1

Seminar. 6
PROBLEMA1: Pentru circuitul din Fig. P 1 a se cunosc : DZ1: VZ =3.6V, IZm = 1mA R Z  0  
Q1, Q2, Q3: F=0=200, VBE0.6V (in RAN), ro= r= Rezistorii din figura au valorile: R1 = R2 =R3 = R4 =
R5=1kCircuitul este alimentat de la o tensiune VCC = 20V. Sursa de semnal este un generator sinusoidal de
medie frecventa, amplitudine <0.1mV si rezistenta de generator Rg=0.1k
Sa se determine :
(1) PSF al dispozitivelor circuitului.
(2) Amplificarea in tensiune raportata la generator a circuitului Av,g=v0/vg pentru RL=0, 10k, .
(3) Amplificarea in curent raportata la generator a circuitului Ai,g=i0/ii pentru RL=0, 10k, .
(4) Rezistenta echivalenta de intrare in circuit Ri=vi/ii si Rezistenta echivalenta de iesire a
circuitului.R0=v0/i0vi=0

Fig. P 1 a

Rezolvare:

(1) Presupunem tranzistoarele in RAN si dioda Zener in regim de stabilizare. Circuitul format din
Q1, Q2, DZ1 formeaza o oglinda de curent. Considerand curentii de baza mici in raport cu cei de colector se
pot scrie urmatoarele ecuatii:

VZ  VBE
I C1  I C 2   3mA (1)
R3
Am considerat IB1+IB2<<IC1
I E 3  I C 3  I C1 (2)
2

Am considerat IB3<<IC1
VCC  V Z
IZ   I C1  13.4mA  I Z min (3)
R4
Am considerat IB3<<Iz

VCE1  VBE1 (4)

I C1
VCE 2  V Z   R1  R 2   V BE2  3V (5)
F
VCE 3  VCC  R5 I C1  VCE 2  14V (6)
Toate tranzistoarele functioneaza in RAN si dioda Zener functioneaza in regim de strapungere.

(2) Schema echivalenta de ac a circuitului este reprezentata in Fig . P 1 b. Circuitul este un etaj
amplificator cu tranzistor in conexiune EC.

Fig. P 1 b

Inlocuind tranzistorul cu modelul de semnal mic se obtine urmatoarea schema echivalenta (Fig . P 1 c):

Fig . P 1 c

Parametrii de semnal mic ai tranzistorului Q3 sunt:

0
g m  40 I c 3  120 mA / V r be 3   1.6 K
gm
Pe circuitul din Fig. P1 c se pot scrie urmatoarele ecuatii:

vg
ig  ii  (7)
R g   R1  R 2  r be 3
3

R1  R 2
i b3  ig (8)
R1  R 2  r be 3
v 0   R 5 R L   0 i b 3 (9)
R5
i0   0 i b3 (10)
R5  RL
Rezulta:
v0 R1  R 2 1
   0 R5 R L (11)
vg R1  R 2  r be3 R g   R1  R 2  r be 3
Observatie: Daca generatorul este ideal relatia (10) devine:

v0 1
Av ,g     0 R5 R L  g m 3 R 5 R L (12)
vg r be 3
Aeasta relatie permite o rapida estimare a amplificarii unui etaj EC.

i0 R5 R1  R 2
Ai ,g   0 (13)
ig R 5  R L R1  R 2  r be3
vi
Ri    R1  R 2  r be 3 (14)
ii
Determinarea rezistentei R0 se va realiza pe urmatoarea schema (Fig . P 1 d) care este echivalenta
conditiilor de definitie.

