Ministerul Educaiei i tiinei

al Republicii Moldova
Catedra Fizic Teoretic
Laboratorul Radioelectronic

Lucrare de laborator Nr.8

Studiul diodelor semiconductoare

Lucrare efectuat de
Studentul gr.2.2.(Fiz.Teor.)
Sanduleac Ionel

Lucrare verificat
i aprobat de confereniar
Nedeoglo Dumitru

Chiinu.2008

Scopul lucrrii:
Studiul diodelor semiconductoare-redresoare i stabilizatoarelor de tensiune. Ridicarea
caracteristicilor curent-tensiune pentru polarizarea dirct i invers a diodelor.
Note teoretice:
Diodele semiconductoare snt dispozitive electronice cu dou terminale,avnd ca proprietate
fundamental conductibilitatea unidirecional.
Structura fizic a unei diode conine trei elemente de baz: jonciunea propriu-zis,localizat la
suprafaa de separaie a celor dou medii srcite.
Regiunile P i n se obin prin doparea unei plachete semiconductoare din Si (Ge) monocristalin
cu atomi ai elementelor trivalente(In,B,Ga;Al),respectiv atomi ai unor elemente
pentavalente(As,P,Sb); elementele trivalente se numesc acceptoare iar cele pentavalentedonoare.
Distingem urmtoarele prprieti ale regiunilor P,N:
n regiunea p purttorii majoritari snt golurile,electronii snt purttori minoritari.
n regiunea n majoritari snt electronii,iar golurile-minoritari.
Dup unirea celor dou cristale semiconductoare,la jonciune,pe de o parte i alta a acesteia apar
aglomerri purttori liberi-electroni i goluri care dau natere unui proces de difuzie i unor
cureni de difuzie. La suprafaa de contact se formeaz o diferen de potenial, numit barier de
potenial Ub, sau barier energetic Wbc.
Aceast barier de potenial creaz la rndul su un cmo electric orientat de la n la p care tinde
s opreasc procesul de difuzie .
Conectnd dioda la sursa extern ea se polarizeaz ,modificndu-se astfel i valoarea barierei de
potenial. Polarizarea direct micoreaz bariera iar cea invers o mrete.
n cazul polarizrii directe prin jonciune va trece un curent mare,dat de ecuaia:
I = I s (eU d / U T 1)
(1)
unde U T = KT / e reprezint potenialul termic, iar mrimea Is este curentul de saturaie i are
expresia : I S = eA[

DP Pn 0 Dn n p 0
+
]
LP
Ln

(2)
unde Pn 0 i n p 0 snt concentraiile de echilibru ale purttorilor minoritari; DP i Dn snt
constantele de difuzie pentru goluri, LP ,i Ln snt lungimile de difuzie ale acestor purttori ,A
este aria jonciunii.
n cazul polarizrii inverse bariera de potenial se mrete pentru purttorii majoritari,n schimb
cei minoritari pot migra liber n alte regiuni opuse, astfel,prin diod va circula un curent invers
,Is. Pentru tensiuni de polarizare direct i invers este valabil formula Shokey:

U / UT

I
e
U / UT
S , pentruU = Ud 0.1V
I = I S (e 1) =
I s pentruU = Uinv 0.1V

(3)

I,mA

20

10
14 12 10 8 6 4 2
Vd,v
caracteristica volt-amperic ideal reprezint la polarizri directe o exponenial iar la polarizri
inverse o dreapt paralel cu axa absciselor . aceast caracteristic neliniar a diodelor
semiconductoare este utilizat la redresare,detectare,modulare n frecven, ca element de
comutaie.
Dioda stabilizatoare de tensiune(Zener)
Regimul de funcionare a diodelor Zener este n polarizare invers. Pentru a obine o stabilizare
ct mai pronunat, regiunile p i n snt puternic dopate. Stabilizarea tensiunii continue are loc
cnd tensiunea invers depete o valoare critic Ust care se numete tensiune de strpungere.
n limitele regiunii srcite acioneaz un cmp electric intens. Purttorii minoritari dse
deplaseaz n regiunile opuse dnd natere unui curent att timp ct tensiune invers are valori
mici. La tensiuni mari are loc mutiplicarea n avalan a purttorilor minorotari n regiunea
srcit,datorit ionizrii prin impact.
Caracteristica Volt-amperic a unei diode Zener reprezint o hiperbol care delimiteaz regiunea
de funcionare normal ca stabilizator de tensiune
La cureni ce depesc punctul b dioda se poate distruge prin ambalare termic; multiplicarea n
avalan cauzat de ionizrile prin impact constituie un proces reversibil .

