O MARE PARTE DIN MATERIA PENTRU ACEST MODUL A FOST PARCURSA DEJA IN

MODULUL DENUMIT CIRCUITE ELECTRONICE, ASA INCAT IN CELE CE URMEAZA VOM

REVENI ASUPRA UNOR NOTIUNI DEFINITE ANTERIOR















Partea 1
























Cuprins
Introducere
DISPOZITIVE ELECTRONICE
Jonciunea p-n
Jonciunea p-n la echilibru termic
Caracteristica static a jonciunii p-n. Ecuaia diodei ideale
Strpungerea jonciunii p-n
Circuitul echivalent al jonciunii p-n
.Diode semiconductoare
Diode redresoare. Caracteristica static. Funcionare
Diode varicap.
Diode stabilizatoare (ZENER) Caracteristica static. Funcionare. Stabilizator parametric.
Tranzistorul bipolar
Introducere. Simboluri. Tipuri de caracteristici.
Principiul de funcionare (efectul de tranzistor)
Componentele curenilor prin tranzistor
Descrierea funcionrii n regiunea activ normal (conexiunile BC, EC)
Modelul de semnal mare (EBERS - MOLL) al tranzistorului bipolar
Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar
Caracteristicile statice n conexiunea baz comun (BC)
Caracteristicile statice n conexiune emitor comun (EC)
Polarizarea tranzistorului ntr-un punct dat de funcionare, n regiunea activ
Limitri n funcionare datorat variaiei temperaturii i disipaiei de putere
Variaia caracteristicilor electrice cu temperatura
Stabilizarea PSF n raport cu variaiile de temperatur
Tranzistorul bipolar n regim dinamic
Modelul de semnal mic. Circuit echivalent natural
.Circuit echivalent cu parametri hibrizi
Exemplu de utilizare a circuitului echivalent. Etaj de amplificare cu emitorul comun






Pag1

Introducere
Corpurile solide au o structur cristalin cu atomii i moleculele distribuite ntr-o reea regulat, n
care unitatea structural (cub, tetraedru, etc.) se repet periodic. Atomii situai n nodurile reelei cristaline
sunt legai ntre ei prin electronii de valen. Din punct de vedere electric, corpurile solide se mpart n trei
mari grupe:
-conductoare
-semiconductoare
-izolatoare
Aceast clasificare are la baz valoarea conductivitii electrice msurat la temperatura
camerei.La aceast temperatur se obin urmtoarele valori pentru conductivitate electric:
=
=
=
8 6
( 10 | 10 ) ( & m la materialele conductoare
5 9
( 10 | 10 ) ( & m la materialele semiconductoare
9
( 10 ) ( & m la materiale izolatoare
Dispozitivele electronice sunt acele componente ale circuitelor electronice a cror comportare se
bazeaz pe controlul micrii purttorilor de sarcin n corpul solid, n gaze sau n vid. Aproape toate
dispozitivele electronice folosesc conducia n corpul solid, de regul n semiconductoare. Prin controlul
micrii purttorilor de sarcin se nelege fie controlul injeciei de purttori de sarcini, fie controlul propriuzis,
care se poate exercita prin cmpul electric care apare datorit unei diferene de potenial. Controlul mrimii
curentului electric se poate realiza i prin efectul unui flux luminos (fotoni) asupra numrului de purttori
de sarcin dintr-o anumit zon a dispozitivului electronic , care este cazul particular al dispozitivelor
optoelectronice
Circuitele electronice sunt de fapt circuite electrice care utilizeaz dispozitive electronice pentru
realizarea unor funcii cum ar fi:
-amplificarea, generarea unor oscilaii armonice, redresarea tensiunii alternative, stabilizarea
tensiunii, modulare/demodulare
Funciile electronice pot fi asociate la dou categorii mari de aplicaii: -controlul i conversia
energiei, -prelucrarea sau transmiterea semnalelor electrice purttoare de informaii

Dispozitivele electronice pot fi privite ca elemente ale circuitelor electronice, ca
urmare mrimile care apar la bornele acestora sunt tensiuni electrice i
cureni electrici. La dispozitivele mai simple cu dou borne, caracterizarea se
face prin legtura care exist ntre tensiunea aplicat i curentul rezultat, de
exemplu ca pe figura alturat:
Dependena poate fi o caracteristic static sau una dinamic dac apare
posibilitatea stocrii energiei electrice de ctre dispozitivul electronic.
La dispozitivele cu trei sau mai multe borne descrierea se poate face prin
relaiile care exist ntre patru mrimi electrice: doi cureni i dou tensiuni ,
deoarece al treilea curent se obine n funcie de ceilali doi.

Caracteristicile statice ce descriu complet funcionarea acestui dispozitiv cu trei borne sunt dou
funcii de dou variabile, de exemplu
i 1 = i 1 (u 1 , u2 ) i2 = i2 (u 1 , u2 )

Este interesant de remarcat c n majoritatea cazurilor proprietile de interes ale dispozitivelor
electronice pot fi descrise cu referire la caracteristicile statice.






Pag2

O prim proprietate a dispozitivelor electronice este caracterul lor neliniar. Toate dispozitivele
electronice au caracteristici statice neliniare. Caracteristica static a diodei semiconductoare, de exemplu,
permite redresarea unui semnal alternativ.
O a doua proprietate este caracterul parametric al unor dispozitive electronice. Un anumit
parametru al dispozitivului poate fi controlat electric. Rezistena tranzistorului cu efect de cmp ntre surs i
dren poate fi controlat de tensiunea aplicat ntre poart i surs.Aceast rezisten controlat poate fi
folosit n reglajul automat al amplificrii.
O a treia proprietate important pe care o prezint unele dispozitive electronice este caracterul lor
activ.Numim active acele dispozitive electronice care pot asigura transformarea puterii absorbite de la
sursele de alimentare n curent continuu n putere de semnal.
DISPOZITIVE ELECTRONICE
Jonciunea pn

Dispozitivele semiconductoare au n construcia lor regiuni ale reelei monocristaline cu diverse
impurificri att ca mrime a concentraiei ct i ca tip de impuritate (n-regiune tip donor, p-regiune tip
acceptor).Jonciunea pn reprezint o structur fizic realizat ntr-un monocristal care are dou regiuni
vecine, una de tip p alta de tip n.Intre aceste dou regiuni de conductibilitate electric diferit apare o
variaie a distribuiei impuritilor. Linia de demarcaie dintre cele dou regiuni se numete jonciune
metalurgic. Jonciunea pn are o importan esenial n funcionarea unei clase mari de dispozitive
electronice. Majoritatea dispozitivelor electronice semiconductoare conin una sau mai multe jonciuni.
Cunoaterea fenomenelor din jonciunea pn servete i la nelegerea unor fenomene cum sunt cele legate de
suprafaa semiconductorului, de contacte metalice, etc.

