Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing.

Paşca Sever

Tranzistoare cu efect de câmp (TEC)

Prof. Dr. Ing. Sever Paşca
Catedra de Electronică Aplicată şi Ingineria Informaţiei
Facultatea Electronică, Telecomunicaţii şi Tehnologia Informaţiei
Universitatea POLITEHNICA din Bucureşti

Tranzistoare cu efect de câmp

2
Conţinutul cursului

 Structura, funcţionarea şi caracteristicile TEC-J

 Influenţa temperaturii asupra TEC-J

 Notaţii şi parametri de catalog ai TEC-J

 Exemple de circuite de curent continuu şi polarizarea TEC-J

 Structura, funcţionarea şi caracteristicile TEC-MOS

 Tipuri şi simboluri de TEC-MOS

 Exemple de circuite de curent continuu şi polarizarea TEC-MOS

Tranzistoare cu efect de câmp 1

Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing. Paşca Sever

Tranzistorul cu efect de câmp

cu poartă joncţiune (TEC-J)

TEC-J este utilizat atât în circuitele integrate cât şi ca o componentă

distinctă în circuitele electronice datorită obţinerii unor performanţe ridicate:
- impedanţe
p ţ de intrare mari
- liniaritate bună a circuitului
- nivel de zgomot redus.
Ele sunt folosite în etaje de amplificare de semnal mic la joasă şi înaltă
frecvenţă. De asemenea, se utilizează la variaţii mici de tensiune şi curent
ca rezistenţe, a căror valoare poate fi controlată pe cale electrică de
tensiunea grilă-sursă.

Tranzistoare cu efect de câmp

4
Tranzistorul cu efect de câmp cu poartă joncţiune (TEC-J)

Prezentarea TEC-J
 Două tipuri: canal n şi canal p
 Conexiunile sunt:
 sursă (S), drenă (D), grilă (G)
 substrat (Sb) neconectat întotdeauna
la un terminal la dispozitivele discrete.
 Polarizările uzuale sunt:
 TEC-J canal n
 Tensiunea grilă-sursă: VP  VGS 0
 Tensiunea drenă-sursă: VDS  0
 VP este tensiunea de prag şi la acest tip de TEC este negativă.
 TEC-J canal p
 Tensiunea grilă-sursă: 0  VGS  VP
 Tensiunea drenă-sursă: VDS  0
 VP este tensiunea de prag şi la acest tip de TEC este pozitivă.

Tranzistoare cu efect de câmp 2

Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing. Paşca Sever

Tranzistoare cu efect de câmp 5

Tranzistorul cu efect de câmp cu poartă joncţiune (TEC-J)

Caracteristicile TEC-J
 Caracteristicile de ieşire sunt
definite de dependenţele dintre
curentul de drenă şi tensiunea
drenă-sursă trasate pentru diverse
valori ale tensiunii VGS considerată
ca parametru:
I D  I D VDS  VGS constant iD
IDSS
 Caracteristica de transfer este
definită de dependenţa dintre
curentul de drenă şi tensiunea
grilă-sursă, dependenţă trasată la
tensiuni drenă-sursă mari
I D  I D VGS  VDS constant vGS
VP

Tranzistoare cu efect de câmp 6

Tranzistorul cu efect de câmp cu poartă joncţiune (TEC-J)

Regimurile de funcţionare ale TEC-J

 Un TEC-J are trei regimuri de funcţionare:
 300 mV  VDS  300 mV) zonă în care, între drenă şi
La VDS mici ((–300
sursă, tranzistorul se comportă ca o rezistenţă a cărei valoare este
controlată de tensiunea VGS.
 La VDS medii, zonă în care caracteristica TEC-ului este neliniară.
Tipul de neliniaritate nu are aplicativitate practică.
 La VDS mari (VDS > VGS – VP), zonă în care tranzistorul se comportă
faţă de drenă ca un generator de curent comandat de tensiunea
VGS. Se spune în această situaţie că TEC-ul este saturat. Mai exact,
este vorba de saturaţia curentului de drenă al TECTEC.
 Principalele aplicaţii:
 etaje de amplificare de zgomot mic, impedanţă de intrare mare şi
liniaritate bună (circuite HiFi)
 comutatoare de semnal analogic (în circuite de eşantionare şi
memorare, multiplexare şi demultiplexare a semnalelor analogice
 generatoare de curent continuu fix

