PRINCIPII DE FABRICAŢIE ŞI CALITATE ÎN INDUSTRIA ELECTRONICĂ

1.1. Tendinţe în evoluţia componentelor electronice

În actuala etapă de dezvoltare a ştiinţei şi tehnologiei se înregistrează un avânt deosebit al

electronicii şi microelectronicii, la pătrunderea ei, practic în orice domeniu de activitate al societăţii
umane. Prin posibilităţile pe care le oferă: miniaturizare şi super-miniaturizare, viteză de calcul,
memorare, amplificare etc. poate răspunde oricărei solicitări. Cum diversitatea acestora poate fi
extrem de mare, satisfacerea cerinţelor impuse se poate asigura prin sintetizarea lor, prin crearea
unor funcţii specifice, plecând de la componente care printr-o interconectare corespunzătoare să
genereze funcţiile respective.
Electronica începutului de secol este caracterizată prin creşterea gradului de integrare atât la
nivelul componentelor electronice cât şi la cel al subansamblurilor şi modulelor electronice.
Ofensiva declanşată de industria semiconductoarelor prin coborârea sub bariera de un micrometru
(INTEL urmează să treacă la tehnologia CMOS de 0,09 m), folosirea în realizarea circuitelor a unor
lăţimi ce au în prezent valori de zecimi de micrometru şi introducerea noilor tehnologii care
utilizează metalizarea cu cupru în loc de aluminiu, au făcut să poată fi incluse în cadrul unui circuit
integrat un număr extrem de mare de porţi logice şi tranzistoare (peste 10 milioane de porţi şi peste
100 de milioane de tranzistoare) reunite prin conexiuni în funcţii complexe. Elementele enumerate
se găsesc pe o singură pastilă de siliciu (chip). Circuitele integrate pe bază de siliciu fabricate în
prezent conţin până la 2200 de conexiuni fără ca prin aceasta să se considere că s-a atins vreo
limită. Drept urmare, a crescut numărul de conexiuni dintre chip şi lumea exterioară, mărindu-se în
acelaşi timp frecvenţa de lucru a microprocesoarelor. Se preconizează că în foarte scurt timp
calculatoarele să conţină microprocesoare de 5 GHz, iar în anul 2010 se va dispune de memorie
DRAM de 64 Gigabiţi, memorie realizată tehnologic la rezoluţia de 65 nanometri (grosimea firului de
păr fiind în medie de 30 m).
Toate aceste performanţe ale componentelor electronice, de neimaginat cu puţin timp în
urmă, conduc la conceperea şi realizarea de module electronice din ce în ce mai performante. De
altfel, aşa cum componentele montate pe suprafaţă (tehnologia SMD – Surface Mounted Devise) au
revoluţionat industria electronică la mijlocul anilor 1980, noile componente din categoria Chip
Package, chip Size Package şi Flip Chip vor provoca modificări importante în industria electronică
viitoare. Prin urmare, vor avea loc modificări şi în ceea ce priveşte modulele electronice şi aparatura
electronică în general, atât din punctul de vedere al proiectării cât şi al tehnologiilor de fabricaţie.
Dacă se corelează noile dimensiuni, pe care se preconizează că le vor avea componentele
electronice (cu circa 20 % mai mari ca ale chip-ului de siliciu), cu duritatea din ce în ce mai mare a
componentelor conţinute de modulele electronice, rezultă de la sine concluzia că la conceperea
modulelor este nevoie de folosirea unor programe care să permită automatizarea proiectării.
 METODE TEHNOLOGICE DE OBŢINERE A MONOCRISTALELOR
SEMICONDUCTOARE

