Sunteți pe pagina 1din 17

DISPOZITIVE OPTOELECTRONICE

1. INTRODUCERE
Prin dispozitive optoelectronice se inteleg acele dispozitive electronice la
care semnalul de intrare sau de iesire este radiatia optica.
Spectrul radiatiei optice este cuprins intre 5nm si 1mm. Spectrul se imparte
astfel:
- domeniul de radiatie ultraviolet: (5nm,400nm)
- domeniul vizi!il: (400nm ,"#0nm)
- domeniul infrarosu: ("#0nm,1mm).
$enomenele fizice fundamentale care stau la !aza functionarii dispozitivelor
optoelectronice sint a!sor!tia radiatiei electromagnetice in corpul solid si
recom!inarea radiativa a purtatorilor de sarcina in semiconductoare.
$enomenul de creare de purtatori li!eri de sarcina su! actiunea radiatiei
electromagnetice se numeste EFECT FOTOELECTRIC.
%aca electronii ,care au a!sor!it radiatia electromagnetica ,sint e&trasi din
interiorul corpului solid,fenomenul poarta denumirea de efect fotoelectric
extern acesti electroni pot participa la fenomene de conductie in vid sau
gaze.
%aca electronii sint doar desprinsi de atomul de origine , devenind purtatori
li!eri in interiorul retelei, fenomenul poarta denumirea de efect fotoelectric
intern acest fenomen este specific numai semiconductoarelor , deoarece la
metale e&ista un mare numar de purtatori li!eri ,c'iar in a!senta radiatiei
electromagnetice.
2.FOTOREZISTORI
(na din formele de manifestare a efectului fotoelectric intern la materialele
semiconductoare consta in aparitia purtatorilor de sarcina si,ca
urmare,cresterea conductivitatii electrice a semiconductorului.
))).referat.ro
*ceasta proprietate se numeste FOTOCONDUCTIVITATE iar dispoziti-
vul optoelectronic care functioneaza pe !aza acestui fenomen se numeste
FOTOREZISTOR.
+n functie de materialul semiconductor din care este realizat, sensi!ilitatea
lui spectrala poate varia din ultraviolet pina in infrarosu.
$otorezistorii se o!tin prin depunerea unui strat din material semiconductor
pe un suport izolator, prevazut la capete cu doua contacte o'mice pentru
lipirea terminalelor.
$igure 1 ,onstructia unui rezistor
Suprafata fotosensi!ila a fotorezistorului poate varia intre 1mm
-
si citiva
centimatri patrati.%ispozitivul se incapsuleaza in plastic,metal,ceramica sau
sticla.
$igura - $otorezistor.Sim!ol si modul de utilizare in circuitele electrice.
$igura . ,aracteristica curent-tensiune pentru un fotorezistor
Parametrii unui fotorezistor sint :
-valoarea rezistentei electrice la intuneric
-tensiunea ma&ima admisa la !orne
-puterea ma&ima disipata
-sensi!ilitatea la lumina-reprezinta raportul dintre variatia curentului si
variatia iluminarii, la o tensiune constanta.Se masoara in m*/l&.
-sensi!ilitatea spectrala-depinde de natura materialului semiconductor
utilizat si reprezinta dependenta sensi!ilitatii S de lungimea de unda a
radiatiei incidente.
$unctionarea fotorezistoarelor nu depinde de semnul tensiunii aplicate.
0aloarea curentului,la o tensiune data, depinde de nivelul de iluminare
conform caracteristicii curent-tensiune din figura ..
3.EFECTUL FOTOVOLTAIC-este procesul fizic prin care energia ra-
diatiei luminoase (fotonilor) este transormata direct in energie electrica.
Pentru o!servarea efectului fotovoltaic ,se impune ca energia fotonilor
incidenti sa fie mai mare sau egala cu largimea !enzii interzise a
semiconductorului 1g.Prin actiunea fotonilor asupra uneia din regiunile care
formeaza 2onctiunea p-n sint generati purtatori de neec'ili!ru.
