Facultatea de gtiine i Arte Master anul II

Senzori i traductori pentru studiul mediului

SENZORI CHIMICI
Student: B NCUi (Gheboianu) Anca Irina

DESPRE SENZORI
 SENZORUL este: un dispozitiv care r spunde la stimuli fizici sau chimici

(de exemplu: c ldur , lumin , sunet, presiune, magnetism etc) i transmite un impuls rezultat de obicei sub form electric . Astfel, un senzor poate detecta un semnal sau o energie ini ial i le converte te (transform ) ntr-un semnal sau o energie de ie ire.  CARACTERISTICILE PRINCIPALE ale senzorilor pot fi definite prin urm torii parametrii: - domeniul de utilizare, - rezolu ia (sensibilitatea - cel mai mic increment m surabil al stimulului), - frecven a maxim a stimulului ce poate fi detectat (selectivitatea), - acurate ea (eroarea de m surare raportat , n procente, la ntreaga scal ), - dimensiunile i masa senzorului, - temperatura de operare i condi iile de mediu, - durata de via (n ore sau num r de cicluri de operare), - stabilitatea pe termen lung - costul.

CLASIFICAREA SENZORILOR
1. senzori acustici determin amplitudinea undei, faza, polarizarea, spectrul, viteza undei etc; 2. senzori biologici determin biomasa (identitatea, concentra ia, starea etc); 3. senzori chimici determin componen a (identitatea, concentra ia, starea etc); 4. senzori electrici determin curentul, poten ialul i diferen a de poten ial, cmpul electric (amplitudinea, faza, polarizarea, spectrul), conductivitatea, permitivitatea etc; 5. senzori magnetici determin cmpul magnetic (amplitudinea, faza, polarizarea, spectrul), fluxul magnetic, permeabilitatea etc; 6. senzori mecanici determin pozi ia (linear, unghiular), viteza, accelera ia, for a, presiunea, tensiunea mecanic , masa, densitatea, viteza, rata de transport a masei, orientarea, vscozitatea, cristalinitatea, structura integr etc; 7. senzori optici determin amplitudinea undei luminoase, faza, polarizarea, spectrul, viteza etc; 8. senzori de radia ie determin tipul de radia ie, energia, intensitatea etc ; 9. senzori termici determin temperatura, fluxul de c ldur , c ldura specific , conductivitatea termic etc.

SENZORI CHIMICI
pe scar larg n laboratoare de chimie, n clinicile medicale n procesele industriale, n alimentaie public , n controlul gradului de poluare al mediului nconjur tor.  Voi prezenta detec ia gazelor combustibile (inflamabile) cum ar fi CO, H2, alcooli, propan i alte hidrocarburi. Detec ia unor gaze n aer cu senzori semiconductori, s-a f cut iniial cu senzori cu oxizi metalici (MOS), apoi, n urma studiilor, s-au utilizat tranzistoarele cu efect de cmp (field effect transistors FET) pentru detec ia hidrogenului.  n cazul MOS (de exemplu SnO2) o reac ie chimic ntre O i gazul inflamabil ce are loc la suprafa a solidului produce o varia ie a rezistivit ii solidului. n cazul FET-urilor ac iunea chimic a gazului de detectat are loc pe poart determinnd o varia ie a poten ialului (MOS-FET). Deoarece senzorul este un MOS - FET modificat, acesta con ine i un amplificator care conduce la o senzitivitate mare. Senzorii FET au fost folosi i pentru detec ia ionilor i pentru biosenzori.  Opera ia senzorului MOS se bazeaz pe sc derea rezisten ei stratului de SnO2 dac un gaz combustibil este prezent n atmosfera ambiant .
 Senzorii chimici se utilizeaz

SENZORI CHIMICI
 Pentru a n elege modul de operare al senzorilor chimici baza i pe

semiconductori trebuie s examin m mai n detaliu cum afecteaz gazele adsorbante rezisten a senzorului, cum afecteaz extrac ia de oxigen rezisten a senzorului, cum interac ioneaz gazul combustibil cu oxigenul adsorbit, cum influen eaz catalizatorul reac ia oxigen/gaz, cum influen eaz adsorb ia sau absorb ia gazelor voltajul por ii unui FET i n final, cum toate aceste procese chimice i fizice pot fi controlate pentru a crea un senzor de gaz util.