5.2.1. Obţinerea materialelor semiconductoare de puritate ridicată

Metodele generale de obţinere a lingourilor de monocristal pur, din care se taie plachete
utilizate la fabricarea dispozitivelor microelectronice, sunt în general aceleaşi pentru toţi
semiconductorii, existând totuşi unele particularităţi specifice pentru fiecare material în parte.
O etapă importantă în cadrul acestui proces o constituie obţinerea materialului policristalin
pur în stare lichidă sau solidă.
Pentru exemplificare s-a ales cazul siliciului, întrucât acest semiconductor este în prezent
materialul cel mai folosit pentru fabricarea dispozitivelor microelectronice.
Siliciul necesar pentru realizarea dispozitivelor semiconductoare trebuie să îndeplinească
două condiţii. Mai întâi trebuie să fie foarte pur, adică nivelul impurităţilor nedorite să fie sub 1 la
1010. În al doilea rând, siliciul trebuie să aibă o structură cristalină regulată continuă, adică trebuie
să fie monocristalină. Această ultimă cerinţă este impusă de faptul că graniţele grăunţilor cristalini
dintr-un material policristalin ar împiedica deplasarea purtătorilor de sarcină în dispozitivul final.
În natură siliciul se găseşte cu precădere sub formă de dioxid de siliciu (nisipul de siliciu),
care constituie materia primă pentru obţinerea siliciului policristalin. Nisipul este introdus într-un
proces complex de distilare şi purificare în urma căruia se obţine siliciului hiperpur.
Prima etapă în cadrul acestui proces complex o constituie reducerea dioxidului de siliciu.
Aceasta se face în cuptoare electrice utilizând ca element de reducere carbonul. Siliciul rezultat are
o puritate de 98 %.
Următoare etapă este purificarea siliciului, şi constă în transformarea acestuia într-o
halogenură, de exemplu triclorsilan (SiHCl3) după relaţia:

Si + HCl → SiHCl3 + H2 . (5.1)

În această etapă sunt îndepărtate impurităţile nedorite şi anume: Fe, Al şi B. Halogenura astfel
obţinută este supusă în continuare unui proces de distilări obţinându-se o puritate foarte ridicată
(sub 1 ppm). Urmează transformarea Capitolul 5. Tehnologia fabricării materialelor semiconductoare
triclorsilanului în siliciu, prin reducerea în atmosferă de hidrogen, proces ce se desfăşoară într-un
reactor. Rezultă un siliciu policristalin hiperpur, care se prezintă fie sub formă de bare, fie sub formă
de bucăţi cu dimensiuni cuprinse între 1 şi 3 inch. Puritatea siliciului obţinut în urma procesului
descris atinge valoarea de 1 la 1010.
Pornind de la siliciul policristalin, aflat într-una din cele două forme menţionate anterior, se
pot folosi două metode pentru obţinerea lingourilor de siliciu monocristalin şi anume:
 metoda Czochralski sau metoda tragerii din topitură;
  metoda topirii zonare sau "floating zone".

5.2.2. Metoda Czochralski (cristale CZ)

Metoda Czochralski (pronunţie aproximativă în limba română Ciocralski) de obţinere a siliciului

monocristalin sau metoda tragerii din topitură, are această denumire după numele cercetătorului
polonez Jan Czochralski care, în anul 1916 a brevetat metoda. Czochralski a obţinut fire metalice cu
structură cristalină, având diametrul de 0,8 mm, prin tragere din topitură, folosind un germene de
cristalizare. Cristalul obţinut prin această metodă poartă denumirea de cristal CZ.
Metoda Czochralski este cea mai folosită pentru obţinerea monocristalelor de semiconductori, şi
nu numai. Ea permite obţinerea unor lingouri din care se taie cele mai mari plachete de siliciu
folosite în prezent şi anume plachetele de 300 mm (12").
În figura 5.7 este prezentat principiul metodei tragerii din topitură, iar în figurile 5.8 şi 5.9 sunt
prezentate imagini reprezentând secţia de cuptoare pentru fabricarea lingourilor din siliciu
monocristalin, respectiv un astfel de lingou imediat după ce a fost scos din instalaţie.
Siliciul policristalin solid mărunţit se introduce într-un creuzet de cuarţ prin care circulă un gaz
inert, de obicei argon. Creuzetul de cuarţ este plasat într-un creuzet de susţinere din grafit, care este
încălzit prin inducţie utilizând curenţi de înaltă frecvenţă. După ce s-a topit siliciul, se coboară
temperatura din incinta cuptorului la o valoare uşor superioară temperaturii de topire a acestuia. În
acelaşi timp se aduce deasupra topiturii (cu ajutorul unui dispozitiv) un grăunte de siliciu
monocristalin solid, denumit şi germene de cristalizare, care se introduce în topitură. Datorită
gradientului de temperatură care există între grăuntele
monocristalin solid şi siliciul din topitură, materialul topit din imediata sa vecinătate se răceşte şi ca
urmare se solidifică pe suprafaţa grăuntelui, reproducând orientarea cristalină a atomilor de siliciu ai
acestuia.
 Fig. 5.7. Principiul metodei Czochralski – tragerea din topitură.

