Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
Fotorezistul se depune (se "etalează") pe plachete prin centrifugare. Aşa cum se poate
observa în figura 8.1, câteva picături de fotorezist se plasează în centrul plachetei după care
aceasta este rotită cu o turaţie de câteva mii de rotaţii pe minut. Fotorezistul se întinde uniform pe
plachetă formând un strat care, în mod obişnuit, are grosimea de un micron. Sunt şi aplicaţii în care
este nevoie ca stratul de fotorezist să fie mai gros; în acest caz, fie se foloseşte o turaţie mai mică la
echipamentul pe care se realizează depunerea (denumit şi "spiner"), fie se recurge la folosirea unui
fotorezist mai vâscos.
În circuitele integrate actuale, la care întâlnim dimensiuni sub-micronice, se folosesc straturi
de fotorezist mai subţiri de un micron pentru a se putea ajunge la rezoluţia dorită.
După etalare, plachetele cu fotorezist sunt tratate termic pentru evaporarea solventului. În
limba engleză această operaţie se numeşte "pre–bake" (deoarece are loc înaintea operaţiei de
aliniere/expunere) sau "soft–bake" (deoarece temperatura este cel mult egală cu temperatura la
care au loc celelalte tratamente termice în cursul procesului de fotogravură). Tratamentele se
realizează în etuve (în mod obişnuit la 90°C timp de 30 min. pentru fotorezist pozitiv) sau pe plăci
calde ("hot–plate" – la 100°C…115°C timp de 2…5 min. pentru fotorezist negativ).
În continuare plachetele acoperite cu fotorezist şi tratate termic sunt supuse operaţiei de
aliniere/expunere.
Iluminarea fotorezistului depus pe plachetă şi tratat pentru eliminarea solventului se
realizează de regulă printr-o mască ce lasă să treacă radiaţia numai în zonele de interes. În funcţie
de natura radiaţiei, această mască poate fi realizată din materiale diferite. În industria
semiconductorilor se mai foloseşte încă, pentru expunere lămpi cu vapori de mercur care emit în
domeniul ultraviolet şi pentru acest tip de radiaţie se utilizează măşti de sticlă acoperite cu gelatină
fotosensibilă sau cu un strat subţire de crom (600 Å). Gelatina fotosensibilă este asemănătoare celei
de la filmele fotografice cu deosebirea că la developare nu se obţin tonuri de gri, ci numai zone
transparente şi opace (negre).
Măştile cu crom se realizează la rândul lor tot printr-un proces fotolitografic ce utilizează
fotorezist pentru îndepărtarea cromului din zonele ce trebuie să devină transparente.
După cum se ştie, într-un flux tehnologic intervin mai multe operaţii de fotolitografie. Pentru
fiecare astfel de operaţie se foloseşte o mască de sticlă diferită. Desenul de pe mască este reprodus
în fotorezistul etalat pe plachetă. După primul proces fotolitografic configuraţia măştii folosite se va
regăsi pe plachetă. Măştile care vor fi folosite la următoarele procese fotolitografice trebuie aliniate
după desenul rezultat pe plachetă la prima "imprimare". Această operaţie se poate realiza manual
sau automat pe maşini de aliniere/expunere.
În cadrul etapei de aliniere operatorul suprapune semnele de aliniere ce se află pe masca de
sticlă peste semnele de aliniere deja imprimate în straturile subţiri de pe plachetă (oxid, metal etc.).
În cursul acestei operaţii placheta suferă trei mişcări: deplasare stânga–dreapta, deplasare sus–jos
şi rotire faţă de masca de sticlă.
După ce alinierea s-a realizat în limitele de toleranţă impuse, se expune fotorezistul de pe
plachetă prin masca de sticlă.
Expunerea fotorezistului este urmată de developare. Fotorezistul pozitiv este îndepărtat din
zonele expuse, în timp ce fotorezistul negativ rămâne în zonele expuse. Developanţii fotoreziştilor
pozitivi sunt soluţii de hidroxid de sodiu cu diverşi surfactanţi, iar developanţii fotoreziştilor negativi
sunt soluţii de substanţe organice.
Dacă după controlul realizat cu un microscop optic sau microscop electronic se constată că,
în urma operării manuale, s-au depăşit toleranţele admise între desenul de pe plachetă şi imaginea
imprimată în fotorezist, fotorezistul se poate îndepărta şi ciclul va fi reluat.
