Celul solar

O celul solar tipic

O celul solar const din dou sau mai multe straturi

de material semiconductor, cel mai ntlnit ind siliciul.
Aceste straturi au o grosime cuprins ntre 0,001 i 0,2
mm i sunt dopate cu anumite elemente chimice pentru a
forma jonciuni p i n. Aceast structur e similar cu
a unei diode. Cnd stratul de siliciu este expus la lumin Celule fotovoltaice policristaline ntr-un modul solar.
se va produce o agitaie a electronilor din material i va
generat un curent electric.
Celulele, numite i celule fotovoltaice, au de obicei o suprafa foarte mic i curentul generat de o singur celul
este mic dar combinaii serie, paralel ale acestor celule
pot produce cureni sucient de mari pentru a putea
utilizai n practic. Pentru aceasta, celulele sunt ncapsulate n panouri care le ofer rezisten mecanic i la
intemperii.

Clasicare

Celulele solare pot clasicate dup mai multe criterii.

Cel mai folosit criteriu este dup grosimea stratului ma- Panou solar
terialului. Aici deosebim celule cu strat gros i celule cu
strat subire.
n fabricarea celulelor fotovaltaice pe lng materiale seUn alt criteriu este felul materialului: se ntrebuineaz, miconductoare, mai nou, exist posibiltatea utilizrii i a
de exemplu, ca materiale semiconductoare combinaii- materialelor organice sau a pigmenilor organici.
le CdTe, GaAs sau CuInSe, dar cel mai des folosit este
siliciul.

1.1 Materiale

Dup structur de baz deosebim materiale

cristaline(mono-/policristaline) respectiv amorfe.

1. Celule pe baz de siliciu

1

1
Strat gros
Celule monocristaline (c-Si)
randament mare - n producia n serie se
pot atinge pn la peste 20 % randament
energetic, tehnic de fabricaie pus la
punct; totui procesul de fabricaie este
energofag, ceea ce are o inuen negativ asupra periodei de recuperare (timp
n care echivalentul energiei consumate n
procesul de fabricare devine egal cantitatea de energia generat).
Celule policristaline (mc-Si)
la producia n serie s-a atins deja un randament energetic de peste la 16 %, cosum
relativ mic de energie n procesul de fabricaie, i pn acum cu cel mai bun raport
pre performan.
Strat subire
Celule cu siliciu amorf (a-Si)
cel mai mare segment de pia la celule cu
strat subire; randament energetic al modulelor de la 5 la 7 %; nu exist strangulri n aprovizionare chiar i la o producie de ordinul TeraWatt
Celule pe baz de siliciu cristalin, ex. microcristale (c-Si)
n combinaie cu siliciul amorf randament
mare; tehnologia aceeai ca la siliciul
amorf

CLASIFICARE

produs n staie pilot la rma Wrth Solar n Marbach am Neckar, respectiv Cupru-Indiu-Disulfat la
rma Sulfurcell n Berlin, iar CIGS pentru CupruIndiu-Galiu-Diselenat produs n staie pilot n Uppsala/Suedia. Productorii de mai sus promit trecerea
la producia n mas n anul 2007.
5. Celule solare pe baz de compui organici
Tehnologia bazat pe chimia organic furnizeaz
compui care pot permite fabricarea de celule solare
mai ieftine. Prezint, totui, un impediment faptul
c aceste celule au un randament redus i o durat
de via redus (max. 5000h). nc (ianuarie 2007)
nu exist celule solare pe baz de compui organici
pe pia.
6. Celule pe baz de pigmeni
Numite i celule Grtzel utilizeaz pigmeni naturali
pentru transformarea luminii n energie electric; o
procedur ce se bazeaz pe efectul de fotosintez.
De obicei sunt de culoare mov.
7. Celule cu electrolit semiconductor
De exemplu soluia: oxid de cupru/NaCl. Sunt celule foarte uor de fabrict dar puterea i sigurana n
utilizare sunt limitate.
8. Celule pe baz de polimeri
Deocamdat se a doar n faz de cercetare.

1.2 Rezervele de materia prim

2. Semiconductoare pe baz de elemente din grupa

Ca materie prim de baz siliciul este disponibil n canIII-V
titi aproape nelimitate. Pot aprea ns strangulri n
Celule cu GaAs
aprovizionare datorate capacitilor de producie insurandament mare, foarte stabil la schimbri- ciente i din cauza tehnologiei energofage.
le de temperatur, la nclzire o pierdere de
La celulele solare ce necesit materiale mai speciale cum
putere mai mic dect la celulele cristaline pe
sunt cele pe baz de indiu, galiu, telur i seleniu situaia se
baz de siliciu, robust vizavi de radiaia ulprezint altfel. La metalele rare indiu i galiu consumul
traviolet, tehnologie scump, se utilizeaz de
mondial (indiu cca. 850 t, galiu cca. 165 t) depete deja
obicei n industria spaial (GaInP/GaAs, Gade mai multe ori producia anul (USGS Minerals InforAs/Ge)
mation). Deosebit de critic este situaia datorit crete3. Semiconductoare pe baz de elemente din grupa rii accentuate a consumului de indiu n form de indiu
oxid de zinc n ecranele cu cristale lichide i cele cu LED
II-VI
organic, precum i utilizrii de galiu i indiu n producia
diodelor luminiscente (LED) care se comercializeaz n
Celule cu CdTe
utilizeaz o tehnologie foarte avantajoas surse de lumin cu consum mic de energie respectiv ca
CBD(depunere de staturi subiri pe supra- surs de lumin de fundal n televizoare cu ecran plat.
fee mari n mediu cu pH , temperatur i Rezervele de indiu, estimate la 6000 tone(economic exconcentraie de reagent controlate) ; n labora- ploatabile 2800 tone), se presupune c se vor epuiza detor s-a atins un randament de 16 %, dar mo- ja n acest deceniu (Neue Zrcher Zeitung 7. Dezember
dulele fabricate pn acum au atins un ran- 2005) (reserve de indiu conform USGS Mineral Commodament sub 10 %, nu se cunoate abilitatea. dity Summaries (2006)).
Din motive de protecia mediului este improLa seleniu i telur, care e i mai greu de gsit, situaia pare
babil utilizarea pe scar larg.
mai puin critic, deoarece ambii metaloizi se regsesec
4. Celule CIS, CIGS
n cantiti mici n nmolul anodic rezultat n urma proCIS este prescurtarea de la Cupru-Indiu-Diselenid cesului de electroliz a cuprului iar productorii de cupru

1.4

Principiu de funcionare

utilizeaz doar o parte din nmolul rezultat pentru extragerea de telur i seleniu. Rezervele exploatabile economic la seleniu se estimeaz totui la doar 82000 tone, iar
la telur la doar 43000 tone, vizavi de cupru unde se estimeaz la 550 milioane tone!
Multe procese de producie utilizeaz galiu, indiu, seleniu
i telur n mod neeconomic.
Spre deosebire de cupru, unde procesul de reciclare este
pus la punct, la galiu, indiu, seleniu i telur procesul de
reciclare nu este posibil deoarece aceste elemente se gsesc incluse n structuri multistrat foarte n distribuite de
unde recuperarea, se pare, nici n viitor nu va posibil.