Jonciunea pn la echilibru termic

ntr-o jonciune pn aflat la echilibru termic concentraiile de purttori mobili de sarcin difer n
zona jonciunii metalurgice fa de valorile din structur datorit fenomenelor de difuzie a purttorilor mobili.
Astfel, golurile din regiunea p, aflate n concentraii mari, difuzeaz spre regiunea n unde concentraia lor
este foarte mic, aici ele se recombin datorit tendinei semiconductorului de tip n de a restabili echilibrul.
In mod similar electronii in zona n difuzeaz spre zona p. Procesele de difuzie ncep evident cu purttorii
aflai n apropierea jonciunii metalurgice. In zona p adiacent jonciunii metalurgice, prin plecarea golurilor
apare un exces de sarcin negativ datorit ionilor acceptori (sarcini fixe). Zona n din apropierea jonciunii
metalurgice capt o sarcin n exces pozitiv , prin acelai procedeu. Caurmare se stabilete un cmp
electric intern orientat de la regiunea n spre regiunea p. Acest cmp electric transport golurile dinspre
regiunea n spre regiunea p i electronii dinspre regiunea p spre regiunea n, deci n sens opus fluxurilor de
difuzie






Ca urmare, procesul de scdere a concentraiilor de purttori majoritari nu se continu pn la
uniformizarea concentraiilor (conform tendinei de difuzie), ci se autolimiteaz (prin generarea cmpului
electric intern) la valori care asigur echilibrul curenilor (fluxurilor) de difuzie i de cmp.Aceast situaie
corespunde unui curent electric nul prin structur, rezultat compatibil cu condiia de echilibru termic.








Pag4
Caracteristica static a jonciunii pn
Caracteristeica static desemneaz dependena curentului prin jonciune , de tensiunea aplicat
acesteia. Convenia de notaii prezentat pe figura este urmtoarea:
-polarizare direct pentru care U A > 0 I A > 0
-polarizare invers pentru care U A < 0 I A < 0
n polarizare direct se fac notaiile I = iF U = F , iar n
polarizare invers se noteaz I A = I R i U A = U R (direct-
forward, invers-reverse)
Aplicarea unei polarizri directe duce la micorarea cmpului electric intern (sensul tensiunii aplicate este
contrar sensului cmpului intern de la echilibru termic). Aceasta duce la la micorarea curenilor de cmp i
mrirea curenilor de difuzie, rezultnd un curent IF nenul. Micorarea cmpului electric intern duce la
creterea concentraiei purttorilor mobili de sarcin datorit deplasarii golurilor spre regiunea n i a
electronilor spre regiunea p (n cantiti mai mari ca la echilibru termic). Acest proces se numete injecie
de purttori minoritari. Existena unui excedent de concentraii duce la preponderena fenomenelor de
recombinare.Recombinarea purttorilor mobili de sarcin are loc att n regiunile neutr ct i n interiorul
regiunii de trecere.
Aplicarea unei polarizri inverse mrete cmpul electric intern. Curenii de difuzie se vor micora n
favoarea curenilor de cmp. Concentraiile de electroni i goluri vor fi mai mici dect la echilibru termic
datorit cmpului electric intern crescut, care extrage golurile din regiunea n i electronii din regiunea p. ca
urmare vor predomina fenomenele de generare. Odat generat, perechea electron-gol este desprit prin
antrenarea de ctre cmp, a electronului i golului n sensuri contrare.Avnd n vedere cele prezentate mai
sus, se poate generaliza c n ambele regimuri de polarizare curentul prin jonciunea pn se datoreaz att
fenomenelor din regiunea de sarcin spaial, ct i celor din regiunile neutre.
Caracteristica static ideal a jonciunii pn are urmtoarea form matematic:

I A = I O

qU A |
exp |
mkT

(
1 (

unde
q-sarcina electric, UA
-tensiunea aplicat jonciunii, m -constant de material cu valori
ntre (1,2), k-constanta lui Boltzmann, T -temperatura absolut. Graficul caracteristicii
statice este :

qU A | ( U A | (
I
A
= I
O
exp |

mkT
1 = I exp | 1
( O | (
U T
n polarizare direct predomin fenomenele de difuzie, de obicei
valoarea tensiunii aplicate este mult mai mare ca tensiunea termic
U A >> U T =

I F =
mkT
astfel nct ecuaia poate fi aproximat cu:
q
qU A |
I O exp |
mkT
(partea exponenial din cadranul I al caracteristicii statice)












Pag5
n polarizare invers, pentru tensiuni negative mult mai mari n valoare absolut ca tensiunea termic
U R >> U T =
mkT
q
curentul prin jonciune depinde foarte slab de tensiunea aplicat, avnd valoarea curentului de saturaie:
I R = IO
Datorit modului rapid de variaie a funciei exponeniale, se observ c ntr-un domeniu limitat de curent,
tensiunea pe jonciune n polarizare direct poate fi presupus constant, valoarea tipic a acesteia este de
0,7V pentru Si, 0,3V pentru Ge, As.
. Strpungerea jonciunii pn
Fenomenul electric de strpungere a jonciunii pn const n creterea puternic a curentului n
polarizare invers la o anumit tensiune, aa cum rezult din figura de mai jos. In dreptul tensiunii U BR
numite tensiune de strpungere, curentul invers I tinde ctre infinit.R








Dac circuitul electric exterior limiteaz curentul prin jonciune la o valoare care nu duce la
distrugerea structurii prin nclzire excesiv, fenomenul de strpungere este reversibil.
Strpungerea jonciunii poate fi explicat prin dou efecte, amndou fiind legate de valorile mari ale
intensitii cmpului electric la tensiuni inverse mari.
Multiplicarea n avalan a purttorilor de sarcin. La tensiuni inverse ridicate, cmpul electric din
regiunea de sarcin spaial atinge valori mari i imprim o energie crescut purttorilorde sarcin. In urma
ciocnirii cu atomii reelei cristaline, un purttor de sarcin poate avea energie suficient pentru a forma o
pereche electron gol prin ruperea unei legturi covalente.Aceti purttori de sarcin suplimentari sunt
antrenai la rndul lor de cmpul electric i n mod similar pot rupe legturi covalente, fenomenul ducnd la o
cretere nelimitat a curentului.Din punct de vedere cantitativ, prezena fenomenului de multiplicare este
luat n consideraie prin nmulirea valorii curentului invers
coeficient M de multiplicare n avalan:
I R = M I O
Coeficientul M poate fi calculat cu o relaie empiric:
1
I O (n absena acestui fenomen) cu un
M =
1
U R

U
BR
n
|
|
|

unde n este un exponent cuprins ntre 4 i 7, valoarea sa depinznd de semiconductor.
Efectul Zener.Pentru concentraii mari de impuriti (>1018 cm-3) strapungerea jonciunii nu se mai face
prin multiplicare n avalan, ci prin efect Zener. Aceasta const n apariia unui numr crescut de purttori de
sarcin prin ruperea unor legturi covalente sub aciunea direct a cmpului electric.Efectul Zener apare la un
numr redus de tipuri de jonciuni i anume acelea cu tensiuni mici de strpungere (<5V).
Regiunea de strpungere a caracteristicii electrice (cadranul trei), unde tensiunea este practic
independent de valoarea curentului se numete i regiune de stabilizare.
Suprafaa semiconductorului poate juca un rol important n strpungerea jonciunii, imperfeciuni
majore i impuriti nedorite contribuie la o strpungere prematur.




