Capitolul I

SEMICONDUCTOARE
Majoritatea dispozitivelor electronice sunt realizate din semiconductoare.
Semiconductoarele sunt materiale a cror conductivitate electric este cu cteva
ordine de mrime mai mic dect a metalelor dar cu multe ordine de mrime mai
mare dect a izolatoarelor. n tabelul 1 sunt prezentate conductivitile unui
conductor tipic, cuprul, a celui mai utilizat semiconductor, siliciul, i a unui izolator
des utilizat, mica.
Tabelul 1 valori tipice ale conductivitii

Conductor (Cu)

Semiconductor (Si)

Izolator (mica)

106 S/cm

2 10-5 S/cm

10-12 S/cm

Conductivitatea semiconductorilor este puternic dependent de factori externi

precum temperatura, iluminarea, cmpuri electrice i magnetice.
Materialul semiconductor cel mai comun este siliciul. Se utilizeaz mult mai rar
germaniul, arsenura de galiu sau alte materiale semiconductoare.

1. PURTTORI DE SARCIN N SEMICONDUCTOARE

Pentru a conduce curentul un material trebuie s aib purttori mobili de sarcin,
care, sub influena unui cmp electric extern, s execute o micare ordonat pe
direcia cmpului.
La temperatura de 0 K (zero absolut), semiconductoarele nu au astfel de
purttori. Spre deosebire de metale, electronii de valen ai semiconductoarelor nu
sunt liberi s se deplaseze n ntregul volum al semiconductorului. Ei particip la
legturile covalente care menin atomii semiconductorului ntr-o structur cristalin
periodic. Modelul bidimensional al legturii covalente este dat n figura 1.
electron
liber
+
4

+
4

+
4

+
4

+
4

+
4

+
4

+
4

+
4

+
4

+
4

+
4

+
4

+
4

+
4

+
4

+
4

+
4

figura 1. Legtura covalent

electroni
de
valen

gol

figura 2. Generarea unei perechi electron-gol

Toi electronii de valen fiind prini n legturile covalente, nu exist purttori

mobili de sarcin i deci semiconductorul, la aceast temperatur, se comport ca
un izolator perfect.
La temperaturi mai mari dect 0 K, energia termic primit de electroni poate fi,
n cazul unora dintre ei, suficient pentru a rupe legtura covalent, aa cum
sugereaz figura 2.
Un numr de electroni nu mai sunt prini n legturi covalente ci devin purttori
mobili de sarcin negativ i prin urmare semiconductorul poate conduce curentul
electric.
n urma electronilor devenii liberi rmne un numr egal de legturi covalente
rupte, aa numitele goluri. Acestea sunt zone de sarcin pozitiv care vor exercita
o for de atracie asupra electronilor de valen nvecinai. Dac un electron de
valen, atras fiind, se mut n locul gol, golul va apare n locul acestui electron de
valen (figura 3). Prin urmare golul se mut. Este evident c golurile nu se mic,
ele se genereaz n alt loc. Cei care se mic sunt electronii de valen din
apropierea unui gol.
Pentru a face o distincie clar ntre micarea electronilor liberi i cea a
electronilor de valen se folosete n
electron
literatura de specialitate urmtoarea
liber
convenie de exprimare: vom afirma c
+
+
+
golurile se mic i sunt prin urmare
4
4
4
purttori mobili de sarcin pozitiv.
+
4

+
4

+
4

+
4

+
4

+
4

gol

figura 3. Mutarea golului datorat miscrii

unui electron de valen nvecinat

n semiconductoare exist deci dou

tipuri de purttori mobili de sarcin:
-

purttori mobili de sarcin negativ

(electronii liberi);

purttori mobili de sarcin pozitiv

(golurile);

Dac notm cu n numrul de electroni liberi i cu p numrul de goluri putem

afirma c:
n=p

(1)

ntr-adevr, eliberarea unui electron implic generarea unui gol deci electronii
liberi i golurile apar numai n perechi. Fenomenul poart numele de generare a
purttorilor. Ocuparea unui gol de ctre un electron de valen nu duce la dispariia
unui gol, ci doar la mutarea acestuia n alt loc.
Dac un gol este ocupat ns de un electron liber, atunci dispare un gol dar i
electronul devine legat, deci, electronii liberi i golurile dispar tot n perechi, fapt ce
demonstreaz valabilitatea relaiei (1). Fenomenul poart numele de recombinare a
purttorilor de sarcin.
La orice temperatur diferit de zero absolut, n orice semiconductor, se produce
att fenomenul de generare ct i fenomenul de recombinare a purttorilor de
sarcin. Viteza de generare a perechilor electron-gol este ns mai mare dect
viteza de recombinare, prin urmare, exist n orice moment un numr de purttori
mobili de sarcin. De exemplu, n cazul siliciului, la temperatura camerei (300 K),
numrul de perechi electron-gol este de aproximativ 1,45 1010 perechi/cm3.

2. SEMICONDUCTOARE INTRINSECI
Se numesc intrinseci, semiconductoarele pure din punct de vedere chimic, n
care, purttorii mobili de sarcin apar pe baza fenomenului descris n paragraful
precedent. Numrul de perechi electron gol este dat de relaia (1) i este valabil
numai pentru acest tip de semiconductori, de aceea vom nota :
n = p = ni

(2)

n cazul siliciului, la temperatura camerei, ni este de ordinul a 1,5 1010perechi

electron gol/cm3.
Dat fiind c perechile electron gol apar ca urmare a energiei termice primite de
semiconductor din exterior, este evident c ni va fi puternic dependent de
temperatur. Mai precis ni crete exponenial cu creterea temperaturii i prin
urmare conductivitatea electric a semiconductorilor intrinseci va crete odat cu
creterea temperaturii.
Proprietatea este utilizat pentru producerea termistoarelor. Acestea sunt nite
rezistoare a cror rezisten depinde de temperatura de lucru. Din semiconductori
se pot realiza termistori cu coeficient de temperatur negativ, adic termistori care
i micoreaz rezistena odat cu creterea temperaturii.
n alte aplicaii ns, aceast dependen de temperatur a conductivitii
reprezint un mare dezavantaj : parametrii dispozitivelor realizate din
semiconductoare depind de temperatur.

3. SEMICONDUCTOARE EXTRINSECI
Semiconductoarele extrinseci sunt semiconductoare impurificate controlat, cu
atomii altui element chimic, astfel nct numrul de purttori mobili de sarcin s fie
mult mai mare dect ni.
n situaia n care, ntr-un semiconductor, au fost introduse impuriti
pentavalente, patru dintre electronii atomului de impuritate intr n legturi covalente
cu atomii semiconductorului dar, un electron rmne liber. Prin urmare fiecare atom
de impuritate contribuie cu un electron liber la numrul total de purttori mobili din
semiconductor. Aceti atomi se numesc donori i vom nota cu ND numrul lor.
n situaia n care ntr-un semiconductor au fost introduse impuriti trivalente, trei
dintre electronii atomului de impuritate intr n legturi covalente cu atomii
semiconductorului dar, o legtur rmne incomplet. Prin urmare, fiecare atom de
impuritate contribuie cu un gol la numrul total de purttori mobili. Aceti atomi se
numesc acceptori i vom nota cu NA numrul lor.
Ca impuriti donoare se folosesc fosforul, arsenul i stibiul iar ca impuriti
acceptoare borul, indiul sau aluminiul.

4. SEMICONDUCTOARE DE TIP N
Un semiconductor impurificat cu atomi donori se numete de tip n, deoarece are
mai muli purttori mobili de sarcin negativ dect pozitiv.
La numrul ni de electroni din semiconductorul pur, se mai adaug ND electroni
adui de atomii de impuritate i deci numrul total de electroni va fi :
n = ni + ND

(3)

Cum impuritile donoare nu genereaz goluri, numrul de goluri rmne ca n

cazul semiconductorilor intrinseci:
p = nI

(4)

n>p

(5)

Din relaiile (3) i (4) rezult

motiv pentru care electronii se numesc purttori majoritari iar golurile purttori
minoritari.
De obicei ND este cu cteva ordine de mrime mai mare dect ni i evident nu se
modific cu temperatura. Prin urmare proprietile electrice ale semiconductorilor de
tip n vor fi mai puin dependente de temperatur dect n cazul semiconductorilor
intrinseci.

5. SEMICONDUCTOARE DE TIP P
Un semiconductor impurificat cu atomi acceptori se numete de tip p, deoarece
are mai muli purttori mobili de sarcin pozitiv dect negativ.
La numrul ni de electroni din semiconductorul pur, se mai adaug NA goluri
generate de atomii de impuritate i deci numrul total de goluri va fi :
p = ni + NA

(6)

Cum impuritile acceptoare nu aduc electroni, numrul acestora rmne ca i n

cazul semiconductorilor intrinseci:
n = nI

(7)

p>n

(8)

Din relaiile (3) i (4) rezult

motiv pentru care, golurile vor fi purttori majoritari, iar electronii purttori minoritari.
De obicei NA este cu cteva ordine de mrime mai mare dect nI i evident nu se
modific cu temperatura. Prin urmare proprietile electrice ale semiconductorilor de
tip p vor fi mai puin dependente de temperatur dect n cazul semiconductorilor
intrinseci.
10

6. JONCIUNEA p-n
Zona de trecere, mai mult sau mai puin abrupt de la o regiune de tip p la o
regiune de tip n a unui semiconductor se numete jonciune p-n.
Pe msur ce se realizeaz jonciunea, electronii majoritari n regiunea de tip n
vor trece n regiunea de tip p, unde se vor recombina cu golurile majoritare. Se va
forma astfel de o parte i de alta a jonciunii o regiune golit de purttori mobili.
Dup cum se vede n figura 4, n regiunea de tip p se formeaz o zon de
sarcin spaial negativ, datorat atomilor acceptori trivaleni care au acum un
electron n plus, deci sunt ioni negativi. Ei se opun trecerii electronilor din regiunea n
n regiunea p. La fel n regiunea de tip n se formeaz o zon de sarcin spaial
pozitiv datorat atomilor donori pentavaleni care au acum un electron n minus,
deci, sunt ioni pozitivi. Ei se opun trecerii golurilor din regiunea p n regiunea n.
recombinare

Zone de sarcin spatial

A + A + A +

- D - D - D

A + A + -

+ - D - D

A + A + A +

- D - D - D

A + A + -

+ - D - D

A + A + A +

- D - D - D

A + A + -

VB

- D - D
n

Figura 4. Recombinarea purtatorilor in momentul realizarii jonctiunii si aparitia zonei de sarcina spatiala

Cele dou zone de sarcin spaial (imobil) situate de o parte i de alta a

jonciunii formeaz mpreun o regiune golit de purttori mobili.
ntre limitele exterioare ale regiunii golite ia natere o diferen de potenial
intern, dat de acumulrile de sarcin de semn opus, situate de o parte i de alta a
jonciunii. Aceast diferen de potenial intern poart numele de potenial de
barier deoarece se opune trecerii purttorilor majoritari prin jonciune. Valoarea
acestui potenial este dat de relaia:

VB =
n relaia (9)

kT N A N D
ln
q
n i2

(9)

k=1,38 10-23 J/K

este constanta lui Boltzman, T este temperatura absolut iar

q=1,6 10-19C
este sarcina electronului.
kT

Termenul q

din relaia (9) este din punct de vedere dimensional o tensiune:

11

J
K
J
K
=
= Volt
C
C

i este direct proporional cu temperatura, motiv pentru care se numete tensiune

termic (vT):
vT =

kT
q

(10)

La temperatura camerei ea are valoarea de aproximativ 26mV.

Mrimea barierei de potenial la temperatura camerei, pentru o jonciune
realizat pe siliciu (ni=1,5 1010perechi electron - gol/cm3), impurificat cu
NA=1,1 1016acceptori/cm3, respectiv Nd=1015donori/cm3 va fi n conformitate cu
relaiile (9) i (10):
v B = 26 mV ln

1,1 10 31
640 mV
2 ,25 10 20

Avnd n vedere aceast diferen intern de potenial dintre cele dou regiuni
ale unei jonciuni se poate intui c, dac este aplicat asupra jonciunii o tensiune
din exterior, comportarea electric a jonciunii va depinde de sensul tensiunii
aplicate.

7. POLARIZAREA INVERS A JONCIUNII P-N

Dac tensiunea exterioar, numit tensiune de polarizare are acelai sens cu
vB, jonciunea este invers polarizat (figura 5).
deplasarea purttorilor minoritari
+
+

+
p

VB

Figura 5. Polarizarea invers

n acest caz, efectul tensiunii de polarizare se adun la cel al potenialului de

barier rezultnd o lrgire a regiunii golite i deci lipsa oricrui curent de purttori
majoritari. Prin jonciune va trece totui un mic curent de purttori minoritari.
12

Sarcina spaial pozitiv din regiunea n va atrage electronii minoritari din zona p, iar
sarcina spaial negativ din regiunea p va atrage golurile minoritare din zona n.
Deplasarea electronilor de la p la n va da natere unui curent de acelai sens ca
i deplasarea golurilor din n n p. Deplasrile au sensuri opuse dar i purttorii care
se deplaseaz au sarcini de semn opus prin urmare, curenii de electroni i de
goluri se nsumeaz.
Dac tensiunea de polarizare invers crete, regiunea golit crete, dar curentul
invers nu crete dect pn la valoarea IS (curentul invers de saturaie), fiind
limitat de numrul redus de purttori minoritari. (figura 6)

0A

-10nA
I

-20nA
-10V

-8V

-6V

-4V

-2V

0V

I(D1)
V_V1

figura 6. Curentul invers prin jonciune funcie de tensiunea invers

aplicat

Se poate remarca n figura 6 c nu exist o dependen ntre valoarea tensiunii

de polarizare invers aplicat jonciunii i mrimea curentului invers dect pentru
valori foarte mici ale tensiunii inverse. De aceea este o aproximaie mai mult dect
rezonabil dac, la polarizare invers considerm:
I = IS

(11)

Mai mult dect att, dac avem n vedere valoarea foarte mic a I S (13 nA pentru
jonciunea din figura 6) de multe ori vom ignora acest curent, astfel c relaia (11)
devine:
I=0

(12)

Pe baza relaiei (12) putem afirma c atunci cnd este invers polarizat,
jonciunea p-n nu conduce curentul.
Curentul IS este foarte mic datorit numrului mic de purttori minoritari. Dar cum
aceti purttori sunt generai termic, numrul lor va crete cu creterea temperaturii
jonciunii. Prin urmare valoarea curentului invers crete cu temperatura.
Dependena de temperatur a curentului invers de saturaie se poate exprima prin
urmtoarea constatare experimental:
IS i dubleaz valoarea pentru o cretere cu 10oC a temperaturii jonciunii.
Tot ce s-a discutat pn acum este valabil pentru orice valoare a tensiunii de
polarizare invers mai mic dect tensiunea de strpungere (VSTR). Valoarea
acestei tensiuni difer de la o jonciune la alta n funcie de gradul de impurificare cu
atomi donori i/sau acceptori. Ea va fi mare dac semiconductorul este slab
impurificat i scade pe msura creterii gradului de impurificare a
semiconductorului.
Dac tensiunea de polarizare invers se apropie de valoarea VSTR, purttorii
minoritari care traverseaz regiunea golit vor avea o vitez i deci o energie
cinetic foarte mare. Prin ciocnirea lor cu atomii reelei cristaline ei pot provoca
13

ruperea legturilor covalente, deci, generarea de noi perechi electron gol. Prin
urmare numrul de purttori minoritari crete. Aceast cretere mrete
probabilitatea ciocnirilor i prin urmare numrul de purttori minoritari se
multiplic n avalan. Efectul este creterea abrupt a curentului invers prin
diod. Acest fenomen poart numele de strpungerea jonciunii.
Fenomenul de strpungere este reversibil. Dac tensiunea de polarizare invers
scade sub valoarea de strpungere, electronii i golurile generate prin multiplicare n
avalan vor disprea prin recombinare i curentul invers prin jonciune revine la
valoarea IS.
V

-0mA

-50mA

-100mA

-150mA

I
-200mA
-30V

-20V
-10V
I(D4:1)
-V(D4:2)

-0V

figura 7. Strpungerea jonciunii p-n

Figura 7 prezint o jonciune pentru care tensiunea de strpungere este n jur de

20V. Se poate remarca faptul c n momentul n care tensiunea de polarizare
invers este apropiat de aceast valoare, curentul invers prin jonciune crete
foarte abrupt. Dei strpungerea este un fenomen reversibil i nu duce la
distrugerea jonciunii, n acest regim poate s se produc un alt fenomen care
distruge jonciunea.
Puterea disipat de jonciune, egal cu produsul dintre VSTR i curentul prin
jonciune poate atinge valori mari. Aceasta duce la o nclzire exagerat a
semiconductorului i la distrugerea definitiv a jonciunii.