1.3

Moduri de construcie

Absorbia radiaiei solare de ctre Siliciu (mono- und policristalin)

Pe lng materia prim o importan mare prezint tehnologia utilizat. Se deosebesc diferite structuri i aranjamente n care se depun electrozii de acoperire transpareni a cror rezisten nu este deloc neglijabil.
Alte tehnici vizeaz mrirea ecienei asigurnd absorbia unui spectru de frecven ct mai larg prin suprapunerea mai multor materiale cu diferite caracteristici de
absorbie. Se ncearc selectarea materialelor n aa fel
nct spectrul luminii naturale s e absorbit la maximum.
Actualmente celulele solare pe baz de materiale semiconductoare cele mai des comercializate sunt cel pe baz
Absorbia radiaiei solare de ctre Gallium-Antimonat
de siliciu.
Celulele solare pe baz de materiale semiconductoare utilizate pentru producerea de energie electric sunt legate 1.4
n module. Pe un modul se a mai multe rnduri de celule solare conectate n serie ntre ele pe faa i pe reversul
modulului permind, datorit tensiunii nsumate, utilizarea unor conductori cu seciune mai mic dect la legarea
n paralel. Pentru protejarea unei celule solare mpotriva efectului de avalan n jonciune, datorat potenialului mai mare (aprut de exemplu la umbrirea parial a
modulului), trebuie incorporate paralel cu celulele solare
diode de protecie(bypass).

Principiu de funcionare

Sistemele de panouri solare sunt nzestrate uneori cu mecanisme de orientare, panoul ind n permanen direcionat pentru a exploata la maximum energia solar inciPrinc. de funcionare a celulei solare cu semiconductori: Fotoni
dent.
Randamentul termodinamic maxim teoretic pentru producerea de energie din lumina solar este de 85 %. Acesta se calculeaz din temperatura suprafeei soarelui(5800
K), temperatura maxim de absorbie(<2500 K, tempertura de topire a materialelor greu fuzibile) i temperatura mediului nconjurtor(300 K).
Dac se utilizeaz doar o poriune din spectrul luminii solare, valoarea teoretic se reduce n funcie de lungimea
de und, pn la 5-35 %. Neutilizarea spectrului complet
este una din dezavantajele celulelor solare fa de centralele solare termice.

incidentali elibereaz electroni i goluri, care se vor separa n

cmpul electric al zonei de sarcin spaial a jonciunii p-n

semiconductoare n principiu sunt construite ca nite fotodiode cu suprafa mare care ns nu se utilizeaz ca
detectoare de radiaii ci ca surs de curent.
Interesant la acest tip de semiconductoare este c prin
absorbie de energie (cldur sau lumin) elibereaz purttori de sarcin (electroni i goluri). Este nevoie de un
cmp electrostatic intern pentru ca din aceti purttori s
se creeze un curent electric dirijndu-i n direcii diferite.
Acest cmp electric intern apare n dreptul unei jonciuni

CELULE SOLARE PE BAZ DE SILICIU

und a culorii roii, culorea cea mai bine absorbit de siliciu. n principiu ns n acest mod se pot realiza celule
roii, galbene, sau verzi la cerine arhitectonice deosebite, dar vor avea un randament mai slab. n cazul nitratului
de siliciu i a bioxidului de siliciu stratul antireectorizant
mai are i un rol de a reduce viteza de recombinare supercial.

2 Celule solare pe baz de siliciu

Structura unei celule solare simple cu impuricare pin - positive

intrinsic negative.

p-n. Pentru c intensitatea uxului luminos scade exponenial cu adncimea, aceast jonciune este necesar s
e ct mai aproape de suprafaa materialului i s se ptrund ct mai adnc. Aceast jonciune se creeaz prin
impuricarea controlat. Pentru a realiza prolul dorit, n
mod normal se impuric n un strat subire de suprafa i p stratul gros de dedesubt n urma cruia apare
jonciunea. Sub aciunea fotonilor apar cupluri electron- Celul solar multicristalin
gol n jonciune, din care electronii vor accelerai spre
interior, iar golurile spre suprafa. O parte din aceste cupluri electron-gol se vor recombina n jonciune rezultnd
o disipare de cldur, restul curentului putnd utilizat
de un consumator, ncrcat ntr-un acumulator sau prin
intermediul unui invertor livrat n reeaua public. Tensiunea electromotare maxim la bornele unei celule solare (de exemplu la cele mai utilizate, celulele de siliciu
cristaline) este de 0,5 V.
Structura celulelor solare se realizeaz n aa mod nct s
absoarb ct mai mult lumin i s apar ct mai multe
sarcini in jonciune. Pentru aceasta electrodul de suprafa trebuie s e transparent, contactele la acest strat s
e pe ct posibil de subiri, pe suprafa se va aplica un
strat antireectorizant pentru a micora gradul de reexie a luminii incidente. Acestui strat antireectorizant i
se atribuie culoare negru-albstruie a celulelor solare care
fr aceasta ar avea o culoare gri-argintie.
La celulele solare moderne se obine din nitrat de siliciu
prin procedeul PE-CVD(pe o suprafa nclzit se depun
n urma unei reacii chimice componente extrase dintr-o
faz gazoas) un stratul antireectorizant de cca 70 nm
grosime (sfert de lungime de und la un coecient de refracie de 2,0). Se mai utilizeaz straturi reectorizante
din SiO2 i TiO2 ce se depun prin procedeul AP-CVD.
Grosimea stratului inueneaz culoarea celulei (culoarea
de interferen). Grosimea stratului trebuie s e ct se
pote de uniform, deoarece abateri de civa nanometri
mresc gradul de reexie. Celulele i datoreaz culoarea
albastr realizrii unei grosimi ce corespunde lungimii de

o plac (wafer) multicristalin

Materialul cel mai utilizat pentru fabricarea de celule solare pe baz de semiconductori este Siliciul. Dac la nceput pentru producerea celulelor solare se utilizau deeuri rezultate din alte procese tehnologice pe baz de
semiconductori, astzi se apeleaz la materiale special n
acest scop fabricate. Pentru industria semiconductorilor
siliciul este materialul aproape ideal. Este ieftin, se poate
produce ntru-un singur cristal la un nalt grad de puritate, i se poate impurica(dota) n semiconductor de tip

