Nitrura de galiu (GaN), carbura de siliciu (SiC) i automobilul

de mine
(Gallium Nitride (GaN), Silicon Carbide (SiC) and the Future Vehicle)
(Full text in Romanian)

Titu-Marius I. BJENESCU1
1
Prof., Doctor Honoris Causa of Military Technical Academy of Romania and of Technical University of Republic of
Moldova (Chiinu); Romanian Academy Prize Tudor Tnsescu Laureate; La Conversion, Switzerland

Abstract
The current state-of-the-art of wide bandgap (WBG) semiconductor material technology is reviewed of high-
performance and reliable power electronics switching devices. A concept called negative-watt, or nega-watt and
the possible power cost reduction is mentioned. Gallium nitride (GaN) and silicon carbide (SiC) material and devices
are evaluated when compared to conventional silicon power switching devices. Research in this domain is important
for the future of automotive industry in the next years.
Keywords: WBG, GaN, SiC, nega-watt, PTU, ADAS, LiDAR, self-driving, cyber-security

Received: December, 12, 2016

To cite this article:

BJENESCU I. Titu-Marius, Nitrura de galiu (GaN) carbura de siliciu (SiC) i automobilul de mine,
(Gallium Nitride (GaN) Silicon Carbide (SiC) and the Future Vehicle), in Electrotehnica, Electronica,
Automatica (EEA), 2017, vol. 65 (1), pp. 54-61, ISSN 1582-5175.

