NOŢIUNI ELEMENTARE DE STRUCTURĂ ........

1
______________________________________________________________________________

1. NOŢIUNI ELEMENTARE DE STRUCTURĂ A CORPURILOR

1.1. Forţe de legătură chimică
Corpurile sunt constituite din particule elementare care pot fi : atomi, ioni sau molecule. Când
aceste particule structurale sunt apropiate la distanţe suficient de mici între ele apar forţe de interacţiune,
denumite şi forţe de legătură chimică. În funcţie de valoarea energiei de coeziune şi de natura particulelor,
acestea se împart în două clase fundamentale de forţe sau legături:
- primare sau interatomice, care sunt puternice şi se realizează între atomi sau ioni (atomi care au
cedat sau primit electroni) şi din această clasă fac parte: legătura ionică, legătura covalentă şi legătura
metalică;
- secundare sau intermoleculare, care sunt slabe şi se exercită între molecule şi din această clasă fac
parte: legătura van der Waals şi cea de hidrogen.
A. Legătura ionică este cea care se stabileşte
între ioni având sarcini de semn contrar.

Se cunoaşte că elementele chimice zerovalente (gazele inerte: He, Ne, Ar, Kr, Xe), care sunt cele
mai stabile elemente, se caracterizează prin prezenţa a opt electroni în ultimul strat electronic, cu excepţia
heliului care are numai doi electroni. Această constatare este în acord cu regula octetului care spune că: în
combinaţiile chimice care au la bază legături ionice, intervin astfel de atomi încât, unul cedează iar altul
primeşte electroni, astfel ca ionii care rezultă să aibă fiecare câte opt electroni pe ultimul strat. De exemplu,
Fig. 1.1. Formarea legăturii formarea legăturii ionice în cristalul de NaCl este
ionice în cristalul de NaCl ilustrată în figura 1.1. Atomul de sodiu, cu
numărul de ordine 11, are un electron pe ultimul strat electronic pe care îl cedează atomului de clor (cu
numărul de ordine 17) care are 7 electroni în ultimul strat, ionii astfel formaţi (Na + şi Cl-) au câte 8
electroni pe ultimul strat.
Forţa de legătură ionică este, în principal, de natură electrostatică şi se exercită între cei doi ioni cu
sarcini de semn contrar. Energia de coeziune se determină considerând forţele electrostatice şi cele de
natură neelectrostatică (de schimb) datorate suprapunerii parţiale a straturilor electronice.
Această legătură este caracteristică unor combinaţii ale metalelor alcaline cu halogenii, combinaţii
care în stare solidă formează cristalele de tip ionic.
Principalele caracteristici ale cristalelor ionice sunt:
 MATERIALE ELECTROTEHNICE 2
______________________________________________________________________________
- energia de coeziune de valoare ridicată - ceea ce conferă acestor corpuri duritate mare şi punct de
topire ridicat;
- conducţia electronică slabă (electronii fiind puternic legaţi de ioni) - astfel că în stare solidă
cristalele ionice sunt izolanţi electrici, dar în stare lichidă sunt electroliţi, deci conductori de gradul II (cu
conducţie ionică);
- permitivitatea dielectrică mare (până la 100) - datorită momentelor dipolare formate. Prezintă
polarizaţie ionică alături de cea electronică (prezentă în toate corpurile) şi caracteristicile dielectrice (r,
tg) variază puţin cu frecvenţa şi temperatura;
- se dizolvă, adesea, în apă.
B. Legătura covalentă se mai numeşte şi homopolară deoarece se stabileşte de obicei între atomi
de acelaşi fel; denumirea de covalentă provine de la faptul că la realizarea ei participă, în primul rând,
electronii de valenţă.
De regulă, legătura covalentă se realizează prin punerea în comun a doi sau mai mulţi electroni de
valenţă ai atomilor între care se exercită legătura astfel încât să se formeze un octet, deci o configuraţie
stabilă de gaz inert. Electronii puşi în comun formează perechi, numite compensate pentru că ei au spinii
antiparaleli (în această situaţie energia sistemului de atomi fiind minimă).
În cazul moleculei de hidrogen, cei doi atomi îşi pun în comun electronii care formează o pereche
compensată ce aparţine, în medie, tot atâta timp fiecăruia dintre atomi. În modelul orbitalilor atomici, la
realizarea legăturii covalente orbitalii celor doi atomi se suprapun parţial (fig. 1.2,a), electronii găsindu-se
în cea mai mare parte a perioadei de rotaţie în regiunea haşurată din figură, regiune rezultată din această
suprapunere. De aici, ei exercită forţe de atracţie electrostatică asupra nucleelor pozitive, realizând
legătura de tip covalent.

a b

c
Fig. 1.2. Formarea legăturii covalente: a - cu electroni în starea s; b - cu un electron în starea s şi
unul în starea p; c - cu electroni în starea p
 NOŢIUNI ELEMENTARE DE STRUCTURĂ ........ 3
______________________________________________________________________________
Legătura covalentă din molecula de hidrogen poate fi reprezentată simbolic în modul următor: H:H
sau H - H. În afara legăturii simple prezentate, se întâlnesc şi legături duble CH2 = CH2 sau triple N  N,
când atomii îşi pun în comun patru, respectiv şase electroni.
În figurile 1.2,b şi 1.2,c sunt reprezentate legături realizate între un electron în starea s şi unul în
starea p, respectiv între doi electroni în starea p. Rezultă că legăturile realizate între electroni în starea p
sunt rigide, cu direcţiile de legătură fixe.
Dacă atomii nu sunt identici, se formează dipoli electrici de momente electrice p , a căror sumă
raportată la moleculă poate fi nulă (fig. 1.3,a) - molecula rezultată fiind nepolară ( p = 0) - sau nenulă
(fig. 1.3,b) - molecula rezultată fiind – în acest caz - polară, cu moment electric spontan sau permanent ( 
p  0).