2.1

Fabricaia avnd la baz blocuri sau bare de siliciu

n sau p. Prin simpla oxidare se pot crea straturi izolatoare subiri. Totui lrgimea zonei interzise fac siliciul
mai puin potrivit pentru exploatarea direct a efectului
fotoelectric. Celule solare pe baz pe siliciu cristalin necesit o grosime de strat de cel puin 100 m sau mai mult
pentru a pute absorbi lumina solar ecient. La celulele
cu strat subire de tip semiconductor direct ca de exemplu GaAs sau chiar siliciu cu structura cristalin puternic
perturbat (vezi mai jos), sunt suciente 10 m.
n funcie de starea cristalin se deosebesc urmtoarele
tipuri de siliciu:
Monocristaline Celulele rezult din aa numitele
Wafer (plci de siliciu dintr-un cristal). Aceste cristale reprezint materia de baz pentru industria de
semiconductori i sunt destul de scumpe.
Policristaline Celulele sunt din plci care conin zone cu cristale cu orientri diferite. Acestea pot fabricate de exemplu prin procedeul de turnare, sunt
mai ieftine i ca atare cele mai rspndite n producia de dispozitive fotovoltaice. Deseori ele se
numesc i celule solare policristaline.
Amorfe Celulele solare constau dintr-un strat subire de siliciu amorf (fr cristalizare) i din aceast
cauz se numesc celule cu strat subire. Se pot produce de exemplu prin procedeul de condensare de
vapori de siliciu i sunt foarte ieftine, dar au un randament sczut n spectru de lumin solar, totui au
avantaje la lumin slab. De aceea se utilizeaz n
calculatoare de buzunar i ceasuri.
Microcristaline Acestea sunt celule cu strat subire
cu structur microcristalin. Au un randament mai
bun dect celulele amorfe i nu au un strat att de
gros ca cele policristaline. Se utilizeaz parial la
fabricarea de panouri fotovoltaice, dar nu sunt att
de rspndite.
Celule solare tandem sunt straturi de celule solare suprapuse, deobicei o combinaie de straturi policristaline i amorfe. Straturile sunt din materiale
diferite i astfel acordate pe domenii diferite de lungimi de und a luminii. Prin utilizarea unui spectru
mai larg din lumina solar, aceste celule au un randament mai mare dect celulele solare simple. Se
utilizeaz parial la fabricarea de panouri solare dar
monocristal de siliciu utilizat la fabricarea plcilor de siliciu dup
sunt relativ scumpe. O ieftinire apreciabil se va ob- procedeul Czochralski
ine prin utilizarea n combinaie cu sisteme de lentile, aa numitele sisteme de concentrare.
Materia prim siliciu este al doilea element chimic din
compoziia scoarei terestre n privina cantitatii. Se
2.1 Fabricaia avnd la baz blocuri sau regsete n compui chimici cu alte elemente formnd
bare de siliciu
silicate sau cuar. Siliciul brut numit i siliciu metalurgic
se obine din quar prin topire n furnal.Reducera siliciuCelulele solare obisnuite pot confecionate dup mai lui se petrece cu ajutorul carbonului la o temperatura de
multe metode de fabricaie.
cca 1700 C, rezultnd la ecare ton de siliciu metalur-

gic de puritate de cca 98-99 % n jur de 1,5 T de CO2.

Prin acest procedeu n 2002 s-au produs 4,1 T siliciu. Mare parte din acesta este utilizat de industrie la fabricare a
oelului i n industria chimic i numai o mic parte n
microelectronic i la fabricarea de celule fotovoltaice.
Din siliciul brut printr-un proces de fabricaie n trepte
bazat pe triclorsilan se obine siliciul policristalin de cea
mai mare puritate.
Pn n prezent (2006) n producie se recurge la o tehnologie Siemens bazat pe un procedeu de tip CVD condensare de vapori de siliciu, procedeu elaborat i optimizat
pentru ramura de microelectronic. n microelectronic
cerinele de calitate sunt total diferite de cele din fabricarea de celule fotovoltaice. Pentru fabricarea de celule
solare este foarte important puritatea plcii de siliciu n
toat masa ei pentru a asigura o ct mai mare durat de
via pentru purttorii de sarcin, pe cnd n microelectronic cerina de foarte nalt puritate se rezum n principiu la stratul superior pn la o adncime de 20-30 m.
Deoarece ntre timp consumul de siliciu de nalt puritate
pentru fabricarea de celule fotovoltaice a ntrecut pe cel
pentru microelectronic, actualmente se fac cercetri intense pentru elaborarea de procedee de fabricare speciale
mai ieftine optimizate pentru celule solare.

CELULE SOLARE PE BAZ DE SILICIU

talin. Siliciul pur se topete tot ntr-un cuptor cu inducie dar procesul de rcire n urma cruia n masa topit
se formeaz mari zone ocupate de cte un cristal are loc
chiar n cuptor. Materialul se supune unei nclziri progresive pornind de la baz astfel nct n momentul topirii
stratului superior, la baz deja se produce ntrirea materialului. Dimensiunile blocurilor obinute sunt mai mari
(60*60 cm 70*70 cm) cu nlimea de 20-25 cm, i se
procedeaz la tierea lor n blocuri mai mici avnd lungimea de 20-25 cm.
2.1.3 Procedeul Czochralski
Este utilizat la fabricarea de bare lungi monocristaline.
nainte de tierea plcilor necesare celulelor, barele cilindrice rezultate se ajustaeaz astfel nct s prezinte o
seciune ptrat.
2.1.4 Procedeul de topire zonal

Se mai numete i procedeu Float-Zone i se aplic tot la

producerea monocristalelor de siliciu sub form de bar.
Puritatea materialului obinut ind superioar celei neceCu toate c procesul de producie a siliciului pur este foar- sitate n confecionarea celulelor solare, i costurile ind
te energofag, energia consumat la fabricareaa celulelor mari, prodedeul este rar utilizat. Singura rm ce utilisolare, n funcie de tehnologia utilizat, se poate recupe- zeaz acest procedeul este SunPower din Statele Unite.
ra n 1,5 pn la 7 ani. Dac se ia n considerare c durata
de via a panourilor solare este de peste 20 ani bilanul
energetic rezultat este pozitiv.
2.1.5 Fabricare de waferi (discuri/plci subiri de
siliciu)
Siliciul pur n continuare poate prelucrat n mai multe feluri. Pentru celule policristaline amintim procedeele
de turnare Bridgman i EVG, pe cnd pentru cele monocristaline procedeul Czochralski. n ecare din acestea n
procesul fabricare a blocurilor sau barelor se face simultan i impuricare cu Bor (vezi mai jos).
2.1.1

Procedeul de turnare

Acesta se utilizeaz la fabricarea siliciului policristalin.

Siliciul pur se topete ntr-un cuptor cu inducie dup care se toarn ntr-un recipient de form ptrat n care se
supune la un proces de rcire ct mai lent posibil n cursul
cruia vor apare cristale ct mai mari posibil. Recipientul are dimensiunile 50*50 cm, masa solidicat avnd
nlimea de 30 cm. Blocul astfel solidicat se taie n
mai multe blocuri mai mici cu lungimea de 30 cm. Un
alt mod reprezint turnare continu, procedeu prin care
materialul este turnat direct pe support la dimensiunile
cerute. Avantajul const n eliminare pierderilor rezultate din tiere.
2.1.2

Procedeul Bridgman

Din barele de cristal vor secionate plcue(wafer) cu

un erstru special constnd dintr-o srm lung pe care s-au aplicat particule de diamant i care este nfurat
pe cilindri ce se rotesc. Un bloc este complet secionat n
plcue de cca 0,180,28 mm la o singur trecere. Praful rezultat n urma debitrii este inutilizabil i reprezint
pn la 50 % din material.
Pentru obinerea de plcue de siliciu la nceput se utiliza
materia prim excedentar rezultat din fabricarea de circuite integrate, care nu corespundea calitativ dar era potrivit pentru fabricarea celulelor solare. Datorit cererii
mult crescute a produciei de [[Panou fotovoltaic|panouri
solare]], aceast surs are o importan nesemnicativ.
Celulele monocristaline prezint o suprafa omogen, pe
cnd la celulele policristaline se pot deosebi zone distincte cu cristale avnd orientri diferite, ceea ce creeaz o
imagine asemntoare orilor de ghea.
n stadiul de plcu(wafer) faa i reversul plcuei nu se
deosebesc.
2.1.6 Prelucrarea plcilor de siliciu

