Dispozitive electronice Aplicații

4. Diode semiconductoare

4.1 Considerații teoretice

4.1.1 Proprietăţile principale ale diodei semiconductoare
Dioda este un dispozitiv semiconductor al cărui simbol electric este reprezentat în figura 4.1.

Ea are proprietatea de conducţie unilaterală.

A nod C a to d

Fig. 4.1. Simbolul electric al diodei.

Dacă diferența de potențial dintre anod și catod este pozitivă dioda se comportă ca o rezistență
de valoare mică (polarizare directă), iar dacă diferența de potențial dintre anod și catod este negativă
dioda se comportă ca o rezistență de valoare foarte mare (polarizare inversă).

Caracteristica statică curent-tensiune a unei diode ideale este reprezentată în figura 4.2.

iD

0 vD

Fig. 4.2. Caracteristica statică curent-tensiune a unei diode ideale.

O diodă ideală se comportă ca un scurtcircuit la polarizare directă şi ca o întrerupere la

polarizare inversă, având comportamentul unei supape electronice ideale.

Spre deosebire de cazul ideal (figura 4.2), caracteristica unei diode reale, așa cum se poate
observa în figura 4.3, prezintă o tensiune de prag, Vp. Dacă diferența de potențial dintre anod și catod
este mai mică decât valoarea tensiunii de prag, dioda este blocată. La tensiuni mai mari decât
tensiunea de prag curentul prin diodă crește exponențial. La polarizare inversă prin dioda reală circulă
un curent “de blocare” foarte mic, dar diferit de zero.
 Dispozitive electronice Aplicații

iD

Vstr
0 Vp vD

Fig. 4.3 Caracteristica curent-tensiune a unei diode reale de Siliciu.

4.1.2 Caracteristica statică curent- tensiune

Pe baza teoriei joncţiunii p-n abrupte, caracteristica se poate împărţi în mai multe regiuni
(figura 4.3). În regiunile I (A, B și C) dioda este polarizată direct, iar în regiunie II (A și B) este
polarizată invers.

Pentru valori mici (regiunea I-A) expresia curentului care trece prin diodă este dată de relaţia
4.1:
vD

i  I S (e 1)
D
N VT

(4.1)

,unde:

 IS – este curentul de saturație

 VT – este tensiunea termică. La 300°K, VT = 26mV
 N – este un coeficient care ţine seama de efectul recombinării purtătorilor în regiunea de
barieră. Pentru diodele de Si, N = 1.
iD

Ibloc
0 vD

IIB IIA IA IB IC

Fig. 4.4. Regiunile de funcționare ale unei diode.

În regiunea I-B, N = 1 atât pentru diodele de siliciu, cât şi pentru cele de germaniu. Expresia
curentului prin diodă devine:
 Dispozitive electronice Aplicații

vD

iD  I S e VT

(4.2)

La polarizare directă curentul are o evoluție exponențială până la valori de ordinul 10 4Ibloc. În
regiunea I-C caracteristica părăseşte alura exponenţială datorită efectelor la nivele foarte mari de
injencţie.

La polarizare inversă (regiunea II-A) este valabilă relaţia:

vD

iD  I S (e 1)  i
VT
gen
(4.3)

Pentru |vD| >> VT rezultă:

iD   I S  i gen
(4.4)

În relaţiile (3.3) şi (3.4) igen este curentul de generare de perechi electron-gol în regiunea în
care se formează bariera de potențial. La diodele de siliciu, i gen este predominant, ca urmare curentul
invers depinde de tensiunea aplicată, invers proporţional cu vD. Curentul invers al unei diode de siliciu
este cu două sau trei ordine de mărime mai mic decât al unei diode de germaniu.

În regiunea II-B curentul invers prin diodă creşte brusc din cauza procesului de multiplicare în
avalanşă a purtătorilor în regiunea de barieră a joncţiunii. Tensiunea de străpungere V str este de
ordinul 100-2000V pentru siliciu (30-100V pentru germaniu).

