Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
Cap 11 Amplificatoare de Putere
Cap 11 Amplificatoare de Putere
Amplificatoare de putere
+15 V
T1
D1
in
D2
8Ω
T2
-15 V
A. Introducere 120
B. Amplificatoare [n clas` A 121
C. Amplificatoare [n contratimp 123
D. Tranzistoare compuse (duble\i) 134
E. Evacuarea c`ldurii disipate de c`tre tranzistoarele de putere 135
F. Amplificatoare de putere integrate 137
Problem` rezolvat` 143, probleme propuse 146
Lucrare experimental` 147
120 Electronic` - Manualul studentului
A. Introducere
At[ta timp c[t rolul circuitelor este numai s` prelucreze informa\ia, curen\ii sunt de ordinul mA - zeci
de mA, puterile implicate fiind mici, de ordinul zecimilor de W. Tranzistoarele utilizate sunt de mic` putere
(300 mW - 800 mW) iar rezistoarele au puterea nominal` de 125 mW- 500 mW. Din acest motiv, nici nu ne
intereseaz` m`rimea amplific`rii de putere pe care o realizeaz` circuitele iar informa\iile asupra curen\ilor de
intrare ]i de ie]ire se dau, de obicei, prin intermediul impedan\elor de intrare ]i, respectiv, ie]ire.
C[nd circuitele electronice trebuie s` controleze sisteme fizice produc[nd, de exemplu, sunete prin
intermediul difuzoarelor, lumin` cu ajutorul becurilor cu incandescen\` sau deplas`ri mecanice cu actuatoare
piezoelectrice sau servomotoare, puterile implicate sunt mult mai mari, de zeci ]i sute de W. Curen\ii sunt, la
r[ndul lor, mari, de ordinul zecilor de amperi; [n aceast` situa\ie, disipa\ia de putere pe tranzistoare ]i
componentele pasive devine critic` ]i valorile puterilor trebuie calculate cu aten\ie. Amplificatoarele care
realizeaz` aceste func\ii sunt numite amplificatoare de putere. Ele pot fi u]or recunoscute datorit`
capsulelor mari ale tranzistoarelor ]i prezen\ei radiatoarelor cu dimensiuni ajung[nd uneori la zeci de cm, pe
care sunt montate aceste tranzistoare.
Observa\ie: Oricare din etajele de baz` cu tranzistoare amplific` (pe l[ng` tensiune ]i/sau curent)
puterea semnalului de la intrare. Sintagma "amplificator de putere" trebuie [n\eleas` ca "amplificator de
putere mare" ]i se refer` la amplificatoarele care furnizeaz` la ie]ire puteri de la c[\iva W la sute de W.
S` privim (Fig. 11.1) schema bloc a unui lan\ de amplificare ce prime]te semnal de la un microfon (5
mVvv sub o impedan\` [n jur de 100 Ω) ]i trebuie s` furnizeze difuzorului o putere de 60 W. Primul bloc este
preamplificatorul care are o impedan\` de intrare de 47 kΩ ]i amplific` semnalul dat de microfon p[n` la un
nivel de 1 Vvv. Urmeaz` blocul care controleaz` volumul ]i tonul, cu amplificare aproape unitar` [n banda
de trecere. Apoi semnalul este aplicat amplificatorului de putere, cu o impedan\` de intrare de 47 kΩ - 100 k
Ω.
forme de unda 0 0 0
0
ale tensiunilor
1 Vvv 1 Vvv 45 V vv 45 V vv
20 µ A vv 10 mA vv 11 A vv
5 mVvv 60 W sinus
0.1 µ A vv
Puterea pe care o prime]te acesta de la semnal este, deci, numai de ordinul microwa\ilor. {n interiorul
s`u se realizeaz` mai [nt[i o amplificare de tensiune, amplitudinea semnalului ajung[nd la nivelul zecilor de
Cap. 11. Amplificatoare de putere 121
vol\i, dar la curen\i mici. Puterea de 100 W este furnizat` sarcinii de c`tre etajul final comandat de c`tre un
etaj care lucreaz` la puteri medii, numit [n jargon driver (din limba englez`).
Cum P = Vef2 Rs , pentru a putea ob\ine puteri mari cu tensiuni de alimentare rezonabile (sub 100 V),
rezisten\a de sarcin` Rs trebuie s` aib` valoare mic`. De exemplu, difuzoarele de puteri mari au impedan\a
de 4 Ω (cele de puteri medii pot avea ]i impedan\a de 8 Ω). Dac` d`m la o parte solu\ia adapt`rii de
impedan\` prin intermediul transformatorului (datorit` pre\ului, volumului ]i greut`\ii transformatorului)
ajungem la necesitatea ca etajul final s` aib` o impedan\` de ie]ire foarte mic`. Din acest motiv, repetorul pe
emitor (etajul cu colector comun) este un candidat serios pentru aceast` func\ie: la un curent de 1 A el are
impedan\a de ie]ire de numai 25 mΩ. Amplificarea [n tensiune a repetorului este, [ns`, unitar`. {n consecin\`,
amplificarea de tensiune trebuie s` se fac` integral [naintea etajului final. Acesta din urm` va repeta pe
rezisten\a de sarcin` forma de und` primit` la intrare, dar la un curent mult mai mare.
{n acest capitol ne vom concentra aten\ia asupra etajelor finale de putere realizate cu repetoare pe
emitor; de multe ori le vom numi, pentru simplitate, amplificatoare.
Proiectarea unui amplificator de putere mare care s` produc` distorsiuni mici ale semnalului nu este un
lucru simplu ]i nu [l ve\i putea face dup` parcurgerea acestui capitol. Ve\i cunoa]te [ns` principiul de
func\ionare al etajelor de putere, dificult`\ile ]i c`ile de rezolvare ale acestora, ve\i ]ti s` estima\i puterea
maxim` care poate fi ob\inut`, s` alege\i tranzistoarele ]i s` dimensiona\i radiatoarele. De cele mai multe ori,
nici nu va merita s` v` construi\i singuri amplificatorul de putere, ve\i prefera s` cump`ra\i unul "gata
realizat"' sub form` de circuit integrat.
B. Amplificatoare [n clas` A
Circuitul din Fig. 11.2 a) con\ine dou` repetoare pe emitor realizate cu tranzistoare complementare:
primul tranzistor este PNP, pe c[nd al doilea este NPN. Astfel, emitorul lui T1 urm`re]te varia\iile
poten\ialului intr`rii, fiind [n orice moment mai sus cu 0.6 V dec[t aceasta. {n continuare, emitorul lui T2,
urm`re]te poten\ialul emitorului lui T1 dar cu 0.6 V mai jos. {n consecin\`, poten\ialul ie]irii este [n orice
moment egal cu poten\ialul intr`rii, elimin[ndu-se decalajul de 0.6 V inerent unui repetor cu un singur
tranzistor.
{n repaus (cu intrarea la 0 V) poten\ialul ie]irii este nul; [n consecin\` difuzorul poate fi legat direct,
f`r` condensator. Curentul de repaus al tranzistorului de putere T2, curent ce curge prin RE c`tre alimentarea
negativ`, are o valoare mare, de 3.75 A. {n emitorul lui T1, [n locul unui rezistor a fost utilizat` o surs` de
curent, astfel [nc[t tranzistorul T2 s` aib` suficient curent [n baz` chiar ]i atunci c[nd poten\ialul bazei se
apropie de +15 V. Pentru ca tensiunea pe difuzor s` poat` lua ambele polarit`\i, montajul este alimentat de la
o surs` dubl`, tensiunea negativ` fiind de -30 V.
Valoarea maxim` pe care o poate lua poten\ialul ie]irii este aproximativ +15 V (tranzistorul T2
aproape de satura\ie); [n aceast` situa\ie, prin difuzor circul` un curent de v[rf de aproximativ 1.9 A, venind
din emitorul lui T2 (desenul b). {n plus, emitorul tranzistorului mai trebuie s` debiteze 5.6 A, care constituie
curentul prin rezisten\a RE .
122 Electronic` - Manualul studentului
100 mA
T2
T2 T2 tranzistor blocat
0
1.9 A 1.9 A
in ≈ +15 V -15 V
T1 5.6 A 1.9 A
0 RE RE RE
8Ω 8Ω 8Ω 8Ω
difuzor 8Ω difuzor 8Ω difuzor
-30 V -30 V -30 V
a) b) c)
Fig. 11.2. Etaj de putere [n clas` A (a) ]i curen\ii la extremit`\ile excursiei tensiunii de ie]ire (b ]i c).
Poten\ialul ie]irii ajunge la valoarea minim` atunci c[nd tranzistorul T2 este blocat, ca [n desenul c).
Acum de la mas` circul` un curent de aproximativ 1.9 A prin difuzor ]i rezisten\a RE , poten\ialul ie]irii
ajung[nd la -15 V. Apare clar rolul sursei de alimentare de -30 V ]i al rezisten\ei RE , egal` cu rezisten\a
difuzorului. Ele absorb curent din difuzor deoarece
Pentru ca excursia de tensiune de la ie]ire s` fie c[t mai mare, punctul de func\ioare al tranzistorului a
fost ales departe at[t de regimul de blocare c[t ]i de regimul de satura\ie, tranzistorul conduc[nd [n
permanen\`. Un asemenea amplificator de putere se nume]te amplificator [n clas` A. Estim`m [n continuare
puterile implicate [n func\ionarea acestui amplificator. La un semnal sinusoidal de amplitudine maxim` (15
V), puterea medie care ajunge pe difuzor este
2
uef 152 V 2
Ps = = = 14 W .