Procedeul numit dup Percy Williams Bridgman este Plcile debitate vor trecute prim mai multe bi de splaaplicat tot n procesul de fabricare a siliciului policris- re chimic pentru a nltura defectele de debitare i a pre-

2.3

Celule din siliciu murdar

gti o suprafa potrivit captrii luminii. Pentru aceasta 2.2.2 Procedeul String-Ribbon
s-au elaborat diferite procedee utilizate de fabricani.
n mod normal n aceast faz plcile sunt deja impuri- Mai exist un procedeu dezvoltat de rma Evergreen Socate cu bor. Aceasta nseamn c se gsete deja un lar din Statele Unite care const n tragerea cu ajutorul a
surplus de goluri care pot capta electroni deci avem o im- dou re a unei pelicule din siliciul topit. n cursul acestui
puricare tip p. Pe parcursul procesului de fabricare a proces rezult mai puine deeuri (pan ce trebuie nltucelulei solare pentru crearea unei jonciuni p-n este ne- rat) ca la procedeele uzuale.
cesar s impuricm suprafaa ei cu impuriti de tip n
ceea ce se poate realiza ntr-un cuptor ntr-o atmosfer de
fosfor. Atomii de fosfor ptrund n suprafa i vor crea 2.2.3 Procedeul cu transfer de strat
o zon de cca 1 m cu un surplus de electroni.
La acest procedeu direct pe un substrat (corp subire soPasul urmtor va consta n adugarea unui electrod trans- lid, deobicei cu o orientare cristalin predenit) se crete
parent din SiN sau TiO2 .
un monocristal de siliciu sub forma unui strat de cca 20
Urmeaz imprimarea zonelor de conact i a structurii ne- m grosime. Ca material purttor se pot utiliza substracesare pentru colectarea curentului generat. Faa celulei turi ceramice, sau siliciu supus unui tratatament supercieste prevzut de cele mai multe ori cu dou benzi pe ca- al. Placa(wafer) format ca deprins de stratul purttor
re ulterior se vor xa legturile dintre mai multe celule. care n continuare va putea reutilizat. Avantajele pron afar de aceasta se va aplica o gril conductoare foarte cedeului constau n consumul de siliciu semnicativ redus
subire , care pe de o parte deranjeaz foarte puin intra- datorit grosimii mici, i lipsa deeurilor din debitare (pas
rea luminii, pe de alt parte micoreaz rezistena elec- ce nu mai mai apre n acest procedeu). Randamentul atins
tric a electrodei. Reversul plcii de regul este complet este mare i se situeaz n domeniul celulelor monocristaline.
acoperit cu un material bun conductor de electricitate.
Dup procesare, celulele vor clasicate dup proprietile lor optice i electrice, mai apoi sortate i asamblate
2.3
n panouri solare.

Celule din siliciu murdar

Procesul de topire i impuricare zonal se poate aplica

2.2 Fabricarea plcilor semiconductoare i n cazul suprafeelor plate/straturi. Principiul const
n faptul c impuricarea, prin tratamentul termic (muln mod direct
tipl retopire prin deplasare lateral de exemplu cu ajutorul unui fascicol laser) al siliciului, poate concentrat
n dorina de a se evita detaarea plcilor din blocuri , se n cteve locuri.[1] .
gsesc diferite alte modaliti ce permit fabricarea celulelor solare.

3 Alte tipuri de celule solare

2.2.1

Procedeul EFG

EFG este prescurtarea de la Edge-dened Film-fed

Growth. Prin acest procedeu dintr-o cad de grat
nclzit electric se trag n sus tuburi octogonale de cca
6 pn la 7 m cu o vitez de cca 1 mm/s. Limea unei
fee este de 10-12.5 cm, iar grosimea peretelui atinge
cca 280 m. Apoi tuburile vor tiate de-a lungul
canturilor cu un laser NdYAG, dup care ecare faet
pe baza unei grile de-a latul. Astfel se pot realiza celule
cu diferite dimensiuni (de exemplu 12.5*15 cm sau
12.5*12.5 cm). n acest fel se obine o ntrebuinare de
80 % a materialului disponibil. Celulele astfel realizate
sunt deobicei policristaline, care la vedere se deosebesc
clar de cele debitate, printre altele suprafaa lor este mai
ondulat. Acest procedeu se mai numete i procedeu
octagonal sau de extrudare.

3.1 Celule solare cu strat subire

Procedeul EFG este utilizat de rma Schott Solar n Ger- Celule solare cu strat subire din siliciu amorf pe sticl, 4 celule
mania i afost dezvoltat de rma ASE Solar din Statele pe rnd
Unite.

ALTE TIPURI DE CELULE SOLARE

un randament stabil pe o perioad de mai mult de 10 ani.

Alte materiale ce se mai pot ntrebuina sunt siliciul microcristalin (c-Si:H), arseniura de galiu (GaAs), teluriura de cadmiu (CdTe) sau legturi cupru-indiu-(galiu)sulf-seleniu, aa numitele celule CIS, respective celule
CIGS unde n funcie de tip S poate nsemna sulf sau seleniu.
Modulele pe baz de celule cu strat subire CIS au atins
deja un randament de 11-12 % vezi [2] ) egal cu cel al modulelor multicristaline cu siliciu.

Vedere din spate (din partea stratului, lcuit maro)

Pentru producerea de curent electric este de dorit un randament mai mare, pe care parial l pot oferi i celulele
cu strat subire. Se pot atinge randamente n jur de 20 %
(de exemplu 19,2 % cu cellule CIS vezi [3] ).
Totui randamentul nu este singurul criteriu n alegere, de
multe ori mai importante sunt costurile la care se poate
produce curent cu ajutorul panourilor solare, iar acestea
sunt determinate de procedeul de fabricaie utilizat i de
preul materiei prime.
Una din proprietile avantajoase a celulelor cu strat subire const n fapul c nu necesit un substrat rigid ca de
exemplu sticl sau aluminiu. La celulele solare exibile
ce pot xate pe rucsac sau cusute pe hain, se accept
un randament mai sczut deoarece factorul greutate este mai important dect transformarea optim a luminii n
energie electric.