$igura . 3eprezentarea aparitiei efectului fotovoltaic
,impul electric intern 1
i
nu actioneaza decit asupra unei parti a purtatorilor
fotogenerati in volumul semiconductorului :
in zona , vor fi supusi actiunii cimpului intern numai acei purtatori ce se
afla la distanta cel mult egala cu lungimea de difuzie a electronilor 4
n
fata
de regiunea de sarcina spatiala, unde electronii vor fi atrasi spre regiunea
de sarcina spatiala, in timp ce golurile vor fi respinse spre suprafata
iluminata.
in zona n, se actioneaza in acelasi mod asupra purtatorilor generati si
aflati la o distanta cel mult egala cu 4
p
de regiunea neutra 4
p
-lungimea
de difuzie a golurilor.
in regiunea de sarcina spatiala, electronii sint deplasati in sens contrar
cimpului intern 1i, iar golurile sint deplasate in acelasi sens cu cimpul
intern.
,a urmare a acestui transport de sarcini, regiunea n se incarca negativ iar
regiunea pozitiv.
(n voltmetru conectat la capetele 2onctiunii va indica o tensiune numita
tensiune de circuit desc'is 0
oc
.
!.CELULA FOTOVOLTAICA-dispozitiv optoelectronic cu o 2onctiune pn
ce are la !aza functionarii efectul fotovoltaic.
Suprafata frontala a 2onctiunii este neacoperita de contactul metalic (ca la o
2onctiune o!isnuita) si are aria cuprinsa intre citiva milimetri patrati si citiva
centimetri patrati.
$igura 4 Structura unei celule voltaice
%aca suprafata activa este iluminata, la !ornele celulei fotovoltaice apare o
tensiune electrica, contactul regiunii fiind polul pozitiv, iar contactul
regiunii n polul negativ.
,onectarea unei rezistente in circuit da nastere la un curent electric,numit
fotoc"rent si este de sens opus curentului ce apare in circuit in cazul
polarizarii directe cu o tensiune e&terna.
,ind celula fotovoltaica nu este iluminata, ea are o comportare asemanatoare
cu o dioda simpla.
*naliza caracteristicii curent-tensiune evidentiaza urmatoarele aspecte :
portiunea din cadranul 1 corespunde tensiunilor de polarizare directa
aplicate din e&terior
portiunea din cadranul . reprezinta functionarea in conditiile de
polarizare inversa
cur!ele din cadranul 4 arata modul in care curentul ,dintr-un circuit ca cel
din fig.#., depinde de tensiunea la !ornele celulei.
Pentru o celula fotovoltaica ,esentiala este functionarea in conditiile a!sentei
polarizarii e&terioare, corespunzatoare portiunii din cadranul 4 a
caracteristicii curent-tensiune.
$igura 5 ,elula fotovoltaica.Sim!ol si utilizare.
$igura # ,aracteristica curent-tensiune pentru celala fotovoltaica
Parametrii cei mai importanti sint:
curentul de scurtcircuit +sc
tensiunea de circuit desc'is 0oc
caracteristica spectrala.
Punctul de functionare 5(+1,(1) defineste in mod univoc valoarea
rezistentei ce tre!uie folosita : 36(1/+1.
#.CELULA SOLARA-reprezinta o celula fotovoltaica cu mentiunea ca
radiatia incidenta provine de la soare si are o constructie optimizata pentru
utilizarea ca generator de energie electrica.
*ria suprafetei active este de ordinul centimetrilor sau zecilor de centimetri
patrati.
5ecanismul de functionare este acelasi ca la o celula fotovoltaica.
Parametrul principal care defineste calitatea unei celule solare este
randamentul conversiei ca fiind raportul dintre puterea electrica ma&ima
furnizata de celula P
m
si puterea radianta incidenta pe suprafata fotosensi!ila
P
in
: n6P
m
/P
in
60
m
+
m
/P
in
.
%atorita valorilor mari de curenti generati si a ariei fotosensi!ile
mari,celulele solare au o serie de particularitati constructive fata de celulele
fotovoltaice.