Fig . P 1 d

In aceasta configuratie ib3=0 si in concluzie generatorul este dezactivat. Rezulta:

v
R0  0  R5 (15)
i0 v 0
i

Chestiuni:
Verificati inegalitatile folosite la rezolvarea punctului (1).
Efectuati calculele numerice pentru cele trei valori ale rezistentei de sarcina propuse. Determinati
care caz este cel mai favorabil pentru amplificarea in tensiune respectiv in curent.
Gasiti o interpretare pentru o amplificare “negativa”.
4

PROBLEMA2: Pentru circuitul din Fig. P 2 a se cunosc : DZ1: VZ =3.6V, IZm = 1mA R Z  0  
Q1, Q2, Q3: F=0=200, VBE0.6V (in RAN), ro= r= Rezistorii din figura au valorile: R1 = R2 =R3 = R4 =
R5=1k R5 =0.2k Circuitul este alimentat de la o tensiune VCC = 20V. Sursa de semnal este un generator
sinusoidal de medie frecventa, amplitudine <0.1mV si rezistenta de generator Rg=0.1k
Sa se determine :
(1) PSF al dispozitivelor circuitului.
(2) Amplificarea in tensiune raportata la generator a circuitului Av,g=v0/vg pentru RL=.
(3) Rezistenta echivalenta de intrare in circuit Ri=vi/ii si Rezistenta echivalenta de iesire a
circuitului.R0=v0/i0vi=0

Fig. P 2 a

Rezolvare:

(1) Punctul static de functionare este similar cu cel din Problema 1.

(2) Schema echivalenta de ac a circuitului este reprezentata in Fig . P 2 b. Circuitul este un etaj
amplificator cu tranzistor in conexiune EC (sarcina distribuita).
5

Fig. P 2 b

Inlocuind tranzistorul cu modelul de semnal mic se obtine urmatoarea schema echivalenta (Fig . P 2 c):

Fig . P 2 c

Parametrii de semnal mic ai tranzistorului Q3 sunt:

0
g m  40 I c 3  120 mA / V r be 3   1.6 K
gm
Pe circuitul din Fig. P1 c se pot scrie urmatoarele ecuatii:

vg
i g  ii  (1)
R g   R1  R2   rbe3    0  1 R6 
R1  R2
ib 3  ig (2)
R1  R2   rbe3    0  1 R6 
v0   R5 RL   0ib 3 (3)
R5
i0   0ib 3 (4)
R5  RL
Rezulta:
v0 R1  R2 1
   0 R5 RL (5)
vg R1  R2   rbe3    0  1 R6  R g   R1  R2   rbe3    0  1 R6 
Observatie: Daca generatorul este ideal relatia (5) devine:
6

v0 1 R5 RL
Av , g     0 R5 R L  (6)
vg  rbe3    0  1 R6  R6
Aeasta relatie permite o rapida estimare a amplificarii unui etaj EC sarcina distribuita.

vi
Ri    R1  R2  (rbe3    0  1 R6 ) (7)
ii
Determinarea rezistentei R0 se va realiza pe urmatoarea schema (Fig . P 2 d) care este echivalenta
conditiilor de definitie.

Fig . P 2 d

In aceasta configuratie se poate scrie ecuatia:

rbe 3ibe 3  R6   o  1 ibe3  0 (8)
Rezulta ib3=0 si in concluzie generatorul este dezactivat. Rezulta:
v
R0  0  R5 (9)
i0 v  0
i

Chestiuni:
Comparati rezultatele obtinute pentru cele doua circuite precedente din punct de vedere al amplificarii in
tensiune, rezistenta de intrare/ iesire. Ce avantaje gasiti pentru acest circuit?

PROBLEMA3: Pentru circuitul din Fig. P 3 a se cunosc : DZ1: VZ =10.6V, IZm = 1mA R Z  0  
Q1, Q2, Q3: F=0=200, VBE0.6V (in RAN), ro= r= Rezistorii din figura au valorile: R1 = R2 = R4
=1kR3=5kCircuitul este alimentat de la o tensiune VCC = 20V. Sursa de semnal este un generator
sinusoidal de medie frecventa, amplitudine <0.1mV si rezistenta de generator Rg=0.1k
Sa se determine :
(1) PSF al dispozitivelor circuitului.
(2) Amplificarea in tensiune raportata la generator a circuitului Av,g=v0/vg pentru RL=0, 10k, .
(3) Rezistenta echivalenta de intrare in circuit Ri=vi/ii si Rezistenta echivalenta de iesire a
circuitului.R0=v0/i0vi=0
7