a. b.
Fig. 1.3. Structura unei molecule cu legătură covalentă: a - nepolară; b - polară (H2O)

Cauza formării dipolilor electrici este electronegativitatea (”aviditatea” de electron) diferită a

atomilor, astfel că electronii puşi în comun orbitează un timp mai îndelungat în jurul atomilor mai
electronegativi (de exemplu oxigenul) şi le conferă acestora o uşoară sarcină negativă iar ceilalţi au o
uşoară sarcină pozitivă (hidrogenul, în molecula de apă).
Acest tip de legătură apare la constituirea a numeroase molecule ca: H 2, O2, N2, Cl2, NH3, H2O,
PCl3, etc. şi a altor combinaţii organice.
Principalele proprietăţi ale corpurilor cu legături covalente sunt:
- energia de coeziune are valori mari, ceea ce explică duritatea mare şi punctul de topire ridicat
(mai scăzut, însă, decât la combinaţiile cu legături ionice);
- sunt foarte puţin deformabile, datorită caracterului direcţional al legăturii, caracter care
determină, datorită aranjării spaţiale mai puţin compacte, un factor de umplere mai mic decât la metale;
- sunt izolanţi electrici atât în stare solidă cât şi în stare lichidă deoarece electronii sunt strâns legaţi
de atomi;
- sunt solubile, de obicei, în lichide organice;
 MATERIALE ELECTROTEHNICE 4
______________________________________________________________________________
- permitivitatea dielectrică relativă are valori mari (rSi = 12, rGe = 14) şi caracteristicile
dielectrice variază sensibil cu frecvenţa şi temperatura – în cazul corpurilor cu molecule polare.
C. Legătura metalică este o formă extremă de legătură covalentă nelocalizată realizată prin
punerea în comun între toţi atomii sistemului, a electronilor din straturile electronice superioare.
Cristalele metalice constau dintr-o reţea ionică pozitivă (fig. 1.4)
şi gazul electronic.

Gazul electronic este format, în concepţia fizicii clasice, din electronii de valenţă comuni tuturor
atomilor şi care se mişcă liber în cristal. El exercită o presiune de natură electrostatică asupra ionilor
pozitivi metalici din nodurile reţelei cristaline.
Legătura metalică este caracteristică corpurilor metalice şi compuşilor sau fazelor intermetalice
(aliaje).
Proprietăţile specifice corpurilor cu legătură metalică sunt:

Fig. 1.4. Reţeaua ionică a cristalului metalic

de litiu.
- energia de coeziune este mare şi, de aceea, aceste corpuri au duritate mare şi punct de topire
ridicat;
- conductivitatea electrică şi termică este mare atât în stare solidă cât şi în topitură datorită
electronilor ce formează gazul electronic şi care se mişcă liber în cristal.
D. Legătura van der Waals este de natură electrostatică; şi se realizează între molecule care au
momente nenule. Dacă moleculele au momente electrice spontane atracţia lor rezultă imediat (fig. 1.5).
Între o moleculă polară şi una nepolară se exercită o forţă de atracţie de acelaşi tip datorită faptului
că, la apropierea lor, câmpul electric produs de prima induce un moment electric în cea de a doua.
În cazul moleculelor nepolare, forţele de coeziune sunt datorate interacţiunii dipolilor temporari,
care apar când electronii atomilor componenţi trec prin stări nestaţionare, corespunzătoare tranziţiilor lor
de pe un nivel energetic pe altul. Se produce atunci o deplasare temporară a centrelor sarcinilor pozitive şi
negative, care atribuie moleculelor un caracter dipolar, cu rezultatul apariţiei de forţe de atracţie
intermoleculare.
Forţele van der Waals sunt slabe şi scad foarte repede cu distanţa dintre molecule dar cresc cu
creşterea numărului de electroni, deci cu greutatea moleculară.
O astfel de legătură se întâlneşte la parafină, vaselină etc.
 NOŢIUNI ELEMENTARE DE STRUCTURĂ ........ 5
______________________________________________________________________________
Proprietăţile specifice corpurilor cu legătură van der Waals sunt:
- energia de coeziune mică, ceea ce explică temperatura de topire scăzută;
- electronii fiind strâns legaţi de atomi, aceste corpuri sunt izolanţi electrici şi termici;
- corpurile micromoleculare (cerurile) au proprietăţi mecanice slabe iar cele macromoleculare
(răşinile sintetice termoplaste) au proprietăţi mecanice relativ bune.
E. Legătura de hidrogen se realizează între atomi puternic electronegativi (de exemplu, de fluor,
azot, sulf, clor, oxigen) care aparţin aceleiaşi molecule sau unor molecule vecine, prin intermediul unui
atom de hidrogen.
Legătura dintre moleculele de apă - ilustrată în figura 1.6 - reprezintă o combinaţie între o legătură
van der Waals şi una de hidrogen, prima fiind, procentual, mult mai redusă decât a doua. Atomul de
hidrogen este legat covalent de un atom de oxigen (din molecula proprie) şi printr-o legătură de hidrogen
de un al doilea atom de oxigen (din molecula vecină), după schema O - H …O. În legătura covalentă O - H
hidrogenul este încărcat pozitiv şi oxigenul (mai electronegativ) este încărcat negativ. Între atomul de H
aparţinând unei molecule şi atomul de O al unei molecule vecine se exercită o forţă de atracţie
electrostatică care constituie legătura de hidrogen H…O. Legătura de hidrogen este mai slabă decât cea
ionică sau covalentă, dar mai puternică decât legătura van der Waals.