Este foarte important ca germenele de cristalizare să ia contact cu siliciul topit după planul
cristalografic cu indicele Miller indicat pentru aplicaţiile plachetelor ce se vor obţine din lingoul
respectiv.
În continuare grăuntele este rotit (cu aproximativ 60 rot/min) şi uşor ridicat (în jur de 2,5
cm/h) mărindu-şi dimensiunile pe măsură ce siliciul se solidifică pe suprafaţa sa. Concomitent se
roteşte şi creuzetul cu siliciul topit. Rotirea creuzetului se face în sens invers sensului de rotire al
germenului de cristalizare.
În timpul procesului de tragere (creştere a monocristalului) este necesar să se controleze un
număr mare de parametri cum ar fi: gradul de curăţenie al creuzetului, atmosfera de lucru,
temperatura topiturii, gradientul de temperatură radial şi axial, viteza de rotaţie şi de tragere a
cristalului din topitură.
Se spune că în procesul de obţinere a monocristalului de siliciu (lingoului) nu contează numai
"ştiinţa" ci şi "arta" operatorilor şi specialiştilor.
Aşa cum s-a mai arătat, materia primă folosită este siliciul policristalin foarte pur. La acesta
se mai adaugă o cantitate mică de dopant de tip p, de obicei bor (B), pentru micşorarea rezistivităţii
substratului, în scopul controlării tensiunii de străpungere între regiunile izolate.
Pentru dopajul siliciului cu impurităţi de tip n se folosesc fosforul (P), arsenul (As) şi stibiul
(Sb). Celelalte impurităţi trebuie menţinute la nivele cât mai scăzute.

5.2.3. Metoda topirii zonare (cristale FZ)

 În cadrul acestei metode (reprezentată schematic în figura 2.10) se porneşte de la un lingou
de siliciu policristalin de formă cilindrică, care este prins într-un dispozitiv de susţinere, ce asigură
atât susţinerea cât şi rotirea lingoului în jurul axei sale. La partea inferioară se găseşte un alt
dispozitiv care susţine un grăunte de siliciu monocristalin (germene de cristalizare). Acesta are
posibilitatea să se rotească în jurul unei axe verticale şi să se deplaseze în lungul aceleiaşi axe.
Rotirea germenului de cristalizare se face în sens opus lingoului. Topirea siliciului policristalin este
realizată cu ajutorul unui cuptor cu inducţie în radio-frecvenţă, ce se deplasează de jos în sus,
asigurând topirea zonală a lingoului. Pornind de la
germenele de cristalizare, siliciul topit cristalizează având orientarea cristalografică a germenului.
Metoda topirii zonare ("floating zone") permite obţinerea unor lingouri din siliciu monocristalin
cu o puritate foarte bună.
Diametrul cel mai mare al unui lingou obţinut prin această metodă este de 150 mm (6").
Cristalele obţinute prin metoda topirii zonare sunt denumite şi cristale FZ.

Fig. 5.10. Principiul metodei topirii zonare (cristale FZ).

5.3. Tehnologia fabricării plachetelor de siliciu

5.3.1. Condiţii tehnice impuse plachetelor

 condiţiile tehnice impuse plachetelor de siliciu şi din alte materiale semiconductoare utilizate
la fabricarea dispozitivelor microelectronice sunt reglementate de un organism tehnic internaţional şi
anume: Semiconductor Echipament and Material International – SEMI.
Aceste condiţii se referă la grosimea plachetelor, abaterile de formă ale feţelor plachetelor,
calitatea suprafeţelor (rugozitatea acestora), gradul de curăţenie al plachetelor prelucrate şi modul
de identificare a tipului de plachetă (p sau n)şi al orientării cristalografice (fig.5.11).
Grosimea plachetei este stabilită din raţiuni de rigiditate mecanică. O plachetă de diametru
mare dar subţire se poate sparge uşor în procesul de fabricaţie. Spre exemplu, din grosimea de 775
µm a unei plachete cu diametrul de 300 mm, se folosesc numai aproximativ 2 µm, cum este cazul
în tehnologia CMOS de ultimă generaţie.
Pentru a vedea cum sunt prescrise condiţiile tehnice pentru plachetele de siliciu se vor indica
în continuare câteva dintre acestea, prevăzute de către SEMI pentru plachetele cu diametrul de 300
mm:
 diametru: 300 mm ± 0,2 mm;
 grosime: 775 µm ± 25 µm;
 abaterea de la planeitatea feţelor: < 10 µm.

Fig. 5.11. Identificarea tipului şi orientării cristalografice a plachetelor de siliciu.

