FOTODIODA p-n, p-i-n

La iluminarea unei joncţiuni p-n dintr-un material semiconductor, fotonii absorbiţi în material generează
perechi de purtători electron-gol. Electronii astfel rezultaţi vor putea trece în banda de conducţie contribuind la
apariţia unui curent electric (fotocurent) prin joncţiune. Deplasarea electronilor spre regiunea n şi a golurilor
spre regiunea p este cel mai probabil să se producă atunci când separarea în perechi electron-gol are loc într-o
regiune a semiconductorului în care există un câmp electric (fig. 1). Altă alternativă la separarea în perechi
electron-gol este recombinarea, aceasta neducând la deplasarea sarcinilor electrice şi deci nici la apariţia unui
curent electric prin joncţiune.

Distribuţia câmpului electric într-o diodă semiconductoare polarizată invers (fig. 1.a) nu este uniformă.
În regiunile p+ (strat de contact, puternic dopat cu purtători de tip p) şi n+ (substrat puternic dopat n) câmpul
electric este mult mai slab decât în stratul de mijloc n - (strat epitaxial slab dopat n). În acest strat intermediar va
lua naştere o regiune golită de purtători datorată apariţiei fotocurentului. Grosimea acestei regiuni depinde de
rezistivitatea stratului intermediar şi de mărimea tensiunii de polarizare aplicată joncţiunii.

O regiune golită de purtători există chiar şi în absenţa unei tensiuni de polarizare aplicate. Aceasta se
datorează câmpului electric intern produs de difuzia purtătorilor minoritari de-a lungul joncţiunii. Polarizarea
inversă amplifică acest câmp electric intern şi măreşte grosimea acestei regiuni.

Lungimea de difuzie a unui foton în materialul semiconductor este dependentă de lungimea lui de undă
(fig. 1.b). Fotonii cu lungimi de undă mici sunt absorbiţi la suprafaţa materialului semiconductor, în timp ce
fotonii cu lungimi de undă mari pot difuza pe întreaga lungime a materialului semiconductor. Din acest motiv,
pentru a obţine o fotodiodă cu o bandă spectrală de răspuns largă, aceasta ar trebui realizată cu un strat p+ foarte
subţire pentru a permite absorbţia lungimilor de undă scurte şi un strat golit de purtători gros pentru a permite
absorbţia lungimilor de undă mari.
Extinderea grosimii regiunii golite de purtători, indiferent de valoarea tensiunii de polarizare inverse
aplicate, este mai uşor de realizat cu materiale semiconductoare cu o rezistivitate mare a joncţiunii. Suprafeţele
de contact ale cristalului semiconductor trebuie însă să aibă o rezistivitate mică pentru a permite un bun contact
electric al dispozitivului. Diodele p-n, ca de exemplu celulele solare, sunt realizate prin difuzia unui strat p într-
un material n cu rezistivitate mică. La fotodiodele p-n, un strat subţire p, realizat prin difuzie, asigură un
răspuns bun la lungimi de undă scurte, dar este necesară o tensiune de polarizare inversă mare pentru a extinde
regiunea golită de purtători la adâncimi care să permită un răspuns bun la lungimi de undă mari. Un strat p gros
degradează răspunsul la lungimi de undă mici, dar micşorează tensiunea de polarizare inversă necesară unui
răspuns la lungimi de undă mari.
 Figura 1. a. Distribuţia câmpului electric în fotodiodă la polarizare inversă; b. Mecanismul de generare a
fotocurentului la iluminarea fotodiodei.

Optimizarea răspunsului atât la lungimi de undă mici cât şi la lungimi de undă mari şi la tensiuni de
polarizare inverse mici necesită folosirea de fotodiode PIN (p-intrinsec-n). O fotodiodă PIN este realizată prin
difuzia unui start subţire de tip p în partea din faţă şi a unui strat de tip n în spatele unui strat de siliciu cu
rezistivitate foarte mare (fig. 2). Această regiune cu rezistivitate mare este denumită regiune intrinsecă sau strat
“I”. La polarizarea cu tensiuni negative de ordinul volţilor ( minim 5 V la diodele PIN realizate de HP) întreaga
regiunea golită de purtători se extinde peste întregul strat I chiar şi la valori mari ale fluxului luminos incident.
Aceasta asigură cea mai bună liniaritate şi cea mai bună viteză (cca. 1GHz) dispozitivului.
 Figura 2: Structura unei fotodiode PIN.

Teoretic orice tip de joncţiune semiconductoare poate fi folosită la fotodetecţie. De exemplu, capsula
LEDurilor permite emisia în exterior a fluxului radiat de chip-ul semiconductor la polarizare directă, dar în
acelaşi timp joncţiunea semiconductoare poate fi expusă unei radiaţii externe. Deşi nu au fost proiectate pentru
a funcţiona cu performanţe optime ca şi fotodiode, ele pot fi folosite cu această funcţie în unele aplicaţii.
Maximul spectrului lor de sensibilitate este la o lungime de undă mult mai mică decât cel al fotodiodelor cu
siliciu, astfel că în lipsa unor filtre, ele pot aproxima mult mai bine răspunsul fotopic (răspunsul sistemului
vizual uman).