1

Capitolul 1
Dioda semiconductoare p-n



1.
1p
Figura 1.1 prezint structura unei jonciuni p-n. Cu p a fost notat:

A
N p
A
D
N n
C
Joniune
metalurgic

Figura 1.1
a) concentraia de atomi acceptori;
b) concentraia de atomi donori;
c) concentraia de electroni;
d) concentraia de goluri.

2.
1p
Figura 1.1 prezint structura unei jonciuni p-n. Cu n a fost notat:
a) concentraia de atomi acceptori;
b) concentraia de atomi donori;
c) concentraia de electroni;
d) concentraia de goluri.

3.
1p
Figura 1.1 prezint structura unei jonciuni p-n. Cu N
A
a fost notat:
a) concentraia de atomi acceptori;
b) concentraia de atomi donori;
c) concentraia de electroni;
d) concentraia de goluri.

4.
1p
Figura 1.1 prezint structura unei jonciuni p-n. Cu N
D
a fost notat:
a) concentraia de atomi acceptori;
b) concentraia de atomi donori;
c) concentraia de electroni;
d) concentraia de goluri.

Dida semiconductoare p-n
2
5.
1p
Figura 1.2 prezint simbolul unei diode semiconductoare. Cu A a fost
notat:

iA
vA
A C

Figura 1.2
a.) anod;
b.) catod;
c.) valoarea instantanee total a cderii de tensiune pe diod;
d.) valoarea instantanee total a curentului prin diod;

6.
1p
Figura 1.2 prezint simbolul unei diode semiconductoare. Cu C a fost
notat:
a.) anod;
b.) catod;
c.) valoarea instantanee total a cderii de tensiune pe diod;
d.) valoarea instantanee total a curentului prin diod;

7.
1p
Figura 1.2 prezint simbolul unei diode semiconductoare. Cu v
A
a fost
notat:
a.) anod;
b.) catod;
c.) valoarea instantanee total a cderii de tensiune pe diod;
d.) valoarea instantanee total a curentului prin diod;

8.
1p
Figura 1.2 prezint simbolul unei diode semiconductoare. Cu i
A
a fost
notat:
a.) anod;
b.) catod;
c.) valoarea instantanee total a cderii de tensiune pe diod;
d.) valoarea instantanee total a curentului prin diod;

9.
3p
Prin efect de diod se nelege:
a.) n funcionare normal practic - curentul prin diod circul
numai de la catod spre anod;
b.) n funcionare normal practic - curentul prin diod circul
numai de la anod spre catod;
c.) n funcionare normal practic sensul curentului prin diod
este dictat de circuitul exterior diodei;
d.) n funcionare normal practic - curentul prin diod circul
Elemente de electronic analogic - teste

3
uneori de la anod la catod alteori de la catod la anod;

10.
1p
Figura 1.3 prezint structura "p-n" la echilibru termic. Regiunea notat 1
reprezint


p n
- -
- -
- -
- -
- -
- -
- -
+ + + +
+ + + +
+ + + +
+ + + +
+ + + +
+ + + +
+
E
1. 3. 2.

Figura 1.3
a.) regiunea neutr p;
b.) regiunea neutr n;
c.) regiunea de tranziie;
d.) nu are o semnificaie deosebit.

11.
1p
Figura 1.3 prezint structura "p-n" la echilibru termic. Regiunea notat 2
reprezint
a.) regiunea neutr p;
b.) regiunea neutr n;
c.) regiunea de tranziie;
d.) nu are o semnificaie deosebit.

12.
1p
Figura 1.3 prezint structura "p-n" la echilibru termic. Regiunea notat 3
reprezint
a.) regiunea neutr p;
b.) regiunea neutr n;
c.) regiunea de tranziie;
d.) nu are o semnificaie deosebit.

14.
2p
Figura 1.4 prezint structura "p-n" la echilibru termic. Regiunea de
tranziie -responsabil pentru apariia efectului de diod - apare n jurul
jonciunii metalurgice ca efect al:


p n
- - - -
- - - -
- - - -
- - - -
- - - -
+ + + + +
+ + + + +
+ + + + +
+ + + + +
+ + + + +
E
Regiune
neutra p
Regiune
neutr n
Regiune de
tranziie

Figura 1.4
a.) difuziei purttorilor fixi;
Dida semiconductoare p-n
4
b.) sarcinii purttorilor mobili;
c.) sarcinii purttorilor fixi;
d.) difuziei purttorilor mobili.

