Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing.

Paşca Sever

Comportarea dispozitivelor la semnale mici

Prof. Dr. Ing. Sever Paşca
Catedra de Electronică Aplicată şi Ingineria Informaţiei
Facultatea Electronică, Telecomunicaţii şi Tehnologia Informaţiei
Universitatea POLITEHNICA din Bucureşti

Comportarea dispozitivelor la semnale mici

2
Conţinutul cursului

 Comportarea diodei la variaţii mici de semnal şi scheme echivalente

 Comportarea TB la variaţii mici de semnal şi scheme echivalente

 Comportarea TEC la variaţii mici de semnal şi scheme echivalente

 Etaje de amplificare de bază şi analiza comportării cu frecvenţa.

Comportarea dispozitivelor la semnale mici 1

Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing. Paşca Sever

Comportarea dispozitivelor la semnale mici

3
Definiţii
 Se numesc variaţii mici de semnal, variaţiile de tensiune şi curent
situate într-un interval relativ restrâns în jurul unor componente continue,
interval în care comportarea dispozitivului poate fi descrisă prin ecuaţii
liniare.

 Schema echivalentă a dispozitivului este formată din componente

liniare, ale căror valori depind în general de punctul static de funcţionare
(componentele continue ale tensiunilor şi curenţilor prin dispozitiv).

 Variaţiile de tensiuni şi curenţi sunt mici

mici, dar vitezele de variaţie în timp
nu sunt neglijabile, astfel că acumulările de sarcini electrice în dispozitiv
trebuie luate în considerare, deoarece acestea produc defazaje între
tensiuni sau întârzieri la comutaţia dispozitivelor.

Comportarea dispozitivelor la semnale mici

4
Generalităţi
 Modelele care descriu funcţionarea la variaţii mici de semnal au în
vedere o descriere a comportării tranzistoarelor în aplicaţii de tipul
etajelor de amplificare.
amplificare
 Tranzistoarele sunt polarizate în zona din caracteristici în care acestea
sunt drepte aproape orizontale; în raport cu colectorul, tranzistoarele
sunt echivalente cu un generator de curent comandat şi se comportă
liniar.
 În funcţionarea circuitelor respective, efectul sarcinilor acumulate în
joncţiuni sau alte regiuni ale tranzistoarelor este acela al unor
condensatoare
co de satoa e ca
care
epproduc
oduc de
defazaje
a aje şşi ate
atenuări
uă cu frecvenţa.
ec e ţa

 Reamintire convenţie notaţii:

 VBE − componenta continuă a tensiunii BE;
 vbe − variaţia tensiunii BE (componenta alternativă);
 vBE = VBE + vbe − tensiunea totală BE (componentele de c.c. şi c.a.).

Comportarea dispozitivelor la semnale mici 2

Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing. Paşca Sever

Comportarea diodei la semnale mici

 Comportarea diodei la variaţii mici de semnal este determinată de

sarcinile electrice acumulate în dispozitiv (având capacităţi diferenţiale
asociate):
)
 sarcinile atomilor de impuritate din regiunea de trecere care
determină formarea câmpului electric intern (sarcina spaţială); (i se
asociază capacitatea de barieră)
 sarcinile electrice date de difuzia purtătorilor mobili în regiunile
neutre p şi n la conducţia diodei (i se asociază capacitatea de
difuzie)

Comportarea dispozitivelor la semnale mici

6
Comportarea diodei la semnale mici

Schema echivalentă de semnal mic a diodei

 În conducţie directă, dioda este
echivalentă cu capacitatea de difuzie în
paralel cu rezistenţa dinamică la
polarizare directă.
 În conducţie inversă, schema
echivalentă este compusă din
capacitatea de barieră în paralel cu
rezistenţa în conducţie inversă a diodei.
Rezistenţa fiind foarte mare, practic
dioda este echivalentă cu un
condensator a cărui valoare poate fi
modificată prin tensiunea continuă
inversă aplicată.