Pentru a mări rezistenţa fotorezistului la agenţii de corodare ai straturilor subţiri ce urmează a
fi configurate se continuă, de obicei, cu un tratament termic numit "post–bake" sau "hard–bake".
Temperatura nu trebuie să depăşească 120°C deoarece fotorezistul nu mai poate fi îndepărtat cu
uşurinţă după configurarea stratului subţire. După post–bake se poate coroda stratul subţire de
interes folosind fotorezistul ca mască.
Ultima etapă din procesul fotolitografic constă în îndepărtarea fotorezistului, urmată de o
curăţire adecvată a plachetei pentru procesul următor.
Fotorezistul pozitiv se îndepărtează uzual prin imersie într-o baie de acetonă.
Pentru a îndepărta orice urmă de fotorezist (pozitiv sau negativ), plachetele de siliciu sunt
introduse într-o instalaţie ("asher") în care se realizează o plasmă de oxigen care "arde"
contaminanţii organici.
În figura 8.2 se prezintă schematic succesiunea operaţiilor în cadrul procesului de
fotolitografie.
Fig. 8.2. Succesiunea operaţiilor în procesul de fotolitografie.
Tabelul 8.1
Procesele de fotolitografie sunt etape critice în fluxul de fabricaţie deoarece aici se defineşte
geometria circuitului. De asemenea, aceste procese constituie zona îngustă în fluxul de fabricaţie
întrucât acestea sunt mari consumatoare de timp.
Numai etapa de aliniere/expunere necesită cel puţin 1 min/plachetă pentru un operator
experimentat. Echipamentele automate de expunere prin proiecţie au o viteză de câteva plachete pe
oră.
Aşa cum s-a mai arătat, în procesul fotolitografic se poate folosi atât fotorezist pozitiv
(fotorezistul reproduce desenul de pe mască) cât şi fotorezist negativ (fotorezistul reproduce inversul
desenului de pe mască). Principiul de lucru cu cele două tipuri de fotorezist poate fi urmărit în figura
8.3.
Caracteristicile fotoreziştilor pozitivi şi negativi sunt prezentate în tabelul 8.2.
Tabelul 8.2
Observaţie
Fotoreziştii pozitivi au utilizarea cea mai largă datorită rezoluţiei ridicate.
8.1.2. Echipamente tehnologice utilizate în procesele fotolitografice
Fig. 8.5. Principiile de lucru ale procesului de Fig. 8.6. Profilul intensităţii radiaţiei
expunere. pentru cele trei tipuri de expunere.
Particulele de praf pot fi prinse între mască şi plachetă, ceea ce provoacă apariţia de
zgârieturi pe mască. Spre exemplu, un set de mă ti cu gelatină fotosensibilă trebuie înlocuit după
rularea a 25…50 plachete. Spre deosebire de acestea, măştile cu crom sunt mult mai .
Expunerea prin proximitate presupune existenţa unei distanţe de 5…20 µm între mască şi
plachetă în timpul expunerii. Acest tip de expunere prelungeşte viaţa măştilor, dar profilul intensităţii
luminoase este alterat de fenomenele de difracţie de tip Fresnel.
Raportul între desenul de pe mască şi imaginea creată în fotorezistul de pe plachetă în cazul
celor două tipuri de expunere prezentate mai înainte este de 1:1 (nu pot fi micşorate).
Expunerea prin proiecţie prezintă acelaşi avantaj ca şi expunerea prin proximitate, din punct
de vedere al uzurii măştii şi în plus permite, printr-un sistem optic adecvat, reducerea imaginii
proiectate pe plachetă de obicei în rapoartele 1:5 sau 1:10. În acest fel se obţin geometrii foarte fine.
Se poate proiecta pe plachetă imaginea unui singur cip sau al unui grup de cipuri. Pentru a acoperi
întreaga plachetă cu imagini ale cipului este nevoie ca operaţia de expunere să se repete. Maşina
de proiecţie efectuează expuneri repetate prin deplasarea mesei, pe care sunt fixate plachetele pe
două axe perpendiculare. Echipamentul de proiecţie se mai numeşte proiector pas–cu–pas ("step–
and–repeat" sau mai pe scurt "stepper"). Cu toate că aceste echipamente sunt complet
automatizate, datorită operaţiilor repetate de aliniere şi expunere (pentru fiecare cip) impresionarea
completă a unei plachete durează foarte mult.
