2018-2019

Lista de subiecte teoretice pentru examenul partial DE (dispozitive electronice), anul II E

1. Electroni si goluri in semiconductorul intrinsec. Semiconductori extrinseci. Concentratii de purtatori.

2. Fenomene de transport in semiconductori: drift. Curent de drift. Legea lui Ohm.
3. Fenomene de transport in semiconductori: difuzie. Curent de difuzie. Relatia lui Einstein.
4. Generarea si recombinarea termica. Ecuatii de continuitate. Timpul de viata al purtatorilor minoritati, in
conditiile de nivel mic de injectie.
5. Jonctiunea pn la echilibrul termic: electrostatica regiunii de sarcina spatiala, in aproximatia „golirii complete”.
Distributiile de sarcina, camp electric si potential. Inaltimea barierei interne de potential si largimea regiunii de
sarcina spatiala.
6. Distributiile de sarcina, camp electric si potential. Inaltimea barierei interne de potential si largimea regiunii de
sarcina spatiala pentru jonctiunea pn polarizata in direct si polarizata in invers.
7. Caracteristicile curent-tensiune pentru jonctiunea pn: legea diodei ideale. Ecuatia de difuzie a purtatorilor
minoritari.
8. Abateri de la legea diodei ideale: enumerare si fenomene fizice. Curentul de generare recombinare. Rezistenta
serie. Strapungerea jonctiunii pn.
9. Modelarea diodei pn pentru functionarea la semnale mici. Deducerea expresiei rezistentei interne (diferentiale)
a diodei.
10. Capacitatea de bariera a jonctiunii pn polarizate invers. Capacitatea de difuzie.
11. Curentii care circula prin tranzistorul polarizat „normal” (in varianta pnp). Factorul de amplificare in curent in
conexiunea BC si respectiv in conexiunea EC.
12. Curentii care circula prin tranzistorul polarizat „normal” (in varianta npn). Factorul de amplificare in curent in
conexiunea BC si respectiv in conexiunea EC.
13. Modelul Ebers-Moll (cele doua variante). Set de ecuatii si circuit echivalent. Simplificarea modelului pentru
cazul regiunii active directe.
14. Caracteristicile statice ideale in conexiune BC (de intrare, de iesire, de transfer). Caracteristicile statice ideale
in conexiune EC.
15. Abateri de la caracteristicile ideale EC. Efectul Early. Dependenta de curent a factorului de amplificare.
Strapungerea tranzistorului bipolar: (a) in conexiune BC; (b) in conexiune E
16. Deducerea circuitului echivalent de semnal mic al tranzistorului bipolar. Modelarea efectului Early.
17. Circuitul echivalent de semnal mic al tranzistorului bipolar si relatiile de calcul pentru parametrii. Completarea
circuitului in cazul modelarii la inalta frecventa.