimul dinamic depinde de tipul consumatorului
iC I M1
Csat

+V P iC RC RB i B vBE T vCE

M2

SOA amorsare

Comanda

blocare

M3 v CE

VCE VP

Comutaia cu consumator rezistiv

vBE t0 iB I B1 -I B2 ICE0X t t VC! t1 t -VC2

i 90 10

t on

t off I C = I Csat VP RC tf tr ts VCEsat

vCE VP p

td

VP
t t

Forme de und la comutaia cu sarcin rezistiv

Momentul t0 este momentul n care se aplic semnalul de comand pentru intrarea n conducie a tranzistorului. Timpul de amorsare ton are dou componente :

ton = td + t r
td timpul de ntrziere la intrarea n conducie, egal cu intervalul de timp necesar creterii curentului de colector pn la 10% din valoarea lui de regim nominal IC ; tr timpul de cretere, egal cu intervalul de timp necesar creterii curentului de colector de la 10% la 90% din valoarea lui de regim nominal IC .

Momentul t1 este momentul n care se aplic semnalul de comand pentru blocarea tranzistorului. Timpul de blocare toff are dou componente :

toff = t s + t f
: ts timpul de stocare, egal cu intervalul de timp necesar scderii curentului de colector pn la 90% din valoarea lui de regim nominal IC ; tf timpul de cdere, egal cu intervalul de timp necesar scderii curentului de colector de la 90% la 10% din valoarea lui de regim nominal IC .

Timpii de comutaie sunt specificai n catalog. Componenta ts este cea mai lung din cauza timpului necesar recombinrii purttorilor de sarcin. Scurtarea timpului de stocare se realizeaz prin meninerea tranzistorului n conducie n zona cvasisaturat (punctul M2). Acest lucru se obine prin supravegherea tensiunii VCE i reglajul curentului de baz funcie de curentul de colector. Soluia cea mai frecvent este utilizarea unei diode antisaturaie DAS, montat ntre baz i colector. Atunci cnd, datorit variaiei rezistenei de sarcin, IC scade i punctul de funcionare trece din A n B, dioda DS se deschide i o parte din curentul de comand I, este deviat prin ea. Ca urmare, curentul de baz scade i punctul de funcionare trece din B n C, care este tot n zona cvasisaturat, ca i punctul iniial de funcionare A.

VDAS DAS I- I B I IB RB VBE

a)

IC

iC VP RC1 VP RC2 IB1 A B C IB2 IB3 IB4 vCE VP

b)

+ VDE -

RC VP

4.1.5. Circuite pentru mbuntirea comutaiei tranzistoarelor bipolare de putere (snubbere) SCOP: scderea puterii dezvoltate n regim dinamic i deci a temperaturii de funcionare, prin micorarea vitezei de cretere a curentului de colector la intrarea n conducie, respectiv a tensiunii colector-emitor la blocare. Acest lucru este realizabil cu circuite pasive, specifice pentru amorsare, respectiv pentru blocare, numite circuite pentru mbuntirea comutaiei (snubbere). Circuit pentru mbuntirea comportrii la amorsare a tranzistorului bipolar (snubber on)
R1 D1 iD DRL

iB Comanda T v CE iC -

L1 VP

R C IS +

LC

Circuit pentru mbuntirea comportrii la amorsare a tranzistorului bipolar (snubber on)

R1 D1 iD DRL

iB Comanda T v CE iC -

L1 VP

R C IS +

LC

Snubber-ul, format din L1, R1 i D1 este montat n serie cu sarcina. - inductivitatea micoreaz panta de cretere a curentului de colector; - grupul R1, D1 are rolul de a evita supratensiunile la bornele lui L1 la blocarea tranzistorului.

