TIRISTORUL

Tiristorul este un dispozitiv semiconductor de putere cu terminal de comandă numit grilă sau poartă.

Simbolul şi structura semiconductoare ale tiristorului

Simbolul tiristorului este asemănător cu simbolul diodelor la care, pe lângă terminalele de forţă anod (A)
şi catod (K), apare terminalul grilei notat cu „G”
A

K
Schema echivalentă şi caracteristicile statice ale tiristorului
Pentru a înţelege modul de funcţionare al tiristoarelor este foarte utilă găsirea unei scheme echivalente
care să aproximeze comportamentul acestora într-un circuit, atât în regim static, cât şi în regim dynamic

Atunci când tensiunea aplicată tiristorului este negativă (uTh < 0) tranzistoarele echivalente T1 şi T2 sunt
polarizate invers şi curentul poate fi considerat nul prin dispozitiv.
Tranzistor IGBT

tranzistoare bipolare cu grilă izolată (Insulated Gate Bipolar Tranzistor - IGBT) este un tranzistor hibrid, o
combinaţie între tranzistorul bipolar de putere de la care a luat calitatea conducţiei unor curenţi mari
fără pierderi importante şi tranzistorul de tip MOSFET de la care a luat viteza relativ mare de comutaţie.
A rezultat un tranzistor care poate fi utilizat în convertoare cu comutaţie forţată la frecvenţe de lucru
ridicate (kHz zeci de kHz) până la puteri de ordinul zecilor de megawaţi. Astfel, se poate afirma că în
prezent tranzistorul de tip IGBT este locomotiva electronicii de putere, cel mai utilizat dispozitiv din
acest domeniu al tehnicii.

iT

T uT

Pot fi evidenţiate următoarele caracteristici şi totodată stări ale dispozitivelor semiconductoare de

putere:

•caracteristica de blocare directă – este obţinută atunci când dispozitivul blochează tensiuni directe
(pozitive). Nici un curent nu circulă prin elementul de comutaţie în această stare;

•caracteristica de conducţie directă – este obţinută atunci când dispozitivul se află în conducţie totală
preluând un curent pozitiv determinat de o tensiune de polarizare directă. Căderea de tensiune pe
elementul de comutaţie aflat în starea de conducţie, în mod ideal, este considerată zero;

•caracteristica de blocare inversă – este obţinută atunci când dispozitivul blochează tensiuni inverse
(negative). Nici un curent nu circulă prin dispozitiv în această stare;

•caracteristica de conducţie inversă – este obţinută atunci când dispozitivul poate să conducă şi curenţi
inverşi, negativi. Această caracteristică este specifică elementelor de comutaţie bidirecţionale.
B2

Structura monofazată în punte (B2) este utilizată la puteri mici, de preferat sub lkW. în comparaţie cu
puntea trifazată, puntea monofazată este mai simplă, mai ieftină şi mult mai uşor de comandat. Pe de
altă parte, realizând doar o redresare bialternanţă, frecvenţa pulsurilor tensiunii de ieşire este joasă şi
sunt necesare filtre de curent sau de tensiune mari şi scumpe.

O redresare bialternanţă poate fi realizată şi cu ajutorul unui redresor monofazat cu punct median (M2)
care necesită, obligatoriu, utilizarea unui transformator supradimensionat cu două secundare identice.
Spre deosebire de M2, structura în punte B2 poate fi alimentată direct de la reţea dacă nu se impune o
adaptare a nivelurilor tensiunii. în acest fel, este eliminat un element de circuit scump, cu volum şi masă
mare cum este transformatorul. Dacă se impune o adaptare a tensiunilor şi/sau o separare galvanică în
variantă modernă se preferă redresarea directă a tensiunilor de reţea şi utilizarea mai departe a unor
convertoare c.c. - c.c., cu sau fără separare galvanică (surse în comutaţie).

redresorul monofazat în punte este format din două braţe, fiecare braţ fiind format din două dispozitive
înseriate, diode în cazul redresorului necomandat sau tiristoare în cazul redresorului comandat. în total
rezultă 4 dispozitive redresoare, cu două mai multe decât la redresorul M2
M3

Redresoarele cu punct median necesită pentru alimentare un transformator prevăzut cu un punct

median în secundar. în cazul redresorului trifazat M3 transformatorul poate lipsi dacă există acces la
nulul reţelei. De multe ori, prezenţa transformatorului este justificată şi de necesitatea adaptării
nivelului tensiunii de la ieşirea redresorului la cel cerut de sarcină. Pe de altă parte însă, utilizarea lui
este deficitară deoarece înfăşurările secundare alimentează redresorul cu punct median doar pe o
singură alternanţă. în consecinţă, pentru o anumită putere electrică vehiculată, transformatorul trebuie
supradimensionat. Avantajele redresoarelor cu punct median constau în reducerea numărului
semiconductoarelor de putere utilizate şi în simplitatea schemelor de comandă.

Varianta unui redresor trifazat se impune deoarece în comparaţie cu cel monofazat prezintă
următoarele avantaje:

• încarcă simetric reţeaua trifazată de alimentare;

• frecvenţă pulsurilor din forma de undă a tensiunii continue este mai mare, ceea ce permite o
micşorare a filtrelor faţă de varianta monofazată;

• pentru o aceeaşi tensiune alternativă la intrare, valoarea maximă a tensiunii continue de ieşire
este mai mare la redresoarele trifazate;

regimul de curent întrerupt poate să apară peste un unghi de comandă de 30° la structura cu punct
median M3 şi peste un unghi de 60° la structura în punte B6 (la redresoarele monofazate regimul de
curent întrerupt poate să apară imediat ce unghiul de comandă părăseşte valoarea de 0°).
Convertor c.c. - c.c. cu funcţionare într-un singur cadran

Structura acestui tip de convertor este prezentată în Fig.l8.1(a). Topologia include un

dispozitiv de putere controlabil notat cu T (de obicei tranzistor de putere - în figură un
tranzistor IGBT) şi o diodă de descă rcare Dd care să preia curentul menţinut de
inductanţa L imediat ce elementul de comutaţie T este blocat. S-a precizat că sarcina
legată la ieş ire este un motor de c.c. (Mcc). Tensiunea de la ieşirea convertorului este
notată cu ue, iar curentul cu ie
Structura în punte H (fttllbridge)
Structura în punte H cu dispozitive semiconductoare controlabile nu este utilizată în
electronica de putere numai pentru obţinerea convertoarelor c.c. - c.c. cu funcţionare în patru
cadrane. Această topologie este folosită, de asemenea, pentru obţinerea invertoarelor, a
redresoarelor PWM şi a filtrelor active monofazate. Aşa cum se prezintă în Fig.20.1, puntea
H este formată din două braţe de punte A şi B, fiecare braţ fiind constituit din câte două
tranzistoare de putere (BJT, MOSFET, IGBT etc.) legate în serie prevăzute cu diode de
descărcare în antiparalel.

1 Topologia convertorului c.c - c.c. în punte H {ful! Bridge