Dispozitive Electronice i Electronic Analogic

Suport curs 05 Modelarea diodei

I. Modelarea funcionrii diodei semiconductoare prin modele liniare pe poriuni

n modelul liniar al diodei semiconductoare, se ine cont de comportamentul acesteia
att n regiunea de conducie invers, unde curentul prin diod este considerat nul, ct i n
regiunea de conducie direct, n regiunea subprag, unde curentul este, de asemenea
considerat nul, ct i n regiunea superioar pragului, unde creterea curentului este
considerat, n modelul liniar, ca fiind liniar. Modelul liniar al diodei neglijeaz
comportamentul acesteia n regiunea de strpungere.
Modelul liniar pe poriuni modeleaz comportamentul diodei semiconductoare n regim
de curent continuu, unde valorile mrimilor electrice de terminal ale diodei semiconductoare
sunt constante, ct i n regim variabil de semnal mare, unde valorile mrimilor electrice de
terminal ale diodei semiconductoare sunt caracterizate de variaii de amplitudine mai mare
dect ordinul zecilor de milivoli.
Modelul liniar pe poriuni al diodei conine 2 parametri de model, care sunt determinai
din caracteristica real de funcionare a diodei i anume, tensiunea de prag VD, respectiv
rezistena diodei semiconductoare, notat generic rD.
n general, dac dioda semiconductoare este fabricat din Siliciu, pentru tensiunea de
prag VD se adopt valoarea VD = 0,6[V]. Al 2lea parametru al modelului, i anume rezistena
diodei semiconductoare, depinde de regimul de funcionare.
n Figura 1 se prezint caracteristica de funcionare a modelului liniar pe poriuni. Dup
cum se observ, caracteristica real de funcionare a diodei semiconductoare, prezentat n
cursul anterior, a fost aproximat prin 3 segmente de dreapt, fiecare corespunznd cte unei
regiuni de funcionare (conducie invers, conducie subprag, conducie peste prag).

Figura 1. Caracteristica de funcionare a modelului liniar pe poriuni al diodei semiconductoare..

Modelul liniar pe poriuni al diodei semiconductoare este caracterizat de ecuaia urmtoare,

care, descrie matematic fiecare din cele 3 segmente ale caracteristicii de funcionare, conform
regiunii de funcionare a acesteia:

iA = 0
vA

rD

vA < 0

conductie _ invers

0 v A < VD

conductie _ subprag

VD v A

conductie _ pesteprag

Dispozitive Electronice i Electronic Analogic

Suport curs 05 Modelarea diodei

2. Circuitul echivalent al modelului liniar pe poriuni al diodei semiconductoare

n analiza circuitelor electronice care conin diode, este utilizat circuitul echivalent al
modelului liniar pe poriuni al diodei semiconductoare, care este dedus prin introducerea n
circuitul echivalent a elementelor care modeleaz comportamentul acesteia, n funcie de
regimul de funcionare.
Astfel, deoarece n regiunea de conducie invers curentul electric prin diod este nul,
indiferent de valoarea tensiunii pe aceasta,

()v A

iA = 0

circuitul echivalent al diodei n aceast regiune este reprezentat printr-un gol (circuit
ntrerupt), deoarece prin gol curentul electric este ntotdeauna nul, indiferent de valoarea
tensiunii care cade pe acesta.
n regiunea de conducie direct, circuitul echivalent al diodei semiconductoare se
deduce pe baza relaiei tensiunii care cade pe diod n aceast regiune de funcionare. Din
ecuaia de funcionare a modelului liniar pe poriuni a diodei semiconductoare, se poate
deduce c, pentru ntreaga regiune de conducie direct (att pentru regiunea subprag ct i
pentru regiunea peste prag) variaia tensiunii pe diod, considernd ca sens de referin sensul
de la anodul spre catodul diodei, este descris de relaia:
v A = VD + rD i A

Circuitul echivalent care modeleaz comportamentul descris de relaia de mai sus este
compus dintr-o surs de tensiune de valoare VD, conectat cu borna pozitiv spre anod i cea
negativ spre catod, nseriat cu rezistena diodei simiconductoare rD.
Pe baza celor descrise mai sus, circuitul echivalent al modelului liniar pe poriuni al
diodei semiconductoare este prezentat n Figura 2. Circuitul din Figura 2.a modeleaz
comportamentul diodei n regiunea de conducie invers, iar circuitul echivalent din Figura
2.b modeleaz comportamentul diodei semiconductoare n regiunea de conducie direct.

