Ministerul Educaţiei, Culturii si Cercetării al Republicii Moldova

Universitatea Tehnică a Moldovei

Facultatea Calculatoare, Informatică şi Microelectronică

Departamentul Microelectronică și Inginerie Biomedicală

Raport
la
Lucrare de laborator nr.2
Dispozitive micro-optoelectronice
Tema: ,,Ridicarea caracteristicilor fotorezistorului și fotodiodei”

A elaborat st. gr.IBM-181, Racu Vlad

A verificat conf.univ., dr.hab. Buzdugan Artur

Chișinău 2020
 Scopul lucrării: Studierea principiului de funcționare și a construcției
fotorezistorului și fotodiodei. Cercetarea caracteristicilor curent-tensiune și
luminoasă ale lor.
Aparate și ustensile:
Bloc de alimentare, ampermetru, instalația din laborator, fotodioda, fotorezistență.

a) Fotorezistorul:

U, V 0 0,5 0.7 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
0 0 0 0 0 0 0 -0,1 -0,1 -0,2 -0,2 -0,2 -0,3 -0,5
IF, A 0,015 6,9 -0.36 -0.5 -0.8 -1,44 -2,16 -2,88 -3,6 -4,34 -5 -5,8 -6,57 -7,4
lm
0,03 10 -0.55 -0,78 -1,12 -2,25 -3,40 -4,56 -5,75 -6,9 -8,1 -9,2 -10,4 -11,75
lm

Fluxul de lumină 0 0,015 0,03

I, A 0V 0 6.9 10
4V -0,1 -2.88 -4.56
8V -0,2 -5.8 -9.2
10V -0,5 -7.4 -11.75

b) Fotodioda:
Uind, V 0 0,5 0.7 1 2 3 4 5 6 7 8 9
0 10,2 4,8 4 2,4 0,8 0,2 0,1 0 0 0 0 0
IF, mA 0,015 9,7 3,5 2,3 -0,6 -0,8 -1,6 -1,8 -1,8 -1,8 -1,8 -1,8 -1,9
lm
0,03 6,3 -1,1 -2,5 -4,1 -6,1 -6,8 -7,2 -7,3 -7,4 -7,5 -7,5 -7,6
lm
Fluxul de lumină 0 0,015 0,03

I, A 0V 10,2 9,7 6,3

 4V 0,1 -1,8 -7,2
8V 0 -1,8 -7,5
10V 0 -1,9 -7,6

Fotodioda

Fotorezistorul
Concluzie: Prin fenomenul de fotoconducție se înțelege creștereaconducției unui
material datorită generării de purtători de sarcină suplimentari sub influența
radiației luminoase. Printr-un semiconductor supus unei diferențe depotențial va
trece un curentelectric slab care crește atunci când semiconductorul este iluminat
datorită fotoconducției.