Pag6



Circuitul echivalent al jonciunii pn
Circuitul echivalent pentru semnal mic este alctuit din rezistena intern R
i
(care ine seama de
toate efectele staionare ale tuturor componentelor curentului) i din dou capaciti, C
b
, capacitatea de
barier i C
d
, capacitatea de difuzie. Acest circuit echivalent poate cpta forme particulare n funcie de
polarizarea de curent continuu a jonciunii.








Diode semiconductoare
Dioda este un dispozitiv electronic care prezinta conducie electric unilateral. Simbolul diodei
este reprezentat n figura de mai jos, terminalele dispozitivului se numesc anod (A), respectiv catod (C ).
Sensul direct de conducie este de la anod la catod.



Majoritatea diodelor semiconductoare este realizat pe baza jonciunii pn ntr-o mare varietate de
tipuri dup cum vom vedea n cele din urm.

Diode redresoare
Diodele redresoare se folosesc la transformarea curentului alternativ n curent continuu, de obicei
sunt utilizare la frecvene joase ( 50/60 Hz). Principalii parametri ale diodelor redresoare sunt curentul n
polarizare direct maxim admisibil ( I
FM
) i tensiunea n polarizare inversa maxim admisibila (U
RM
) .
Realizrile actuale permit cureni direci pn la ordinul sutelor de amperi i tensiuni inverse de mii de voli.










Diode varicap

Diodele varicap servesc drept condensatoare cu capacitate variabil prin tensiunea (curentul)
invers aplicat unei jonciuni pn. Mrirea capacitii de barier (dominant fa de capacitatea de difuzie, n
cazul polarizrii inverse) se controleaz prin valoarea tensiunii inverse aplicate.





Pag7
Diode stabilizatoare (Zener)
Diodele stabilizatoare folosesc regiunea de strpungere (efect Zener) a caracteristicii statice n
vederea stabilizrii tensiunii continue. n vederea stabilizrii este necesar, ca n domeniul de stabilizare
rezistena diferenial rz sa fie ct mai mic (adica unei variatii mari de curent sa-i corespunda o variatie
foarte mic de tensiune), acest lucru este echivalent cu asigurarea unei tensiuni stabilizate UZ UBR ct
mai constante. De asemenea, este foarte important ca tensiunea de stabilizare sa depind ct mai slab de
temperatur.











Aplicaie
n circuitul de pe figura de mai jos dioda este realizat pe baza unei jonciuni pn cu I
O = 1 i
m
= 1 . S
A
se calculeze punctul static de funcionare al diodei.
Punctul static de funcionare (
ecuaii:

(

A A, rezult din rezolvarea sistemului de )
A + A =
qU A | (
(
I

A = I O exp | 1 (
mkT
Rezolvarea acestei ecuaii duce la o ecuaie transcendent, de aceea vom prefera o rezolvare
iterativa, bazat pe aproximaii succesive. Se presupune iniial U
A
= 0 ; rezult atunci curentul de valoarea
I A =
U
R
= 10 mA . Cu aceasta valoare a curentului se recalculeaz tensiunea pe diod:
I A | 4
A = ln + 1 | = 0026 ln ( 10 + 1 ) = 0239 V
q
Noua valoare a curentului este acum
I
A =
I O
A
R

= 9 76. mA iar U A = 0 238. V
Aceste valori se retin ca fiind solutia problemei. Se
remarca convergenta rapida calculului iterativ.
Rezolvarea sistemului se poate face i grafic, dup
cum se vede pe figura alturat












pag8

Aplicaie
n circuitul serie din figura cele doua diode au IO1 = i I1 A O2 = 9 i se cere s se calculezeA
tensiunile la bornele celor dou diode.









Diodele sunt polarizate invers la acelasi curent IA1 = IA2 = ca urmare acest curent nu poate
A I
depi valoarea celui mai mic dintre curenii de saturaie : I A 1 = I A 2 =
kT I A |
Tensiunea la bornele diodei D2 este U A 2 = ln + 1 | =
q I O 2
I A = . 1 A

V i poate fi neglijat. Atunci
U A2 = + A U = 200V deci practic ntreaga tensiune a sursei U se regsete pe dioda D2 .
mprirea inegal a tensiunii de alimentare ntre diodele D1 i D2 se regsete ilustrat n figura alturat,
fenomen ce este suparator deoarece diodele sunt puse n serie de obicei ntocmai pentru a suporta n
polarizare invers o tensiune mai mare dect poate suporta fiecare diod n parte.

Aplicaie
Sa se calculeze tensiunile la bornele celor doua diode din figura de mai jos, diodele avnd aceleai
caracteristici ca n problema precedenta.
Neglijnd ntr-o prima aproximare, curentii prin diodele
polarizate invers se obine:
I I 1 I =
U
2
R
= 100 >> 1 , 2 n aceste conditii :

R1 R 2 =

2
R
= 100 V . Pe baza acestui calcul aproximativ
se poate afirma ca prin diode circula curentii inversi:

IR1 = 1 ; 2 = I O2

se poate face un calcul mai exact al punctelor statice de funcionare cu ajutorul relatiilor:

R 1
U R
1

+ R 2 =
+ O1=

R 2
+ O 2 = I

Se obtin rezultatele: UR 1 = 104 ; R 2 = 96 ; = 105A

Acest circuit asigura o mpartire mai buna a tensiunii de alimentare ntre cele doua diode, rezistentele
acestea numindu-se rezistene de egalizare.










Pag9

Aplicaie
n circuitul din figur diodele au IO1 = 2 pA i respectiv IO2 = 8pA . Caracteristicile lor se considera
a fi ideale , m=1. Se cere sa se calculeze curentii prin cele doua diode.