Tipuri de celule solare

Celulele solare cu strat subire se gsesc n diferite variante dup substrat i materialul condensat avnd o varietate a proprietilor zice i a randamentului pe msur. Celulele solare cu strat subire se deosebesc de celulele tradiionale (celule solare cristaline bazate pe plci
de siliciu) nainte de toate n tehnologia de fabricaie i
grosimea stratului materialului ntrebuinat. Proprietile zice ale siliciului amorf, care se deosebesc de cele ale
siliciului cristalin determin proprietile celulelor solare. Anumite proprieti nu sunt nc pe deplin claricate
din punct de vedere teoretic.
Chiar i la celulele solare cristaline lumina este absorbit deja ntr-un strat supercial (de o adncime de cca 10
m). Ar deci de preferat s se fabrice celulele solare
cu un strat foarte subire. n comparaie cu celulele din
plci de siliciu cristalin celule cu strat subire sunt de 100
de ori mai subiri. Celulele cu strat subire se obin de cele mai multe ori prin condensarea din faz gazoas direct
pe un material purttor care poate sticl, folie metalic,
material sintetic, sau alt material. Procesul costisitor de
debitare a blocurilor de siliciu descris n capitolul anterior poate deci eliminat.
Cel mai ntrebuinat material pentru celulele cu strat foarte subire este siliciul amorf (a-Si:H). Modulele cu celule
de acest tip au o durat de via lung. Testele conrm

O alt proprietate avantajoas a celulelor cu strat subire,

mai ales al celor din siliciu amorf este c ele au un mod
de fabricaie mai simplu i pot avea o suprafa efectiv
mai mare. Din acest motiv ele au un segment de pia
semnicativ.
Utilajele de fabricaie parial sunt identice cu cele utilizate n fabricarea de ecrane plate, i se pot obine straturi cu
o suprafa de peste 5 m. Cu procedeul de fabricaie bazat pe siliciu amorf se pot produce i straturi subiri din
siliciu cristalin, aa numitul siliciu microcristalin combinnd proprietile siliciului cristalin ca material pentru
celule solare cu avantajele metodelor utilizate n tehnica
lmului subire. Prin combinarea siliciului amorf i a celui microcristalin au fost obinute mriri substaniale de
randament n ultimul timp.
Un procedeu de producere a celulelor cu strat subire din
siliciu este CSG (Crystalline Silicon on Glass); prin acesta se depune un strat subire de mai puin de 2 m direct
pe o suprafa de sticl; dup un tratament termic se obine structura cristalin. Circuitele pentru curentul electric se aplic cu ajutorul tehnicii laser i celei utilizate n
imprimantele cu jet de cerneal. Pe baza acestei tehnologii se construiete o fabric n Germania, care ar trebui
s produc primele module n 2006. (Sursa: CSG Solar)

3.2 Celule cu concentrator

La acest tip de celul se economisete suprafa de material semiconductor prin faptul c lumina este concentrat

Celule solare electrochimice pe baz de

pigmeni

Acest tip ce cellule se mai numesc i celule Grtzel. Spre

deosebire de celulele prezentate pn acum la celule Grtzel curentul se obine prin absorbie de lumin cu ajutorul unui pigment, utilizndu-se oxidul de titan ca semiconductor. Ca pigmeni se utilizeaz n principiu legturi
complexe al metalului rar ruthenium, dar n scop demonstrativ se pot utiliza i pigmeni organici, de exemplu clorola, sau anthocian (din mure) (dar au o durat de via
foarte redus). Modul de funcionare al acestui tip de celule nu este nc pe deplin claricat; este foarte probabil
utilizarea comercial, dar tehnologia de producie nu este
pus la punct.

3.4

Celule solare din compui organici

Celule solare din compui organici utilizeaz legturi

carbon-hidrogen care au proprieti semiconductoare. n
aceti semiconductori lumina excit goluri/electroni din
legturile de valen, care ns au un spectru de lungime
de und destul de restrns. De aceea deseori se utilizeaz dou materiale semiconductoare cu nivele de energie
puin diferite pentru a mpiedica dispariia acestor purttori. Randamentul pe o suprafa de 1cm se cifreaz la
maximal 5 % (situaia la nivel de ianuarie 2007).

3.5

Celule bazate pe uorescen

Este vorba de celule solare, care mai nti produc lumin

de lungime de und mai mare prin fenomenul de uorescen, ca mai apoi s o transforme la marginile plcii.

Istoric

Deja i n Grecia antic se tia c energia luminii se poate

utiliza, astfel se pare c la asediul Siracuzei n anul 212
naintea erei noastre grecii au concentrat lumina solar
cu oglinzi i au ndreptat-o ctre ota asediatoare a romanilor, incendiind-o. Tot grecii au fost i cei care au
utilizat energia luminoas n scop panic aprinznd cu ea
acra olimpic. n 1839 Alexandre Edmond Becquerel
a descoperit c o baterie expus la soare produce mai mult

39.1
37.1

35
Annual production (Gigawatts)

3.3

Photovoltaic Cell Production

40

30
25
20

Rest of World
China
Taiwan
Japan
Malaysia
Germany
Korea
United States

36.2

24.3

15
11.4

10
5
0

7.13
3.81
1.78 2.46
0.75 1.20
0.28 0.37 0.54
0.08 0.09 0.13 0.16 0.20

19
9
19 5
9
19 6
97
19
9
19 8
9
20 9
0
20 0
0
20 1
02
20
0
20 3
0
20 4
0
20 5
0
20 6
0
20 7
0
20 8
09
20
1
20 0
1
20 1
1
20 2
13

pe o suprafa mai mic prin utilizarea lentilelor, acestea

ind mult mai ieftine dect materialul semiconductor. n
mare parte la acest tip de celule se utilizeaz semiconductori pe baz de elemente din grupa III-V de multe ori
aplicate n tandem sau pe trei straturi. Din cauza utilizrii
lentilelor, panourile cu acest tip de celule trebuie orientate incontinuu perpendicular pe direcia razelor solare.

curent electric dect una neexpus. Pentru acest experiment a msurat diferena de potenial dintre doi electrozi
de platin situai unul pe faa luminat i cellalt pe faa
umbrit a recipientului i scufundai ntr-o baie de soluie
chimic acid . Cnd a expus aceast construcie la soare a observat trecerea unui curent printre electrozi. Aa
a descoperit efectul fotoelectric pe care ns nu l putea
explica nc. Mrirea conductivitii seleniului a fost demonstrat n 1873. Zece ani mai trziu a fost confecionat prima celul fotoelectric clasic. Dup nc zece
ani n 1893 a fost confecionat prima celul solar care
producea electricitate. n 1904 zicianul german Philipp
Lenard a descoperit c lumina incident pe anumite suprafee metalice elibereaz electroni din suprafaa acestuia i astfel a oferit prima explicaie referitoare la efectul
fotoelectric. Totui el nu tia nc de ce i la care metale se produce acest efect. Cu toate acesta pentru aceast descoperire el a obinut premiul Nobel pentru zic
n anul 1905. Rezolvarea problemei a venit de la Albert
Einstein n 1905 cnd cu ajutorul teoriei cuantice a explicat dualitate luminii ea ind prezent n acelai timp i
ca particul i ca und. Pn atunci se credea c lumina
este doar energie cu diferite lungimi de und. Einstein
n experimentele sale a constatat c lumina n unele situaii se comport ca o particul, i c energia ecrei
particule sau foton depinde doar de lungimea de und. El
a descris lumina ca o serie de gloane ce ating suprafaa
materialului. Dac aceste gloane au sucient energie,
un electron liber din metalul atins de foton se va elibera
din structura acestuia. Totodat a constatat c energia cinetic maxim a electronului este independent de intensitatea luminii i depinde doar de energia fotonului care
l-a eliberat. Aceast energie depinde totodat numai de
lungimea de und respectiv frecvena luminii. Pentru lucrrile sale privind fenomenul fotovoltaic, a obinut premiul Nobel pentru zic n anul 1921. Descoperirea n
anul 1949 a jonciunii p-n de ctre William B. Shockley,
Walther H. Brattain i John Bardeen a fost nc un pas
mare n direcia celulelor. Dup aceast descoperire fabricrii celulei solare n forma cunoscut astzi nu i mai
sta nimic n cale. Fabricarea primei celule solare n 1954
n laboratoarele rmei americane Bell se datoreaz totui