Rs 2⋅8 Ω
Observa\ie: pentru formele de und` sinusoidale (]i numai pentru ele) valoarea efectiv` este
amplitudinea (valoarea de v[rf) [mp`r\it` la 2 .
S` vedem ce se [nt[mpl` [n repaus (poten\ial nul la intrare). }i la ie]ire poten\ialul este nul, astfel [nc[t
prin rezisten\a RE curge spre mas` un curent de 3.75 A care vine din emitorul tranzistorului (prin difuzor
curentul e zero, ambele borne fiind la acela]i poten\ial). Astfel, [n repaus, pe tranzistor se disip` puterea
iar pe rezistorul RE
Aceast` putere total` de 168 W este furnizat` de sursele de alimentare ]i se poate ar`ta c` [n prezen\a
semnalului sinusoidal, puterea consumat` de la sursele de alimentare este tot 168 W, indiferent de
Cap. 11. Amplificatoare de putere 123
amplitudinea semnalului. Este mult, prea mult pentru a ob\ine pe sarcin` o putere util` de numai 14 W;
randamentul este numai de 8.3 %. Chiar dac` pierderea de energie nu ne deranjeaz` financiar, m`surile care
trebuie luate pentru [ndep`rtarea c`ldurii disipate pe tranzistoare ]i men\inerea lor la o temperatur` sigur`
(radiatoare mari ]i grele, ventilatoare, r`cire cu ap`) vor cre]te nejustificat complexitatea ]i pre\ul
amplificatorului. De exemplu, un rezistor care s` disipe peste 100 W are lungimea de aproape 20 cm ]i un
diametru [n jur de 3 cm ! Ca s` [n\elege\i de ce este a]a, aminti\i-v` c` un termo-plonjon cu care pute\i fierbe
apa [ntr-o can` are, de regul`, o putere nominal` de numai 40-60 W.
{n concluzie, pentru etajul de putere [n clas` A din Fig. 11.2 bilan\ul de putere este dezastruos.
Modificarea circuitului de ie]ire astfel [nc[t sarcina s` fie cuplat` prin transformator m`re]te randamentul
etajului dar este incomod` din cauza dezavantajelor legate de transformator (volum ]i greutate mari, pre\
ridicat, etc.). Astfel,
datorit` randamentului sc`zut, amplificatoarele de putere [n clas` A sunt utilzate numai la puteri mici.
C. Amplificatoare [n contratimp
Dac` [n circuitul din Fig. 11.2 a) am fi mul\umi\i ca pe sarcin` s` ajung` doar semialternan\ele pozitive
ale semnalului de intrare, tranzistorul T2 ar putea s` rezolve el singur aceast` func\ie ]i rezisten\a RE ar
putea fi [ndep`rtat`. {n consecin\`, disipa\ia de putere [n repaus ar fi eliminat` deoarece [n repaus sarcina nu
absoarbe curent.
Pentru ca pe sarcin` s` ajung` ]i semialternan\a negativ`, dinspre ea trebuie absorbit curent. Un repetor
pe emitor cu tranzistor NPN nu poate face acest lucru dar unul cu tranzistor PNP numai a]a ceva poate s`
fac`. Ajungem, astfel, la ideea etajului [n contratimp din Fig. 11.3 a).
8Ω 8Ω 8Ω
difuzor difuzor difuzor distorsiune
de trecere
prin zero
-15 V -15 V -15 V
a) b) c) d)
Fig. 11.3. Etajul de putere [n contratimp (a), func\ionarea sa pe semialternn\a pozitiv` (b), pe semialternan\a
negativ` (c) ]i distorsiunile de trecere prin zero (d).
Tranzistoarele sunt deschise alternativ, c[nd unul este deshis cel`lalt fiind blocat, a]a cum se vede [n
desenele b) ]i c) ale figurii; de aici vine ]i numele etajului. {n limba englez` el are o denumre ]i mai colorat`,
124 Electronic` - Manualul studentului
"push-pull" ([mpinge- trage), denumire ce ne trimite cu g[ndul la ursule\ii lui Disney care [nv`\au s` taie cu
joag`rul.
{n repaus, c[nd poten\ialul intr`rii este nul, ambele tranzistoare sunt blocate, deoarece tensiunle lor
baz`-emitor sunt nule. Astfel, ]i disipa\ia de putere este nul` [n repaus. Regimul de func\ionare [n care [n
repaus ambele trazistoare sunt blocate, este cunoscut sub numele de clas` B. Acest mod de func\ionare
prezint`, [ns`, un dezavataj
major, care provine din puternica V in (V)
neliniaritate a caracteristicii de -4.0 -2.0 0.0 2.0 4.0
0.5
transfer IC = f (VBE ) . Chiar ]i
dup` introducerea rezisten\ei de
sarcin` [n calea curentului de I out (A) IC1
emitor, caracteristica de transfer timpul
r`m[ne neliniar` la tensiuni mici, 0.0
-I C2
a]a cum se poate constata pe
desenul din Fig. 11.4. Curentul
de ie]ire Iout este diferen\a celor
doi curen\i de colector, dar cum -0.5
unul e nul c[nd cel`lat e diferit de
zero, el se ob\ine simplu din
evolu\iile celor doi curen\i.
Dac` semnalul de intrare
nu iese din intervalul (-0.6 V -
timpul
+0.6 V) nici unul dintre
tranzistoare nu conduce ]i Fig. 11.4. Caracteristica de transfer a etajului [n contratimp din
semnalul la ie]ire este nul. {n Fig. 11.3.
consecin\`
semnalele cu amplitudini mai mici de 0.6 V nu reu]esc s` aduc` [n conduc\ie tranzistoarele ]i, [n consecin\`,
nu ajung la ie]irea amplificatorului.
C[nd semnalul are ampltudini mai mari, o versiune a lui ajunge la ie]ire, cu amplitudine mai mic` cu
0.6 V dec[t cel original ]i cu distorsionarea formei [n regiunile apropiate de nivelul zero a]a cum se vede pe
desenul d) al figurii 11.3. Deoarece tensiunea pe sarcin` este propor\ional` cu valoarea curentului Iout , cauza
acestui fenomen este neliniaritatea caracteristicii de transfer din Fig. 11.4. Aceste distorsiuni sunt cunoscute
ca distorsiuni de trecere prin zero sau de racordare (cross-over [n limba englez`). Ele sunt cu at[t mai
deranjante cu c[t semnalul are amplitudini mai mici, sub 0.6 V semnalul nemaiajung[nd la ie]ire.
Solu\ia pentru diminuarea acestei distorsiuni este polarizarea tranzistoarelor, astfel [nc[t ele s` fie
incipient [n conduc\ie [n absen\a semnalului. {n schema de principiu din Fig. 11.5 a), au fost introduse dou`
surse de tensiune, ajustate la o valoare apropiat` de aceea a punctelor de fr[ngere de pe caracteristica din
Fig. 11.4. Poten\ialele celor dou` baze sunt acum decalate fa\` de poten\ialul intr`rii Vin , deplas[nd pe axa
tensiunilor caracteristicile de transfer ale celor dou` tranzistoare, a]a cum se vede [n desenul b) al figurii.
Efectu[nd acum diferen\a Iout = I C1− I C 2 , se constat` liniarizarea caracteristicii de transfer pe domeniul
din jurul lui Vin = 0 .
Cap. 11. Amplificatoare de putere 125
V in (V)
-4.0 -2.0 0.0 2.0 4.0
+15 V 0.5
I (A) I C1
≅ 0.6 V +-
I C1 I out
Vin
I C2 0.0
+
≅ 0.6 V - I out -IC2
8Ω
difuzor
-15 V
-0.5
a) b)
Fig. 11.5. Schema de principiu a etajului [n contratimp [n clas` AB (desenul a) ]i caracteristica sa de transfer
(desenul b)
O variant` de circuit care realizeaz` aceast` intrare incipient` [n conduc\ie a tranzistoarelor este
prezentat` [n Fig. 11.6 a). C`derea de tensiune pe diode este suficient` pentru aducerea tranzistoarelor [n
pragul deschiderii. Curentul de repaus curge de la alimentarea pozitiv` la cea negativ` prin ambele
tranzistoare. Acest regim de func\ionare, [n care tranzistoarele sunt par\ial [n conduc\ie [n starea de repaus,
este cunoscut drept clas` de func\ionare AB.
+15 V
+15 V R1
470 Ω
R
M T2
M
T1
D1 R2 R3
in 50 Ω 1Ω
D2 D1 R4
8Ω 8Ω
T2 1Ω
D2
R N T3 N
-15 V T1
-15 V
a) b) c)
Pentru [mbun`t`\irea stabilit`\ii termice, metoda este cea discutat` la Cap. 8: introducerea unei
rezisten\e [n emitor. Nu trebuie s` crede\i c` aceast` rezisten\` exist` deja, fiind furnizat` de sarcin` (difuzor):
curentul de repaus nu curge prin sarcin` ci prin tranzistoare. A]a c` trebuie s` introducem ni]te rezisten\e
chiar [n emitoarele tranzistoarelor, ca [n Fig. 11.6 b). Ele vor mic]ora tensiunea de ie]ire (form[nd un divizor
cu rezisten\a de sarcin`) ]i vor face s` pierdem o putere care, altfel, ar fi fost utilizat`. Din acest motiv, aceste
rezisten\e trebuie s` fie mici, 0.2 Ω - 0.47 Ω fiind valorile uzuale pentru difuzoare de
4 Ω- 8 Ω.