Tranzistoare cu efect de câmp 3

Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing. Paşca Sever

Structura şi funcţionarea TEC-J

Tranzistoare cu efect de câmp 8

Structura şi funcţionarea TEC-J

Structura TEC-J
 Conducţia curentului se face
de la sursă către drenă.
 Curentul trece printr-un canal
(zona haşurată) reprezentat de
porţiunea n de sub zona dopată p+.
 În funcţie de lăţimea canalului, conducţia este uşoară sau mai dificilă.
Tensiunea aplicată între grilă (zona p+) şi substrat (zona p–) modulează
conducţia canalului şi valoarea curentului drenă-sursă al TEC-J.
 Pentru ca o astfel de structură să se comporte ca un TECTEC, lăţimea
efectivă a canalului (w – din figura următoare cu canalul detaliat) trebuie
să fie suficient de mică, comparabilă cu lăţimea regiunii de trecere a
unei joncţiuni pn. Acest lucru se obţine dacă distanţa între joncţiunile
metalurgice ale joncţiunilor grilă-canal şi substrat-canal (w0) este la
rândul ei suficient de mică.

Tranzistoare cu efect de câmp 4

Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing. Paşca Sever

Tranzistoare cu efect de câmp 9

Structura şi funcţionarea TEC-J

Funcţionarea TEC-J
 Pentru analiza calitativă a funcţionării fizice vom folosi un model de
TEC-JJ cu canal n cu zona canalului detaliată ca în figura următoare.
TEC
 Vom considera grila şi substratul conectate împreună.
 Tensiunile aplicate vor fi:
 VGS – tensiunea grilă-sursă
Joncţiunea grilă-canal trebuie să fie polarizată întotdeauna invers,
ceea ce înseamnă că trebuie să avem VGS  0.
 VGD – tensiunea grilă-drenă
De asemenea această tensiune trebuie să fie tot timpul negativă
pentru a asigura o joncţiune grilă-canal blocată.
 VDS – tensiunea drenă-sursă
Deoarece VDS = VGS – VGD se observă că valori pozitive pentru
tensiunea drenă-sursă asigură valori negative pentru VGD;
Tensiunea drenă-sursă poate fi şi uşor negativă cu condiţia ca VGD
să rămână negativă.

Tranzistoare cu efect de câmp 10

Structura şi funcţionarea TEC-J

Funcţionare la tensiuni drenă-sursă mici

 Cu D şi S scurtcircuitate, VGS = VGD. Aplicând o tensiune negativă grilă-
sursă,, lăţimile
ţ regiunilor
g de trecere ale joncţiunilor
j ţ grilă-canal
g şi substrat-
ş
canal se măresc (zonele haşurate se lăţesc o dată ce tensiunea e mai
negativă) iar lăţimea efectivă a canalului (w) scade (canalul se îngustează).
 Dacă tensiunea aplicată este suficient de negativă (depăşeşte tensiune de
prag notată VP), regiunile de trecere ale joncţiunilor grilă-canal şi substrat-
canal se ating. Conductanţa canalului devine zero şi rezistenţa sa infinită.
 Conductanţa canalului este dependentă de tensiunea grilă-sursă – G(VGS).
Lucru valabil şi când aplicăm tensiuni drenă-sursă mici când VGS = VDS +
VGD  VGD. Această
A tă egalitate
lit t înseamnă
î ă că
ă lăţimea
lăţi l l i este
canalului t constantă
t tă
pe toată lungimea sa, de la S la D.
 Datorită aplicării unei tensiuni VDS
uşor diferite de zero, între drenă şi
sursă va circula curent, curentului
de drenă ID fiind proporţional cu
tensiunea VDS.

Tranzistoare cu efect de câmp 5

Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing. Paşca Sever

Tranzistoare cu efect de câmp 11

Structura şi funcţionarea TEC-J

Funcţionare la tensiuni drenă-sursă mici (cont.)

 Ecuaţia de funcţionare a TEC-J
la tensiuni drenă sursă mici este
drenă-sursă
I D  G VGS   VDS
unde conductanţa canalului este
 V 
G VGS   G 0  1  GS 
 VP 

G(0) fiind conductanţa canalului la VGS = 0.
 Caracteristicile de ieşire TEC-J sunt drepte care trec prin origine,
panta lor fiind determinată de valoarea tensiunii VGS (zona M).

Concluzie:
 La VDS mici, între drenă şi sursă tranzistorul se comportă ca o rezistenţă
a cărei valoare poate fi controlată pe cale electrică prin tensiunea VGS.