10

6 MBTRNIREA

unei ntmplri fericite. Angajaii rmei sub conducerea

lui Morton Price au observat cnd cercetau un redresor cu
siliciu, c acesta producea mai mult curent cnd era expus
la soare. Ca urmare rma Bell prin contribuia domnilor
Chapin, Fuller i Pearson a dezvoltat n 1953 primele celule solare din siliciu impuricate cu arsen dar care aveau
un randament de doar 4 % care a fost mrit la 6 % prin
schimbarea impuricrii. n 1958 au fost testate celule
solare pentru prima dat pe sateliul Vanguard I dotat cu
un panou solar avnd 108 celule solare pe baz de siliciu. Rezultetele obinute au fost peste ateptri pn n
ziua de azi sondele spaiale pn dincolo de marte sunt
alimentate cu curent produs de celulele solare, iar n anul
2011 se va lansa sonda spaial Juno care va prima sond spaial spre Jupiter alimentat cu curent produs de
celule solare. S-au atins n spaiu randamente de pn la
10,5 %. Aceste rezultate nu se puteau realiza pe pmnt i
datorit condiiilor diferite din spaiu unde nu se regsete ritmul zi-noapte i lumina natural nu este absorbit
parial de atmosfer i nori, totodat radiaiile cosmice
conduc la o mbtrnire mai rapid a celulelor solare dect pe pmnt. De aceea industria i cercetarea ncearc obinerea unor randamente tot mai mari n paralel cu
prelungirea duratei de via. Randamentul teoretic pentru celule solare pe baz de siliciu se consider a de 29
% pentru condiiile de iradiaie pe spectrul din zona de
mijloc. Mandelkorn i Lamneck au mrit durata de via
a celulelor solare n 1972 printr-o reectare a purttorilor
de sarcin minoritari dup ce au introdus un strat numit
black surfaces eld (BSF) n stratul impuricat p. n
1973 Lindmayer i Ellison au confecionat aa numita celul mov ce avea un randament de 14 %. Prin reducerea
reexiei n 1975 s-a mrit randamentul la 16 %. Aceste
celule s-au numit celule CNR (Comsat Non Reection;
Comsat = Telefonsatelit ) i au fost concepute pentru satelii Criza de la nceputul anilor 70 a condus la creterea
preurilor produselor petroliere avnd ca rezultat cretere preului energiei. Acest lucru a impulsionat cercetrile
n domeniul celulelor solare. n 1980 s-a nceput organizarea de concursuri de automobile acionate cu energie
electric obinut de la module solare. n 1981 un avion
acionat de energie solar a traversat Canalul Mnecii. ntre timp Green precum i specialitii de la Universitatea
Stanford i cei de la Telefunken au dezvoltat cellule solare
cu un randament n jur de 20 %.

Forme i mrimi

La nceputul comercializrii panourilor solare, celulele

aveau o form rotund, pstrnd forma barelor de siliciu
din care au fost debitate. Aceast form azi este rar utilizat locul ei ind preluat de formele dreptunghiulare de
cele mai multe ori ptrate avnd colurile mai mult sau
mai puin teite. Pn la sfritul anilor 1990 celulele solare aveau cel mai des mrimea de fabricaie de 100*100
mm (n jargonul de specialitate numite celule de 4 oli).
Dup aceea au fost introduse pe scar tot mai larg celu-

lele cu latura de 125 mm, i de prin anul 2002 i celulele

cu latura de 150 mm se utilizeaz tot mai des n modulele
standard i se prevede c nici celulele de 200*200 nu vor
o raritate n viitor.
n procesul debitare rezult i plci de dimensiuni mai
mici, care pot genera aceeai tensiune doar cu un curent
mai mic datorit suprafeei mai mici, i care i gsesc
aplicaia n aparatele cu consum mic.
Prin procedeul EFG rezult i patrulatere cu laturi de lungimi diferite.

6 mbtrnirea
Prin mbtrnire nelegem modicarea parametrilor de
funcionare a elementelor semiconductoare a celulelor
solare n timp. n cazul de fa n special scderea randamentului pe parcursul vieii acestora.
Perioada luat n considerare este de cca 20 ani, n condiii de utilizare terestr, randamentul scade cu cca 10
%, pe cnd n spaiu acest procent se atinge ntr-un timp
mult mai scurt datorit cmpurilor de radiaii mult mai
puternice.
Pierdere de randament n utilizare se datoreaz n multe
cazuri unor cause banale independente de celulele solare.
Aici enumerm murdrirea suprafeelor sticlei de protecie a modulelor, mucegirea pornind de la rama modulului, umbrirea modulelor de ctre vegetaia din jur crescut ntre timp, inglbirea polimerilor care constituie materialul de contact ntre celul i sticl.

6.1 Celule solare cristaline

La celulele solare actuale randamentul este de cca 12 17 %. Adesea fabricantul acord o garanie la randament
de 80 - 85 % (la puterea de vrf) dup 20 ani.Rezult
deci dup un timp de utilizare ndelungat pierderi destul
de limitate, ceea ce ndreptete utilizarea sistemelor cu
panouri solare.
Pentru mbtrnirea propriu-zis a celulelor solare rspunztor sunt defecte provenite din recombinare, ceea ce
reduce durata de via a purttorilor de sarcin cu cca 10
% fa de valoarea iniial. n celulele fabricate dup procedeul Czochralski mbtrnire este produs de crearea
de compui compleci cu bor-oxigen.

6.2 Celule solare amorfe

Aceste celulea ating un grad avansat de mbtrnire de
pn la 25 % n primul an de funcionare de aceea pentru acest tip de panouri solare n caracteristicile tehnice din documentele de nsoire nu se d puterea atins
la fabricaie ci puterea de dup procesul de mbtrnire.
Ca urmare acest tip de panouri au caracteristici mai bu-

7.1

Scheme de conectare

ne la cumprare dect cele din documente. mbtrnirea

se produce sub aciunea luminii i este rezultatul aa numitului eect Staebler-Wronski(SWE). n cadrul acestuia
siliciul hidrogenat amorf (a-Si:H) metastabil trece printro faz de cretere concentraiei defectelor cu un ordin de
mrime, paralel cu scderea conductivitii i deplasarea
nivelului Fermi ctre mijlocul distanei dintre banda de
valen i banda de conducie. Dup cca 1000 ore de expunere la soare, celulele de siliciu amorf ating un grad de
saturare stabil.