emisiunilor cu pn la 15 %, vor mbunti consumul

Introducere
Recenta expoziie Electronica 2016 de la
Mnchen a fost o ilustrare a modalitilor care vor
permite electronicii, n viitor, s influeneze
dezvoltarea industriei automobilului. Urmnd
obiectivele trasate, pe termen lung, din foaia de
drum a automobilului de mine, vehiculele sunt pe
cale de a deveni complet electrice i a reduce
substanial consumul de benzin.
n anul 2014, cererea global de semiconductoare
pentru automobilele electronice a fost de cca
35 miliarde de USD, reprezentnd cam 10 % din piaa
mondial de semiconductoare. Previziunile spun c,
n urmtorii cinci ani, datorit viitoarelor nzestrri
masive din domeniul automobilelor, piaa semi-
conductoarelor pentru automobile va crete aproape
de dou ori mai repede dect cea a industriei
semiconductoarelor, iar piaa electronicii de putere
va ajunge la 13 miliarde de USD n anul 2021.
Un automobil cu benzin, de clas medie, conine
astzi, n medie, semiconductoare n valoare de 350
USD; automobilele electrice vor conine semi-
conductoare de o valoare dubl.
Cu toate c multe cheltuieli (pentru manage-
mentul motorului i al cutiei de viteze) pot fi
eliminate, ele vor fi compensate de prezena mai
multor semiconductoare de putere i de cheltuielile
de gestionare a bateriei.
Un prim pas n direcia electrificrii auto-
vehiculelor, respectiv de hibridizarea automobilelor,
este trecerea la o reea de bord de 48 V. Pn n
2020, sistemele de 48 V vor contribui la reducerea
de combustibil, vor capta energia pierdut, de obicei,
n timpul frnrii, i vor furniza un cuplu ntr-un
intervalul de turaie mic, pentru hibride uoare.
Este nevoie de o reea de putere de 48 V pentru a
gestiona urmtoarea generaie de sisteme electrice
eficiente energetic, generaie care va necesita mai
mult putere disponibil dect subsistemul de 12 V
existent. Pentru a reduce greutatea, multe sisteme
tradiionale mecanice /hidraulice, cum ar fi
servodirecia, stabilizarea rulrii, nclzirea i aerul
condiionat, vor fi convertite la 48 V.
Un nou turbocompresor electric va oferi cai
putere i cuplu la cerere, care s permit utilizarea
mai eficient a motoarelor, mai mici, fr a sacrifica
capacitatea de antrenare.
Un starter /generator de mare putere va nlocui
alternatorul de 12 V, reducnd zgomotul i vibraiile
n timpul pornirii motorului, permind frnarea cu
recuperarea energiei, recupernd pn la de patru ori
mai mult din energia cinetic disponibil. Busul de
12 V i bateria cu plumb de 12 V se vor ocupa de
sarcini mai uoare, inclusiv aprinderea, iluminatul
interior, sistemele de navigaie i audio.
Conceptul nega-watt reduce costurile
n cadrul celei de a 62-a ediii a International
Electron Devices Meeting (IEDM 2016), Hiromichi
Ohashi a introdus conceptul nega-watt (=watt-
negativ) de reducere a costurilor energetice (fig. 1).
 ELECTROTEHNICA, ELECTRONICA, AUTOMATICA, 2017, vol. 65, no. 1
Figura 1 Fluxul tehnologic de reducere a costurilor energiei,
datorit conceptului denumit watt-negativ
introdus de Hiromichi Ohashi
Ideea lui este c dispozitivele i sistemele
electronice de putere, dei devin din ce n ce mai
eficiente i puternice, mbuntirile ulterioare -
doar din aceste domenii - vor fi insuficiente pentru a
satisface eficiena energetic i obiectivele climatice
ale lumii. El descrie modul n care aceste costuri
evitate de energie i a produciei evitate de energie,
combinate cu ali factori, inclusiv costuri mai mici -
datorit fiabilitii mrite a sistemului i unei
productiviti mai mari - pot fi cuantificate ca nega-
wai i utilizate apoi pentru a dezvolta foi de parcurs
tehnologice.
GaN i SiC
De prin anii 1990, o nou categorie de
semiconductoare cu band interzis larg (wide
bandgap WBG) completeaz evantaiul deja larg al
tehnologiilor folosite de captoare pentru optic,
electronic de putere i electronic de nalt
frecven. Tehnologiile GaN i SiC au remarcabile
caliti intrinseci i reprezint o adevrat ruptur
tehnologic cu tehnologiile GaAs i Si/SiGe.
n ultimele decenii, domeniul microelectronicii a
fost marcat de o cretere a cererii de componente
care s poat funciona n plaje de frecvene din ce
n ce mai ridicate [1-3], iar pieele microelectronicii
nu s-au limitat doar la telecomunicaii, ci i-au extins
aplicaiile la electronica destinat automobilelor,
aeronauticii sau echipamentelor medicale. Noile
aplicaii au nevoie de amplificatoare de putere care
s funcioneze n gama superioar a giga-hertzilor.
Punerea la punct a materialelor cu o band interzis
larg, cum este GaN, a constituit o cucerire tehnic
important a electronicii de putere de nalt
frecven. Neexistnd n stare natural, GaN este un
material sintetic, elaborat n straturi subiri, pe un
substrat; n cazul ideal substratul este GaN masiv,
deoarece aceasta permite obinerea de filme subiri
de foarte bun calitate cristalografic. Totui, el este
foarte scump. Pentru a soluiona problema costurilor,
s-au experimentat straturi de substituie, utiliznd
safirul, carbura de siliciu, siliciul i diamantul. Dei
carbura de siliciu ar fi putut fi o soluie, costul
obinerii filmelor subiri era prohibitiv. Soluia
55
adoptat a fost combinarea dintre un material cu
band interzis larg i un substrat de siliciu (111)
drept suport de cretere. Siliciul compenseaz
disponibilitatea redus a GaN n stare masiv i
permite reducerea costurilor de producie datorit
dimensiunilor plcii epitaxiate - care poate ajunge
pn la 12 oli. Cu o band interzis de 3,6 V i un
cmp critic de clacare de 5.106 V/cm, nitrura de galiu
este predestinat aplicaiilor de mare putere.
Tensiunea de clacare a tranzistoarelor cu efect de
cmp folosind GaN este mai mare de 50 V, dar ea este
rareori mai mare de 10 V - n cazul tehnologiilor cu
siliciu sau III-V obinuite (InP, GaAs). n plus,
proprietile piezoelectrice ale acestor materiale au
densiti de curent mai bune, mai cu seam n
structura de tip HEMT (High Electron Mobility
Transistors), fr s se recurg la dopare ceea ce
face s creasc i mai mult avantajele acestor
materiale.
Carbura de siliciu (SiC) este un material cu band
interzis larg (wide bandgap WBG), utilizat pe scar
larg pentru dispozitivele de putere i avnd un mare
potenial pentru aplicaii viitoare. Dispozitivele cu