Tranzistoare cu efect de câmp 12

Structura şi funcţionarea TEC-J

Funcţionare la tensiuni drenă-sursă medii

 Tensiunile VGS şi VGD nu mai sunt egale (VGD = VGS – VDS < VGS < 0) dar
VGD nu este suficient de negativă
g p
pentru a pproduce închiderea canalului la
capătul dinspre drenă (VP < VGD < VGS <0).
 Lăţimea regiunilor de trecere la capătul dinspre drenă va fi mai mare şi
respectiv canalul va fi mai îngust.
 Creşterea tensiunii VDS produce două efecte contrarii asupra lui ID:
 creşterea lui ID datorită creşterii tensiunii la capetele canalului;
 scăderea lui ID datorită îngustării mai accentuate a canalului la capătul
dinspre
p drenă şşi, implicit,
p a scăderii conductanţeiţ acestuia.
 Aceasta face ca la VDS medii, între drenă
şi sursă, tranzistorul să se comporte
neliniar: ID = G(VGS, VGD) VDS. Rezultatul
celor două efecte contrarii va fi o pantă
de creştere a curentului de drenă cu
tensiunea drenă-sursă mai mică decât
în cazul precedent.

Tranzistoare cu efect de câmp 6

Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing. Paşca Sever

Tranzistoare cu efect de câmp 13

Structura şi funcţionarea TEC-J

Funcţionare la tensiuni drenă-sursă medii (cont.)

 Ecuaţia de funcţionare a TEC-J este
G0 VP   VGS  
32
VGS 
ID    1 3 2  
3  VP  VP  
 
unde G0 este conductanţa unui canal
fictiv având o lăţime egală cu w0 –
distanţa între joncţiunile metalurgice ale
joncţiunilor grilă-canal şi substrat-canal.
 Caracteristicile de ieşire ale TEC-J sunt neliniare (zona N).
Concluzie:
 La tensiuni drenă-sursă medii, TEC-J se comportă ca o rezistenţă
neliniară între drenă şi sursă. Valoarea rezistenţei depinde atât de
tensiunea la borne cât şi de tensiunea grilă sursă.
 Conducţia curentului se face de către un singur tip de purtători (electroni
în cazul TEC-J canal n). TEC este un tranzistor unipolar.

Tranzistoare cu efect de câmp 14

Structura şi funcţionarea TEC-J

Funcţionare la tensiuni drenă-sursă mari

 Acest regim de funcţionare apare atunci când tensiunea grilă-drenă VGD
devine egală sau mai negativă decât tensiunea de prag VP. Relaţia între
tensiuni în acest caz trebuie să fie VGD  VP < VGS < 0.
 Deoarece VGD  VP, canalul se închide la capătul dinspre drenă.
 La capătul dinspre sursă, canalul rămâne deschis deoarece VGS > VP.
 În această situaţie, curentul de drenă nu mai poate să crească odată cu
creşterea tensiunii VDS, rămânând constant.
 Panta de variaţie a curentului de drenă cu tensiunea drenă-sursă este
nulă
nulă.

Tranzistoare cu efect de câmp 7

Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing. Paşca Sever

Tranzistoare cu efect de câmp 15

Structura şi funcţionarea TEC-J

Funcţionare la tensiuni drenă-sursă mari (cont.)

 Ecuaţia de funcţionare a TEC-J este
2
 V 
I D  I DSS  1  GS 
 VP 

unde IDSS este curentul de drenă la

VGS = 0 şi tensiuni VDS mari.
 Caracteristicile de ieşire sunt drepte paralele şi orizontale (zona S).
În cazul când şi tensiunea VGS devine mai negativă decât VP,
t
tranzistorul
i t l se bl
blochează,
h ă curentul
t ldde colector
l t d devenind
i d nul.
l

Concluzie:
 La tensiuni drenă-sursă mari, TEC-J se comportă faţă de drenă ca un
generator de curent comandat de tensiunea VGS.

Tranzistoare cu efect de câmp 16

Structura şi funcţionarea TEC-J

Influenţa temperaturii asupra caracteristicilor TEC-J.)

Observaţii:
 Din creşterea lui |VP| şi scăderea lui
IDSS rezultă un punct de funcţionare
pentru care curentul de drenă ID are
coeficient termic nul.
 Un TEC polarizat în acest punct are
o stabilitate termică foarte bună.
 Un reglaj care să determine
funcţionarea în acest punct este însă
relativ dificil de realizat şi costisitor.

Tranzistoare cu efect de câmp 8

Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing. Paşca Sever

17

Circuite de curent continuu cu TEC-J

Se prezintă calitativ structura şi funcţionarea câtorva circuite fundamentale

utilizând TEC-J.