Tensiunea continu` pierdut` [n repaus pe aceste rezisten\e trebuie furnizat` suplimentar de circuitul de
polarizare; acest lucru [l face rezisten\a ajustabil` R2 . Cu ajutorul ei se regleaz` curentul de repaus la o
valoare care trebuie s` fie suficient de mare pentru a elimina distorsiunile de trecere prin zero, dar destul de
mic` pentru ca disipa\ia de putere [n repaus s` fie acceptabil`. Pentru [mbun`t`\irea stabilit`\ii termice, cele
dou` diode se pot monta [n contact termic cu tranzistoarele de putere. Astfel, [nc`lzirea exagerat` a acestora
scade tensiunea care cade pe fiecare din ele (cu 2 mV pe grad, v` mai aminti\i ?) ]i mic]oreaz` curentul de
repaus al tranzistoarelor.
Circuitul cu diode ]i rezistor este simplu, dar prezint` un inconvenient: datorit` rezistorului R2
rezisten\a dinamic` a grup`rii serie este mare ]i [n bazele tranzistoarelor etajului [n contratimp (punctele M
]i N) varia\iile de tensiune nu vor fi perfect egale.. {n consecin\`, la ie]ire, semialternan\a pozitiv` va avea o
amplitudine mai mic` dec[t cea negativ`. Pentru ob\inerea unei rezisten\e dinamice mai mici, [n locul
circuitului cu dou` diode ]i o rezisten\` se poate utiliza montajul din desenul c), cunoscut sub numele de
superdiod`. Impedan\a [ntre bazele tranzistoarelor poate fi redus` ]i mai mult prin legarea unui condensator
[n paralel pe superdiod`.
{n circuitul din Fig. 11.6 b) tranzistorul T1 este cel care excit` etajul [n contratimp (func\ie numit`
driver [n limba englez`) furniz[nd ]i o amplificare de tensiune. Rezistorul R 1 func\ioneaz` pentru el ca
rezisten\` de colector ]i, [n acela]i timp, asigur` polarizarea etajului final. Prin ajustarea sa fin` se poate regla
la zero poten\ialul de repaus al ie]irii.
+V A +V A +V A
0 0 0
a) b) c)
Fig. 11.7. Tensiunea de ie]ire sinusoidal` de amplitudine maxim` posibil` (a) ]i apari\ia distorsiunilor
de limitare [n cazul [n care poten\ialul de repaus nu este stabilit la zero (b), sau amplitudinea dep`]e]te
valoarea maxim`.
Cap. 11. Amplificatoare de putere 127
poten\ialul de repaus al ie]irii trebuie s` fie exact la jum`tate [ntre cele dou` poten\iale de alimentare.
Dac` punctul de func\ionare nu a fost stabilit corect, sinusoida sufer` distorsiuni de limitare (desenul
b al figurii). Distorsiuni de acela]i tip apar [ntodeauna c[nd amplitudinea sinusoidei dep`]e]te valoarea V A ,
a]a cum se vede [n desenul c). {n consecin\`, limita superioar` a puterii semnalului sinusoidal (nedistorsionat)
care poate fi produs pe sarcin` este determinat` de valorile tensiunilor de alimentare. Aceast` limit` are
valoarea
2
vout ef V A2
Pmax = =
Rs 2 Rs . (11.1)
Dac` not`m cu Valim tensiunea total` [ntre firele de alimentare (Valim = +V A − ( −V A ) = 2V A [n cazul de
care ne ocup`m acum), puterea maxm` se scrie ca
V2
Pmax = alim (11.2)
8 Rs
λ2V A2
Pu = . (11.3)
2 Rs
λV A FG
t IJ
IC ( t ) =
Rs
sin 2 π
TH K (11.4)
Acest curent este debitat de surs` sub tensiunea constant` V A , a]a c` puterea medie pe semialternan\a
pozitiv` este
1
z
T 2
2λV A2
T 2
z FG tIJ 2V 2
dt = A
Pm + =
T 2
0
V A I C ( t ) dt =
TRs
0
sin 2 π
H T K πRs
(11.5)
Pe semialternan\a negativ` curentul este absorbit de la sarcin` prin tranzistorul PNP spre alimentarea
negativ` ]i are aceea]i dependen\` de timp (11.4). Rezult` c` ]i pe semialterna\a negativ` vom avea aceea]i
128 Electronic` - Manualul studentului
putere medie absobit`, de data aceasta de la sursa de alimentare negativ`. {n consecin\a, puterea medie
consumt` de la surse este
2λV A2
Pc = . (11.6)
πRs
Randamentul amplificatorului este dat de raportul [ntre puterea util` (care este furnizat` sarcinii) ]i
puterea consumat` (absorbit` de la sursele de alimentare), av[nd valoarea
P π
η= u =λ (11.7)
Pc 4
Dar aceast` amplitudine nu poate cre]te dec[t p[n` la V A , altfel apar distorsiuni de limitare. Avem, astfel, o
valoarea maxim` a randamentului pentru tensiune de ie]ire sinusoidal` nedistorsionat`. Pun[nd λ = 1
[n formula precedent`, ob\inem aceast` valoare maxim` ca fiind
π
ηmax = = 78.5 % (11.8)
4
Pentru proiectant este mult mai important s` ]tie raportul [ntre puterea disipat` pe tranzistoare ]i
puterea util`, pentru a putea estima puterea disipat` ]i a dimensiona radiatoarele. {n condi\iile [n care este
valabil` rela\ia precedent`, acest raport este
Pdis 1 − ηmax
= ≅ 27 % . (11.8')
Pu ηmax
Nu trebuie s` uitam c` randamentul din rela\ia (11.8), numit, pentru simplitate, [n toate textele,
randamentul amplificatorului [n contratimp, este randamentul ob\inut cu semnal sinusoidal maxim,
nedistorsionat. {n plus, el este calculat [n ni]te condi\ii foarte idealizate. Mai [nt[i s-a presupus c` tensiunea
de satura\ie a tranzistoarelor este nul`; la curen\i mari aceasta dep`]e]te chiar 1 V, a]a c` amplitudinea
semnalului la ie]ire nu ajunge la V A . Un alt lucru pe care l-am neglijat este curentul de repaus al
tranzistoarelor, amplificatoarele practice lucr[nd [n clas` AB. De asemenea, o pierdere suplimentar` de putere
are loc pe rezisten\ele din emitoare, care au fost introduse pentru asigurarea stabilit`\ii termice. {n concluzie,
valoarea randamentului din rela\ia precedent` nu este atins` niciodat`. Randamentul maxim, pentru un etaj
anumit, se ob\ine ]i se m`soar` la un semnal de ie]ire de amplitudine maxim`, [nc` nedistorsionat.
Distorsiuni de neliniaritate
Cap. 11. Amplificatoare de putere 129
Din figur` se poate constata, de asemenea, c` raportul [ntre amplitudinea armonicei de ordinul trei ]i aceea a
fundamentalei este de aproximativ 1 % ]i c` amplitudinea armonicelor scade cu cu c[t ordinul lor este mai
ridicat; cea de ordinul cinci este doar 0.72 % din fundamental`.
Se poate defini c[te un coeficient de distorsiune armonic` pentru fiecare dintre armonice, cu rela\ii de
tipul
v v03 v
D2 = 02 , D3 = , D4 = 02 , ... (11.9)
v01 v01 v01
2 2 2
v02 + v03 + v04 + ...
D= (11.10)
v01
Necesitatea de a utiliza dou` surse de alimentare (ambele de curent mare) este un dezavantaj al
amplificatorului [n contratimp discutat p[n` acum. Putem s` modific`m circuitul, ca [n
Fig. 11.9, aliment[ndu-l de la o singur` surs`, cu tensiunea Valim = 2V A . Poten\ialul de repaus al punctului P
trebuie s` se g`seasc` la jum`tatea tensiunii de alimentare, adic` la Valim 2 , ]i el evolueaz` [n timp
aproximativ [ntre Valim ]i zero. De data aceasta sarcina nu mai poate fi conectat` direct, ci prin intermediul
unui condensator care blocheaz` componenta continu`. Cu c[t frecven\ele de lucru ]i rezisten\a de sarcin` Rs
sunt mai mici, valoarea necesar` a condensatorului cre]te, ea trebuind s` [ndeplineasc` condi\ia
1
Cout >>
2π f min Rs . (11.11)
Cap. 11. Amplificatoare de putere 131
2
Valim
Pmax = (11.12)
8 Rs
Fig. 11.9. Amplificator [n contratimp
alimentat de la o singur` surs`.
constant. Colectorul driverului vede acum ceva similar unei surse de curent constant ]i [ntreaga varia\ie a
curentului s`u merge [n baza tranzistorului.
