Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
Procedura de baza
Campul este numit uniform, in cazul in care nivelul sau nu variaza pe verticala.
Daca neuniformitatea astfel calculata este de cel mult 30% campul magnetic este
considerat , de asemenea, uniform. Nu este intotdeauna necesar sa se recurga la identificarea prin
masuratori a caracterului neuniform al campului electric: in general, campurile neuniforme se
intalnesc in apropierea unor instalatii cum ar fi : statiile electrice, cablurile subterane,
echipamente de medie tensiune.
Asadar, este necesar sa se determine nivelul mediu de expunere, care este media spatiala a
campului de-a lungul intregului corp uman. . Metoda de detrminare este diferita pentru camp
uniform, respectiv neuniform.
Nivelul campului magnetic in punctul de interws(gasit in urma unei explorari prealabile ca fiind
punctul de nivel maxim al campului) trebuie masurat la cele trei inaltimi (0,5 m, 1,0 m si 1,5 m),
deasupra solului, sau in cladiri, deasupra podelei incaperii. Nivelul de expunere mediu va fi
media aritmetica a celor trei niveluri masurate.
In cazul in care se cunoaste pozitia punctului de nivel de camp maxim, masuratorile vor fi
efectuate in acel punct.
In categoria acestor echiapamente sunt incluse: posturi de transformare aeriene, alimentate din
linii subterane, cabluri vertical, intreruptoare si separatoare care deservesc liniile in cablu).
Local , pot fi gasite niveluri mai mari ale campului magnetic, la distante si mai mici fata de
suprafata echipamentului considerat. Aceste valori nu vor fi considerate ca fijnd reprezentative
pentru situatii de expunere normala a publicului.
In cazul statiilor electrice se aplica aceeasi procedura ca si pentru echipamentele care deservesc
liniile in cablu.
In cele mai multe cazuri, campul de nivel maxim poate aparea sub linia aeriana sau deasupra
cablurilor conectate la barele statiei electrice. Evident, masurarea campului magnetic se va face
in exteriorul statiei respective, acolo unde poate avea acces publicul.
Daca suprafata de deasupra unei statii subterane este ocupata, campul magnetic va fi masurat la
inaltimea de 0,3 m deasupra podelei, in puncte alese si la intervale considerate adecvate pentru a
permite inregistrarea nivelului maxim al campului in zona de interes.
La frecvente mari, se utilizeaza senzori de tip bucla, cu mai putine spire (una, doua) si
raza relativ mica, pentru a fi indeplinita conditia de bucla electric mica:
, (4.36)
unde c este viteza luminii, b este raza buclei si n este numarul de spire.
In acest scop antena (senzorul) se realizeaza, de obicei, dintr-un cablu coaxial si poate fi:
Peste operare Interval de temperatură în aer liber (cu excepția cazului în altfel notat).
Tensiunea de alimentare (VDD la GND) +7 V Tensiune de intrare (2) GND - 0,5 VDD + 0,5 V
Diferential intrări amplificator GND - 6 VDD + 6 V Curent de intrare la terminalele de intrare
(3) -25 + 25 mA ICOMP scurt-circuit (4) 300 mA Temperatura Junction, TJ max -50 + 150 ° C
Interval de temperatură de depozitare, Tstg -65 + 150 ° C Modelul corpului uman (HBM)
JEDEC standard de 22, metoda de testare A114-C.01 -2000 2000 V Electrostatic model de
dispozitiv încărcat (CDM) de descărcare de gestiune (ESD) JEDEC standard de 22, metoda de
testare C101 -1000 evaluări 1000 V
Senzorul bucla in configuratie asimetrica din fig. 4.9.a este alcatuit dintr-o semibucla din
conductor solid - portiunea OA - si un cablu coaxial, a carui suprafata exterioara a ecranului, BO,
formeaza cealalta semibucla, iar conductorul central de la punctul A la punctul C si suprafata
interioara a ecranului de la punctul B la punctul C, formeaza linia coaxiala pentru transmisia
semnalului de la interstitiul AB la impedanta de sarcina, Zs.
Carecteristici tipice:
Măsurarea mărimilor electrice şi magnetice în energetică 5
Fig. 4.9. Senzor tip bucla pentru masurarea CEM: a) bucla ecranata (configuratie asimetrica); b)
bucla ecranata (configuratie simetrica); c) configuratie Moebious.
Deci antena bucla ecranata (configuratie asimetrica) din fig. 4.9.a poate fi analizata considerand
antena echivalenta si linia de transmisie echivalenta (ca in fig. 4.10).