8. POLARIZAREA DIRECT A JONCIUNII P-N

Dac tensiunea aplicat din exterior este de sens opus potenialului de barier,
jonciunea este polarizat direct.
Efectul tensiunii exterioare va fi opus potenialului de barier regiunea golit se
ngusteaz pn la limita la care purttorii majoritari pot s traverseze jonciunea
(figura 8). Aa cum s-a explicat n paragraful anterior, curentul dat de electroni se
nsumeaz cu curentul produs de deplasarea golurilor. Dar, spre deosebire de
polarizarea invers, n acest caz curentul este produs de deplasarea purttorilor
majoritari. Din acest motiv valoarea lui este cu cteva ordine de mrime mai mare
dect valoarea curentului invers.
14

Practic, dac tensiunea de polarizare direct crete, curentul prin jonciune

crete exponenial. Se poate remarca din figura 9 c un curent direct ncepe s
apar n cazul siliciului la o tensiune de polarizare direct mai mare de aproximativ
500mV. Valoarea lui crete foarte mult pentru o cretere mic a tensiunii.

+
+

goluri
electroni

VB

VD

figura 8. Polarizarea direct

80mA

Analitic, curentul prin jonciune ID, poate fi

exprimat n funcie de tensiunea de polarizare
direct VD, prin relaia:

60mA

i D = IS ( e

VD
vT

1)

(13)

40mA

20mA

0A
0V

400mV

800mV

I(D5)
V_V1 curentului n
figura 9. Graficul
funcie de tensiunea de
polarizare direct

Este de remarcat faptul c tensiunea

termic apare n expresia acestui curent i
prin urmare i temperatura jonciunii va
influena valoarea acestui curent. Mai mult
dect vT, i IS este dependent de temperatur,
aa cum s-a artat n paragraful anterior. Prin
urmare iD va crete odat cu creterea
temperaturii sau, ceea ce este echivalent,
pentru a produce acelai curent, este nevoie
de o tensiune VD mai mic. Se poate
aproxima c VD scade 2mV / oC.

9. CONCLUZII
Proprietile electrice ale jonciunii p-n sunt diferite n funcie de polarizarea ei.
Dac jonciunea este direct polarizat (regiunea p pozitiv fa de regiunea n) ea
poate s conduc curentul dac tensiunea de polarizare direct depete o
anumit valoare. Acest prag de tensiune de la care dioda ncepe s conduc un
curent semnificativ este n jur de 0,5 V pentru siliciu. Peste aceast valoare curentul
15

crete foarte mult pentru o cretere mic a tensiunii de polarizare. Cu alte cuvinte,
cderea de tensiune pe o jonciune n conducie direct este aproximativ constant
pentru limite largi de variaie ale curentului. Valoarea acestei cderi de tensiune
poate fi dedus cu precizie din relaia 13. n mod uzual, n cazul siliciului, ea se
poate aproxima, pentru o analiz calitativ, la valoarea:
VP = 0,7V

(14)

Dac jonciunea este invers polarizat (regiunea p negativ fa de regiunea n)

ea nu conduce practic curentul (vezi relaia 12) sau mai precis este parcurs de un
curent invers foarte mic (vezi relaia 11). Acest curent este de ordinul nanoamperilor
n cazul siliciului.

16

Capitolul II
DIODA SEMICONDUCTOARE

figura10
Simbolul diodei

Dioda semiconductoare este un dispozitiv electronic realizat

dintr-o jonciune p-n, ncapsulat i prevzut cu dou terminale.
Terminalul care face contact cu regiunea de tip p se numete anod
i se noteaz A. Terminalul care face contact cu regiunea de tip n
se numete catod i se noteaz K. Simbolul de circuit al diodei este
reprezentat n figura 10.

1. CARACTERISTICA STATIC A DIODEI SEMICONDUCTOARE

Prin caracteristica static a diodei, nelegem graficul funciei
ID = f(VD)

(15)

care exprim dependena dintre curentul prin diod de tensiunea de pe diod. Ea se

numete static deoarece este valabil numai n situaia n care viteza de modificare
a tensiunii VD este suficient de mic pentru ca viteza de deplasare a purttorilor de
sarcin prin semiconductor s nu trebuiasc a fi luat n calcul.
Caracteristica diodei semiconductoare va fi caracteristica unei jonciuni p-n, deci
ea poate fi trasat prin alturarea la aceeai scar a graficelor din figura 6, 7 i 9.

strpungere

VSTR

blocare

conducie

figura11 Caracteristica static a diodei

1N4148

n
figura
11
este
prezentat
caracteristica
static a diodei 1N4148, o
diod de siliciu des utilizat
n unele aplicaii.
La aceast
scar
a
graficului putem distinge 3
regiuni de funcionare a
diodei. De la dreapta la

stnga, acestea sunt:

regiunea de conducie, delimitat la stnga de axa curentului i care este

caracterizat o valoare pozitiv a tensiunii de polarizare. n aceast regiune

dioda este polarizat direct i curentul ID va fi dat de relaia 13.
regiunea de blocare, delimitat la dreapta de axa curenilor, la stnga de
tensiunea de strpungere, este caracterizat de o valoare negativ a tensiunii de
polarizare, mai mic n valoare absolut dect VSTR. n aceast regiune dioda
este polarizat invers i nu conduce curentul (la aceast scar, curentul IS nu se
poate distinge).
regiunea de strpungere, situat de-a lungul liniei punctate din stnga
graficului, este caracterizat de o tensiune invers constant pe diod, n timp ce
curentul invers crete foarte abrupt.
17

Pentru analiza circuitelor cu diode, relaia (13) este aplicabil dac ne aflm n
regiunea de conducie sau de blocare. Utilizarea ei este ns incomod fr
asistena calculatorului. Pentru o analiz calitativ a circuitelor este mai rezonabil s
nlocuim dioda cu un circuit echivalent (un model) liniarizat. Cu alte cuvinte
trebuie s gsim un circuit compus n exclusivitate din elemente liniare (surse,
rezistene) care n condiiile specifice date s se comporte similar cu dispozitivul
electronic. nlocuind dioda cu modelul ei, vom obine un circuit liniar care poate fi
analizat prin calcul algebric simplu.

2. MODELUL DE DIOD IDEAL

La scara la care este trasat graficul caracteristicii diodei din figura 11 , n regiune
de conducie cderea de tensiune pe diod pare a fi zero iar n regiunea de blocare
curentul prin diod este zero. Aceste aproximaii sunt acceptabile dac se lucreaz
cu tensiuni de ordinul zecilor de voli i cu cureni de ordinul miliamperilor. De
asemenea, se presupune c tensiunea de polarizare invers nu va depi valoarea
de strpungere. n aceste condiii graficul caracteristicii statice se poate
idealiza la forma din figura 12.
Analitic, cele dou segmente ale graficului pot fi
descrise de urmtoarele ecuaii:

ID

UD = 0 pentru regiunea de conducie

UD

ID = 0 pentru regiunea de blocare

(16)
(17)

Relaia 16 descrie un element ideal de circuit

numit scurtcircuit (sau rezisten de valoare 0), iar
relaia (17) o ntrerupere (sau rezisten de valoare infinit). Prin urmare o diod
polarizat direct se poate nlocui n scopul analizei circuitului cu un scurtcircuit, iar o
diod polarizat invers cu o ntrerupere.
Exemplificm utilizarea acestui model n analiza circuitului din figura 13.a.
figura 12 Caracteristica diodei ideale.

D
V

a.

+
b.

c.

figura 13. Analiza unui circuit cu diod pe baza modelului de diod

ideal

Determinm curentul prin circuit n situaia n care: v = VMAXsin t

Semnalul de intrare fiind sinusoidal, pe durata unei semialternane v este pozitiv
i va polariza direct dioda, prin urmare o putem nlocui cu un scurtcircuit (figura
13.b.). Prin urmare, pe baza legii lui Ohm:
V
I = MAX sin t , pentru sin t > 0.
R
18

Pe durata semialternanei negative a semnalului de intrare, dioda este invers

polarizat i pe baza modelului ideal se poate nlocui cu o ntrerupere (figura 13.c.).
prin urmare:
I = 0, pentru sin t < 0
Figura 14 prezint formele de und ale tensiunii de intrare i ale curentului prin
circuit.
40V

0V

-40V
V(V:+)
40V

0V
SEL>>
-40V
0s

10ms
20ms
30ms
40ms
50ms
V(R:2)
figura 14 Forma de und a tensiunii
Time (sus) i a curentului (jos)

60ms

3. MODELUL DIODEI LA TENSIUNI DE POLARIZARE DE ORDINUL VOLILOR

Un detaliu al graficului caracteristicii statice din figura 11 pentru tensiuni de
polarizare de ordinul volilor este prezentat n figura 15.
Se poate remarca din
figura 15 c n regiunea
de conducie exist o
cdere de tensiune,
diferit de zero, pe
diod.
Considernd
aceast
tensiune
figura 15 Detaliu al caracteristicii pentru polarizri de ordinul volilor
constant (aproximativ
0,7V n cazul diodelor din siliciu) graficul din figura
ID
15 poate fi aproximat prin graficul din figura 16. El
reprezint o translatare cu 0,7V a caracteristicii
diodei ideale n zona de conducie. Relaiile (16) i
(17) devin
U
D

0,7V

figura16. Caracteristica
liniarizat

UD = 0,7V pentru regiunea de conducie

(18)
ID = 0 pentru regiunea de blocare

(19)
19

Relaia (18) descrie un element ideal de circuit numit surs ideal de tensiune
(care are aceeai tensiune independent de celelalte elemente cu care se afl n
circuit). Prin urmare o diod polarizat direct se poate nlocui n scopul analizei
circuitului cu o surs ideal de tensiune continu cu valoarea de 0,7V, iar o diod
polarizat invers cu o ntrerupere.
Exemplificm utilizarea acestui model n analiza circuitului din figura 17.a.
R

+
v

a.

b.

v
+

0 ,7 V

c.

figura17. Luarea n considerare a cderii de tensiune pe dioda polarizat direct

Determinm tensiunea pe diod n situaia n care: v = VMAXsin t.

Pe durata semialternanei pozitive dioda este invers polarizat i se poate nlocui
cu o ntrerupere (figura 17.b). Drept urmare tensiunea de pe diod va fi identic cu
tensiunea de intrare.
Pe durata semialternanei negative dioda este polarizat direct i prin urmare o
vom nlocui cu o surs de tensiune constant, aa cum se vede n figura 17.c.. Este
evident c n acest caz, tensiunea de ieire va fi de 0,7V.
Graficele tensiunii de intrare i de ieire sunt prezentate n figura 18.
4.0V

0V
SEL>>
-4.0V
V(V:+)
4.0V

0V

-4.0V
0s

10ms
20ms
30ms
40ms
50ms
V(D:2)
figura18 Tensiunea de intrare
Time(sus) i de pe diod (jos)

60ms

4. MODELUL DE SEMNAL MIC AL DIODEI

Modelele descrise pn acum sunt valabile n situaia n care tensiunea de
polarizare a diodei are valori mai mari dect 0,7V. Altfel spus acestea sunt modele
de semnal mare.
20

Sunt situaii practice n care tensiunea de polarizare are o component continu

care polarizeaz dioda i o component variabil, VD , de ordinul milivolilor sau a
zecilor de milivoli. n acest caz, cu ajutorul modelului de semnal mare se poate
determina curentul continuu prin diod ID. dar nu i variaiile ID produse de VD.
Este nevoie prin urmare de un model de semnal mic adecvat acestei situaii.
Modelul de semnal mic al diodei semiconductoare este o rezisten, aa numita
rezisten dinamic:
VD
rD =
(20)
I D
Valoarea ei se modific de la civa ohmi la sute de megaohmi n funcie de zona de
pe caracteristica static
n care lucreaz dioda.
n figura 19 este
ilustrat situaia n care
o diod 1N750 este
polarizat direct astfel
nct VAK = 0,75V. Se
poate remarca n figura
19
c
pentru
o
modificare a tensiunii
VAK = 24mV, corespunde
o modificare a curentului
IAK = 4mA Prin
urmare conform relaiei
(20):
Figura19 determinarea grafic a rezistenei rD

rd =

24
= 6 .
4

Tot din figura 19 se poate intui c dac dioda ar fi fost polarizat cu o tensiune
continu de 0,6 V, VAK
nu produce aproape nici un efect asupra curentului prin diod, deci IAK 0.
Conform relaiei (20) rD este foarte mare n acest caz.
Metoda grafic de determinare a rezistenei dinamice nu este ntotdeauna
convenabil. O metod analitic de determinare a rD rezult din relaia 20. Dac
considerm inversul rezistenei dinamice, i considerm c VAK tinde la zero,
atunci:
dI
1
= D
(21)
r D dv D
Prin derivarea relaiei (13) obinem:
I
v
1
= D , sau, r D = T
rD
vT
iD

(22)

unde ID este curentul continuu care trece prin diod.

Cum la temperatura camerei vT = 26mV , din relaia (22) rezult c pentru un
curent de polarizare de 10 A de exemplu, o diod va avea o rezisten dinamic
de 2,6k iar la un curent de polarizare de 10mA, aceasta va fi de 2,6 .

21

Trebuie remarcat faptul c relaia (22) exprim strict rezistena jonciunii p-n la
un curent dat. Rezistena unei anumite diode include i rezistena ohmic a
materialului semiconductor, precum i rezistena de contact dintre terminale i
semiconductor. Spre deosebire de rezistena jonciunii, aceste rezistene nu se
modific odat cu curentul care trece prin diod.
Fixm noiunile prezentate n acest paragraf cu ajutorul unui exemplu:
S se determine tensiunea la bornele diodei din figura 20. a dac tensiunea de
intrare este de forma:
vI = V + vMAXsin t, unde V = 5V, vMAX=5mV, iar R = 4,3k .
R

vMAX sin t
vI

vD

vD

c.

V
a.

VD

vd

vMAX sin t

b.

d.
figura 20. Circuit cu diod alimentat de la o surs cu component de c.c. i
c.a.

Sursa de semnal de intrare se poate descompune n dou surse nseriate: o

surs de curent continuu i o surs de curent alternativ, aa cum se prezint n
figura 20. b. Dac folosim unul din modelele liniare pentru diod, atunci analiza
acestui circuit se poate face pe dou circuite echivalente:
un circuit echivalent de curent continuu (figura 20. c), din care se poate

determina tensiunea i curentul continuu prin diod sau punctul static de

funcionare al diodei.
un circuit echivalent de curent alternativ (figura 20. d), din care se poate
determina componenta alternativ a tensiunii de pe diod. Acest circuit se mai
numete i circuit echivalent de semnal mic deoarece este valabil numai n
ipoteza n care componenta de curent alternativ a semnalului de intrare produce
variaii mici ale punctului static de funcionare, astfel nct caracteristica static
s poat fi aproximat prin tangenta dus n punctul static de funcionare.
nlocuim n circuitele din figura 20. c i d dioda cu modelul ei de semnal mare,
respectiv de semnal mic i obinem circuitele din figurile 21. a i b.
V = +5V

I
V

0,7

VD

rD

VD = 0,7V i

vd

vMAX sin t
a.

b.

figura 21. Circuitele echivalente de c.c. i c.a.

I=

V VD
4.3V
=
= 1mA
R
4.3 k

22

Cunoscnd valoarea curentului prin diod, se poate determina pe baza relaiei

(22) valoarea rezistenei rD:
rD =

v T 26 mV
=
= 26 k
I
1mA

Prin urmare componenta alternativ a tensiunii pe diod va fi:

vd =

rD
26
v MAX sin t =
5 sin t = 4.3 sin t [mV]
rD + R
26 + 4.3

Tensiunea total pe diod va fi dat de suma tensiunilor de c.c. i c.a.

vD = VD + vd =0,7 + 4,3 10-3sin t
Graficul acestei tensiuni este prezentat n figura 22., pentru situaia n care
frecvena semnalului de intrare este 50Hz:

750mV
500mV
250mV
0V
0s

20ms
40ms
60ms
V(Vmaxsin:+)
figura 22. Forma de und a tensiunii pe diod
Time

5. TIPURI DE DIODE
Se produc mai multe tipuri de diode semiconductoare, destinate diverselor
aplicaii ale acestor dispozitive:

Diode redresoare, utilizate pentru redresarea curentului alternativ, care au de

obicei: cureni de lucru mari de ordinul amperilor, tensiuni de strpungere de
ordinul sutelor de voli dar frecvena maxim de lucru mic, de ordinul sutelor de
heri, deoarece se redreseaz de obicei tensiunea reelei.

Diode de comutaie, utilizate ca i comutatoare electronice, comandate de

polaritatea tensiunii vAK, care, din contr, lucreaz la cureni mici, de ordinul
zecilor de mA dar au frecvena de lucru mare.