Analiza absorb iei oxigenului

 Modelul de band

pentru suprafa a unui semiconductor de tip n cu O2adsorbit la echilibru, unde un strat dublu a determinat acele schimb ri ale energiei Fermi la suprafa ntr-o pozi ie unde raportul O2- /O2 este descris de energia Fermi.

Suprafa cu dou straturi

 Datorit

func iei de distribu ie Fermi, energia Fermi la echilibru nu va fi departe de nivelul de energie al st rii de suprafa . Ca i n absorb ia oxigenului, stratul electric dublu format n semiconductorul de tip n are un strat nc rcat negativ ce adsoarbe oxigenul, iar cel pozitiv este donor. Oxigenul este adsorbit la o valoare de echilibru la fel ca energia nivelului de oxigen care este lng energia Fermi. Deoarece concentra ia oxigenului adsorbit fizic, n principiu, este constant dac temperatura i presiunea oxigenului sunt constante.

Adsorb ia n interiorul st rilor de suprafa

 O

posibilitate pentru a descrie prezen a oxigenului pe suprafa a semiconductorului este cazul adsorb iei n interiorul st rilor de suprafa . Ca un exemplu putem aminti galiu arsen i oxidul de crom. n cazul GaAs, oxigenul adsorbit interac ioneaz cu As la suprafa . Am putea afirma c va lua na tere o form de arsenit, dar structura i stoechiometria sunt gre ite. Efectiv, chemoabsorb ia oxigenului elibereaz electroni la suprafa a arsenului ntr-o propor ie de 1/1 cu As/O2. Aceast activare a oxigenului nu prezint interes pentru un senzor, sigur nu n aer, pentru c n aer GaAs oxideaz lent n tri-oxid de galiu i oxid de arsen .  Un alt exemplu este oxidul de crom deoarece suprafa a cromului are leg turi slabe i poate forma leg turi care s adsoarb oxigenul rezultnd grup ri Cr4+-O- sau Cr4+-O2-. Materialul este interesant deoarece oxigenul din re ea nu este implicat n arderea gazelor combustibile i, deci un senzor de gaz combustibil poate fi mai stabil dect un senzor reduc tor.

Interac iunea gazelor combustibile cu oxigenul



Etapele chimice implicate n oxidarea gazelor combustibile (cum este monoxidul de carbon sau hidrogenul) ce adsorb oxigenul pot fi foarte complexe. S-a demonstrat c O- este mult mai activ dect O2- . Oricum, nu putem afirma c O2- este inactiv deoarece acesta este activ n oxidarea oxid-etilenei ntr-un catalizator argintiu. Cele trei reac ii care au loc sunt urm toarele : e- + O2 => O2e- + O2- => 2OR + O- RO + eunde R = agent reduc tor.

Senzori cu pelicule sub iri

Oxid cu mobilitate mare


Dac concentra ia defectelor de volum este controlat de atmosfera ambiant i r spunde rapid la schimb rile din atmosfer devine necesar aplicarea dispozitivului ca senzor cu pelicul sub ire ob inut prin procesul de evaporare. Singurul exemplu din literatur de senzor de temperatur joas (350C) bazat pe acest principiu este bismut molibden. Acest material a fost studiat exclusiv ca un catalizator de oxidare par ial i a fost descris deplasarea rapid a vacan elor de oxigen dup ce materialul atinge temperatura de 300C. Deoarece vacan ele de oxigen sunt donoare, rezisten a peliculei r spunde rapid la extrac ia ionilor de oxid.

Oxid cu mobilitate mare

 Dac

mobilitatea defectelor este mare este posibil ca leg turile dintre granule s nu influen eze prea mult rezisten a. Pentru materialele cu o mobilitate mare, orice schimbare n legaturi contribuie la schimbarea defectelor ionizate mobile. Tunelarea complet a barierei nguste (sub iri) nu contribuie la rezisten a peliculei. O pelicul ob inut prin procesul de evaporare este considerat ca fiind un cristal sub ire n care varia ia conductan ei se datoreaz varia iei concentra iei de goluri.  Studiul bismut molibdenului ca senzor a descoperit o stabilitate dorit . Acest senzor este sensibil la alcooli i aldehide i foarte sensibil la alchene i alcani.  Dioxidul de titan la temperatur mare este folosit pentru m surarea ratei A/F (aer/combustibil) la automobile.