Figura 2. Circuitul echivalent ale modelului liniar pe poriuni.

Dispozitive Electronice i Electronic Analogic

Suport curs 05 Modelarea diodei

Circuitul echivalent al modelului liniar pe poriuni modeleaz comportamentul diodei

semiconductoare att n regim de curent continuu, ct i n regim variabil de semnal mare.
Particularizarea circuitului echivalent al modelului liniar pe poriuni n regim de curent
continuu
Dioda semiconductoare funcioneaz n regim de curent continuu dac valorile
mrimilor electrice de terminal, curent prin diod, respectiv tensiune pe diod, sunt constante
n timp. n acest caz, tensiunea pe diod se noteaz VA, curentul electric prin diod se noteaz
IA, iar raportul dintre aceste mrimi electrice determin rezistena diodei n curent continuu,
notat RD:
V
RD = A
IA
rezistena echivalent a diodei n curent continuu

n cazul n care dioda funcioneaz n regim de curent continuu, circuitul echivalent a

modelului liniar pe poriuni al diodei devine cel din Figura 3, n care, rezistena diodei este
rezistena n curent continuu RD:

Figura 3. Circuitul echivalent ale modelului liniar pe poriuni n regim de curent continuu.

Particularizarea circuitului echivalent al modelului liniar pe poriuni n regim variabil

de semnal mare
Dioda semiconductoare funcioneaz n regim de variabil de semnal mare dac valoarea
tensiunii pe diod este caracterizat de variaii de amplitudini mai mari dect 12,5[mV].
n regim variabil, valoarea tensiunii pe diod aparine domeniului de valori vA =
[VAMIN, VAMAX], iar valoarea curentului electric aparine domeniului de valori iA = [IAMIN,
IAMAX]. Raportul acestor variaii determin rezistena diodei n regim variabil de semnal
mare, notat rD:
rD =

v A V AMAX V AMIN
=
I AMAX I AMIN
i A

rezistena echivalent a diodei n regim variabil de semnal mare

Dispozitive Electronice i Electronic Analogic

Suport curs 05 Modelarea diodei

n cazul n care dioda funcioneaz n regim variabil de semnal mare, circuitul echivalent a
modelului liniar pe poriuni al diodei este cel prezentat n Figura 2, n care, rezistena diodei
este rezistena diodei semiconductoare se determin utiliznd relaia de mai sus.
Neglijarea rezistenei diodei rD n circuitului echivalent al modelului liniar pe poriuni
n anumite condiii, circuitul echivalent al modelului liniar pe poriuni al diodei
semiconductoare se poate simplifica.
Astfel, n cazul n care n circuitul n care este utilizat, dioda semiconductoare este
conectat n serie cu un rezistor a crui rezisten electric R este mult mai mare dect
valoarea rezistenei diodei, aceasta din urm se poate neglija n circuitul echivalent, fiind
nlocuit cu un scurtcircuit. Motivul pentru care rezistena diodei poate fi neglijat const n
faptul c rezistena echivalent gruprii serie diod rezistor poate fi aproximat cu valoarea
rezistenei rezistorului R:
R + rD R daca R >> rD

Observaia de mai sus este valabil att pentru cazul n care dioda funcioneaz n regim de
curent continuu ct i pentru cazul n care dioda funcioneaz n regim variabil de semnal
mare.
n ipoteza discutat mai sus (diod nseriat cu rezistor de rezisten electric mult mai
mare dect cea a diodei), circuitul echivalent la diodei, respectiv caracteristica de funcionare
a modelului liniar pe poriuni, devin cele prezentate n Figura 4 (notaiile pot fi particularizate
n funcie de regimul de funcionare a diodei).