Circuit pentru mbuntirea comportrii la blocare a tranzistorului bipolar (snubber off)

iD C o m a n d a

DRL

iC IS t

RC I S iC R C iB i Co D

LC

+ VP

i D i Co IS i Co uC v CE

tf

iD t VP t

uC

DAV

Creterea tensiunii vCE=uC se face lent, ntr-un timp mai lung dect tf, necesar ncrcrii condensatorului, prin dioda D care scurtcircuiteaz rezistena R.. Dioda cu avalan controlat DAV protejeaz tranzistorul la supratensiuni. Rezistena R. limiteaz curentul de descrcare al condensatorului.

iD R C IS L1 iL iC

DRL + LC R1 D1 D i Co R id L1 iL iC

iD R C IS

DRL + LC

R D id i Co C

C a) b)

Tranzistor bipolar echipat cu circuite pentru mbuntirea comutaiei la intrarea n conducie i la blocare Dac tranzistorul nu este ncrcat pn la limita admis de caracteristicile sale se poate utiliza o singur diod si rezisten (b)

Concluzii Circuitele pentru mbuntirea comutaiei preiau o parte din puterea dezvoltat n procesul de comutaie n tranzistor i uureaz astfel regimul termic de funcionare al tranzistoarelor. Dezavantaje: - creterea numrului de componente i a gabaritului; - limitarea frecvenei de comutaie din cauza timpului necesar ncrcrii condensatorului; - randament sczut la un curent mai mic dect curentul nominal, la care s-a fcut dimensionarea circuitului. Soluiile constructive pentru tranzistoare sunt n continu dezvoltare. Actualmente exist tranzistoare cu arii extinse de funcionare sigur i tensiuni de inere mari, care pot fi utilizate i fr circuite de mbuntire a comutaiei.

4.1.4. Tranzistorul Darlington Din cauza factorului de amplificare mic al tranzistoarelor bipolare de putere, pentru comutaia unor cureni inteni colector-emitor se consum o energie important i n circuitele de comand. O soluie pentru diminuarea acestui neajuns este folosirea montajelor de amplificare Darlington, cu dou sau trei tranzistoare.
+
I B
C1

C IC I C2 T2 B I B I B1 R1 b)

+
I
C1

C IC I C2 T2

= I B1

T1 I B2 a)

T1

I B2 R2

-E

Montaj Darlington Factorul de amplificare ideal al unui montaj cu dou tranzistoare se definete la fel ca la tranzistorul bipolar :

IC IB

Factorul ideal de amplificare pentru tranzistorul Darlington:

= 1 2 + 1 + 2

n practic, montajul se completeaza cu rezistene pentru divizarea tensiunii de comand pe bazele celor dou tranzistoare, ca n (b) i factorul real de amplificare este mai mic din cauza cderilor de tensiune pe cele dou rezistene. Factorul real de amplificare este cu att mai aproape de cel ideal, cu ct rezistenele R1 i R2 sunt mai mici. n practic se folosete relaia aproximativ :

= 1 2
n electronica de putere, montajul Darlington se folosete fie realizat din componente separate, fie sub form de circuit integrat.
C iC i i
B1

iB B

C1

T
1 ds

C2

D T

B2

Elementele componente ale tranzistorului Darlington integrat

Tranzistorul Darlington integrat are accesibile din exterior tot trei borne. Include cele dou rezistene R1 i R2 , precum i dou diode : D ca diod de descrcare (DRL) (care devine util n schemele de invertoare) i Dds ca diod de destocare (reprezint o cale de rezisten minim pentru evacuarea sarcinii stocate n baza lui T2 ) Tranzistorul Darlington integrat este avantajos pentru c simplific schemele n care este utilizat i are preul mai accesibil. Nu permite ns accesul la baza lui T2, deci face imposibil aplicarea unor artificii de montaj care micoreaz timpul de blocare. Montajul Darlington din componente discrete permite o mai mare flexibilitate, n sensul adaptrii mai bune a performanelor tranzistorului la cerinele convertorului. Pentru aceleai date nominale, aria de funcionare sigur a tranzistorului Darlington din componente discrete este mai mare dect a celui integrat, dac elementele componente sunt corect dimensionate.