Tranzistoare cu efect de câmp 18

Circuite cu TEC-J

Generator de curent fix

 Ecuaţiile pentru circuit sunt:
 Dreapta de sarcină pe ochiul de intrare
VGS   RS I D
 Caracteristica TEC-J la VDS mari
2
 V 
I D  I DSS  1  GS 
 VP 
 Rezolvarea grafică: PSF (V0GS, I0DSS)
 Rezolvarea numerică:
 Se elimină ID 2
VGS  VGS 
 
 I DSS  1  
RS  VP 
 Se rezolvă ecuaţia şi se alege soluţia care
îndeplineşte condiţia
VP  VGS  0

Tranzistoare cu efect de câmp 9

Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing. Paşca Sever

Tranzistoare cu efect de câmp 19

Circuite cu TEC-J

Generator de curent fix (cont.)

 Condiţia ca tranzistorul să se comporte ca un generator
ţ
de curent constant este ca el să lucreze în saturaţie.
 Pentru ca tranzistorul să lucreze în regiunea de
saturaţie a curentului de drenă trebuie ca VGD  VP.
Tensiunea grilă-drenă este dată de ecuaţia
VGD  RD I D  VDD
deci rezultă
V  VP
RD  DD
ID
Observaţii:
 Dacă se alege ca punct de funcţionare acea valoarea a curentului de
drenă care are derivă termică nulă, generatorul obţinut va avea o foarte
bună stabilitate cu temperatura.
 Dacă se cunosc coordonatele punctului (IDT, VGST) se poate alege
rezistenţa corespunzătoare din sursă RS = VGST / IDT.
 Sensul curentului generat poate fi schimbat dacă se foloseşte un TEC-J
canal p.

Tranzistoare cu efect de câmp 20

Circuite cu TEC-J

Polarizarea TEC-J de la o singură sursă

 Circuitul este similar din punct de vedere al comportării

în curent continuu cu generatorul de curent fix prezentat
anterior.
 Deoarece TEC-J practic nu are curent de grilă, pe
rezistenţa RG nu apare cădere de tensiune.
 Scrierea ecuaţiilor de curent continuu şi rezolvarea
circuitului se face la fel ca la generatorul de curent cu
TEC J.
TEC-J
 Pentru un TEC-J canal p sursa de alimentare trebuie să
fie negativă.

Tranzistoare cu efect de câmp 10

Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing. Paşca Sever

Tranzistoare cu efect de câmp 21

Circuite cu TEC-J

Polarizarea TEC-J de la două surse

 Pentru polarizarea TEC-J se pot utiliza două surse,
una pozitivă şi una negativă.
 Comportarea în curent continuu nu diferă mult fată de
circuitul anterior.
 Curentul de grilă este nul şi potenţialul grilei este
de asemenea zero.
 Ecuaţia Kirchoff pe ochiul din grilă diferă puţin:

VGS  VSS  RS I D

 În rest, circuitul se rezolvă la fel ca generatorul de

curent constant.

22

Tranzistorul cu efect de câmp

cu poartă izolată (TEC-MOS)

Tranzistoarele TEC-MOS sunt foarte mult utilizate în circuitele integrate (CI) în

special digitale, ca dispozitive active şi ca rezistenţe sau capacităţi.
CI cu TEC pot avea un nivel mare de complexitate la preţuri de cost reduse. Deşi
performanţele
pe o a ţe e cu frecvenţa
ec e ţa nu u su
suntt deoseb
deosebite,
te, ccreşterea
eşte ea g
gradului
adu u de integrare
teg a e p
prin
micşorarea dimensiunilor duce la reducerea capacităţilor parazite şi la creşterea
vitezei de lucru.
În circuitele electronice liniare, grila izolată a TEC permite obţinerea de impedanţe
de intrare de ordinul a 1014 . Zgomotul acestor tranzistoare este destul de mare şi
ca urmare nu sunt adecvate aplicaţiilor unde nivelele semnalelor sunt mici.
Transconductanţa mai mare şi comportarea cu frecvenţa mai bună fac ca TB să fie
preferat în multe aplicaţii TEC-ului. La puteri mari însă, TEC-MOS nu prezintă
fenomenul de ambalare termică şi are o mai bună liniaritate decât TB. De
asemenea, comutatoarele de putere TEC-MOS au o comutaţie mai rapidă decât TB.