În ceea ce priveşte prezenţa elementelor chimice (altele decât impurităţile care determină
tipul conducţiei – denumite "utile") în reţeaua cristalină a materialului semiconductor, acestea trebuie
menţinute la un nivel cât mai scăzut cu putinţă. Dintre acestea, metalele alcaline şi în special sodiul
(Na) sunt deosebit de nocive pentru industria dispozitivelor semiconductoare.
Pentru a putea fi recunoscute uşor din punct de vedere al tipului ("p" sau "n") şi al orientării
cristalografice, plachetele de siliciu prezintă două teşituri (sau flaturi): un flat mai lung (flat-ul
principal) ce are rol în poziţionarea automată a plachetelor în instalaţiile tehnologice şi un flat mai
scurt. Flat-ul principal are direcţia <110> ± 1 grad pentru cele două tipuri de plachete uzuale (111) şi
(100) (fig. 5.11).

5.3.2. Tehnologia prelucrării plachetelor de siliciu

Lingourile din siliciu monocristalin obţinut prin metodele descrise anterior sunt supuse unui
proces tehnologic pentru a putea fi transformate în plachete.
Procesul tehnologic de fabricare a plachetelor conţine următoarele etape (operaţii):
1. Îndepărtarea capetelor lingoului. Variaţiile mari de dimensiuni generate de trecerea de la
germenele cristalin (de diametru mic) la lingoul cu un diametru impus, generează în capetele
lingoului tensiuni interne mari care conduc la apariţia unor defecte în reţeaua cristalină ce se
propagă oblic faţă de generatoarea lingoului. Tăierea se face cu ajutorul unui disc diamantat.
Germenele cristalin se debitează şi poate fi folosit pentru obţinerea altor lingouri.
2. Prelucrarea suprafeţei exterioare a lingoului. Această operaţie este impusă de faptul că în urma
tragerii din topitură peretele lateral al lingoului nu este uniform. Prelucrarea se face prin strunjire la
diametrul dorit.
3. Realizarea prin frezare a "flat-urilor" principal şi secundar. Acestea sunt necesare pentru
identificarea tipului de dopaj p sau n.
4. Debitarea plachetelor din lingou se face prin tăiere cu ajutorul unui disc diamantat. Vitezele mari
de rotaţie ale discului provoacă încălzirea capului de tăiere şi a lingoului de siliciu. Pentru a
împiedica supraîncălzirea locală, pe de o parte şi pentru a îndepărta particulele rezultate în urma
tăierii, pe de altă parte, se utilizează un agent de răcire.
5. Lepuirea celor două feţe ale plachetei. În urma prelucrării prin lepuire se obţine atât subţierea
până la grosimea dorită a plachetelor, cât şi eliminarea abaterilor de la planeitate rezultate la
operaţia de tăiere. Operaţia de lepuire este riguros controlată pentru a preveni orice zgâriere
adâncă, care ar reprezenta imperfecţiuni pentru placheta de siliciu. În figura 5.12 se prezintă o
imagine din secţia în care se face lepuirea plachetelor.
6. Rotunjirea muchiilor plachetelor. Prelucrarea se face cu ajutorul unei scule profilate. Scopul
acestei prelucrări este acela de a preveni distrugerea măştilor în procesele ulterioare de fotogravură
şi fotolitografice.
7. Şlefuirea sau polisarea plachetelor. Prelucrarea se face pe una sau pe ambele feţe, în funcţie de
tipul dispozitivelor şi tehnologia prin care acestea urmează să se fabrice, prin procese mecano–
chimice.
8. Curăţirea prin decapare chimică sau în băi cu ultrasunet. Operaţia se face în scopul îndepărtării
materialului dislocat mecanic la operaţia anterioară de şlefuire.
9. Ambalarea în cutii închise ermetic şi pregătirea pentru livrare (fig. 5.13). În general prin curăţirea
finală a plachetelor se garantează clienţilor că nu există nici o particulă pe suprafaţa plachetei mai
mare de 0,3 µm. Cerinţele actuale ale fabricaţiei de componente microelectronice au impus să se
micşoreze dimensiunea maximă a particulelor nedorite până la 0,2 µm. Astfel că, pentru o
tehnologie de 0,13 µm (care se aplică la fabricarea microprocesoarelor Pentium 4) particulele cu
dimensiunea de 0,3 µm pot provoca defecţiuni care distrug circuitul.
 6.3.2. Străpungerea joncţiunilor realizate prin difuzia impurităţilor

În fabricaţia de circuite integrate se folosesc plachete lustruite oglindă pe o singură parte.