Diode stabilizatoare de tensiune sau diode Zener, care lucreaz cu polarizare

invers la tensiuni mai mari dect tensiunea de strpungere i exploateaz
proprietatea jonciunii p-n aflate n strpungere de a menine o tensiune
constant la borne. Acestea lucreaz uzual cu cureni de ordinul zecilor de mA i
23

pot avea tensiuni de strpungere (sau tensiunea Zener) de la civa voli la peste
100 de voli.

Diode varicap, utilizate ca i condensatoare variabile n circuite rezonante i

care utilizeaz capacitatea echivalent a regiunii de sarcin spaial a unei diode
invers polarizate.

Exist i alte dispozitive cu dou terminale care se numesc diode, (ex. dioda
Shockley) dar acestea au o alt structur dect diodele realizate pe baza unei
singure jonciuni p-n i un alt principiu de funcionare.

6. CIRCUITE CU DIODE REDRESOARE

Dup cum sugereaz i denumirea lor, acest tip de diode sunt utilizate la
redresarea curentului alternativ.
Prin redresare nelegem transformarea energiei electrice de curent alternativ n
energie electric de curent continuu.
Deoarece diodele au o rezisten mic, practic zero, atunci cnd sunt direct
polarizate, i o rezisten mare, practic infinit, atunci cnd sunt invers polarizate,
ele pot fi utilizate pentru redresare.
O schem de redresor monoalternan este prezentat n figura 23. a.

Figura 23. a. Redresorul monoalternan b. Schema echivalent cnd dioda este polarizat direct
c. Schema echivalent cnd dioda este polarizat invers. d. Formele de und ale tensiunii de la
ieire i intrare

Atta timp ct tensiunea de intrare (v1) este pozitiv, circuitul echivalent al

redresorului este cel din figura 1.b. n consecin tensiunea de ieire (v2) va fi egal
cu tensiunea de intrare.
Atta timp ct tensiunea de intrare (v1) este negativ, circuitul echivalent al
redresorului este cel din figura 1.c. n consecin tensiunea de ieire (v2) va fi 0.
Tensiunea de intrare are valoarea medie pe o perioad egal cu 0 n timp ce
valoarea medie a tensiunii redresate este evident diferit de zero. Mai precis:

24

v 2 med =

v 1MAX
= 0 ,318 v 1MAX

(23)

Dei n medie valoarea tensiunii pe R1 este pozitiv, ea poate lua orice valoare
ntre 0 i VMAX. Prin urmare, ondulaiile tensiunii de ieire (sau brumul de reea) sunt
foarte mari. Atunci cnd redresoarele sunt folosite pentru alimentarea unor
echipamente electronice, acest lucru este inacceptabil.
Se impune prin urmare filtrarea ondulaiilor.
Metoda cea mai simpl pentru filtrarea ondulaiilor este utilizarea unui
condensator de filtraj. Condensatorul, montat n paralel pe ieire, se ncarc pe
durata ct dioda conduce la o valoare apropiat de maximumul tensiunii de intrare.
n perioada cnd dioda nu conduce, condensatorul se descarc prin sarcin
asigurnd meninerea curentului i implicit a tensiunii de ieire pe toat perioada
semnalului de intrare (figura 24).

figura24. Filtrarea cu
condensator; schema
i formele de und

n intervalul t1 condensatorul se ncarc la valoarea UMAX. n acest moment dioda

se blocheaz deoarece potenialul catodului egaleaz potenialul anodului. n
intervalul t2, C1 se descarc prin rezistena de sarcin R1 i tensiunea de ieire
scade la valoarea UMIN, dup care ciclul se reia. n interval de o perioad:
T = t1 + t2

(24)

vom avea o ondulaie a tensiunii de ieire:

U = UMAX - UMIN

(25)
25

Valoarea medie a tensiunii redresate va fi

U med = u MAX

U
2

(26)

Dac circuitul este corect proiectat:

t1 << t2

(27)

i prin urmare:
T t2

(28)

n aceste condiii curentul mediu prin sarcin este rezultatul descrcrii

condensatorului:
I med =

U med
U
= C1
= C1 U f
R1
T

(29)

Prin urmare ondulaiile tensiunii de ieire se pot aproxima cu relaia:

U =

U med T
R1C1

(30)

iar valoarea lui C1 pentru un anumit nivel admis al brumului de reea este:
C1 =

I med
f U

(31)

Graficele din figura 24 au fost obinute prin simularea PSPICE a unui redresor
pentru care C1 = 1000uF i R1 = 100 . Din grafic se determin Umed = 17,3V i U
= 3V. Din relaia (31) rezult:
C1 =

17 ,3
= 1153 F
100 50 3

Acest rezultat confirm aplicabilitatea metodei aproximative de calcul prezentate

mai sus. Din calcul a rezultat un condensator mai mare dect prin simularea
circuitului, deci cu valoarea calculat ar rezulta un filtraj mai bun dect cel prezumat.
Aceast metod foarte simpl de filtraj are dou dezavantaje:
-

Condensatorul de filtraj are valori mari dac curentul prin sarcin este mare
(ceea ce implic pre ridicat i gabarit mare).
Curentul prin diod este mult mai mare dect valoarea medie a curentului prin
sarcin.

Din graficele din figura 24 se poate remarca c dioda conduce un timp scurt, t1,
dintr-o perioad, timp n care asigur curentul de sarcin i ncarc condensatorul
cu o cantitate de sarcin :
26

q = IDt1

(32)

n timpul t2, mult mai mare, aceast sarcin descrcat din condensator asigur
curentul mediu redresat deci:
q = Imedt2

(33)

prin urmare, din relaiile (32) i (33) obinem:

ID =

t2
I med
t1

(34)

n cazul concret din figura 24, t1 = 2ms i t2 = 18ms prin urmare:

ID = 9 Imed = 1,5A.
ID este de fapt, un curent mediu pe timpul t1, ct dioda conduce. Valoarea lui
maxim va fi aproximativ
IDmax = 2 ID
deci aproximativ 3 A n exemplul nostru concret. Prin urmare pentru a asigura
170mA n sarcin, trebuie folosit o diod care s reziste la impulsuri de curent de
3A. Raportul t2 / t1 este cu att mai mare cu ct condensatorul de filtraj este mai
mare. Prin urmare cu ct filtrajul este mai bun, cu att curentul de vrf prin diod
este mai mare.
Randamentul redresrii poate fi practic dublat dac se redreseaz ambele
semialternane ale tensiunii alternative. Acest deziderat se realizeaz cu dou tipuri
de redresoare, ambele foarte des utilizate n practic:
- Redresorul n punte
- Redresorul cu priz median

6.1. Redresorul n punte

n cazul acestui redresor se folosesc, aa cum se vede n figura 25 patru diode
pentru redresarea tensiunii alternative.
Pe durata semialternanei pozitive, sunt direct polarizate diodele D2 i D3, prin
urmare sarcina va fi parcurs de curent n sensul indicat n figura 25.b.
Pe durata semialternanei negative, vor fi direct polarizate diodele D4 i D1, prin
urmare curentul va trece prin sarcin cu sensul indicat n figura 25.c.
Se poate remarca faptul c, dei sensul curentului prin sursa de alimentare se
schimb, sensul curentului prin sarcin rmne acelai deci i polaritatea tensiunii
pe rezistena de sarcin este neschimbat pe o perioad. n consecin forma
tensiunii pe rezistena de sarcin va fi cea din figura 25.d. Comparnd acest grafic
cu cel din figura 24. se poate intui c valoarea medie a tensiunii redresate este
dubl fa de redresorul monoalternan. Din relaia 23 prin nmulire cu doi obinem:
2 U MAX
U med =
= 0.637 U MAX
(35)

27

figura 25. Redresorul in

punte. Schema electric,
schema echivalent pentru
cele dou semialternane,
forma de und a tensiunii
de ieire.

Evident c i n cazul acestui redresor se poate realiza filtrarea ondulaiilor cu un

condensator de filtraj. Formulele (29), (30) i (31) rmn valabile i n acest caz, cu
observaia c perioada tensiunii redresate va fi jumtate din perioada tensiunii
redresate cu redresorul monoalternan, respectiv frecvena va fi dubl.
Prin urmare, pentru acest redresor, la aceeai valoare a condensatorului de
filtraj obinem un brum de reea de dou ori mai mic.
La aceeai valoare admis a brumului condensatorul de filtraj poate fi de
dou ori mai mic, ceea ce constituie un avantaj important. De asemenea, o
capacitate mai mic implic i un curent mai mic de ncrcare, prin urmare i
vrfurile de curent prin diodele redresoare vor fi de dou ori mai mici.
Un dezavantaj minor al acestui redresor este c sarcina este mereu n serie cu
dou diode. Prin urmare aproximativ 1,4V din tensiunea sursei de alimentare se
pierd, nemaiajungnd pe rezistena de sarcin.

6.2.

Redresorul dubl alternan cu priz median.

n general, sursa de tensiune alternativ este secundarul unui transformator de

reea. Dac acesta are dou nfurri identice, sau este prevzut cu o priz
median, se poate realiza redresorul din figura 26.
Priza median sau punctul comun al celor dou nfurri din secundarul
transformatorului este punct de mas (potenial de referin). Dup cum se vede n
figura 26.b pe durata semialternanei pozitive a tensiunii de reea dioda D 1 este
direct polarizat prin nfurarea L1 a transformatorului, n timp ce D2 este polarizat
invers i nu conduce.

28

figura 26. Redresor dubl alternan cu priz median

Pe durata semialternanei negative va conduce D2 i D1 va fi blocat (figura

26.c). Se poate remarca din figura 26. b. i c. c indiferent de polaritatea
tensiunii de intrare, curentul prin rezistena de sarcin nu i schimb sensul.
Se produce deci o redresare a ambelor semialternane i forma tensiunii pe R1
precum i valoarea ei medie va fi aceeai ca i la redresorul n punte. Tot la fel,
rmn valabile consideraiile legate de filtrarea tensiunii redresate.
Dezavantajul acestei soluii de redresare este necesitatea realizrii a dou
nfurri secundare identice, ceea ce ridic preul i gabaritul transformatorului de
reea.
Un tip de diod foarte des utilizat pentru redresarea curentului alternativ este
dioda 1N 4007. Aceasta are valoarea tensiunii inverse maxime care se poate aplica
repetitiv egal cu 1000V, curentul mediu redresat poate fi de 1A iar cderea de
tensiune pe diod, la acest curent este de maximum 1,6V.

7. CIRCUITE CU DIODE DE COMUTAIE

Prin comutaie nelegem trecerea brusc a unui dispozitiv din starea de blocare
n starea de conducie sau invers. n cazul diodelor acest regim apare dac
tensiunea de polarizare i schimb brusc sensul.
Dac n circuitul din figura 23 aplicm la intrare un semnal dreptunghiular n loc
de un semnal sinusoidal, obinem un circuit simplu n care dioda lucreaz n
comutaie.
n figura 27 avem formele de und ale tensiunii de intrare i ieire. Deoarece
sarcina este rezistiv, curentul prin diod va avea aceeai form ca i tensiunea de
ieire.
Dac dioda utilizat nu este o diod special de comutaie, forma de und a
tensiunii de ieire va fi asemntoare cu cea din figura 27 graficul din mijloc. Se
poate remarca faptul aparent surprinztor c dioda conduce invers. Explicaia
acestui fenomen este urmtoarea:
Pe durata ct dioda este polarizat direct, ea este parcurs de un curent de
purttori majoritari. Prin urmare, un numr mare de goluri din regiunea de tip p
tranziteaz regiunea de tip n unde ei sunt purttori minoritari, respectiv un numr
mare de electroni provenind din regiunea de tip n tranziteaz regiunea de tip p n
care ei sunt purttori minoritari. La schimbarea brusc a polarizrii, n primul
moment, cele dou regiuni ale jonciunii vor avea un numr mare de purttori
minoritari. Dar purttorii minoritari pot s traverseze jonciunea invers polarizat.
29

5.0V
0V
-5.0V
V(V1:+)
10V
0V
-10V
V(R1:2)
5.0V
SEL>>
-5.0V
0s

10us

20us

30us

40us

50us

60us

V(R:2)
Time

figura 27 Forma de und a tensiunii de intrare (sus) i a tensiunii de ieire n

dou situaii: dioda utilizat este o diod redresoare (mijloc) respectiv dioda
este o diod de comutaie (jos)

Prin urmare jonciunea va fi parcurs de un curent invers semnificativ. Dup un

timp care depinde de gradul de impurificare al semiconductorului i de dimensiunile
lui geometrice, acest curent scade la valoarea IS adic aproape zero.
Diodele de comutaie sunt special realizate pentru ca acest timp s fie foarte
scurt. Din acest motiv n graficul din partea de jos a figurii 27 conducia invers nu
mai este observabil. Asta nu nseamn c ea nu se produce ci c la scara la care
este reprezentat graficul, timpul de dispariie al curentului invers este att de mic
nct nu se mai distinge.
Acest timp se numete timp de revenire invers i este un parametru
important care caracterizeaz diodele n comutaie.
O diod de comutaie foarte des utilizat este 1N4148. Ea are o tensiune invers
repetitiv de 75V, un curent mediu redresat de 150mA i o cdere de tensiune n
sens direct la acest curent de maxim 1V. Timpul de revenire invers este de 4ns.
Un exemplu de circuit n comutaie este cel din figura 28. Tensiunile de intrare A,
B, i C pot s ia independent una de cealalt valorile 0V sau 5V.
+5V

+5V

+5V

A
B
C

A
D 1
D 2

Vo

B
C

A
0,7V

Vo

Vo

D 3

figura 28 Poart logic I realizat cu diode n comutaie

30

Dac cel puin una dintre intrri este egal cu zero, dioda corespunztoare va fi
direct polarizat i prin urmare tensiunea de ieire va fi aproximativ 0,7V.
Dac toate intrrile sunt la nivel de 5V, toate diodele vor fi blocate i tensiunea
de ieire va fi de +5V.
Prin urmare, tensiunea de ieire este de 5V dac i numai dac A=5V i B=5V i
C=5V. De aceea un circuit de acest tip se numete poart I.
Figura 29 reprezint o poart logic SAU. Tensiunea de ieire va fi aproximativ
4,3V dac cel puin una din intrri are valoarea de 5V. Numai dac toate intrrile
sunt 0 V ieirea va fi 0 V.
A

D 1
B

Vo
D 2

B
+5V
C

Vo
0,7V

Vo
R

D 3
figura 29. Poart logic SAU realizat cu diode

Circuitul se poate utiliza i dac tensiunile A, B, C iau valori arbitrare. Fie de

exemplu A=9V, B=12V iar C=20V. n acest caz, Tensiunea de 20V de pe anodul
diodei D3 determin deschiderea acestei diode. Tensiunea de ieire va fi de
aproximativ 19,3V. Aceasta este i tensiunea catozilor diodelor i prin urmare D 1 i
D2 vor fi invers polarizate (dei au o tensiune pozitiv n anod, ea este mai mic
dect potenialul catodului ).
Generaliznd putem afirma c:
Vo = max(A,B,C) 0,7V

(36)

motiv pentru care circuitul din figura 29 se mai numete i circuit de maxim.
O aplicaie uzual a acestui circuit este alimentarea unui aparat de la dou surse
de alimentare. n acest caz dioda D3 lipsete iar A este tensiunea dat de un
redresor iar B este tensiunea dat de o baterie. Dac este ndeplinit condiia A > B
atunci Vo va fi egal cu tensiunea redresorului iar D2 va fi blocat. Prin urmare de la
baterie nu se consum curent atunci cnd aparatul este alimentat de la priz. Dac
redresorul este scos din priz, D1 se blocheaz dar echipamentul rmne alimentat
de la baterie.