V alim V alim
R C1 +30 V +30 V
CBT 24 Ω
180 Ω
Q +
R C2 T4
180 Ω
12 k
T2 T2
R2 R2
50 Ω 50 Ω
P P
D1 D1
D2 D2
T3 T3
driver driver
T1 T1
a) b)
Fig. 11.10. Cre]terea impedan\ei v`zute de colectorul driverului prin metoda bootstrap (a) ]i cu surs` de
curent (b).
Aceasta este doar un mod de a vorbi, deoarece pentru deschiderea tranzistorului de putere varia\ia
curentului driverului este negativ` ([n extremis el se blocheaz`). Curentul de baz` necesar pentru tranzistorul
de putere vine prin RC2 . De]i aceast` rezisten\` este acum de valoare mare, acest curent are valoarea
necesar` pentru c` poten\ialul punctului Q urc` deasupra poten\ialului aliment`rii. Aceast` minune o
realizeaz` condensatorul de bootstrap care o valoare at[t de mare [nc[t tensiunea pe el r`m[ne practic
constant`. Dac` RC1 = RC 2 , poten\ialul punctului Q ajunge la +1. 25 ⋅ Valim . {n acest fel, tranzistorul de
putere T2 este adus [n satura\ie ]i poten\ialul punctului M urc` la nivelul maxim posibil, foarte aproape de
Valim .
O a doua solu\ie, care evit` necesitatea unui condensator suplimentar, este utilizarea unei surse de
curent drept sarcin` pentru tranzistorul driver (Fig. 11.10 b). Curentul acestei surse trebuie stabilit pu\in mai
mare dec[t curentul necesar [n baza tranzistorului de putere, de exemplu tot 25 mA ca [n cazul metodei
bootstrap. Conectarea unei surse de curent [n colectorul unui tranzistor (care se comport` el [nsu]i ca o surs`
de curent) nu este a]a de simpl` cum pare la prima vedere: o diferen\` extrem de mic` [ntre curen\ii
programa\i ai celor dou` surse duce tranzistorul fie [n satura\ie fie [n blocare a]a cum se poate constata [n
planul caracteristicilor sale de ie]ire din Fig. 11.11 b). Chiar dac` cele dou` intensit`\i au fost minu\ios
reglate, deriva termic` va duce cu siguran\` tranzistorul fie [n satura\ie, fie [n blocare. Rezolvarea acestei
dificult`\i se face printr-o bucl` de reac\ie negativ` global` care compar` tot timpul tensiunea la ie]ire,
Cap. 11. Amplificatoare de putere 133
mediat` pe termen lung, cu Valim 2 ]i deschide mai mult sau mai pu\in tranzistorul, pentru a asigura
egalitatea. Medierea pe termen lung este necesar` pentru ca bucla de reac\ie s` nu "vad`" varia\iile rapide
datorate semnalului, reac\ion[nd astfel numai la deriva lent` a punctului de repaus. {n Fig. 11.10 b) bucla de
reac\ie nu a fost reprezentat`.
IC (mA) IC (mA)
10 10
dreapta de sarcina
8 8
M
P
6 Q 6 Q
R
4 N 4
caracteristica sursei
2 2 de curent
0 0
0 2 4 6 8 10 0 2 4 6 8 10
VCE (V) VCE (V)
a) b)
Fig. 11.11. Cu rezisten\` [n colector, deriva termic` duce punctul de func\ionare al tranzistorului din Q
[n M sau [n N (a); cu surs` de curent [n colector, deriva termic` duce tranzistorul [n satura\ie (punctul
P) sau sursa de curent [n satura\ie (punctul R).
Deoarece etajul final are amplificarea de tensiune unitar`, ]i etajul pilot este obligat s` lucreze cu
excursii mari de tensiune la ie]ire; pentru a duce aproape de satura\ie tranzistorul final PNP (T3 din
Fig.11.10), tranzistorul driver T1 trebuie el [nsu]i s` se apropie de satura\ie, iar pentru a aduce puternic [n
conduc\ie tranzistorul final NPN T2 , driverul trebuie s` se apropie de blocare. Astfel, curentul de colector al
lui T1 evolueaz` [ntr-un domeniu foarte larg.
Deoarece caracteristica de transfer a
tranzistorului este puternic neliniar`
VBE VT vin v er = vin -v r difuzor
IC = I s e , etajul pilot va introduce el v out = A 0 v er
[nsu]i distorsiuni de neliniaritate. {n plus, +_ A0
lucrurile sunt agravate de faptul c` etajul final
se comport` ca o sarcin` neliniar`. ~ R1
Vom vedea mai t[rziu c` dac` produsul B A0 este mult mai mare dec[t unitatea, semnalul de reac\ie este
practic egal cu cel de intrare. {n consecin\`, semnalul de ie]ire va avea aceea]i form` cu cel de intrare. {n
plus, configura\ia permite "programarea" comod` a amplific`rii cu reac\ie prin modificarea raportului celor
dou` rezisten\e R 1 ]i R 2 .
{n amplificatoarele de mare putere, etajul final [n contratimp este realizat, de regul`, cu tranzistoare
compuse.
C E
C
B
T1 T2 B
T2
T1
B
T1
T2
E
E C
0.6 V
+
-
+ +
1.2 V 0.6 V
- -
Fig. 11.13. Dubletul Darlington (a) ]i dubletul Darlington complementar sau Sziklai (b).
Tranzistoarele din varianta prezentat` [n Fig. 11.13 a) s[nt legate [n conexiune Darlington, dubletul
fiind echivalent cu un tranzistor NPN care are factorul β egal cu produsul factorilor individuali. Cum
tranzistorul T1 este unul de putere mai mic`, el are factorul β mare. Tensiunea de deschidere a acestui
tranzistor compus este [ns` dubl` fa\` de a unui singur tranzistor, fiind aproximativ 1.2 V. De asemenea,
tensiunea sa de satura\ie este mai mare, dep`]ind 0.6 V.
Cap. 11. Amplificatoare de putere 135
Dubletul, a]a cum a fost desenat, ac\ioneaz` ca un tranzistor lent, deoarece tranzistorul T1 nu poate
bloca rapid tranzistorul T2, neput[nd desc`rca spre mas` capacitatea sa dintre baz` ]i emitor. Deficien\a este
[nl`turat` prin ad`ugarea unui rezistor [ntre baza ]i emitorul lui T2, desenat punctat [n figur`. {n plus, acest
rezistor nu permite curentului rezidual al lui T1, (care este de nanoamperi pentru tranzistoarele de mic`
putere dar ajunge la sute de microamperi pentru cele de mare putere) s` deschid` tranzistorul T2. Din acest
motiv, valoarea acestei rezisten\e este de c[\iva kΩ [n duble\ii de mic` putere ]i de sute de Ω [n duble\ii de
putere mare. {n afara amplificatoarelor de putere, duble\ii Darlington mai sunt utiliza\i [n stabilizatoare de
tensiune ]i repetoare pe emitor cu impedan\` de intrare foarte mare.
Conexiunea din desenele b) ]i c) este cunoscut` sub numele de "Darlington complementar" , "super
G" sau Sziklai. Dubletul din desenul b) este echivalent cu un tranzistor NPN cu factorul de amplificare egal
cu produsul factorilor individuali. Tensiunea de deschidere este acum egal` cu aceea a unui singur tranzistor,
dar tensiunea de satura\ie continu` s` r`m[n` mare. Din acelea]i considerente ca la conexiunea Darlington,
este bine s` se conecteze un rezistor [ntre baza ]i emitorul tranzistorului T2. Trebuie s` observ`m c` acest tip
de dublet "schimb`" tipul tranzistorului de putere: [n desenul b) tranzistorul T2 este PNP iar dubletul este
echivalent cu un tranzistor NPN.
Utilitatea dubletului super G se bazeaz` [n special pe aceast` proprietate: din considerente tehnologice,
tranzistoarele de mare putere NPN s[nt mai u]or de realizat dec[t cele PNP ]i atunci, [n etajele [n contratimp,
tranzistorul PNP este [nlocuit cu un dublet super G, ca [n desenul c), [n timp ce pentru tranzistorul NPN se
utilizeaz` un dublet Darlington.
Datorit` puterii disipate, structura tranzistorului de putere se [nc`lze]te. Tranzistoarele cu siliciu pot
func\iona la o temperatur` maxim` θ j de 200oC dac` sunt [n capsul` metalic` ]i de 150oC dac` au capsul`
de plastic. Func\ionarea [ndelungat` la temperatur` apropiat` de cea maxim` le scurteaz`, [ns`, via\a; astfel,
prin proiectare trebuie s` li se asigure o temperatur` ce nu dep`]e]te 125-150 oC.
Transferul termic [ntre dou` corpuri [ntre care exist` o diferen\` de temperatur` ∆θ este caracterizat de
rezisten\a termic` a mediului ce asigur` contactul termic [ntre corpuri, definit` prin
∆θ
Rth = (11.13)
P
unde P este puterea transmis` (cantitatea de c`ldur` schimbat` [ntr-o secund`). Rezisten\a termic` se
m`soar` [n oC W . Pentru a putea transmite c`ldura [ntre dou` corpuri [n condi\iile unei diferen\e mici de
temperatur`, rezisten\a termic` trebuie s` fie c[t mai mic`.