Chiar dacă profilul radiaţiei nu este net (în acest caz datorită difracţiei de tip Frauhoffer – v.
fig. 8.6) avantajul de a realiza imagini submicronice a făcut ca echipamentele de expunere prin
proiecţie să fie utilizate în exclusivitate de fabricile care realizează cele mai avansate circuite
integrate.
Performanţele unei maşini de proiecţie sunt evaluate, în principal, prin dimensiunea minimă
(lăţimea minimă) a unei linii care poate fi creată în fotorezist.
În ultima perioadă de timp a apărut noţiunea de "nod tehnologic" care se defineşte prin
jumătate din pasul minim ("half pitch") al unei reţele de linii paralele gravate prin tehnici de
fotolitografie în metalul de pe o plachetă de siliciu pentru o tehnologie de memorie DRAM.
În tabelul 8.3 se prezintă previziunea pentru următoarele noduri tehnologice în industria
semiconductorilor.
Tabelul 8.3
(8.1)
unde: k este un factor cuprins între 0,25 şi 1; k depinde de sistemul optic, calitatea fotorezistului şi
latitudinea de procesare (abateri permise); λ – lungimea de undă a radiaţiei folosite pentru expunere;
NA – apertura numerică a sistemului optic.
Apertura numerica a unui sistem optic se defineşte prin relaţia:
(8.2)
Observaţie
Lentilele cu apertura numerică mare au dimensiuni mari şi sunt foarte greu de realizat. Acest
lucru explică costul ridicat al acestor echipamente.
În tabelul 8.4 sunt prezentate câteva surse de radiaţii folosite în prezent precum şi cele care
sunt testate în vederea atingerii următoarelor noduri tehnologice.
Deşi sistemele de expunere bazate pe raze X precum şi cele care folosesc bombardamentul
cu electroni prezintă avantaje evidente din punctul de vedere al lungimii de undă, ele nu sunt încă
folosite în regim industrial.
Sistemele de litografie cu fascicol de electroni ("e-beam") sunt folosite numai pentru
realizarea măştilor care ulterior sunt utilizate de echipamentele de proiecţie în fluxul de fabricaţie.
Tabelul 8.4
(8.3)
Analizând relaţia (8.3) care defineşte DOF şi ţinând seama de faptul că tendinţa actuală este
de a utiliza surse de radiaţii cu lungimea de undă λ cât mai mică şi apertura numerică NA să fie cât
mai mare, se poate trage concluzia că se ajunge la situaţia nefericită ca adâncimea de focalizare să
fie foarte mică.
Pentru sistemele actuale de litografie adâncimea de focalizare are valori cuprinse în
intervalul 1…2 µm.
O atenţie deosebită se acordă, în cazul circuitelor de ultimă tehnologie, planeităţii suprafeţei
plachetei în timpul procesării. De multe ori se recurge la planarizări, după anumiţi paşi de proces,
pentru a menţine calitatea fotolitografiei.
Planarizarea se realizează prin depunerea (prin centrifugare) a unor sticle dielectrice sau
materiale poroase, care ulterior, după evaporarea solvenţilor, sunt polisate mecano–chimic (CMP –
Chemical Mechanical Polishing).
b. Problema măştilor
Începând cu lungimea de undă de 193 nm sticla pe bază de oxid de siliciu folosită ca suport
pentru măşti devine opacă la radiaţia UV îndepărtată (DUV – Deep UV). Din acest motiv suportul
pentru noile măşti este pe bază de CaF2.
Acest material prezintă fenomenul de birefringenţă care trebuie compensat, ceea ce duce la
o complicare suplimentară a sistemului optic. Ca şi cum această problemă nu ar fi fost suficientă,
CaF2 are un coeficient de dilatare termică de aprox. 20 ori mai mare decât al sticlei iniţiale. La
folosirea acestor echipamente trebuie să se ia măsuri deosebite pentru menţinerea unei temperaturi
constante de lucru. Altfel dimensiunile "fug" cu temperatura.
În ceea ce priveşte măştile folosite în procesele fotolitografice se fac în continuare
următoarele precizări.