8. CIRCUITE CU DIODE ZENER

Diodele Zener sunt diode semiconductoare special construite pentru a lucra n

regim de polarizare invers.
Dup cum se poate vedea n figura 30, la tensiuni de polarizare invers mai mari
dect tensiunea de strpungere, tensiunea pe diod se modific foarte puin la

31

variaii mari ale curentului invers. Cu alte cuvinte, rezistena intern a diodei este
foarte mic n aceast regiune a caracteristicii statice.
Pentru cazul particular din figura 30:
rZ =

V 58
=
= 1,8
I
33

Panta abrupt a caracteristicii ncepe de la un anumit curent Izmin. Curentul prin

diod nu trebuie s depeasc o valoare Izmax pentru ca puterea disipat de diod
s nu depeasc valoarea maxim admisibil.
De exemplu, dioda Zener PL5V1 are tensiunea de strpungere de aproximativ
5,1V (eroarea putnd fi de cel mult 5%). Ea poate s disipe maximum 1W i are o
rezisten de 5 la un curent de 100mA.
VZ

IZmin

IZmax

figura 30. a. Caracteristica diodei n zona de strpungere b. Simbolul diodei Zener

c. Schema echivalent

Dac este asigurat un curent mai mare dect Izmin prin diod, ea tinde s
menin constant tensiunea la bornele ei, cu o anumit eroare, dat de cderea de
tensiune pe rz, care depinde de curentul prin diod. Prin urmare, dioda Zener se
poate modela printr-o surs de tensiune constant, n serie cu o rezisten de
ordinul ohmilor. Tendina de meninere a tensiunii la valoarea Vz este folosit
pentru realizarea stabilizatoarelor de tensiune. Schema unui stabilizator parametric
simplu este prezentat n figura 31.

figura 31. Stabilizator parametric cu diod Zener i schema echivalent

32

Vom determina tensiunea U2:

I1 = Iz + I2

U1 U 2 U 2 V Z U 2
1
U1 VZ
1
1

=
+
+
= U 2 +
+

R
rZ
RS
R
rZ
R r Z RS

U2 =

U1
VZ
+
R R
r
r
1+ +
1+ Z + Z
rZ RS
R RS

(37)

Dac rz ar fi 0 din relaia (37) rezult:

U2 = Vz.
Cum rz dei foarte mic, este totui diferit de 0 trebuie folosit semnul aproximativ :
U2 Vz

(38)

Eroarea pe care o introducem este cu att mai mic cu ct :

R >> rz i Rs>>rz

(39)

Relaia (38) definete un stabilizator de tensiune, deoarece tensiunea de ieire

este constant, indiferent de tensiunea de intrare sau rezistena de sarcin.
Totui restriciile din relaia (39) impun ca rezistena de sarcin s fie mult mai
mare dect rz. Prin urmare stabilizatorul parametric poate fi utilizat numai pentru
sarcini cu consum redus de curent.
Dac inem cont de faptul c dioda se comport ca stabilizator numai dac Iz
este mai mare dect Izmin i mai mic dect Izmax obinem restricii suplimentare. Dac
n figura 31 neglijm rz obinem relaia:
Iz =

U1 V z V Z
U
V
V

= 1 Z Z
R
RS
R
R RS

(40)

Pentru ca Iz >Izmin trebuie pe baza relaiei 40 ca :

Izmin <

U1 m in VZ
V

Z
R
R R S m in

Cum ultimul termen din relaia de mai sus reprezint curentul maxim prin sarcin
R<

U1 min VZ
I Z min + I S max

(41)

Pe baza relaiei (40), pentru ca Iz < Izmax

R>

U1 max VZ
I Z max + I S min

(42)

33

Inegalitile (41) i (42) impun restricii evidente asupra tensiunii de intrare,

curentului de ieire i a valorii maxime a rezistenei R. Cum pe baza relaiei (39)
este de dorit ca R s fie ct se poate de mare, din relaia (41) rezult c valoarea
minim a tensiunii de intrare trebuie s fie mai mare dect Vz. Cu ct U1min este
mai mare dect Vz, cu att R poate fi ales de valoare mai mare. n practic este
recomandat ca U1 s fie cu cel puin 30% mai mare dect Vz.
Dup ce a fost stabilit pentru R cea mai mare valoare permis de relaia (41),
se va verifica obligatoriu dac ea satisface i inegalitatea (42). Dac nu, se vor
impune noi restricii pentru U1min i I2max, n sensul creterii tensiunii de intrare i al
reducerii curentului prin sarcin.

9. CIRCUITE CU DIODE VARICAP

O jonciune p-n invers polarizat poate fi privit ca un condensator. De o parte i
de alta a regiunii golite, se gsesc acumulri de sarcin de semn contrar, (vezi
figura 5) exact ca i pe armturile unui condensator plan. Regiunea golit ar fi
dielectricul dintre armturi. Mai mult dect att, dac tensiunea de polarizare invers
crete sau scade, lrgimea regiunii golite crete sau scade i prin urmare
capacitatea jonciunii scade sau crete i ea.
O diod varicap este prin urmare un condensator variabil, cu capacitatea
dependent de tensiunea de polarizare invers aplicat.
De exemplu, dioda varicap BB139 are o capacitate de 26pF la 3V tensiune
invers aplicat i 4,3pF la o tensiune de 25V. Dioda BB125 are 12pF la 3V
tensiune invers i 2,5pF la 25V.
n figura 32 este prezentat simbolul
de circuit al diodei varicap i o
aplicaie uzual a acesteia.
2
1
ntre capetele 1i 2 ale bobinei L sunt
C1
legai doi condensatori n serie:
L
2
condensatorul fix C1 i capacitatea
V cc
echivalent C2 a diodei varicap.
DV
3
Frecvena de rezonan a circuitului
1
oscilant va fi prin urmare:

figura 32. Circuit acordat cu diod

varicap
figura
32. Circuit acordat cu diod
varicap.

f0 =
2 L

C1C 2
C1 + C 2

(43)

Valoarea C2 se poate modifica prin modificarea polarizrii inverse. n acest scop

au fost introduse poteniometrul i rezistena. Ambele au valori mari (zeci, sute de
k , astfel nct s nu afecteze prea mult factorul de calitate al circuitului rezonant.
Prezena condensatorului C1 este absolut necesar, pentru a separa circuitul
rezonant de sursa de tensiune continu Vcc.
Dac:

C1 C2

(44)

atunci din relaia (43) rezult:

34

f0

1
2 LC 2

(45)

i prin urmare frecvena de rezonan a circuitului se poate modifica cu ajutorul

poteniometrului. Un circuit similar cu cel din figura 32 este utilizat pentru acordul pe
post al unor receptoare radio sau TV.

35

Capitolul III
TRANZISTORUL BIPOLAR
Tranzistoarele bipolare (TB) sunt dispozitive semiconductoare cu dou jonciuni,
realizate dintr-o succesiune de trei straturi semiconductoare de tip n-p-n sau p-n-p,
dup cum se prezint n figura 33.
Regiunea din stnga, numit emitor, este mai puternic impurificat dect
celealalte regiuni, regiunea din mijloc, baza, este foarte ngust i mult mai slab
impurificat dect regiunea din dreapta, colectorul. Ca
o consecin a acestui fapt, rezistivitatea bazei este
P
P
N
mai mare dect a celorlalte regiuni.
(E) (B) (C)
Pentru ca efectul de tranzistor s se produc, cele
dou jonciuni trebuie polarizate dup cum urmeaz:
N
N
P
(E) (B) (C)

figura 33. Structura

tranzistorului bipolar

Jonciunea emitor-baz trebuie polarizat direct

Jonciunea colector-baz trebuie polarizat invers.
Se spune n acest caz c tranzistorul este polarizat n

regiunea activ normal.

1. FUNCIONAREA N REGIUNEA ACTIV NORMAL

Datorit polarizrii directe jonciunea E-B permite
trecerea
purttorilor majoritari din E n B. Situaia este
P +
+
+N +
+
_
+
+
+ ilustrat n figura 34., pentru tranzistorul p-n-p. n acest
+ + + _+ + ++
+
+
+
+
+
+ caz, purttorii majoritari sunt golurile pentru regiunea
+ + _+ +
+
+
+
+_
+
+
+
+
+
+
+
+ emitorului i electronii pentru regiunea bazei. Dar cum
regiunea emitorului este mult mai puternic impurificat
dect baza prin jonciune va trece un curent important de
vE B
goluri, IE, din E n B i un curent neglijabil de electroni din
+
- n E. Are loc prin urmare o injecie de goluri n baz.
B
f i g u 3 r a4J o. n c t Ei -u B n eBaza
a
fiind de tip N, golurile sunt pentru ea purttori
l a p o l a r d i z i r a e r ce t a minoritari. Deci numrul de purttori minoritari din baz
crete foarte mult.
Datorit polarizrii inverse, jonciunea C-B permite
_
+
+
+ trecerea purttorilor minoritari (figura 35). n acest caz,
_ + _ +
__
+ purttorii minoritari sunt golurile pentru regiunea bazei i
_
+
+
+
_
electronii pentru regiunea colectorului. Dar cum regiunea
+
+
+
colectorului este mai puternic impurificat dect baza, prin
jonciune va trece un curent de electroni, ICB0, din C n B i
vB C
un curent neglijabil de goluri din B n E. Aceasta ar fi situaia
+
n cazul n care emitorul ar fi n gol. Sensul sgeii din figura
sensul deplasrii electronilor. Trebuie reinut c
f i g u 3 r 5 a . J o n Cc - tB i u 35
n indic
e a
N

l ap

P +

la

r i in z va e r re s a
36

sensul tehnic al curentului electric este exact opus sensului micrii electronilor i
prin urmare curenii IE i ICB0 au acelai sens tehnic.
Dac combinm figurile 34 i 35 obinem imaginea din figura36 care arat sensul
de micare al golurilor i curenii de goluri dintr-un tranzistor p-n-p. Se poate
remarca faptul c majoritatea golurilor injectate de emitor n baz trec n colector.
Aceasta din dou motive:
Baza fiind de tip n, golurile sunt purttori minoritari n regiunea bazei. Aa
cum s-a artat la studiul jonciunii pn, purttorii minoritari pot traversa
jonciunea dac ea este invers polarizat. Jonciunea C-B fiind polarizat
invers, golurile din baz pot trece n colector.
Baza este foarte ngust i slab impurificat deci are rezistivitate mare. Prin
urmare puine goluri vor reui s traverseze longitudinal regiunea bazei, fr
a fi captai de colector.
IE

Prin urmare:

IC

+ + + +

P +
+
+ N
+
+ + + + N++ _
+
+ + + + _++
+
+
+
+_
+
+
+
+

+P + +
+ +
++ ++ + ++ + + +
_ ++
+
++
++ + + +
+ + +
++
++ +
++

Sau +mai
+
+

+
+
+
+
+

precis:

IE IC
IC =

F E

(46)
(47)

F din relaia (47) este factorul de transfer

direct n curent, de la emitor la colector i are,
aa cum sugereaz relaia (46), o valoare
vE B
vB C
de 1. La tranzistoarele de mic putere,
f i g u r Ma . i 3 s 6c ga or el u a i rn i lj oe rc t aapropiat
t e
care pot avea baza foarte subire, F este mai
d ee m i i t nbo ar . z a
mare dect 0,95. Tranzistoarele de putere, care
au, din considerente de disipaie termic, o arie mare i deci i o baz mai groas,
valoarea F poate s scad la 0,9.
Diferena dintre IC i IE este curentul care se nchide prin baz, IB:
IB

IE = IC + IB

(48)

Pe baza relaiilor (47) i (48) putem determina relaia dintre IC i IB:

IC =

1
IB
1 F

(49)

unde notm:
=

1
1 F

(50)

Relaia (50) definete factorul de amplificare n curent al tranzistorului

bipolar. Avnd n vedere c F este apropiat de unitate, putem afirma c are o
valoare mare. Pentru tranzistoarele de mic putere este de ordinul sutelor, pentru
cele de putere medie de ordinul zecilor iar pentru tranzistoarele de putere mare
valoarea factorului de amplificare n curent poate fi mai mic dect zece. Din relaiile
(49) i (50) avem:
IC = IB

(51)

Relaia (51) este foarte des utilizat pentru analiza circuitelor cu tranzistori.

37

Tranzistoarele despre care discutm se numesc bipolare pentru c la

conducerea curentului particip purttori de sarcin de dou polariti: golurile i
electronii. Dei s-a focalizat discuia numai pe curentul de goluri care este cel mai
important n cazul tranzistoarelor pnp, pentru a fi riguroi, trebuie s amintim i
curentul de electroni care trece prin dispozitiv.
Jonciunea B-E polarizat direct, permite trecerea purttorilor majoritari deci, n
afar de golurile din emitor ea va fi traversat i de electronii din regiunea bazei. Dar
cum baza este foarte slab impurificat, acest curent este absolut nesemnificativ.
Jonciunea B-C polarizat invers permite trecerea purttorilor minoritari deci, n
afar de golurile din emitor ea va fi traversat i de electronii din regiunea
colectorului (vezi figura 35). Acest curent, ICB0, fiind curentul invers al unei jonciuni
este evident foarte mic n condiii normale de temperatur. Dar, mai ales n cazul
tranzistoarelor de putere, temperatura semiconductorului poate s creasc foarte
mult i prin urmare va crete numrul purttorilor minoritari (electronii) din colector.
Acest fapt atrage dup sine creterea ICB0. n astfel de cazuri este bine s inem cont
de faptul c:
IC = F IE + ICB0
(52)
precum i de faptul c ICB0 crete exponenial cu temperatura.
Funcionarea tranzistoarelor n-p-n este similar. i n cazul lor jonciunea B-E
trebuie direct polarizat iar jonciunea C-B invers. De data aceasta, emitorul va
injecta electroni n baz de unde majoritatea lor va fi captat de colector, pe cnd
ICB0 va fi un curent de goluri. Relaiile (46) (52) rmn valabile i n acest caz.
Simbolurile de circuit pentru tranzistoarele bipolare, precum i sensul
convenional al curenilor prin dispozitiv sunt prezentate n figura37.
n majoritatea cazurilor sunt utilizate
tranzistoarele npn. Motivul este c n
IB
IB
cazul lor curentul principal este un
curent de electroni liberi. Mobilitatea
IE
IC
acestora este mai mare dect a
p n p
n p n
golurilor (prin noiunea de gol este
descris de fapt micarea global a
f i g u 3 r a7S . i m b p o e l u n t r rt ir a u n z i bs ir p o o u l la r
electronilor de valen) i prin urmare
la arii i grade de impurificare identice, tranzistoarele npn au proprieti electrice
mai bune dect cele pnp. Desigur, exist cazuri n care este necesar utilizarea
ambelor tipuri .
IE

IC

2. FUNCIONAREA N REGIUNEA ACTIV INVERS

Ne putem pune ntrebarea cum se va comporta tranzistorul dac:
Jonciunea emitor-baz este polarizat invers
Jonciunea colector-baz este polarizat direct.
n acest caz dispozitivul se afl n regiunea activ invers i colectorul va
injecta purttori minoritari n baz iar emitorul va colecta aceti purttori. Relaia (52)
devine:
38

IE =

I + IEB0

R C

(53)

n care R este factorul de transfer invers n curent.

Structura ne fiind simetric, colectorul fiind slab dopat fa de emitor, R va fi
mult mai mic dect F, iar IEB0 mult mai mare dect ICB0. Deci n aceast regiune
efectul de tranzistor se va produce cu un randament mai slab dect n regiunea
activ normal iar dependena de temperatur a curentului prin dispozitiv va fi mai
accentuat (prin intermediul IEB0). Rareori un tranzistor este utilizat n acest mod.