Diodele D1 i D2 sunt polarizate direct, caracteristica statica a grupului celor doua diode legate n paralel
este:
I = I O exp
qU a
; O = I O 1 + I O 2

efectund un calcul iterativ (ca n prima aplicatie) se obine:

I ; A V
Curentul total I se divide prin fiecare dioda proportional cu curenii de saturaie:

I A1= I

I O 1
I O 1 + I O
2

= ; A 2 = mA
Observatie. mprirea inegal a curenilor prin cele dou diode este nefavorabil, deoarece diodele sunt
puse n paralel pentru a nu fi suprasolicitate la curenti prea mari.

Aplicatie

Circuitul din figura de mai jos nseriaz cu fiecare diod cte o rezistena mic, de 20&; aceste
rezistene se numesc rezistene de egalizare. S se arate c, folosind aceleai diode ca n problema
precedent, curenii prin diode au valori apropiate.








Se face un calcul iterativ care pleaca de la VA1 = VA2 = 0. Atunci curentul I are valoarea:

I =
+

= 99
mA




Pag10



A 1 =
iar Ia1 = IA2 = 49,5 mA. Atunci, tensiunile pe diode au valorile:


A 2 =




q


q



I A 1
ln = , V
I 01

I A 2
ln = , V
I 02
Cu aceste valori ale tensiunilor pe diode, curenii se recalculeaz cu relaiile:
I A 1 =


I A 2 =
2 + A 2 A 1 ( + 2 )
= , mA
1 2 + 1 + 2


1 + A 1 A 2 ( + 2 )
= , mA
1 2 + 1 + 2
Aceste valori ale curentului nu duc la modificri notabile ale tensiunilor pe diode i se rein ca soluii.
. Tranzistorul bipolar
. Introducere. Simboluri. Tipuri de caracteristici.
Tranzistorul bipolar este un dispozitiv electronic cu trei borne: emitor, baz, colector. Aceste trei
borne fac legtura la trei regiuni semiconductoare de conductibilitate diferit (n, p) ale aceluiai cristal
semiconductor. Se numete " bipolar" deoarece conducia este asigurat de dou tipuri de purttori de
sarcin cu sarcin de semn diferit: electroni i goluri. n figurile urmtoare se arat simbolurile grafice
corespunztoare celor dou structuri, npn i pnp. Sgeata din simbol corespunde jonciunii pn emitor-baz
(vrful sgeii merge ntotdeauna de la zona p spre zona n) i arat i sensul normal pozitiv al curentului
principal prin tranzistor.








Se pot defini trei cureni i trei tensiuni , dar pentru descrierea funcionrii nu sunt necesare toate
aceste ase mrimi. Tensiunile i curenii sunt legate prin realaia:

uCB = uCB + u EB
i E = iB + i C






Tranzistorul poate fi asimilat cu un nod n care suma algebric a curenilor este zero, deci numai dou
tensiuni i doi cureni sunt independeni. Alegerea mrimilor electrice care descriu comportarea
tranzistorului se poate face n moduri diferite.







Pag11
Criteriul este urmtorul: se consider tranzistorul ca un diport (cuadripol), adic un bloc cu dou intrri i cu
dou ieiri dar dat fiind faptul c tranzistorul are numai trei borne, una trebuie s fie comun intrrii i ieirii.
Borna comun definete conexiunea tranzistorului. De exemplu:
- emitor comun (EC)
- baz comun (BC)
- colector comun (CC)
Tipuri de caracteristici.
Pentru un tranzistor dat, curenii rezult atunci cnd se dau tensiunile aplicate pe jonciuni.
Alegnd de exemplu pentru exemplificare conexiunea baz comun (BC):


iE = E EB CB( ,u )
ic = c( EB CB, u )

Grafic, aceste funcii de dou variabile corespund la dou familii de caracteristici. n descrierea
tranzistorului bipolar se folosesc caracteristici :
- de intrare: i E= E EB CB C) ,(, parametri
- de transfer: iC = C EB CB B)( , , parametri
- de ieire: iC = C CB EB B( ) , , parametri

OBSERVAIE: tranzistorul va fi complet descris prin specificarea a dou seturi de caracteristici
independente. Pentru comoditate ns se folosesc, dup caz, toate tipurile de caracteristici de mai sus, att n
conexiune baz comun(BC), ct i n conexiunea emitor-comun (EC).

Principiul de funcionare (efectul de tranzistor)

Efectul de tranzistor va fi explicat pe schema unui tranzistor pnp de pe figura de mai jos, care
cuprinde dou jonciuni semiconductoare, jonciunea emitor-baz i jonciunea colector baz








Ecuaii de dispozitiv. n funcionare normal, jonciunea colector-baz se polarizeaz invers iar
KT
jonciunea emitor-baz direct. Dac u EB >>
tipice de ordinul 0.6-0.7 V (Si) sau 0.3-0.4 V (Ge).
,
q
atunci i
E
este mare i u
EB
constant cu valori
Pentru ca dou astfel de jonciuni s satisfac cerinele funcionale ale unui tranzistor cuplarea lor
trebuie s satisfac dou condiii importante:
a. jonciunea emitorului s fie puternic asimetric (tip p n
+
) ca urmare i
E
va fi un curent de goluri.
b. baza s fie foarte subire n comparaie cu lungimea de difuzie a golurilor,astfel nct fluxul de
goluri s ajung practic n totalitate la colector, deci i
E

C
i
Examinnd, de exemplu circuitul din figur, putem determina mrimile electrice:





Pag12

uEE = uEB +
, E E EB
uCC = uCB + C C
uEE u EB uEE
I E = ( EE >> uEB )
R
E E
IC iar uEI CB = uCC + C C . (calculul de mai sus e valabil dac u
CB
< 0 ).
Comportarea tranzistorului ca amplificator.Dac presupunem o mic variaie u
EB
, aceasta
provoac variaia lui i
u CB
E i C , i a lui u
CB
R C
EB iar u
EB
va aprea "amplificat" dac R C < R E
E
Este de remarcat c rezultatul nu este edificator, deoarece aplicarea semnalului n serie cu sursa de
alimentare nu este deloc inspirat ( de obicei se "atac" printr-un condensator care blocheaz curentul
continuu dar permite trecerea semnalului alternativ).
Considernd i C i E const . exp
qu EB

KT
| i C qI C
| , = = m
u EB
, unde I
C
este curentul continuu n
jurul cruia au loc variaiile produse de semnal, iar g
m
este panta (tansconductana) tranzistorului.
uCB = C C = m C EB
deci amplificarea n tensiune este g R
m C . Aceast amplificare poate lua valori mari. Deoarece
i C i E
tranzistorul amplific n putere, adic transfer curentul din circuitul de intrare de rezisten mic n circuitul
de ieire de rezisten mare, de aici denumirea TRANSfer reZISTOR adic rezisten de transfer.