Tranzistoare cu efect de câmp 11

Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing. Paşca Sever

Tranzistoare cu efect de câmp 23

Tranzistorul cu efect de câmp cu poartă izolată (TEC-MOS)

Prezentarea TEC-MOS
 În funcţie de conducţia la tensiune grilă-sursă zero, există două tipuri de
bază:
 TEC-MOS cu îmbogăţire – nu conduce curent la VGS = 0
(sau TEC-MOS fără canal iniţial)
 TEC-MOS cu sărăcire – conduce curent la VGS = 0
(sau TEC-MOS cu canal iniţial)
 Fiecare din aceste două tipuri poate fi cu canal n sau p
 Definirea familiei de caracteristici de ieşire şi a caracteristicii de transfer
este aceeaşi cu cea de la TEC
TEC-J.J
Observaţii:
 TEC-MOS cu sărăcire canal n (substrat p) sunt mai des întâlnite fiind
mai uşor de fabricat.
 Un TEC-MOS cu sărăcire are o capacitate grilă-substrat mai mică şi, ca
urmare, o comportare mai bună la frecvenţe ridicate decât omologul său
cu îmbogăţire.

Tranzistoare cu efect de câmp 24

Tranzistorul cu efect de câmp cu poartă izolată (TEC-MOS)

Prezentare TEC-MOS cu îmbogăţire cu canal n (substrat p)

 Tensiune grilă-sursă pozitivă: VGS > 0. Curentul de drenă creşte dacă
VGS devine mai pozitivă;
 Tensiune drenă-sursă pozitivă: VDS > 0;
 Sb se conectează la cel mai negativ potenţial din circuit sau la sursă;
 Sensul pozitiv al curentului de drenă este de la drenă la sursă.

Tranzistoare cu efect de câmp 12

Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing. Paşca Sever

Tranzistoare cu efect de câmp 25

Tranzistorul cu efect de câmp cu poartă izolată (TEC-MOS)

Prezentare TEC-MOS cu îmbogăţire cu canal p (substrat n)

 Tensiune grilă-sursă negativă: VGS < 0. Curentul de drenă creşte dacă
VGS devine mai negativă;
 Tensiune drenă-sursă negativă: VDS < 0;
 Sb se conectează la cel mai pozitiv potenţial din circuit;
 Sensul pozitiv al curentului de drenă este de la sursă la drenă.

Tranzistoare cu efect de câmp 26

Tranzistorul cu efect de câmp cu poartă izolată (TEC-MOS)

Prezentare TEC-MOS cu canal iniţial n

(cu sărăcire cu canal n – substrat p)
 Tensiunea ggrilă-sursă p
poate fi atât p
pozitivă cât şşi negativă:
g VGS <> 0;;
Curentul de drenă creşte dacă VGS creşte;
 Tensiune drenă-sursă pozitivă: VDS > 0;
 Sb se conectează la cel mai negativ potenţial din circuit sau la sursă;
 Sensul pozitiv al curentului de drenă este de la drenă la sursă.

Tranzistoare cu efect de câmp 13

Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing. Paşca Sever

Tranzistoare cu efect de câmp 27

Tranzistorul cu efect de câmp cu poartă izolată (TEC-MOS)

Prezentare TEC-MOS cu canal iniţial p

(cu sărăcire cu canal p – substrat n)
 Tensiunea
e s u ea ggrilă-sursă
ă su să poate fi atât pozitivă
po t ă cât şi
ş negativă:
egat ă VGS <> 0
0.
Curentul de drenă creşte dacă VGS scade;
 Tensiune drenă-sursă negativă: VDS < 0;
 Sb se conectează la cel mai pozitiv potenţial din circuit;
 Sensul pozitiv al curentului de drenă este de la sursă la drenă.

28

Structura şi funcţionarea TEC-MOS

Tranzistoare cu efect de câmp 14

Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing. Paşca Sever

Tranzistoare cu efect de câmp 29

Structura şi funcţionarea TEC-MOS

Structura TEC-MOS
 Structura şi dimensiunile
unui TEC-MOS
TEC MOS canal p
discret sunt date alăturat.
Tranzistoarele din circuitele
integrate au dimensiuni
sensibil mai mici.
 În substratul (Sb) slab dopat (n–) sunt create două regiuni puternic
dopate (p+) care constituie sursa (S) şi drena (D).
 Lungimea
g canalului este dată de distanţaţ între zonele laterale ale celor
două joncţiuni.
 Grila (G), izolată de Sb printr-un strat subţire de SiO2, se întinde peste
spaţiului dintre cele două regiuni p+ şi acoperă puţin şi aceste regiuni.
 Pentru explicarea funcţionării vom considera că tensiunile aplicate
corespund celor prezentate mai sus pentru TEC-MOS canal p iar
substratul TEC este conectat la sursă.