SiC pot permite tensiuni mai mari i frecvene de
comutare mai rapide dect alternativele bazate pe
Si[5].
Dispozitivele semiconductoare WBG de putere pot
suporta tensiuni, frecvene i temperaturi mai mari
dect dispozitivele de putere pe baz de siliciu. n
viitor, ele vor revoluiona modul n care vom livra i
gestiona puterea. n contribuia [6], sunt trecute n
revist progresele nregistrate de dispozitivele WBG
i potenialul lor de viitor. Dispozitivele de putere
WBG cu un singur chip i modulele de putere WBG
ncapsulate sunt prohibitiv de scumpe n comparaie
cu dispozitivele cu siliciu i modulele cu tensiuni
identice. Situaia este complicat i mai mult de
faptul c fiabilitatea i durata de via ateptat a
dispozitivelor de putere WBG, n aplicaiile clientului
final, nu sunt cunoscute. Aceast nelegere
fundamental este esenial pentru ca dispozitive de
putere WBG s poat ptrunde rapid pe piee
comerciale i strategice vaste.
Canalul n form de V al tranzistoarelor cu GaN
permite nregistrarea pragului de tensiune a GaN;
tranzistoarele de putere fabricate din aliaje de GaN -
n locul siliciului - sunt alternative promitoare
pentru aplicaii de mare putere. Tranzistoarele
planar AlGaN/GaN pe substraturi de siliciu sunt
disponibile n comer cu tensiuni de blocare 600 V,
iar cercettorii de la Panasonic au descris dispozitive
verticale cu GaN pe un substrat din GaN n vrac
(pGaN/AlGaN/GaN), care a demonstrat o tensiune de
prag record de 1,7 kV, i o foarte redus rezisten
ON de 1,0 mcm2.
ntr-o zi, astfel de dispozitive eficiente vor
elimina rcirea cu lichid din sistemele electronice de
mare putere, reducnd astfel dimensiunea,
greutatea, complexitatea i costul. Pentru a realiza
aceast performan, cercettorii au creat o
structur semipolar de poart care propulseaz
purttorii de sarcin cu o mare eficien. Canalele n
form de V sunt gravate cu plasm ntr-un strat de
drift n-GaN de deasupra substratului. Deoarece
56 ELECTROTEHNICA, ELECTRONICA, AUTOMATICA, 2017, vol. 65, no. 1
aceste canale au fost tiate oblic, ele expun a doua
faet a materialului cristalin GaN i creeaz astfel
structura semi-polar. Apoi, cercettorii au crescut
straturi expitaxiale de p-GaN/AlGaN/GaN n aceste
canale i au construit un canal nclinat cu poarta
pe partea superioar.
n fig. 2, sunt reprezentate schematic seciuni
transversale ale tranzistorului cu poart lateral de
tip p, cu i fr canal oblic, mpreun cu
caracteristicile lor msurate de transfer.
Figura 2 Seciune transversal a porii (gate) laterale de tip p
a unui tranzistor din GaN, cu i fr canal nclinat
(schematic). (Sursa: IEDM 2016)
Tranzistorul lateral cu un canal nclinat prezint o
tensiune VTH cu 1,5 V mai mare dect cea fr canal
nclinat.
Pentru limitarea emisiunilor de CO2, industria
automobilelor prospecteaz energia electric;
mbuntirea vehiculelor electrice i hibride este
astzi sinonim cu utilizarea de materiale noi (GaN i
SiC) care pot livra civa amperi la temperaturi care
pot ajunge la 300C [1].
Electronica de frecvene nalte beneficiaz de
caracteristicile excepionale ale benzii interzise mari
pentru aplicaii de mare putere. Numeroase cercetri
recente au n vedere SiC, dar aplicaiile GaN sunt
majoritare pentru aplicaiile de putere, la frecvene
nalte; ele beneficiaz i de nivelul sczut al
zgomotului de joas frecven al dispozitivelor GaN.
Ct privete concepia dispozitivelor bipolare,
tranzistoarele HEMT i MESFET sunt cele mai
rspndite pentru aplicaii de nalt frecven (radar
pn la banda X, piloni de telefonie mobil, etc. [2]).
Topologia convertizorului VHF DC-DC cuprinde, n
mod tipic, un inversor rezonant cu comutatoare
comune cuplat la un redresor rezonant, aa cum este
ilustrat n fig. 3.
Figura 3 Structura tipic a unui convertizor VHF DC-DC,
domeniul 30-300 MHz [3]
Topologiile, care pot absorbi n mod eficient
inductana parazitar, sunt mai potrivite pentru
scalare la frecvene mai nalte dect cele care nu pot
face acest lucru.
n fig. 4, sunt comparate performanele
zgomotului la ieire n cazul unei proiectri cu
componente discrete i n cazul unei proiectri cu
modul de putere DC-DC [4].
Figura 4 Comparaie ntre performana zgomotului la ieire a
unei proiectri cu componente discrete i a unei
proiectri cu modul de putere DC-DC [4]
Electronica de putere cere azi dispozitive mai
compacte, cu o fabricabilitate mai bun i
performane superioare, ceea ce motiveaz creteri
dramatice ale frecvenelor de comutare. Creterea
frecvenei de comutare reduce n mod direct
cerinele de stocare a energiei convertizoarelor de
putere, mbuntete performanele tranzitorii i -
n principiu - permite nu numai miniaturizarea, ci i o
mai bun integrare a componentelor pasive.
Realizarea acestor avantaje necesit dispozitive,
componente pasive, precum i proiectarea de circuite
care s poat funciona eficient la frecvenele
necesare. Dispozitivele de RF i cele de putere cu SiC
i GaN beneficiaz de o mobilitate mult mbuntit
a purttorilor de sarcin.
De obicei, pentru a realiza creteri dramatice ale
frecvenei de comutare, este necesar s atenum
mecanismele de pierdere ale dispozitivului,
dependente de frecven, inclusiv pierderile de
comutare i pierderile circuitului de poart.
Comutarea cu tensiune zero [7-16], se poate folosi
pentru a reduce pierderile de descrcare capacitiv
i de tensiune / pierderile de curent care se suprapun
la tranziiile de comutare.
Aplicaii energetice
La nivelul aplicaiilor energetice, semic-
onductoarele cu SiC i GaN au proprieti care le fac
atractive: nalt conductivitate termic, cmp
electric ridicat de clacare, band larg de energie
interzis, concentraie sczut de purttori
intrinseci, stabilitate termic ridicat, vitez mare
de saturaie i mare inerie chimic. Aceste
proprieti conduc la cea mai mic rezisten ON (n
stare de conducie), la nalt tensiune de clacare, la
frecvene nalte de funcionare, la volum mic, la
inductoare pasive i condensatoare mici.
Proprietile dorite sunt compensate de costuri
materiale mai mari i de densiti de defect mai mari.
Dispozitivele de putere cu siliciu se apropie de
limitele materialului; dispozitive cu band larg de
energie interzis au nceput s aib impact n spaiul
electronicii de putere. SiC are avantajul unor
 ELECTROTEHNICA, ELECTRONICA, AUTOMATICA, 2017, vol. 65, no. 1 57

