Capitolul 1

Dioda semiconductoare “p-n”

1. Figura 1.1 prezintă structura unei joncţiuni „p-n”. Cu p a fost notată:

1p
Jonţiune
metalurgică

A C
p ≅ NA n ≅ ND

Figura 1.1
a) concentraţia de atomi acceptori;
b) concentraţia de atomi donori;
c) concentraţia de electroni;
d) concentraţia de goluri.

2. Figura 1.1 prezintă structura unei joncţiuni „p-n”. Cu n a fost notată:

1p
a) concentraţia de atomi acceptori;
b) concentraţia de atomi donori;
c) concentraţia de electroni;
d) concentraţia de goluri.

3. Figura 1.1 prezintă structura unei joncţiuni „p-n”. Cu NA a fost notată:

1p
a) concentraţia de atomi acceptori;
b) concentraţia de atomi donori;
c) concentraţia de electroni;
d) concentraţia de goluri.

4. Figura 1.1 prezintă structura unei joncţiuni „p-n”. Cu ND a fost notată:

1p
a) concentraţia de atomi acceptori;
b) concentraţia de atomi donori;
c) concentraţia de electroni;
d) concentraţia de goluri.

1
 Dida semiconductoare „p-n”

5. Figura 1.2 prezintă simbolul unei diode semiconductoare. Cu A a fost

1p notat:
vA

A C
iA
Figura 1.2
a.) anod;
b.) catod;
c.) valoarea instantanee totală a căderii de tensiune pe diodă;
d.) valoarea instantanee totală a curentului prin diodă;

6. Figura 1.2 prezintă simbolul unei diode semiconductoare. Cu C a fost

1p notat:
a.) anod;
b.) catod;
c.) valoarea instantanee totală a căderii de tensiune pe diodă;
d.) valoarea instantanee totală a curentului prin diodă;

7. Figura 1.2 prezintă simbolul unei diode semiconductoare. Cu vA a fost

1p notat:
a.) anod;
b.) catod;
c.) valoarea instantanee totală a căderii de tensiune pe diodă;
d.) valoarea instantanee totală a curentului prin diodă;

8. Figura 1.2 prezintă simbolul unei diode semiconductoare. Cu iA a fost

1p notat:
a.) anod;
b.) catod;
c.) valoarea instantanee totală a căderii de tensiune pe diodă;
d.) valoarea instantanee totală a curentului prin diodă;

9. Prin efect de diodă se înţelege:

3p
a.) în funcţionare normală – practic - curentul prin diodă circulă
numai de la catod spre anod;
b.) în funcţionare normală – practic - curentul prin diodă circulă
numai de la anod spre catod;
c.) în funcţionare normală – practic – sensul curentului prin diodă
este dictat de circuitul exterior diodei;
d.) în funcţionare normală – practic - curentul prin diodă circulă

2
 Elemente de electronică analogică - teste

uneori de la anod la catod alteori de la catod la anod;

10. Figura 1.3 prezintă structura "p-n" la echilibru termic. Regiunea notată 1
1p reprezintă
E
- - + + + +
- - + + + +
p - - + + + + n
- - + + + +
- - + + + +
- - + + + +
- - +

1. 2. 3.

Figura 1.3
a.) regiunea neutră p;
b.) regiunea neutră n;
c.) regiunea de tranziţie;
d.) nu are o semnificaţie deosebită.

11. Figura 1.3 prezintă structura "p-n" la echilibru termic. Regiunea notată 2
1p reprezintă
a.) regiunea neutră p;
b.) regiunea neutră n;
c.) regiunea de tranziţie;
d.) nu are o semnificaţie deosebită.

12. Figura 1.3 prezintă structura "p-n" la echilibru termic. Regiunea notată 3
1p reprezintă
a.) regiunea neutră p;
b.) regiunea neutră n;
c.) regiunea de tranziţie;
d.) nu are o semnificaţie deosebită.

14. Figura 1.4 prezintă structura "p-n" la echilibru termic. Regiunea de

2p tranziţie -responsabilă pentru apariţia efectului de diodă - apare în jurul
joncţiunii metalurgice ca efect al:
E
- -- - + + + + +
- -- - + + + + +
p - -- - + + + + + n
- -- - + + + + +
- -- - + + + + +

Regiune Regiune de Regiune

neutra p tranziţie neutră n
Figura 1.4
a.) difuziei purtătorilor fixi;

3
 Dida semiconductoare „p-n”

b.) sarcinii purtătorilor mobili;

c.) sarcinii purtătorilor fixi;
d.) difuziei purtătorilor mobili.

