.

Absorbtia radiatiei electromagnetice in corpul solid

Interactiunea radiatiei electromagnetice cu corpul solid poate duce la fenomene de reflexie, de de absorbtie si
de transmisie a radiatiei.Transformarea directa a energiei radiatiei electromagnetice in energie electrica se
face numai prin fenomenul de absorbtie. Absorbtia radiatiei electromagnetice duce la cresterea energiei
corpului solid ,acesta creste de energie se poate localiza atat la nivelul retelei proprii-zise de atomi, cat si la
nivelul electronilor.
a) Absortia energiei electromagnetice de catre atomii din reteaua cristalina duce la cresterea energia lor de
vibratie. Se reaminteste ca aceasta energie este cuantizata,iar corpul asociat undelor de vibratie se numeste
fonon (similar cu fotonul asociat undelor electromagnetice).
b) Absortia de catre electroni a energiei electromagnetice duce la trecerea lor pe un nivel energetic superior,
nivel situat in acceasi banda energetica permisa. Pentru dispozitivele optoelectronice intersecteaza acele
salturi energetice care trec electronul dintr-o stare legala in starea de purtator liber de sarcina. Fenomenul
creare de purtatori liberi de sarcina sub actiunea radiatiei electromagnetica se numeste efect fotoelectric.
Daca electronii care au absorbit radiatii electromagnetice sunt extrasi din interiorul corpului solid,fenomenul
poarta denumirea de efect fotoelectric extern, acesti electroni pot participa la fenomene de conductie in vid
sau gaze. Daca electronii sunt doar desprinsi de atomul de origina devenind purtatori liberi in interiolul
retelei ,fenomenul se numeste efect fotoelectric intern; acest fenomen este specific numai
semiconductoarelor,deoarece la metale exista un mare numar de purtatori liberi chiar in absenta radiatiei
electromagnetice.

Dioda luminiscentă
Este un dispozitiv fotoemiţător
Este un dispozitiv fotoemiţător fiind realizată dintr-o
joncţiune pn de
construcţie specială, care emite radiaţie luminoasă pe
seama energiei
rezultate din recombinarea purtătorilor de sarcină. Ea se
polarizează direct,
emiţând o lumină în spectrul vizibil, ce depinde de
materialul
semiconductorului utilizat şi natura impurităţilor. Se
realizează de obicei din
GaP cu impurităţi de Zn (roşu) sau N(verde). Simbolul,
caracteristica curenttensiune
şi caracteristica spectrală sunt prezentate în figura 11.3

Parametrii specifici unei diode luminiscente sunt:

-intensitatea luminoasă emisă la un anumit curent direct
-lungimea de undă la intensitate luminoasă maximă  P ;