Curs 5

3.3. Metode de sinteză în topitură

Metoda fluxului
Este o metodă utilizată în ob inerea compu ilor care formează faze topite laț ș
temperaturi relativ joase i a celor ce con in anioni ai acizilor volatili. ș ț
Principiile acestei metode nu diferă foarte mult de cele ale sintezei în solu ie apoasă,ț
principalele diferen e fiind temperatura de sinteză mai înaltă iar ț solventul este un amestec de
compu i ce formează un eutectic. În cazul compu ilor ce con in sodiu sau potasiu seș ș ț
utilizează ca fondant NaCl, respectiv KCl în exces sau NaOH-KOH, la temperaturi înalte (cca
900ºC) rezultând un amestec în topitură. Ca i precursori se utilizează oxizi i carbona i, iarș ș ț
raportul molar dintre precursori i fondant (solvent în topitură – fondantul are rolul de aș mic
ora temperatura de sinteză) variază, însă fondantul trebuie să fie în exces.ș
Pentru ca un solvent (fondant) să poată fi utilizat în sinteza de materiale prin metoda
fluxului acesta trebuie să aibă punctul de topire mai scăzut decât al materialelor componente,
sa prezinte o bună solubilitate pentru elemente, să nu intre în componen a cristalului final caț
și compus de incluziune i să nu formeze faze concurente cu materialul ce se ob ine.ș ț
De exemplu, la ob inerea mangani ilor de tipul: ț ț (Ln, Ln’)1-x(Alk)xMnO3 ca fondant
se utilizează NaCl sau KCl in exces, în func ie de produsul ce se dore te a se ob ine.
Raportulț ș ț molar in care se utilizeaza KCl sau NaCl este de aproximativ 1 : 16, raportata la
cantitatea de mangan (Mn : K= 1 : 16).
De asemenea, au fost ob inut oxizi mic ti de tipul solu iilor solide ca BaTiOț ș ț 3-
SrTiO3, BaZrO3-SrZrO3, utilizând ca eutectic săruri topite de NaOH-KOH ca fondant.
Metoda fluxului este de asemenea utilizata pentru obtinerea de probe monocristaline.
O serie de compusi de tip La1-x-yAxMnO3-δ, in care A= Na sau K, au fost obtinuti prin aceasta
metoda prin utilizarea drept precursori a La 2O3 si MnCO3 (0.6 <y<1) la care s-a adaugat NaCl
(KCl) uscata in raportul Mn:Na(K) =1:16. Amestecul a fost pus intr-un creuzet de alumina si
sinterizat pentru 24 de ore la 900 ºC. Topitura a fost racita si spalata cu apa distilata fierbinte
pana ce intreaga cantitate de exces de Na + sau Cl- a fost eliminata. Pudra solida a fost uscata
la 110ºC.
Un alt exemplu îl constituie ob inerea oxizilor supraconductori de ytriu ț YBa2Cu3O7,
numit i „Y-Ba-Cu-O” prin metoda fluxului utilizând amestec eutectic de NaCl-KCl i respectivș ș
In2O3-B2O3. Cristalele ob inute prin utilizarea NaCl-KCl au mărimi realtiv mari, dar prezintă unț
număr mare de defecte, în timp ce la utilizarea In 2O3-B2O3 dimensiunile de cristalit sunt mai mici,
dar au mai pu ine defecte.ț

Eutectic –un amestec chimic ce se tope te sau se solidifică la o temperaturăș

constantă, inferioară punctului de topire a fiecăruia dintre constituen i (conformț
diagramei 1)
De exemplu NaOH are punctul de topire 318°C (591,15 K), iar KOH are
punctul de topire 360°C (633,15 K). La raportul molar 1:1 cei doi hidroxizi formează
un eutectic cu temperature de topire aproximativ 177 °C (540K) (v. Diagrama 1)

1
 (https://slideplayer.com/slide/13294497/) Diagrama1

(Diagrama 2)

Diagrama de echilibru pentru NaCl:KCl (diagrama 2) arata ca punctul de eutectic se

formeaza la 44% procente masice de NaCl, iar temperatura eutecticului este la 645°C.
Variatia compozitiei de la eutectic fie spre concentratii mici de NaCl, fie spre concentratii
mari de NaCl duce la cresterea temperaturii in ambele directii (punctul de topire al NaCl este
801°C, iar al KCl este 775 °C).
Cap. 4. Tehnici de sinteză a monocristalelor i a straturilor sub iriș