Desfurarea lucrrii:
1.familiarizarea cu montajul pentru ridicarea caracteristicilor curent-tensiune a diodelor
semiconductoare
2.se ridic caracteristicile directe Id=f(Ud).
3. se ridic caracterisiticile inverse Ii=f(U).
4. se traseaz graficul unic de variaie a curbei I=f(U) pentru sensul direct i ivers de polarizare
al diodelor studiate. De-a lungul acestei curbe se va determina rezistena interioar diferenial n
diferite puncte. Se va determina i curba de variaie a rezistenei interioare Ri=f(U)

1. caracteristicile volt-amper:
Dioda nr.1

Polarizare direct
U,V

I,mA

0,017

0,004

Polarizare indirect
Rx 10 3 ,

-U,V

0,02
6
0,02
4,44 7
0,03

I,
A
2,2

4,25

0,016
0,018
0,02
0,022
0,024
0,026
0,028
0,03
0,033
0,034
0,037
0,04
0,05
0,06
0,1
0,12
0,13
0,17
0,18
0,19
0,2
0,22
0,24
0,26
0,28
0,3
0,32
0,34
0,36
0,38
0,4
0,43

0,003
6
0,003
8
0,004
4
0,005
0,005
4
0,006
1
0,006
7
0,007
3
0,008
5
0,009
0,01
0,011
0,018
0,026
0,083
0,14
0,17
0,42
0,54
0,64
0,75
1,11
1,62
2,4
3,2
4,7
6,3
8,6
11,6
16
27
33

0,012

2,3
0,012

2,6

4,736

0,0115

0,03
4,545 8
4,4 0,04
0,05

3
0,012

3,2
3,8

4,444

6,3

0,32

6,8

0,46

7,5

0,6

0,99
1,2
1,4
1,6
2
2,2
2,5
2,8
3,1
3,4
3,7
4,1
4,4
4,6
5
5,3
5,5
5,7
6
6,3
6,6
6,7
6,9
7,1
7,4

10
11
12
13
15
16
18
20
21
23,6
25,5
28
31
33
36
38
40
42
45
48
51
52
55
57
60

0,032

4,179

0,047

4,109

0,061

3,882

2,777
2,307
1,204
0,857
0,764
0,404
0,333
0,296
0,266
0,198
0,148
0,108
0,087
0,063
0,050
0,039
0,031
0,023
0,015
0,013

0,0125
0,013

0,2
4,262

3,777
3,7
3,636

R,x 10 6

0,075
0,099
0,109
0,116
0,123
0,133
0,1375
0,138
0,14
0,147
0,144
0,145
0,146
0,142
0,14
0,138
0,139
0,1375
0,135
0,133
0,131
0,129
0,128
0,125
0,124
0,123

Dioda Nr.2
Polarizare direct
U,V

I,mA

Polarizare indirect
Rx

-U,V

-I,A

0,02
0,025
0,032
0,04
0,06
0,22
0,31
0,35
0,4
0,45
0,46
0,47
0,48
0,49
0,5
0,53
0,54
0,55
0,56
0,57
0,58
0,59
0,6
0,62
0,63
0,64
0,65
0,66
0,67
0,68
0,69

0,000
1
0,000
1
0,000
1
0,000
1
0,000
2
0,000
5
0,001
3
0,003
3
0,012
0,04
0,05
0,06
0,08
0,09
0,125
0,24
0,29
0,37
0,46
0,57
0,67
0,82
1,02
1,5
1,9
2,3
2,7
3,36
4
5
5,5