Componentele curenilor prin tranzistor
Vom considera un tranzistor pnp n conexiune baz comun polarizat normal, vom analiza separat
curenii de electroni i curenii de goluri la cele dou jonciuni


i E= iE, p + i E ,n
i
Cp
= i
E , p
i r
iC = iC, p + I CB0


O parte din curentul de electroni injectat de emitor n baz se pierde prin recombinare, ca urmare,
curentul de goluri injectate de emitor i colectatate de colector este i
C,p . Curentul propriu al jonciunii
colectorului I
CB
0 este susinut de purttori minoritari, electroni i goluri ( curent rezidual ).

i B = i E i C = i , + i , i , + i r I CB 0 =

unde i
E
, n este curentul propriu de electroni al jonciunii emitorului.

i ,
Se definete eficiena emitorului : E =
i E



i , + i r I CB 0
i ,
= ( E 1 )
i , + i ,




Pag13

factorul de transport : E =

i E = i , + i , i C = E T E i + I CB 0 i C = i FE
amplificare n curent n sens direct, n conexiunea BC.
i
i
+

, i ,
= ( T 1 )
, i , + i r
I CB 0 F = E T este factorul de
O alt condiie pentru funcionarea eficace al tranzistorului este ca I
CB
0

Descrierea funcionrii n regiunea activ normal

conexiunea BC (baz comun)
KT KT
( s fie neglijabil ). 0
u EB >> ,
q
uCB < 0 , u CB >> i C = i FE+ I CB
q
0, unde F CBI, 0 sunt presupuse constante.
conexiunea EC (emitor comun)





Se va considera U EB const . nlocuind, obinem I C = I TB+ I CE
I CB 0
u BB = u EB + R B I B
u CC = u CE + R C I
C

F
0 unde T =
1 F





este factorul
de amplificare n curent (conexiunea EC), iar I CE 0 =
1 F
= ( F + 1 ) I CB 0 = I C IB = 0 este curentul

rezidual de colector n conexiunea EC (msurat cu baza n gol).

Noul factor de amplificare n curent poate avea valori mari (sute, zeci ).

Modelul de semnal mare (EBERS - MOLL) al tranzistorului bipolar
a). modelul cu generatoare de curent controlate de curenii la borne






Curentul de colector poate fi scris: i C = i FE I CB 0






qu CB |
exp |
KT






(
1 ( , unde primul termen este curentul

injectat de emitor n jonciunea colectorului iar al doilea, curentul propriu al jonciunii colectorului.
O relaie similar poate fi scris fcnd bilanul curenilor la jonciunea emitorului, astfel:

i E = R ( i C ) I
EB 0

qu EB |
exp |
KT

( qu EB | (
1 ( sau i E = i RC+ I EB 0 exp | 1 (
KT
unde
R
este un factor de amplificare n curent invers (intrare pe colector i ieire pe emitor) cu emitor
scurtcircuitat la baz iar I
EB
0 este curentul de saturaie al jonciunii emitor-baz determinat cu colectorul n
gol.






Pag14






Figura de mai sus reprezint un circuit echivalent al tranzistorului care corespunde ecuaiilor
Ebers-Moll. Ea cuprinde generatoare de curent constant comandate de curenii la bornele dispozitivului.
b). Model cu generatoare de curent comandate de curenii prin diode
i C = i FE I CB 0
Rezolvnd sistemul format
qu CB |
exp |
KT
(
1 (

obinem un alt set de ecuaii

Ebers-Moll:
i E = i RC+ I EB 0


qu EB |
qu EB |
exp |
KT
(
(
1 (

qu CB | (
i E = I ES
exp



| 1 ( I RCS exp | 1 (
KT KT
qu EB | ( qu CB | (
i C = F ES
I
I EB 0
exp |
KT
I CB 0
1 ( I CS exp | 1 (
KT
unde I ES =
1
; I CS =
P R 1 , iar I
ES
este curentul de saturaie al diodei emitor-baz F R
msurat cu colectorul scurtcircuitat la baz, iar I
CS
este curentul de saturaie al diodei colector-baz
determinat cu emitorul scurtcircuitat la baz. Circuitul echivalent coresponztor apare n figura alturat.







F ES
I =
R CS
I deci cei patru parametrii nu sunt independente.

c Modelarea tranzistorului n diverse regiuni de lucru
Modelul Ebers-Moll este valabil pentru orice polaritate a tensiunilor aplicate din exterior . Considerm
separat patru regiuni de lucru distincte care se deosebesc prin polaritatea tensiunilor aplicate din exterior.
regimul de blocare (de tiere) al unui tranzistor pnp este caracterizat de
uCB < 0 , uEB < 0 (ambele mari faa de KT
q n modul)
regimul normal de lucru (regiunea activ normal) u
EB
> 0 , u
CB
< 0 (jEB pd + jCB pi)
regimul inversat de lucru (regiunea activ invers)
uEB < 0 , uCB > 0
regimul de saturaie ( u
EB
> 0 , u
CB
> 0 ) ambele polarizate direct.

d. Modelul Ebers-Moll pentru un tranzistor npn










Pag15
Trecnd de la un tranzistor pnp la unul npn, vom aplica tensiuni de polaritate opus i vom obine cureni
de sens opus. Convenia de semn pentru cureni schimb n mod automat sensul normal pozitiv atunci
cnd se trece la tranzistorul npn.


uEB = uBE , uCB = u BC




. Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar
. Caracteristicile statice n conexiunea baz comun (BC)

caracteristicile de intrare


quEB |
(

quCB |
(
i E = I ES
exp



| 1 ( I RCS exp | 1 (
KT KT
qu EB | ( qu CB | (
i C = I F ES
exp |
KT
( I CS exp | 1 (
KT
prima ecuaie poate fi interpretat ca i E
qu EB |
pentru u
CB
< 0 i E = I ES exp |
KT
= E EB ( ) ca o caracteristic de intarare
(
1 ( este o caracteristic de diod,

KT
pentru uCB < 0 u CB >>
qu EB |
q
(
obinem
qu EB | (
i E = I ES
exp |
KT
1 ( + R CS I = I ES exp | ( I ES ( 1 F )
KT








Caracteristicile de transfer iC = C EB( )
Caracteristica de transfer este dat de ecuaia urmtoare ca

i C = exp FES
I
qu EB |
|
KT
i C = C EB ( )
( qu CB | (
1 ( I CS exp | 1 pentru u ( CB = ct
KT
n funcionare normal ea difer foarte puin de caracteristica de intrare:
`
i C I FES
qu EB |
exp |
KT
(
1 ( + I CS = I F ES exp






qu EB | ( qu EB
| ( + I CS ( 1 R ) I FES exp
KT KT




Pag16

Caracteristicile de ieire
aceste caracteristici pot fi interpretate fie pentru i E = const
pentru i
E
= 0 vom folosi ecuaia: i C = F E
i






fie pentru u EB = const
qu CB | (
I CB 0 exp | 1 (

caracteristica iE = 0

este urmtoarea: I C = I CB
0
KT
qu CB |
exp |
KT
(
1 (

iar pentru i
E =
ct. caracteristicile se obin prin translatarea curbei pe vertical pe distane egale:









. Caracteristicile statice n conexiune emitor comun (EC)
Prin scderea ecuaiilor
i E = I ES

exp



qu EB | ( qu CB | (
| 1 ( I RCS exp | 1 (
KT KT
qu EB | ( qu CB | (
i C = I FES
obinem:
exp |
KT
1 ( I CS exp | 1 (
KT
i B= i E i C = ( 1 I ) F ES
qu EB | (
exp | 1
( + ( 1
KT
q (
F CS ) I exp ( CE + EB ) 1 (

ecuaie ce poate fi folosit pentru trasarea caracteristicilor de intrare
Caracteristicile de intrare i B = B EB ( ) pentru u CE = ct

Caracteristica u
CE
= 0 este de asemenea de tip diod:
qu EB |
i B = | ( 1 F ES ) I
+ ( 1 R CS ) I | exp |
KT
Caracteristica de transfer i c= C EB ( ) pentru uCE = ct.
qu EB | ( q



(
1 (


(
i C = exp FES
I
|
KT
1 ( I CS exp ( CE + EB ) 1 (

dac uCE este suficient de negativ (pnp) i u EB >>
kT
q
,atunci obinem caracteristica de transfer
qu EB |
i C exp FESI
KT
|

Deci se obine o caracteristic exponenial iC = iC (uEB) ceea ce este o trstur de baz a
tranzistorului bipolar.Forma exponenial a caracteristicii de transfer a tranzistorului n regiunea activ
normal (RAN) trebuie reinut deoarece ea este folosit ca atare n studiul comportrii neliniare a
tranzistorului n unele circuite electronice.





Pag17

Caracteristici de ieire
Cele mai folosite sunt iC =iC (-uCE ) pentru iB = ct.
F I CB 0
i E = i + C Bi i C = i B
1 F 1 F
q







q (
exp ( CE + EB ) 1 ( sau

( F
i C = i FB ( F + 1 ) I
CB 0
exp

( CE + EB ) 1 ( ; F =
1 F
n regiunea activ normal (RAN) uEB > 0, uEB = ct.Pentru uCB = uCE + uEB < 0,1 V de exemplu
i C
i FB
+ (F + 1)I CB0 =
I F B
+ ICE
0. Caracteristica iB = 0 nu este limita regiunii de tiere. Pentru a
bloca tranzistorul eset necesar s blocm jonciunea emitor - baz.













Curbele i
B =
const nu sunt orizontale, deoarece
F
depinde de limea bazei, de fapt curentul de
colector crete cu creterea tensiunii colector-emitor

. Polarizarea tranzistorului ntr-un punct dat de funcionare, n regiunea activ
Dispersia parametrilor tranzistorului de la un exemplar la altul face ca s nu se poat pune baz pe
caracteristicile acestuia. Situaia este foarte dramatic pentru tranzistorul n conexiunea emitor comun (EC),
unde dispozitivul polarizat n regiunea activ normal poate fi caracterizat cu aproximaie de
parametrii uEB , F , ICB0 unde dispersia uEB este mic, dar dispersia lui F , ICB0 este foarte mare.
uBB = uEB + B B
uCC = uCE + C C (*)
IC =
I F B
+ ICE0


Punctul static de funcionare (PSF) se va gsi la intersecia caracteristicii iB = IB = ct. ,unde
I B =
u BB u EB
R B
cu linia (*) care se numete dreapta de sarcin.












Pag18



Pentru alt F , caracteristica iB = IB = ct. are alt
poziie i PSF se schimb.
Dac presupunem dreapta de sarcin dat , adic
tensiunea de alimentare i rezistena de colector
bine precizate, atunci fixarea (printr-o tehnic
oarecare) a valorii curentului nseamn de fapt
"imobilizarea" punctului de funcionare ntr-o poziie
bine determinat.



n continuare se prezint un circuit de polarizare cu rezisten n emitor, unde pentru simplitate
vom presupune vom presupune ICB0 0 iC
i FB
, i E (F + 1 )iB . Schema difer de schema
anterioar prin rezistena de emitor RE care introduce o "reacie negativ".


uBB = uEB + I B RB + I E R E

I C =
= u EB + | R B + ( F + 1 ) R E | I B
F BB ( u u EB )
R B + ( F + 1 ) R E


Se observ c IC , curentul de colector al tranzistorului presupus a funciona n regiunea activ normal,
este independent de polarizarea colectorului dac F ,atunci IC devine independent de F
u BB u EB F
(F + 1) RE >> RB la limit am putea pune RB = 0 I E = I C = I E
R E F + 1
, pentru
ct . dar
aceast polarizare particular nu ne convine (RB = 0) deoarece semnalul care se aplic de obicei n baz
ar fi scurtcircuitat. Schemele practice folosesc o singur surs de alimentare , dup cum se vede pe figura
alturat:








Dimensionarea rezistenei R
B
ne conduce la valori mari, ceea ce nu satisface
condiiile enunate mai nainte, o soluie mai bun este divizorul rezistiv din
baz. Aplicnd teorema Thvenin la stnga punctelor a i b, obinem
u BB =
1
R 2
CC
+
2
echivalarea cu figura anterioar R =
1 2
B
1
+
2
Polarizarea tranzistorului cu generator de curent constant. n scheme practice apare frecvent acest mod de
polarizare. Un generator de curent constant este construit cu unu sau mai multe dispozitive electronice. O
schem simpl de generator de curent constant este cea de tranzistor cu rezisten n emitor i divizor de
polarizare a bazei, reprezentat pe figura de mai jos:





Pag19










I 0
Aplicaie












u
BB
= I C I E =

u EB
R E
n circuitul din figura de mai jos tranzistorul are tensiunea baz-emitor de 0.7V . Se cere s se
determine punctul static de funcionare i s se specifice regimul de funcionare










ntr-un caz simplificat se poate considera c I E , iar curentul de baz se poate neglija pe lng
curentul care circul prin divizorul rezistiv. Se calculeaz potenialul bazei:



I E = I C =
U BB
U BB U BE
=
R
=
R 1 +
4 V
0
2 10
U CC = 12 = 4 V ; U BB = U BE + I E
R 2 30
7 V 3 3 V
= = 1 mA U CE = U CC I C ( R
E
R E

+ R C ) = 12 1 8 = 4 V
R E 3 3k& 3 3k&
Din aceste relaii rezult c tranzistorul bipolar se afl n regimul normal de funcionare, deoarece
( I ,
CE
) se afl ntr-o poziie de mijloc ntre blocare i saturaie

Aplicaie
n circuitul din figura de mai jos tranzistorul are = 100 i tensiunea baz-emitor de 0.7V . Se
cere s se determine punctul static de funcionare i s se specifice regimul de funcionare

















Pag20

I
B
I C U CC
=




U C U BE I C
= =
R B
I C R C U BE I C
R

R
B



presupunnd I C >>> I B


B
+ I C R C = U CC U BE I C

U C U CC I C R C
U CC U BE
= , iar U = C
R B
R C +

Cu valorile numerice din schem rezult
IC
= 1 5mA i U CE = U C = 4 5V , regim liniar.