In fig. 4.9.b si 4.9.c sunt doua variante de senzori simetrici, care au avantajul ca tensiunile
datorate campului magnetic se sumeaza, iar cele datorate campului electric se scad. Aceste
antene simetrice necesita un transformator de adaptare simetric - asimetric de banda larga, care
din considerente tehnologice este coborator de tensiune (n = 0,5). Din acest motiv aria
echivalenta a senzorului din fig. 4.9. b) se reduce la jumatate din aria sectiunii:
Configuratia Moebious (fig. 4.9. c) are doua spire: una constituita din firul central al
semibuclei din dreapta si suprafata exterioara a ecranului semibuclei din stanga, iar cealalta din
firul central al semibuclei din stanga si suprafata exterioara a ecranului semibuclei din dreapta,
rezultand astfel aria ei echivalenta:
Măsurarea mărimilor electrice şi magnetice în energetică 7
Se observa ca aceasta configuratie (fig. 4.9. c) poate fi descompusa in doua asimetrice de tipul
celei din fig. 4.9.a.
· firul central este conectat la un capat direct la masa, iar la celalalt capat este conectat
la masa, prin intermediul unei impedante de sarcina Rs (rezistenta sub forma de disc
pentru a avea comportare buna la inalta frecventa);
· ecranul, conectat la ambele capete diametral opuse (f = 0 si f = p) la masa si intrerupt
Tensiunea indusa de campul magnetic H este preluata de pe rezistenta Rs cu un cablu coaxial,
prelucrata si afisata pe un osciloscop catodic sau analizor de spectru. Se remarca faptul ca linia
Măsurarea mărimilor electrice şi magnetice în energetică 8
coaxiala de transmisie a semnalului de la senzor la mijloacele de masurare nu trece prin zona
campului de masurat.
Semibucla trebuie sa indeplineasca conditia de senzor electric mic, rezultand astfel frecventa
maxima de operare:
(4.37)
sau
(4.38)
Măsurarea mărimilor electrice şi magnetice în energetică 9
Obtinerea unei frecvente inferioare de operare mica, conduce la rezistenta de sarcina
mica (4.38), deci sensibilitate mica, de aceea se utilizeaza amplificatoare de tensiune de zgomot
redus si banda larga (ABL) inainte de afisare, ca in fig. 4.11.
O alta solutie este conectarea semibuclei la un amplificator de curent (fig. 4.8), lucru ce permite
obtinerea unei sarcini mici (deci frecventa inferioara mica) fara scaderea sensibilitatii.
Senzori Hall
Efectul HALL descoperit de Edwin HALL în 1891, a deschis perspectiva proiectării unui
nou tip de traductor, produs şi comercializat de firma elveţiană LEM, apoi preluat în fabricaţie şi
de alte firme (ALLEGRO SYSTEMS AMECON INC, COMPUTER WELD TECHNOLOGY).
Efectul HALL consta in aparifia unei tensiuni electrice u H ( t ) , la ieşirea unei placuţe
semiconductoare (din stibiură sau arseniură de indiu), parcursă de un curent de comandă ic(t) şi
plasată într-un câmp magnetic cu inducţia B(t), perpendiculară pe planul placuţei (Figura
2.2,a.).
RH
U H =S H⋅I C⋅B S H=
h (2.1)
în care h este grosimea plăcuţei, RH - constanta HALL, iar SH – sensibilitatea traductorului HALL.
−4 3
Pentru plăcuţele de stibiură de indiu, R H =2,3⋅10 m /° C , iar pentru arseniură de indiu,
−4 3
R H =1,2⋅10 m /° C . Din relaţia (5.6), se observă că senzorul HALL permite: măsurarea inducţiei
B; măsurarea unui curent (proporţional cu IC sau cu B); măsurarea produsului a două mărimi
proporţionale cu IC şi B, de exemplu puterea.
Măsurarea mărimilor electrice şi magnetice în energetică 10
Un traductor magnetic pentru măsurarea curentului se obţine concentrând câmpul
magnetic în zona senzorului (Figura 2.2,b.), cu ajutorul unui tor din material cu permeabilitate
magnetică mare, mai mare ca 1, folosit în calitate de concentrator de câmp. Senzorul de câmp
magnetic este un element HALL plasat în întrefierul torului. Astfel, se realizează un traductor în
buclă deschisă, care măsoară curenţi de la câţiva A la câteva sute de A.
