Tranzistoare bipolare

Roșca Gheorghe
 Tranzistorul este un dispozitiv semiconductor cu cel puțin trei terminale,
capabil să amplifice puterea semnalelor electrice la baza funcționării căruia
se află comanda fluxului de purtători de sarcină în cristalul semiconductor.
Proprietățile de amplificare ale tranzistorului se explică prezența a două circuite
- de intrare și de ieșire și prin posibilitatea de comandă a curentului în circuitul
de ieșire. În funcție de principiul de funcționare și structurii sunt cunoscute
câteva tipuri de tranzistoare. În funcție de categoria fluxului de purtători de
sarcină tranzistoarele pot fi clasificate în două categorii:

 bipolare (tranzistoare cu injecția purtătorilor de sarcină)

 unipolare (tranzistoare cu efect de câmp).

La tranzistoarele bipolare intervin purtătorii de ambele polarități, atât electroni

cât și goluri, pe când la tranzistoarele unipolare intervin purtători de o singură
polaritate: fie numai electroni, fie numai goluri.
Clasificarea tranistoarelor
 Tranzistorul bipolar este un dispozitiv semiconductor cu trei regiuni
alternativ dopate.
Regiunile laterale de același tip se numesc Emitor respectiv Colector, iar cea
centrală de tip opus se numește Bază. Pe fiecare dintre aceste regiuni este
realizat câte un contact ohmic, pe care se sudează conductoarele terminale.

Există două variante constructive,

PNP și NPN, așa cum se arată și în
figura 1, în care se prezintă și simbolul
folosit în schemele electronice pentru
acest dispozitiv.
În simbol săgeata întotdeauna
determină curentul direct prin Emitor.
Fig.1. Structura şi simbolul tranzistorului:
a) npn b) pnp
 Fig.2. Structura asimetrică a tranzistorului bipolar.

Cele trei regiuni formează două joncțiuni, joncțiunea dintre Emitor și Bază poartă numele de
joncțiunea Emitorului, iar cea dintre Colector și Bază – joncțiunea Colectorului.
În regim normal de funcționare, joncțiunea emitorului se polarizează direct, iar cea a
colectorului — invers. Dacă baza ar avea o grosime W mare, cele două joncțiuni ar fi
independente și ar fi străbătute, prima de curent direct, iar cea de-a doua de curentul său
invers, practic constant pentru tensiunile de polarizare uzuale. În acest fel nu s-ar obține
efectul de tranzistor, adică o influențare reciprocă a celor două joncțiuni.
Numim efect de tranzistor trecerea purtătorilor majoritari din emitor în colector cu pierderi
minime în bază.
Pentru obținerea acestui efectului de tranzistor se impun mai multe condiții:

 grosimea bazei este mult mai mică decât lungimea de difuzie a purtătorilor
minoritari; ca ordin de mărime, W = (1 — 10)μm ;
 regiunile emitorului și colectorului au grosimi mult mai mari decât
lungimea de difuzie a purtătorilor minoritari;
 emitorul este mult mai puternic dopat decât baza și colectorul;
 colectorul are o suprafață mult mai mare decât celelalte regiuni, pentru a
intensifica procesul de evacuare a purtătorilor (Colector – “colectează”)
 joncțiunile emitorului și colectorului sânt plane și paralele între ele.
 Principiul de funcționare.
Un tranzistor bipolar funcționează corect, dacă joncțiunea bază-emitor este polarizată
direct cu o tensiune mai mare decât tensiunea de prag, iar joncțiunea bază-colector este
polarizată invers cu o tensiune mult mai mare decât tensiunea bază-emitor.
Emitorul este sursa de purtători care determină curentul prin tranzistor, iar colectorul
colectează purtătorii ajunși aici. Baza controlează curentul prin tranzistor în funcție de
valoarea tensiunii de polarizare a joncțiunii bază-emitor.
Joncțiunea emitor-bază (polarizată direct) injectează un curent de emitor IE care este
colectat în cea mai mare parte de joncțiunea colector-bază (polarizată invers), acest proces
definind efectul de tranzistor.
 Principiul de funcționare.