4.1. Tehnici de preparare a straturilor subtiri (filmelor)

2
 Filmele policristaline si amorfe sunt foarte importante in tehnologia moderna, in
special sub aspectul economiei de materiale de plecare cu costuri ridicate. De asemenea,
pentru aparatele electronice este necesar sa se depuna unul sau mai multe straturi de material
pe suprafetele supraconductoare (supraconductie- Stare a unor substan e la temperaturi înț
apropiere de zero absolut i la intensită i de câmp magnetic foarte mici, în care rezistivitatea lor ș ț
electrică devine practic nulă; supraconduc iț e).
Daca se depun monocristale pe un substrat cristalin, aceasta se poate face prin crestere
epitaxiala (Prin epitaxie sau cre tere epitaxialăș se în elege cre terea unui strat monocristalin dintr-ț
ș o substan ă chimicț ă pe cristalul unei alte substan e, astfel încât structura cristalină să devină
identicăț cu cea a substratului).
(am completat direct cu studentii: etape pentru pregatirea substratului)
Pentru prepararea probelor sunt utilizate o varietate larga de metode: metode chimice
si electrochimice (depunerea catodica, depunerea electrolitica, oxidarea anodica, oxidarea
termala, depunerea chimica in faza de vapori) si metode fizice ( pulverizarea catodica,
evaporarea sub vid, depunerea prin ablarie laser etc). Pentru obtinerea filmelor oxidice cel
mai frecvent sunt utilizate urmatoarele tipuri de sinteze:
-procedeul sol-gel, utilizand 2-metoxietanol ca solvent;
-procedeul de chelare utilizand liganzi modificati ca acid acetic, acid citric etc.
-descompunerea metal-organica (MOD) sau descompunerea metal-organica in faza de
vapori (MOCVD)
-depunerea prin pulsare laser (PLD)
-spray pyrolysis (pulverizare pirolitica)
Pulverizarea reprezintă un proces fizic de depunere din vapori (PVD) în care
materialul este îndepărtat fizic de pe tintă prin bombardament ionic. Termenul de pulverizare
„sputteren” provine din limba germană, şi înseamnă „ruperea în particule mici şi cu o
caracteristică explozivă a sunetului”. Pulverizarea a fost pentru prima dată observată de către
Groves în 1852, dar Plücker a fost primul care a sugerat, în 1858, că această descoperire poate
fi folosită ca o unealtă pentru producerea filmelor metalice. Groves initial a denumit
fenomenul „dezintegrare catodică“ şi a fost redenumită „spluttering” de către J. Thompson în
1921. Pulverizarea este determinata initial de către prima coliziune dintre ionii incidenti şi
atomii de pe suprafata tintei, urmată de a doua şi a treia coliziune dintre atomii de pe
suprafata tintei. Deplasarea atomilor de pe suprafata tintei va deveni mai izotropă datorită
coliziunilor succesive iar atomii în final vor părăsi suprafată. Materialul pentru urmeaza a fi
depus trece în stare de vapori printr-un proces fizic de schimb al impulsului fiind mai des
utilizat decât procesul chimic sau termic. În principiu orice material poate fi depus.
4.1.1. Metoda MOCVD utilizeaza precursori volatili la temperaturi relativ joase, care
se descompun la suprafata substratului (v.Fig.1).
De obicei precursorii solizi sunt de tipul compusilor metal-organici cu legaturi M-O,
(MOCVD) sau a compusilor cu legaturi M-C (metal – carbon MCVD). Filmul se formeaza
prin descompunerea moleculelor gazoase si se poate realiza prin piroliza, fotoliza sau proces
chimic.

