Tranzistorul cu efect de câmp

=TEC=
= FET, MOSFET =
Field Effect Transistor
Bibliografie:
http://www.electronics-tutorials.ws/category/transistor
V. Dolocan, Note de curs, 1996
G. Vasilescu, Ș. Lungu, Electronică, 1981
William B. Ribbens, Understanding Automotive Electronics, An Engineering Perspective, 2012
Diferența bipolar / unipolar (FET)
• Tranzistor bipolar – curentul de colector depinde de curentul în bază
• Dispozitiv ce operează în curent
• Tranzistor unipolar – curentul prin dispozitiv depinde de tensiunea
aplicată pe poartă
• Dispozitiv operat în tensiune

• Bipolar – participă ambele tipuri de purtători de sarcină

• Unipolar – participă un singur tip de purtător de sarcină
Avantaje/Dezavantaje
• Dispozitiv cu trei terminale, poate înlocui tranzistorul bipolar, având aceleași
caracteristici:
• Eficiență mare,
• răspuns instant la stimuli externi
• Robust
• Ieftin
• Poate fi utilizat în circuite electronice înlocuind echivalentul bipolar
• Preferat pentru construcția circuitelor integrate (tip CMOS, digitale), deoarece:
• Este mai mic decât echivalentul bipolar
• Consum mai mic de putere
• Caracteristici:
• Impedanța de intrare foarte mare (Rin > 1000 Ω)
• Sensibil la semnalele de la intrare
• Dezavantaj: poate fi ușor distrus de electricitatea statică
Tipuri
• Există două variante de tranzistoare cu efect de câmp:
I. JFET - Junction Field Effect Transistor = TECJ - tranzistor cu efect de câmp
cu joncțiune

II. IGFET - Insulated-gate Field Effect Transistor = TECPI – tranzistor cu efect de

câmp cu poartă izolată
• cunoscut ca și MOSFET - Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor =
TECMOS - tranzistor cu efect de câmp cu metal-oxid-semiconductor
Harta tranzistoarelor cu efect de câmp
Tranzistoarele TECJ/ JFET
Construcție și polarizare JFET

G – poartă
D – drenă
S - sursă

jFET canal de tip N jFET canal de tip P

Simbol și parametrii

jFET canal de tip N jFET canal de tip P

Model
• TEC nu are joncțiuni p-n, în sensul celor de la tranzistorul bipolar, dar în schimb are o
zonă îngustă de semiconductor de rezistivitate foarte mare ce formează un canal, ce
poate fi de tip n sau p, în funcție de tipul purtătorilor de sarcină majoritari, ce vor circula
între două contacte ohmice, denumite Sursă și respectiv Drenă.
• Astfel, avem două configurații pentru TECJ, de tip n, respectiv p.
• Canalul de tip n este dopat cu impurități donoare, astfel purtătorii majoritari de sarcină
vor fi electronii.
• Canalul de tip p este dopat cu impurități donoare, astfel purtătorii majoritari de sarcină
vor fi golurile.
• Canalul de tip n are conductivitate mai bună (rezistență mai mică) față de echivalentul de
tip p. Astfel TECJ cu un canal de tip n sunt mai eficiente decât cele de tip p.
• Există un al treilea terminal, denumit Poartă, format din semiconductor de tip n sau p, de
sens opus tipului de semiconductor din canal.
Funcționare
• Canalul din TECJ este de fapt o rezistență, astfel o cădere de tensiune între Sursă și
Drenă (VDS), va duce la un curent (ID) în acest canal, ce poate circula în ambele
sensuri, în funcție de potențialele aplicate între cele două terminale. Se formează
un gradient de tensiune de-a lungul acestui canal.
• Rezultatul este faptul că joncțiunea PN dintre canal și Poartă, va avea o tensiune de
deschidere inversă foarte mare la Drenă, respectiv una foarte mică la Sursă. Acest
lucru determină apariția stratului sărăcit în purtători, ce crește în canal în funcție și
de tensiunea aplicată Porții.
• Putem astfel controla mărimea curentului din canal, modificând tensiunea inversă
de polarizare pe Poartă.
• Pentru un canal de tip n, potențialul aplicat pe poartă este negativ, respectiv pentru
canalul de tip p, acesta va fi pozitiv.
• Avantajul față de tranzistorul bipolar, este faptul că la polarizarea inversă prin
poartă putem considera curentul egal cu zero, ceea ce nu se întâmplă în cazul
curentului în bază la tranzistorul bipolar.
Polarizare
Polarizare
• Diagramele de mai sus arată modul de formare al stratului sărăcit,
prin difuzia purtătorilor din regiunea p în canalul de tip n. Astfel, se
formează joncțiunea pn chiar în lipsa unei tensiuni de polarizare.
• Regiunea sărăcită, va produce un gradient de potențial, cu diferite
grosimi în jurul zonei de tip p, ceea ce duce la restricționarea curgerii
curentului prin canal, datorită micșorării suprafeței acestuia, deci
crescând rezistivitatea lui.
• Se observă că dimensiunea zonei sărăcite este între poartă și drenă,
respectiv zona mai puțin sărăcită se află la sursă.
Polarizare
• Dacă poarta se află la potențial nul ( VG = 0 ), și se aplică o tensiune între
drenă și sursă ( VDS ), curentul de saturație maxim ( IDSS ) curge prin canal
între drenă și sursă, fiind restricționat numai de o zonă sărăcită aflată în
jurul zonei de tip p.
• Dacă aplicăm un potențial negativ, adică -VGS , (potențial relativ la sursă)
dimensiunea zonei sărăcite crește, reducând astfel aria efectivă a canalului
și automat curentul între sursă și drenă scade.
• Deoarece joncțiunea pn este polarizată invers, un curent mic va circula și în
poartă. Dacă mărim potențialul negativ aplicat pe poartă, lățimea canalului
se va îngusta până în momentul în care nu mai circulă curent între sursă și
drenă. Acest fenomen se numește “pinched-off” (traducere ! Stors,
sugrumat), similar cu regiunea de blocare de la tranzistorul bipolar.
Tensiunea aplicată se va numi “pinch-off voltage”, ( VP ).