substraturi cu diametre care se apropie de 150 mm, i de ghidare utilizat pentru autoturisme fr ofer.
i capacitatea de a crete termic SiO2. GaN are Evoluia, de la un motor cu ardere intern la vehicule
avantajul hetero-jonciunii, dar nu este o tehnologie hibride i, n cele din urm, la autovehicule
viabil de substrat. De fapt, o mare parte din alimentate n ntregime electric, este o foarte mare
producia SiC este folosit pentru substraturile GaN. potenial pia pentru tehnologia GaN.
Nivelul 3 va dubla coninutul de semiconductoare
Autoconducerea automobilului al unui automobil, ajungnd astfel pn la 700 USD
O alt pia foarte interesant pentru industria de /vehicul. Industria automobilelor va trebui s fac
semiconductoare este tendina ctre auto- fa unui salt tehnologic important, pentru a putea
conducerea automobilelor. Discuia actual privind beneficia de tehnologia de nalt performan a
motoarele Diesel mrete presiunea asupra industriei nitrurii de galiu (fig. 6).
de automobile, pentru a dezvolta nu numai
automobile electrice, ci i auto-conducerea lor
(vehicule autonome).
Calea spre auto-conducere poate fi mprit n
patru niveluri:
nivelul 1: ncorporeaz radarul frontal (fig. 5);
nivelul 2: Advanced Driver Assistance Systems
(ADAS);
nivelul 3: semi-autonom /autonom (fig. 6);
nivelul 4 : autonomie deplin (cam peste zece
ani) (fig. 7).
(Sursa: Strategy Analytics)
Figura 6. Noile caracteristici ale automobilelor necesit o
gestiune mai eficient a puterii (evoluia
microcircuitelor utilizate anual, n milioane)