Din acest motiv, rezisten\a termic` Rth j − c [ntre jonc\iunea tranzistorului ]i capsula sa se face c[t mai
mic`, terminalul colectorului fiind, de regul`, legat ]i electric la capsula tranzistorului. Pentru tipul de capsul`
TO 3, la care cataloagele dau o putere disipat` maxim` de peste 100 W, rezisten\a termic` [ntre jonc\iune ]i
capsul` este de 1.5 oC/W. Aceasta [nseamn` c` la o disipa\ie de 100 W, jonc\iunea tranzistorului va fi cu
150o C mai fierbinte dec[t capsula.
Dac` miz`m pe transmiterea c`ldurii de la capsul` la aerul [nconjur`tor, rezultatul va fi un dezastru
deoarece aerul este un foarte prost conductor termic. L`sat` pur ]i simplu [n aer, capsula va prezenta fa\`
de aerul ambiant o rezisten\` termic` de ordinul a 75 oC/W. C[nd acela]i flux de energie, sub form` termic`,
str`bate pe r[nd dou` corpuri, rezisten\ele lor termice se adun`, a]a cum fac rezisten\ele electrice la gruparea
serie a rezistoarelor. L`s[nd capsula [n aer, rezisten\a termic` total` jonc\iune-ambiant va fi [n jur de
136 Electronic` - Manualul studentului
1.5 oC/W + 75 oC/W ≅ 75 oC/W ceea ce [nseamn` c` pentru a disipa 100 W capsula ar trebui s` fie cu mii de
grade mai fierbinte dec[t ambiantul. Structura tranzistoului se va pulveriza [ns` cu mult [nainte, undeva peste
200o C. Pe de alt` parte, dac` stabilim temperatura jonc\iunii la o valoare de siguran\` de 150o C ]i avem o
temperatur` ambiant` de 25o C tranzistorul nostru de 100 W nu va putea s` disipe dec[t 1.7 W !
Dac` privi\i cu aten\ie [n cataloagele [n care se scrie, de exemplu, c` la tranzistoul 2N3055 puterea
disipat` maxim` este de 117 W, ve\i g`si o precizare: "la o temperatura a capsulei de 25o C". A]a cum am
v`zut, datorit` faptului c` aerul este un foarte prost conductor termic, men\inerea capsulei la aceast`
temperatur`, atunci c[nd trebuie disipat` o putere de 100 W, este o problem` tehnologic` extrem de dificil`.
Pentru a [n\elege acest lucru, g[ndi\i-v` c` trebuie s` men\ine\i temperatura unui termoplonjon de putere mare
(cele de putere mic` au numai 40-60 W) la 25o C, cu 12o sub temperatura corpului dumneavoastr` !
Sc`derea rezisten\ei termice se poate face prim m`rirea suprafe\ei de contact. {n plus, aerul este un
fluid ]i curen\ii de convec\ie, dac` apari\ia lor este favorizat`, pot s` contribuie semnficativ la transmiterea
c`ldurii. Din aceste motive, tranzistoarele de putere se monteaz` pe ni]te dispozitive metalice, numite
radiatoare. Montarea capsulei pe radiator trebuie s` se fac`, [ns`, izolat electric; ]aiba izolatoare [mpreun`
cu pasta conductoare termic (care se pune [ntre capsul` ]i ]aiba ]i [ntre ]aib` ]i radiator) ofer` un contact
termic rezonabil de bun, cu o rezisten\` termic` Rth c − r [n jur 0.3 oC/W.
Rezisten\a termic` [ntre radiator ]i aer, Rth r − amb , depinde de forma, m`rimea ]i modul de montare a
radiatorului. O parte din c`ldur` este transmis` aerului prin conductie termic` (posibilitatea mi]c`rii verticale
a aerului este esen\ial`) iar cealalt` este evacuat` prin radia\ie (de aceea suprafa\a radiatoarelor se [negre]te).
La tranzistoarele de putere mic` se pot ata]a radiatoare de forma unor stegule\e, care ofer` rezisten\e termice
Rth r − amb [n jur de 70 oC/W, mai mici dec[t cele [ntre capsula tranzistorului, de suprafa\` mic`, ]i aer.
Pentru tranzistoarele de putere medie (6 - 10 W), se utilizeaz` radiatoare din tabl` cu c[teva aripioare, cu
lungimea total` [n jur de 2 cm, care ajung la rezisten\e termice Rth r − amb de aproximativ
20 oC/W. {n sf[r]it, pentru tranzistoarele de putere mare, cum sunt cele de 115 W din capsula TO3, se
utilizeaz` radiatoare turnate, cu un profil ce con\ine multe aripioare, pentru m`rirea suprafe\ei de contact.
C[nd dimensiunile acestor radiatoare ajung pe la 12 cm x 7.5 cm x 6.5 cm, rezisten\a termic` Rth r − amb
coboar` la aproximativ 1oC/W.
Chiar cu un asemenea radiator de dimensiuni mari, rezisten\a termic` total` [ntre jonc\iune ]i ambiant
nu este mai mic` de 2.5 oC/W ]i, la o putere disipat` de 100 W, jonc\iunea ar fi mai fierbinte cu 250o C dec[t
aerul [nconjur`tor. {n aceast` situa\ie, [n locul cre]terii suplimentare a dimensiunilor radiatorului se iau [n
considera\ie ]i alte solu\ii tehnologice: ventila\ia for\at` a radiatorului (cu un ventilator) sau, [n extremis,
r`cirea sa cu ap`, prin intermediul unor conducte care [l str`bat.
{n Fig. 11.14 am reprezentat harta temperaturilor pentru un sistem tranzistor-radiator [n condi\iile [n
care puterea care trebuie disipat` este de numai 20 W iar capsula tranzistorului este una de tip TO3. {n aceste
condi\ii, jonc\iunea tranzistorului este mai cald` cu 20 W ⋅1.5o C W = 30o C dec[t capsula tranzistorului. Pe
de alt` parte, capsula va fi mai cald` dec[t radiatorul cu 20 W ⋅ 0.3o C W = 6o C .
Cap. 11. Amplificatoare de putere 137
20 W
146 o C
116 o C
110 o C
30 o C
Fig. 11.14. Temperaturile jonc\iunii, capsulei, radiatorului ]i mediului ambiant pentru un tranzistor [n capsul`
TO3 care disip` 20 W.
{n proiectare, dac` dorim ca temperatura jonc\iunii s` fie sub 150o C la o disipa\ie de 20 W, va trebui
s` men\inem radiatorul sub 150o C - 36o C = 114o C. Rezult`, de aici, rezsten\a termic` maxim admis` [ntre
radiator ]i ambiant
θ j max − θ amb
Rth r − amb ≤ − Rth j − c − Rth c − r =
P . (12.14)
5. 7 oC W − θ amb 20 W
Vom lua [n consdera\ie cel mai defavorabil caz pentru temperatura ambiant`, reprezentat de valoarea ei
maxim`; de exemplu, pentru 40o C ob\inem Rth r − amb ≤ 3. 7 oC W .
A]a cum am v`zut, ob\inerea unei excursii mari a semnalului de ie]ire, c[t mai apropiat` de limitele
tensiunii de alimentare, [n condi\iile men\inerii la valori foarte mici a distorsiunilor, este o problem` dificil`.
Rezolvarea acesteia, [mpreun` cu stabilizarea punctului static de func\ionare, se face, de regul`, prin
utilizarea unei bucle de reac\ie negativ`. A]a cum vom descoperi [ntr-un capitol viitor, reac\ia negativ` poate
face adev`ate minuni [n privin\a desensibiliz`rii circuitelor la perturba\ii externe (cum este varia\ia
temperaturii ambiante) ]i a liniarit`\ii acestora. {n concluzie, arhitectura unui amplificator de putere cu
performan\e bune este una destul de complicat`.
138 Electronic` - Manualul studentului
Din fericire, cazurile [n care va trebui s` v` construi\i singuri amplificatorul vor fi extrem de rare; cel
mai adesea ve\i prefera s` v` cump`ra\i un amplificator de putere integrat. Un exemplu de astfel de circuit
integrat este TDA2050, prezentat [n Fig. 11.15 a); dimensiunile totale (inclusiv terminalele) sunt 25 mm X
10 mm X 5 mm, rezisten\a termic` [ntre cip ]i capsul` este de cel mult 3 oC W iar montarea pe radiator este
foarte simpl` (un singur ]urub). Pentru aplica\ii de [nalt` fidelitate (HiFi) [l pute\i opera alimentat la +/- 22V
pe o sarcin` de 8 Ω; p[n` la o putere de ie]ire de 25 W distorsiunile armonice totale sunt sub 0.5 %. Dac`
pute\i accepta distorsiuni mai mari, de p[n` la 10 %, puterea de ie]ire ajunge p[n` la 32 W iar cu sarcin` de 4
Ω ]i numai pe durate scurte (sub 1 secund`) amplificatorul poate furniza 50 W. Amplificarea este
programabil`, valoarea recomandat` fiind de 30 dB. Circuitul are protec\ii interne [mpotriva scurtcircuit`rii
ie]irii ]i [mpotriva [nc`lzirii excesive.
a) b)
c)
Fig. 11.15. Capsula circuitului integrat TDA2050 (a) ]i dou` scheme tipice de utilizare (b ]i c).