Măştile, fie că sunt destinate litografiei optice, fie că sunt destinate litografiei cu raze X
(litografia cu raze X foloseşte măşti la care stratul opac este reprezentat de un film subţire de aur
depus pe un suport de nitrură de siliciu) se obţin tot printr-un procedeu fotolitografic.
Impresionarea gelatinei fotosensibile sau a fotorezistului folosit pentru configurarea cromului
(sau aurului – la măştile pentru raze X) se face cu echipamente speciale de tip "foto–plotter" sau
"fascicol de electroni". În limba engleză aceste echipamente poartă denumirea generică de "pattern
generators".
Scanarea măştilor pentru impresionarea gelatinei fotosensibile sau a fotorezistului este
realizată cu un sistem special în baza informaţiilor furnizate de un fişier care conţine desenul măştii.
Desenul măştii este realizat de către proiectanţii de dispozitive discrete şi circuite integrate cu
ajutorul unor programe specializate de tipul CAD.
Pentru a îmbunătăţi profilul intensităţii radiaţiei în cazul expunerii prin proiecţie (profil limitat,
după cum s-a mai amintit, de către difracţia Frauhoffer) se folosesc aşa numitele măşti cu contrast
de fază (PSM – Phase Shift Mask).
Prin corodarea localizată a sticlei care reprezintă suportul pentru stratul subţire de crom sau
prin depunerea localizată peste stratul de crom deja structurat a unor materiale care permit ca
radiaţia să-şi schimbe faza la trecerea prin mască, se poate îmbunătăţi substanţial profilul radiaţiei
care ajunge pe placheta de siliciu.
Îmbunătăţirea continuă a performanţelor sistemelor de fotolitografie a permis creşterea
continuă a densităţii de componente electronice (tranzistoare). În tabelul 8.5 se prezintă, în ordine
cronologică, evoluţia numărului de tranzistoare din procesoarele realizate până în anul 2000.
Tabelul 8.5
Fotolitografia este principalul proces tehnologic care a permis validarea în continuare a legii
lui Moore. Gordon Moore a enunţat în anul 1965 următoarea sintagmă: numărul tranzistoarelor care
se vor regăsi într-un circuit integrat se va dubla la fiecare 18 luni.
În figura 8.8 se prezintă reprezentarea grafică a legii lui Moore preluată de pe pagina de Web
a firmei Intel.
Fig. 8.8. "Legea lui Moore" (sursa – pagina de Web a firmei Intel).
Eforturile financiare sunt uriaşe pentru a găsi soluţiile adecvate ca acest ritm de dezvoltare
să fie menţinut. Rezultatele din acest moment ne permit să fim încrezători că cel puţin în următorii
zece ani legea lui Moore nu îşi va pierde valabilitatea.
8.2. Difuzia impurităţilor în semiconductori
În cele ce urmează se vor prezenta câteva aspecte specifice legate de procesul de difuzie al
impurităţilor în semiconductori cu exemplificări din tehnologia dispozitivelor microelectronice cu
siliciu.
Particulele, într-un ansamblu, tind să se uniformizeze din punct de vedere al concentraţiei.
Deplasarea acestor particule dă naştere la un flux (particule/unitatea de arie) a cărui mărime
se determină cu ajutorul ecuaţiei:
(8.4)
(8.5)
(8.6)
Ecuaţia anterioară se mai numeşte şi ecuaţia simplă de difuzie a lui Fick şi a fost enunţată
pentru prima dată în anul 1855.
Rezolvarea acestei ecuaţii permite determinarea profilului concentraţiei de impurităţi C(x,t).
Cunoaşterea profilului concentraţiei este deosebit de importantă pentru înţelegerea funcţionării
dispozitivelor cu semiconductori şi calculului parametrilor electrici ai acestora. O consecinţă
imediată a cunoaşterii profilului de impurităţi o constituie posibilitatea determinării adâncimii
joncţiunilor.
Se ştie că pentru explicarea funcţionării dispozitivelor cu semiconductori s-a apelat
întotdeauna la modele simplificate ale distribuţiei concentraţiei. Aproape în exclusivitate, pentru
uşurinţa înţelegerii importanţei anumitor parametri, s-au considerat concentraţii constante în zonele
dopate, care se modifică abrupt la joncţiune.