$igura " Structura tipica a unei celule solare
7rila metalica(contactul superior) are rolul de a mari eficienta de colectare a
purtatorilor fotogenerati si de a micsora rezistenta serie a celulei (rezistenta
electrica pe care dispozitivul insusi o are la trecerea curentului electric).
,elulele solare se fa!rica cu suprafete cit mai mari in scopul o!tinerii unor
valori ridicate pentru curentii de!itati.
8!tinerea unor generatoare electrice ,!azate pe efectul fotovoltaic, cu putere
mare la iesire implica ansam!larea celulelor solare in module.
%e e&emplu, la conectarea a doua celule solare in serie, caracteristica
ansam!lului are curentul de scurtcircuit egal cu cea mai mica valoare in
timp ce tensiunea rezultanta este suma tensiunilor individuale.
4a rindul lor, modulele se grupeaza in ansam!luri mai mari (panouri) pentru
a putea o!tine puteri de ordinul a sute de )ati.
$.FOTODIODA-este un dispozitiv optoelectronic cu o 2onctune pn, cu aria
activa mica(mm patrati) si se utilizeaza in regim polarizat, la tensiuni
inverse. +ntre o fotodioda si o dioda o!isnuita e&ista doua deose!iri
constructive importante :
1. ,apsula diodelor semiconductoare este opaca, in timp ce la fotodiode
e&ista o zona transparenta pentru accesul luminii.
-. 4a o dioda semiconductoare toata suprafata zonei difuzate este acoperita
cu un strat metalic ce constituie unul din electrozi, in timp ce la fotodioda
aceasta suprafata este acoperita cu un strat reflectant.
,aracteristica curent-tensiune a unei fotodiode este asemanatoare cu cea a
unei celule fotovoltaice din cauza proceselor identice ce au loc.
$igura 9 $otodioda. Structura si sim!ol.
$igura 11 :rasarea dreptei de sarcina la o fotodioda si utilizarea in circuit.
$otodiodele nu se utilizeza in regim fotovoltaic (cadranul 4) ci numai in
conditiile aplicarii la !orne a unei tensiuni inverse(cadranul .).
,urentul invers se numeste c"rent %e il"&in're si pentru iluminare zero se
o!tine curentul de intuneric.
O(SERVATII-%aca utilizarea fotodiodelor in regim fotovoltaic este
neavenita (datorita curentilor mici furnizati) folosirea celulelor fotovoltaice
in locul fotodiodelor este posi!ila.
Pentru aceasta se vor selecta celulele fotovoltaice care au curentul de
intuneric mic si tensiunea de strapungere suficient de mare.
8 proprietate importanta a fotodiodelor este timpul de raspuns mai redus, la
arii fotosensi!ile egale, decit al celulelor fotovoltaice sau al
fotorezistoarelor.*ceasta se datoreaza micsorarii capacitatii 2onctiunii cind i
se aplica o polarizare inversa.
).FOTOTRANZISTORUL-are,la fel ca si tranzistorii o!isnuiti, doua
2onctiuni si in care se prevede posi!ilitatea ca regiunea !azei, a colectorului,
a emitorului sau c'iar toate regiunile sa fie iluminate.
$unctionarea se !azeaza pe efectul fotoelectric intern si pe proprietatea de
amplificare in curent a tranzistorului.
$ototranzistorul poate fi inclus in sc'emele de masura in monta2 cu emitorul
comun 1,, cu !aza comuna ;, sau cu colectorul comun(,,).Se mai
utilizeaza conectarea ca dioda o!isnuita avind emitorul, !aza sau colectorul
in gol.
*vanta2ul fototranzistorului fata de fotodioda este sensi!ilitatea mai mare la
lumina, de zeci sau sute de ori mai mare la aceeasi arie fotosensi!ila.
$igura 1- 5oduri de conectare a fototranzistorului in circuitele electronice.
,a dezavanta2 se mentioneaza valoarea mare a curentului de intuneric. %e
aceea fototranzistorul se foloseste,cu precadere, in monta2ele in care tre!uie
sesizata prezenta luminii si nu o discriminare precisa a nivelelor de
iluminare.