15. Figura 1.4 prezintă structura "p-n" la echilibru termic. Regiunea de

3p tranziţie -responsabilă pentru apariţia efectului de diodă - apare în jurul
joncţiunii metalurgice ca efect al difuziei purtătorilor mobili. Fenomenul
de difuzie este cauzat de:
a.) gradientul de concentraţie al atomilor donori şi acceptori dintre
regiunea neutră p şi regiunea de tranziţie;
b.) gradientul de concentraţie al atomilor donori şi acceptori dintre
regiunea neutră n şi regiunea de tranziţie;
c.) gradientul de concentraţie al atomilor donori şi acceptori dintre
regiunea neutră n şi regiunea neutră p;
d.) gradientul de concentraţie al atomilor donori şi acceptori din
jurul joncţiunii metalurgice.

16. Figura 1.4 prezintă structura "p-n" la echilibru termic. Regiunea de

3p tranziţie -responsabilă pentru apariţia efectului de diodă - apare în jurul
joncţiunii metalurgice ca efect al difuziei purtătorilor mobili. Fenomenul
de difuzie este cauzat de gradientul de concentraţie existent în jurul
joncţiunii metalurgice. Urmare a acestui fenomen în structură apar
sarcini fixe reprezentate de:
a.) ionii prinşi în reţeaua cristalină;
b.) electronii din structură;
c.) golurile din structură;
d.) structura reţelei cristaline

17. Câmpul electric intern existent la nivelul regiunii de tranziţie este

2p datorat:
a.) ionilor prinşi în reţeaua cristalină;
b.) electronilor din structură;
c.) golurilor din structură;
d.) structurii reţelei cristaline.

18. La polarizare inversă plus (+) pe catod şi minus (-) pe anod bariera
2p internă de potenţial este:
a.) crescută;
b.) coborâtă;
c.) neafectată;
d.) uneori crescută, uneori coborâtă.

4
 Elemente de electronică analogică - teste

19. La polarizare directă plus (+) pe anod şi minus (-) pe catod bariera
2p internă de potenţial este:
a.) crescută;
b.) coborâtă;
c.) neafectată;
d.) uneori crescută, uneori coborâtă.

20. Din punct de vedere formal, dioda este integral descrisă de:
2p
a.) singură ecuaţie caracteristică;
b.) un sistem de două ecuaţii caracteristice;
c.) un număr de ecuaţii care depinde de topologia circuitului;
d.) un număr de ecuaţii care depinde de regimul de funcţionare

21. Din punct de vedere formal, în regim cvasistatic de semnal mare dioda
3p este integral descrisă de o ecuaţie de tipul:
a.) E  i , diA , K , d i A , v , dv A , K , d v A , θ , K , θ  = 0
n m

 A
dt dt n
A
dt dt m
1 p
 
b.) E (i A , v A ) = 0
c.) ia = g a va
d.) E  i , diA , K , d i A , v , dv A , K , d v A  = 0
n m

 A dt dt n
A
dt dt m 
 

22. Din punct de vedere formal, în regim cvasistatic de semnal mic dioda
3p este integral descrisă de o ecuaţie de tipul:
a.) E  i , diA , K , d i A , v , dv A , K , d v A , θ , K , θ  = 0
n m

 A dt dt n A
dt dt m
1 p
 
b.) E (i A , v A ) = 0
c.) ia = g a va
d.) E  i , diA , K , d i A , v , dv A , K , d v A  = 0
n m

 A dt dt n
A
dt dt m 
 

23. Ecuaţia caracteristică statică (sau mai simplu caracteristica statică) a

2p diodei ideale este
a.) i = I exp eT  − 1
A S  
  vA  

5
 Dida semiconductoare „p-n”

b.) i = I exp v A  − 1

A S  
  eT  
c.) i = I exp v A  + 1
A S  
  eT  
d.) i = I exp eT  + 1
A S  
  vA  

24. Ecuaţia caracteristică statică (sau mai simplu caracteristica statică) a

2p diodei ideale este:
 v  
i A = I S exp A  − 1
  eT  
unde:
kT
eT =
q
şi poartă numele de tensiune termică. S-au folosit notaţiile:
k constanta lui Boltzman;
q sarcina electronului;
T temperatura absolută.
La temperatura ambiantă eT are valoarea:
a.) eT≅2.5 mV
b.) eT≅25 mV
c.) eT≅250 mV
d.) eT≅2.5 V

25. Figura 1.5 reprezintă caracteristica statică a unei diode.

1p
iA
VBR
2. 4.

vA
IS 3.
Vγ

1.