pinched-off = As if squeezed uncomfortably tight (def. cf. WordWeb)

Polarizare
• Acest comportament arată faptul că TECJ se comportă ca un rezistor controlat în
tensiune, ce are rezistența zeros, dacă VGS = 0, respectiv rezistența maximă RDS ,
dacă VGS < 0. În condiții normale de utilizare, poarta unui TECJ se va polariza
negativ comparativ cu sursa.
• Este foarte important, deoarece un potențial pozitiv ar duce la polarizare directă
a joncțiunii pn și neavând un rezistor limitator de curent, se va distruge
tranzistorul.
• Pentru a evita acest lucru se aplică:
• Potențialul pe poartă este nul ( VGS = 0) și VDS este ridicată de la zero.
• Nu se aplică tensiune poartă sursă VDS și poarta este ținută la un potențial ce scade sub zero.
• TECJ cu canal de tip p, operează în același mod singurele diferențe sunt:
1). Curentul prin canal este datorat golurilor,
2). Polaritatea tensiunilor de polarizare trebuie inversate
Caracteristica TECJ
• Tensiunea VGS aplicată porții ca controla curenul dintre
drenă și sursă. (VGS = tensiunea dintre poartă și sursă, VDS =
tensiunea dintre drenă și sursă.)
• Regiunea drenă sursă finnd rezistivă, avem ID = IS .
• Avem 4 zone pe caracteristica curent-tensiune
(caracteristica de ieșire ), adică :
• Regiunea ohmică – Dacă VGS = 0 zona sărăcită este foarte
mică, tranzistorul se comportă ca un rezistor comandat în
tensiune.
• Regiunea de blocare – Este regiunea “pinch-off”, tensiunea
aplicată pe poartă VGS este suficientă pentru închide
canalul, și astfel TECJ se comportă ca un circuit deschis,
rezistența canalului în acest caz fiind maximă.
• Regiunea de saturație – TECJ devine un conductor, cu
valoarea rezistenței dictată de VGS , iar tensiunea drenă
sursă nu mai are efect.
• Regiunea de străpungere – Tensiunea dintre sursă și drenă
este suficient de mare pentru a străpunge canalul, și astfel
curentul poate atinge valori necontrolat de mari.
Caracteristica TECJ calcula curentul de drenă
în regiunea de saturație