R,x

10 ,

10 6

0,025

0,0001

0,3

0,2

0,34

0.25

0,37

0,3

0,46

0,4

0,6

0,5

0,8

0,6

0,8

1,35
1,7
2
2,2
2,45
2,7
2,9
3,4
3,7
3,8
4,4
5
5,1
5,5
6,7
7,6
8,7

1
1,1
1,2
1,3
1,4
1,5
1,6
1,7
1,8
1,9
2
2,1
2,2
2,3
2,5
2,6
2,8
3

200

250

250

1,5

320

1,36

400

1,233

300

1,15

440

1,2

238,4

1,333

106,
33,3
11,25
9,2
7,8
6
5,4
4
2,21
1,86
1,49
1,22
1
0,86
0,72
0,58
0,41
0,33
0,28
0,24
0,196
0,165
0,136
0,125

1,25
1,35
1,545
1,6
1,69
1,75
1,8
1,81
2
2,0
2
2,2
2,380
2,32
2,39
2,68
2,92
3,107

0,7
0,71
0,72
0,76
0,79

7,2
8,7
10,35
19,4
30

0,097
0,081
0,069
0,039
0,026
333

Dioda D3: Zener:

Polarizare direct
U,V

I,mA

Polarizare indirect

Rx

-U,V

10

-I,A

R,x
10 6

,
0,02
5
0,03

0,0001

0,28

0,0002

0,4

0,0004

0,46

0,0015

0,48

0,002

0,5

0,004

0,52

0,005

0,55

0,01

0,57
0,58
0,59
0,6
0,61
0,62
0,63
0,64
0,65
0,66
0,67
0,68
0,69
0,7
0,71
0,72

0,02
0,03
0,045
0,06
0,09
0,11
0,15
0,2
0,3
0,5
0,65
0,9
1,35
1,9
2,8
4,2

0,023
250

0,0001

0,03
300

0,04
1400

0,08
1000

0,2
306,6

0,5
240

0,7
125

1
104

2.5
55
28,5
19,33
13,11
10
6,77
5,6
4,2
3,2
2,16
1,32
1,03
0,75
0,511
0,36
0,25
0,17

3,8
4
4,1
4,3
4,4
4,5
4,6
4,7
4,9
5,5
5,6
5,8
6
6,2
6,4
6,6

0,000
1
0,000
1
0,000
1
0,000
1
0,000
1
0,000
1
0.000
1
0.000
1
0.000
1
0,002
0,004
0,008
0,015
0,03
0,05
0,06
0,08
0.1
0.14
0.16
0.18
0.26
0.4
0.5
0.6

230
300
400
800
2000
5000

7000
10000
25000
1900
1000
512,5
286,6
146,6
90
76,6
58,7
49
39,2
35
32,2
23
15,5
12,8
11

0,73
0,74
0,75
0,77
0,78

6,1
8,7
12
24
34

0,11
0,085
0,06
0,03
0,02

6,8
7
7,2
7,6
7,7

0.7
0.8
0.85
1

9,71
8,75
8,47
7,6

Exemplu de calcul:
Formula de calcul pentru rezistena diodei: R =

U
-legea lui Ohm.
I

Pentru dioda Nr.1:

0.017
R=
= 4250 -pentru polarizare direct
0.004 10 3
0.026
R=
= 11818 -polarizare indirect
2.2 10 6
pentru dioda Nr.2:
0.02
R=
= 200000 -direct
0.0001 10 3
0.025
R=
= 250000000 -indirect
0.0001 10 6
pentru dioda Zener:
0.025
R=
= 2500000000
0.0001 10 3
0.023
R=
= 230000000
0.0001 10 6

Concluzie:n lucrarea dat am determinat caracteristicile volt-amper a diodei semiconductoare i

diodei Zener. Am observat c pentru diode exist o caracteristic hiperbolic pentru polarizarea
direct i o dreapt,la polarizarea direct i dreapt paralel pentru polarizare indirect. Acest
fenomen este determinat de numarul limitat de purttori minoritari care determin curentul
indirect. Astfel,n lucrarea dat am studiat proprietile jonciunii pn. Am determinat din grafic
tensiunea la care are loc trecerea de la poriunea neliniar a graficului la cea aproximativ
liniar,adic la tensiuni pentru care are loc trecerea la saturaie a purttorilor,poriune a graficului
pe care legea lui Ohm se respect aproximativ.