Tranzistoare cu efect de câmp 30

Structura şi funcţionarea TEC-MOS

Funcţionare la tensiuni drenă-sursă mici

 Între drenă şi sursă avem două diode conectate în serie şi opoziţie.
Indiferent de sensul tensiuni aplicate între cele două terminale, cel puţin
una din diode este blocată şi curentul este nul.
 Aplicarea unor tensiuni negative între grilă şi sursă (substrat) determină
într-o zonă îngustă de la suprafaţa semiconductorului respingerea
electronilor şi atragerea golurilor, fiind posibil ca numărul golurilor să fie
mai mare decât al electronilor.
 Într-o zonă foarte
îngustă
g la suprafaţa
p ţ
semiconductorului
se produce o
inversiune de tip,
formându-se un
canal de tip p.

Tranzistoare cu efect de câmp 15

Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing. Paşca Sever

Tranzistoare cu efect de câmp 31

Structura şi funcţionarea TEC-MOS

Funcţionare la tensiuni drenă-sursă mici (cont.)

 Cele două zone de tip p+ vor fi interconectate tot printr-o zonă de tip p şi
aplicând o tensiune drenă-sursă
drenă sursă diferită de zero prin canal se poate
închide curent.
 Pentru tensiuni drenă-sursă mici practic tensiunile VGS şi VGD sunt egale
şi lăţimea canalului este aceeaşi la capetele dinspre drenă şi sursă.
 Tensiunea grilă-sursă la care apare formarea canalului se numeşte
tensiune de prag (VP). Pentru acest tranzistor tensiunea de prag este
negativă.
 Ecuaţia de funcţionare:
 pC0
I D  2  VGS  VP   VDS
L
unde
p - mobilitatea golurilor în canal
C0 - capacitatea grilă-substrat
L - lungimea canalului.

Tranzistoare cu efect de câmp 32

Structura şi funcţionarea TEC-MOS

Funcţionare la tensiuni drenă-sursă medii

 Între tensiunile de la bornele TEC-MOS se poate scrie relaţia
VGD = VGS – VDS.
 Cu semnele alese pentru tensiuni (VDS < 0), între acestea există relaţiile
VGS < VGD şi VGS < VP.
 Dacă tensiunea grilă-drenă este mai negativă decât tensiunea de prag,
atunci canalul este deschis şi la capătul dinspre drenă, respectiv avem
VGS < VGD < VP.
 Creşterea tensiunii drenă-sursă
produce două tendinţe contrarii
asupra curentului de drenă:
 creşterea ID datorită creşterii
tensiunii la bornele canalului;
 scăderea ID datorită îngustării
canalului la capătul dinspre
drenă.

Tranzistoare cu efect de câmp 16

Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing. Paşca Sever

Tranzistoare cu efect de câmp 33

Structura şi funcţionarea TEC-MOS

Funcţionare la tensiuni drenă-sursă medii (cont.)

 Aceste tendinţe contrarii determină o comportare neliniară a TEC-MOS
la VDS medii. Rezultatul va fi o pantă de creştere a curentului de drenă
cu tensiunea drenă-sursă mai mică decât în cazul precedent.
 Ecuaţia de funcţionare a TEC la VDS medii este
I D  k  2VGS  2VP  VDS   VDS
 unde  C
k  P 20
2L
 este
t constanta
t t TEC-ului,
TEC l i care se măsoară
ă ă îîn [[mA/V
A/V2].
]
 Caracteristicile de ieşire corespunzătoare acestei regiuni sunt o familie
de parabole cu vârful în sus care trec prin origine având ca parametru
tensiunea VGS. Începând cu punctul de vârf al parabolelor se intră în
zona de funcţionarea la VDS mari.

Tranzistoare cu efect de câmp 34

Structura şi funcţionarea TEC-MOS

Funcţionare la tensiuni drenă-sursă mari

 Odată cu creşterea tensiunii VDS creşte şi tensiunea VGD. Se ajunge în
situaţia în care la capătul dinspre drenă nu se mai poate forma canalul.
Relaţia între tensiuni este VGS < VP < VGD.
 Închiderea canalului la capătul dinspre drenă împiedică creşterea
curentului de drenă odată cu creşterea tensiunii drenă-sursă. Acesta
rămâne constant cu VDS, la valoarea avută în momentul închiderii
canalului.
 Caracteristicile de ieşire sunt
drepte
p aproape
p p orizontale.
TEC-ul lucrează în regim de
saturaţie a curentului de drenă
sau, mai pe scurt, în saturaţie
(a nu se confunda cu saturaţia
tranzistorului bipolar!).