• Curbele sun aceleași diferă semnul tensiunilor, respectiv

sensul de creștere al curentului va fi proporțional cu
scăderea potențialului pozitiv aplicat porții.
• Curentul de drenă este nul dacă VGS = VP. Pentru operare
în condiții normale se aplică o tensiune VGS undeva între
VP și 0.
• Valoarea curentului de drenă va fi între 0 și IDSS (curentul rezistența canalului
maxim). Dacă știm curentul ID și tensiunea VDS, găsim
rezistența canalului.
• unde: gm “amplificare de transconductanță”, reprezintă
rata de modificare a curentului prin drenă în funcție de
tesiunea Poartă-Sursă.
Moduri JFET
• La fel ca și la tranzistorul bipolar, fiind un dispozitiv cu trei terminale,
avem trei moduri distincte de operare, ceea ce duce la configurația de
conectare a dispozitivului în circuitul extern, adică:

• Configurație sursă comună (Emitor comun la TB)

• Configurație poartă comună (Bază comună la TB)
• Configurație drenă comună (Colector comun la TB)
Configurație sursă comună
• Intrarea se aplică între poartă și sursă,
respectiv ieșirea va fi între drenă si sursă.
Este cel mai utilizat mod de operare pentru
TECJ, deoarece are impedanță de intrare
foarte mare, amplificare în tensiune mare.
• De regulă o astfel de configurație este
utilizată în amplificatoare pentru audio
frecvență, și preamplificatoare cu impedanță
de intrare mare.
Configurație poartă comună
• Configurația poartă comună are intrarea
conectată între sursă și poartă, respectiv
ieșirea între Drenă și poartă.
Configurația are la ieșire o impedanță
foarte mare, intrarea fiind una cu
impedanță scăzută.
• Această configurație este utilizată de
regulă în circuite de înaltă frecvență, sau
pentru ajustarea impedanțelor între
două etaje.
Configurație drenă comună
• La această configurație poarta este
intrarea, respectiv sursa va fi ieșirea.
Această configurație se mai numește și
“source follower” (urmărește sursa)
având impedanță mare la intrare, mică la
ieșire, respectiv amplificarea este
unitară.
• Este impropriu denumită drenă comună
deoarece, punctul comun va fi un semnal
de masă, drena va fi menținută la o
tensiune constantă, fără a influența
semnalul de intrare.
Relații de calcul pentru polarizare TECJ (SC)
• Deoarece curentul prin poartă este zero
( IG = 0 ) divizorul de tensiune format de
R1 și R2, pentru a ajusta potențialul
porții. Tensiunea pe rezistența din sursă
RS este menținută de regulă la valoare
VDD /4. Astfel, pentru a calcula
tensiunea pe poartă necesară putem
utiliza această valoare RS.
• Curentul de drenă controlat de
potențialul aplicat porții, face utilizarea
TECJ ca și dispozitiv de comutare, sau
rezistor controlat în tensiune.
Tranzistorul MOSFET
Construcție MOSFET

G – poartă
D – drenă
S - sursă
 G – poartă
MOSFET cu canal inițial D – drenă
S - sursă

MOSFET canal de tip N MOSFET canal de tip P

Normal deschis
 G – poartă
MOSFET fără canal inițial D – drenă
S - sursă

MOSFET canal de tip N MOSFET canal de tip P

Normal închis
Caracteristici MOSFET cu canal inițial
• Mai puțin utilizat, normal închis
(conduce dacă VGS = 0 )
• Similar cu TECJ
• Un potențial negativ aplicat pe
poartă, -VGS va sărăci canalul
conductor de tip n, trecând
tranzistorul in stare deschis (nu
conduce). Potențialul pozitiv aplicat
porții va deschide tranzistorul cu
canal de tip p.
• Astfel, dacă avem: +VGS înseamnă mai
mulți electroni, respectiv un curent
mai mare în canal, pe când -VGS va
însemna mai puțini electroni, curent
mic
Caracteristici MOSFET fără canal inițial
• Mai puțin utilizat, normal închis
(conduce dacă VGS = 0 )
• Similar cu TECJ
• Un potențial negativ aplicat pe
poartă, -VGS va sărăci canalul
conductor de tip n, trecând
tranzistorul in stare deschis (nu
conduce). Potențialul pozitiv aplicat
porții va deschide tranzistorul cu
canal de tip p.
• Astfel, dacă avem: +VGS înseamnă mai
mulți electroni, respectiv un curent
mai mare în canal, pe când -VGS va
însemna mai puțini electroni, curent
mic
Stabilirea PSF
Regiunea de blocare
Regiunea de saturație
Exemplu de utilizare
Lampă: V = 6V, P = 24W
Exemplu pentru comandă motor
Exemplu pentru comandă motor