Comportarea dispozitivelor la semnale mici 3

Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing. Paşca Sever

Comportarea TB în RAN la semnale mici

Comportarea dispozitivelor la semnale mici

8
Comportarea TB în RAN la semnale mici

Circuitul echivalent Giacoletto

 Schema echivalentă obţinută analizând sarcinile electrice acumulate în
bază se numeşte circuitul echivalent natural sau circuitul echivalent
Giacoletto.

 Modificarea concentraţiei minoritarilor în bază duce la creşterea

gradientului concentraţiei purtătorilor minoritari şi deci a curentului de
colector
q IC
ic   vbe
kT
 Panta echivalentă a tranzistorului, măsurată în [mA/V], cu IC
componenta continuă a curentului de colector în PSF, se defineşte ca
fiind mărimea
di i qI
gm  C  c  C
dvBE vbe kT

Comportarea dispozitivelor la semnale mici 4

Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing. Paşca Sever

Comportarea dispozitivelor la semnale mici

9
Comportarea TB în RAN la semnale mici

Circuitul echivalent Giacoletto (cont.)

 Rezistenţa rx reprezintă rezistenţa regiunii neutre a bazei, prin care se
închide curentul de bază, transversal faţă de curentul de emitor al
tranzistorului. Prezenţa acestei rezistenţe face ca din exterior să nu fie
accesibilă "baza" tranzistorului, în sensul în care a fost aceasta definită
la studiul tranzistorului.

Comportarea dispozitivelor la semnale mici

10
Comportarea TB în RAN la semnale mici

Relaţii între parametrii de semnal mic ai TB

 Notaţiile europene pentru parametrii de semnal mic ai TB diferă de cele
de mai sus (americane):
rx  rbb' , r  rb' e , C  Cb' e , r  rb' c , C  Cb' c
r0  rce sau g 0  g ce
V  Vb' e
 Între parametrii de semnal mic există următoarele relaţii:
 gm = 40 IC − pentru IC exprimat în [mA] avem gm exprimat în [mA/V];
 gm r = F − pentru gm exprimat în [mA/V] avem r exprimat în [k]
(F static).
 Parametrii de semnal mic gm, r şi C sunt puternic dependenţi de
punctul static de funcţionare. Ceilalţi parametri C, r şi r0 prezintă
oarecare dependenţe de PSF (IC, VCE) dar dependenţa este mult mai
slabă decât în cazul primilor. De multe ori aceştia din urmă se pot
aproxima ca fiind constanţi.

Comportarea dispozitivelor la semnale mici 5

Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing. Paşca Sever

11

Comportarea TEC la semnale mici

Comportarea dispozitivelor la semnale mici

12
Comportarea TEC la semnale mici

Comportarea TEC-J la variaţii mici de semnal

 PSF trebuie să se găsească în regiunea de
saturaţie a curentului de drenă.
 Diferenţiind ecuaţia de funcţionare a TEC
în acest regim, rezultă
I I
id  2 D DSS  vgs
VP
 Se defineşte ca fiind panta tranzistorului

id I D I DSS
gm   2
vgs VP
VDS  constant

Observaţii:
 gm depinde de PSF, mai redus decât la TB datorită funcţiei radical. Cu
cât curentul de drenă este mai mare, cu atât panta este mai mare.
 Panta maximă a unui TEC-J se obţine la VGS = 0 şi este |2 IDSS / VP|.

Comportarea dispozitivelor la semnale mici 6

Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing. Paşca Sever

Comportarea dispozitivelor la semnale mici

13
Comportarea TEC la semnale mici

Comportarea TEC-J la variaţii mici de semnal (cont.)

 Rezultă pentru TEC-J schema echivalentă alăturată.

Comportarea dispozitivelor la semnale mici

14
Comportarea TEC la semnale mici

Comportarea TEC-MOS la variaţii mici de semnal

 Comportarea TEC-MOS este descrisă de o schemă echivalentă identică
cu cea de la TEC-J.
TEC J. Capacităţile Cgs şi Cgd corespund capacităţilor
grilă-substrat în zona S şi respectiv a D ale TEC-MOS.
 Panta echivalentă a TEC-MOS se obţine plecând de la ecuaţia
tranzistorului în zona de saturaţie a curentului de drenă procedând ca la
TEC-J
g m  2 kI D

Observaţie:
 Schemele echivalente ale TEC-MOS şi TEC-J
sunt identice. Ceea ce diferă este numai
relaţia de calcul a pantei.