3. FUNCIONAREA N REGIUNEA DE BLOCARE

Dac att jonciunea emitor-baz ct i jonciunea colector-baz sunt invers
polarizate emitorul nu mai poate injecta purttori minoritari n baz i efectul de
tranzistor nu se mai produce. Jonciunea emitor-baz va fi traversat de un curent
de purttori minoritari din emitor, IEB0, iar jonciunea colector-baz va fi traversat de
un curent de purttori minoritari provenii din colector ICB0 (figura 35). Nu exist nici o
relaie ntre valorile acestor cureni i dac neglijm ICB0 :
IC 0

(54)

4. FUNCIONAREA N REGIUNEA DE SATURAIE

Dac att jonciunea emitor-baz ct i jonciunea colector-baz sunt direct
polarizate att emitorul ct i colectorul vor injecta purttori minoritari n baz i
efectul de tranzistor nu se mai produce. Dispozitivul va fi traversat de un curent
important dat de purttorii majoritari din emitor i colector. Valoarea acestui curent
trebuie limitat de circuitul exterior tranzistorului, pentru a preveni defectarea lui. Se
poate considera c n aceast regiune tranzistorul se comport ca un scurtcircuit
ntre colector i emitor i prin urmare:
UCE 0

(55)

5. CARACTERISTICILE STATICE ALE TB

Privit ca un cuadripol diport, care are o poart de ieire i una de intrare
tranzistorul poate fi folosit n una din urmtoarele trei conexiuni fundamentale:
-

Baza comun (BC)

Emitor comun (EC)
Colector comun (CC)

vezi figura 38
vezi figura 39
vezi figura 40

Numele conexiunii provine de la numele terminalului care este comun porii de

intrare i de ieire. n afara conexiunii BC, baza este terminalul pe care se aplic
39

semnalul de intrare. Semnalul de

ieire se culege din colector, cu
excepia conexiunii CC cnd
ieirea se ia din emitor. Tabelul de
mai jos sintetizeaz aceste
afirmaii:
iI

u 3 r 8aC . o

x B i Cu - n

n oricare conexiune, tensiunea de intrare se aplic

a jonciunea B-E, i curentul de intrare trece prin
pe
aceast jonciune. Graficul funciei
iB = f(vBE)

iI
I

VO , iO
VCB , iC
VCE , iC
VEC , iE

iO

vI , iI
VEB , iE
VBE , iB
VBC , iB

iO

vI

f ig

Conexiunea
B-C
E-C
C-C

(56)

reprezint caracteristica de intrare a tranzistorului

bipolar. Cum relaia (56) exprim dependena
curentului printr-o jonciune p-n de tensiunea
f i g u 3 r 9aC . o n e xE -i Cu n e a
aplicat jonciunii, este de ateptat ca s avem
caracteristica de intrare a TB identic cu
caracteristica static a unei jonciuni.
iI
n figura 41 este prezentat caracteristica de
vO
intrare a tranzistorului 2N2222
iO
Se poate remarca n figur c pn la o tensiune
f i g u 4 r a0C . o n e xC -i Cu n e baz
a
emitor de 0,5V nu avem practic curent de
baz, deci pe baza relaiei 51 nici curent de colector.
Tranzistorul este deci n regiunea de blocare.
De la 0,6V curentul crete abrupt, tensiunea
pe jonciune limitndu-se la aproximativ 0,7V. De aici
provine i obinuina de a considera cderea de
tensiune pe jonciunea B E, atunci cnd tranzistorul
este polarizat n regiunea activ normal, ca fiind de
aproximativ 0,7V.

figura 41. Caracteristica de

intrare

Caracteristica
de
ieire,
care
reprezint
dependena curentului de ieire de tensiunea de
ieire, difer, potrivit tabelului de mai sus, n funcie
de conexiune:
n cazul conexiunii B-C ea este graficul funciei
iC = f(vCB)

n cazul conexiunii E-C (C-C) ea este graficul funciei

iC = f(vCE)
Caracteristica de ieire pentru conexiunea E-C este prezentat n figura 42. Ea a
fost obinut prin simulare PSPICE pentru un tranzistor npn de tipul 2N2222. i fost
trasat pentru diferite valori ale curentului de baz.
40

Se poate observa c pentru tensiuni vCE mici, de ordinul 0 300mV, (n funcie

de curentul de baz) exist o puternic dependen ntre curentul de colector i
tensiunea colector emitor. n aceast zon jonciunea B-C este practic direct
polarizat deoarece:
VBC = vBE vCE = (0,5 0,7)V (0 0,3)V = (0,2 0,7) > 0
i
prin
urmare
tranzistorul se gsete n
regiunea de saturaie.
Pentru tensiuni vCE
mai mari dect 0,3V se
constant c iC nu mai
depinde practic de vCE
n schimb crete pe
msura creterii iB. n
aceast zon este deci
aplicabil relaia (51) i
prin urmare ne aflm n
regiunea activ normal.
Se poate remarca n
figura 42. Caracteristica de ieire a TB pentru EC
figura 42 c pe msur
ce curentul de baz
(implicit i curentul de colector) crete, apare o uoar dependen a curentului de
colector de tensiunea colector emitor (liniile graficului nu mai sunt orizontale ci au o
uoar pant). Aceasta poate fi descris analitic prin rezistena de ieire, sau
rezistena intern colector emitor:
v CE
rCE =
(57)
i C
Pentru tranzistorul cu caracteristica din figura 42 se poate vedea c pentru un
curent de baz de 20 A, la vCE = 6V corespunde iC = 0,3mA i conform relaiei
57
rCE = 20k .
n general rezistena colector emitor este de ordinul zecilor de k . Ea este cu
att mai mare cu ct
curentul de colector
este mai mic.
Caracteristica
de
ieire
pentru
conexiunea BC este
prezentat n figura 43,
pentru acelai tip de
tranzistor ca i n cazul
anterior . Ea este
asemntoare
cu
caracteristica de ieire
41
figura 43. Caracteristica de ieire a TB n conexiune BC

a conexiunii EC. Nu trebuie pierdut din vedere faptul c de aceast dat curentul de
colector este reprezentat n funcie de tensiunea colector baz, i nu funcie de
tensiunea colector emitor. Astfel se explic diferena dintre cele dou grafice, n
zona tensiunilor mici de colector.
Dup cum se vede n graficul din figura 43, n conexiunea BC tranzistorul
rmne n regiunea activ normal chiar i pentru tensiuni negative mici de colector,
de ordinul sutelor de milivoli. n aceast regiune este valabil relaia (47) pentru
descrierea funcionrii tranzistorului.
Regiunea de saturaie ncepe de la aproximativ 500mV pentru acest tip de
tranzistor.
Rezistena de ieire, sau rezistena intern colector baz va fi:

v CB
(58)
i C
Ea este dependent de iC ca i rCE. Pentru cazul particular din figura 43, la un
curent de colector de aproximativ 8mA:
rCB =

rCB = =

6V
= 10K
0.6mA

Aceast valoare nu poate fi comparat valoarea rCE determinat pentru

caracteristica din figura 42 deoarece
C
curenii de colector la care s-a fcut
calculul difer. La acelai curent de
B
colector rezistena de ieire a
conexiunii BC este mai mare dect la
IB
conexiunea EC, dar diferenele nu
sunt foarte mari. i n cazul conexiunii
E
E
BC rezistena de ieire este de ordinul
zecilor de k .
f ig

u 4 r 4a

os ed me

lmn d aa pe l r e e n Tt r Bu

C
6. MODEL DE SEMNAL MARE
PENTRU TB.

B
IB

0 . 7 V
E
f ig

Pe baza caracteristicilor statice

prezentate anterior se poate face
un model de semnal mare al
p l i f i c a t tranzistorului bipolar.
Din caracteristica de intrare se
poate deduce c jonciunea baz
emitor se comport ca o diod i
va fi modelat ca atare.
Din relaia (51) i pe baza
caracteristicilor de ieire se poate
constata c ntre colector i emitor
tranzistorul se comport ca o surs
de curent comandat de curentul
de baz, avnd rezistena intern
de ordinul zecilor de k .

E
u 4 r 5a

os ed me ml n d aa se r l i e m

E
f ig

u 4 r 6a

M p oe dn Tet r blBu l o

c a

t
42

Schema echivalent este prezentat n figura 44. Ea este de fapt o versiune

foarte simplificat a unui model mult mai elaborat, modelul Ebers-Moll. Ne vom
limita ns la utilizarea acestei variante simple deoarece permite o analiz calitativ
suficient de precis a circuitelor cu tranzistori. Pentru calcule mai precise, necesare
n cazul proiectrii circuitelor, se apeleaz la programe specializate cum este
PSPICE care utilizeaz modele mult mai precise.
Modelul din figura 44 este valabil
C
pentru regiunea activ normal. El
B
poate fi simplificat mai mult nlocuind
dioda printr-o cdere de tensiune de
0,7V (figura 45).
0 . 7 V
Sub aceast form modelul de
semnal mare va fi utilizat pentru
E
E
analiza circuitelor de polarizare i la
determinarea punctului static de
f i g u 4 r a7 . M p oe dn Tet r slBu a t u r a t
funcionare al tranzistoarelor bipolare.
Pe baza relaiei (54), n regiunea de blocare, tranzistorul poate fi nlocuit cu o
ntrerupere ntre colector i emitor. Cum n aceast regiune dioda B-E este
polarizat invers, se poate nlocui cu o ntrerupere i aceast jonciune (figura 46).
Prin urmare, atunci cnd este blocat, un tranzistor nu are nici o influen asupra
circuitului din care face parte.
n regiunea de saturaie, pe baza relaiei (55), putem considera tranzistorul ca
fiind un scurtcircuit ntre colector i emitor (figura 47). Mai exact, tranzistorul se
comport ntre colector i emitor ca o rezisten de valoare foarte mic . Cderea de
tensiune UCE este n jur de 0,3V tipic. n regiunea de saturaie tranzistorul nu mai
controleaz curentul de colector. Acest curent trebuie limitat prin introducerea unei
rezistene n serie cu colectorul sau emitorul tranzistorului. Aceast rezisten
trebuie s limiteze curentul de colector de saturaie la o valoare mai mic dect
valoarea maxim admisibil pentru tranzistor.
12V
R c

5V

R b

12V
R c

12V

Q1

R c
12V

R b

0V

Rb
5V

VO

12V

VO

VO

0 .7 V

figura 48. Inversor cu TB sau TB folosit ca i comutator

Fixm noiunile prezentate pn acum printr-un exemplu:

n figura 48 a. este prezentat un inversor realizat cu TB. Din formele de und ale
tensiunii de intrare i ieire desenate pe aceeai figur, se poate gsi justificarea
acestei denumiri:
43

 atunci cnd tensiunea de intrare este mic (0V n cazul nostru), tensiunea de

ieire este mare (12V).

cnd tensiunea de intrare este mare (+5V), tensiunea de ieire este mic
(0V)

S analizm funcionarea acestui circuit pe baza modelului de semnal mare al TB,

introdus anterior.
dac tensiunea de intrare este 0V, potenialul bazei va fi egal cu al emitorului,
deci jonciunea B-E este blocat. Cum potenialul colectorului este mai mare
dect al bazei, i jonciunea C-E va fi blocat. Tranzistorul se gsete n
regiunea de blocare i poate fi nlocuit cu circuitul echivalent din figura 46.
Obinem circuitul din figura 48 b. din care se vede direct c VO = +12V.
dac tensiunea de intrare este 5V, presupunem c tranzistorul este saturat.
n acest caz el poate fi nlocuit cu schema echivalent din figura 47. Obinem
circuitul din figura 48.c. din care se vede direct c VO = 0V.
Aceast concluzie nu este valabil pentru orice valori ale Rc sau Rb. Pentru
ca tensiunea de ieire s fie 0V, este necesar ca:
VCC = ICRC sau IC =

VCC
Rc

Curentul de baz minim necesar pentru a asigura acest curent de colector va fi:
I B MIN =

VCC
R C

Din figura 48. c. se poate deduce c:

IB =

v i 0 ,7V
Rb

deoarece curentul de baz trebuie s satisfac relaia:

I B I BMIN Rb

(VI

0.7 ) RC
VCC

(59)

Valoarea minim a rezistenei RC este dat de condiia ca la saturaie, curentul

de colector s nu depeasc valoarea maxim admisibil pentru tipul de tranzistor
folosit:
VCC
V
I MAX R C CC
RC
I MAX

(60)

Pentru exemplul din figura 48.a s considerm c se utilizeaz un tranzistor

BC237 care , conform datelor de catalog are IMAX = 100mA i cuprins ntre 125 i
500.
n aceste condiii din relaia (60) obinem valoarea minim admisibil pentru RC:

44

RC

12V
= 120
100 mA

S presupunem c rezistena din colector este RC = 1k . Dat fiind c este mult

mai mare dect 120 , nu vom avea probleme cu depirea curentului maxim
admis. Relaia (59) ne permite determinarea valorii Rb. Cum nu cunoatem precis
valoarea , vom lua n calcul cea mai defavorabil situaie, adic =125.
Rb

( 5 0.7 ) 125 1k
12

= 44.791k

Putem alege pentru Rb prima valoare standardizat mai mic dect aceasta, de
exemplu 43k .
n exemplul prezentat tranzistorul lucreaz ca un comutator electronic: el este fie
deschis (blocat), fie nchis (saturat). Dac starea de blocare nu este condiionat
dect de valoarea tensiunii de intrare, trebuie remarcat faptul c intrarea n saturaie
depinde att de valorile rezistenelor ct i de tipul tranzistorului folosit.

7. MODEL DE SEMNAL MIC PENTRU TB.

n paragraful anterior am analizat situaia n care modificarea semnalului de
intrare este suficient de mare pentru a trece tranzistorul din blocare n saturaie. n
multe aplicaii practice TB este utilizat n regim de semnal mic. El este polarizat
pentru a lucra n regiunea activ normal iar semnalul de intrare are variaii suficient
de mici pentru ca tensiunile i curenii prin tranzistor s se modifice puin fa de
valorile din punctul static de funcionare.
n condiii de semnal mic, dioda B-E din figura 44 se va nlocui cu rezistena ei
dinamic, pe care o vom nota cu rBE . Vom obine astfel modelul de semnal mic
pentru TB din figura 49..
Aa cum am stabilit n capitolul
anterior, referitor la diode:

C
iB

rB

iB

rBE
E

f ig

u 4r a9

o s d e e m l m nd ai pec l e

vT
iB

(61)

Avnd n vedere relaia (51),

relaia (60) devine:
v
(62)
r BE = T
iC

n Tt r Bu

Sau innd cont de relaia (48):

r BE = ( + 1)

vT
iE

(63)

45

Cum din punct de vedere dimensional

vT
este o rezisten, vom nota:
iE

rEE =

vT
iE

(64)

i vom avea
rBE = ( +1)rEE
C
IB
B

IB
rEE

(65)

Deci putem utiliza i un alt model de

semnal mic pentru tranzistor, n care
rezistena dinamic a diodei B-E este
parcurs de curentul de emitor (figura
50.). Modelele din figurile 49 i 50 sunt
evident echivalente, trecerea de la unul
la cellalt fcndu-se pe baza relaiei
65.

Relaia 65 se poate explica i astfel:

comparnd modelele din figurile 49 i
50 se constat c pe cele dou
f i g u 5 r a0 . M
os ed me ml n d ipac e el n Tt r Bu
rezistene se aplic aceeai tensiune
vBE. Dar rBE va fi parcurs de curentul iB n timp ce rEE este parcurs de iE care
este de ( +1) ori mai mare dect iB. Prin urmare :
E

iB rBE = ( +1) iB rEE

de unde:
rBE = ( +1)rEE
Aceast demonstraie ne conduce la urmtoarea concluzie cu un caracter mai
general:
rezisten R aflat n emitorul unui TB este vzut din baz ca fiind de ( +1)
ori mai mare
rezisten R aflat n baza unui TB este vzut din emitor ca fiind de ( +1)
ori mai mic.
Consideraiunile de mai sus sunt valabile pentru situaia n care tranzistoarele
se gsesc n regiunea activ normal. n acest scop jonciunile lor trebuie polarizate
aa cum s-a artat la nceputul acestui capitol.
De exemplu, un tranzistor cu = 200, polarizat s lucreze la un curent de
colector de 1mA va avea rEE =

26 mV
= 26 . Aceast valoare poate fi folosit cu
1mA

modelul de semnal mic din figura 50. Dac preferm modelul din figura 49. vom
determina pe baza relaiei (65) rBE = 200 26 = 5200 = 5,2k .

46

8. CIRCUITE PENTRU POLARIZAREA TB.

Prin polarizarea tranzistorului bipolar nelegem alimentarea lui cu tensiune
continu astfel nct dispozitivul s lucreze n regiunea activ normal. Pentru
aceasta, jonciunea BE trebuie polarizat direct iar jonciunea BC polarizat invers.
n analiza circuitelor de polarizare se folosesc relaiile:
IC = IB

(66)

IE IC

(67)

VBE = 0,7V

(68)

8.1. Circuitul de polarizare prin curent de baz

Rb

R c

Q1

V cc

Circuitul de polarizare este prezentat n figura 51. El este

deosebit de simplu deoarece n afar de tranzistor i
sursa de alimentare sunt necesare numai dou
rezistene:
RB care determin valoarea curentului de baz
RC care determin valoarea tensiunii de colector
Curentul injectat n baz are valoarea:

IB =

figura 51. Polarizare prin

curent de baz

VCC VBE
RB

(69)

Curentul IC rezult din relaia (66) :

IC = IB
iar tensiunea colector emitor :
VCE = VCC - ICRC

(70)

Perechea de valori (VCE, IC) determin n planul caracteristicilor de ieire,

coordonatele unui punct, Q, punctul static de funcionare (PSF) al dispozitivului.
S determinm rezistenele RB i RC dac tranzistorul are = 50 i dorim ca s
lucreze la un curent IC = 2mA pentru o tensiune vCE = 6V. Tensiunea de alimentare
este VCC = 12V.
Din relaia (70) rezult:
V VCE (12 6 )V
RC = CC
=
= 3 k
IC
2 mA
Din relaia (66):
IB =

IC
2 mA
=
= 40 A

50
47

prin urmare conform relaiei 69:

RB =

VCC VBE 11,3V

=
= 282 ,5 K
IB
40 A

Practic se va alege pentru RB cea mai apropiat valoare standardizat i va trebui

acceptat abaterea de la punctul static de funcionare pe care o genereaz. Dac
lum RB = 280k , va rezulta IB = 40,4 A, i IC = 2,02mA , prin urmare VCE = 5,94V.
Acest circuit de polarizare foarte simplu, are dezavantajul c punctul static de
funcionare, conform relaiei (66), depinde decisiv de . Pe lng faptul c este
arareori cunoscut cu precizie, valoarea lui depinde i de temperatur. Prin urmare
stabilitatea PSF la modificarea temperaturii sau la schimbarea tranzistorului nu este
foarte bun n cazul acestui circuit.

8.2. Polarizarea prin divizor de tensiune

R1

Circuitul de polarizare este prezentat n figura 52.

Fa de circuitul anterior mai apar dou rezistene,
ntre baz i mas, respectiv emitor i mas.