GaN este succesorul tehnologic logic al siliciului

pentru dispozitive analogice de conversie a energiei
i, eventual, pentru componente digitale. Suntem
nc departe de factorul 800 al limitelor teoretice ale
GaN, dar tehnologia va putea fi integrat pn la
(Sursa: EPC) nivelul NMOS.
Figura 5. Pentru a asigura securitatea i pentru a preveni
coliziuni, este esenial ca un vehicul s cunoasc
vecintile sale, n orice moment, prin intermediul
senzorului LiDAR, pe baz de GaN

Radar i LiDAR sunt cele mai promitoare

tehnologii ale viitorului, afirm reprezentanii
industriei automobilelor.
Senzorii, denumii Light Distancing and Ranging
(LiDAR), au nceput s apar de curnd n aplicaii de
detecie ale automobilelor.
Iniial, senzorii LiDAR au fost folosii pentru a
genera hri topografice digitale tridimensionale la
(Sursa: NXP)
cartografierea peisajului i pentru software-ul de
navigare. Deoarece LiDAR intete folosirea vitezei Figura 7 Conducerea autonom (sau auto-conducerea) poate
luminii pentru mbuntirea rezoluiei, tranzis- dubla coninutul de materiale semiconductoare n
viitoarele automobile
toarele de putere cu GaN, care au o vitez de 10 de
ori mai mare n comutare, au fost folosite aproape n viitor, cnd vehiculele electrice vor fi
exclusiv n aceste aplicaii mobile. Folosind eGaN acceptate i vor deveni omniprezente, vor avea
FETs, rezoluia vitezei i profunzimea imaginii au potenialul de a deveni o pia enorm pentru
devenit att de bune, nct fabricanii care tranzistoare GaN. Problema-cheie pentru tehnologiile
experimentau vehicule autonome au nceput s concurente - GaN, SiC i IGBT - va fi, firete, costul.
foloseasc senzori LiDAR similari pentru sistemele de
navigaie fr ofer. Securitatea i hackerii
n plus, mai muli fabricani de automobile
ncorporeaz, n vehiculele lor, senzori LiDAR care n Europa, Marea Britanie, Frana sau Suedia, au
folosesc eGAN FETs pentru evitarea coliziunii, n fost lansate programe de experimentri; au fost
general, pentru detectarea unghiului mort i pentru autorizate ncercrile pe drum deschis sau autostrzi,
sistemul de ghidare utilizat la autoturismele fr pentru anumite vehicule nzestrate cu plci i numere
ofer (fig. 5, supra). LiDAR are un viitor foarte speciale de circulaie, ori pentru proiecte-pilot ale
interesant, deoarece acesta este sistemul de detecie anumitor colectiviti. Olanda a propus discutarea
58 ELECTROTEHNICA, ELECTRONICA, AUTOMATICA, 2017, vol. 65, no. 1