Pe o astfel de plachetă de siliciu se realizează numeroase circuite integrate şi în fiecare
circuit integrat se întâlnesc numeroase joncţiuni p–n.
Acest lucru impune ca joncţiunile să fie realizate localizat şi trebuie să se împiedice
pătrunderea impurităţilor în siliciu pe toată suprafaţa plachetei.
Pentru realizarea din punct de vedere tehnologic a acestei condiţii se foloseşte o proprietate
importantă a siliciului şi anume că acesta se poate oxida într-o atmosferă de oxigen. În urma
procesului de oxidare se formează un strat de dioxid de siliciu (SiO2) care acoperă întreaga
plachetă.
Stratul de dioxid de siliciu constituie o barieră eficientă împotriva pătrunderii impurităţilor în
siliciu.
Posibilitatea formării acestui strat, precum şi existenţa unor soluţii chimice cu care să se
îndepărteze controlat dioxidul de siliciu fără să se altereze materialul semiconductor (siliciul), care se
află sub el, a permis dezvoltarea explozivă a tehnologiei dispozitivelor bazate pe acest material.
Ulterior, tehnologiile dezvoltate pentru confecţionarea dispozitivelor semiconductoare din
siliciu au fost adaptate şi pentru tehnologia dispozitivelor bazate pe alte materiale semiconductoare,
materiale care nu formează oxizi cu aceleaşi calităţi ca ale dioxidului de siliciu.
Stratul de dioxid de siliciu, pentru a fi eficient în a proteja (a masca) placheta la pătrunderea
impurităţilor, trebuie să aibă o anumită grosime. Această grosime depinde de durata de timp în care
placheta este supusă acţiunii impurităţilor şi de temperatura la care are loc această operaţie (de
exemplu, temperatura la care se produce difuzia impurităţilor în siliciu).
Oxidarea plachetei de siliciu are loc şi la temperatura camerei, dar stratul crescut este foarte
subţire (25…50)Å şi nu este eficient.
Viteza de creştere a stratului de oxid poate fi mărită dacă oxidarea se produce la temperatură
ridicată.
Acest proces de oxidare se numeşte oxidare termică.
Procesul de oxidare termică are loc în cuptoare speciale, cu temperatură precis controlată. În
aceste cuptoare sunt plasate, de obicei, tuburi de cuarţ cu diametre care să permită introducerea
plachetelor de siliciu. Prin tuburile de cuarţ circulă gaze cu conţinut bogat de oxigen sau vapori de
apă.
Grosimea oxidului este controlată prin ajustarea temperaturii şi a duratei procesului de
oxidare.
Astfel, se pot obţine prin procesul de oxidare termică, grosimi reproductibile de dioxid de
siliciu cuprinse între 500 Å şi 10 000 Å (1µm = 10 000 Å).
Domeniul de temperatură pentru oxidarea termică a siliciului este cuprins în mod uzual între
900°C şi 1200°C. Duratele de procesare pot varia de la câteva minute la câteva ore.
 Există situaţii când este nevoie ca dioxidul de siliciu să aibă grosimi de până la 20 000 Å (2
µm). Aceste grosimi se obţin cu preţul unor timpi foarte lungi de proces şi a unor temperaturi
ridicate. În general, prin procese de oxidare termică, nu se realizează mai mult de 20 000 Å de
dioxid de siliciu.
O altă extremă o întâlnim în cazul circuitelor integrate moderne care au nevoie de straturi de
oxizi cu grosimi mai mici de 100 Å (porţile tranzistoarelor MOS). Aceste grosimi pot fi realizate prin
tratamente termice rapide (RTP – Rapid Thermal Processing).
Se va reveni asupra acestui proces pentru o prezentare mai detaliată.
În figura 6.14 se prezintă fluxul tehnologic pentru realizarea unor diode cu joncţiuni, pornind
de la o plachetă de siliciu de tip n.
Pentru a permite impurităţilor acceptore să difuzeze localizat în siliciu de tip n şi să formeze
joncţiuni p-n trebuie îndepărtat dioxidul de siliciu din zonele respective.
Procesul prin care se realizează această îndepărtare se nume te proces de fotolitografie.

Fig. 6.14. Fluxul tehnologic pentru realizarea unei diode cu joncţiuni.

Principale etape pentru procesul clasic de fotolitografie sunt prezentate în continuare.