Parametrii principali ai unui fototranzistor sint:
curentul de intuneric
tensiunea ma&ima colector-emitor
curentul ma&im de colector
sensi!ilitatea spectrala-reprezentind dependenta curentului de colector
functie de lungimea de unda a radiatiei optice incidente.
*.OPTOCUPLOARE-sint dispozitive <<'i!ride<< formate dintr-un emitator si
un receptor de lumina asezate fata in fata, la o distanta mica , in aceeasi
capsula.
(n semnal continuu sau alternativ aplicat la intrare este transformat in
radiatie luminoasaacesta a2unge la fotodetector, unde se reconstituie
semnalul electric initial.
Sursele de radiatie folosite in optocuploare sint : !ecuri cu incandescenta
sau 41%-uri cu emisie in vizi!il sau in infrarosu apropiat.
$igura 1. ,onfiguratii de optocuploare.
$otodetectoarele utilizate sint: fotorezistoare, fotodiode ,fototranzistoare,
celule fotovoltaice, fototranzistoare.
%esi, sint posi!ile o multime de com!inatii intre diferite surse optice si
fotodetectoare,conditie o!ligatorie pentru imperec'erea lor intr-un
optocuplor este suprapunerea , cel putin partiala, a caracteristicilor spectrale
de emisie a sursei cu sensi!ilitatea spectrala a fotodetectorului. +n practica
sau impus doar citeva configuratii: 41%-fotodioda, 41%- fototranzistor si
41%-fototiristor.
Parametrii pincipali ai optocuploarelor sint:
raportul de transfer in curent definit ca raportul intre curentul de iesire si
curentul de intrare, e&primat in procente
caracteristica de transfer a optocuplorului se da de o!icei su! forma unui
grafic ce reprezinta variatia curentului(sau a tensiunii) de iesire in
functie de curentul de intrare.,aracteristica poate fi liniara (utila pentru
circuite analogice) sau neliniara (utila pentru circuite de comutare,s.a.)
-frecventa ma&ima a semnalului transmis
capacitatea intrare-iesire
rezistenta de izolatie.
+.DESCRIREA ,ONTA-ULUI E.PERI,ENTAL
Panoul contine o parte din dispozitivele optoelectronice uzuale in circuitele
electronice : fotodioda, celula solara, celula fotovoltaica, fototranzistor,
fotorezistor, optocuplor.
4a fiecare dispozitiv optoelectronic s-au prevazut !orne pentru conectarea
aparatelor de masura si a celorlalte elemente de circuit.
1/.APARATE NECESARE
-panou e&perimental
-voltmetru eletronic de c.c.
-sursa de tensiune continua
-lu&metru
-autotransformator 0---0 0
-lampa cu incandescenta
-miliampermetru
-generator de impulsuri cu durata si amplitudine varia!ile
-osciloscop catodic cu doua canale, !anda 105=z
11.DESFASURAREA LUCRARII
11.1 Se realizeaza sc'ema electrica de mai 2os, pentru ridicarea
caracteristicilor +6f(()/flu&6ct. si +6f(flu&)/(6ct. la o fotodioda.
$igura 14 Sc'ema electrica pentru ridicarea caracteristicii unei fotodiode.
11.- Se completeaza ta!elul 1. pentru caracteristica +6f(().
11.. Se traseaza caracteristicile +6f(()/flu&6ct. si +6f(flu&)/(6ct.
T'0el"l 1.
--------------------------------------------------------------------------------------------
----
( (0) > 0 > 0.- > 0.4 > 1 > - > 4 > # > 9 >
---------------------------------------------------------------------------------------------
---
> 0 > > > > > > > > >
$ > >--->---->----->---->--->--->--->--->---------------
> 100 > > > > > > > > >
4 > >--->---->----->---->--->--->--->--->---------------
> -00 > > > > > > > > >
( > >--->---->----->---->--->--->--->--->---------------
> 400 > > > > > > > > >
? > >--->---->----->---->--->--->--->--->---------------
> #00 > > > > > > > > >
666666666666666666666666666666666666666666666666666666
6666666
O(SERVATIE 1+ntensitatea flu&ului luminos se citeste cu a2utorul unui
lu&metru. +n lipsa unui lu&metru, valorile flu&ului luminos vor fi citite din
ta!elul .., determinate e&perimental pentru un !ec cu incandescenta si
puterea de 100@ la diferite tensiuni de alimentare ( furnizate de
autotransformatorul *:.%istanta dintre !ec si dispozitivul optoelectronic
este de apro&imativ 10 cm.