Fig. 1.5. Legătura van der Waals Fig. 1.6. Legătura de

între molecule polare hidrogen

Proprietăţile corpurilor cu legătură de hidrogen sunt:

- energia de coeziune are valori medii şi de aceea şi proprietăţile mecanice sunt medii;
- sunt izolanţi electrici şi termici;
- prezintă anomalii de vâscozitate şi densitate.
se mişcă liber în cristal.
 MATERIALE ELECTROTEHNICE 6
______________________________________________________________________________
1.2. Structura cristalină a corpurilor
1.2.1. Stări de agregare ale corpurilor
Atomii şi moleculele pot forma în funcţie de factorii interni (natură şi forţe de legătură) şi de
factorii externi (presiune, temperatură, natura şi intensitatea câmpurilor exterioare) corpuri aflate în diferite
stări de agregare: solidă, lichidă, gazoasă, plasmă şi materie hiperdensă.
Din punct de vedere microscopic starea solidă de agregare se întâlneşte sub formă amorfă,
mesomorfă sau cristalină.
Corpurile cu structură amorfă prezintă următoarele caracteristici:
- particulele constituente au o aşezare ordonată numai pe distanţe mici, de câteva diametre maxime
ale lor, pe distanţe mari aşezarea lor este dezordonată. Se spune că se realizează “ordine locală şi dezordine
la distanţă”;
- energia liberă a corpului (F) prezintă un minim relativ şi de aceea este o stare metastabilă (se
observă treceri bruşte ale anumitor corpuri din starea amorfă în starea cristalină, la valori adecvate ale
temperaturii);
- corpurile amorfe nu au punct de topire net;
- sunt izotrope, proprietăţile lor fizice fiind aceleaşi în orice direcţie;
- se pot considera lichide suprarăcite deoarece la temperaturi joase ele prezintă, de asemenea,
structuri cu “ordine locală şi dezordine la distanţă”.
Starea mesomorfă este intermediară între starea amorfă şi cea cristalină şi se întâlneşte la cristalele
lichide. Se disting mai multe tipuri de stări mesomorfe:
- nematică - în care, moleculele lungi ale cristalelor lichide au centrele de greutate distribuite
aleatoriu şi pot aluneca cu uşurinţă unele pe lângă altele;
- smectică - în care, moleculele lungi sunt aşezate în straturi putându-se mişca numai în planul
stratului;
- colesterică - când moleculele sunt aşezate în straturi, orientarea lor variind de la un strat la altul
într-o manieră elicoidală şi putând trece dintr-un strat în altul.
Corpurile cu structură cristalină au următoarele proprietăţi specifice:
- particulele constituente sunt aşezate ordonat pe distanţe mari comparativ cu dimensiunile lor;
- energia liberă a corpurilor prezintă un minim absolut, starea cristalului fiind stabilă;
- au punct de topire net;
- prezintă anizotropia proprietăţilor - datorită simetriei interne - care au, astfel, caracter vectorial
sau tensorial.

1.2.2. Reţele cristaline

 NOŢIUNI ELEMENTARE DE STRUCTURĂ ........ 7
______________________________________________________________________________
Un cristal ideal este un mediu discontinuu cu o aranjare tridimensională strict ordonată a
particulelor constitutive. Această structură cristalină ideală se poate întâlni numai la temperatura de zero
grade Kelvin. La creşterea temperaturii, apar defecte de reţea provocate de difuziunea - datorată agitaţiei
termice - particulelor în cristal.
Structura cristalină este constituită dintr-o reţea de linii drepte şi plane care formează reţeaua
cristalină şi o celulă elementară (de bază) care prin translaţie generează întreg cristalul.
Liniile drepte se numesc linii
reticulare, punctele lor de
intersecţie, în care se găsesc

a centrele particulelor constitutive,

sunt nodurile reţelei cristaline,
planele formate de diferitele linii
reticulare se numesc plane
a
reticulare, spaţiile dintre linii sunt
Fig. 1.7. Definirea elementelor reţelei interstiţiile reţelei iar distanţa a
cristaline
dintre două linii reticulare (fig. 1.7) este constanta reţelei cristaline.
În funcţie de tipul particulelor din noduri există cristale: atomice, moleculare sau ionice.
Reţelele cristaline tridimensionale pot fi clasificate în şapte sisteme de cristalizare: hexagonal, cubic,
tetragonal, romboedric (trigonal), rombic, monoclinic şi triclinic. Din acestea derivă 14 tipuri de reţele
cristaline, în funcţie de valorile a, b şi c (fig. 1.8) şi de modul de ocupare cu atomi al celulei elementare.
Fig. 1.8. Sisteme de
cristalizare

hexagonal cubic tetragonal

ac abc abc; 

romboedric (trigonal) abc; 900
rombic monoclinic triclinic

De exemplu, din sistemul cubic derivă: cubul simplu (CS), cubul cu feţe centrate (CFC) şi cubul cu
volum centrat (CVC), ilustrate în figura 1.9, unde sunt reprezentaţi, pentru celula elementară cubică, şi
indicii lui Miller (cifrele închise între paranteze drepte), indici care corespunad direcţiilor caracteristice ale
celulei elementare.
 MATERIALE ELECTROTEHNICE 8
______________________________________________________________________________

Fig. 1.9. Celule cristaline: a - cub simplu (CS) şi indicii lui Miller; b - cub cu feţe centrate (CFC); c -
cub cu volum centrat (CVC); d - hexagon compact.