Figura 4. Circuitul echivalent ale modelului liniar pe poriuni pentru cazul n care dioda este nseriat cu un
rezistor de rezisten electric mult mai mare dect rezistena diodei.

n regim variabil de semnal mare, n regiunea de conducie, dup atingerea tensiunii de

prag, se observ din caracteristica de funcionare a diodei semiconductoare, faptul c variaia
tensiunii pe aceasta este foarte mic, n timp ce valoarea curentului electric variaz
semnificativ, datorit dependenei exponeniale a curentului electric prin diod n funcie de
tensiunea pe diod. Din acest motiv, valoarea rezistenei diodei n regim variabil de semnal
mare este redus, n general maxim de ordinul zecilor de ohmi. De exemplu, pentru vA =
100 [mV] i iA = 10[mA] rezult rD=10[].

Dispozitive Electronice i Electronic Analogic

Suport curs 05 Modelarea diodei

n regim de curent continuu, n regiunea de conducie, dup atingerea tensiunii de prag,

se observ din caracteristica de funcionare a diodei semiconductoare, faptul c valoarea
tensiunii pe aceasta este de ordinul sutelor de milivoli (valori n jurul valorii VD = 600[mV]),
n timp ce valoarea curentului electric este de ordinul miliamperilor. Din acest motiv,
valoarea rezistenei diodei n regim de curent continuu este, n general maxim de ordinul
sutelor de ohmi. De exemplu, pentru VA = 600 [mV] i IA = 2[mA] rezult RD=300[].
Aceste estimri ale ordinului de mrime al rezistenei diodei permit stabilirea, n funcie
de circuitul analizat, variantei de circuit echivalent al modelului liniar pe poriuni. Astfel,
dac rezistena electric a rezistorului R este cel puin de zece ori mai mare dect cea a
rezistenei diodei semiconductoare, atunci este indicat s se utilizeze circuitul echivalent n
care rezistena diodei este neglijat.
Neglijarea tensiunii de prag VD n circuitului echivalent al modelului liniar pe poriuni
n cazul n care n circuitul n care este utilizat dioda semiconductoare lucreaz la
tensiuni de valori mult mai mari dect valoarea tensiunii de prag VD=600[mV], atunci sursa
de tensiune VD se poate neglija n circuitul echivalent al modelului liniar pe poriuni.
n ipoteza discutat mai sus (diod nseriat cu rezistor de rezisten electric mult mai
mare dect cea a diodei), circuitul echivalent la diodei, respectiv caracteristica de funcionare
a modelului liniar pe poriuni, devin cele prezentate n Figura 5 (notaiile pot fi particularizate
n funcie de regimul de funcionare a diodei).

Figura 5. Circuitul echivalent ale modelului liniar pe poriuni pentru cazul n care tensiunea n circuit este mult
mai mare dect valoarea tensiunii de prag VD.

Circuitul echivalent al diodei ideale

Dac circuitul n care este utilizat dioda semiconductoare lucreaz la tensiuni mult mai
mari dect tensiunea de prag VD a diodei i aceasta este nseriat cu un rezistor de rezisten
electric mult mai mare dect cea a diodei, atunci, n circuitul echivalent al modelului liniar
pe poriuni se pot neglija att sursa de tensiuni VD ct i rezistena diodei rD, ambele fiind
nlocuite cu un scurtcircuit. n acest caz, circuitul echivalent la diodei, respectiv caracteristica
de funcionare a modelului liniar pe poriuni, devin cele prezentate n Figura 6 (notaiile pot fi
particularizate n funcie de regimul de funcionare a diodei).
Noul circuit echivalent modeleaz n mod ideal comportamentul diodei i din acest
motiv modelul propus se numete modelul diodei ideale.

Dispozitive Electronice i Electronic Analogic

Suport curs 05 Modelarea diodei

Figura 6. Circuitul echivalent ale modelului liniar pe poriuni pentru dioda ideal.