11.4 ,u acelasi monta2, se inlocuieste fotodioda cu o fotorezistenta si se
ridica caracteristicile de la punctele 11.- si 11...
T'0el"l 3.
-----------------------------------------------------------------
:ensiune *:(0) > 0 > 1-5 > 1.0 > 1#5 > 195 > -00 > --0 >
-----------------------------------------------------------------
$lu& (4&) > 0 > 100 > -00 > 400 > #00 > 900 > 1000 >
666666666666666666666666666666666666666666666666666666
6666666
11.5 Se e&ecuta monta2ul din figura 11.5 pentru ridicarea caracteristicii
curent-tensiune a unei celule solare si se completeaza un ta!el de forma 4.
$igura 15 5onta2 pentru ridicarea caracteristicii curent-tensiune a unei
celule solare.
11.# Se inseriaza o celula solara cu o celula fotovoltaica si se determina,in
acelasi sistem de a&e, caracteristicile curent- tensiune pentru fiecare
dispozitiv si pentru ansam!lul serie.
T'0el"l !. (o6 tensiunea in gol ( 0 )
---------------------------------------------------------------------------------------------
-------------
$lu& A ( (0) > (o > (o-0.05 > (o-0.1 > (o-0.15 > (o-0.- > (o-0.-5
---------------------------------------------------------------------------------------------
--------------
0 > > > > > >
--------------------------------------------------------------------------------------------
-------------
100 > > > > > >
--------------------------------------------------------------------------------------------
------------
400 > > > > > >
--------------------------------------------------------------------------------------------
------------
900 > > > > > >
--------------------------------------------------------------------------------------------
------------
1000 > > > > > >
666666666666666666666666666666666666666666666666666666
66666666
O02er3'tie 1 ( este tensiunea la !ornele celulei care se fi&eaza cu a2utorul
cutiei de rezistente.
11." Se determina, pentru fototranzistor ,caracteristica +6f(()/flu&6ct.
completind un ta!el de forma 1. si tensiune ma&ima colector-emitor # 0.
11.9 Se determina caracteristica de transfer a optocuplorului +-6f(+1) cu
a2utorul sc'emei din fig.11.9. si ta!elul 5.
$igura 1# Sc'ema electrica pentru determinarea
caracteristicii de transfer a unui optocuplor.
11.B Se determina caracteristica de iesire a optocuplorului
+c6f((ce)/+16const. completind un ta!el de forma 5 si se reprzinta grafic
caracteristica o!tinuta.
11.10 Se inlocuieste sursa de tensiune (1 cu un generator de semnal
dreptung'iular cu amplitudinea si frecventa varia!ila.Pentru factor de
umplere 0.5 se determina timpul de raspuns al optocuplorului si frecventa
ma&ima de functionare cu a2utorul monta2ului din figura 11.B.
T'0el"l #.
+1(m*) A (ce(0) > 0.0 > 1.0 > -.0 > ..0 > 4.0 > 5.0 > #.0 > ".0
-----------------------------------------------------------------
0 > > > > > > > >
-----------------------------------------------------------------
5 > > > > > > > >
-----------------------------------------------------------------
10 > > > > > > > >
-----------------------------------------------------------------
15 > > > > > > > >
-----------------------------------------------------------------
-0 > > > > > > > >
666666666666666666666666666666666666666666666666666666
66666666
$igura 1" Sc'ema electrica pentru determinarea timpulu de raspuns al
optocuplorului si a frecventei ma&ime de functionare.
12.(I(LIO4RAFIE
1. ,1*C7*,1.,s.a.-1lectronica industriala-1.%.P.,;ucuresti, 1B91.

S-ar putea să vă placă și