Platform de e-learning i curricul e-content

pentru nvmntul superior tehnic

Elemente de Electronic Analogic

9. Amplificatoare

Structuri fundamentale cu TBIP

Amplificator cu TBIP in conexiune emitor la mas
Schema de principiu:

TBIP - caracterizat prin parametrii hibrizi hi, hf, hr, ho.

Amplificarea de tensiune, Au:

Au

hf Zs
hi Z s h

n majoritatea situaiilor practice (exist i excepii) este ndeplinit condiia

|Zsh| << hi :

Au

hf Zs
hi

SZ s

se constat c, pentru o sarcin rezistiv:

- amplificarea este negativ (adic circuitul schimb faza semnalului de la ieire
cu 180 fa de faza semnalului de la intrare);
- valoarea modulului amplificrii este proporional cu impedana de sarcin i,
pentru valori rezonabile ale acesteia poate fi de ordinul zeci-sute;
- modulul amplificrii depinde esenial de PSF prin intermediul pantei S
( S 40 I C ).

 Amplificarea de curent, Ai :

Ai

hf
1 ho Z s

pentru sarcini rezonabile: |hoZs| << 1 i amplificarea de curent se poate

calcula cu relaia aproximativ:

Ai h f
(amplificare de curent mare).
Impedana de intrare Zi :

hr h f Z s
hi Z s h
Zi
hi
1 ho Z s
1 ho Z s
Z i hi h f

kT
qI C

(amplificatorul cu EM are o impedan de intrare de valoare medie (sute de sau

k) invers proporional cu curentul de colector din PSF).
Impedana de ieire, Zo:

Zo

hi Z g
h Z g ho

ntruct raportul dintre hi i Zg nu poate fi precizat, rezult c nu poate fi

luat n consideraie o relaie aproximativ;
Se pot pune n eviden cele dou situaii limit:
pentru Zg = 0, adic pentru comanda cu generator de tensiune ideal, se
obine:

Z o ( Z g 0)

hi
hi
1

h hi ho hr h f ho

1
hr h f
hi ho

pentru Zg , adic pentru comanda cu generator de curent ideal (mai greu

de realizat din cauza circuitelor de polarizare n c.c. a bazei) se obine:

1
Z o ( Z g 0)
ho

Z o ( Z g )
Amplificarea global de tensiune:

Aug

U2
Zi

Au ;
U g Zi Z g

Aug

hf Zs
hi Z g

n mod similar se poate determina i o amplificare global de curent dac

excitarea schemei se face cu generator de curent.
Amplificarea de putere (n impedan de sarcin rezistiv, Zs=Rs):

AP Au Ai

h f Rs

hf

hi Rs h 1 ho Rs
h 2f Rs
AP
hi

amplificarea de putere realizat de schema cu emitor la mas este foarte

mare (Rs i hi pot avea valori de acelai ordin de mrime) ntruct, n aceast
conexiune, tranzistorul amplific i n tensiune i n curent;

 dependen mai complicat de rezistena de sarcin, n sensul c

amplificarea de putere devine nul att pentru Rs 0, ct i pentru Rs ,
ceea ce nseamn c exist o valoare optim a rezistenei de sarcin pentru
care se obine o amplificare de putere maxim;

Rsopt

hi
ho h

cu valorile normale pentru hi i ho, valoarea rezistenei de sarcin optim este

de ordinul zecilor de k, ceea ce este foarte greu de realizat n practic.
Amplificator cu TBIP in conexiune baz la mas
Schema de principiu a unui amplificator cu BM:

Observaie: este incomod s se foloseasc parametrii hibrizi n conexiunea

baz comun deoarece
hrb , hib si hob sunt foarte mici, iar hfb este foarte
apropiat de unu (-1) i, pentru toi aceti parametri, msurtoarea lor direct este
mai dificil i mai puin precis dect n cazul parametrilor corespunztori pentru
conexiunea emitor comun, cu valori numerice mai rezonabile.