Figura 1.5
IS reprezintă:
a) curentul mediu redresat monoalternanţă;
b) curentul maxim admisibil;

6
 Elemente de electronică analogică - teste

c) curentul rezidual;
d) curentul mediu redresat dublă alternanţă.

26. Figura 1.5 reprezintă caracteristica statică a unei diode.

1p
Vγ reprezintă:
a) tensiunea de străpungere;
b) tensiunea de prag;
c) tensiunea medie redresată monoalternanţă;
d) tensiunea medie redresată dublă alternanţă

27. Figura 1.5 reprezintă caracteristica statică a unei diode.

1p
VBR reprezintă:
a) tensiunea de străpungere;
b) tensiunea de prag;
c) tensiunea medie redresată monoalternanţă;
d) tensiunea medie redresată dublă alternanţă

28. Figura 1.5 reprezintă caracteristica statică a unei diode. Cu 1 a fost notată
1p regiunea de:
a) străpungere;
b) blocare la polarizare inversă;
c) blocare la polarizare directă;
d) conducţie

29. Figura 1.5 reprezintă caracteristica statică a unei diode. Cu 2 a fost notată
1p regiunea de:
a) străpungere;
b) blocare la polarizare inversă;
c) blocare la polarizare directă;
d) conducţie

30. Figura 1.5 reprezintă caracteristica statică a unei diode. Cu 3 a fost notată
1p regiunea de:
a) străpungere;
b) blocare la polarizare inversă;
c) blocare la polarizare directă;
d) conducţie

31. Figura 1.5 reprezintă caracteristica statică a unei diode. Cu 4 a fost notată

7
 Dida semiconductoare „p-n”

1p regiunea de:
a) străpungere;
b) blocare la polarizare inversă;
c) blocare la polarizare directă;
d) conducţie

32. Figura 1.6 prezinta o posibilă liniarizare a caracteristicii din figura 1.5 şi
2p poartă numele de model de ordin zero.
iA

Model de ordin zero Caracteristica reală

vA
Figura 1.6
Conform acestei aproximări schema echivalentă a diodei este:
a.) Vγ rB
A C conducţie
A C
A C
blocare

b.) Vγ
A C conducţie
A C
A C
blocare

c.) A C
conducţie
A C
A C blocare

d.)
A C conducţie
A C
A C
blocare

33. Figura 1.6 prezinta o posibilă liniarizare a caracteristicii din figura 1.5 şi
2p poartă numele de model de ordin zero. Conform acestei aproximări în
regim de conducţie dioda se comportă ca:
a) un rezistor;
b) un circuit întrerupt;
c) un scurtcircuit;
d) un condensator

34. Figura 1.6 prezinta o posibilă liniarizare a caracteristicii din figura 1.5 şi

8
 Elemente de electronică analogică - teste

2p poartă numele de model de ordin zero. Conform acestei aproximări în

regim de blocare dioda se comportă ca:
a) un rezistor;
b) un circuit întrerupt;
c) un scurtcircuit;
d) un condensator

35. Multiplicarea în avalanşă are loc la:

3p
a) tensiuni mari şi este specifică joncţiunilor slab dopate.
b) tensiuni mici şi este specifică joncţiunilor slab dopate.
c) tensiuni mari şi este specifică joncţiunilor puternic dopate.
d) tensiuni mici şi este specifică joncţiunilor puternic dopate.

36. Efectul "tunel" are loc:

3p
a) tensiuni mari şi este specifică joncţiunilor slab dopate.
b) tensiuni mici şi este specifică joncţiunilor slab dopate.
c) tensiuni mari şi este specifică joncţiunilor puternic dopate.
d) tensiuni mici şi este specifică joncţiunilor puternic dopate.

37. Figura 1.7 prezintă caracteristica statică a unei diode stabilizatoare.

2p
iZ
IZM

IZm
vZ
VZ

Figura 1.7
Pentru a putea realiza funcţia de stabilizare a tensiunii o asemenea diodă
trebuie să lucreze în regim de:
a) străpungere;
b) blocare la polarizare inversă;
c) blocare la polarizare directă;
d) conducţie

38. Figura 1.7 prezintă caracteristica statică a unei diode stabilizatoare.

2p Pentru a putea realiza funcţia de stabilizare a tensiunii trebuie să
satisfacă condiţia:
a) I Z m ≥ iZ ≤ I Z M