În anul 1952, Pfann a avut ideea de a modifica nivelul conducţiei în semiconductori folosind
impurificarea acestora prin difuzie. De atunci, au fost dezvoltate mai multe tehnici de impurificare
controlată. S-a urmărit întotdeauna modul cum se poate controla concentraţia de impurităţi,
uniformitatea şi reproductibilitatea, precum şi stabilirea unor proceduri care să permită procesarea
simultană a mai multor plachete, astfel încât să fie reduse costurile de fabricaţie.
Se pot folosi trei modalităţi de a introduce impurităţile în siliciu, şi anume:
prin plasarea plachetelor într-un mediu bogat în impuritatea ce urmează a fi folosită (procese
de difuzie);
prin depunerea pe plachetă a unui strat subţire care conţine impuritatea de interes (procese
de tip CVD);
prin folosirea tehnicii de implantare de ioni.
Observaţie
Este necesar să se facă deosebirea între fenomenul de difuzie, care constă în explicarea
mecanismelor şi noţiunea de proces de difuzie utilizat în acest capitol care, se referă la operaţii
tehnologice asociate pe fluxul de fabricaţie.
Există două situaţii în care se pot căuta soluţii pentru ecuaţia de difuzie:
când fenomenul de difuzie are loc cu menţinerea constantă a concentraţiei de suprafaţă;
când cantitatea totală de impurităţi introdusă în semiconductor este menţinută constantă şi
se redistribuie în timp şi spaţiu.
Rezolvarea ecuaţiei de difuzie în primul caz conduce la o soluţie pentru profilul de concentraţie
care este cunoscută în matematică sub denumirea de funcţia complementară de eroare (funcţie
erfc), care are expresia:
(8.7)
Aria de sub distribuţiile de concentraţie din figura 8.9, a reprezintă cantitatea de impurităţi
introdusă în semiconductor pe unitatea de arie şi are expresia:
(8.8)
(8.9)
(8.10)
are loc pentru o valoare x=xj, care este numită adâncimea joncţiunii.
În fluxul tehnologic de realizare a unui dispozitiv cu semiconductori procesul de difuzie are
loc, de obicei, în două etape.
Prima etapă este etapa de introducere a impurităţilor în siliciu – asimilată unui fenomen de
difuzie – în timpul căreia concentraţia de suprafaţă este menţinută constantă. Această primă etapă
este numită predifuzie. Se admite că profilul concentraţiei de impurităţi obţinut după predifuzie este
de tip funcţie complementară de eroare (erfc).
În timpul celei de a doua etape are loc redistribuirea impurităţilor introduse în semiconductor
în timpul predifuziei – asimilată unui fenomen de difuzie – în timpul căruia cantitatea totală de
impurităţi rămâne constantă. Această etapă este numită difuzie propiu-zisă.
Într-o primă aproximaţie se admite că distribuţia finală de impurităţi în urma procesului de
difuzie este de tip Gauss. Se vor prezenta ulterior, abaterile de la acest tip de distribuţie.
Observaţie
Distribuţiile de impurităţi prezentate anterior au rezultat în urma rezolvării ecuaţiei de difuzie
în care coeficientul de difuzie a fost considerat constant pentru o temperatură dată.
(8.11)
Fără a intra în detalii, forma atipică a acestui profil de distribuţie poate fi explicată prin faptul
că mecanismele de difuzie depind de concentraţia atomilor de fosfor. Astfel, în domeniul
concentraţiior scăzute coeficientul de difuzie este obţinut în principal prin mecanismele asociate
vacanţelor încărcate negativ, lucru ce conduce la formarea "cozii" distribuţiei, aşa după cum se
poate vedea şi în figura 8.12.
8.2.4. Implementarea practică a procesului de difuzie
Procesul de difuzie are loc în acelaşi tip de cuptoare ca şi procesul de oxidare, care va fi
prezentat ulterior.
După cum s-a mai menţionat, procesul de difuzie se execută de obicei, în două etape:
predifuzia şi difuzia propriu-zisă.
Dacă etapa de predifuzie este similară pentru toate tipurile de impurităţi, etapa de predifuzie
este specifică fiecărui tip de impuritate deoarece pentru fiecare impuritate se folosesc anumiţi
precursori.
De exemplu, în cazul predifuziei de bor (B) sursa de bor poate fi gazoasă, lichidă sau solidă.
Fiecare fabricant apelează la metoda pe care o stăpâneşte cel mai bine.