Senzori cu pelicule groase i pastile presate

 Senzorii semiconductori cu oxid urm resc ob inerea unei conductan e

adecvate i o sensibilitate ridicat deoarece rezisten a de contact domin conductan a. Rezisten ele de contact sunt de natur instabil i neproductibil .  Cel mai studiat oxid semiconductor este dioxidul de staniu ns au fost ob inute rezultate bune i cu oxid de fier. Dioxidul de titan a fost utilizat comercial ca senzor cu pelicul , dar la o temperatur la care mobilitatea defectelor este mare.  Cel mai popular catalizator este paladiul deoarece este instabil n prezen a oxigenului la o temperatur de interes (350 400C). Temperatura de operare este aleas empiric astfel nct s se ob in o sensibilitate mare fa de gazul combustibil. A adar, sensibilitatea este mic atunci cnd temperatura este joas deoarece activitatea catalitic este minim . Sensibilitatea este mic la temperatur mare deoarece gazul combustibil arde la suprafa a peliculelor groase sau a pastilei presate.

Senzori cu pelicule groase i pastile presate

Clorura de staniu

O form

de senzor cu pelicul groas este senzorul comercial Taguchi. Electrozii de aur sunt depozita i ntr-un tub ceramic mic. O past semiconductoare este aplicat pe exteriorul tubului. Pasta este preparat ntr-o serie de etape. Aceast past are o compozi ie foarte complex i o structur calcinat . Un element pasteurizator din centrul tubului men ine oxidul la temperatura optim de operare.

Amestec

Hidroxid de amoniu

Precipitat

Hidratare

Calcinare

Adaugare clorura de paladiu

Calcinare

Macinare

Adaugare aluminiu praf

Adaugare apa

Formare pasta

Etapele prepararii pastei de SnO2 utilizat ca pelicul

Senzori cu pelicule groase i pastile presate

  

Semiconductorii cu oxid metalic care au fost testa i pentru a fi utiliza i n senzori sunt: WO3, Fe2O3, LaCrO3, CaO, TiO2, NiO, Nb2O5 i In2O3. Aditivii pentru catalizatori / acceleratori includ mul i oxizi printre care oxizii metalelor de tranzi ie, oxizii grupei a doua i ai litiului. Semiconductori ca siliciul i germaniul sau sulfuri nu sunt folosi i n aer deoarece se oxideaz la temperatur normal . Materialele catalizatoare trebuie s aib aceea i stabilitate n aer ca i semiconductorul senzorului. Natura senzorului conduce la sensibilitate pentru toate gazele combustibile. Un catalizator cum este paladiul va cataliza oxidarea CO, H2 i a tuturor moleculelor organice, iar reac ia se va reflecta n varia ia conductivit ii din suportul semiconductor. Pentru a induce o selectivitate, avem c iva parametrii disponibili: catalizatorul, acceleratorul, temperatura i, probabil, filtre care restric ioneaz prezen a unor gaze pe senzor. Chiar i m rimea particulelor de oxid metalic din senzor pot afecta selectivitatea.

Senzori cu pelicule groase i pastile presate

 O cale de selec ie a detec iei de gaz este aceea de a furniza o matrice a 

senzorilor, fiecare cu un spectru diferit rezultat pentru diferite gaze. De exemplu, un senzor poate fi ales s varieze rezisten a cu un factor de 2 la 10 ppm de hidrogen i cu un factor de 4 la 100 ppm de monoxid de carbon. Un alt senzor n aceast matrice mic poate fi ales astfel nct s schimbe rezisten a cu un factor de 4 la 100 ppm de hidrogen i cu un factor de 2 la 100 ppm de monoxid de carbon. M sur torile amestecului de H2 i CO cu doi senzori furnizeaz analizele complete. O astfel de matrice a senzorilor Taguchi a fost folosit pentru a deosebi tipurile de cafea i n monitorizarea polu rii aerului. Senzorii semiconductori cu oxid metalic sunt dori i datorit costului sc zut, al sensibilit ii ridicate i al formei de r spuns (prin simpla varia ie a rezisten ei).

Bibliografie
    

Simon M. SZE, Semiconductor sensor, Hardcover, Publisher: WileyInterscience, New York, 1994 http://www.cnaa.acad.md/thesis/1694/ www.icmpp.ro/institute/cap_fruth.doc http://users.utcluj.ro/~mbirlea/z/01z.htm http://www.eed.usv.ro/~iulianc/lucrari/st/Terminologia%20senzorilor.pdf

V mulumesc pentru atenie!