9
 Dida semiconductoare „p-n”

b) I Z m ≤ iZ ≤ I Z M
c) I Z m ≥ iZ ≥ I Z M
d) I Z m ≤ iZ ≥ I Z M

39. În situaţii reale există anumite limitări pentru a evita distrugerea unei
2p diode redresoare. Cele mai uzuale limitări sunt:
a) IFM (curentul direct maxim admisibil) şi VBR (tensiunea de
străpungere);
b) IZM (curentul invers maxim admisibil prin diodă) şi VZ (tensiunea
nominală de stabilizare)
c) IFM (curentul direct maxim admisibil) şi VZ (tensiunea nominală
de stabilizare)
d) IZM (curentul invers maxim admisibil prin diodă) şi IFM (curentul
direct maxim admisibil)

40. În situaţii reale există anumite limitări pentru a evita distrugerea unei
2p diode stabilizatoare. Cele mai uzuale limitări sunt:
a) IFM (curentul direct maxim admisibil) şi VBR (tensiunea de
străpungere);
b) IZM (curentul invers maxim admisibil prin diodă) şi VZ (tensiunea
nominală de stabilizare)
c) IFM (curentul direct maxim admisibil) şi VZ (tensiunea nominală
de stabilizare)
d) IZM (curentul invers maxim admisibil prin diodă) şi IFM (curentul
direct maxim admisibil)

41. Valoarea curentului IA care circulă prin dioda din figura este
4p aproximativ:
R1(1kΏ)
(1k)
IR

I R2(1kΏ) E
(2mA) (1k) (10V)
IA
D VA

Figura 1.8
a) IA ≅ 4 mA
b) I A ≅ −4 mA
c) I A ≅ 0 mA
d) I A ≅ 2 mA

10
 Elemente de electronică analogică - teste

42. Căderea de tensiune pe dioda prezentă în circuitul din figura 1.8 este
4p aproximativ:
a) VA = −10 V
b) VA = −8 V
c) VA = 8 V
d) VA = 10 V

43. Condiţia de semnal mic pentru o diodă semiconductoare este îndeplinită

3p dacă:
a) semnalul pe diodă este mai mic de 2.5 mV
b) semnalul pe diodă este mai mic de 10 mV
c) semnalul pe diodă este mai mic de 25 mV
d) semnalul pe diodă este mai mic de 100 mV

44. Conductanţa de semnal mic a diodei semiconductoare are valoarea:

3p
a) g a [mS ] = 25 I A [mA]
b) g a [mS ] = 2.5 I A [mA]
c) g a [mS ] = 4 I A [mA]
d) g a [mS ] = 40 I A [mA]

45. Modelul matematic al unei diode semiconductoare care lucrează în regim

3p cvasistatic de semnal mic este:
a) ia = g a va
b) i = I exp v A  − 1
A S  
  eT  
c) ia = g a va −1

d) i = I exp v A 
A S  
  eT 

46. Schema echivalentă a unei diode semiconductoare care lucrează în regim

3p cvasistatic de semnal mic este:
a.) b.) c.) d.)
Ca
ga A C A C
A C
A C
ga

11
 Dida semiconductoare „p-n”

Răspunsuri

1. Răspuns corect: d.) 24. Răspuns corect b.)

2. Răspuns corect: c.) 25. Răspuns corect c.)
3. Răspuns corect: a.) 26. Răspuns corect b.)
4. Răspuns corect: b.) 27. Răspuns corect a.)
5. Răspuns corect a.) 28. Răspuns corect a.)
6. Răspuns corect b.) 29. Răspuns corect b.)
7. Răspuns corect c.) 30. Răspuns corect c.)
8. Răspuns corect d.) 31. Răspuns corect d.)
9. Răspuns corect b.) 32. Răspuns corect d.)
10. Răspuns corect a.) 33. Răspuns corect c.)
11. Răspuns corect c.) 34. Răspuns corect c.)
12. Răspuns corect b.) 35. Răspuns corect a.)
14. Răspuns corect d.) 36. Răspuns corect d.)
15. Răspuns corect d.) 37. Răspuns corect a.)
16. Răspuns corect a.) 38. Răspuns corect b.)
17. Răspuns corect a.) 39. Răspuns corect a.)
18. Răspuns corect a.) 40. Răspuns corect b.)
19. Răspuns corect b.) 41. Răspuns corect c.)
20. Răspuns corect a.) 42. Răspuns corect b.)
21. Răspuns corect b.) 43. Răspuns corect b.)
22. Răspuns corect c.) 44. Răspuns corect d.)
23. Răspuns corect b.) 45. Răspuns corect a.)
24. Răspuns corect b.) 46. Răspuns corect b.)

12