Conform acestui model, dioda ideal se comport astfel:

n regiunea de conducie invers: dioda ideal se comport ca un gol (nu permite
trecerea curentului prin ea);
n regiunea de conducie direct: dioda ideal se comport ca un scurtcircuit
(permite trecerea curentului prin ea i tensiunea care cade ntre terminalele sale este
nul);
3. Modelarea diodei n regim variabil de semnal mic
Acest model se poate aplica numai n cazul n care dioda funcioneaz n regim variabil
de semnal mic. O diod semiconductoare funcioneaz n regim variabil de semnal mic dac
tensiunea care cade pe terminalele acesteia este caracterizat de variaii a cror amplitudine
este mai mic dect 12,5[mV].
Dac variaia mrimilor electrice ale diodei este extrem de mic, comportamentul
diodei se poate considera ca fiind liniar i se bazeaz pe aproximarea caracteristicii reale de
funcionare a diodei (prezentat n Figura 4 din cursul 4) cu tangenta la aceasta, dus n
punctul static de funcionare al diodei. Tangenta respectiv reprezint chiar conductana
diodei i este definit conform relaiei de mai jos:

[gd ] = Siemens =

I
gd = A
VT

unde IA este curentul prin diod calculat n Punctul Static de Funcionare.

Modelul depinde de frecvena la care lucreaz dioda semiconductoare. Pentru frecvene
mai mici dect aproximativ 1[MHz], modelul este caracterizat de un singur parametru i
anume rezistena de semnal mic a diodei, notat rd, care se determin ca inversa
conductanei din relaia de mai sus:
V
rd = T
IA
rezistena echivalent a diodei n regim variabil de semnal mic

Dispozitive Electronice i Electronic Analogic

Suport curs 05 Modelarea diodei

Figura 7. Circuitele echivalente ale diodei n regim variabil de semnal mic.

Circuitul echivalent care modeleaz comportamentul diodei n aceste condiii este prezentat
n Figura 7.a.
Pentru frecvene mai mari dect aproximativ 1[MHz], funcionarea diodei este afectat
de anumite fenomene dinamice, de natur capacitiv i inductiv, care pot fi modelate prin
intermediul unor, aa numite capaciti parazite, reunite n parametrul notat Cd. Circuitul
echivalent care modeleaz comportamentul diodei semiconductoare la frecvene de
funcionare mai mari dect 1[MHz] este prezentat n Figura 7.b.
4. Utilizarea circuitelor echivalente ale modelului liniar pe poriuni
Utilizarea circuitului echivalent n regim de curent continuu
Un circuit electronic funcioneaz n regim de cutrent continuu dac n structura sa exist
numai surse de tensiune continu i/sau surse de curent continuu. n cazul n care dioda face
parte din structura unui astfel de circuit, atunci aceasta funcioneaz n regim de curent
continuu, iar comportamentul acesteia este modelat pe baza circuitului prezentat n Figura 3,
n funcie de regiunea n care funcioneaz.
Regiunea de funcionare a diodei se decide n funcie de terminalul pe care se aplic
potenialul electric superior. Astfel, dac potenialul electric superior se aplic pe anodul
diodei, aceasta funcioneaz n regiunea de conducie direct i n acest caz, comportamentul
su este descris cu ajutorul circuitului echivalent din Figura 3.b.
Dac potenialul electric superior se aplic pe canodul diodei, aceasta funcioneaz n
regiunea de conducie invers i n acest caz, comportamentul su este descris cu ajutorul
circuitului echivalent din Figura 3.a.
n Figura 8 se reamintete circuitul elementar de polarizare al diodei semiconductoare.
Determinarea PSFului diodei pe baza sistemului de ecuaii compus din ecuaia de funcionare
a diodei i ecuaia circuitului (TK2 pe bucla de circuit) este dificil i necesit apelarea la
metode numerice. Mult mai simpl este determinarea valorii PSFului diodei dac aceasta este
nlocuit cu circuitul echivalent al modelului liniar pe poriuni.

Figura 8. Circuitul de polarizare al diodei semiconductoare.