Caracteristici tehnice

Parametrii tehnici ai celulelor solare sunt dai pentru condiii standard (STC, Standard Test Conditions).:

11
Curentul de scurtcircuit ISC
Tensiunea n punctul optim de funcionare UMPP
(auch VMPP )
Curentul n punctual de putere mazim IMPP
Puterea maxim estimat PMPP
Factor de umplere F F =

PMPP
UOC ISC

Coecient de modicare a puterii cu temperatura

celulei
PMPP
Randamentul celulei solare = AP
la o suprafa
opt
iluminat A i intensitate luminoas Popt

Celulele solare deci pot ceda o putere de 160 W/ m. In Intensitate luminoas de 1000 W/m2 n zona pano- cluse n module puterea pe suprafa va mai sczut
ului,
pentru c ntre celule i marginea modulului este o distan.
Temperatura celulei solare constant 25 C,
Randamentul este raportul dintre puterea debitat de pa Spectrul luminii AM 1,5 global; DIN EN 61215, nou i putere coninut n lumina incident total. SeIEC 1215, DIN EN 60904, IEC 904.
miconductoare cu zona interzis stabil utilizeaz doar
o parte a luminii solare. Randamentul teoretic maxim ce
AM 1,5 global indic slbirea luminii solare la suprafa- poate atins n acest caz este de 33 %, pe cnd randamena pmntului n funcie de latitudine datorit parcurgerii tul theoretic maxim la sistemele cu mai multe benzi interunei mase mai mari de aer proporional cu latitudinea (n zise care reacioneaz la toate lungimile de und a luminii
acest caz se consider latitudinea de 50). Aceasta cores- solare este de 85 %.
punde condiiilor de var din Europa central din nordul
Randamentul celulelor solare comerciale este de cca 20
Italiei pn n centrul Suediei. n iarn condiiile cores%, iar modulele construite cu acestea ating un randament
pund unor valori de AM 4 pn la AM 6. Prin absorbie
de cca 17 %. Recordul pentru celulele fabricate n condiatmosferic i spectrul luminii ce cade pe panou se deplaii de laborator este de 24,7 % (University of New South
seaz. Global indic faptul c lumina este compus att
Wales, Australia), din care s-au confecionat panouri cu
din lumina difuz ct i din cea direct.
un randament de 22 %. Preul acestor module fabricate
Este de remarcat c n realitate ndeosebi vara la prnz, prin procedeul de topire zonal este de cca 200 Euro pe
temperatura celulelor solare (n funcie de poziie, condi- celul la o suprafa a celulei de 21,6 cm2 , corespunznd
ii de vnt etc.) poate atinge 30 pn la 60 C ceea ce are unui cost de 5-10 Euro/W. Sistemele GaAs au costuri de
ca urmare o scdere a randamentului. Din acest motiv se 5 pn la 10 ori mai mari.
ia n calcul un alt parametru, PNOCT care indic puterea
mbtrnirea conduce la scderea randamentului cu cca
la temperatura de funcionare normal (normal operating
10 % n 25 ani. Fabricanii dau garanii pe cel puin 80
cell temperature).
% din puterea maxim n 20 ani.
Prescurtri utilizate:
n spaiu constanta solar este mai mare dect iluminarea global pe pmnt, totodat celulele solare mbtr SC: Short Circuit - scurtcircuit
nesc mai repede. Panourile pentru satelii ating momentan (2005) un randament de 25 % la o durat de via de
OC: Open Circuit - mers n gol
15 ani[5] .
MPP: Maximum Power Point - punctul de putere
maxim

7.1 Scheme de conectare

PR: Performance Ratio Qualittsfaktor Factor de

performan, indic poriunea n care panoul furni- Semnul convenional pentru o celul solar indic asemzeaz curentul la valori nominale.
ntor unei diode sau fotodiode prin interediul unei sgei
sensul curentului pentru conectare. Caracteristica unei
Caracteristicile unei celule solare sunt:
cellule solare se deosebete totui de cea a unei fotodiode ideale. Pentru a modela aceste diferene, exist mai
Tensiunea de mers n gol UOC (auch VOC )
multe scheme echivalente.

12

PROTECIA MEDIULUI

Formula pentru curentul total n acest model este o funcie

U
recursiv i arat astfel: I = Iph Id Rpp = Iph
[ U +Rs I
]
s I
IS e nUT 1 U +R
Rp

Schem de conectare i schem echivalent a unei cellule solare

7.1.1

Schem echivalent simplicat

Schema este compus dintr-o surs de curent legat n paralel cu o diod ideal. Aceast surs produce un curent
dependent de intensitatea luminii i este modelat de fotocurentul IP h . La valoare curentului total contribuie i
curentul prin
[ diod ID](siehe Diode) zu I = IP h ID =
UD

IP h IS e nUT 1 .

7.1.2

Model cu dou diode cu surs cu limitare de tensiune la efectul

de avalan la tensiune invers.

Fa de cea anterioar aceastei scheme i se mai adaug

o diod cu ali parametri pentru a evidenia funcionarea
n regim de tensiune invers. Formulele pentru aceast
schem conin referiri la conductivitatea gb, tensiunea de
strpungere Ub i coecientul exponenial
[ de avalan
] i
U +Rs I

arat astfel: nb: I = Iph Ib IS1 e n1 UT 1

]
[ U +Rs I
s I
IS2 e n2 UT 1 U +R
Rp
Schem echivalent extins (Model cu una sau
(
)nb
dou diode)
s I
Ib = gb (U + Rs I) 1 U +R
Ub

8 Amortizarea energetic i eciena energetic

Amortizarea energetic este momentul n care energia
consumat pentru fabricarea celulei fotovoltaice este egalat de cea produs n timpul exploatrii. Cel mai bine se
prezint din acest punct de vedere celulele cu strat subire.
Un panou solar (fr cadru) cu astfel de celule se amorModel de celulul solar cu o diod
tizeaz n 2-3 ani, Celulele policristaline necesit pn la
amortizare cca 3-5 ani, pe cnd cele monocristaline 4Schema extins ine cont de parametrii reali ai elemente- 6 ani. Deoarece un sistem cu panouri solare include i
lor componente care apar n procesul de fabricaie. Prin suporii de montare, invertor etc. durata de amortizare
aceasta se ncearc modelarea ct mai exact din punct de energetic se mrete cu cca 1 an.[6]
vedere electric a celulei solare.
Fa de schema echivalent simplicat la cea extins cu
o diod, schema se ntregete cu o rezisten legat n pa9 Protecia mediului
rallel i una legat n serie.
Rezistana n paralel Rp ia n considerare defectele de cristal, impuricri neomogene i defecte de
material prin care apar cureni de pierdere care traverseaz jonciunea p-n. La celule solare bine construite aceast rezisten este relativ mare.
Cu rezistena n serie Rs se iau n considerare efectele n urma crora crete rezistena total a elementelor componente. Acestea sunt n principal rezistena
semiconductorului, rezistena contactelor i a legturilor. La celulele solare aceast rezisten trebuie
s e ct se poate de mic.

n fabricarea de celule solare se utilizeaz parial i materiale duntoare sntii i mediului. Exemplu n acest
sens prezint celulele cu strat subire CdTe i arseniura de
galiu i mult discutatele celule solare de tip CIS i CISG.
Producia n mas i utilizarea pe suprafee extinse a acestora trebuie bine cntrit. Dar i producia de celule cu
siliciu tradiionale ascunde pericole pentru mediu. Pentru
persoane neavizate aceste riscuri ce sunt legate de procesul de fabricaie nu sunt vizibile. Aici intervine cerina
de a promova selectiv tehnologiile de fabricare a celulelor solare ce nu distrug mediul i care pe baza progreselor
tehnologice promit avantaje concureniale.