1. Placheta se acoperă cu un polimer fotosensibil denumit fotorezist. Fotorezistul are două
proprietăţi esenţiale: îşi modifică rezistenţa la corodare chimică dacă este iluminat şi este
rezistent la soluţiile de corodare folosite pentru dioxidul de siliciu.
2. Fotorezistul este iluminat cu lumină UV (în domeniul ultraviolet) printr-o mască de sticlă
care are zone opace şi transparente. Dimensiunea acestor zone delimitează aria care se va
deschide în dioxidul de siliciu pentru a permite intrarea impurităţilor în siliciu. Fotorezistul
folosit poate fi de două feluri: fotorezist pozitiv – în zona impresionată cu radiaţie UV
fotorezistul suferă o modificare chimică ceea ce îl face să devină solubil într-o soluţie
 alcalină numită developant sau fotorezist negativ – în zona impresionată cu radiaţie UV
fotorezistul devine insolubil în developant; acest tip de developant îndepărtează fotorezistul
neexpus. În fluxul tehnologic prezentat în figura 6.14 este ilustrată varianta de lucru cu
fotorezist pozitiv.
3. Fotorezistul este developat (fotorezistul este îndepărtat din zonele în care a fost iluminat). În
acest mod se creează accesul la dioxidul de siliciu.
4. Dioxidul de siliciu este corodat prin masca de fotorezist; pentru corodare se foloseşte de
obicei o soluţie tamponată de acid fluorhidric. Denumirea comercială a soluţiei este BHF
(Buffered HydroFluoric Acid). BHF este o soluţie formată din fluorură de amoniu şi acid
fluorhidric în proporţie 6:1 şi are o viteză de corodare de aprox. 1000 Å/min la 25°C.
5. Fotorezistul se îndepărtează prin imersarea plachetei în acetonă şi/sau printr-o curăţire în
plasmă de oxigen (corodarea în plasmă va fi prezentată mai detaliat în capitolul 8).
După ce s-a îndepărtat dioxidul de siliciu din zonele în care se vor obţine joncţiuni p–n, se
continuă procesul de fabricare a diodei cu procesul de impurificare controlată.
Procesul de impurificare controlată a siliciului care se va aplica în exemplul considerat este
difuzia.
Se reaminteşte faptul că pentru siliciu impurităţile donoare (siliciu de tip n) folosite în mod
uzual sunt: fosforul (P), arsenul (As) si stibiul (Sb).
Pentru a realiza siliciu de tip p impuritatea acceptore utilizată cu precădere este borul (B).
Difuzia borului se realizează într-un cuptor similar celui în care se realizează oxidarea
termică a siliciului. Prin cuptor sunt purjate gaze neutre (azot) care transportă molecule de
tribromură de bor (BBr3), nitrură de bor (BN) sau oxid de bor (B2O3). La temperaturi cuprinse între
900°C şi 1150°C aceste substanţe se descompun eliberând moleculele de bor care difuzează în
siliciu schimbând tipul substratului din n în p. Borul pătrunde în reţeaua siliciului devenind din
interstiţial substituţional, aşa după cum s-a mai spus. Evident, concentraţia atomilor de bor scade de
la suprafaţă spre interiorul plachetei. Adâncimea faţă de suprafaţa plachetei la care concentraţia
atomilor de bor egalează concentraţia atomilor donori din siliciu (cei care au făcut ca placheta de
siliciu sa fie de tip n) se numeşte adâncimea joncţiunii şi se notează, de obicei, prin xj.
În figura 6.14 s-a ilustrat atât adâncimea joncţiunii cât şi fenomenul de difuzie laterală.
Difuzia laterală reprezintă fenomenul de difuzie pe sub masca de dioxid de siliciu a atomilor
de bor. Fenomenul de difuzie nu este un proces direcţionat, din această cauză nu există nici un
motiv ca odată intraţi în reţeaua siliciului atomii de bor să nu difuzeze în toate direcţiile. joncţiunea
prezintă o zonă de curbură a cărei rază se va nota cu rj. Pentru prezentarea de faţă se va admite că
rj=xj. În cazul real difuzia laterală (perpendiculară pe normala la placheta de siliciu) este de aprox.
0,8⋅xj.
 6.3.4. Procesul tehnologic de fabricaţie a unei diode

În figura 6.18 se prezintă fluxul tehnologic de fabricaţie a unei diode. Pentru realizarea diodei
se foloseşte o plachetă de siliciu de tip n puternic dopată (ND1 ≅ 1019 cm-3).