R c
V cc
Q1

R1 i R2 formeaz un divizor de tensiune care

fixeaz potenialul bazei

Re determin valoarea curentului de colector

R2

R e

Neglijnd curentul de baz, foarte mic fa de

curentul care trece prin divizorul de tensiune, putem
afirma conform formulei divizorului de tensiune c:

0
VB =

figura 52. Polarizare prin

divizor de tensiune

R2
VCC
R1 + R 2

(71)

Potenialul emitorului va fi :
VE = VB 0,7V

(72)

Prin urmare :
IE IC =

VE
RE

VCE = VCC I C ( RC + R E )

(73)
(74)

Se poate remarca din relaiile (71) (74) c nu intr n calcule i prin urmare
punctul static de funcionare este independent de tipul de tranzistor folosit. n
realitate concluzia este adevrat numai cu o oarecare aproximaie, deoarece n
relaia 71 am neglijat efectul curentului de baz asupra divizorului de tensiune iar n
relaia 73 am neglijat din nou curentul de baz. Dac nu neglijam curentul de baz,
48

 ar fi aprut n expresia punctului static de funcionare. Cu toate acestea acest

circuit de polarizare asigur o stabilitate foarte bun a punctului static de funcionare
att la variaiile de temperatur ct i la nlocuirea tranzistorului cu un altul
(modificarea ). Din acest motiv acest circuit este foarte des utilizat n practic.
S determinm valorile rezistenelor de polarizare pentru cazul n care dorim ca
tranzistorul s lucreze la un curent IC = 2mA pentru o tensiune vCE = 6V. Tensiunea
de alimentare este VCC = 12V.
Alegem RE = 1k i pentru a obine un curent de colector de 2mA va trebui s
avem conform relaia 73, VE = 2V
Din relaia (72) rezult VB = 2,7V
R2
R2
12 i deci
= 0 ,225
Pe baza relaiei (71) putem scrie: 2 ,7 =
R1 + R 2
R1 + R 2
Alegem R1 + R2=100k i rezult R2=22,5k , respectiv R1=77,5 k .
Pe baza relaiei (74) putem scrie: 6V = 12V 2mA(RC + 1 k ) de unde RC =
2K
Vom alege pentru R1 i R2 valorile standardizate de 78k respectiv 22k i vom
accepta o uoar abatere de la PSF preconizat:
VB =

22
12 = 2.64V
100

VE = 2,64 0,7 = 1,94V

IC = 1,94mA
VCE = 12V 1,94V 3K = 6,18V.

8.3. Polarizarea prin reacie colector-baz

Circuitul de polarizare este prezentat n figura 53. El este
asemntor cu circuitul de polarizare din figura 51 cu
deosebirea c RB se leag ntre colectorul i baza
tranzistorului.

Rc

R b
Q1

V cc

Neglijnd curentul de baz, foarte mic fa de curentul de

colector, putem afirma:
VCE = VCC IC RC

0
Figura 53. Polarizare
prin reacie

(75)

Curentul de baz va fi :
IB =

I C VCE 0.7V
=

RB

(76)

din relaia (75) i (76) se poate determina :

IC =

VCC 0 ,7V
R
RC + B

(77)

49

iar din relaia (75) se poate determina VCE.

Rezistena RB realizeaz o reacie negativ ntre colector i baz. Astfel, dac
dintr-un motiv oarecare (de exemplu din cauza creterii temperaturii) curentul de
baz scade, atunci i curentul de colector va avea o tendin de scdere i prin
urmare VCE va crete. Dar creterea tensiunii de colector determin o cretere a
curentului de baz. Prin urmare reacia realizat prin RB, are tendina de a stabiliza
PSF. Conform relaiei (77) PSF este cu att mai puin dependent de cu ct
este mai mare i RB mai mic.
S determinm RC i RB pentru aceleai condiii ca i n cazurile anterioare: IC =
2mA pentru o tensiune vCE = 6V. Tensiunea de alimentare este VCC = 12V.
(12 6 )V
= 3 k
2 mA
VCE 0 ,7
5.3V
=
50 = 132 ,5 k 130 k .
Din relaia (76) R B =
IC
2 mA
Din relaia (75) RC =

Polarizarea tranzistoarelor nu reprezint un scop n sine. Este o etap necesar

pentru ca tranzistorul s poat fi utilizat ca amplificator.

9. TRANZISTORUL CA AMPLIFICATOR
Dup cum arat relaia (66) curentul de colector este de ori mai mare dect
curentul de baz, dac tranzistorul este polarizat n RAN. n consecin, o mic
modificare a curentului de baz determin o modificare important a curentului de
colector:
I C
=
(78)
I B
Prin urmare, dac n baz vom conecta o surs de semnal de mic putere, iar n
colector o rezisten de sarcin, vom putea obine n sarcin, un curent de aceeai
form cu cel de la intrare, dar la o putere mult mai mare. Tranzistorul se comport
ca amplificator.
Aceasta nu nseamn c el ar produce energie. Dimpotriv, el nsui consum
energie. Figura 54 prezint fluxul puterilor n cazul unui amplificator .

50

S
A

U R D S EA
L I M E N

U
S

T A

R D S EA
P
M N A I LN

I E

f i g u 5 r a4F . l u px u tl e rl ai l o a u r mn

p l i f ci c u a tT o B r

Puterea consumat de
la sursa de semnal de
intrare PIN este mic. Dar
la comanda semnalului
de intrare, tranzistorul
transfer
o
putere
semnificativ de la sursa
de alimentare n sarcin,
PIE. Acest transfer se
face
ns
cu
un
randament
subunitar
I N deoarece
A
o parte din
puterea consumat de la
surs, PCC, este disipat
de tranzistor . Aceast
putere PP se pierde prin
efect termic.
Prin urmare putem
vorbi de amplificare
numai n ceea ce

privete raportul:
aP =

PIES
>1
PIN

(79)

n ceea ce privete randamentul, acesta este subunitar:

PIES
<1
PCC + PIN

(80)

Pentru a putea vorbi de amplificare, nu este suficient ca relaia (79) s fie

satisfcut. Mai trebuie ca forma semnalului de intrare s fie identic, sau cel puin
foarte apropiat de forma semnalului de ieire. Din nefericire, caracteristica de
intrare a TB este puternic neliniar (exponenial) i prin urmare o variaie vBE a
tensiunii de intrare va produce o variaie iB care nu va fi proporional cu
tensiunea de intrare. Conform relaiei (78) nici iC nu va fi proporional cu semnalul
de intrare i prin urmare nici tensiunea pe rezistena de sarcin nu va avea aceeai
form de variaie ca i vBE.
Numai dac vBE este foarte mic, putem aproxima caracteristica de intrare cu
tangenta la ea n punctul static de funcionare i putem nlocui jonciunea baz
emitor prin rezistena ei dinamic. Prin urmare putem utiliza tranzistorul ca
amplificator de semnal mic.
n figura 55 este prezentat un exemplu. Circuitul de polarizare asigur o tensiune
VBE = 670mV. n consecin, potrivit caracteristicii de intrare va rezulta IB = 13 A.
Dac peste aceast polarizare n curent continuu se aplic n baz un semnal vi =
VBE, va rezulta o modificare IB a curentului de baz. Cum VBE este suficient de
mic pentru ca graficul caracteristicii de intrare s se suprapun practic cu tangenta
dus n punctul static de funcionare, putem afirma n consecin c:
n condiii de semnal mic ( VBE<<VT) variaiile curentului de baz sunt
proporionale cu variaiile tensiunii baz emitor. Factorul de proporionalitate este
rBE, rezistena dinamic a jonciunii baz emitor.
51

Se poate remarca n figura 55 c :

tg =

I B
VBE

(81)

i prin urmare rBE se poate determina grafic:

1

rBE = tg

(82)

20uA
13uA
IB
VBE

10uA

670mV
0A
500mV
550mV
600mV
650mV
IB(Q1)
figura
55. Aproximarea caracteristicii prin tangenta la curb
pentru variaii
mici ale tensiunii BE
V(Q1:b)

10. AMPLIFICATOR DE SEMNAL MIC N

CONEXIUNEA EMITOR COMUN

V cc
R1

Rc

C1

C 2
Q1

Q1

de
de

R s

V 1
Re

C 3

V 1

R1

R 2

R c

Rs

O
schem
uzual
astfel

R2

figura 56 Amplificator n
conexiunea EC

52
figura 57. Schema echivalent de
curent alternativ

amplificator este dat n figura 56. Condensatorul C1 cupleaz n curent alternativ

sursa de semnal la amplificator dar o decupleaz din punctul de vedere al curentului
continuu. Astfel v1 nu afecteaz circuitul de polarizare al TB. Condensatorul C2 are
rolul de a cupla rezistena de sarcin fr ca aceasta s afecteze PSF.
Condensatorul C3 pune la mas emitorul TB n curent alternativ, n timp ce n curent
continuu las n circuit rezistena de polarizare din emitor. Schema echivalent de
curent continuu va fi prin urmare cea din figura 52., un circuit clasic de polarizare
prin divizor de tensiune.
Din punctul de vedere al variaiilor de semnal, VCC este un punct virtual
de mas deoarece valoarea lui nu se modific. Prin urmare schema echivalent
de semnal alternativ se va desena considernd VCC legat la mas i
condensatoarele ca fiind scurtcircuite. Obinem schema din figura 57.
Dac nlocuim tranzistorul cu modelul de semnal mic din figura 49 obinem
schema echivalent de semnal mic din figura 58.
Acesta este un circuit cu elemente liniare care poate fi rezolvat aplicnd legea lui
Ohm i teoremele lui Kirchhoff.
Notm:
RCECH = RC IIR S =

RC R S
RC + R S

i vom avea:
v 2 = i C RCECH = i B R CECH =

v1
RCECH
r BE

iC
i1
v1

iB

f ig

i2

u 5 r 8a

rB

IB

v2

ec hc he im v a ad l se e n mt am n i ac l

Prin urmare amplificarea de tensiune a montajului va fi:

v2
R
= aV = CECH
v1
r BE

(82)

Relaia (82) ne arat c amplificarea n tensiune a montajului este mare dac

rezistena echivalent din colector nu este foarte mic n comparaie cu rBE.
De obicei RCECH i rBE au valori comparabile prin urmare amplificarea n tensiune
este mare, de ordinul zecilor sau sutelor, n funcie de valoarea .
Amplificarea de curent se determin la fel de simplu:

53

i2 =

RC
RC
RC
R12
iC =
i B =
i1
RC + R S
RC + R S
RC + RS r BE + R12

unde prin R12 am notat rezistena echivalent a R1 i R2 puse n paralel. Amplificarea

de curent rezult:
RC
i2
R12
= aI =

i1
RC + R S r BE + R12

(83)

Pentru ca amplificarea de curent s se apropie de valoarea trebuie ca RC s

fie mare n raport cu RS i R12 mare n raport cu rBE. A doua condiie este de regul
ndeplinit prin grija proiectantului. Prima condiie depinde de valoarea rezistenei de
sarcin deoarece valoarea RC este impus din considerente de polarizare.
Din relaiile (82) i (83) se poate trage concluzia c amplificarea este maxim,
att n curent ct i n tensiune dac rezistena de sarcin i rezistena din colector
sunt una i aceeai rezisten. De cte ori este posibil inginerii aleg aceast soluie
pentru proiectarea circuitului.
Rezistena de intrare a circuitului este
=

rI

v1
= R1 R 2 rBE rBE
i1

(84)

deoarece aa cum am specificat R1 i R2 sunt de obicei cu mult mai mari dect rBE.
Rezistena de ieire se determin cu intrarea n scurtcircuit i ieirea n gol,
considernd c n locul rezistenei de sarcin avem o surs de tensiune v2:
=

rO

v2
RC
i2

(85)

n concluzie, TB n conexiune EC are amplificare mare att n curent ct i n

tensiune (de ordinul zecilor, chiar sutelor) i are rezistenele de intrare i
ieire medii (de ordinul kohmilor).

11. AMPLIFICATOR DE SEMNAL MIC N CONEXIUNEA COLECTOR COMUN.

Schema unui astfel de amplificator este prezentat n figura 59. iar schema
echivalent de semnal mic n figura 60.
Dup cum se vede din figur:
v 2 = i 2 R S = ( i C + i B )R S = ( + 1 )i B R S = ( + 1 )

R
v 2 1 + ( + 1 ) S
r BE

v1 v 2
RS
r BE

v1
R S v 2 [ r BE + ( + 1 )R S ] = ( + 1 )v 1 RS
= ( + 1)
r BE

54

de aici determinm amplificarea:

v2
RS
= aV =
r BE
v1
+ RS
+1

(86)

I1

V cc

iC

iB

R 1

rB

Q1
V 1
R 2

v1

IB

I2

Rs

figura59. Amplificator cu
TB n CC

v2

f figura
i g . 60.2 Schema
4 . esechivalent
cc hh i e v de
ma l ae n t a
semnal
mic
d es e m m n ia c l

Relaia (86) arat c amplificarea de tensiune a acestui montaj este subunitar.

Dac
rBE
<<RS,
+1

cum este cazul de obicei, amplificarea de tensiune se apropie de unitate:

aV 1

(87)

Avnd n vedere relaia (87):

v 2 v 1 i B 0 i1 =

v1
R12

dar:
v 2 v1 i 2

v1
RS

prin urmare:
i2
R
= aI = 12
i1
RS

(88)

Prin urmare amplificarea de curent a montajului poate fi foarte mare dac

valoarea echivalent a rezistenelor R1 i R2 legate n paralel este mult mai mare
dect rezistena de sarcin. Evident relaia (88) este un rezultat aproximativ. Ea a
fost obinut prin neglijarea curentului de baz n raport cu curentul prin R 12. Dac
R12 tinde la infinit, din relaia (88) ar rezulta o amplificare infinit de curent. Dar
aceast relaie nu mai este aplicabil deoarece premisele care au generat-o nu mai

55

sunt ndeplinite. Simpla inspecie a circuitului din figura 60 ne indic faptul c n

acest caz :
aI = aIMAX = +1

(89)

Pentru determinarea rezistenei de intrare n montaj trebuie s inem cont de

ceea ce am demonstrat deja n paragraful 7: o rezisten plasat n emitor este
vzut din baz de +1 ori mai mare. Prin urmare:
rI = R12 II [rBE + ( +1)RS]

(90)

n funcie de valoarea RS rezistena de intrare poate s fie foarte mare dar nu

mai mare dect R12.
Pentru determinarea rezistenei de ieire vzute de sarcin trebuie s avem
n vedere concluzia din paragraful 7: o rezisten plasat n baz este vzut din
emitor de +1 ori mai mic. Cum ea se determin cu sursa de semnal n
scurtcircuit, avem:
rO =

rBE
+1

(91)

Observm c valoarea dat de relaia (91) este foarte mic dac este mare.
n concluzie n conexiunea colector comun, TB repet la ieire tensiunea
de la intrare, motiv pentru care acest montaj se mai numete i repetor pe
emitor. Amplificarea de curent este mare, maximum +1. Rezistena de
intrare este mare i rezistena de ieire mic.

12. AMPLIFICATOR DE SEMNAL MIC N CONEXIUNEA BAZA COMUN.

Schema unui astfel de amplificator este prezentat n figura 61., schema
echivalent de curent continuu n figura 62 iar schema echivalent de semnal mic n
figura 63.
C 1
2
V 1

Ls

C 2

Q1

C3

RR b 1

R1

R c

R s

Rc
Vcc
Q1

1
V cc
figura 61 Conexiunea BC

0
Fig. 15. polarizare
figuraprin
62. curent
Circuitulde
debaz
polarizare

Bobina de oc Ls este scurtcircuit n curent continuu, asigurnd legarea

emitorului la mas, n timp ce la frecvena de lucru are o impedan foarte mare,
practic infinit.
56

Circuitul din care se poate determina PSF va fi cel din figura 62. Se poate
remarca faptul c este un circuit simplu de polarizare prin curent de baz.
n schema echivalent de semnal mic (figura 63) emitorul este decuplat de la
mas din cauza impedanei infinite a bobinei LS, condensatorul C1 cupleaz sursa
de semnal n emitor, C2 cupleaz sarcina n colector, iar C3 leag baza la mas.
Determinm amplificarea de tensiune:
v 2 = i C RCECH i E RCECH = i 1 RCECH =

i1
v1

rEE

IB

iE

iC

iB

unde:

i2
C

v1
RCECH
r EE

v2

RCECH = RC IIR S =

RC R S
RC + R S

Prin urmare:
figura 63 Schema echivalent de semnal
mic

R
v2
= aV = CECH
v1
r EE

sau, innd cont de relaia (65) dintre rEE i rBE

aV =

RCECH
r BE

(92)

Comparnd relaiile (92) i (82) se poate remarca c acest montaj are aceeai
amplificare de tensiune ca i montajul EC dar cu semn schimbat, deci semnalul de
intrare este n faz cu semnalul de ieire.
i2 =

RC
RC
RC
iC
iE =
i1
RC + R S
RC + R S
RC + R S

deci amplificarea de curent va fi:

RC
i2
=
i1
RC + R S

prin urmare amplificarea de curent este subunitar. Practic, dac Rc>>Rs

amplificarea maxim de curent este aproape de unitate. Dac inem seama de
relaia (47) dintre curentul de colector i curentul de emitor observm c
amplificarea maxim de curent poate fi F. Aceasta este situaia cnd RC i RS sunt
una i aceeai rezisten.
Din inspecia circuitului de semnal mic rezult c rezistena de intrare este rEE iar
rezistena de ieire RC.
Prin urmare circuitul are amplificare de tensiune mare (la fel ca i
conexiunea EC) dar amplificarea de curent este subunitar. Are o rezisten
de intrare foarte mic i o rezisten de ieire medie.
57

13. EXEMPLU PRACTIC DE AMPLIFICATOR DE SEMNAL MIC

n finalul acestui capitol vom analiza o schem practic de amplificator cu TB
(figura 64) .