Figura 2.2 Traductorul Hall: a) Senzorul Hall; b) Traductorul Hall în buclă deschisă;
Având în vedere folosirea reacţiei în funcţionarea sa, acest traductor se numeşte traductor
de curent în buclă închisă. Traductoarele cu element HALL prezintă următoarele avantaje:
Curentul i1(t) din circuitul primar, având o formă oarecare de variaţie în timp, induce în
circuitul magnetic M un flux magnetic (de aceeaşi formă), care se aplică elementului HALL, H.
La bornele acestuia, se induce o tensiune HALL (de aceeaşi formă) care, după amplificare, se
aplică pe bazele tranzistoarelor T1 şi T2. În semiperioada negativă a curentului primar i1(t), pe
baza tranzistorului T1 (de tip n - p - n), se aplică un semnal pozitiv şi acesta intră în conducţie.
Curentul electric im(t), care parcurge tranzistorul T1, înfăşurarea bobinei B a circuitului magnetic
şi rezistorul de măsurare Rm, are aceeaşi formă cu tensiunea aplicată bazei tranzistorului T1, deci
reproduce forma curentului i1(t).
Câmpul magnetic de inducţie B(t) este produs de curentul iU(t), determinat de tensiunea
de măsurat u(t). În schema este folosit un rezistor R de rezistenţă electrică mare şi dintr-un
material cu coeficient mic de variaţie a rezistivităţii cu temperatura.
Placa Hall ideală. Placa Hall este o placă subţire, dreptunghiulară, din material cu
rezistivitate mare, prevăzută cu patru contacte ohmice, conform Figurii 2.5.
B
I VH
h
g
L
Sensibilitatea absolută, care este factorul de conversie pentru semnale mari: SA=|
VH/B|; raportul intre sensibilitatea absoluta a unui sezor Hall modulat si marimea
de polarizare da sesibilitatea absolută.
Sensibiliatea relativa de curent: SI=SA/I=|VH/BI|;
Sensibiliatea relative de tensiune: SV=SA/V=|VH/BV|.
Măsurarea mărimilor electrice şi magnetice în energetică 15
Magnetotranzistoare ( MT )
Concentraţia de purtători printr-o placă semiconductoare intrinsecă, parcursă de
curent şi expusă unui câmp magnetic este modulată de efectul de
magnetoconcentrare. Magnetodiodele (MD) folosesc acest efect în combinaţie cu
fenomenele de dublă injecţie şi de recombinare la suprafaţă. Electronii şi golurile
injectate de contactele de capăt ale plăcii semiconductoare sunt deviaţi de forţa
Lorentz spre aceeaşi suprafaţă, unde se recombină. Datorită variaţiei concentraţiei de
purtători, magnetodiodele sunt lente, frecvenţa limită superioară fiind 10 MHz.
Structura unei magnetodiode cuprinde o placă semiconductoare slab dopată n-
cuprinsă între două zone subţiri p+ şi n+.
Există magnetodiode discrete din Si, Ge sau GaAs. Prima magnetodiodă integrată a
fost realizată în tehnologia circuitelor integrate din siliciu pe safir. Ea funcţionează pe
baza vitezei mari de recombinare a interfeţei Si/Al2O3 şi a vitezei mici de recombinare
a interfeţei Si/SiO2.
Magnetodiode (MD)
Concentraţia de purtători printr-o placă semiconductoare intrinsecă, parcursă de
curent şi expusă unui câmp magnetic este modulată de efectul de
magnetoconcentrare. Magnetodiodele (MD) folosesc acest efect în combinaţie cu
fenomenele de dublă injecţie şi de recombinare la suprafaţă. Electronii şi golurile
injectate de contactele de capăt ale plăcii semiconductoare sunt deviaţi de forţa
Lorentz spre aceeaşi suprafaţă, unde se recombină. Datorită variaţiei concentraţiei de
purtători, magnetodiodele sunt lente, frecvenţa limită superioară fiind 10 MHz.
5 Senzori optoelectronici de câmp magnetic
Aceşti senzori folosesc radiaţia optică drept semnal purtător intermediar. Senzorii
magneto-optici se bazează pe rotaţia Faraday a planului de polarizare a radiaţiei
optice polarizate liniar. Sunt realizaţi din bobine de fibre optice, cu o cale lungă a
radiaţiei optice şi corespunzător, o rotaţie mare pe unitatea de câmp magnetic. Astfel,
au fost realizaţi senzori de curent magneto-optici pentru liniile de transmisie de înaltă
tensiune.
Măsurarea mărimilor electrice şi magnetice în energetică 16
Efortul transferat fibrei din materialul magnetostrictiv are ca efect o variaţie a
lungimii căii optice, ce determină o deplasare de fază, detectată cu interferometrul cu
fibră optică.