Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
Fig 3: axe I: a1 -> a2; axe II: a1 -> a3; axe III: a1 -> a4
In cazul unei retele plane, cel elem este un paralelogram OBS: Indicii Miller care repr un plan / o dir
(Fig. 2) cristalografica niciodata nu se scriu sub forma de fractie,
motiv pt care se aduce la acelasi numitor comun si este
indep numitorul.
SUB10. Distanta dintre planele cristalografice - deform plastic (daca met e moale, se
schimba forma ext)
Planele de mare densitate atomica sunt planele ce SUB16. Fortele de legatura dintre atomi
formeaza familia de plane {111}. Un cristal poate
alcatuit dintr-un nr mare de maxima densitate atomica Fortele care act in ret crist asupra atomilor, apropiindu-i
(111). Fiecare plan este format din atomii de specie sau indepartandu-i unul fata de celalalt sunt:
diferita. 1) Forte de legatura
2) Forte de repulsie
Sa luam primele 3 plane de maxima densitate atomica
(111) care sunt alcatuite din atomi diferiti asa cum se OBS: Cand apare distanta de echilibru pentru care cele 2
vede in Fig.1 forte sunt egale => sist cristalin are cea mai mica energie
libera.
B/ r^N – f de respingere/repulsie
2. izolatoare
- corpuri caract printr-o conductib el f mica, practic
nula
Ex : la carbonul sub forma de diamant - sunt cristale ionice de valenta sau moleculare
- at de C contine pe ultimul invelis el 4e de valenta;
- fiecare at de C e inconj de alti 4 at de C 3. semiconductoare
- fiecare dintre vecini ii cedeaza cate 1 electron de val pt - corpuri cu conductib el intermediara fata de cea a
a-si forma octetul stabil conductoarelor si cea a izolatoarelor
- leg dintre 2 at de acelasi fel se pune in evidenta printr-o - sunt de 2 feluri:
Existenta acestei polaritati face ca partile contrare ale semiconductoare intrinseci = cristale ionice f
pereche de e
fiecarui element sa se atraga si sa dea nastere unui camp pure (Si, Ge, Te, Sn,Cu2O, Fe2O3)
electrostatic. Acest camp tine in legatura elementele - la temp 0 absolut au conductib el f mica, dar
Cristalele in int carora atomii sunt legati prin intermediul
vecine. pe mas ce creste temp, cresc si propr
leg covalente poarta denumirea de cristale covalente.
semicond
Leg molec se intalneste la gazele inerte si la subst org semiconductoare extrinseci - cristale ionice
SUB21. Legatura metalica
care au octetul stabil pe ultimul invelis electronic. cu impuritati
- se regaseste la metalele din gr I, II, III si in gr de
Cand intre atomi act o leg molec, cristalul respectiv se SUB24. Explicarea conductibilitatii electrice cu
tranzitie(cele cu nr mic de ioni de valenta pe ultimul
numeste cristal molecular. ajutorul teoriei zonelor de energie
invelis de valenta – cu exceptia Sn, Pb, Sb, Bi)
- in cazul leg metalice, fata de cea covalenta, toti atomii
SUB19. Legatura ionica Comportarea diferita a mat metalice la trecere c.el se
participa prin punerea in comun a el de val a.i. at se
transf in ioni + poate explica cu aj teoriei zonelor de energie.
- se realizeaza intre un elem puternic electropoz si un
- el de val se rotesc in jurul fiecarui ion astfel format si
elem electroneg Curbe N(E) = curbe de variatie a en gazului de e
formeaza norul electronic/ gazul de e
- elem electro+ contin atomi cu un nr mic de e de Norul electronic (gazul de e) e cel care conduce c.el.
valenta pe ultimul invelis electronic => at cedeaza acesti Zona BRILLOUIN = zona energetica form din nori de
e si devin ioni + electroni
- elem electro- contin at care au un nr mare de e de
valenta pe ultimul invelis => accepta e de valenta pt a-si Pt un metal monovalent, curbele de var N(E) arata:
forma octetul stabil si at se transf in ioni-
- se realizeaza intre 2 atomi de acelasi fel prin punerea in Viteza medie accelerata
comun a e de valenta care se rotesc pe o orbita comuna - creste continuu; nu tinde spre infinit pt ca dupa un
in jurul celor 2 atomi de acelasi fel. timp TAU e gazului de e se ciocnesc cu ionii ret - prin aliere cu un metal de val superioara creste nr de e
- se intalneste : la metalele pure cu 4,5,6,7 e de val pe cristaline sau cu alti e de val => vit accelerata medie de val => met monovalente conduc bine c.el
ultimul inv electronic ; la comp org ; la anumite aliaje tinde spre zero
intermetalice Pt un material izolator:
- curbele N(E) sunt form dintr-o zona Brillouin complet Mediu ∝ ´ = variatia cu temp a unei cantitati finite a
ocupata cu e si o zona Brillouin complet libera ce sunt dimensiunii liniare
suprapuse partial Reala α = variatia infinit mica a lungimii cu temp
- trecerea c.el e posibila prin aceste materiala, dar este
ingreunata Dilatare termica volumetrica = are loc modificare
- mat bivalente conduc mai putin c.el decat cele tuturor dimensiunilor corpului solid studiat
monovalente - caract de coef de dilatare termica volumetrica β care
este β ~= 3α
Pt. mat semiconductoare :
Dimensiunea corpurilor depinde si de distanta atomilor
ce intra in alcatuirea acestora.