Tranzistoare cu efect de câmp 17

Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing. Paşca Sever

Tranzistoare cu efect de câmp 35

Structura şi funcţionarea TEC-MOS

Funcţionare la tensiuni drenă-sursă mari (cont.)

 Zonele de funcţionare sunt localizate
în caracteristicile de ieşire la fel ca la
TEC-J.
 Ecuaţia de funcţionare a TEC la VDS
mari este
I D  k  VGS  VP 2
 Această ecuaţie reprezintă
caracteristica de transfer a TEC.

Tranzistoare cu efect de câmp 36

Structura şi funcţionarea TEC-MOS

Străpungerea TEC-MOS
 La aplicarea unor tensiuni drenă-sursă mari, la VGS = constant, se
observă o creştere bruscă a curentului de drenă. Acest fenomen
constituie străpungerea TEC-ului.
 Creşterea semnificativă a lui ID poate fi provocată de:
 Străpungerea prin avalanşă a joncţiunii drenă-substrat
Această străpungere este similară cu cea de la diodă.
 Străpungerea prin anularea lungimii canalului
Pentru lungimi de canal mai mici de 10 m, polarizarea inversă a
j
joncţiunii
ţi ii d
drenă-substrat
ă b t t determină
d t i ă creşterea
t lăţi
lăţimiiii regiunii
i ii dde
trecere a acestei joncţiuni şi pătrunderea ei peste regiunea de
trecere a joncţiunii sursă-substrat. Bariera de potenţial de la
joncţiunea sursă-substrat este redusă şi între sursă şi drenă apare
practic un scurtcircuit. Acest tip de străpungere este mai frecvent la
TEC-MOS.

Tranzistoare cu efect de câmp 18

Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing. Paşca Sever

Tranzistoare cu efect de câmp 37

Structura şi funcţionarea TEC-MOS

Străpungerea TEC-MOS (cont.)

 Măsuri de protecţie pentru grilă
 Tensiunea de străpungere a SiO2 este de circa 109 V/m iar grosimea
stratului izolator al grilei de circa 0,1 m, ceea ce corespunde unei
tensiuni de străpungere de 100 V.
 Sarcinile electrostatice care apar la manipularea dispozitivului pot
produce foarte uşor străpungerea stratului izolator al grilei. Din acest
motiv, terminalele TEC-MOS trebuie să fie scurtcircuitate până când
tranzistorul este montat în circuit.
 Pentru unele TEC-MOS
TEC MOS se folosesc două diode Zener de protecţie
montate în serie şi opoziţie, între grilă şi substrat. Tensiunea de
străpungere a acestor diode este mai mică decât tensiunea de
străpungere a grilei. Sarcinile electrostatice se descarcă prin aceste
diode. Desigur prezenţa lor duce la creşterea scurgerilor de curent
prin grila TEC.

38

Circuite de curent continuu cu TEC-MOS

Se prezintă calitativ structura şi funcţionarea câtorva circuite fundamentale

utilizând TEC-MOS.

Tranzistoare cu efect de câmp 19

Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing. Paşca Sever

Tranzistoare cu efect de câmp 39

Circuite cu TEC-MOS

Sursă de curent cu TEC-MOS

 Tranzistorul TEC-MOS cu canal p cu îmbogăţire
are VP = –44 V şi k = 0,05 mA/V2.
1. Să se arate că pentru orice valoare a rezistenţei R,
tranzistorul se află în regiunea de saturaţie.
2. Determinaţi valoarea tensiunii de ieşire în cazul în care R = 20 k.
 Rezolvare:
1. Tranzistorul din figură este un TEC-MOS cu îmbogăţire. Pentru ca prin
el să circule curent între drenă şi sursă, trebuie ca VGS < VP. În plus,
pentru ca tranzistorul să fie saturat trebuie ca la capătul dinspre drenă
canalul să fie închis, deci VGD > VP. Relaţia a doua este verificată
automat având în vedere că VGD = 0 > –4 V = VP.
Pentru un tranzistor TEC-MOS aflat la saturaţie este valabilă relaţia
ID = k (VGS – VP)2 cu sensul lui ID cel din figură.
De asemenea, ecuaţia lui Kirchhoff pentru tensiuni se scrie
VDD = VGS – R ID.