Limitri n funcionare datorat variaiei temperaturii i disipaiei de putere
Variaia caracteristicilor electrice cu temperatura
Un tranzistor care funcioneaz n regiunea activ normal (RAN)poate fi caracterizat cu aproximaie de
parametrii uEB (uBE) , F , ICB0 .Pentru variaia lui uEB i ICB0 vom prelua rezultatele cunoscute de la
jonciunea pn:
uEB scade cu temperatura cu o rat de 2-2,5 mV/
0
C la iE = ct.
ICB0 crete cu temperatura dup o lege exponenial dificil de prezis (orientativ ICB0 se
dubleaz la fiecare cretere de circa 10
o
C)
cnd nu este dat n catalog F variaia cu temperaturapoate fi estimat dup formula:
F F ( T ) = F (
0
0
)
K
(
( T0 =25
0
C , K =100
0
C (Si) , 50
0
C (Ge)

Pe baza acestora se poate vedea cum se modific caracteristicile statice cu creterea temperaturii.
Stabilizarea PSF n raport cu variaiile de temperatur

S considerm un tranzistor n conexiune emitor comun (EC), polarizat cu iB=IB=constant.
Punctul static de funcionare se va gsi la intersecia caracteristicii iB=IB cu dreapta de sarcin static.Dac
temperatura crete, caracteristicile se vor deplasa n sus i punctul static de funcionare se va deplasa i el pe
dreapta de sarcin spre cureni de colector mai mari. Pentru a reduce deplasarea punctului static ar fi indicat
ca circuitul s asigure o scdere a lui IB cu tendina de a menine curentul de colector constant
(IC=constant). Adic ar fi de dorit ca I s scad cu creterea T ca s rmn curentul de colector IC = ct. ,
B
de aici rezult importana circuitului de polarizare n stabilizarea PSF. Vom prezenta n continuare una din cele
mai des ntlnite procedee de stabilizare a punctului static de funcionare.
Pentru ilustrare vom considera din nou schema de mai jos, ns fr a mai neglija de aceast dat
curentul rezidual al jonciunii baz-emitor ICBO .
uBB = RB IB + uBE ; IC = F IB + (F +1)ICB0 + RE IE
IE =IB + IC = (F + 1)IB + (F + 1)ICB0
uBB - uBE = RBIB + RE (F + 1)IB + RE (F + 1)ICB0




I C = F I B + ( F + 1 ) I CB 0
=
I B =


F ( u BB u BE
)
u BB u
R B + ( F
+

F R E
(

BE R E F ( + 1 ) I CB 0

1 ) R E R B + ( F + 1 ) R E


F + 1 ) I CB 0
+ ( F + 1 ) I CB 0 =

=
R
B
F ( u
BB
R B
+ ( F
( F + 1 ) R E R B + ( F + 1 ) R E
u BE ) ( R B + R E )
+ ( F + 1 ) I CB 0
+ 1 ) R E R B + ( F + 1 ) R E
iar uCE = uCC - RCIC - REIE = uCC - (RC + RE )IC







Pag21

Stabilizarea PSF la variaia temperaturii se reduce la stabilizarea lui IC (tensiunea colector-emitor
rezult din relaiile de mai sus)
Creterea temperaturii duce la creterea curentului de colector IC prin intermediul tuturor celor trei
parametri (uBE , F , ICB0). Problema care se pune este, cum poate fi minimizat creterea lui IC prin
alegerea elementelor circuitului ?
Pentru a insensibiliza pe IC la variaiile lui F trebuie aleas o rezisten R B << (1 +
) F E
R
BB
BE RB |
astfel avem: I C R E
+ 1 + | CBO , ceea ce recomand circuitul cu divizor pe baz , n care se
E
poate asigura o valoare suficient de mic pentru RB . Pe de alt parte, deoarece
I C
u
BE
=
B +
F
( E F + 1 )
se mai folosete i circuitul cu o singur rezisten n baz, deoarece la valori mari ai lui RB variaia de mai sus
devine mai mic.

.Tranzistorul bipolar n regim dinamic
Modelul de semnal mic. Circuit echivalent natural
n stabilirea unui circuit echivalent de semnal mic nu ne va interesa dect funcionarea
tranzistorului n regiunea activ normal, acolo unde se pune problema de a amplifica semnalul (fr a
introduce distorsiuni ale formei acestuia)




factorul de modulare a grosimii bazei, g
m
-panta (transconductana) tranzistorului g -
conductana baz-emitor, CdE -capacitatea de difuzie (jonciunea emitorului)
1
r
= g = g

g = g =

C
1
r
= dE + bE dE
= dE + bc bc
1
g ce = g m =
r O
Capacitatea de barier poate fi practic neglijat pe lng capacitatea de difuzie n cazul n care jonciunea
emitorului este puternic deschis. Circuitul echivalent se numete natural, deoarece elementele sale au fost
deduse n strns legtur cu fenomenele fizice care au loc n dispozitiv.

Circuit echivalent cu parametri hibrizi





Circuitul echivalent cu parametri hibrizi este echivalent cu circuitul echivalent natural, considernd efectul
ieirii neglijabil la intrare
1 1
i
= = ; r = 0 ; f = m ; O =

r
O




Pag22

Exemplu de utilizare a circuitului echivalent. Etaj de amplificare cu emitorul comun.