15.
3p
Figura 1.4 prezint structura "p-n" la echilibru termic. Regiunea de
tranziie -responsabil pentru apariia efectului de diod - apare n jurul
jonciunii metalurgice ca efect al difuziei purttorilor mobili. Fenomenul
de difuzie este cauzat de:
a.) gradientul de concentraie al atomilor donori i acceptori dintre
regiunea neutr p i regiunea de tranziie;
b.) gradientul de concentraie al atomilor donori i acceptori dintre
regiunea neutr n i regiunea de tranziie;
c.) gradientul de concentraie al atomilor donori i acceptori dintre
regiunea neutr n i regiunea neutr p;
d.) gradientul de concentraie al atomilor donori i acceptori din
jurul jonciunii metalurgice.

16.
3p
Figura 1.4 prezint structura "p-n" la echilibru termic. Regiunea de
tranziie -responsabil pentru apariia efectului de diod - apare n jurul
jonciunii metalurgice ca efect al difuziei purttorilor mobili. Fenomenul
de difuzie este cauzat de gradientul de concentraie existent n jurul
jonciunii metalurgice. Urmare a acestui fenomen n structur apar
sarcini fixe reprezentate de:
a.) ionii prini n reeaua cristalin;
b.) electronii din structur;
c.) golurile din structur;
d.) structura reelei cristaline

17.
2p
Cmpul electric intern existent la nivelul regiunii de tranziie este
datorat:
a.) ionilor prini n reeaua cristalin;
b.) electronilor din structur;
c.) golurilor din structur;
d.) structurii reelei cristaline.

18.
2p
La polarizare invers plus (+) pe catod i minus (-) pe anod bariera
intern de potenial este:
a.) crescut;
b.) cobort;
c.) neafectat;
d.) uneori crescut, uneori cobort.
Elemente de electronic analogic - teste

5

19.
2p
La polarizare direct plus (+) pe anod i minus (-) pe catod bariera
intern de potenial este:
a.) crescut;
b.) cobort;
c.) neafectat;
d.) uneori crescut, uneori cobort.

20.
2p
Din punct de vedere formal, dioda este integral descris de:
a.) singur ecuaie caracteristic;
b.) un sistem de dou ecuaii caracteristice;
c.) un numr de ecuaii care depinde de topologia circuitului;
d.) un numr de ecuaii care depinde de regimul de funcionare

21.
3p
Din punct de vedere formal, n regim cvasistatic de semnal mare dioda
este integral descris de o ecuaie de tipul:

a.)
0 , , , , , , , , , ,
1
=
|
|

\
|
p m
A
m
A
A n
A
n
A
A
dt
v d
dt
dv
v
dt
i d
dt
di
i E K K K

b.) ( ) 0 , =
A A
v i E
c.)
a a a
v g i =


d.)
0 , , , , , , , =
|
|

\
|
m
A
m
A
A n
A
n
A
A
dt
v d
dt
dv
v
dt
i d
dt
di
i E K K


22.
3p
Din punct de vedere formal, n regim cvasistatic de semnal mic dioda
este integral descris de o ecuaie de tipul:

a.)
0 , , , , , , , , , ,
1
=
|
|

\
|
p m
A
m
A
A n
A
n
A
A
dt
v d
dt
dv
v
dt
i d
dt
di
i E K K K

b.) ( ) 0 , =
A A
v i E
c.)
a a a
v g i =

d.)
0 , , , , , , , =
|
|

\
|
m
A
m
A
A n
A
n
A
A
dt
v d
dt
dv
v
dt
i d
dt
di
i E K K


23.
2p
Ecuaia caracteristic static (sau mai simplu caracteristica static) a
diodei ideale este

a.)
(

|
|

\
|
= 1 exp
A
T
S A
v
e
I i

Dida semiconductoare p-n
6

b.)
(

|
|

\
|
= 1 exp
T
A
S A
e
v
I i


c.)
(

+
|
|

\
|
= 1 exp
T
A
S A
e
v
I i


d.)
(

+
|
|

\
|
= 1 exp
A
T
S A
v
e
I i


24.
2p
Ecuaia caracteristic static (sau mai simplu caracteristica static) a
diodei ideale este:
(

|
|

\
|
= 1 exp
T
A
S A
e
v
I i

unde:
q
kT
e
T
=

i poart numele de tensiune termic. S-au folosit notaiile:
k constanta lui Boltzman;
q sarcina electronului;
T temperatura absolut.
La temperatura ambiant e
T
are valoarea:
a.) e
T
2.5 mV
b.) e
T
25 mV
c.) e
T
250 mV
d.) e
T
2.5 V

25.
1p
Figura 1.5 reprezint caracteristica static a unei diode.