Comportarea dispozitivelor la semnale mici 7

Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing. Paşca Sever

15

Parametrii de cuadripol
ai TB la semnale mici

Un model des utilizat pentru TB este circuitul echivalent de cuadripol în

care TB este reprezentat printr-un cuadripol liniar activ în care intrarea şi
ieşirea
ş au o bornă comună.
Între cele 4 mărimi electrice se scriu 2 ecuaţii. Există 4 moduri de scriere a
ecuaţiilor, similar cu situaţia de la sursele comandate, fiecare mod având 4
parametrii de cuadripol.
Cel mai des se folosesc parametrii hibrizi (parametrii h), datorită uşurinţei
cu care pot fi aceştia măsuraţi practic.

Comportarea dispozitivelor la semnale mici

16
Parametrii de cuadripol ai TB la semnale mici
 Rezistenţa de intrare cu
ieşirea în scurtcircuit
Parametrii h vi
h11 
v I  h11 iI  h12 vO ii vO  0
iO  h21 i I  h22 vO  Factorul de transfer invers
în tensiune cu intrarea în
gol
vi
h12 
uo ii  0
 Factorul de transfer direct în
curent cu ieşirea în
scurtcircuit
io
Observaţie: h21 
ii
Parametrii au valori diferite pentru fiecare vO  0

conexiune. Pentru ai diferenţia, la indice  Conductanţa de ieşire cu

se mai adaugă o litera, e pentru intrarea în gol
io
conexiunea EC, b pentru conexiunea BC h22 
şi c pentru conexiunea CC. vo ii  0

Comportarea dispozitivelor la semnale mici 8

Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing. Paşca Sever

17

Etaje de amplificare

Etajul de amplificare constituie cel mai simplu bloc constructiv al unui

amplificator. El conţine unul sau maxim două tranzistoare care funcţionează
în regim
g de sursă comandată de curent. Pentru TB aceasta corespunde p la
regiunea activă normală iar pentru TEC la saturaţia curentului de drenă.
Faţă de colector, respectiv drenă, tranzistorul se comportă ca un generator
de curent comandat de tensiunile V, respectiv Vgs (se folosesc mărimi
subliniate – complexe – pentru că analiza se face în regim permanent
sinusoidal).

Comportarea dispozitivelor la semnale mici

18
Etaje de amplificare

Etaje de amplificare de bază

 Cele trei tipuri de etaje au la bază conexiunile tranzistorului:
 Conexiunea emitor comun / sursă comună;
 Conexiunea bază comună / grilă comună;
 Conexiunea colector comun / drenă comună.

Observaţii:
 Circuitele prezentate includ componentele (rezistenţele) care asigură
polarizarea tranzistoarelor în regiunile amintite. Pentru etajele de
amplificare cu TEC s-a folosit numai un TEC-J dar circuite similare
există şi pentru TEC-MOS.
 Pentru simplificarea schemelor s-a ales varianta polarizării de la două
surse în unele cazuri. Numărul de componente din schemă este în acest
caz mai mic şi schemele echivalente pentru variaţii mici de semnal sunt
mai simple.

Comportarea dispozitivelor la semnale mici 9

Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing. Paşca Sever

Comportarea dispozitivelor la semnale mici

19
Etaje de amplificare

Etaj de amplificare emitor comun (a) şi sursă comună (b)

 RB, RE şi RC asigură polarizarea TB în RAN. Condensatoarele de cuplaj
CB şi CC separă în c.c. intrarea şi ieşirea de polarizarea TB şi permit
cuplarea semnalelor la intrare şi ieşire. Condensatorul de decuplare CE
scurtcircuitează E la masă în c.a. RC contribuie la amplificarea în c.a.
 Etajul de
amplificare
cu sursă
comună
funcţionează
similar.