Figura de mai jos arat un etaj de amplificare EC, caracteristica de transfer O =
( O I
) , unde
uO este tensiunea de ieire. Presupunnd c:

I
( ) = I + i ( )










Rspunsul n curent continuu se deduce uor de pe caracteristica de transfer O =
( O I ) , iar rspunsul
liniar al dispozitivului se poate calcula direct pe baza circuitului echivalent:

0
() = C C () = ()
r




o ()
U = =
i () r +
r
() = i ()


() c ()
= I = =
r r + r b ()
i ()
r + r
()
= = F
()
amplificatorul preia putere de la sursa de curent continuu (+UCC) i o transform n putere de curent
alternativ (de semnal)
bilanul energetic n circuitul de colector: - n absena semnalului : UCC = RCIC + uCE
UCC IC = RL IC2 + uCE IC
- n prezena semnalului alternativ, puterea de curent alternativ disipat pe RL trebuie s fie
1
2
R I
L c

2
(IC - amplitudinea semnalului alternativ)
1
CC C = CE C
2
2 1 2 2
L C + L C + L C
2
puterea medie disipat pe tranzistor se micoreaz la apariia semnalului exact cu puterea de curent
alternativ (util) debitat n sarcin.
acest fenomen este caracteristic funcionrii tranzistorului ca VENTIL DE COMAND care controleaz pur
i simplu puterea instantanee pe care sursa de curent continuu o debiteaz la un moment dat n
rezistena de sarcin.
randamentul crete cu amplitudinea semnalului.










c
e





Alegerea punctului static de funcionare (PSF)
Caracteristica dinamic este limitat inferior de axa orizontal (tiere).Dac U
O
max este amplitudinea
maxim impus semnalului, atunci: I C > I c





mi
n
=
U 0
max
R C
. Curentul maxim de lucru se dtermin lund
U CEsat = 0 5. ca limitare pentru evitarea saturaiei. Se obine: I V C < I C










Aplicaie
MAX
CC ( 0 max
=
C +
+
E
, 05 V )
n circuitul din figur tranzistorul bipolar are
F
= ,U EB V i I
CBO = 2
A . ntre ce
limite putem gsi punctul static de funcionare dac rezistenele din circuit au tolerane de 5% ?






n relaia : IC =
I F E
+ I CBO vom lua
F
1 i I
CBO
0 . Pentru valorile nominale ale
rezistenelor se calculeaz:
I C = I E =
U EE U EB 6 0 2
=
R E 2
= 2 9 mA ; U CB = U

CC + R C I C = 12 + 2 2 9 = 6 2 V
Limitele ntre care poate varia curentul prin tranzistor sunt:
I C max = I E max =
U EE U EB 6 0 2 U EE U EB 6 0 2
= = 3 05 mA ; I C min = I E min = = = 2 76 mA
R E min 1 9 R E max 2 1
Valorile extreme ale tensiunii de colector se calculeaz astfel:
( U CB ) max = U CC R C min I C min = 12 1 9 2 76 = 6 76 V ,
( U CB ) min = U CC R C max I C max = 12 2 1 3 05 = 5 60 V
Locul geometric al punctelor de funcionare este reprezentat n figura de mai jos, unde mai sunt
reprezentate dreptele statice de funcionare pentru valorile extreme ale lui RC.











25




Aplicaie
n circuitul din figur tranzistorul npn are parametrii F = ,R = . i IES = 2 . se cereA
s se determine punctul static de funcionare (
C CE,
)








n ipoteza funcionrii n regiunea activ normal tranzistorul este descris cu aproximaie de
re;aiile:

i C= F B i + I CBO E ; i = I
ES

qu
BE
exp

| F ES I
| ; CBO = ( 1 ) FR CS CSI ; I =
R
Ecuaiile circuitului se obin aplicnd legile lui Kirchhoff circuitului de baz (care cuprinde jonciunea baz-
emitor) i respectiv circuitul de colector:
BB
= B B + BE + E E ;
CC
= C C + CE + E E
la care se mai adaug iE = i
+ C B
i . Obinem astfel un sistem de cinci ecuaii cu cinci necunoscute
( E B C BE CE,,,, ) , una din ecuaii fiind neliniar.
Vom estima IE presupunnd pentru nceput U
BE
0 i I
CBO
0 ;
I C =
F
1 F
I B = F B I
I E=

kT I E
U BB
R B
+
F + 1
6
= = 1 mA
300
R E + 3
100
apoi obinem: U BE =
q
ln = 0026 ln 500 = 016
V
I ES
. Aceasta valoare a lui UBE va fi considerat
suficient de precis pentru calculul curenilor (ceea ce se poate verifica prin ncercri succesive). fr a mai
neglija de aceasta dat pe ICBO (calcul mai precis) obinem:
F BB( BE ) I
( CBO E
+ B ) (F + 1 )
IC = + = 103mA
B
+ E F(+ 1) B + E F( + 1)
Aproximnd IC obinem:EI CE = CC C C E E CC ( C +
) E C
= 4 8.V
Deoarece tensiunea colector-emitor este pozitiv i suficient de mare, tranzistorul nu este saturat

Aplicaie

n circuitul din figura de mai jos tranzistorul are F cuprins ntre 100 i 200 , tensiunea baz-emitor de
0.6V . Se cere s se determine poziia punctului static de funcionare n planul caracteristicilor de ieire
iC = C CE( ) . Presupunnd RC variabil, s se determine plaja de valori pe care o poate lua astfel ca
tranzistorul s funcioneze n regiunea activ normal
















Cu o echivalare Thvenin la stnga bornelor A,B se obine circuitul echivalent din figura a doua,
unde:
U BB =
1
R 2 10
CC = =
+ 2 3018
1 2 1020
6 , B = = = k &
1 + 2 30
Se rezolv sistemul de ecuaii:
BB =
(
( I E = I
B

( I C =
( CC =

B B + BE + e e ;
+ I C ;
I F B;
C C + CE + E E ;
cu necunoscutele: IE, IB, IC, UCE . Din primele trei ecuaii rezult expresia curentului de colector:
I C =
F BB ( BE )
R B + ( F+ 1 ) R E

valoare independent de RC
, att timp ct tranzistorul funcioneaz n regiunea activ normal.
Introducnd valori numerice se obine Ic = 2 59.mA pentru
F
= 100
Ic = 2 64.mA pentru
F
= 200
Curentul de colector depinde foarte slab de factorul de amplificare n curent F Din punct de
vedere matematic, IC independent de factor de amplificare se asigur prin: (
F
+ 1 ) E >> B
Aceasta echivaleaz cu neglijarea cderii de tensiune pe RB n circuitul baz-emitor. Ca urmare,
potenialul bazei fa de punctul de referin este aproximativ constant i egal cu UBB ,iar :
I C I E
BB BE
R E
6
= = mA
2
Cu ajutorul divizorului pe baz i al rezistenei din emitor, tranzistorul este polarizat la un curent constant,
aproximativ independent de tranzistor. Neglijnd curentul de baz fa de curentul de colector, obinem
aplicnd teorema a II-a a lui Kirchhoff:
CC
CE + ( C +
) E C
care este ecuaia dreptei de sarcin reprezentete n figura de mai jos:



















Punctul static de funcionare se vagsi pe aceast dreapta de sarcin, la curenii cuprini ntre 2,59 i 2, 64
mA. Lund I C = , CE = , V

RC min = 0 i R C max =




CC O
I C max
18 , 05
R E = 2 = 463 & , k
, 264