problemei, la nivel de vrf european, a minitrilor
transporturilor.
Aadar reglementarea la nivel european (i
mondial) evolueaz, pentru a accelera tranziia ctre
vehicule autonome, mai sigure, care vor permite (se
sper) reducerea mortalitii pe osele i autostrzi.
De curnd, furnizorul japonez de semi-
conductoare Renesas s-a aliat cu furnizorul de
sisteme securizate Escrypt din Bochum (R.F.G.)
pentru a proiecta mpreun hardware i software
necesar pentru o platform integrat ce va asigura o
nalt securitate sistemelor electronice din
automobile (fig. 8).
o va instala n cele mai noi modele, iar alta pe care
Tesla tocmai a nceput s-o utilizeze.
Care este securitatea autopilotului?
n mai 2016, a avut loc un accident fatal al unui
automobil autonom Tesla electric, echipat cu
sistemul su de asisten a conductorului auto. Un
om din Ohio a fost ucis atunci cnd maina sa, Tesla
model S, s-a ciocnit cu un tractor cu remorc. Cel
care a decedat a avut prea mult ncredere n
sistemul autopilot Tesla. Un alt accident fatal a avut
loc n China, tot cu un automobil Tesla. Ford - alt
constructor de automobile - a anunat c va produce
autovehicule autonome pn n 2021, dar admite c,
deocamdat, nu este pregtit s rezolve multe
situaii reale de trafic.