Comportarea dispozitivelor la semnale mici

20
Etaje de amplificare

Etaj de amplificare bază comună (a) şi grilă comună (b)

 RE şi RC împreună cu sursele de alimentare asigură polarizarea TB în
RAN. Condensatoarele de cuplaj CC şi CE separă în curent continuu
etajul de amplificare de restul circuitului şi permit cuplarea intrării şi
ieşirii la circuit.
 Similar stau lucrurile cu
etajul de amplificare în
conexiunea grilă comună.

Comportarea dispozitivelor la semnale mici 10

Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing. Paşca Sever

Comportarea dispozitivelor la semnale mici

21
Etaje de amplificare

Etaj de amplificare colector comun (a) şi drenă comună (b)

 Etajul numit şi repetor pe emitor are TB polarizat de la sursele de
alimentare prin intermediul rezistenţelor RE şi RC. Cuplajul la intrare şi
ieşire se realizează cu condensatoarele de cuplaj CB şi CE.
 Similar şi la repetorul pe sursă.

Comportarea dispozitivelor la semnale mici

22
Etaje de amplificare

Analiza unui etaj cu TEC în conexiunea SC

 Analiza comportării la variaţii mici de semnal
impune desenarea schemei echivalente a
întregului circuit la variaţii mici de semnal:
 tranzistorul se înlocuieşte cu schema sa
echivalentă pentru variaţii mici de
semnal;
 sursele de polarizare de tensiune
continuă (fixe) au variaţii nule şi sunt
echivalente cu surse de tensiune de
valoare zero, adică cu scurtcircuite;
 sursele de curent continuu (fixe) au
variaţii nule şi sunt echivalente cu surse
de curent de valoare zero, adică cu
circuite întrerupte.

Comportarea dispozitivelor la semnale mici 11

Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing. Paşca Sever

Comportarea dispozitivelor la semnale mici

23
Etaje de amplificare

Chema echivalentă la semnale mici a etajului SC cu TEC

Comportarea dispozitivelor la semnale mici

24
Etaje de amplificare

Calculul amplificării etajului SC cu TEC

 Calculul amplificării pentru acest circuit, adică a raportului VO / VI, nu
este chiar simplu.
 O simplificare vine de la valorile mult diferite ale condensatoarelor
circuitului.
 Domeniul de frecvenţe în care se studiază comportarea amplificatorului
poate fi împărţit în trei game, prezentate în tabelul de mai jos, făcând
posibilă simplificarea circuitului pentru calculul amplificării în funcţie de
gama aleasă.
Frecvenţa G
Gama G
Gama G
Gama
semnalelor frecvenţelor frecvenţelor frecvenţelor
de intrare joase medii Înalte
XG, XS, XD contează 0 0

Xgs, Xgd   contează

Comportarea dispozitivelor la semnale mici 12

Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing. Paşca Sever

Comportarea dispozitivelor la semnale mici

25
Etaje de amplificare

Schema echivalentă simplificată la frecvenţe medii

 Pentru calculul amplificării în gama frecvenţelor medii, CG, CG, CS şi CC se
scurtcircuitează iar Cgs şşi Cgd se întrerup.
p Schema echivalentă se simplifică
p mult.

 Schema simplificată:

 Schema completă:

Comportarea dispozitivelor la semnale mici

26
Etaje de amplificare

Amplificarea la frecvenţe medii (în bandă)

 Ecuaţiile de circuit:
V O   g m RD || RL  V gs
RG
V gs  V
RI  RG I
 Rezultă amplificarea la medie frecvenţă:
V
A0  O   g m RD || RL  
RG
VI RG  RI
 De obicei RG >> RI şşi expresia
p se simplifică
p astfel
A0   g m RD || RL 

Observaţie:
 Cu cât rezistenţele RD şi RL sunt mai mari sau panta tranzistorului este
mai mare, cu atât amplificarea este mai mare.