1.2.3. Defecte ale reţelelor cristaline

Cristalul real aflat la o temperatură T  0 K nu poate prezenta o structură cristalină ideală,
deoarece la o astfel de temperatură apar defecte de reţea, deci abateri de la aşezarea strict ordonată a
particulelor. În funcţie de configuraţia lor spaţială defectele de reţea se clasifică în:
- punctuale sau zerodimensionale;
- liniare sau unidimensionale;
- de suprafaţă sau bidimensionale;
- de volum sau tridimensionale.
1. Defectele punctuale constau în lipsa unei particule dintr-un nod (nod vacant), în prezenţa unor
particule în interstiţii (interstiţii ocupate) sau în existenţa unor particule de impuritate plasate în noduri sau
în interstiţii.
După energia de formare, defectele punctuale sunt de tip Schottky sau de tip Frenkel. Defectul de
tip Schottky se formează atunci când o particulă părăseşte nodul reţelei cristaline şi se plasează pe
suprafaţa cristalului (formând un nou nod) sau în afara lui (fig. 1.10,a). Defectul de tip Frenkel se formează
prin plecarea unei particule dintr-un nod (care devine vacant) la suprafaţa cristalului, de unde este adusă
într-un interstiţiu care devine ocupat (fig.1.10,b). Deci defectul Schottky este unul simplu, constând dintr-
un nod vacant iar cel Frenkel este unul dublu, constând dintr-un nod vacant şi un interstiţiu ocupat.
Energia necesară formării defectului Frenkel este mai mare decât cea necesară formării defectului Schottky.

nod
vacant
particulă
nod intersiţală
vacant

suprafaţa
cristalului
 NOŢIUNI ELEMENTARE DE STRUCTURĂ ........ 9
______________________________________________________________________________

a. b.
Fig. 1.10. Defecte punctuale: a - de tip Schottky; b - de tip Frenkel

În structurile metalice defectele punctuale nu conduc la modificări importante ale distribuţiei

sarcinilor electrice în cristal. În schimb, în cazul cristalelor ionice apar modificări mari: îndepărtarea din
reţea a unui ion pozitiv conduce la formarea unei „vacanţe” care se comportă ca un exces de sarcină
negativă, iar prin plecarea unui ion negativ apare în vecinătatea vacanţei formate (vacanţă anionică),
sarcină pozitivă necompensată (fig. 1.11).
Defectele punctuale
prezintă o deosebită importanţă
pentru proprietăţile materialelor şi
de aceea se impune calculul
numărului de defecte punctuale
din unitatea de volum. Acest
calcul se face satisfăcând condiţia
ca, la echilibru termodinamic,
energia liberă a cristalului să fie
minimă în prezenţa defectelor.
Fig. 1.11. Defecte punctuale în reţeaua
ionică
Energia liberă a cristalului ideal F0, la temperatura T este:
F0 = W0 - T S0, (1.1)
unde W0 şi S0 sunt energia internă, respectiv entropia cristalului ideal (fără defecte). Prin formarea
defectelor energia internă a cristalului creşte cu W deoarece particulele trebuie să absoarbă energie de
agitaţie termică pentru a părăsi nodurile (în care energia este minimă, corespunzând stării celei mai stabile
la T = 0 K); creşte şi entropia cu S deoarece creşte gradul de dezordine în cristalul real (cu defecte) faţă
de cel ideal (fără defecte). Energia liberă a cristalului real, la aceeaşi temperatură T, este:
F = W - TS = W0 + W - T (S0 + S) = F0 + W - TS (1.2)
Se observă că, pentru T S  W, energia liberă a cristalului real este mai mică decât cea a
cristalului ideal (F  F0) şi, prin urmare, starea cu defecte poate fi mai stabilă, cristalul real fiind mai
“natural” decât cel ideal la T  0 K. Formarea de noi defecte punctuale se opreşte atunci când TS = W
pentru că prin crearea de noi defecte ar creşte W şi deci F ar deveni mai mare decât F0.
 MATERIALE ELECTROTEHNICE 10
______________________________________________________________________________
A. Calculul numărului de defecte Schottky. Fie N - numărul nodurilor reţelei cristaline din unitatea
de volum, NS - numărul nodurilor vacante din unitatea de volum formate prin defecte Schottky şi g -
numărul de configuraţii posibile, pe unitatea de volum, care se pot obţine prin repartizarea nodurilor
vacante pe nodurile reţelei cristaline. Calculul lui g se face cu relaţia:
N!
g  C NN S  (1.3)
N S ! N  N S !
Dacă P este probabilitatea de realizare a unei configuraţii, din condiţia de normare la unitate a
probabilităţilor (toate configuraţiile fiind egal probabile la echilibru termodinamic) rezultă:
P  1/ g (1.4)
Din interpretarea statistică a entropiei, pentru un sistem fizico - chimic izolat mecanic şi chimic,
avem:
N !/ N s !  N  N s  ! �
 S  k�ln P  k ln1 / g  k ln g  k ln �
� � (1.5)
unde k = 1,3810-23 [J/K] este constanta lui Boltzmann.
Dacă pentru producerea unui defect este necesară energia wdS, atunci W = NS wdS şi relaţia (1.2)
devine:
N!
F  F0  N S wds  kT ln (1.6)
N S ! N  N S !