4.1.3 Dreapta de sarcină

Introducând o rezistenţă de sarcină R în serie cu dioda, se poate scrie:

E  R iD  vD (4.5)

vD

iD

E R

Fig. 4.5. Circuit pentru determinarea dreptei de sarcină.

În planul iD - vD relaţia (3.5) reprezintă o dreaptă numită dreaptă de sarcină. Considerând iD =

0 rezultă că tensiunea pe diodă este vD = E. Considerând dioda scurtcircuit (vD = 0) rezultă D R .

i E
Aceste două puncte reprezintă cele două situații extreme de funcționare a diodei: blocare, respectiv
conducție saturată.

Intersecţia dintre dreapta de sarcină şi caracteristica statică a diodei determină punctul static
de funcţionare, Q, al diodei având coordonatele Q(V D, ID) în care ID şi VD reprezintă curentul prin
diodă, respectiv tensiunea de la bornele diodei.
 Dispozitive electronice Aplicații

iD
E
R

iD Q

0 vD E vD

Fig. 4.6. Determinarea dreptei de sarcină la o diodă.

4.1.4 Rezistenţa statică şi rezistenţa diferenţială

Rezistenţa statică a diodei în punctul de funcţionare Q se defineşte ca fiind:

v
rD  D
iD
Q Q (4.6)

Rezistenţa diferenţială a diodei în punctul de funcţionare Q se defineşte:

vD
rd   ctg
Q iD
vD 0;Q (4.7)

Practic, rezistenţa diferenţială în punctul de funcţionare Q se poate deduce trasând tangenta la

caracteristica diodei în punctul Q. Cotangenta unghiului făcut de tangentă cu abscisa ne dă valoarea
rezistenţei diferenţiale.

4.1.5 Dioda stabilizatoare (Zener)

Diodele stabilizatoare de tensiune sunt diode care folosesc efectul străpungerii unei joncțiuni
pn la tensiuni inverse, caracterizat printr-o creștere rapidă a curentului, tensiunea la borne
menținându-se aproximativ constantă. Străpungerea se datorează efectului de multiplicare în avalanșă
(denumit și efect Zener), procesul fiind reversibil atât timp cât creșterea curentului este limitată de
circuitul exterior.

Diodele stabilizatoare de tensiune se realizează din siliciu, deoarece acest material

semiconductor prezintă o serie de avantaje față de germaniu:

 curentul de străpungere este mult mai mic

 trecerea în zona de străpungere se face brusc începând de la valori mici ale curentului
 caracteristica inversă I-V este aproape verticală
 rezistă la temperaturi mai ridicate.
 Dispozitive electronice Aplicații

Se fabrică diode Zener care stabilizează tensiuni de ordinul 1V ... 300V, în funcție de gradul
de impurificare (sub 3V și peste 100V, calitatea diodei Zener este scăzută) și care au puterea disipată
de ordinul 0,25W ... 50W.

În figura 4.7.a) este prezentat simbolul unei diode Zener, iar în figura 4.7.b) caracteristica
reală a unei diode Zener.

iz

Vz 0
A C
Izmin vz
Iz
Izmax

a) b)
Fig. 4.7. Simbolul diodei stabilizatoare de tensiune Zener.

Diodele Zener sunt utilizate la realizarea blocului stabilizator din sursele de alimentare,
tensiunea stabilizată fiind tensiunea de străpungere, notată V Z.

Cu ajutorul caracteristicii statice I-V a diodei Zener (figura 4.7. b))se pot defini următoarele
mărimi:

 Tensiunea de stabilizare VZ – tensiunea inversă la care are loc fenomenul de străpundere,

poate avea valori în domeniul 1V ... 300V, în funcție de gradul de impurificare. Tensiunea V Z
se menține constantă numai într-un anumit domeniu, delimitat pe caracteristica statică a
diodei prin curenții IZmin și IZmax.
 IZmin este curentul minim la care fenomenul de străpungere se stabilizează.
 IZmax este curentul maxim determinat din considerentul de a nu se depăși puterea disipată
admisă:

Pdadm
I Z max 
VZ (4.8)

 Puterea disipată d
P V I
Z Z , ia valori cuprinse cuprinse în intervalul 0,25W ... 50W.

