Diode semiconductoare

În lucrare sunt măsurate caracteristicile statice ale unor diode semiconductoare,

rezulatatele fiind comparate cu relaţiile analitice teoretice. Este, de asemenea analizată
comportarea diodelor în regim dinamic, semnal mic, joasă frecvenţă.

• Dioda semiconductoare

Diodele semiconductoare studiate în această lucrare sunt dispozitive formate dintr-o

joncţiune p-n. Relaţia de legătură între curent şi tensiune pentru o diodă semiconducoare este:
  qv  
i D = I 0 exp D  − 1 (1)
  γkT  
unde I0 - curentul de saturaţie al diodei
γ - coeficient care ia valori între 1 şi 2

• Polarizarea directă

Pentru v D > 0 dioda este polarizată direct şi curentul depinde exponenţial de tensiune:
 qv 
i D = I 0 exp  D  (2)
 γkT 
Pentru montajul:

se măsoară de fiecare dată tensiunea VD şi se calculează curentul:

E D − VD
ID =
Rk

pentru mai multe diode:

Dioda K RK (kΩ ) ED (V) VD (V) ID (mA)

5
 1 0,025 15 0,369 585,24
1 0,025 20 0,343 786,28
2 0,1 20 0,306 196,94
2 0,1 11 0,274 107,26
D1 3 2,5 11 0,149 4,3404
4 10 11 0,08 1,092
5 100 11 0,10977
0,023
6 1000 11 0,003 0,011
7 ∞ 11 0 0
3 2,5 11 0,64 4,144
D2 4 10 11 0,58 1,042
5 100 11 0,46 0,1054
6 1000 11 0,38 0,01062
7 ∞ 11 0,04 0

Reprezentând grafic I D (V D ) putem aproxima caracteristica diodei ca fiind liniară:

v D = V P + R D i D pentru v D ≥ V P

Pentru D1:
700

600

500

400

300

200

100

0
0 0,003 0,023 0,08 0,149 0,274 0,306 0,343 0,369

Pentru D2:
4,5
4
3,5
3
2,5
2
1,5
1
0,5
0
0,04 0,38 0,46 0,58 0,64

6
 Se determină pentru fiecare diodă V P din grafic cu valorile date IDM=200mA,ε =0.01
dupa formula V'p=Vd(ε IDM)
Deoarece ε IDM=2mA<<unitatea aleasa in grafic atunci consideram V P =V'p
Pentru dioda D1:
VP = 0,36V

Pentru D2:

VP = 0,53 V

• Jonctiunea cu germaniu este dopata cu impuritati ceeea ce presupune o mobilitate

mai mica a golurilor fata de purtatorii de sarcina din jonctiunea cu siliciu,un curent
direct pronuntat deci o cadere de tensiune mai mare.

• Reprezentarea la scară logaritmică a dependenţei lg I D (V D ) pentru :

Pentru D1 :
4

0
0,003 0,023 0,08 0,149 0,274 0,306 0,343 0,369
-1

-2

-3

Pentru D2 :
1

0,617419747
0,5

0 0,017867719
0
-0,5

-1 -0,977159389

-1,5

-2 -1,973875483

-2,5

Se pot determina pentru fiecare diodă :

7
- I0 - prin extrapolare până la VD = 0
∆V D q lg e
-γ - prin calcularea contrapantei γ =
∆I D kT
- R S - prin citirea de pe zona curbă a graficului a 3 perechi de coordonate (ID, VD) alese astfel
încât :
I D1 ⋅ I D 3 = ( I D 2 )
2

Şi prin aplicarea formulei:

V − 2V D 2 + V D 3
RS = D1
I D1 − 2 I D 2 + I D 3
Se obţin rezultatele :

Pentru D1: I 01 = 0mA γ 1 = 1,25 RS 1 = 0,29 Ω

Pentru D2: I 02 = −2.5mA γ 2 = 1,48 RS 2 =1,33 Ω

• Polarizare inversa
Pentru v D < 0 , în configuraţia:

curentul care trece prin diodă este:

VD − ED
I R = −I D =
RK

Dioda k Rk (kΩ ) VR = - VD (V) ED (V) IR = - ID (mA)

3 2,5 1 1,13 -0,852
3 2,5 2 1,18 -1,272
D1 4 10 5 5,86 -1,086
4 10 10 11,19 -2,119
5 100 20 38,9 -0,589
6 1000 40 57,45 -0,0975
4 10 1 1,09 -0,209
4 10 2 2,07 -0,407
8
 5 100 5 5,04 -0,1004
D2 5 100 10 10,09 -0,2009
6 1000 20 21,62 -0,0416
6 1000 40 44,5 -0,0845

Caracteristicile I D (V D ) pentru D1 şi D2;