IS
VBR
vA
iA
V
1.
4. 2.
3.

Figura 1.5
I
S
reprezint:
a) curentul mediu redresat monoalternan;
b) curentul maxim admisibil;
Elemente de electronic analogic - teste

7
c) curentul rezidual;
d) curentul mediu redresat dubl alternan.

26.
1p
Figura 1.5 reprezint caracteristica static a unei diode.
V

reprezint:
a) tensiunea de strpungere;
b) tensiunea de prag;
c) tensiunea medie redresat monoalternan;
d) tensiunea medie redresat dubl alternan

27.
1p
Figura 1.5 reprezint caracteristica static a unei diode.
V
BR
reprezint:
a) tensiunea de strpungere;
b) tensiunea de prag;
c) tensiunea medie redresat monoalternan;
d) tensiunea medie redresat dubl alternan

28.
1p
Figura 1.5 reprezint caracteristica static a unei diode. Cu 1 a fost notat
regiunea de:
a) strpungere;
b) blocare la polarizare invers;
c) blocare la polarizare direct;
d) conducie

29.
1p
Figura 1.5 reprezint caracteristica static a unei diode. Cu 2 a fost notat
regiunea de:
a) strpungere;
b) blocare la polarizare invers;
c) blocare la polarizare direct;
d) conducie

30.
1p
Figura 1.5 reprezint caracteristica static a unei diode. Cu 3 a fost notat
regiunea de:
a) strpungere;
b) blocare la polarizare invers;
c) blocare la polarizare direct;
d) conducie

31. Figura 1.5 reprezint caracteristica static a unei diode. Cu 4 a fost notat
Dida semiconductoare p-n
8
1p regiunea de:
a) strpungere;
b) blocare la polarizare invers;
c) blocare la polarizare direct;
d) conducie

32.
2p
Figura 1.6 prezinta o posibil liniarizare a caracteristicii din figura 1.5 i
poart numele de model de ordin zero.


vA
iA
Model de ordin zero Caracteristica real

Figura 1.6
Conform acestei aproximri schema echivalent a diodei este:
a.)

A C
conducie
blocare
A

A C
V
C
r
B


b.)

A C
conducie
blocare
A

A C
V
C

c.)

A C
conducie
blocare
A

A C
C

d.)

A C
conducie
blocare
A

A C
C


33.
2p
Figura 1.6 prezinta o posibil liniarizare a caracteristicii din figura 1.5 i
poart numele de model de ordin zero. Conform acestei aproximri n
regim de conducie dioda se comport ca:
a) un rezistor;
b) un circuit ntrerupt;
c) un scurtcircuit;
d) un condensator

34. Figura 1.6 prezinta o posibil liniarizare a caracteristicii din figura 1.5 i
Elemente de electronic analogic - teste

9
2p poart numele de model de ordin zero. Conform acestei aproximri n
regim de blocare dioda se comport ca:
a) un rezistor;
b) un circuit ntrerupt;
c) un scurtcircuit;
d) un condensator

35.
3p
Multiplicarea n avalan are loc la:
a) tensiuni mari i este specific jonciunilor slab dopate.
b) tensiuni mici i este specific jonciunilor slab dopate.
c) tensiuni mari i este specific jonciunilor puternic dopate.
d) tensiuni mici i este specific jonciunilor puternic dopate.

36.
3p
Efectul "tunel" are loc:
a) tensiuni mari i este specific jonciunilor slab dopate.
b) tensiuni mici i este specific jonciunilor slab dopate.
c) tensiuni mari i este specific jonciunilor puternic dopate.
d) tensiuni mici i este specific jonciunilor puternic dopate.

37.
2p
Figura 1.7 prezint caracteristica static a unei diode stabilizatoare.


IZM
IZm
VZ
vZ
iZ

Figura 1.7
Pentru a putea realiza funcia de stabilizare a tensiunii o asemenea diod
trebuie s lucreze n regim de:
a) strpungere;
b) blocare la polarizare invers;
c) blocare la polarizare direct;
d) conducie

38.
2p
Figura 1.7 prezint caracteristica static a unei diode stabilizatoare.
Pentru a putea realiza funcia de stabilizare a tensiunii trebuie s
satisfac condiia:

a)
M m
Z Z Z
I i I
Dida semiconductoare p-n
10
b)
M m
Z Z Z
I i I
c)
M m
Z Z Z
I i I
d)
M m
Z Z Z
I i I