P N P
IE
I pE I pC

E I nB
Ir IC B0 C

IB B
EE EC
+ +
Legătura dintre curenții interiori și exteriori:

+ + +

Din relația curenților interiori se poate deduce că:

+ Ecuația fundamentală a tranzistorului

Datorită efectului de tranzistor, deoarece regiunea bazei este străbătută

numai de curenți reziduali rezultă:
𝐼𝐶≫ 𝐼𝐵
De unde rezultă că:

𝐼 𝐶 =𝛼 𝐼 𝐸 unde ) adică
În funcție de polarizarea joncțiunii de emitor și colector, tranzistorul bipolar poate funcționa
în următoarele regimuri.
Regim activ normal (direct):
 joncțiunea emitorului este polarizată direct ,
 iar joncțiunea colectorului – invers .
Regimul activ normal este cel mai des folosit, îndeosebi în circuitele electronice liniare,
unde tranzistorul funcționează ca dispozitiv de amplificare. În regimul activ normal curentul
de ieșire este practic independent de tensiunea de ieșire și este proporțional curentul de
intrare.
Regim de tăiere (tranzistorul este blocat):
 joncțiunea emitorului este polarizată invers ,
 joncțiunea colectorului - invers .
Regimul de tăiere se caracterizează prin faptul că ambele joncțiuni fiind polarizate invers,
curenții care circulă prin tranzistor sânt curenți rezidual de valoare mică. Când tranzistorul
se află în acest regim tensiunea la bornele sale este foarte mare, deci și rezistența sa
echivalentă este foarte mare. În acest regim el se comportă ca un comutator ce întrerupe
circuitul, un comutator deschis.
Regim de saturate (tranzistorul este în conducție saturată):
 joncțiunea emitorului este polarizată direct ,
 joncțiunea colectorului - direct, .
Ambele joncțiuni sânt polarizate direct. Pe tranzistor sursele sânt montate în opoziție,
având valori apropiate. Valoarea UСЕ de saturație este de valoare mică, aproximativ de 0,2 –
0,3V. Curentul ce trece prin tranzistor are valori relativ mari, dar mai mici decât în cazul
regimului activ normal: aceasta deoarece, prin joncțiunea colectorului trece în sens contrar
atât curentul de goluri al emitorului, cât și curentul de difuzie dat de golurile majoritare ale
colectorului dirijate spre bază. Curentul rezultant, de saturație, este egal cu diferența celor
doi curenți.
Făcând raportul între tensiunea de saturație și curentul de saturație, se constată că în
această situație tranzistorul prezintă o rezistență de ieșire foarte mică. Tranzistorul în stare
de saturație se prezintă ca un comutator închis.
Regimul de tăiere și regimul de saturație sunt folosite împreună când tranzistorul este
folosit ca poartă electronică (releu) Aceste regimuri sunt folosite în circuite neliniare în
tehnica cu impulsuri, tehnica digitală și electronica de putere.
Regim activ invers
 joncțiunea emitorului este polarizată invers,
 iar joncțiunea colectorului – direct .

Regimul activ invers. În acest caz emitorul joacă rolul colectorului, iar colectorul pe cel
al emitorului. Joncțiunea colectorului fiind polarizată direct, colectorul injectează goluri în
bază iar emitorul, a cărui joncțiune este polarizată invers, le colectează. În acest regim
tranzistoarele sânt folosite foarte rar deoarece coeficientul de amplificare în curent este mai
mic ca în regim activ normal. Tehnologic suprafața colectorului se face mai mare decât a
emitorului, tocmai pentru a îmbunătăți procesul de captare. În situația inversă, electrodul
care captează (emitorul) are o suprafață mai mică decât cel ce injectează (colectorul) deci
amplificarea în curent este mai scăzută. Regimul activ invers ca atare nu este folosit, se
utilizează cîteodată în regim de comutație.
Sarcina de lucru:

1) Definiția tranzistoarelor bipolare

2) Clasificarea, structura și simbolul (reprezentarea convențională)
3) Denumirea și rolul terminalelor
4) Regimuri de funcționare
5) Cum trebuie polarizate joncțiunile bază-emitor și bază-colector ale unui tranzistor
pentru ca acesta să lucreze în regim de amplificare?
6) Care dintre cei trei curenți ai tranzistorului are cea mai mare valoare?
7) Curentul de bază este mai mare sau mai mic decât cel de emitor?
8) Regiunea bazei are lățimea mai mare sau mai mică decât regiunile colectorului și
emitorului?
9) La un curent de colector de 1 mA și un curent de bază de 10 μА, cât este valoarea
curentului de emitor?