Fig. P 3 a

Rezolvare:

(1) Presupunem tranzistoarele in RAN si dioda Zener in regim de stabilizare. Circuitul format din
Q1, Q2, DZ1 formeaza o oglinda de curent. Considerand curentii de baza mici in raport cu cei de colector se
pot scrie urmatoarele ecuatii:

V Z  V BE
I C1  I C 2   2mA (1)
R3
Am considerat IB1+IB2<<IC1
I E 3  I C 3  I C1 (2)
Am considerat IB3<<IC1
VCC  V Z
IZ   I C1  7.4mA  I Z min (3)
R4
Am considerat IB3<<Iz

VCE1  VBE1 (4)

I C1
VCE 2  V Z   R1  R2   V BE2  10V (5)
F
VCE 3  VCC  VCE 2  10V (6)
Toate tranzistoarele functioneaza in RAN si dioda Zener functioneaza in regim de strapungere.

(2) Schema echivalenta de ac a circuitului este reprezentata in Fig . P 1 d. Oglinda de curent a fost
echivalata cu o rezistenta infinita. Circuitul este un etaj amplificator cu tranzistor in conexiune CC.
8

Fig. P 3 b

Inlocuind tranzistorul cu modelul de semnal mic se obtine urmatoarea schema echivalenta (Fig . P 3 c):

Fig . P 3 c

Parametrii de semnal mic ai tranzistorului Q3 sunt:

0
g m  40 I c 3  80mA / V rbe3   2.5K
gm
Pe circuitul din Fig. P3 c se pot scrie urmatoarele ecuatii:

v g  i g R g  i b3 rbe3  R L   0  1 ib3 (7)

 R1  R2   i g 
 ib 3  rbe 3 ib 3  R L   0  1 ib 3
sau

i g  ib 3
 rbe3   R1  R2   RL   0  1 
(8)
R1  R2
Din (7) si (8) rezulta:
  r   R1  R2   R L   0  1  
v g  ib3  be3 R g  rbe3    0  1 R L  (9)
 R1  R2 
v 0    0  1 ib3 (10)
Rezulta:
v0   0  1 RL

v g   rbe3   R1  R2   R L   0  1   (11)
 R g  rbe 3    0  1 R L 
 R1  R2 
Observatie: Daca generatorul este ideal si RL diferit de “0” relatia (11) devine:
9

v0
Av , g  1 (12)
vg
Aeasta relatie permite justifica denumirea acestui tip de etaj “Repetor pe emitor”.
(3) Determinarea rezistentei de intrare se face pe baza urmatoarelor ecuatii:

v i  rbe 3 ib 3  R L   0  1 ib 3 (13)
vi vi
ii   (14)
R1  R2 rbe3  R L   0  1
1
v  1 1 
Ri  i     (15)
ii  R1  R 2 rbe3  R L   0  1 
Determinarea rezistentei R0 se va realiza pe urmatoarea schema (Fig . P 3 d) care este echivalenta
conditiilor de definitie.

Fig . P 3 d

Pentru aceasta configuratie rezulta:

i 0    0  1 ib 3 (16)
v
ib 3   0 (17)
rbe3
De unde rezulta:

v0 rbe 3 1
R0    (14)
i0 vi  0
 0  1 g m3
Chestiuni:
Verificati inegalitatile folosite la rezolvarea punctului (3).
Efectuati calculele numerice pentru cele trei valori ale rezistentei de sarcina propuse. Determinati
care caz este cel mai favorabil pentru amplificarea in tensiune .
Gasiti o interpretare fizica pentru formula (15).
Gasiti o aplicatie pentru un amplificator de acest tip (amplificare aproximativ unitara).