3
 Figura 1. Reprezentarea schematica a unui reactor MOCVD
(dupa Bruce si O’Hare)

Prin metoda descompunerii metal – organice din faza de vapori (MOCVD) s-au
obtinut oxizi de tipul manganitilor si rutenatilor (SrRuO3). S-au utilizat diferite materiale
organice in vederea scaderii temperaturii de descompunere: n-propanol, 1-hexen-3-ol,
3hexanol si 2,4-hexadien-1-ol ce formeaza chelati metal-organici cu Ru respectiv Sr.
Compusii metal organici utilizati sunt de tipul acetil acetonatilor de Sr si Ru. In reactorul
MOCVD s-a introdus drept gaz oxidant O2, iar tetraetilentetraamina C8H23N5
(NH2CH2CH2NHCH2CH2)2NH) sub forma de vapori, pentru a pastra constanta presiunea de
vapori. In cazul strontiului s-a constatat ca introducerea vaporilor organici ca 1-hexen-3-ol si
2,4-hexadien-1-ol duce la scaderea temperaturii de descompunere de la 350ºC la 250ºC, insa
pentru ruteniu nu s-a observat o schimbare remarcabila in ceea ce priveste temperatura de
descompunere.
Alte metode curent folosite sunt spray pyrolysis sau spin-coating. Mecanismul de
obtinere a alcoolatilor si alcoxizilor, utilizati in aceste procedee, a fost prezentat in la metoda
sol-gel.
4.1.2. Tehnica pulverizării în regim magnetron (magnetron sputtering – magnetron tub
electronic folosit în special ca generator de înaltă frecven ă, în care intensitatea curentului de ț
electroni este comandată printr-un câmp magnetic exterior).
Pulverizarea la presiune joasă este una din cele mai promitătoare tehnici privind
productia de straturi subtiri. O gamă largă de straturi subtiri se pot obtine prin acest proces de
pulverizare care are loc printr-o mică contaminare a stratului la o rată de depunere înaltă.
Diferitele tipuri de tehnici de pulverizare în regim magnetron sunt cele în curent continuu
(DC), curent alternativ (AC), radiofrecvenŃă (RF) şi în curent continuu pulsat (pulsed-dc
magnetron sputtering). Din anul 2000, pulverizarea în regim magnetron a devenit o metodă
de depunere a straturilor subtiri foarte bine dezvoltată fiind utilizată în cercetare şi in
aplicatiile industriale. Pulverizarea reactivă în sistem magnetron utilizează câmpul magnetic
creat în interiorul sistemului de depunere prin introducerea celor doi magneti şi a tintei care
sunt componentele principale ale unui magnetron (figura 2).

4
 a) Schema de principiu

b) Poza din interiorul magnetronului

Figura 2 Diagrama schematica pentru un sistem de pulverizare in regim
magnetron

4.1.3. Tehnica pulverizarii pirolitice consta in amestecarea solutiilor care contin cationii
necesari in proportii stoechiometrice. Solutia rezultata se pulverizeaza pe substratul incalzit la
120ºC. Prin pulverizare continua lichidul se transforma intr-o pudra uniforma pe substrat. La
aceasta temperatura apa continuta de picaturi este eliminata, obtinandu-se pudra fina depusa
pe substrat. Prin aceasta tehnica stratul obtinut nu este uniform, poate prezenta discontinuitati.
Mecanismul depunerii straturilor subţiri prin pulverizare cu piroliză conţine
următoarele etape:
(1) formarea aerosolului -particule de lichid (picături) cu dimensiuni cuprinse între 0,1
µm şi 100 µm dispersate în gazul purtător
(2) transportul aerosolului (jetul de aerosol are formă conică) spre substrat,
(3) evaporarea parţială a solventului şi
(4) formarea filmului care are la bază doua procese: (a) formarea germenilor de cristalizare şi
(b) creşterea cristalelor

4.1.4 Tehnica depunerii prin spin coating (prin centrifugare)

Depunerea prin centrifugare este o tehnica obisnuita pentru obtinerea filmelor subtiri
pe substraturi. Solutia pentru depunere poate fi un gel (care se obtine la fel ca la metoda
solgel) sau un material introdus intr-un solvent. Cand Solutia pentru depunere este rotita la
viteze mari, forta centripeta si tensiunea superficiala a lichidului creaza impreuna o acoperire
uniforma.

5
Avantajul principal de acoperire prin centrifugare fa ă de alte metode este capacitatea sa de a
ț produce rapid i u or filme foarte uniforme.șș
 Pentru fabricarea filmelor subtiri pornind de la precursori in solutie trebuie parcurse
patru etape:
1) sinteza precursorilor in solutie;
2) depunerea prin spin-casting sau dip-coating sau pulverizare pirolitica, unde procesul de
uscare depinde de natura solventului;
3) incalzirea la temperaturi joase, pentru uscare, piroliza speciilor organice (in jur de 300
400ºC) si formarea filmului amorf;
4) tratamentul la temperaturi ridicate pentru densificarea si cristalizarea stratului depus
infunctie de faza oxidica dorita (600 - 1000ºC).