Dispozitive Bio-FET.

Prin Bio-FET vom înţelege totalitatea dispozitivelor biologice ce conţin ca element traductor
activ un tranzistor cu efect de câmp. Ele pot fi biosenzori (precum tranzistoarele ISFET, ENFET,
etc) sau dispozitive de testare şi investigare a materialelor biologice, sau dispozitive create în alte
scopuri.
Tranzistoarele ISFET
Tranzistoarele ISFET (Ion Sensitive Field Effect Transistor) au derivat direct din ISE
(electrozii sensibili la ioni). Din punct de vedere constructiv, dispozitivul ISFET este un
MOSFET, pentru care receptorul - un electrod ce sezizează doar anumiţi ioni (de exemplu de
Ca+, K+…) - este un metal special (Pt, Pd, Ir). Regiunea porţii este imersată într-o soluţie
biologică cu analit. Modelarea se face analog cu cea a MOS-FET-ului, doar că tensiunea de
poartă VG depinde de concentraţia ionilor de analit conform relaţiei lui Nerst. O categorie aparte
o reprezintă tranzistoarele MEM-FET (MEMbrane-FET), la care electrodul receptor este o
membrană organică depusă în dreptul porţii tranzistorului, şi care captează selectiv sarcina
ionică. În figura 10.4. este prezentată structura şi simbolul ales pentru tranzistorul ISFET.

Biolichid cu ioni ISE

de analit
S SiO2/ Si3N4 D
n+ ............ n+
G

D
Canal de electroni
SB

p-substrat
S
SB (Substrat)
(a) (b)
Fig. 10.4. a) Structura tranzistorului ISFET; b) Simbol.
Tensiunile aplicate: VS=VSB=0, VG>0 şi VD>0 se menţin constante. Când concentraţia ionilor
de analit creşte, se modifică diferenţa de potenţial metal-semiconductor. Deci variază VFB şi în
consecinţă potenţialul porţii. Rezultă o îmbogăţire a canalului în electroni, iar în final o creştere a
curentului de drenă. Fluctuaţiile concentraţiei de ioni de analit se traduc prin fluctuaţii ale
curentului ID.
 Adoptând pentru curentul de drenă al tranzistorului ISFET modelul simplificat în regim
cvasiliniar, plus efectul tensiunii de poartă asupra mobilităţii purtătorilor din canal, în care
neglijăm termenul VDS2, la tensiuni VDS mici, avem:

β ( V Gt −V T ) V DS
I D=
1+θG ( V Gt −V T )

Tensiunea de poartă totală, VGt este suma tensiunii, VG, aplicată de la o sursă externă şi a
potenţialului de electrod ΔΦME, dat de relaţia lui Nerst:

RT
V Gt =V G +ΔΦ0 + ⋅ln c A
zF

Prin înlocuirea relaţiei (10.3) în relaţia (10.2), rezultă dependenţa curentului de drenă, ID, de
concentraţia de analit, cA:

RT
I D=
(
β V G −V T +ΔΦ0 +
zF )
⋅ln c A V DS

RT
(
1+θG V G−V T + ΔΦ0 +
zF
⋅ln c A )
Observaţie: Ne dorim o sensibilitate curent-concentraţie de analit cât mai mare. Relaţia (10.4)
arată că este mai favorabil un regim de lucru la tensiuni VGt mici, astfel încât să se poată neglija
efectul atenuării mobilităţii sub influenţa câmpului electric transversal. Rezultă astfel, o
dependenţă logaritmică curent-concentraţie. În plus, dacă s-ar lucra sub prag, unde ID depinde
exponenţial de VG, prin compunere cu relaţia lui Nerst ar rezulta o dependenţă polinomială
curent-concentraţie, net superioară funcţiei logaritmice.
Observaţie: ISFET-urile care determină concentraţia ionilor de H + se mai notează prin pH-
FET-uri, ţinând cont că pH=-lg [cH+]. O soluţie apoasă este neutră când pH=7, moment în care
concentraţia ionilor de H+ o egalează pe cea a ionilor negativi de OH-. Soluţia apoasă este acidă
pentru pH<7 şi bazică pentru pH>7. Pentru electrolitul complex al organismului uman
neutralitatea are loc de asemenea când cH+=cOH-, dar aceasta se întâmplă la temperatura de 370C
pentru un pH=6,75. Sângele are pH=7,36, deci se comportă slab bazic.
Cu acest gen de tranzistor s-au făcut experimente pentru determinarea concentraţiei ionilor de
H+ şi K+. National Company Japan a realizat un biosenzor integrat pe cip de tipul Silicon On
Sapphire, conţinând un K+-FET cu membrană de GOD şi două H+-FET cu membrană de urează.
Cu acest biosenzor se pot face simultan analize de glucoză şi uree în sânge.
Alt exemplu. S-a realizat un dispozitiv ISFET, ca senzor de metabolism, ce măsoară
concentraţia de amoniac, ca în figura 10.5. Receptorul care sesizează NH4 - este Paladiu (Pd). El
 biolichid
Ir Ir Ir Ir Ir
Pd
SD SiO2

n+
. .n+. . . . . . . .
..
este depus peste oxidul de poartă. Se constată o creştere majoră a sensibilităţii biosenzorului dacă
peste Paladiu se depune un strat de Iridiu (Ir). Se obţine o creştere a tensiunii V G de la 20mV în
p-substratde NH4 - este
cazul electrodului de Pd, la 400mV în cazul acoperirii Pd cu Ir, când concentraţia
400ppm. De reţinut aceste două materiale: paladiu, iridiu, în construcţia biosenzorilor.
SB

Fig. 10.5. Dispozitiv

MOS pentru detectarea
ionului de amoniu.

Un alt dispozitiv specific măsurătorilor de potenţiometrie este prezentat în figura 10.6. Scopul
acestui Bio-FET este caracterizarea electrică a unor biolichide.

0 0,1 0,2 0,3 0,4

Semiconductor organic

0,5 VG(V)
VG
ID(A)

80

60

40

VS VD 20
~ ~ ~ ~
~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~
~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~
~ ~ ~ ~ ~ ~ ~ ~
Suport izolator

(a) (b)
Fig. 10.6. a) Dispozitiv Bio-FET microelectrochimic; b) Caracteristica ID-VG măsurată.

Primul dispozitiv microelectrochimic studiat deţinea semiconductori organici (polimeri)

depuşi între sursă şi drenă. Se obţineau caracteristici ca de diodă. Dacă în plus intervenea al
treilea electrod - poartă, se obţineau caracteristicile din figura 10.6.b., pentru semiconductorul
organic din polianilină. Ca şi la tranzistoarele MOS, s-a constatat că în vecinătatea "pragului",
rezistenţa între sursă şi drenă variază cu peste 6 ordine de mărime la variaţii foarte mici ale
tensiunii VG (cu 0,1...0,3V). Spre deosebire de tranzistoarele pe Siliciu, la tranzistoarele Bio-
FET de acest gen, după atingerea unei valori maxime curentul scade. Acest dispozitiv este
potrivit pentru studierea proprietăţilor diverselor materiale biologice. Dacă se înlocuieşte
semiconductorul organic cu o soluţie neutră, în care se creşte concentraţia unui neurotransmiţător
(adrenalină, noradrenalină, acetilcolină, dopamină, serotonină etc) se pot obţine caracteristici I D-
VG, furnizoare de parametri de model.
Modelele tranzistoarelor MOS pot fi extinse şi aici, pe anumite subdomenii de măsură. Acest
lucru permite extragerea unor parametri echivalenţi (tensiune de prag - concentraţie de prag,
tensiune de nivel mare - concentraţie de neurotransmiţător de nivel ridicat). Aceşti parametri ar
putea fi deosebit de utili în stabilirea unor concentraţii limită între care se face transmiterea
impulsului nervos.