V cc
22V

R1
39k

Rc
10k

C1

IC

Q1

V2

10uF

V1

R2
3 .9 k

RE
1 .5 k

i1

CE
47uF

IB

V1

R 12

V2

R c

figura 64.Amplificator n EC i schema lui echivalent de semnal mic

Semnalul de intrare se aplic prin C1 n baza tranzistorului i semnalul de ieire se

ia direct din colector. Rezistena de sarcin este chiar RC. Din relaia (82) avem:
aV =

RC
r BE

Nu cunoatem valoarea dar:

r BE

1
r EE

iar

rEE =

vT
IE

prin urmare:
aV =

RC
R I
= C E
r EE
vT

La temperatura camerei (27OC) vT = 26mV, deci

1
= 0 ,038 ( mV ) 1 = 38 (V ) 1 , deci:
vT

aV = 38 RC IE

(93)

n relaia (93) produsul RC IC trebuie s fie din punct de vedere dimensional volt,
deci dac curentul se exprim n mA, rezistena se va exprima n k .
IE se determin din schema de curent continuu:
VB =

3 ,9
1,3
22 2V VE 1,3V I E =
= 0 ,86 mA
3 ,9 + 39
1,5
58

deci amplificarea de tensiune va fi:

aV = 38 10 0.86 326

Rezistena de intrare n montaj se determin astfel:

=

ri
= R12II

v1
= R1 R 2 r BE = R12
i1
II r

BE

=R12II rEE =

v T 3,9 39
26
=
II 0,86 = 3,5k II 30
I E 3,9 + 39

Cum este de ordinul 100 1000 pentru tranzistoarele de mic putere, rezult
c termenul 30 este de ordinul a 3k - 30k .
Prin urmare rezistena de intrare n montaj va fi de ordinul 1,5 3,5 k . n
funcie de tipul de tranzistor folosit.
Rezistena de ieire va fi egal cu rezistena din colector, 10 k .
Tabelul urmtor sintetizeaz proprietile amplificatoarelor cu TB n cele trei
conexiuni de baz:
Conexiunea

R c

aV

RC
r BE

aI

rI

rO

rBE

RC

+1

( +1)RE

r BE
+1

EC

RE

CC

59

Rc

RC
r BE

r BE
+1

RC

60

Capitolul IV
TRANZISTOARE CU EFECT DE CMP
Tranzistoarele cu efect de cmp (TEC) sunt dispozitive semiconductoare cu trei
terminale ca i TB i un comportament electric asemntor cu acestea. Cele trei
terminale sunt sursa (corespondentul emitorului), drena (corespondentul
colectorului) i poarta sau grila (corespondentul bazei). Principiul de funcionare
este ns total diferit. Exist un canal semiconductor ntre surs (S) i dren (D), a
crui conductivitate poate fi modificat de cmpul electric generat prin aplicarea
unei tensiuni ntre poart (G) i surs.
Dac tensiunea G S este aplicat prin intermediul unei jonciuni p-n invers
polarizate, vorbim despre tranzistori cu efect de cmp cu jonciune (J-FET). Dac
VGS este aplicat prin intermediul unui contact metal - oxid semiconductor,
vorbim despre tranzistoare MOS (MOS FET). n cazul acestora din urm avem
MOS FET cu canal iniial, dac canalul dintre S i D exist i nainte de aplicarea
tensiunii VGS, i MOS FET cu canal indus, dac canalul apare abia dup
aplicarea tensiunii VGS.
Tabelul de mai jos sintetizeaz tipurile de TEC i simbolurile lor de circuit.
TEC

CU CANAL N

CU CANAL P

J - FET

MOS FET CU CANAL

INIIAL
MOS FET CU CANAL
INDUS

G
S

G
S

1. TRANZISTORUL J FET
La o jonciune p-n invers polarizat apare o regiune golit de purttori de sarcin
cu att mai mare cu ct tensiunea de polarizare invers a jonciunii este mai mare.
Funcionarea tranzistoarelor J FET se bazeaz pe modificarea conductivitii
unui canal semiconductor de tip p sau n prin ngustarea lui mai mult sau mai puin
accentuat. ngustarea se face prin extinderea sau reducerea regiunii golite a unei
jonciuni p-n invers polarizate.
n figura 65. este prezentat o structur J FET cu canal n. Canalul de tip n
dintre cele dou regiuni golite are limea maxim atunci cnd VGS = 0. (Nu
intr n discuie eventualitatea ca VGS s fie pozitiv pentru c n acest caz
jonciunea p-n ar fi polarizat direct i nu mai putem vorbi despre efect de cmp).
61

Pe msur ce VGS crete n sens negativ, regiunea golit se extinde i canalul se

ngusteaz, prin urmare conductivitatea lui scade. La o anumit valoare:
VGS = -VP

(94)

regiunea golit obtureaz complet canalul i prin urmare nu vom avea curent de
dren, indiferent de valoarea tensiunii VDS.
Distingem dou situaii:
D
c

a n

a ln d

t dac
ip

VDS are valoare mic, de

ordinul a o sut de milivoli,
curentul de dren va crete
proporional cu tensiunea dren
surs i prin urmare tranzistorul
se comport ntre dren i surs
ca o rezisten a crei valoare
depinde de tensiunea VGS.

G
p

S 0
r e g

f ig

u 6 r a5S . t r u

VDS
rDS

(95)

r DS = f (VGS )

(96)

IDS =

c J t - Fu

rE a c T u

c na

i gu on

le i ta

dac VDS are valoare mare,

peste cteva sute de milivoli,
captul
dinspre
dren
al
canalului se va ngusta mai
repede dect captul dinspre
surs (figura 66.). deoarece :
VGD = VGS - VDS

(97)

Pentru VGS = 0 din relaia (97)

avem:

G
n

VGD = - VDS

(98)

Prin urmare, dac VDS = VP atunci

VGD = - VP i prin urmare captul
V G S 0
dinspre dren al canalului se
obtureaz . Din acest moment,
electronii pot ajunge de la surs la
S
dren, traversnd regiunea golit,
datorit atraciei pe care drena,
pozitiv, o exercit asupra lor, dar
f i g u 6 r a6 n . g u s mt a aar eic ac e n a tc u a a n t a l u l u i
curentul nu mai crete pe msur
l a c a p d it nu sl d p r r e e n
ce VDS crete. Prin dispozitiv va
trece curentul maxim, numit
curentul de saturaie IDSS.

62

Pentru valori din ce n ce mai negative ale VGS, aceste fenomene se vor produce
pentru valori din ce n ce mai mici ale V DS i curentul se limiteaz la valori mai mici
dect IDSS.
Caracteristica de ieire din figura 67 ilustreaz cele dou regiuni de funcionare.
n figura 67. a. avem un detaliu al caracteristicii pentru tensiuni VDS mici. Se poate
remarca dependena liniar a curentului de dren de tensiunea VDS. Pe msur ce
canalul se ngusteaz mai accentuat spre dren, dependena aceasta devine
neliniar i se poate remarca din figura 67.b. c de la un moment dat, ID este
independent de VDS. Aceasta este zona de saturaie a curentului de dren sau
regiunea de funcionare n regim de tranzistor a acestui dispozitiv. Se poate
remarca din figura 67 c pentru VDS > VP caracteristica de ieire a J FET este
similar cu a unui TB. Pentru tensiuni VDS mici, J FET poate fi folosit ca rezisten
comandat n tensiune.

IDSS

VP

a.

b.

figura 67. Caracteristica de ieire a J FET

Pentru cazul particular din figura 67 ( tranzistorul 2N5198) se vede c VP 2V

iar IDSS 4mA. Cunoaterea acestor valori este important pentru descrierea
analitic a funcionrii J FET:
Pentru regiunea de saturaie a curentului:
IDSS

(1

ID = IDSS

VP

figura 68. Caracteristica de transfer a

j - fet

VGS
)
VP 2

(99)

Relaia (99) exprim dependena

dintre ID (mrime de ieire) i VGS
(mrime de intrare), prin urmare
descrie caracteristica de transfer a
dispozitivului n zona de saturaie a
curentului de dren . Graficul ei este
trasat n figura 68.
n cazul unui J FET cu canal p este
evident c toate tensiunile i curentul
de dren vor avea sens invers, n rest
funcionarea
dispozitivului
fiind
similar.
63

2. TRANZISTORUL MOS FET CU CANAL INIIAL

Structura MOS FET cu canal iniial este prezentat n figura 69. Sub efectul
VDS electronii din canal vor ajunge de la S la D asigurnd un curent ID cu att mai
mare, cu ct avem mai muli electroni liberi n canal. Dac n0 este numrul de
electroni pentru VGS = 0, atunci distingem 2 cazuri:
S

i2 O

c a nn a l

-n
e t a li z a r e G
VG S
S
-n

> n0

(100)

deci
conductivitatea
canalului va crete.

s u b s pt r a t
-

VGS > 0, caz n care

metalizarea din regiunea
porii se ncarc pozitiv.
Sarcina pozitiv din poart
va
atrage
electronii
minoritari din substratul p
n
canal
mbogind
canalul
n
purttori.
Numrul acestora va fi :

VGS < 0, caz n care

it i a l
metalizarea
din regiunea
porii
se
va
ncrca
negativ. Sarcina negativ din poart va atrage goluri din regiunea p a
substratului care se vor recombina cu electronii din canal srcindul n
purttori de sarcin. Numrul acestora va fi:
f ig

u 6 r a9S . t r u

c M t u O r F a S E c T- u

c a

n- < n0

ID

IDSS
VGS
figura 70. Caracteristica de transfer a
MOS FET cu canal iniial

i n

(101)
i n consecin conductivitatea
canalului va scdea.
Spre deosebire de J FET , MOS
FET cu canal iniial poate s lucreze la
valori pozitive i negative ale tensiunii
VGS.
Aa
cum
se
vede
din
caracteristica de transfer din figura70.
IDSS nu mai este curentul maxim prin
dispozitiv . Pentru VGS>0 ID>IDSS. De
aceea prin proiectarea circuitului de
polarizare curentul de dren trebuie
limitat sub valoarea maxim admis.
Caracteristica de transfer este
asemntoare cu a JFET iar pentru
zona de saturaie a curentului de dren
este valabil ecuaia lui Shockley
(relaia 99).

64

3. MOS FET CU CANAL INDUS

Structura de MOS FET cu canal indus este prezentat n figura 71. Ea este
similar cu structura unui MOS FET cu canal iniial (figura 69.) cu deosebirea c
nu exist canalul iniial ntre dren i surs. Distingem dou cazuri:
1.
VGS > 0, caz n care
metalizarea din regiunea
S i2 O
porii se ncarc pozitiv
(figura72).
Sarcina
D
pozitiv din poart va
n
atrage electronii minoritari
m e ta li z a r e
din
substratul
p
n
S S
G
de
sub
V D S regiunea
p
metalizarea porii. Dac
VG S
V
GS depete o valoare de
prag VT, numrul de
n
S
electroni atrai devine
suficient de mare pentru a
realiza un canal de
s u b s pt r a t
electroni ntre dren i
surs. ntre D i S este
indus un canal n de
f i g u 7 r a1S . t r u c M t u O r F a S E c T- u
c i an nd au ls
ctre tensiunea VGS > VT.
2.
S

se
D
+
+
+
+

G
V

>S V

i 2 O c a nn ia n l d u s

n
II
II
II
II

I
I
I S
I
I
I

VGS < 0, caz n care

metalizarea din regiunea porii
va ncrca negativ. Sarcina
negativ
din
poart
va
respinge
electronii
din
regiunea de sub metalizarea
porii astfel nct ntre dren i
surs nu se va induce un
canal care s permit trecerea
curentului de dren. n
aceast situaie ID = 0,
indiferent de VDS.

Spre deosebire de MOS

FET
cu
canal
iniial,
tranzistorul MOS FET cu
canal indus poate s lucreze
f i g u 7 r 2aI n . d u c c e a r ne a d l uee l l ue i c t r o n i
doar la valori pozitive ale
tensiunii VGS, aa cum se vede din caracteristica de transfer din figura 73. Pentru
tranzistorul 2N7002 a crui caracteristic este reprezentat n figura 73, tensiunea
de prag este de 2,2V.
Caracteristica de ieire este asemntoare cu a JFET dar ecuaia lui Shockley
nu mai este valabil. Se poate utiliza relaia:
s u b s pt r a t

ID = k(VGS VT)2

(102)

n care:
k=

i D( ON )
(VGS ( ON ) VT ) 2

(103)
65

ID(ON) i VGS(ON) sunt date de catalog.

Se
poate
observa
din
graficul
caracteristicii de transfer c, pentru
VGS=0, nu avem curent de dren. Prin
urmare este evident c pentru acest tip
de tranzistor nu putem defini un curent
IDSS. Curentul de dren maxim trebuie
limitat de circuitul exterior la o valoare
care s nu pericliteze tranzistorul.
Tranzistorii cu efect de cmp cu
canal de tip p se comport la fel cu cei
de tip n, pentru VGS de polaritate opus i
ID de sens invers.
n concluzia celor prezentate pn
acum, tabelul urmtor sintetizeaz
deosebirile dintre cele 3 tipuri de
tranzistori cu efect de cmp.

ID

VT = 2,2V

VGS

figura 73. Caracteristica de transfer a

MOS FET cu canal indus

J - FET
CU CANAL N

CU CANAL P

(1

ID = IDSS
VP<VGS<0

VGS
)
VP 2
0< VGS< VP

MOS FET cu canal

iniial
CU CANAL N

CU CANAL P

(1

ID = IDSS
VP<0 ; VP<VGS

VGS
)
VP 2

VP>0 ; VP>VGS

MOS FET cu canal

indus
CU CANAL N

CU CANAL P

ID = k(VGS VT)2
0< VT < VGS

VGS< VT<0

4. POLARIZAREA TRANZISTOARELOR CU EFECT DE CMP.

Polarizarea TEC are acelai scop ca i polarizarea TB dar soluiile practice de
realizare depind de tipul de TEC. n analiza oricrui circuit de polarizare a TEC
trebuie s inem cont de urmtoarele relaii:
Poarta TEC este izolat de canalul dren surs printr-un strat izolator de
SiO2 sau printr-o jonciune invers polarizat deci:
IG = 0

(104)

Drena i sursa sunt legate printr-un canal la care nu sunt ataate ohmic alte
terminale, deci:
ID = IS

(105)
66

4.1. Polarizarea J- FET

Pentru polarizarea acestui tip de FET, n cazul n care este cu canal n, circuitul
de polarizare trebuie s asigure VDS > 0 i VGS < 0. Ar fi nevoie prin urmare, de
dou surse de tensiune, de polariti diferite, aa cum se vede n figura 74.
Sursa de tensiune V1 asigur prin intermediul RD o tensiune VDS pozitiv.
Sursa de tensiune V2 asigur prin intermediul RG o tensiune VGS negativ.
Pentru o polarizare corect aceast surs trebuie s ndeplineasc condiia:
VP < V2 < 0
Curentul de dren corespunztor se determin din ecuaia lui Shockley n
care VGS se nlocuiete cu V2:
V
(1 2 )
VP 2
I =I
D

DSS

Cunoscnd ID, VDS rezult imediat:

ID

VGS

VDS = V1 - IDRD
Soluia este incomod din cauza
utilizrii unei surse speciale de
polarizare a porii i n majoritatea
cazurilor este evitat.

VDS

O alt soluie este utilizarea unui

circuit de polarizare automat a
porii. Circuitul este prezentat n
figura 75 i se realizeaz prin
intermediul a dou rezistene:

Figura 74. circuit de polarizare

pentru JFET

RG leag poarta la mas, asigurnd

astfel VG = 0.
RS leag sursa la mas i cderea de
tensiune de pe aceast rezisten
este VS > 0.
Prin urmare tensiunea VGS va fi

D
S

- VS = - VS < 0,

ceea ce urmrim de fapt.