Deoarece N, Ns şi (N - Ns) sunt numere foarte mari (N  Ns) se poate folosi relaţia de aproximare a
lui Stirling: N!  (N/e)N şi atunci (1.6) se poate scrie sub forma:
NN
F  F0  N s wdS  kT ln 
 N  Ns 
N Ns
N sN �s
(1.7)
N ln N  N s ln N s   N  N s  ln  N  N s  �
 F0  N s wdS  kT �
� �
Scriind condiţia de minimizare a energiei libere:

� 1 1 �
� N S �  ln N S   N  N S  �
N s  wdS  kT �
F /�  ln  N  N S  � 0 rezultă lnNS / (N - NS) = -
� NS N  NS �
wdS /kT, de unde Ns / (N-Ns) = exp [-wdS / kT], şi deoarece Ns  N:
N s @ N exp [  wds / kT ] (1.8)
B. Calculul numărului de defecte Frenkel. În cazul defectelor de tip Frenkel pe lângă numărul g al
configuraţiilor obţinute prin repartizarea nodurilor vacante, NF, pe nodurile reţelei cristaline, N, mai
intervine şi numărul gi al configuraţiilor obţinute prin repartizarea interstiţiilor ocupate (tot NF) pe
interstiţiile reţelei cristaline din unitatea de volum, N'. Printr-un calcul asemănător cu cel de mai sus se
 NOŢIUNI ELEMENTARE DE STRUCTURĂ ........ 11
______________________________________________________________________________
N�!
obţine: gi  C N � 
NF
şi deci numărul total de configuraţii posibile, pentru defectele de tip
NF !  N �
 NF 

Frenkel, este:
N ! N�
!
g F  ggi  (1.9)
 N F !   N  N F  !  N � N F  !
2

Procedând ca şi în cazul defectelor Schottky, se obţine pentru numărul de defecte Frenkel relaţia:
� wdF �
N F @ NN � 
exp � �, (1.10)
� 2kT �
unde NF, N este numărul de defecte Frenkel, respectiv de interstiţii din unitatea de volum şi wdF este
energia necesară realizării unui astfel de defect.
Deoarece N şi N  sunt constante pentru o reţea dată, se poate scrie:

[
N s @ C exp  wdS / kT ] (1.11)

[
N F @ C exp  wdF / 2 kT ] (1.12)

de unde rezultă că N s şi N F cresc exponenţial cu temperatura. Energia necesară formării unui interstiţiu

ocupat, wdF @ (2,5…3) eV, este mai mare decât cea necesară formării unui nod vacant, wdS @ 1 eV,
deoarece dimensiunile interstiţiilor sunt mici şi particulele pătrund greu în acestea. Ca urmare, numărul de
defecte Frenkel este mai mic decât numărul de defecte Schottky.
Se poate aprecia numărul de defecte Schottky printr-un calcul simplu, cunoscând că într-un mol de
substanţă sunt NA = 6,0251023 atomi, deci N = NA şi pentru T = 103 K, wdS=1 eV, k = 1,38·10-23 J/K rezultă
cu relaţia (1.8): Ns @ 6,021018 goluri / mol, deci NS  N.

Pentru reducerea concentraţiei defectelor punctuale materialele sunt supuse unor tratamente
termice specifice cum ar fi recoacerile.
2. Defectele liniare sunt abateri ale ordinii în cristal după o direcţie dată, pe o lungime mare
comparativ cu celelalte două dimensiuni. În această categorie intră dislocaţiile care rezidă în linii reticulare
care se termină brusc în cristal (ca linia AB din figura 1.12,a).
Dacă cristalul este supus unor eforturi mecanice normale pe linia AB, un şir vecin de particule, ca
şirul EF din figura 1.12,a, se deplasează şi completează şirul AB iar şirul CD se transformă într-o nouă
dislocaţie, deci s-a produs o deplasare a dislocaţiei. Această deplasare a dislocaţiei se face cu un consum
relativ mic de energie, deoarece nodurile de reţea de sub AB erau vacante. Maleabilitatea metalelor se
datorează, în mare măsură, deplasării dislocaţiilor.
 MATERIALE ELECTROTEHNICE 12
______________________________________________________________________________

a. b.

Fig. 1.12. Defecte liniare şi de suprafaţă: a - dislocaţie; b - defect de suprafaţă

Densitatea dislocaţiilor caracterizează cristalele din punct de vedere al comportării la deformări

plastice. Cristalele cu 1015…1016 dilocaţii/m2 sunt ductile, proprietate care lipseşte în cazul cristalelor cu
105…106 dislocaţii/m2, cum sunt cristalele de Ge sau Si.
3. Defecte de suprafaţă şi de volum. Cele mai importante defecte de suprafaţă se localizează pe
suprafeţele care separă volumele distincte, numite grăunţi cristalini sau cristalite, ale cristalului,
caracterizate prin existenţa unei aceleiaşi direcţii a liniilor reticulare, în fiecare volum, direcţie care se
modifică de la un cristalit la altul (fig. 1.12,b).
Între cristalite există o zonă de trecere în care particulele cristalului ocupă poziţii mai puţin
ordonate, intermediare acelora din grăunţii adiacenţi.
Aceste zone, ca şi schimbările direcţiilor liniilor reticulare în cristal, constituie defectele de
suprafaţă.
Defectele de volum sunt considerate a fi grosolane şi constau din goluri, fisuri, incluziuni de corpuri
străine în cristal. Un cristal va putea fi utilizat numai în condiţiile absenţei acestui tip de defecte.