 Rezistența dinamică a diodei Zener:

VZ
rZ 
I Z (4.9)

Variațiile de tensiune fiind direct proporționale cu rezistența dinamică rZ se impune ca această

rezistență să fie cât mai mică.
 Dispozitive electronice Aplicații

 Coeficientul de temperatură al tensiunii stabilizatoare – caracterizează dependența de

temperatură a caracteristicii statice a diodei Zener:

VZ
VZ  mV C  
T (4.10)

Se poate concluziona că o diodă stabilizatoare este cu atât mai performantă cu cât are o
rezistență dinamică mai mică și un coeficient de temperatură cât mai apropiat de zero.

4.2 Mersul lucrării

Se acceseaza simulatorul online la adresa http://www.falstad.com/circuit/circuitjs.html .

4.2.1 Ridicarea caracteristicii statice prin metoda punct cu punct

Pentru ridicarea caracteristicii statice a diodei în cadranul I se realizează montajul din figura
4.8, folosind o diodă de siliciu 1N4004. Dioda se alege de la mediul Active Components (click
dreapta pe ecran).

Fig. 4.8. Montajul experimental.

Variind tensiunea de intrare V1, se completează tabelul de mai jos. Pentru citirea tensiunilor
si curentilor din circuit se pozitioneaza cursorul pe dioda.

Tabelul 4.1. Ridicarea experimentală a caracteristicii unei diode de siliciu.

V1(V) 0.5 0.55 0.6 0.65 0.7 0.75 0.8 1 2
VD(V)

ID(mA)
 Dispozitive electronice Aplicații

Se realizeaza circuitul din figura.

Se repetă măsurătorile pentru dioda electroluminiscentă (LED- Light Emitting Diode), pe care
o gasiti in meniul Outputs and Labels Components (click dreapta pe ecran).

Tabelul 4.2. Ridicarea experimentală a caracteristicii unui LED.

V1(V) 1 1,5 1,8 2 2,2 3 4

VLED(V)

ILED(mA)

. Se vor reprezenta pe aceeaşi diagramă la scară liniară caracteristicile celor două diode.

4.2.2 Ridicarea caracteristicii statice a unei diode Zener

Se conectează dioda Zener astfel încât să fie polarizată invers. Se completează tabelul 4.3,
știind că tensiunea de stabilizare a diodei este 5.6.

Tabelul 4.3. Ridicarea experimentală a caracteristicii unei diode Zener.

V1 4 5.6 5.8 6 6.5 7 8 9 10
 Dispozitive electronice Aplicații

VZ(V)

IZ(mA)

Se traseaza caracteristica diodei Zener.

Întrebări și exerciții
1. Considerând circuitul din figură să se calculeze valoarea curentului care trece prin dioda de
siliciu. Cât este valoarea curentului dacă în loc de dioda de siliciu se montează un LED de culoare
roșie (Vp = 2V)?

R
iD
Ÿ
E
5V
vD

2. Pentru același circuit realizat cu o diodă de siliciu și o sursă de tensiune de 3V să se calculeze

valoarea rezistenței astfel încât prin diodă să treacă un curent de 15mA.

vi (t)  5  4sin  2  50t   V 

3. La intrarea circuitului din figură se aplică semnalul .

a) Să se reprezinte grafic semnalul de intrare.

b) Considerând dioda ideală reprezentați grafic semnalul de ieșire.

c) Dar dacă dioda este reală, de siliciu?

vi D vo

3V

4. Ce funcție logică îndeplinește circuitul din figură? Ce rol are rezistorul R?

 Dispozitive electronice Aplicații

5V
R

D1
V1
D2

V2
V0

5. La intrarea circuitelor din figură se aplică un semnal triunghiular de amplitudine 3V și cu

componentă continuă de 4V. Să se reprezinte grafic semnalul de ieșire pentru ambele circuite.

Vi D1 D2 V0

2V 5V

D Vz
Vi V0
3V
6V