(Sursa: NXP)
Figura 8 Securitatea cibernetic devine, de asemenea, o
cerin major pentru automobilele viitoare
Cteva realiti recente
Automobilele de azi sunt adesea descrise ca fiind
calculatoare pe roi, pentru marele numr de
procesoare i cipuri pe care le utilizeaz pentru a
controla totul, inclusiv transmisia, frnele, geamurile
electrice i sistemul de navigaie.
Apariia de automobile autonome (cu auto-
conducere) va necesita echivalentul unui
supercomputer pe roi. Acesta este motivul pentru
care trei companii tehnologice din domeniu (Intel,
Delphi Automotive i Mobileye) vor colabora. Puterea
de procesare necesar pentru a scana drumul, a
identifica pietoni, obstacole i imagini de la radar,
camere video i ali senzori - toate n timp real - este
o curs care stimuleaz creierul i va oferi
calculatoare din ce n ce mai complexe, care vor fi
pitice n comparaie cu cele folosite in automobilele
de azi.
Competiia este reflectat n parteneriatul
amintit, n care Intel va oferi cipuri specializate de
calculator att companiei Delphi, un furnizor auto,
ct i pentru Mobileye, o companie israelian,
specializat n sisteme de viziune, utilizate deja n
sistemele autonome de conducere realizate de Tesla
Motors. Un pachet de software Mobileye i cipuri Intel
vor fi capabile s fac calcule cu 20 de trilioane de
operaii matematice pe secund, pentru a trata totul
n timp real.
n luna iulie 2016, Intel a format un alt parteneriat
cu Mobileye i constructorul german BMW pentru a
oferi cipuri destinate unui automobil autonom, pe
care BMW l va fabrica nainte de anul 2021. Intel se
confrunt cu o concuren formidabil, deoarece automobilele fr conductor vor reprezenta 9 % din
Nvidia va produce o unitate de procesare pe care Audi
Automobilul autonom
Se spune c automobilul autonom (fr ofer) ar
putea limita actualele blocaje ale oselelor i micora
numrul de accidente auto. El ar putea fi una din
inovaiile majore din viitoarele decenii. Se testeaz
deja prototipuri, ns accidentul mortal care a avut
loc la 30 iunie 2016 pe o autostrad din Florida (SUA)
cu unul din modelele Tesla, ne-a readus la realitate.
Numeroase aspecte nu sunt nc rezolvate. n cazul
accidentului din Florida, de exemplu, cine pltete
oalele sparte?
i Google a conceput un prototip, bazat pe
aceleai principii, pe care l-a realizat n vreo 70 de
exemplare, la un fabricant din Detroit. La nceput,
mainile nu aveau nici volan i nici pedale; pentru a
se conforma ns reglementrilor din California (care
impun prezena oferului), Google a trebuit s
prevad volanul. Directorul programului, Chris
Urmson, este contient c pentru multe probleme nu
s-a gsit nc o soluie potrivit; de pild, unde ar
trebui s se opreasc maina, dac destinaia
prevzut este inaccesibil, pentru c, pe drum, au
loc lucrri. i cu mainile Google au avut loc vreo
11 acroaje de-a lungul celor peste 3 milioane
kilometri parcuri de automobilele ce cltoreau
autonom.
Prototipurile Tesla cu pilot automat au parcurs
peste 210 milioane kilometri, iar cele 70 vehicule
complet autonome Google, din oraele Mountain View
(California), Austin (Texas) Kirkland (Washington) i
Phoenix (Arizona), au parcurs mai mult de 3 milioane
kilometri.
n continuare, dezvoltarea se va face pe etape.
Treptat, treptat, un numr din ce n ce mai mare de
vehicule se vor conduce singure, n anumite condiii.
De pild, pentru a se parca, sau pe autostrad (cci
aici datele care sunt analizate sunt mult mai puin
complexe dect ntr-un ora).
Fabricantul Tesla de automobile electrice a
promis realizarea unei funcii de pilot automat pentru
anul 2016, iar General Motors va pune n circulaie un
model semi-autonom n 2017.
Studiile de previziune spun c, n anul 2035,
flota mondial i aproape 100 % n anul 2050.
 ELECTROTEHNICA, ELECTRONICA, AUTOMATICA, 2017, vol. 65, no. 1
Datorit expertizei sale n domeniul high-tech,
Google ar putea deveni un actor major n sector,
deoarece constructorii actuali de automobile sunt
departe de a avea o asemenea expertiz; aspectul
software va fi elementul primordial pentru a asigura
fiabilitatea viitoarelor vehicule autonome.
Tesla i Google nu sunt, nici pe departe, singurii
care se intereseaz de automobilele autonome.
Firma Changan din China a testat i ea, cu succes,
prototipul ei; un automobil BMW, modificat de firma
chinez Baidu (motorul chinez de cercetare), a rulat
complet autonom la Pekin.
n Frana, la 2 octombrie 2015, PSA i-a plimbat
prototipul autopilotat Citron Picasso pe un traseu de
600 de kilometri, ntre Paris i Bordeaux, fr ca
cineva s pun mna pe volan.
Volvo (al crui nou proprietar chinez este Geely)
a testat, n China, peste 100 de automobile
autonome.
Toyota, Renault i ali constructori de automobile,
fac eforturi n aceeai direcie, mpreun cu Bosch, accidental a culoarului), funciile de asisten n
Continental, Valeo i alte ntreprinderi productoare
de echipamente destinate automobilelor.
i ali constructori de automobile sunt interesai
de perspectivele pe care le va deschide noua pia;
Fiat-Chrysler s-a aliat cu Google i i-a furnizat vreo
100 vehicule, pe care vor fi integrate computerele i
captoarele necesare conducerii autonome.
Ali constructori, cum ar fi Porsche, sunt mai
rezervai i rezist tendinei, ca i Lamborghini (care de urgen.
aparine grupului Volkswagen).
Dup ce au efectuat numeroase ncercri i testri Faza de comercializare a automobilului
pe piste private, constructorii au obinut autorizaia
de a face s circule automobile autonome pe oselele
din Silicon Valley (California) i n alte state
americane (Florida, Nevada, Michigan, districtul
Columbia etc.), cu condiia ca la bordul mainii s se
afle o persoan.
Mai multe state europene (Marea Britanie,
Germania, Suedia) au autorizat experimentri pe
anumite poriuni de osele /autostrzi sau n anumite
cartiere, la Londra sau la Gteborg. Toate acestea au
fcut reglementrile generale actuale s fie pe cale
de a fi modificate. Convenia de la Viena este cea
care determin, din 1968, circulaia rutier la nivel
mondial; acolo st scris c orice conductor trebuie
s aib n permanen controlul vehiculului su.
Recent, la 23 martie 2016, Comisia economic pentru
Europa a Naiunilor Unite (UNECE) a revizuit acest
text i a autorizat sistemele automate de conducere,
cu condiia ca ele s poat fi controlate i La aceasta, se vor aduga acceptabilitatea funciilor
dezactivate de conductor.
Care sunt obstacolele dezvoltrii?
Chiar presupunnd c preurile viitoarelor
automobile autonome vor scdea peste zece ani
(datorit generalizrii echipamentelor tehnologice
(radar, GPS, LiDAR, computer de bord), costul lor
minim va oscila ntre 5000 i 10.000 Euro, peste preul
unui vehicul clasic. Aadar democratizarea lor va
mai ntrzia, mai cu seam c pionierii sectorului sunt
constructori de maini scumpe. De altminteri,
modelul economic ar putea s fie mai degrab
nchirierea i nu proprietatea vehiculelor autonome.
59
Teama cea mare este aceea a accidentului.
Teoretic, automobilul autonom este astfel conceput
nct s evite toate ciocnirile care sunt n proporie
de 80 % condiionate de o eroare uman. Cu toate
acestea, trebuie s reinem c riscul zero nu exist
(vezi accidentele provocate de Tesla).
Conform unui recent sondaj, 3 7% din persoanele
interogate se declar preocupate i nelinitite de
dezvoltarea aceste tehnologii, fiindu-le fric pentru
securitatea lor. Teama lor este perfect ndreptit,
deoarece inteligena artificial poate alege
sacrificarea conductorului pentru a salva mai multe
alte viei conform unui studiu recent publicat de
revista Science.
Mai trziu, reglementarea ONU privind vehiculele
va conine o list cu sistemele autorizate anume
cele care, n anumite condiii, vor putea permite s
se ia minile de pe volan, sub permanentul control al
conductorului cum ar fi sistemele care menin
traiectoria (pentru a mpiedeca schimbarea
staionare i funcia de autopilot pe autostrad (n
timp ce vehiculul se deplaseaz n mod automat, la
mare vitez, pe aceste axe).
Deocamdat, vehiculul complet autonom nu este
autorizat.
n martie 2016, n Statele Unite, constructorii de
automobile au czut de acord ca, pn n anul 2022,
s fie adoptat i standardizat frnarea automat,
inteligent a nceput
Anumii constructori de automobile sunt deja n
faza de comercializare: Tesla propune o funcie de
autopilotare; Mercedes, Audi sau BMW ofer sisteme
semi-automate pentru viteze mai mici de 50 km/or,
dar i pentru autostrzi.
Sunt probleme care nc nu i-au gsit soluia:
coabitarea cu automobilele clasice, fiabilitatea
electronicii i a camerelor de luat vederi, securitatea