39.
2p
n situaii reale exist anumite limitri pentru a evita distrugerea unei
diode redresoare. Cele mai uzuale limitri sunt:
a) I
FM
(curentul direct maxim admisibil) i V
BR
(tensiunea de
strpungere);
b) I
ZM
(curentul invers maxim admisibil prin diod) i V
Z
(tensiunea
nominal de stabilizare)
c) I
FM
(curentul direct maxim admisibil) i V
Z
(tensiunea nominal
de stabilizare)
d) I
ZM
(curentul invers maxim admisibil prin diod) i I
FM
(curentul
direct maxim admisibil)

40.
2p
n situaii reale exist anumite limitri pentru a evita distrugerea unei
diode stabilizatoare. Cele mai uzuale limitri sunt:
a) I
FM
(curentul direct maxim admisibil) i V
BR
(tensiunea de
strpungere);
b) I
ZM
(curentul invers maxim admisibil prin diod) i V
Z
(tensiunea
nominal de stabilizare)
c) I
FM
(curentul direct maxim admisibil) i V
Z
(tensiunea nominal
de stabilizare)
d) I
ZM
(curentul invers maxim admisibil prin diod) i I
FM
(curentul
direct maxim admisibil)

41.
4p
Valoarea curentului I
A
care circul prin dioda din figura este
aproximativ:


IA
VA
E
(10V)
I
(2mA)
IR
D
R1(1k)
(1k)
R2(1k)
(1k)

Figura 1.8

a) mA I
A
4
b) mA I
A
4
c) mA I
A
0
d) mA I
A
2

Elemente de electronic analogic - teste

11
42.
4p
Cderea de tensiune pe dioda prezent n circuitul din figura 1.8 este
aproximativ:

a) V V
A
10 =
b) V V
A
8 =
c) V V
A
8 =
d) V V
A
10 =

43.
3p
Condiia de semnal mic pentru o diod semiconductoare este ndeplinit
dac:
a) semnalul pe diod este mai mic de 2.5 mV
b) semnalul pe diod este mai mic de 10 mV
c) semnalul pe diod este mai mic de 25 mV
d) semnalul pe diod este mai mic de 100 mV

44.
3p
Conductana de semnal mic a diodei semiconductoare are valoarea:
a) [ ] [ ] mA I mS g
A a
25 =
b) [ ] [ ] mA I mS g
A a
5 . 2 =
c)
[ ] [ ] mA I mS g
A a
4 =

d) [ ] [ ] mA I mS g
A a
40 =

45.
3p
Modelul matematic al unei diode semiconductoare care lucreaz n regim
cvasistatic de semnal mic este:
a)
a a a
v g i =
b)
(

|
|

\
|
= 1 exp
T
A
S A
e
v
I i

c) 1 =
a a a
v g i
d)
(

|
|

\
|
=
T
A
S A
e
v
I i exp


46.
3p
Schema echivalent a unei diode semiconductoare care lucreaz n regim
cvasistatic de semnal mic este:
a.)

C
ga
A
Ca

b.)


C
ga
A

c.)


C A

d.)


C A

Dida semiconductoare p-n
12



Rspunsuri


1. Rspuns corect: d.) 24. Rspuns corect b.)
2. Rspuns corect: c.) 25. Rspuns corect c.)
3. Rspuns corect: a.) 26. Rspuns corect b.)
4. Rspuns corect: b.) 27. Rspuns corect a.)
5. Rspuns corect a.) 28. Rspuns corect a.)
6. Rspuns corect b.) 29. Rspuns corect b.)
7. Rspuns corect c.) 30. Rspuns corect c.)
8. Rspuns corect d.) 31. Rspuns corect d.)
9. Rspuns corect b.) 32. Rspuns corect d.)
10. Rspuns corect a.) 33. Rspuns corect c.)
11. Rspuns corect c.) 34. Rspuns corect c.)
12. Rspuns corect b.) 35. Rspuns corect a.)
14. Rspuns corect d.) 36. Rspuns corect d.)
15. Rspuns corect d.) 37. Rspuns corect a.)
16. Rspuns corect a.) 38. Rspuns corect b.)
17. Rspuns corect a.) 39. Rspuns corect a.)
18. Rspuns corect a.) 40. Rspuns corect b.)
19. Rspuns corect b.) 41. Rspuns corect c.)
20. Rspuns corect a.) 42. Rspuns corect b.)
21. Rspuns corect b.) 43. Rspuns corect b.)
22. Rspuns corect c.) 44. Rspuns corect d.)
23. Rspuns corect b.) 45. Rspuns corect a.)
24. Rspuns corect b.) 46. Rspuns corect b.)