1.2.4. Difuziunea în cristale

Datorită mişcării de agitaţie termică particulele oscilează în continuu în jurul poziţiilor de echilibru
cu o frecvenţă f şi în cristalul cu defecte, la anumite intervale de timp, pot trece dintr-o poziţie de echilibru
în altă poziţie de echilibru: particula dintr-un nod ocupat trece într-un nod vacant sau cea dintr-un
interstiţiu ocupat trece într-un interstiţiu liber. Această mişcare a particulelor (proprii sau de impuritate)
reprezintă mişcarea de difuziune sau, simplu, difuziunea în cristale.
Interesează, în special, difuziunea particulelor interstiţiale, calculul făcându-se pentru un cristal
unidimensional.
Energia potenţială a particulei interstiţiale de-a lungul unei axe arbitrare Ox din cristal, prezintă - în
lipsa unor câmpuri de forţe externe - maxime în dreptul nodurilor şi minime în dreptul interstiţiilor (fig.
1.13 - linie plină). Pentru a trece dintr-un interstiţiu în altul particula efectuează o tranziţie dintr-o “vale” de
energie potenţială în alta, escaladând în dreptul nodurilor câte un “munte” de energie sau o barieră de
 NOŢIUNI ELEMENTARE DE STRUCTURĂ ........ 13
______________________________________________________________________________
energie de înălţime wb (wb = U1-U2). Probabilitatea de escaladare a barierei de potenţial, conform fizicii
statistice, are expresia:
Pesc  C exp[  wb / kT ], (1.13)
unde C este o constantă care se poate determina din condiţia normării probabilităţii la unitate şi k este
constanta lui Boltzmann.

Fig. 1.13. Referitoare la difuziunea particulei interstiţiale

Considerând că nu există motive ca escaladarea să se facă mai uşor după anumite direcţii din cristal,
atunci probabilităţile de escaladare după cele şase orientări determinate de ambele sensuri ale axelor Ox,
Oy şi Oz din cristal sunt egale şi se obţine C = 1/6. Dacă particula oscilează cu frecvenţa f în jurul poziţiei
de echilibru, ea tinde să escaladeze de f ori în unitatea de timp bariera de energie şi probabilitatea de
escaladare în unitatea de timp este:
f
 
Pesc
6
[
exp  wb / kT ] (1.14)

În lipsa câmpului de forţe exterioare şi la concentraţii egale ale particulelor în interstiţii, fluxul de
 ) este egală cu cea de
difuziune este nul pentru că probabilitatea de escaladare din interstiţiul 1 în 2 ( Pesc12
 ), înălţimea barierei wb fiind aceeaşi
escaladare din 2 în 1 ( Pesc21 (wb12 = wb21).
Dacă se stabileşte în cristal un câmp de forţe exterioare de forma F = -grad Ue, unde Ue este o
energie potenţială exterioară, variabilă cu x, atunci energia potenţială a particulei considerate variază după
curba punctată din figura 1.13. O astfel de situaţie apare, de exemplu, la stabilirea unui câmp electric de
intensitate E = -grad V, unde V este potenţialul electric. Energia potenţială a particulei cu sarcina electrică
q în câmpul electric este Ue = q V şi deci F = -grad qV = -q grad V = qE. Cum V(x) scade cu creşterea lui
 MATERIALE ELECTROTEHNICE 14
______________________________________________________________________________
 şi Pesc21
x, Pesc12  nu mai sunt egale ( Pesc12
  Pesc21
 ), deoarece barierele de energie ce trebuie escaladate

sunt inegale (wb12  wb21). Expresiile acestora se obţin considerând coordonata x în dreptul nodului B şi
dezvoltând Ue (x  a/2) în serie Taylor:

� � � a� �
�wb12  U1  U e  x   � U 2  U e �x  � �
� � � 2 ��
�
� a �U e a �U
�wb  U e  x   U e  x   �  wb  � e (1.15)
� 2 �x 2 �x
� a �U
�wb 21  wb  � e
� 2 �x
Fluxul de particule prin punctul de coordonată x situat la mijlocul interstiţiului 2 este egal cu media
aritmetică a fluxurilor 1 = 12 - 21 şi 3 = 23 -32 (vezi notaţiile din figura 1.13), adică:
12  21  23  32
  x  (1.16)
2
Fluxul de particule este definit ca fiind numărul total de particule care trec în unitatea de timp prin
unitatea de suprafaţă. Pentru a calcula fluxurile 12…32 este necesar să se determine numărul de particule
ce revin unităţii de suprafaţă. Se consideră un paralelipiped cu baza de arie A’ situată pe secţiunea S (fig.
1.13) din cristal şi de înălţime a, care cuprinde deci interstiţiile 1. Dacă N este numărul de particule din
unitatea de volum în aceste interstiţii, atunci paralelipipedul considerat, de volum V, conţine N2V = N2
A’a particule şi deci unităţii de arie a secţiunii îi revin 2 = N2A’a  A’ = N2a particule. Analog, pentru
interstiţiile 1 şi 3 se obţin 1 = N1 a şi 3 = N3 a. Notând pentru generalizare N2 = N (x) = N
rezultă: N1 = N (x-a) @ N - a N / x şi N3 = N (x + a) @ N + a N / x.
Fluxul 12 are expresia:
� �N � f � wb12 �
12  N1  x  ��
a Pesc�12  �N  a �a exp �  �
� �x � 6 � kT �
� a �U e � � �U e �
� wb  � a � Analog se obţine:
� �N � f 2 �x � �N � f � wb � � �x
 �N  a �a exp �  � �N  a �a exp �
 �exp � �
� �x � 6 � kT �� �x � 6 � kT � � 2kT �
�
� �
� �
� �
�

f  w   a U e / x 
 21  Na exp  b  exp  
6  kT   2kT 

f  w   a U e / x 
 23  Na exp  b  exp  
6  kT   2kT 

f  w   a U e / x 
32   N  aN / x  a exp b  exp 
6  kT   2kT 

Înlocuind în relaţia (1.16), se obţine:

 NOŢIUNI ELEMENTARE DE STRUCTURĂ ........ 15
______________________________________________________________________________

fa 2  wb   a U e  N 2 fa  wb   a U e 
  x   exp  ch   exp  sh  N (1.17)
6  kT   2kT x  x 6  kT   2kT x 
 a U e 
În multe cazuri practice (temperaturi uzuale, câmpuri electrice nu prea intense),    1 şi
 2 kT x 

 a U e   a U e   a U e 
se pot utiliza aproximările: ch   @ 1 şi sh  @  2 kT x  , astfel că:
 2 kT x   2 kT x   
fa 2  w  N fa 2  w  U e
 x   exp  b    exp  b   N (1.18)
6  kT  x 6kT  kT  x

Primul termen al relaţiei (1.18), proporţional cu � x , se numeşte flux de difuziune, D şi se

N /�
datorează variaţiei locale a concentraţiei numerice a particulelor, iar al doilea, proporţional cu Ue/x, se
numeşte flux de câmp sau de drift, C şi se datorează câmpului de forţe exterioare. Dacă particulele sunt
purtătoare de sarcină electrică q, cele două fluxuri determină densitatea curentului de difuziune JD şi,
respectiv, densitatea curentului de câmp, JC: JD = qD şi JC = qC.
Interesează mai ales cazul câmpurilor de forţe exercitate de câmpurile electrice stabilite din
exterior. Dacă E este intensitatea câmpului electric (presupus orientat după Ox în care se găseşte particula
cu sarcina q, atunci Ue/x = qE şi fluxul C ia forma:
fa 2 q  w 
C  exp  b   N  E (1.19)
6kT  kT 
Din cele Na particule ce corespund unităţii de suprafaţă din interstiţiul 2 numai C particule trec
dintr-un interstiţiu în altul, adică străbat, în unitatea de timp, distanţa a. Viteza medie a unei particule este
egală cu raportul dintre distanţa totală străbătută de particulele care difuzează (Ca) şi numărul total de
particule Na (unele aflate în repaus: acelea care nu au difuzat în interstiţiile vecine):
 a fa 2 q  w 
v~E  C  exp  b   E (1.20)
Na 6kT  kT 
Mărimea M, definită cu relaţia:
v% fa 2 q � w �
M E
 exp � b �, (1.21)
E 6kT � kT �
este mobilitatea particulelor.
În acest caz, relaţia (1.20) se poate scrie sub forma:
C = MNE (1.22)
şi JC = qMNE. Scriind legea conducţiei electrice pentru corpuri izotrope, omogene şi neaccelerate (fără
câmpuri electrice imprimate):
J  E , (1.23)
şi comparând-o cu relaţia anterioară se obţine expresia microscopică a conductivităţii electrice, :
 MATERIALE ELECTROTEHNICE 16
______________________________________________________________________________
 = MNq (1.24)
Definind constanta de difuziune D a particulelor cu relaţia:
fa 2  w 
D exp  b  (1.25)
6  kT 
fluxul de difuziune se poate scrie:
N
D   D (1.26)
x
În afară de difuziunea particulelor interstiţiale mai pot avea loc difuziuni ale particulelor în nodurile
vacante sau difuziuni prin rotaţii ale unor perechi de particule (atomi, ioni). În toate aceste cazuri,
constanta de difuziune are expresii de aceeaşi formă cu (1.25), deci:
 w 
D  D0 exp  a  (1.27)
 kT 
unde D0 este o mărime de material şi wa se numeşte energie de activare, valoarea ei fiind determinată de
tipul tranziţiei care se efectuează.
Legătura dintre constanta de difuziune şi mobilitate este dată de relaţia lui Einstein care rezultă
din (1.21) şi (1.25):
kT
D M (1.28)
q

1.2.5. Clasificarea corpurilor în conductoare, semiconductoare şi izolanţi

Comportarea electronilor în corpurile solide are particularităţi care nu pot fi explicate decât cu
ajutorul fizicii cuantice. Ele pot fi deduse, cu mai puţine dificultăţi matematice, în corpurile cristaline,
datorită structurii lor regulate. Periodicitatea aşezării particulelor în cristale are drept consecinţă gruparea
valorilor energiei electronilor din cristale în benzi (sau zone) de energie permise şi benzi interzise, foarte
importante pentru explicarea unor proprietăţi ale monocristalelor sau, cel puţin calitativ şi sub aspectul lor
fundamental, ale corpurilor policristaline şi chiar amorfe. Această teorie a zonelor de energie - studiată la
fizică - permite o tratare unitară a fenomenelor de conducţie din conductoare, semiconductoare şi izolanţi.
În această teorie, diferenţele mari între valorile conductivităţii la conductoare 108 … 106 S/m,
semiconductoare 105 … 10-6 S/m, şi izolanţi 10-7 … 10-18 S/m, precum şi influenţa unor factori externi ca:
temperatura, câmpurile electrice şi magnetice, iradierea etc., sunt explicate pe baza spectrului de energie al
electronilor şi a modului de ocupare cu electroni a diferitelor stări.
Un corp izolator (fig. 1.14,a) are, la 0 K, benzile permise fie complet ocupate cu electroni, fie
complet libere iar nivelul limită Fermi, wF (ultimul nivel energetic ce poate fi ocupat cu electroni) trece prin
mijlocul unei benzi interzise de lărgime wi mare ( 3 eV), denumită bandă interzisă Fermi (când nu pot
exista ambiguităţi se numeşte simplu - bandă interzisă). Ultima bandă permisă ocupată cu electroni se
 NOŢIUNI ELEMENTARE DE STRUCTURĂ ........ 17
______________________________________________________________________________
numeşte bandă de valenţă (bv) şi prima bandă de energie neocupată cu electroni se numeşte bandă de
conducţie (bc).
Corpul este izolator deoarece benzile permise sunt fie complet ocupate cu electroni fie complet
libere. Electronii din benzile complet ocupate nu sunt electroni de conducţie pentru că pe fiecare nivel
energetic sunt doi electroni cu spinii opuşi, care se mişcă unul în sensul pozitiv al axei Ox şi altul în sensul
negativ al ei. Deci, nu există un surplus de electroni care să se mişte într-un sens al axei – sub acţiunea
câmpului electric aplicat - şi care să poată forma curentul electric de conducţie. Nivelurile din vecinătatea
lui wF nu pot fi ocupate de electroni deoarece sunt situate în banda interzisă wi. De asemenea, electronii din
banda de valenţă nu pot trece în cea de conducţie la temperaturile uzuale deoarece energia medie
acumulată de un electron la T = 300 K (temperatura camerei) este kT @ 0,025 eV, insuficientă pentru a
escalada banda interzisă de lăţime wi  3 eV. Deci, într-un izolant ideal, la temperaturile uzuale, conducţia
electronică poate fi considerată nulă. În izolanţii reali, însă, conducţia este nenulă datorită apariţiei unei
conducţii ionice şi a unei conducţii electronice extrinseci (ca la semiconductoare), date de prezenţa
impurităţilor, care nu pot fi total eliminate.
Semiconductorii pot fi intrinseci sau extrinseci (dopaţi cu impurităţi).
Cei intrinseci au structura benzilor de energie asemănătoare cu cea a izolatorilor (fig. 1.14,b), însă
banda interzisă Fermi este suficient de îngustă (w i = 10-2 eV) pentru a putea fi escaladată de un număr,
relativ, mare de electroni - la temperaturi obişnuite - şi a se stabili un curent electric neneglijabil prin corp.
În urma escaladării, benzile de conducţie şi cele de valenţă devin incomplet ocupate cu electroni; electronii
din aceste benzi putând participa la conducţie. Se convine să se atribuie conducţia electronilor din bc şi
golurilor din bv, conducţia intrinsecă fiind una dublă.
 MATERIALE ELECTROTEHNICE 18
______________________________________________________________________________