Figura75. circuit de
polarizare automat

Determinarea punctului static de funcionare se face pe baza urmtoarelor relaii:

VG = 0

(106)

VS = IDRS

(107)
67

Din relaiile (106) i (107) rezult:

VGS = VG VS = - IDRS

(108)

nlocuind aceast valoare n ecuaia lui Shockley obinem:

I D = I DSS (1

I D RS 2
)
VP

(109)

Relaia (109) este o ecuaie de gradul 2 din care se poate determina algebric ID:
ID =

B B 2 4 AC
2A

unde am notat:
A=R

2
S

VP2
B = 2IVP IR S +
I DSS

C = VP2

Cunoscnd valoarea ID, VGS se determin cu relaia (108) iar VDS din suma cderilor
de tensiune pe bucla de ieire:
VDS = V1 (RD + RS)ID

(110)

Acest calcul algebric laborios poate fi evitat utiliznd metoda grafic de

determinare a punctului static de funcionare. n acest scop, peste graficul
caracteristicii de transfer a dispozitivului vom trasa dreapta dat de ecuaia (108).
Coordonatele punctului de intersecie al celor dou grafice vor fi VGS i ID. VDS se va
determina din relaia (110).
S exemplificm metoda pe circuitul din figura 75 pentru urmtoarele valori
numerice:
V1=20V

RD=3,3k

RS=1K

IDSS=8mA

VP= - 6V.

Graficul caracteristicii de transfer se poate trasa prin puncte. Se folosesc de

obicei urmtoarele 4 puncte care rezult din ecuaia lui Shockley:
VGS =

VP

ID =

VP
2
I DSS
4

0,3VP

I DSS
2

IDSS

Pe baza tabelului de mai sus, n cazul nostru concret rezult 4 puncte de

coordonate: (-6 ; 0) , (-3 ; 2) , (-1,8 ; 4) , (0;8).
n figura 76 am marcat aceste puncte i unindu-le am aproximat caracteristica de
transfer a dispozitivului. Am desenat apoi dreapta a crei ecuaie este dat de
relaia 108 prin dou puncte obinute pentru ID = 0 i ID = 4. Rezult punctele de
coordonate (0,0) i (4,4). Coordonatele punctului de intersecie al celor dou grafice
ne dau valorile VGS i ID n punctul static de funcionare:

68

VGS = -2,6V i ID = 2,6mA

Prin urmare, din relaia 110:
VDS = 20 (3,3 + 1)2,6 = 8,8V
ID (mA)
8
7
6
5
4
3

-2,6

2
1

VGS (V)
-6

-5

-4

-2,6

-3

0
-2

Se poate constata c RG nu apare

n determinarea PSF. ntr-adevr,
dat fiind c nu avem curent de
poart, cderea de tensiune pe
aceast rezisten este 0 indiferent
de valoarea rezistenei. Prin
urmare, din punctul de vedere al
PSF ea poate s aib orice valoare.
Important este ca poarta s fie
legat la 0V. Dar, din punctul de
vedere al unei eventuale surse de
semnal legate la poarta JFET,
aceast rezisten este vzut ca
rezisten de intrare. Este deci de
preferat ca aceast rezisten s fie
mare, pentru a nu consuma curent
din sursa de semnal. De obicei ea
este de ordinul megaohmilor.

-1

figura76. Determinarea grafic a PSF

4.2. Polarizarea MOSFET cu canal iniial.

Dup cum s-a explicat n paragraful anterior, acest tip de MOS-FET poate s
lucreze ca tranzistor att pentru valori pozitive ct i negative ale VGS. Implicit i

figura 77. Circuite de polarizare pentru MOS FET cu canal indus

pentru VGS = 0. Prin urmare cea mai simpl metod de polarizare este simpla legare
a porii la mas printr-o rezisten de valoare mare. Dac se dorete polarizarea cu
tensiune negativ a porii se poate aplica metoda de polarizare automat descris
anterior. n cazul, mai rar utilizat, n care tensiunea de polarizare a porii se dorete
69

a fi pozitiv, se poate folosi metoda divizorului de tensiune, ca la tranzistoarele

bipolare. Cele 3 circuite de polarizare sunt prezentate n figura 77.
Pentru circuitul din figura 77.a avem:
VGS = 0, deci ID = IDSS i VDS = V1 - RDIDSS
Pentru circuitul din figura 77.b se poate aplica metoda grafic sau metoda
algebric prezentate n paragraful referitor la polarizarea J-FET, deoarece i n
cazul acestui tranzistor este valabil ecuaia lui Shockley.
n cazul circuitului de polarizare din figura 77.c, valoarea VGS se poate determina
prin formula divizorului de tensiune:
VGS =

RG 2
V1
RG1 + RG 2

Pe baza relaiei lui Shockley rezult ID. Se va verifica dac acesta nu cumva
depete valoarea maxim admis pentru tranzistor. Dac ID este prea mare se va
ajusta VGS prin reducerea RG2 sau creterea RG3. Aceste rezistene sunt uzual de
ordinul megaohmilor, pentru a nu micora rezistena de intrare a circuitului.

4.3. Polarizarea MOS-FET cu canal indus.

R D
R G

V 1

f i gfigura
. 1 4 . 78.
C i r circuit
c u i t d de
e ppolarizare
o l a r i z a r ecuc reacie
u re a c t i e

Acest tip de tranzistoare au nevoie de

tensiune VGS > VT > 0 (ne referim ca i
pn acum la cele cu canal n) pentru a fi
polarizate n regiunea de saturaie a
curentului de dren. Prin urmare se poate
utiliza polarizarea prin divizor de tensiune,
ca n cazul MOS-FET cu canal iniial
(figura77. c).
Un circuit de polarizare mult mai
des folosit pentru acest tip de tranzistor
este circuitul de polarizare prin reacie
dren gril care este prezentat n figura
78.

Deoarece curentul de gril este 0, rezult:

VGS = VDS

(111)

VGS = V1 IDRD

(112)

prin urmare:
cum pentru acest tip de tranzistor:
ID = k(VGS VT)2

70

din ultimele dou ecuaii se pot determina ID i VGS . Din relaia (111) se determin
VDS.
Dac avem de exemplu, un tranzistor cu VT = 3V , k = 0,24 mA/V2 i dorim s l
polarizm cu circuitul din figura 78, de la o surs de alimentare de 12V, astfel nct
ID = 3mA, vom obine pe baza relaiilor de mai sus:

3m A
= 12.5V 2 (VG S - VT ) = 3.5V VG S = VD S = 6 ,5V
(VGS VT) =
m
A
0.24
V2
2

i prin urmare, din relaia (112):

I D R D = 12 6.5 = 5.5 R D =

5.5V
= 1,8 k
3 mA

Deoarece nu trece curent prin ea, valoarea RG, cu condiia s fie finit, nu are
relevan, din punctul de vedere al polarizrii. Din punctul de vedere al eventualei
surse de semnal , care s-ar aplica n poart, ea este bine s aib o valoare foarte
mare, pentru a nu micora impedana de intrare a montajului. De obicei se alege RG
de ordinul megaohmilor.
Polarizarea tranzistoarelor cu efect de cmp cu canal p se face prin aceleai
circuite ca i n cazul TEC cu canal n, doar semnul tensiunilor aplicate i sensul
curenilor rezultai se schimb.

5. MODELUL DE SEMNAL MIC PENTRU TEC

Relaia ID = f(VGS) este ptratic, deci neliniar, pentru oricare tip de TEC. Dar ca
i n cazul TB, pentru variaii mici VGS n jurul valorii din PSF, caracteristica se
poate aproxima prin tangenta la ea n PSF. Panta acestei tangente se noteaz cu
gm i se numete transconductan:
gm =

dI D
, n punctul static de funcionare.
dV GS

Cum TEC nu consum curent la

intrare modelul de semnal mic pentru
TEC va fi o surs de curent comandat
n tensiune (figura 79). Acest model
g m vG S
vG S
simplificat permite analiza rapid a
amplificatoarelor de semnal mic cu
S
S
TEC. Un model mai exact include i
rezistena intern dintre dren i surs
care are valori de ordinul zecilor de k .
f i g u 7 r a9 . M
os ed me ml n d ipa c e el n T t r E u C
n
cazul
analizei
comportrii
dispozitivului la frecvene mari, vor fi luate n considerare i capacitile interne C GS,
CDS, CGD, de ordinul picofarazilor.
G

71

6. UTILIZAREA TEC CA AMPLIFICATOR DE SEMNAL MIC.

Ca i TB, TEC se pot folosi ca amplificatoare de semnal mic. n acest scop ele
vor fi polarizate n regiunea de saturaie a curentului de dren. n figura 80 avem un
amplificator cu JFET n conexiunea surs comun, precum i modelul de semnal
mic al circuitului.
Dac facem abstracie de condensatoare, obinem circuitul de polarizare
automat din figura 75. Condensatoarele C1 i C2 decupleaz din punctul de vedere
al curentului continuu sarcina, respectiv sursa de semnal de la intrare.
Condensatorul C3 unteaz rezistena de polarizare RS n gama de frecvene pentru
care este proiectat amplificatorul. n schema echivalent de semnal mic, acetia au
fost nlocuii cu scurtcircuite.
V cc
R D

C1
Vo

C 2

iD

Vi

vI
RG

RS

C3

vG

g m vG

vo

figura 80. Amplificator cu JFET n conexiune surs comun

Tensiunea de ieire va fi:

v o = i D R D = g m v GS R D = g m v i R D

de unde amplificarea de tensiune:

vo
= g m R D
vi

(113)

n cazul n care am avea o rezisten de sarcin RS conectat la ieire, aceasta

ar apare n schema de semnal mic n paralel cu RD. n acest caz relaia (113) este
aplicabil dac n loc de RD punem rezistena echivalent RDIIRS.
Rezistena de intrare n montaj este RG. Dac sursa de semnal de intrare are
rezistena intern Ri, ea va forma un divizor de tensiune cu R G i la intrarea
amplificatorului va ajunge numai o parte din semnalul sursei. Relaia (113) devine n
acest caz:

72

vo
RG
= g m R D
vi
RG + R I

(114)

Pentru un RI dat, trebuie ca RG >> RI pentru ca amplificarea dat de relaia (114)

s fie maxim. Din acest motiv se alege RG de ordinul megaohmilor.
Se poate remarca faptul c, fa de un amplificator cu TB n conexiune EC,
rezistena de intrare a amplificatorului cu J-FET este mult mai mare, ceea ce
constituie un avantaj. Dar amplificarea de tensiune este mai mic. innd cont de
faptul c gm are valori tipice de ordinul (2 5) mA / V iar R D este de ordinul kohmilor
rezult pe baza relaiei (113) c amplificarea unui etaj cu J-FET va fi de ordinul
zecilor. n cazul TB amplificarea poate fi de ordinul sutelor.
Desigur, n loc de J-FET se poate folosi orice alt tip de TEC, modificnd
corespunztor circuitul de polarizare. Valoarea amplificrii va fi tot cea dat de
relaia (113).

7. UTILIZAREA TEC CA SURS DE CURENT CONSTANT

Orice tranzistor se poate folosi pentru realizarea unei surse de curent constant.
Dar, n cazul J-FET acest lucru se obine prin simpla legare a porii la surs (figura
81). n acest caz
vGS = 0
i pe baza ecuaiei lui Shockley :
ID = IDSS.

V cc

Prin urmare valoarea curentului de

dren este independent de rezistena de
sarcin RD, sau de tensiunea de
alimentare VCC , deci avem o surs de
curent
constant.
Evident,
trebuie
respectat condiia VDS > VP altfel din
graficul caracteristicii de ieire a J-FET se
poate observa c ID devine dependent de
VDS.

RD

ID

VDS = VCC I D R D
figura 81. Surs de curent constant

pentru ca ID s fie egal cu IDSS trebuie

ca VDS > VP, de unde rezult urmtoarea

condiie pentru rezistena de sarcin:

RD

VCC VP
I DSS

Dac aceast inegalitate este satisfcut, prin RD va trece acelai curent IDSS
independent de valoarea rezistenei sau de valoarea tensiunii de alimentare.

73

8. PREACUIUNI DE MANEVRARE A TRANZISTOARELOR MOS FET

Stratul subire de SiO2 dintre poarta i canalul unui tranzistor MOS are efectul
pozitiv de a asigura o impedan de intrare aproape infinit pentru acest dispozitiv.
Datorit faptului c acest strat este foarte subire apare o problem de manevrare a
acestui tip de tranzistoare care nu apare la TB sau JFET.
Problema const n faptul c , tocmai datorit rezistenei practic infinite dintre
poart i canal, metalizarea porii se poate ncrca electrostatic chiar prin simpla
atingere a terminalelor cu mna. Sarcina acumulat pe metalizarea porii poate s
produc o diferen de potenial suficient de mare ntre poart i canal pentru ca
stratul foarte subire de bioxid de siliciu s se strpung i tranzistorul s se
defecteze.
Din acest motiv este absolut necesar ca terminalele acestor dispozitive s fie
scurtcircuitate de un inel sau o folie de protecie. Aceast protecie nu se va nltura
pn cnd tranzistorul nu se va lipi n circuit.
O alt metod utilizat de fabricani pentru a preveni strpungerea stratului de
oxid la ncrcarea electrostatic accidental este prezentat n figura 82.
Indiferent de polaritatea tensiunii la care se ncarc
electrostatic poarta, dac valoarea ei depete
tensiunea de strpungere a diodei Zener, una din diode
se va strpunge iar cealalt va conduce ca orice diod
polarizat direct. n consecin tensiunea maxim
dintre poart i substrat va fi limitat la valoarea:
VGS = VZ + 0,7V
Tensiunea de strpungere a diodelor Zener este
astfel aleas nct stratul de bioxid de siliciu s nu fie
figura 82. MOSFET protejat cu
diode Zener
expus la strpungere indiferent de polaritatea tensiunii
VGS.
Desigur, prin aceast metod de protecie, rezistena de intrare a unui tranzistor
MOS-FET este redus la valoarea rezistenei unei jonciuni invers polarizate (ca i
n cazul J-FET). Aceast valoare este oricum suficient de mare pentru a putea fi
considerat infinit, n majoritatea cazurilor.

9. TRANZISTOARE V-MOS
Tranzistoarele MOS prezentate pn acum au un dezavantaj care deriv din
tehnologia planar de realizare. Aa cum se vede n figura 69 canalul dintre surs i
dren este ngust i lung raportat la limea lui. Din aceast cauz, cderea de
tensiune pe canal poate fi mare n cazul unor cureni de ordinul zecilor de miliamperi
i prin urmare , puterea disipat prin efect termic este mare i poate duce la
defectarea dispozitivului. Din acest motiv, tranzistoarele MOS-FET realizate n
tehnologie planar se pot folosi uzual n aplicaii de mic putere, sub 1W .
Pentru a exploata calitile foarte bune ale acestor dispozitive i la puteri mai
mari, a fost pus la punct o tehnologie vertical de realizare a acestor tranzistori (VMOS).
Prin acest mod de realizare, scade lungimea i crete limea canalului dintre
dren i surs, reducndu-se astfel rezistivitatea lui. Ca o consecin, tranzistoarele
V-MOS pot disipa puteri comparabile cu tranzistoarele bipolare.
74

n figura 83 este
prezentat structura VMOS cu canal indus de
tip n.
+
+
+
+
Regiunile de tip n ale
+
n
n
sursei i drenei sunt
- - - - - - -- -- -p
p
l u n g ic m a en aa l u separate
lu i
de o regiune de
tip p. Dac poarta este
polarizat pozitiv fa de
n
n
surs, sarcina pozitiv
acumulat n metalizarea
porii va atrage electronii
D
minoritari din regiunea p
figura 83. Structura V-MOS
n apropierea vrfului
f i g . s 8 t 3r u . c V t uM r Oa S
V- ului. Se induce astfel
canalul de tip n care permite trecerea curentului de la surs la dren. Principiul de
funcionare este deci identic cu al MOS FET ului planar dar electronii trec
transversal prin canal. n consecin lungimea canalului este foarte mic n timp ce
seciunea lui este mare. Canalul are prin urmare o rezistivitate mic i permite
trecerea unui curent mare fr producerea unei nclziri exagerate.
De exemplu tranzistorul V-MOS de tipul BUZ 90 poate disipa 75 W la
temperatura de 25OC. Tensiunea maxim dren surs este de 600V iar curentul
maxim de dren 4,5A. n starea de conducie, rezistena dren surs este de
numai 1,6 . Tensiunea maxim ntre poart i surs este de 20 V. valoarea de
prag a tensiunii VGS este VT = (2,1 4)V. O valoare foarte bun are
transconductana acestui tranzistor: gm = 3,8 S. El este utilizat de exemplu n sursele
de alimentare n comutaie ale unor monitoare.
S

i2 O

75