Se folosesc relaiile generale n care parametrii H se nlocuiesc cu

parametrii hibrizi n conexiunea BC:

h f h

hib

hi
;
N

cu:

N = hf + 1 + h hr.

h fb

hrb

hr h
;
N

hob

ho
;
N

hb

h
N

 Amplificarea de tensiune:

Aub

h fb Z s
hib Z s hb

h f hZ s
hi Z s h

Aub

hf Zs
hi

SZ s

expresie asemntoare cu aceea pentru schema cu emitor la mas;

- amplificarea de tensiune este pozitiv;
egal cu aceea a schemei cu emitorul comun (ca modul)
depinde de curentul de colector din PSF (prin S).
Amplificarea de curent:

Aib

h fb
1 hob Z s

h f h
N hob Z s

h f h
h f 1 h hr hob Z s

aproximativ:

Aib

hf
hf 1

amplificarea de curent este, practic, egal cu 1;

semnul () nu are semnificaie, el depinde numai de convenia de
semne pentru curenii de intrare i de ieire.
Impedana de intrare:

Z ib

hib Z s hb hi Z s h

1 ho Z s
N ho Z s

expresie aproximativ:

Z ib

hi
1

hf 1 S

este foarte mic, de ordinul zecilor de ohmi;

 se recomand ca, n cazul amplificatoarelor cu mai multe etaje, s

nu se conecteze un amplificator cu BM dup un amplificator cu EM
pentru c amplificarea de tensiune a acestuia va fi mult micorat.
Impedana de ieire:

Z ob

hib Z g
hb Z g hob

hi Z g N
h Z g ho

impedana de ieire are o valoare mare (la numrtorul expresiei apare

termenul NZg);
tranzistorul se comport, la ieire, ca un generator de curent i n
regim dinamic; (scheme cu BM pot fi folosite ca sarcini dinamice sau
ca generatoare de curent constant, exemple de astfel de scheme fiind
ntlnite n toate circuitele integrate liniare).
nu se poate da o form aproximativ atta timp ct nu este precizat
impedana de generator, Zg, dect, cel mult, nlocuind pe N cu hf+1;
pentru cele dou situaii limit n care se poate afla Zg, se obin
rezultatele:
cnd tranzistorul este comandat cu generator ideal de tensiune,
impedana de ieire este aceeai pentru cele dou conexiuni:

Z ob ( Z g 0)

hi
Z o ( Z g 0)
h

dac este comandat cu generator de curent:

Z ob ( Z g )

N hf 1 1

ho
ho
hob

valoare foarte mare pentru impedana de ieire, dat de impedana

jonciunii colector-baz cu emitorul n gol;
o valoare foarte mare a impedanei de ieire se obine chiar pentru
valori relativ mici ale impedanei de generator, fiind suficient ca
Zg>>Zib.
se mai poate scrie:

Z ob

hi Z g ( h f 1)
h Z g ho

hi Z g
h Z g ho

hf Zg
h Z g ho

Zo

hf Zg
h Z g ho

din care se observ c, pentru Zg0, rezult Zob>Zo.

Amplificarea global de tensiune:

Aug

Z ib
Aub
Z ib Z g

este foarte mult afectat de valoarea mic a impedanei de intrare,

chiar pentru valori mici ale impedanei generatorului de tensiune de
comand.
n cazul unei comenzi cu generator de curent, amplificarea global de
curent este puin afectat de rezistena generatorului de curent de
comand dac Zg>>Zib, condiie uor de ndeplinit.
Amplificarea de putere (pentru schema de baz i pentru o impedan de
sarcin rezistiv):

AP Au Ai

hf
hi

Rs (1)

h f Rs
hi

SRs

valoare mare a amplificrii de putere (numai pe seama amplificrii de

tensiune a schemei).

 n cazul excitrii schemei cu generator de tensiune cu Rg0 i

amplificarea total de putere va fi afectat dac Rg nu este neglijabil n
comparaie cu Zib, condiie, n general, greu de ndeplinit.
Amplificator cu TBIP in conexiune colector la mas

Schema de principiu:

Observaie: se folosesc relaiile generale n care parametrii H se nlocuiesc

cu parametrii hibrizi n conexiunea CC, hc , dedui n funcie de parametrii h n
conexiunea emitor comun:

hic hi ; hoc ho ; hfc (hf 1) ; hrc 1 hr ; hc N

cu:

N = hf + 1 + h hr hf + 1.
Amplificarea de tensiune:

Auc

h fc Z s
hic Z s hc

(h f 1) Z s
hi Z s N

(h f 1) Z s
hi (h f 1) Z s

amplificarea de tensiune este pozitiv i subunitar.