Tranzistoare cu efect de câmp 40

Circuite cu TEC-MOS

Sursă de curent cu TEC-MOS

Din cele două relaţii anterioare rezultă
V  VDD
I D  GS  k  VGS  VP 2
R
Tranzistorul este în saturaţie dacă există o valoare a lui VGS < VP care
să verifice ultima egalitate.
Ultima egalitate este echivalentă cu
V V
f VGS   DD GS  k  VGS  VP 2  0
R
unde f este o funcţie continuă în VGS. Avem:
f VDD   k  VGS  VP 2  0
V V  10   4
f VP   DD GS  0
R R
Rezultă că există o valoare a lui VGS verificând relaţia VDD < VGS < VP
pentru care f(VGS) =0 şi deci tranzistorul este saturat pentru orice
valoare acceptabilă a lui R (R fiind o rezistenţă, nu poate avea decât
valori pozitive).

Tranzistoare cu efect de câmp 20

Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing. Paşca Sever

Tranzistoare cu efect de câmp 41

Circuite cu TEC-MOS

Sursă de curent cu TEC-MOS

2. Dacă rezistenţa R are valoarea de 20 k, înlocuind direct în ecuaţia
f(VGS) =0 se obţine succesiv:
10  VGS
 0 ,05 VGS  4 2  0  VGS
2
 7VGS  6  0
20
 VGS1  1 V; VGS 2  6 V
Dintre cele două soluţii este acceptabilă doar soluţia pentru care
VGS < VP şi deci rezultă VGS = –6 V.
De aici rezultă că tensiunea de ieşire este dată de
VO = VDD – VGS = –1010 – (–6)=
( 6)= –4
4VV.

Tranzistoare cu efect de câmp 42

Circuite cu TEC-MOS

Polarizare TEC-MOS cu canal iniţial de la o singură sursă

 Tranzistorul TEC-MOS cu canal iniţial p are
tensiunea de prag VP = 4 V şi k = 0,02 mA/V2.
Se doreşte determinarea valorilor ID, VGS şi VDS.
Presupunem că tranzistorul funcţionează în zona
de saturaţie a curentului de drenă. Ecuaţia TEC
este ID = k (VGS – VP)2 cu condiţia VGS < VP.
Ecuaţia lui Kirchhoff pentru tensiuni pentru ochiul
grilei este VGS – RS ID = 0.
RG nu intervine deoarece curentul de grilă al TEC este nul.
Valoarea curentului de drenă se obţine rezolvând sistemul format din ecuaţiile
de mai sus. Având în vedere restricţia impusă asupra lui VGS, din a doua ecuaţie
îl vom scoate pe ID şi valoarea obţinută o vom înlocui în prima ecuaţie. Se obţine

 k  VGS  VP 2
VGS
RS

Tranzistoare cu efect de câmp 21

Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing. Paşca Sever

Tranzistoare cu efect de câmp 43

Circuite cu TEC-MOS

Polarizare TEC-MOS cu canal iniţial de la o singură sursă

Înlocuind valorile numerice (în V, mA şi k) obţinem
2
VGS  10 VGS  16  0
cu soluţiile VGS1 = 2 V şi VGS2 = 8 V
Din cele două soluţii doar prima este acceptabilă,
întrucât a doua nu verifică restricţia VGS < VP.
Folosind ecuaţia liniară rezultă valoarea ID
VGS 2
ID    0,08 mA
RS 25
Pentru a determina valoarea tensiunii drenă-sursă, pornim de la ecuaţia lui
Kirchhoff pentru tensiuni scrisă pe ochiul de ieşire
VDD  RS I D  VDS  RD I D
Din această relaţie rezultă
VDS  RS I D  VDD  RD I D  25  0,08  10  40  0,08  4,8 V
Pentru tensiunea grilă-drenă VGD se obţine valoarea
VGD  VGS  VDS  2   4,8  6,8 V  4 V
Având în vedere că VGD > VP se verifică presupunerea iniţială că tranzistorul
funcţionează în zona de saturaţie a curentului de drenă.

Tranzistoare cu efect de câmp 44

Circuite cu TEC-MOS

Polarizarea unui TEC-MOS cu canal indus n

Parametrii TEC sunt VP = 3 V şi k = 0,06 mA/V2.
Calculul circuitului se face similar cu cel anterior
anterior.
Ecuaţiile din care se determină curentul de drenă
sunt:
R2
VDD   VGS  R3 I D
R1  R2
I D  k  VGS  VP 2
Este valabilă pentru VGS acea valoare care duce
ttranzistorul
i t l îîn conducţie,
d ţi respectiv
ti VGS > VP = 3 V V.
Rezolvarea sistemului de ecuaţii duce la soluţiile
(ID = 0,39 mA, VGS = 5,55 V şi VDS = 1,11 V).

Tranzistoare cu efect de câmp 22