fa de atacurile hackerilor.
Un exemplu de accident posibil: n California, un
Google Car a putut evita un obstacol, dar n-a
anticipat sosirea unui autobus care se angajase deja
pe pista nvecinat.
Tot astfel, dac scad costurile de echipare a
vehiculelor, tehnologia are un pre, nct vehiculele
autopilotate ar putea s coste cu 5.000 pn la
10.000 Euro mai mult dect un automobil normal.
de autopilotare.
O anchet realizat n 2012 de J. F. Power a ajuns
la concluzia c doar 20 % din conductorii auto ar fi
gata s cumpere un asemenea automobil, dac supra-
costul lui ar fi fost de 2.000 Euro.
References
[1] Sugimoto, M., et al., Wide-bandgap semiconductor
devices for automotive applications, International
Journal of High Speed Electronics and Systems, vol. 17, nr.
1 (2007), 3-9
[2] Fisher, G., Next-generation base station radio frequency
architecture, Bell Labs Technical Journal, 12 (2), 3-18
(2007), 3-18
60 ELECTROTEHNICA, ELECTRONICA, AUTOMATICA, 2017, vol. 65, no. 1
[3] Perreault, D. J., et al., Opportunities and challenges in
very high frequency power conversion, 2009,
https://dspace.mit.edu/handle/1721.1/60224
[4] Pickering, P., A power module or discrete design for zour
DC-DC conversion? How to choose? Electronic Design,
29.11.2016, 1-6
[5] Milln, J., A review of WBG power semiconductor
devices, International Semiconductor Conference (CAS),
2012
[6] Krishna Shenai, K., et al., Current status and emerging
trends in wide bandgap (WBG) semiconductor power
switching Devices, ECS J. Solid State Sci.
Technol., 2013, 2(8), N3055-N3063
[7] Koizumi, H., M. Iwadare, and S. Mori, Class E2 dc-dc
converter with second harmonic resonant class E inverter
and class E rectifier, in Third Annual Applied Power
Electronics Conference Proceedings, 1012 1018, 1994
[8] Mollov, S., and A. Forsyth, Design and evaluation of a
multi-resonant buck converter at 15 MHz, in Seventh
International Conference on Power Electronics and
Variable Speed Drives, 1998. (IEE Conf. Publ. No. 456),
139144, 21-23 Sept. 1998
[9] Rivas, J. M., R. S. Wahby, J. S. Shafran, and D. J.
Perreault, New Architectures for Radio-Frequency dc-dc
Power Conversion, IEEE Transactions on Power
Electronics, vol. 21, 380393, March 2006
[10] Rivas, J. M., D. J. Jackson, O. Leitermann, A. D. Sagneri,
Y. Han, and D. J. Perreault, Design Consideration for Very
High Frequency dc-dc Converters, in 37th Annual Power
Electronics Specialists Conference Proceedings, 2287
2297, June 2006
[11] Han, Y., O. Leitermann, D. A. Jackson, J. M. Rivas, and D.
J. Perreault, Resistance compression networks for radio-
frequency power conver-sion, IEEE Transactions on Power
Electronics, vol. 22, 4153, Jan. 2007
[12] Pilawa-Podgurski, R., A. Sagneri, J. Rivas, D. Anderson,
and D. Per-reault, Very high frequency resonant boost
converters, IEEE Power Electronics Specialists
Conference, 27182724, June 2007
[13] Warren, J., K. Rosowski, and D. Perreault, Transistor
selection and design of a vhf dc-dc power converter, IEEE
Transactions on Power Electronics, vol. 23, 2737, Jan.
2008
[14] Chen, B., Fully integrated isolated dc-dc converter using
micro-transformers, Twenty-Third Annual IEEE Applied
Power Electronics Conference and Exposition, pp. 335338,
Feb. 2008.
[15] Hu, J., A. Sagneri, J. Rivas, Y. Han, S. Davis, and D.
Perreault, High frequency resonant SEPIC converter with
wide input and output voltage ranges, IEEE Power
Electronics Specialists Conference, pp. 13971406, June
2008.
[16] Rivas, J., O. Leitermann, Y. Han, and D. Perreault, A very
high frequency dc-dc converter based on a class 2 resonant
inverter, IEEE
[17] Ubukata, A., etal., High-growth-rate AlGaN buffer layers
and atmospheric-pressure growth of low-carbon GaN for
AlGaN/GaN HEMT on the 6-in.-diameter Si substrate metal-
organic vapor phase epitaxy system, Journal of Crystal
Growth, 370, 269272, 2013
doi:10.1016/j.jcrysgro.2012.10.023
[18] Wrfl, J., and Hilt, O., Power Electronic Devices based on
GaN: Advantages and Perspectives, in Int. Conf. and
Exhibition on Automotive Power Electronics, Paris, 2013
[19] Yole Developpement, Status of the Power Electronics
Industry A comprehensive overview of the power
electronics semiconductors business, 2012
[20] Zhang, H., Tolbert, L., Efficiency Impact of Silicon
Carbide Power Electronics for Modern Wind Turbine Full
Scale Frequency Converter, IEEE Transaction on Industrial
Electronics, Vol. 58, No., 1 683, 21-28, 2011. doi:
10.1109/TIE.2010.2048292
[21] Ho, Chung-Hsiang, et al., GaN HEMTs power module
package design and performance evaluation, in Int. Conf.
and Exhibition on Automotive Power Electronics, Paris,
2013
[22] Warren, J. R., et al., "Transistor selection and design of a
VHF dc-dc power converter", IEEE Trans. Power Electron.,
vol. 23, no. 1, pp. 27-37, Jan. 2008
[23] Pilawa-Podgurski, R. C. N., et al., Very high frequency
resonant boost converters, in Proc. IEEE Power Electron.
Specialists Conf., Orlando, FL, Jun. 2007, 27182724
[24] Hu, J., et al., "High frequency resonant sepic converter
with wide input and output voltage ranges", Proc. IEEE
Power Electron. Spec. Conf., 1397-1406, Jun. 2008
[25] Han, Y., Perreault, D. J., "Analysis and design of high
efficiency matching networks", IEEE Trans. Power
Electron., vol. 21, no. 5, 1484-1491, Sep. 2006
[26] Rivas, J. M., Radio-frequency dc-dc power conversion,
Ph.D. dissertation, Dept. Elect. Eng. Computer Sci.,
Massachusetts Institute of Technology, Cambridge, August
2006
[27] Perreault, D. J., et al., "Opportunity and challenges in very
high frequency power conversion", Proc. 24th Annu. IEEE
Appl. Power Electron. Conf. Expo., 1-14, 2009
Biography
Titu I. BJENESCU was born in Cmpina
(Romania) on April 2, 1933.
He received his engineering training at the
Polytechnic Institute Bucharest.
He served for the first five years in the
Romanian Army Research Institute, including
tours on radio and telecommunications
maintenance, and in the reliability, safety
and maintainability office of the Ministry of Defence (main
base ground facilities).
R&D Experience: design and manufacture of experimental
equipment for army research institute and for air defence
system.
He joined Brown Boveri (today: Asea Brown Boveri) Baden
(Switzerland) in 1969, as research and development engineer.
R&D Experience: design and manufacture of new industrial
equipment for telecommunications.
In 1974, he joined Hasler Limited (today: Ascom), Berne, as
Reliability Manager (recruitment by competitive
examination).
Experience: Set up QRA and R&M teams. Developed policies,
procedures and training. Managed QRA and R&M programmes.
As QRA Manager monitoring and reporting on production
quality and in-service reliability.
As Switzerland official, contributed to development of new
ITU and IEC standards.
In 1981, he joined Messtechnik und Optoelektronik
(Neuchtel, Switzerland, and Haar, West Germany), a
subsidiary of Messerschmitt-Blkow-Blohm (MBB) Munich, as
Quality and Reliability Manager (recruitment by competitive
examination).
Experience: Product Assurance Manager of intelligent
cables. Managed applied research on reliability (electronic
components, system analysis methods, test methods, etc.).
Since 1985, he has worked as an independent consultant and
international expert on engineering management,
telecommunications, reliability, quality and safety.
Mr. Bjenescu is the author of many technical books -
published in English, French, German and Romanian.
He is a university professor and he has written many papers
and articles on modern telecommunications, quality and
reliability engineering and management.
He lectures as invited professor, visiting lecturer or speaker
at European universities and other venues on these subjects.
Since 1991, he won many Awards and Distinctions, presented
by the Romanian Academy, Romanian Society for Quality,
Romanian Engineers Association, etc. for his contribution to
reliability science and technology.
 ELECTROTEHNICA, ELECTRONICA, AUTOMATICA, 2017, vol. 65, no. 1 61
Recently, he received the honorific titles of Doctor Honoris prize "Tudor Tnsescu" for the book Failure Analysis,
Causa from the Romanian Military Academy and from published by John Wiley & Sons.
Technical University of the Republic of Moldavia. Correspondence address: tmbajenesco@bluewin.ch
In 2013, he obtained, together with prof. Marius Bzu (head
of reliability laboratory of Romanian Research Institute for
Micro and Nano-technologies IMT) the Romanian Academy