Dispozitive Electronice i Electronic Analogic

Suport curs 05 Modelarea diodei

n acest sens, se observ c borna negativ a sursei de alimentare VCC se aplic direct pe
catodul diodei, iar borna pozitiv a sursei de alimentare VCC se aplic pe anodul diodei, prin
intermediul rezistorului R. n aceste condiii, potenialul electric aplicat pe anod are o valoare
mai mare dect cel aplicat pe catod i n consecin dioda funcioneaz n regiunea de
conducie direct. Pe baza acestei constatri, dioda semiconductoare D se poate nlocui n
circuitul de polarizare cu circuitul echivalent din Figura 3.b. n aceste condiii, circuitul de
polarizare din Figura 8 devine cel prezentat n Figura 9.

Figura 9. Circuitul de calcul al PSF-ului diodei D.

Circuitul din Figura 9 este liniar (este compus numai din elemente liniare de circuit) i din
acest motiv este mult mai uor de analizat. Cunoscnd parametrii circuiutului echivalent al
diodei (VD i RD), curentul electric prin diod n Punctul Static de Funcionare se poate
determina foarte uor, aplicnd TK2 pe bucla circuitului. n continuare, dac n circuit
valoarea rezistenei electrice R este mult mai mare dect valoarea rezistenei RD, circuitul din
Figura 9 se poate simplifica prin utilizarea pentru diod a circuitului echivalent prezentat n
Figura 4, valabil pentru regimul de conducie direct.
Utilizarea circuitului echivalent n regim variabil de semnal mare
Un circuit electronic funcioneaz n regim variabil de semnal mare dac mrimile
electrice sunt caracterizate de variaii mari. n cazul diodei semiconductoare, aa cum s-a
precizat, aceasta funcioneaz n regim variabil de semnal mare dac valoarea tensiunii pe
diod este caracterizat de variaii de amplitudini mai mari dect 12,5[mV].
Modul n care este utilizat circuitul echivalent al modelului liniar pe poriuni n acest
regim de funcionare este prezentat pe un exemplu de circuit, denumit redresor monofazat de
tensiune.
Redresoarele de tensiune sunt circuite utilizate n sursele de alimentare ale sistemelor
electronice. Redresorul de tensiune realizeaz conversia energiei de curent alternativ n
energie de curent continuu. Exist 2 tipuri de redresoare monofozate i anume:
redresoare monoalternan
redresoare bialternan
Ca exemplu n discuia care urmeaz se consider cazul redresorului monofazat
monoalternan. Schema de baz a acestuia este prezentat n Figura 10, unde D reprezint o
diod semiconductoare special, denumit diod redresoare, iar RL reprezint sarcina
redresorului. La intrarea redresorului se aplic o tensiune sinusiodal vi(t) de amplitudine
mare (de ordinul zecilor de voli), a crei component medie este nul (variaia tensiunii de
intrare este axat pe zero voli).

Dispozitive Electronice i Electronic Analogic

Suport curs 05 Modelarea diodei

Figura 10. Schema redresorului monofazat monoalternan.

Funcionarea redresorului de tensiune depinde de alternana tensiunii sinusoidale de

intrare vI(t). Determinarea tensiunii de ieire vo(t) se efectueaz pe 2 circuite echivalente
diferite, care depind de alternana tensiunii de intrare vi(t).
n alternana pozitiv, cnd vi(t)>0[V], pe anodul diodei se aplic potenialul electric
superior, iar aceasta funcioneaz n regiunea de conducie direct i poate fi nlocuit cu
modelul prezentat n Figura 2.a.
n alternana negativ, cnd vi(t)<0[V], pe anodul diodei se aplic potenialul electric
inferior (vI i schimb n aceast alternan polaritatea), iar aceasta funcioneaz n regiunea
de conducie invers i poate fi nlocuit cu modelul prezentat n Figura 2.b. innd cont de
acestea, comportamentul redresorului din Figura 10 poate fi modelat n cele 2 alternane ale
tensiunii de intrare vI prin intermediul celor 2 circuite echivalente din Figura 11.