dac este ndeplinit condiia |(hf+1)Zs|>>hi, amplificarea de tensiune
devine aproape egal cu unitatea, adic circuitul repet la ieire tensiunea
aplicat la intrare, i de aici i denumirea de repetor pe emitor pentru aceast
conexiune a tranzistorului BIP.
condiia impus se poate scrie i sub forma:

Zs

hi
1
hib
hf 1
S

sau

S Z s 1

i se ndeplinete n cea mai mare parte a cazurilor practice.

formula aproximativ pentru amplificarea de tensiune a repetorului pe
emitor se scrie:

Auc

SZ s
1
1 SZ s

Amplificarea de curent:

Aic

h fc
1 hoc Z s

(h f 1)
1 ho Z s

relaia aproximativ pentru cazul n care |hoZs|<<1, condiie

ndeplinit aproape ntotdeauna n schemele concrete.:

Aic (h f 1)
amplificarea de curent are valoare mare, iar faptul c este negativ nu
are semnificaie ntruct acest semn depinde de semnele acceptate
pentru cei doi cureni.
Impedana de intrare:

Z ic

hic Z s hc hi Z s N

1 hoc Z s
1 ho Z s

dac se nlocuiete N cu expresia aproximativ i se ine seama de faptul c, de

obicei, |hoZs|<<1, rezult o expresie aproximativ pentru Zic sub forma:

Z ic hi (h f 1) Z s

care arat c impedana de intrare n repetorul pe emitor este foarte mare, de

ordinul a zeci de k.
alt form:

hf 1
Z ic hi 1
Z s hi (1 SZ s ) Z i (1 SZ s )
hi

din care se vede c este mult mai mare dect impedana de intrare a
amplificatorului cu emitorul la mas deoarece |SZs|>>1 (n mod obinuit).
Impedana de intrare mare arat c, n cazul unui amplificator realizat din
mai multe etaje n cascad, cuplarea unui repetor pe emitor ca sarcin nu
ncarc prea mult etajul amplificator anterior i, deci, nu-i micoreaz
amplificarea de tensiune;
aceast impedan de intrare mare va fi afectat mai mult dect n celelalte
cazuri de elementele circuitului de polarizare n c.c. a bazei tranzistorului.
Impedana de ieire:

Z oc

hic Z g
hc Z g hoc

hi Z g
N Z g ho

sau, dac se nlocuiete N cu relaia aproximativ i se neglijeaz Zgho:

Z oc

hi Z g

Zg
Zg
hi
1

hf 1 hf 1 hf 1 S hf 1

impedana de ieire a repetorului pe emitor este foarte mic n comparaie cu

impedanele de ieire ale celorlalte dou amplificatoare elementare. Dac se
compar impedanele de ieire ale repetorului pe emitor i amplificatorului cu
emitorul la mas pentru Zg = 0 se obine:

Z oc ( Zg 0)

hi
h
h
h
i
Zo
h f 1 h h f 1
hf 1

i, cum raportul hf / h este de circa 104, rezult acelai raport ntre cele dou
impedane de ieire.
impedana de ieire de valoare mic arat c repetorul pe emitor este capabil
s comande rezistene de sarcin de valoare mic.
Concluzii privind repetorul pe emitor:
impedana de intrare este mare (deci circuitul nu ncarc esenial etajul
anterior);
impedana de ieire este mic (deci circuitul poate comanda orice sarcin);
amplificarea de tensiune este practic unitar.
rezult: repetorul pe emitor este un foarte bun etaj de adaptare ntre alte etaje de
amplificare ale unui amplificator de tensiune cu mai multe etaje (ulterior se va
arta c i rspunsul n frecven al repetorului pe emitor este foarte bun).
Amplificarea global de tensiune este afectat mai puin de prezena
impedanei generatorului de semnal de valoare nu prea mare, deoarece
impedana de intrare n repetor este mare:

Aug Au

Z ic
Z ic Z g

Amplificarea de putere (pentru amplificatorul elementar ncrcat cu sarcin

rezistiv):

AP Au Ai

(h f 1)(h f 1) Rs
hi (h f 1) Rs

hf 1

repetorul pe emitor are amplificare de putere mare realizat pe seama

amplificrii de curent.