Fig. 6.18. Fluxul tehnologic pentru realizarea unei diode.

Prima operaţie aplicată plachetei constă în depunerea unui strat epitaxal de tip n cu grosimea
xepi, concentraţia de impurităţi a stratului epitaxial este ND2 ≅ 1015 cm-3.
Urmează operaţia de oxidare termică a stratului epitaxial, pe o adâncime xox. În stratul de
oxid creat se deschid ferestrele pentru difuzia de bor, printr-un proces fotolitografic. Printr-un proces
de difuzie, în ferestrele deschise anterior se realizează joncţiunea p–n, care va avea adâncimea xj.
Referitor la procesul de difuzie se pot face unele precizări, ce vor fi prezentate în continuare.
Difuzia propriu-zisă are loc în atmosferă oxidantă (oxigen sau vapori de apă). În cursul
acestui proces zona difuzată se acoperă cu dioxid de siliciu. Acesta creşte mai repede peste zona
difuzată decât în rest (dioxidul de siliciu rămas pe plăcuţă la deschiderea ferestrelor creşte cu o
viteză mai mică decât cel care se formează peste difuzie).
 Oxidarea are loc, însă, cu consum de siliciu din plachetă. Acest lucru înseamnă că frontul de
oxidare subţiază placheta, şi ca urmare a acestui fenomen se va produce o denivelare în siliciu,
indicată în figura 6.18, cu simbolul ∆xox.
Pentru contactarea siliciului din zona p este necesar un nou proces fotolitografic prin care se
deschid ferestre de difuzie în dioxidul de siliciu. Spre deosebire de primul proces fotolitografic, aici
intervine o operaţie suplimentară de aliniere a noii măşti, cu desenul deja imprimat pe plachetă.
Această operaţie (de aliniere/expunere) se realizează pe maşini adecvate acestui scop.
Printr-un proces de depunere în vid, prin ferestrele deschise anterior în dioxidul de siliciu, se
depune un strat de metal pentru contactarea zonei de tip p. Procesul de depunere al metalului este
de tip PVD (Physical Vapor Deposition). În mod uzual se foloseşte aluminiul iar grosimea stratului
depus ce acoperă întreaga plachetă este de circa 1 µm.
Metalul depus în afara zonelor de conectare va fi îndepărtat prin corodare folosind o mască
de fotorezist. Deschiderea ferestrelor de corodare se realizează tot printr-un proces fotolitografic.
În următoarea etapă se metalizează spatele plachetei. Acest proces este urmat de un
tratament termic de aliere a metalului depus (de obicei aur) cu siliciul. În urma acestui proces se
poate realiza un contact intim între siliciu şi preforma aur–germaniu cu care cipul de siliciu se lipeşte
de ambază.
Testarea electrică se face pe plachetă, verificându-se parametrii electrici de funcţionare
pentru fiecare cip în parte. Structurile defecte sunt marcate cu o cerneală specială.
După testarea electrică se face departajarea cipurilor printr-o operaţie de zgâriere cu un vârf
de diamant sau cu un disc diamantat pe direcţii perpendiculare, astfel încât să se departajeze
fiecare structură de diodă. Separarea în cipuri a plachetei procesate şi "zgâriate" anterior se face
prin presarea acesteia cu un rulou de cauciuc. Placheta "crapă", asemenea unui geam trasat cu vârf
de diamant, pe direcţiile trasate (zgâriate).
Cipurile care au funcţionat corect în urma testării pe plăcuţă sunt lipite prin intermediul unei
paste conductoare sau a unei preforme (v. cap. 9) pe un suport numit ambază (fig. 6.18). Ambaza
este metalică şi este prevăzută cu găuri de trecere, izolate electric de restul ambazei, pentru
terminalele metalice. Unul din terminale poate fi contactat direct pe ambază.

Observaţie
O capsulă metalică pentru dispozitive microelectronice este formată dintr-o ambază
prevăzută cu terminale de trecere (cele care se leagă în circuit), pe care se aşează cipul şi un capac
care închide structura semiconductoare.