C[t despre pre\, el cost` mai pu\in de 8 $; dac` vi se pare prea scump ]i puterea necesar` este mai
redus`, pute\i opta pentru varianta TDA2040, cu un pre\ sub 5 $. Oricum, radiatorul ]i carcasa vor costa mult
mai mult dec[t acest circuit integrat. {n desenul b) al figurii ave\i schema tipic` de aplica\ie, alimentarea este
diferen\ial`, tensiunile de alimentare fiind notate cu ±VS . Dup` cum se poate observa [n Fig. 11.15 c),
circuitul integrat poate fi utilizat ]i cu o singur` surs` de alimentare, tensiunea put[nd ajunge p[n` la 50 V.
Cap. 11. Amplificatoare de putere 139
-Amplificatoarele de putere (mare) sunt amplificatoare care furnizeaz` sarcinii puteri de ordinul
wa\ilor p[n` la sute de wa\i.
-Ob\inerea unor asemenea puteri mari cu tensiuni rezonabile presupune ca rezisten\a de sarcin`
s` aib` valoare mic`; de exemplu, difuzoarele de putere mare au valori ale impedan\elor de
8 Ω sau 4 Ω.
-Din acest motiv, etajul final al amplificatorului de putere trebuie s` aib` impedan\` de ie]ire
mic`, fiind realizat, de regul`, cu repetoare pe emitor (etaje de amplificare cu colectorul comun).
-C[nd regimul de repaus este stabilit la o valoare mare a curentului de colector, astfel [nc[t
punctul static de func\ionare s` fie departe at[t de blocare c[t ]i de satura\ie, se spune c` etajul de
putere func\ioneaz` [n clas` A.
-Datorit` randamentului mic (disipa\iei mari pe tranzistor), etajele [n clas` A se utilizeaz` numai
pentru puteri mici.
-Etajul de putere [n contratimp este realizat cu dou` tranzistoare care conduc cu r[ndul, c[nd
unul este deschis cel`lat fiind blocat; un asemenea etaj poate fi realizat cu dou` tranzistoare
complementare, unul NPN ]i cel`lalt PNP, montate ca repetoare pe emitor ]i alimentate cu dou` surse,
una pozitiv` ]i cealalt` negativ`. Ie]irea fiind [n repaus la 0 V, sarcina se poate conecta direct (cuplat`
[n curent continuu).
-Tranzistoarele lucr[nd ca repetoare pe emitor, amplificarea de tensiune a etajulului [n
contratimp este unitar`; amplitudinea semnalului trebuie m`rit` [n etajele care [l preced pe cel final,
de putere.
-Dac` tranzistoarele au curentul de repaus nul, etajul func\ioneaz` [n clas` B; [n acest mod de
func\ionare, semnalele de intrare cu amplitudini mai mici de 0.6 V nu pot aduce tranzistoarele [n
conduc\ie ]i, deci, nu apar la ie]ire; semnalele cu aplitudini mai mari de 0.6 V apar la ie]ire dar cu
amplitudinea mic]orat` cu 0.6 V ]i prezint` distorsiuni de trecere prin zero. Distorsiunile de trecere
prin zero sunt cu at[t mai importante cu c[t semnalul este mai mic.
-Diminuarea distorsiunilor de trecere prin zero se realizeaz` prin aducerea [n conduc\ie
incipient` [n regim de repaus a ambelor tranzistoare; etajul func\ioneaz` astfel [n clasa AB.
-Acest lucru se realizeaz` prin circuitul de polarizare, intercal[nd [ntre bazele tranzistoarelor de
putere fie un rezistor, fie o combina\ie serie diode-rezistor, fie un montaj cu tranzstor, cunoscut sub
numele de superdiod`; cre]terea exagerat` a curentului de repaus m`re]te nejustificat disipa\ia pe
tranzistoare.
-Pentru [mbun`t`\irea stabilit`\ii termice a etajului [n contratimp, [n serie cu emitoarele
tranzistoarelor se monteaz` rezisten\e de valoare 0.1 Ω - 0.47 Ω.
-Dac` alimentarea etajului este f`cut` cu tensiunile +V A ]i −V A , puterea medie maxim` a unui
b g
semnal sinusoidal produs pe sarcin` este V A2 2 Rs ; [n realitate, puterea ob\inut` este mai mic`
deoarece poten\ialul ie]irii nu ajunge p[n` la ±V A datorit` tensiunii de satura\ie nenule a
tranzistoarelor.
-Randamentul etajului [n contratimp cre]te cu amplitudinea semnalului; [n condi\ii ideale,
pentru sinusoida de amplitudine maxim` ce se poate ob\ine la ie]ire, randamentul este de aproxmativ
78 %.
-Etajul de putere [n contratimp poate fi alimentat ]i de la singur` surs`, cu valoarea
+Valim = 2V A ; [n aceast` situa\ie, poten\ialul de repaus al ie]irii se stabile]te la +Valim 2 iar sarcina
140 Electronic` - Manualul studentului
trebuie legat` prin intermediul unui condensator. Valoarea condensatorului de ie]ire trebuie aleas`
astfel [nc[t, la frecven\ele de lucru, reactan\a sa s` fie mult mai mic` dec[t rezisten\a sarcinii.
-Expresia puterii maxime pentru semnal sinusoidal nedeformat, [n cazul aliment`rii de la o
2
singur` surs`, este Valim b g8 Rs ; randamntul maxim are tot valoarea de 78 %.
-Deoarece tranzistoarele de putere au factorul β de valoare mic`, [n etajele de putere mare se
utilizeaz` tranzistoare compuse (duble\i) care au un factor β echivalent ce este egal cu produsul
factorilor individuali. Dubletul Darlington nu schimb` tipul tranzistorului ]i se utilizeaz` ca tranzistor
NPN, pe c[nd dubletul super G schimb` tipul tranzistorului. Astfel, cu un tranzistor de putere mare
NPN se poate realiza un tranzistor super G de tip PNP, ocolind dificultatea legat` de performan\ele
mai modeste ale tranzistoarelor PNP de putere.
-{n evacuarea c`ldurii disipate de tranzistoarele de putere, esen\iale sunt valorile rezisten\elor
termice [ntre jonc\iune ]i capsul`, [ntre capsul` ]i radiator ]i [ntre radiator ]i ambiant. Cel mai dificil
este transferul termic c`tre aer; l`sat` [n aer, capsula unui tranzistor de 115 W abia dac` poate disipa
[n siguran\` 2 W.
-Tranzistoarele de putere trebuie prev`zute cu radiatoare adecvate, dac` dorim ca ele s` disipe,
f`r` s` se distrug`, puterile pentru care au fost proiectate.
-Puterea disipat` maxim` prezentat` [n cataloage se refer` la cazul [n care capsula este
men\inut` la 25o C; asigurarea acestei condi\ii la tranzistoarele de foarte mare putere este o problem`
tehnologic` dificil` a c`rei rezolvare implic` radiatoare mari ]i grele, ventila\ie for\at` sau chiar r`cire
cu ap`.
Cap. 11. Amplificatoare de putere 141
Termeni noi
Problem` rezolvat`
Rezolvare
Pornim de la formula puterii maxime [n condi\ii ideale
2
Valim
Pmax =
8 Rs
care conduce la o valoare de 31 V pentru tensiunea de alimentare. Formula este dedus` [ns` cu neglijarea
tensiunii de satura\ie a tranzistoarelor; [n consecin\`, ne lu`m o rezerv` ]i stabilim
Valim = 40 V .
Alegerea unei tensiuni prea mari ar m`ri nejustificat puterea disipat` pe tranzistoare deoarece puterea
instantanee consumat` de la surs` este produsul dintre curentul prin sarcin` (prestabilit) ]i tensiunea de
alimentare.
Din valoarea impus` a puterii (sinus) ]i rezisten\a de sarcin`, rezult` valoarea efectiv` a curentului prin
sarcin`, 2.7 A ef; astfel, valoarea de v[rf a curentului va fi de aproximativ 3.9 A. Factorul β al tranzistoarelor
2N3055 depinde de varianta aleas`, exist` tipuri cu β > 70 dar oricum putem conta pe valorie mai mari de
20. Rezult` ca valoarea de v[rf a curentului de baz` ajunge la 200 mA; tranzistorul driver ar trebui, astfel, s`
manipuleze ]i el puteri nu tocmai mici, ceea ce este inacceptabil.
Solu\ia este s` utliz`m [n etajul final tranzistoare compuse. Alegem ca tranzistoare de putere medie
(prefinale) tranzistoare de tipul BD cu o putere maxim` de 12.5 W: BD 137 ca tranzistor npn ]i
complementarul s`u pnp, BD 138. Pentru aceste tranzistoare putem alege o variant` care are un factor β
peste 100, a]a c` tranzistoarele compuse vor avea factorul β echivalent mai mare de 2000. {n consecin\`,
valorile de v[rf ale curen\ilor lor de baz` vor fi de numai 2 mA ]i driverul va putea s` lucreze comod la
curen\i de sub 100 mA.