Pentru D1:
2,5

1,5

0,5

0
-50 -40 -30 -20 -10 0

- Pentru D2:
0,25

0,2

0,15

0,1

0,05

0
-50 -40 -30 -20 -10 0

• Dioda stabilizatoare de tensiune

În polarizare inversă curentul invers prin diodă poate să nu depindă de tensiunea inversă
aplicată (diode cu germaniu) sau să crească odată cu tensiunea (diode cu siliciu). La o anumită
valoare a tensiunii inverse aplicate (tensiunea de stăpungere) poate apare efectul Zener sau
fenomenul de multiplicare în avalanşă care se manifestă printr-o creştere abruptă a curentului.
Faptul că în străpungere tensiunea la bornele diodelor este practic constantă, a condus la
utilizarea lor ca diode stabilizatoare de tensiune (Zener). Pentru a putea fi însă utilizate în

9
practică, în proiectarea şi construcţia diodelor stabilizatoare se iau în considerare o serie de
aspecte specifice.
Proprietăţile de stabilizare ale unei diode pot fi apreciate prin valoarea rezistenţei
∆V Z
dinamice: RZ =
∆I Z
Se măsoară VZ şi se calculează IZ= - ID cu relaţia:

E D − VZ
IZ =
Rk

ED(V) K Rk(KΩ ) VZ(V) IZ(mA)

20 5,24 0,1476
15 5,02 0,0998
10 4,57 0,0543
5 100
8 4,24 0,0376
6 3,73 0,0227
4 2,91 0,0109
20 6 1,4
18 5,94 1,206
16 5,89 1,011
14 5,82 0,818
4 10
12 5,75 0,625
10 5,66 0,434
8 5,51 0,249
6 5,02 0,098

Caracteristica I D (V D ) pentru D3: (pentru k=5)

0
-5,24 -5,02 -4,57 -4,24 -3,73 -2,91
-0,02

-0,04

-0,06

-0,08

-0,1

-0,12

-0,14

-0,16

Caracteristica I D (V D ) pentru D3: (pentru k=4)

10
 0
-6 -5,94 -5,89 -5,82 -5,75 -5,66 -5,51 -5,02
-0,2

-0,4

-0,6

-0,8 Series1

-1

-1,2

-1,4

-1,6

• Rezistenta interna

În cazul în care tensiunea pe diodă prezintă mici variaţii (vD) cu amplitudinea VD ,

curentul prin diodă va prezenta de asemenea variaţii (id) în jurul valorii statice ID .
Dacă frecvenţa este relativ mică şi amplitudinea îndeplineşte condiţia de semnal mic (
γkT
V D << = 26 mV ) atunci V D este direct proporţional cu i D .
q
VD = R ⋅ i D ( t )
E D − VD
Se măsoară V D şi se calculează ID cu relaţia I D = , se măsoară VS şi se calculează
Rk
VD
Ri cu relaţia: R j = Rsn , V D = 25 mV
VS − V D

Dioda k Rk(kΩ n Rsn(kΩ ) ED(V) VD(V) ID(mA) VS(V) Ri(Ω )

)
D1 3 1 4 1 11 0,151 10,849 0,515 4,87804878
4 10 4 1 11 0,082 1,0918 0,1 25,6410256
5 100 3 10 11 0,024 0,10976 0,141 180,505415
6 1000 2 100 11 0,008 0,010992 0,492 510,72523
D2 3 1 4 1 11 0,677 10,323 0,46 5,46448087
4 10 3 10 11 0,588 1,0412 0,626 40,096231
5 100 2 100 11 0,471 0,10529 0,592 424,08821
6 1000 2 100 11 0,372 0,010628 0,081 3184,71338

Se calculează valoarea teoretică a rezistenţei Ri, cu relaţia:

∆V D 0,026γ
Ri = =
∆I D ID

11
Se obţin rezultatele:

Dioda 1 Dioda 2

ID(V) 10,849 1,0918 0,10976 0,010992 10,323 1,0412 0,10529 0,010628

Ri(kΩ 0,003 0,03 0,32 3,18 0,0037 0,037 0,365 3,62
)

Se trasează pe acelaşi grafic R i(măsurat)(ID) şi Ri(teoretic)(ID) (series 1 = teoretic; series 2 =

masurat)
Pentru D1:

3500

3000

2500

2000 Series1
Series2
1500

1000

500

0
0,010992 0,10976 1,0918 10,849

Pentru D2:

4000

3500

3000

2500
Series1
2000
Series2
1500

1000

500

0
0,010628 0,10529 1,0412 10,323

Sursele de erori sunt datorate atat experimentatorului,si consta in greseli de

citire,aproximari,dar si inexactitatilor aparatelor de masura.
12
 • Dioda electroluminescenta (LED)

Se conecteaza la borna LED (D4) rezistenta R3. Se creste tensiunea de alimentare ED de la

zero pânã la valoarea la care se observã aprinderea LED-ului. Se calculeaza curentul de prag de
iluminare al LED-ului.
E − V LED
I pLED = D
R3 + RsLED
RsLED ≅ 1k Ω este rezistenta inseriata cu LED-ul
V LED ≈ 1,5V .

ED = 1,7 V R3=2,5kΩ ⇒ IpLED= 0,057 mA

13