Urmează operaţia de ataşare a firelor de legătură. Prin această operaţie se contactează

aluminiul depus peste zona de tip p cu unul din terminalele libere ale ambazei. Legătura se
realizează uzual cu fir subţire de aur. Grosimea tipică a firului folosit pentru diode de putere mică
este de 25µm.
 Structura obţinută se închide cu un capac metalic prin sudură electrică, realizându-se în
acest fel încapsularea.
Ultimele operaţii care se aplică diodelor sunt de testare finală şi de marcare a acestora
(nume dispozitiv, data de fabricaţie ş.a.).
În fluxul tehnologic descris în figura 6.18 s-au prezentat operaţiile cheie pentru realizarea
unei diode cu joncţiuni cu siliciu. Trebuie avut în vedere că în realitate mai pot exista o serie de
operaţii intermediare care nu au mai fost menţionate.
De asemenea, trebuie menţionat faptul că s-a exemplificat schema de montaj pentru o diodă
protejată prin capsule metalice, dar există şi alte tipuri de încapsulare.
 TEHNOLOGIA PLANARĂ DE REALIZARE A DISPOZITIVELOR SEMICONDUCTOARE

7.1. Scurt istoric

Tranzistorul a fost una din marile invenţii ale secolului XX care a schimbat total modul nostru
de a trăi. Dezvoltarea electronicii a căpătat un nou imbold în anul 1960, o dată cu apariţia primului
circuit integrat realizat în siliciu la Fairchild. Robert Noyce este creditat cu această realizare care la
vremea ei a fost revendicată şi de Texas Instruments. Jack Kilby de la Texas Instruments realizase
cu câteva luni înainte un prototip de circuit integrat în germaniu care a avut meritul de a ilustra ideea
unui astfel de dispozitiv. Robert Noyce a prezentat însă un dispozitiv bazat pe o tehnologie care stă
la temelia microelectronicii de azi.
Spiritele au fost împăcate prin atribuirea patentului de circuit integrat atât lui Kilby cât şi lui
Noyce.
Cu toate acestea circuitul integrat modern de astăzi nu ar fi existat fără ideea procesului
planar al lui Jean Hoerni.
În lumea "semiconductoriştilor" era clar că orice fel de impurificare necontrolată putea
schimba dramatic condiţiile de funcţionare ale dispozitivelor cu semiconductori. Printre "impurităţi"
figura şi oxidul ce se putea forma pe suprafaţa materialului semiconductor.
Până la Hoerni dispozitivele erau realizate prin aşa numita tehnică de corodare "mesa".
Tehnica "mesa" prevedea separarea fiecărui tranzistor prin corodarea siliciului până dincolo de
joncţiunea colector–bază (difuzia de bază se efectua pe toată suprafaţa plachetei). Aceste corodări
gravau şanţuri de câţiva microni pe suprafaţa plachetelor. În cadrul acestei tehnologii se folosea şi
un oxid de mascare pentru realizarea emitorului. Dioxidul era însă îndepărtat pentru că se considera
că era "prea murdar" în urma difuziei de emitor.
Hoerni a avut ideea de a păstra dioxidul pe suprafaţa plachetelor şi a renunţat la corodarea
"mesa" (fig. 7.1). S-a constatat că în cazul în care dioxidul era suficient de gros astfel încât
impurităţile să nu-l străbată în timpul difuziei (proprietatea de a "masca" difuzia), el asigură o
protecţie excelentă a materialului semiconductor. Mai mult, dioxidul acoperă "zonele critice" ale
joncţiunii şi anume acelea care, prin curbare, ajung la suprafaţa plachetei. În acest fel zona de
sarcină spaţială este protejată de impurităţile din atmosferă (altele decât cele "utile" prin care se
realizează zonele "n" şi "p"), care altfel puteau introduce nivele energetice suplimentare în banda
interzisă şi astfel curentul invers creştea prin fenomenul de generare–recombinare.
 Fig. 7.1. Procedeul "mesa" şi procesul planar.

Al treilea avantaj al oxidului, speculat de Noyce, îl reprezintă posibilitatea de a trece cu

traseele de metal peste joncţiuni, deoarece acestea sunt izolate de către stratul de dioxid de siliciu.
Astfel s-a reuşit să se lege între ele mai multe dispozitive realizate pe suprafaţa aceleiaşi plachete
de siliciu. Metalul, a cărei grosime poate ajunge până la un micro,putea lega componente aflate la
distanţe relativ mari fără să se întrerupă, deoarece suprafaţa rămânea plană, lucru imposibil de
realizat în cazul procesului "mesa". Această idee simplă a avut un impact uriaş.
În cele ce urmează se va ilustra, fără a intra în detalii, modul în care se realizează diferite
elemente de circuit integrat în procesul planar.