Figura 11. Modelarea comportamentului redresorului de tensiune pe baza circuitelor echivalente: a. modelarea
n alternana pozitiv a lui vI; b. modelarea n alternana negativ a lui vI.

n continuare, deoarece amplitudinea tensiunii de intrare este mult mai mare dect
valoarea tensiunii de prag a diodei (VD0,6[V]), sursa de tensiune VD se poate neglija din
circituitul echivalent. Totodat, deoarece n general valoarea rezistenei RL este mult mai
mare dect valoarea rezistenei echivalente a diodei rD, i acesta diin urm se poate neglija n
circuitul echivalent. Cu aceste simplificri, comportamentul redresorului din Figura 10 poate
fi modelat n cele 2 alternane ale tensiunii de intrare vI prin intermediul celor 2 circuite
echivalente din Figura 12, n care s-a utilizat pentru diod modelul ideal.

Figura 12. Circuitele echivalente care modeleaz comportamentul redresorului n funcie de alternana tensiunii
de intrare vi(t).

Dispozitive Electronice i Electronic Analogic

Suport curs 05 Modelarea diodei

Pe baza circiuitelor echivalente din Figura 12, se poate determina ecuaia care descrie
comportamentul redresorului de tensiune monoalternan. Astfel, valoarea tensiunii de ieire
vO a redresorului monoalternan este descris de relaia:
v ( t ) daca vi ( t ) > 0
vo ( t ) = i
0 daca vi ( t ) 0

Pe baza acestei ecuaii, forma de und a tensiunii de ieire a redresorului rezult

conform celei prezentate n Figura 13.

Figura 13. Formele de und ale tensiunilor redresorului.

5. Utilizarea circuitului echivalent al diodei n regim variabil de semnal mic

n cazul n care dioda este introdus ntr-un circuit aliementat att de la o surs de tensine
continu, ct i de la o surs de tensiune variabil, atunci dioda respectiv funcioneaz att n
regim de curent continuu, ct i variabil. n plus, dac amplitudinea tensiunii care cade pe
terminalele diodei este mai mic dect 12,5mV, atunci regimul variabil n care funcioneaz
dioda respectiv este de semnal mic.
n aceste condiii, modelarea comportmanetului diodei semiconductoare n regim variabil de
semnal mic se realizeaz pe baza circuitelor echivalente prezentate n Figura 7. Deoarece n
circuitul echivalent se utilizeaz rezistena de semnal mic a diodei a crei valoare depinde,
conform formulei de calcul, de valoarea curentului prin diod IA determinat n Punctul Static
de Funcionare al acesteia, pentru utilizarea circuitelor echivalente din Figura 7 este necesar
ca, nainte de utilizarea acestui, s se determine valoarea curentului IA.
Determinarea curentului prin diod IA determinat n Punctul Static de Funcionare al
acesteia se realizeaz efectund analiza circuitului n curent continuu.
Analiza circuitului n regim de curent continuu se realizeaz pe un nou circuit
echivalent, denumit circuitul echivalent n curent continuu, care modeleaz
comportamentul acestuia doar n regim de curent continuu.
Circuitul echivalent n curent continuu se obine innd de urmtoarele reguli:
sursele de tensiune variabil vi se pasivizeaz; pasivizarea unei surse de tensiune
const n nlocuirea acesteia ntre bornele sale cu un scurtcircuit (fir);
dioda D se nlocuiete, n funcie de regiunea de funcionare, cu unul din circuitele
echivalente din Figura 3.
10

Dispozitive Electronice i Electronic Analogic

Suport curs 05 Modelarea diodei

Abia dup calculul valorii curentului IA pe circuitul echivalent n regim de curent continuu, se
poate trece la calculul rezistenei diodei n regim variabil de semnal mic, rd i ulterior,
modelarea comportamentului diodei n regim variabil de semnal mic.
Analiza circuitului n regim variabil de semnal mic se realizeaz pe un nou circuit
echivalent, denumit circuitul echivalent de semnal mic, care modeleaz comportamentul
acestuia doar n regim variabil de semnal mic.
Circuitul echivalent n semnal mic se obine innd de urmtoarele reguli:
sursele de tensiune continu VCC se pasivizeaz; pasivizarea unei surse de tensiune
const n nlocuirea acesteia ntre bornele sale cu un scurtcircuit (fir);
dioda D se nlocuiete cu unul din circuitele echivalente din Figura 7.

11