13

10

Vezi si

Efect fotomagnetic
Colector solar
Fotoelectrochimie

11

Note

[1]
[2] M. Powalla and B. Dimmler. CIGS solar modules - progress in pilot production, new developments and applications. 19th European Photovoltaic Solar Energy Conference, (2004) Paris, Ed.: JRC, Ispra, Italy, 1663)
[3] K. Ramanathan, M. A. Contreras, C. L. Perkins, S. Asher,
F. S. Hasoon, J. Keane, D. Young, M. Romero, W. Metzger, R. Nou, J. Ward and A. Duda. Properties of 19.2
% Eciency ZnO/CdS/CuInGaSe2 Thin-lm Solar Cells.
Prog. Photovolt. Res. Appl. 11, 225-30 (2003)
[4] http://oregonstate.edu/~{}ecclese/files/Term%20Paper.
pdf
[5] Technical and Quality Management - Home - European
solar cell eciency reaches new high
[6] V. Quaschning (2002): Energieaufwand zur Herstellung
regenerativer Anlagen,

C. de Sabata, M. Borneas, B. Rothenstein, A. Munteanu,

Bazele zice ale conversiei energiei solare, Editura Facla,
1982

12

Legturi externe

Celula Solara - tipuri si generalitati

Detalii tehnice celule solare

14

13

13
13.1

TEXT AND IMAGE SOURCES, CONTRIBUTORS, AND LICENSES

Text and image sources, contributors, and licenses

Text

Celul solar Surs: https://ro.wikipedia.org/wiki/Celul%C4%83_solar%C4%83?oldid=10172521 Contribuitori: Alex:D, RebelRobot,

KlaudiuMihaila, Andrei Stroe, Strainubot, Laur2ro, Parvus7, Victor Blacus, Onlysli, Thijs!bot, JAnDbot, Rei-bot, Turbojet, VolkovBot, TudorQuasar, Sbela, TXiKiBoT, Defy the wind, SieBot, Idioma-bot, RadufanBot, Gik, Ark25, Luckas-bot, ArkBot, Amirobot,
ArthurBot, Strojarka, Xqbot, ANDROBETA, MondalorBot, SpunkyLepton, MagnInd, HOTFUZ, EmausBot, ZroBot, WikitanvirBot,
SaraBrownResearch, MerlIwBot, Trepier, Rotlink, Addbot, BreakBot, Aparworks, XXN-bot, KasparBot i Anonim: 20

13.2

Images

Fiier:4inch_poly_solar_cell.jpg Surs: https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/f/fd/4inch_poly_solar_cell.jpg Licen: CCBY-SA-3.0 Contribuitori: ? Artist original: ?

Fiier:Monokristalines_Silizium_fr_die_Waferherstellung.jpg Surs: https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/2/23/
Monokristalines_Silizium_f%C3%BCr_die_Waferherstellung.jpg Licen: CC-BY-SA-3.0 Contribuitori: ? Artist original: ?
Fiier:Multicrystallinewafer_0001.jpg Surs: https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/4/45/Multicrystallinewafer_0001.jpg
Licen: CC-BY-SA-3.0 Contribuitori: own wafer scanned on a Canon Pixma MP 800 Artist original: Armin Kbelbeck
Fiier:Photovoltaics_cell_production.svg
Surs:
https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/9/94/Photovoltaics_cell_
production.svg Licen: CC0 Contribuitori: Oper proprie Artist original: Delphi234
Fiier:Polycristalline-silicon-wafer_20060626_568.jpg
Surs:
https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/1/15/
Polycristalline-silicon-wafer_20060626_568.jpg Licen: CC-BY-SA-3.0 Contribuitori: Oper proprie Artist original: Georg Slickers
Fiier:Solar_Panels.jpg Surs: https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/3/37/Solar_Panels.jpg Licen: CC BY 2.0 Contribuitori: Flickr Artist original: Fernando Toms from Zaragoza, Spain
Fiier:Solar_panel.jpg
Surs:
https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/9/96/Solar_panel.jpg
Licen:
Public
domain
Contribuitori:
http://www.public-domain-image.com/public-domain-images-pictures-free-stock-photos/
objects-public-domain-images-pictures/electronics-devices-public-domain-images-pictures/solar-panel.jpg Artist original:
U.S.
Fish and Wildlife Service
Fiier:Solarzelle_Funktionsprinzip2.jpg Surs: https://upload.wikimedia.org/wikipedia/ro/a/a7/Solarzelle_Funktionsprinzip2.jpg Licen: DP Contribuitori: ? Artist original: ?
Fiier:Solarzelle_GaSbSpektrum.jpg Surs: https://upload.wikimedia.org/wikipedia/ro/1/16/Solarzelle_GaSbSpektrum.jpg Licen:
DP Contribuitori: ? Artist original: ?
Fiier:Solarzelle_Schaltbild.png Surs: https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/6/6a/Solarzelle_Schaltbild.png Licen: CCBY-SA-3.0 Contribuitori: neu gemacht, sauberer Artist original: The original uploader was Degreen at german Wikipedia
Fiier:Solarzelle_Schaltbild2.png Surs: https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/1/15/Solarzelle_Schaltbild2.png Licen:
CC-BY-SA-3.0 Contribuitori: Oper proprie (Original text: selbst erstellt) Artist original: Degreen at german Wikipedia
Fiier:Solarzelle_Schaltbild3.png Surs: https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/3/3c/Solarzelle_Schaltbild3.png Licen:
CC-BY-SA-3.0 Contribuitori: Transferred from de.wikipedia to Commons.; transfer was made by User:Gik.
Artist original: Degreen at german Wikipedia
Fiier:Solarzelle_SiSpektrum.jpg Surs: https://upload.wikimedia.org/wikipedia/ro/8/87/Solarzelle_SiSpektrum.jpg Licen: DP Contribuitori: ? Artist original: ?
Fiier:Wikidata-logo.svg Surs: https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/f/ff/Wikidata-logo.svg Licen: Public domain Contribuitori: Oper proprie Artist original: User:Planemad
Fiier:_Solarzelle_Baender.jpg Surs: https://upload.wikimedia.org/wikipedia/ro/1/1e/Solarzelle_Baender.jpg Licen: DP Contribuitori: ? Artist original: ?
Fiier:_solarz3a.jpg Surs: https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/a/a0/Solarz3a.jpg Licen: CC-BY-SA-3.0 Contribuitori:
Transferred from de.wikipedia to Commons.; transfer was made by User:Gik.
Artist original: Ulfbastel
Fiier:_solarz4.jpg Surs: https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/a/aa/Solarz4.jpg Licen: CC-BY-SA-3.0 Contribuitori:
Transferred from de.wikipedia to Commons.; transfer was made by User:Gik.
Artist original: The original uploader was Ulfbastel at german Wikipedia
Fiier:solar_cell.png Surs: https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/9/90/Solar_cell.png Licen: Public domain Contribuitori:
? Artist original: ?

13.3

Content license

Creative Commons Attribution-Share Alike 3.0