Comportarea dispozitivelor la semnale mici 13

Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing. Paşca Sever

Comportarea dispozitivelor la semnale mici

27
Etaje de amplificare

Schema echivalentă simplificată la frecvenţe joase

 Schema simplificată:

 Schema completă:

Comportarea dispozitivelor la semnale mici

28
Etaje de amplificare

Schema echivalentă simplificată la frecvenţe înalte

 Schema simplificată:

 Schema completă:

Comportarea dispozitivelor la semnale mici 14

Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing. Paşca Sever

Comportarea dispozitivelor la semnale mici

29
Etaje de amplificare

Performanţele etajului emitor comun cu TB

 Amplificarea la frecvenţe medii:
V O   g m RC V 

RB || r
V  V
RS  RB || r  I
RB || r
A0   g m RC 
RS  RB || r 

 Valoarea maximă a amplificării

p se obţine
ţ atunci
când RB || r >> RS şi are valoarea A0 = –gm RC.
 Impedanţa de intrare:
Rin  RB || r
 Impedanţa de ieşire:
Ries  RC

Comportarea dispozitivelor la semnale mici

30
Etaje de amplificare

Performanţele etajului bază comună cu TB

Amplificarea la frecvenţe medii:
V I  V    V  V 


   gm V   0
RS r RE
V O   g m RC V 
g m RC
A0 
1  RS r  RS RE  g m RS
Deoarece în general avem g m  1 r  1 RE rezultă
R
A0  C
RS
 Impedanţa de intrare:
1 1
Rin  
g m  1 r  1 RE g m
 Impedanţa de ieşire:
Ries  RC

Comportarea dispozitivelor la semnale mici 15

Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing. Paşca Sever

Comportarea dispozitivelor la semnale mici

31
Etaje de amplificare

Performanţele etajului colector comun cu TB

 Amplificarea la frecvenţe medii:
A0 
g m  g  RE 
RB
1
1  g RS  g m  g  RE RS  RB
'

 Impedanţa de intrare:
Rin  r  1   F  RE
 Impedanţa de ieşire (se pasivizează circuitul,
se aplică o tensiune la iesire Vies şi se
calculează curentul absorbit Iies):
r
V   V ies 
r  RS
V ies r V ies
I ies   g m V ies  
RE r  RS r  RS
1 r  RS r  RS
Ries    
g m r r  RS   1 RE  1 r  RS  g m r F

Comportarea dispozitivelor la semnale mici

32
Etaje de amplificare

Concluzii:
 Amplificarea este mare în cazul conexiunilor EC şi BC şi subunitară dar
foarte apropiată de unu în cazul conexiunii CC.
 În conexiunea EC se obţine o inversare de fază între semnalul de intrare
şi ieşire, în timp ce conexiunea BC nu introduce această inversare.
 Impedanţa de intrare este medie în cazul conexiunii EC, mică în cazul
conexiunii BC şi foarte mare la conexiunea CC.
 Impedanţa de ieşire este mare în cazul conexiunilor EC şi BC şi mică în
cazul conexiunii CC.
 Din valorile acestor parametri se poate vedea că etajele de amplificare
în conexiunea EC şi BC se folosesc atunci când se doreşte obţinerea
unei amplificări mari, în timp ce etajul de amplificare în conexiunea CC
poate fi folosit pentru o adaptare (conversie) de impedanţe.
 O analiză a comportării cu frecvenţa arăta că la conexiunile BC şi CC
lărgimea de bandă este cea mai mare. În conexiunea EC se produce o
reducere importantă a lărgimii de bandă, datorită efectului Miller.

Comportarea dispozitivelor la semnale mici 16

Electronică analogică şi digitală în biomedicină Prof. Dr. Ing. Paşca Sever

Comportarea dispozitivelor la semnale mici

33
Etaje de amplificare

Performanţele etajelor de amplificare cu TEC

SC GC DC
RG g m RC g m RS RG
A0  g m RC  
RI  RG 1 RI RS  g m RI 1 g m RS RI  RG

Rin RG 1 g m || RS RG

Ries RC RC 
RS || 1 g m 

Comportarea dispozitivelor la semnale mici 17