Tranzistoarele finale 2N3055 sunt de tipul NPN. Pentru a ob\ine un tranzistor compus de tip NPN
utiliz`m o conexiune Darlington BD 137-2N3055 iar pentru a ajunge la un tranzistor compus PNP realiz`m
o conexiune super G (Darlington complementar) BD 138- 2N3055. Circuitul nostru arat` ca [n Fig. 11.16.
Performan\ele acestor duble\i se [mbun`t`\esc prin cuplarea unor rezisten\e [ntre baza ]i emitorul
tranzistoarelor finale (rezisten\ele R6 ]i R7 ). La aceste puteri valoarea rezistentelor trebuie s` fie de ordinul
a 50 Ω. - sute de Ω. Alegem o valoare de 100 Ω.
{n scopul cre]terii stabilit`\ii termice vom intercala [n emitoarele tranzistoarelor compuse ni]te
rezisten\e ( R8 ]i R9 ) de valoare mic`; aleg[nd valori de 0.47 Ω vom pierde o zecime de putere pe aceste
rezisten\e (5 % pe fiecare). Astfel, fiecare va disipa 1.5 W ]i va trebui s` aib` puterea nominal` de 3 W.
Trebuie s` proiect`m, de asemenea, circuitul de colector al driverului. Dac` [n colector am pune o
simpl` rezisten\` ea ar ap`rea ]i [n alternativ cuplat` [n paralel cu intrarea etajului de putere; prin ea s-ar
pierde o parte din varia\iile de curent produse de driver. Pentru a men\ine curentul alternativ care intr` [n
bazele tranzistoarelor prefinale la valoarea necesar` de 2 mA ar trebui s` cre]tem mult curentul de repaus al
driverului (peste 20 mA). A]a cum s-a ar`tat, exist` dou` solu\ii la aceast` problem`: utilizarea unei surse de
144 Electronic` - Manualul studentului
curent sau metoda bootstrap. Sursa de curent poate fi folosit` numai [n cazul unei reac\ii negative globale;
din acest motiv, alegem metoda bootstrap.
V alim
+40 V
R1
1.8 k C2
100 µ F
R2
1.8 k T4
BD137
T5
2N3055
R6 R8 C3
R3 2 k 100 Ω
0.47 Ω 4 700 µ F
C1
R4 T3 + 10 µ F R9
1k 0.47 Ω
BC171 BD138 4Ω
T6
R5 1 k
T7
2N3055
T1 R7
100 Ω
driver
BC171
Fig. 11.16.
Cum curentul maxim cerut de baza tranzistoarelor prefinale este de 2 mA, stabilim la 5 mA curentul de
repaus al tranzistorului driver. {n repaus pe rezisten\a total` din colectorul lui trebuie s` cad` 20 V, deci
valoarea rezisten\ei va fi de 4 kΩ. Vom monta dou` rezisten\e de 1.8 kΩ [n serie la curent continuu. {ntre
punctul lor median Q ]i ie]irea etajului de putere trebuie conectat condensatorul de bootstrap. La frecven\a
minim` de lucru, reactan\a sa trebuie s` fie mult mai mic` dec[t rezisten\a echivalent` a punctului Q, care este
de aproximativ 1 kΩ (dou` rezisten\e de 1.8 kΩ v`zute [n paralel). O valoare de 100 µF este suficient`, la
100 Hz reactan\a fiind sub 20 Ω.
Pentru deschiderea incipient` a etajului final (aducerea [n clas` AB) ne decidem pentru un montaj
"superdiod`". El va trebui s` men\in` [ntre bornele sale o tensiune constant` de aproximativ
3 ⋅ 0. 6 V = 1.8 V , deoarece dubletul Darlington are tensiunea de deschidere de 1.2 V (dou` jonc\iuni baz`-
emitor). Raportul [ntre rezisten\ele divizorului va fi de aproximativ 2 ]i va fi reglat fin cu ajutorul
poten\iometrului semireglabil. Ca tranzistor vom alege unul de mic` putere (BC 171) pentru care putem
conta pe un factor β mai mare de 100. Curentul prin rezisten\ele de polarizare [l lu`m [n jur 0.5 mA, mult
mai mare dec[t curentul de baz` al tranzistorului (care este sub 0.05 mA). Pentru a mic]ora ]i mai mult
impedan\a sa, conect`m la bornele superdiodei un condensator de 10 µF. Cum tensiunea la bornele sale va fi
de numai 1.8 V, putem alege un condensator ieftin, cu tensiune nominal` mic` (6.3 V)
Cap. 11. Amplificatoare de putere 145
Probleme propuse
Lucrare experimental`
Ave\i pe plan]et` un etaj final [n contratimp realizat cu tranzistoare complementare (Fig. 11.18); el este
alimentat diferen\ial de la dou` surse de tensiune continu`, cu + 5 V ]i, respectiv, - 5 V, fa\` de mas`.
Polarizarea etajului (aducerea [n clasa de func\ionare AB) este realizat` cu o solu\ie clasic`: diodele D1 ]i D2
[n serie cu rezistorul R2 . Rezistoarele R1 ]i R2 au valori egale, astfel [nc[t poten\ialele celor dou` baze s[nt
men\inute simetric deasupra ]i, respectiv, sub nivelul masei.
Pentru a modifica gradual deschiderea ([n repaus) a tranzistoarelor a fost montat poten\iometrul Pot. ca
rezisten\` reglabil`; el scurtcircuiteaz`, mai mult sau mai pu\in, ramura D1, D2 , R2 , duc[nd punctul de
func\ionare spre clasa B. C[nd rezisten\a poten\iometrului ajunge la zero, bazele sunt la acela]i poten\ial ]i
etajul func\ioneaz` [n clas` B.
{n acest experiment ve\i investiga func\ionarea etajului [n clas` B. Duce\i poten\iometrul Pot 1 [n
pozi\ia extrem` ([n sens trigonometric); pentru a fi siguri c` etajul este [n clas` B lega\i, totu]i, un fir [ntre
punctele M ]i N.
+5 V
R1
1k
C1
10 µ F M T1
R4
R2
in Pot 1 1Ω out
2.5 k
D1
R5 22 Ω
D2 1Ω
C2 N T2
10 µ F 860 Ω
R3
Pot 2 -5 V
500 Ω
b)
Fig. 11.18.
a) Regimul de repaus
Alimenta\i plan]eta, f`r` s` conecta\i la intrare vreun generator de semnal. Vizualiza\i cu un
osciloscop, a c`rui intrare este conectat` [n curent continuu, poten\ialele de repaus. Vizualiza\i mai [nt[i
nivelurile de alimentare ]i nivelul masei (referin\a de poten\ial). Roti\i apoi poten\iometrul Pot 2 p[n` c[nd
poten\ialul ie]irii ajunge la zero. C[t este poten\ialul comun al bazelor ? Nota\i-v` aceast` valoare.
Curen\ii prin tranzistoare nu pot fi dedu]i direct numai din curentul sarcinii (un curent poate trece [ntre
alimentarea pozitiv` ]i cea negativ`, prin tranzistoare, ocolind rezisten\a de sarcin`). Pentru a fi siguri de
148 Electronic` - Manualul studentului
Excita\i acum amplificatorul de putere cu un semnal sinusoidal (de frecven\` [n jurul a 1 kHz) ob\inut
de la un generator extern. Stabili\i nivelul la ie]ire [n jur de 2 Vvv . Puterea util` este cea debitat` pe sarcin`.
Acolo tensiunea este sinusoidal` iar rezisten\a nu introduce un defazaj [ntre curent ]i tensiune. Pute\i astfel
calcula puterea util` (medie) cu formula Vef2 Rs ; m`sura\i cu osciloscopul tensiunea v[rf la v[rf, de aici
deduce\i amplitudinea sinusoidei ]i apoi tensiunea efectiv`.
Puterea consumat` este cea furnizat` de sursele de alimentare. Cum func\ionarea este simetric` pe cele
dou` semialternan\e iar sursele au aceea]i valoare a tensiunii, pute\i c[stiga timp m`sur[nd puterea unei
singure surse ]i [nmul\ind apoi cu doi. Trebuie s` m`sur`m o putere medie, adic` U ( t ) ⋅ I ( t ) ; din fericire,
tensiunea sursa men\ine tensiunea constant` a]a c` media este V A I A ( t ) . Un ampermetru clasic (f`r`
amplificator) efectueaz` automat media la m`sur`torile [n curent continuu, datorit` iner\iei mecanice a
bobinei ]i acului. Astfel, nu avem dec[t s` m`sur`m curentul de alimentare ]i s`-l [nmul\im cu tensiunea
sursei.
Cu puterile m`surate, calcula\i randamentul. Nota\i ]i la ce nivel al tensiunii de ie]ire a fost el
determinat. Relua\i apoi m`sur`torile la mai multe niveluri ale semnalului (asigur[ndu-v` c` nu au ap`rut
distorsiuni de limitare) ]i studia\i dependen\a randamentului de nivelul de la ie]ire.
A\i observat c` randamentul cre]te cu m`rirea nivelului de ie]ire. Stabili\i-l acum la valoarea maxim`,
la limita apari\iei distorsiunilor de limitare. M`sura\i, [n aceste condi\ii, randamentul maxim la semnal
sinusoidal.