Fig. 1.14. Structura benzilor de energie la: a - izolanţi; b - semiconductori intrinseci; c -

semiconductori extrinseci; d - metale monovalente; e - metale bivalente.

Semiconductorii extrinseci au banda interzisă Fermi relativ largă (wi @ 1 eV) şi, deci, conducţia
intrinsecă este neglijabilă la temperaturile uzuale. Aceşti semiconductori sunt dopaţi cu atomi străini
(impurităţi) care pot introduce niveluri adiţionale în banda interzisă Fermi de tip donor, d în apropierea
benzii de conducţie sau de tip acceptor, a în apropierea benzii de valenţă. Electronii de pe nivelul donor
pot trece cu uşurinţă în banda de conducţie deoarece diferenţa dintre energia minimă a benzii de conducţie
wc şi cea a nivelului donor wd este we = wc - wd @ 10-2 eV, comparabilă cu energia medie,
de agitaţie termică, a electronilor la temperatura camerei. În semiconductorii dopaţi cu impurităţi donoare
conducţia se realizează prin electronii din banda de conducţie şi semiconductorul este de tip „n” (sarcinile
negative fiind cele care realizează conducţia).
În cazul dopării cu impurităţi acceptoare acestea introduc niveluri apropiate de wv (energia minimă
a benzii de valenţă), wg fiind wg = wa - wv @10-2 eV; în acest caz electronii din banda de valenţă
trec uşor pe nivelul acceptor. Conducţia extrinsecă se realizează prin golurile rămase în banda de valenţă şi
semiconductorul este de tip „p”.
 NOŢIUNI ELEMENTARE DE STRUCTURĂ ........ 19
______________________________________________________________________________
Golurile de pe nivelurile donoare şi electronii de pe nivelurile acceptoare nu pot stabili un curent de
conducţie pentru că aceste niveluri sunt localizate în cristal, în punctele în care se găsesc atomii de
impuritate (în număr mult mai mic decât atomii cristalului de bază).
În cazul metalelor monovalente, care constituie cei mai importanţi conductori electrici, nivelul w F
trece prin mijlocul unei benzi permise (fig. 1.14, d) şi conţine, deci, electroni de conducţie. Poziţia nivelului
Fermi se explică astfel: banda de conducţie rezultă din despicarea nivelului ocupat, în atomul izolat, de
electronii de valenţă; fiecare atom monovalent furnizează, deci, un electron benzii de conducţie şi, prin
urmare, aceasta conţine N electroni (N este numărul electronilor din unitatea de volum a cristalului); cum
banda permisă e formată din N niveluri şi fiecare nivel poate fi ocupat de câte doi electroni (conform
regulii lui Pauli), rezultă că sunt ocupate N/2 niveluri, evident cele inferioare, şi deci wF trece prin mijlocul
benzii de conducţie. În cazul metalelor bivalente, banda de conducţie este complet ocupată; metalele
bivalente sunt însă conductoare deoarece, aşa cum rezultă din experienţă, banda lor de conducţie se
suprapune parţial peste cea permisă imediat superioară, în care pot trece cu uşurinţă electroni pentru a se
realiza conducţia electrică (fig. 1.14, e).
Rezultatele obţinute mai sus sunt valabile pentru cristalul unidimensional; ele pot explica însă şi
proprietăţile fundamentale ale cristalelor tridimensionale. Una dintre caracteristicile acestora din urmă o
constituie suprapunerea parţială a benzilor superioare de energie permisă, chiar la distanţe între atomi egale
cu constanta reţelei cristaline a datorită interacţiunii puternice dintre electroni (densitatea cristalului
tridimensional fiind mai mare decât a unuia unidimensional).