Reprezenta\i grafic randamentul [n func\ie de amplitudinea semnalului de ie]ire. A\i v`zut c`
poten\ialul ie]irii nu poate ajunge chiar la valorile tensiunilor de alimentare. C[t ar fi fost randamentul dac`
acest lucru ar fi fost posibil ? (extrapola\i graficul)
mai este sinusoidal; [n consecin\` [n spectrul s` vor ap`rea ]i armonice superioare (cu frecven\e de 2
kHz, 3 khz, 4 kHz, etc.).
ax` de simetrie a
semialternan\ei pozitive
ax` de simetrie a
semialternan\ei negative
a) b)
Fig. 11.20
Datorit` func\ion`rii cuasistatice a etajului (frecven\a semnalului mult sub sub frecven\a de t`iere)
semnalul distorsionat are pe fiecare semialternan\` o ax` de simetrie pozi\ionat` ca [n Fig. 11.20 a). {n plus,
datorit` simetriei etajului, dac` poten\ialul de repaus al ie]irii este reglat corect, formele celor dou`
semialternan\e sunt simetrice fa\` de axa orizontal`, ca [n desenul b). Aceste dou` propriet`\i de simetrie au
drept consecin\` valoarea nul` a armonicelor de ordin par (0,2,4,6,....). Spectrul semnalului distorsionat
con\ine, deci, numai fundamentala ]i armonici impare.
Ve\i utiliza pentru vizualizarea spectrului un analizor de spectru realizat cu un calculator personal.
Semnalul de la ie]ire este prelevat de placa de sunet, transformat [ntr-o secven\a de numere (e]antionat ]i
digitizat) ]i apoi, pe intervale de timp de o anumit` durat`, se calculeaz` [n mod repetat spectrul semnalului.
Astfel, pute\i urm`ri [n timp real, chiar modifcarea spectrului semnalului.
Excita\i etajul (care funtioneaz` aproape liniar, fiind [n clas` AB) de la un generator de semnal
sinusoidal. {ncepe\i prin vizualizarea spectrului semnalului de intrare. Modifica\i frecven\a generatorului ]i
urm`ri\i deplasarea liniei [n spectru. R`m[ne\i cu freven\a la 1 kHz. Modifica\i ]i amplitudinea de la
generator ]i verifica\i c` linia spectral` []i modific` ]i ea amplitudinea. Stabili\i amplitudinea de intrare la
la o valoare mare, dar care nu aduce [n limitare etajul de amplificare.
Lega\i acum analizorul de spectru la ie]ire, unde ave\i conectat ]i osciloscopul. Cum arat` spectrul
semnalului de ie]ire ? Nota\i amplitudinea fundamentalei ]i a primelor armonice. Estima\i coeficientul de
distorsiune (raportul de amplitudini [ntre armonic` ]i fundamental`) pentru armonicele de ordinul 3, 5 ]i 7.
Calcula\i apoi coeficientul total pentru aceste armonice.
Roti\i acum poten\iometrul Pot. [n sens trigonometric, aduc[nd gradual etajul [n clas` B, ]i observa\i ce
se [nt[mpl` cu forma semnalului de la ie]ire ]i cu spectrul s`u. Desena\i spectrul ]i nota\i amplitudinea
fundamentalei ]i a primelor armonice. Exist` armonice pare ? Estima\i din nou coeficientul de distorsiune
pentru armonicele de ordinul 3, 5 ]i 7 ]i calcula\i apoi coeficientul total pentru aceste armonice.
M`ri\i acum semnalul de la intrare, evit[nd apari\ia distorsiunilor de limitare. M`sura\i din nou
coeficientul de distorsiuni. C[nd sunt mai importante distorsiunile de trecere prin zero ?
Cap. 11. Amplificatoare de putere 151
Roti\i poten\iometrul astfel [nc[t s` mic]ora\i c[t mai mult armonicele datorate distorsiunilor de trecere
prin zero. Apoi m`ri\i semnalul de la intrare la 14 Vvv, aduc[nd amplificatorul [n limitare. Ce se [nt[mpl` cu
spectrul semnalului ? M`sura\i coeficientul de distorsiuni.
La frecven\e nu foarte mari, tranzistoarele pot fi privite ca dispozitive f`r` memorie ]i func\ionarea lor
poate fi [n\eleas` pornind de la caracteristica static` de transfer. Dup` cum ]ti\i, aceasta nu este liniar`;
dezvolt[nd-o [n serie de puteri [n jurul lui zero (regimul de repaus) avem
Dac` la intrare se aplic` un semnal ce con\ine dou` componente sinusoidale de frecven\e diferite ω 1 ]i ω 2 ,
termenul care are puterea a doua [n rela\ia precedent` va produce [n semnalul de ie]ire Vout un termen [n
cos( 2 π f1 t ) ⋅ cos( 2 π f 2 t ) . Or un produs de acest fel se descompune [n doi termeni, unul [n
cos[2 π( f1 + f 2 )t ] iar cel`lalt [n cos[2 π( f1 − f 2 )t ]. Datorit` neliniatit`\ii etajului, [n spectrul semnalului de
ie]ire apar linii spectrale suplimentare la frecven\ele f1 + f 2 ]i f1 − f 2 . C[nd se iau [n considera\ie ]i
termenii superiori din dezvoltarea [n serie anterioar`, se ajunge la componente spectrale de frecven\`
mf1 + nf 2 , cu m ]i n numere [ntregi. Acest fenomem se nume]te intermodula\ie.
Ve\i [ncepe experimentul [n cazul
1k
func\ion`rii [n clas` AB, c[nd caracteristica de
generator
transfer este aproape liniar` (poten\iometrul semnal
Pot 1 la valoarea maxim`). Aplica\i la intrarea sinusoidal in
etajului, prin intermediul a dou` rezistoare de 1
amplificator
kΩ, semnalele de la dou` generatoare de
1k
semnal sinusoidal, ca [n Fig. 11.21. Stabili\i la
generator
1 kHz ]i respectiv 1.5 kHz frecven\ele lor. semnal
Regla\i apoi generatoarele de semnal astfel sinusoidal
[nc[t amplitudinile m`surate chiar la bornele
lor s` fie egale ]i de aproximativ 4 Vvv. Fig. 11.21.
Proceda\i apoi ca [n experimentul
precedent ]i observa\i spectrul semnalului de la ie]ire. {n afara liniilor de la 1 kHz ]i 1.5 kHz (ale semnalului
de intrare) ve\i mai g`si armonicele acestor frecven\e dar cu amplitudini foarte mici. Armonicele primei linii
sunt situate la 2 kHz, 3 kHz, 4 kHz, .... pe c[nd armonicele celei de-a doua vor fi la 3 kHz, 4.5 kHz, 6 kHz, ....
.
Trece\i acum treptat modul de func\ionare spre clasa B, rotind rezisten\a reglabil` Pot 1 spre valori
mici. Observa\i cre]terea amplitudinilor armonicelor, datorit` neliniarit`\ii etajului. Exist` ]i alte linii
spectrale [n afara armonicelor amintite [n paragraful anterior ? C`uta\i, [n primul r[nd la 0.5 kHz ]i 2.5 kHz.
Explica\i apari\ia acestora. G`si\i ]i alte liniii care nu sunt armonice ale frecven\elor celor dou` generatoare ]i
verifica\i c` frecven\a lor [ndepline]te f = mf1 + nf 2 , cu m ]i n numere [ntregi.
152 Electronic` - Manualul studentului
Pagin` distractiv`
Am studiat [n capitolul anterior repetorul pe emitor. Am ar`tat acolo c`, [n absen\a unei alte sarcini
cuplate la ie]ire, impedan\a de intrare privind [n baza tranzistorului este valoarea rezisten\ei RE din emitor
[nmul\it` cu factorul β al tranzistorului Zin B = β RE iar amplificarea [n tensiune este aproximativ
A ≅ 1 − 25 mV VE unde VE este poten\ialul de repaus al emitorului.
Vom vedea [n continuare cam ce probleme propun ]i rezolv` unii concet`\eni de-ai no]tri, autori de
culegeri de probleme 1.
Care va s` zic`, impedan\a de intrare [n baz` este fix 102 kΩ indiferent de factorul de amplificare al
tranzistorului ]i de impedan\a (notat` cu Z ) din emitor. Felicit`ri, domnule profesor, nici vr`jitoarea Omida
nu ar fi dedus mai mult din formulele acelea cu parametri hibrizi.
Mai mult, amplificarea este [n viziunea autorului independent` de punctul de func\ionare al etajului.
Ghiocul acestuia se opre]te la valoarea 0.98.
Pu\in mai departe (pag. 101) , pornind de la β = 100 , ]i RE = 2 kΩ autorul de care ne ocup`m
calculeaz` impedan\a de intare [n baza unui tranzistor ca fiind egal` cu, \ine\i-v` bine, 203.53 kΩ. Lu[nd [n
considera\ie ]i divizorul de polarizare, impedan\a de intrare [n amplificator [i rezult` a fi 7.233 kΩ. O
precizie relativ` a rezultatului de 10-4 , c[nd datele de intrare au [n cel mai fericit caz o precizie de 1 %, nu ar
putea ob\ine nici Dumnezeu. Domnul profesor poate.
1D`nil`Cerbulescu, "Dispozitive ]i circuite electronice - Culegere de probleme, vol. 1", Ed. Didactic` ]i Pedagogic`,
Bucure]ti, 1995, pag. 92.