Sursele gazoase sau lichide se introduc direct în cuptor (tubul de cuarţ) o dată cu gazele
purtătoare (azot sau oxigen).
Dacă se utilizează diboranul (B2H6) ca sursă de bor, acesta este introdus în cuptor în acelaşi
timp cu oxigenul.
În cuptor au loc următoarele reacţii chimice:
În urma reacţiei se formează un strat de dioxid de siliciu puternic dopat cu fosfor ("sticla de
fosfor"). Sticla de fosfor acţionează în continuare ca sursă de difuzie.
a. Oxidare termică. Plachetele sunt introduse în instalaţii numite cuptoare de oxidare unde,
la temperaturi cuprinse între 900°C şi 1200°C şi în atmosferă oxidantă (oxigen şi/sau vapori de
apă), are loc un proces de creştere al oxidului în condiţiile unui control riguros al vitezei. Oxidarea
termică se efectuează de obicei la presiune atmosferică. Există situaţii în care oxidarea termică se
poate face şi la presiune ridicată cu scopul de a obţine viteze mai mari de creştere ale stratului de
oxid.
b. Oxidare anodică. Oxidarea are loc în celule de electroliză. Acest proces este folosit când
se doreşte să se obţină dioxid de siliciu la temperatura camerei. Calitatea dioxidului obţinut nu este
foarte bună (prezintă defecte, nu este suficient de compact). Oxidarea anodică a fost folosită iniţial
pentru determinarea profilului difuziei de impurităţi în siliciu.
c. Oxidare în plasmă. Plachetele sunt introduse în incinte vidate în care se realizează plasma de
oxigen. Acest procedeu este folosit când este necesar să se obţină un strat de dioxid de calitate
bună la temperaturi scăzute.
Atât oxidarea termică, cât şi oxidarea anodică, au loc cu consum de siliciu. În ambele
situaţiile la o grosime x de dioxid de siliciu se consumă aprox. 0,44⋅x din grosimea plachetei de
siliciu.
d. Depunere de oxid prin tehnici CVD (Chemical Vapor Deposition – depunere chimică din
faza de vapori). În acest caz plachete sunt introduse în instalaţii speciale numite de obicei
reactoare, unde au loc reacţii chimice în urma cărora se depun straturi subţiri de oxid pe un anumit
substrat (nu neapărat plachetă de siliciu). Procesul cel mai întâlnit se bazează pe reacţia dintre silan
(SiH4) şi oxigen (O2) care se desfăşoară la temperaturi cuprinse între 400°C şi 450°C. Depunerea
stratului de oxid prin această metodă este folosită pentru a realiza izolarea electrică între diferite
nivele de metalizare.
e. Depunere de oxid prin tehnici PVD (Physical Vapor Deposition – depunere fizică din faza
de vapori). Procesul constă în evaporarea dioxidului de siliciu în instalaţii vidate şi depunerea
acestuia pe substraturile de interes. Stratul subţire de dioxid de siliciu realizat în acest fel nu este
suficient de dens şi compact pentru a asigura o izolare electrică de calitate.
În cele ce urmează se vor aborda câteva aspecte tehnologice legate de oxidarea termică a
siliciului.
Prin acest tip de proces de oxidare se obţin oxizi de foarte bună calitate (câmp de
străpungere ridicat, curenţi de pierderi mici, compactitate crescută).
O atenţie deosebită s-a acordat studierii fenomenului de oxidare termică pentru a dispune de
instrumente de predicţie cu care să se simuleze creşterea stratului de oxid.
Pentru grosimi ale stratului de oxid ce depăşesc 200…500 Å, modelul Deal-Grove
generează rezultate coerente.
Conform acestei teorii creşterea stratului de dioxid de siliciu poate fi modelată cu ajutorul
următoarei relaţii:
(8.15)
unde: xox este grosimea stratului de oxid; B/A – constanta creşterii liniare a oxidului; B – constanta
creşterii parabolice a oxidului; t – durata procesului de oxidare; τ – durata procesului de oxidare
prin care s-ar obţine grosimea iniţială a oxidului existent pe placheta înaintea procesului curent de
oxidare, în aceleaşi condiţii de temperatură.
În prima fază a procesului creşterea stratului de oxid respectă o lege liniară dată de relaţia:
(8.16)
După un anumit interval de timp viteza de creştere a oxidului începe să scadă deoarece
oxigenul trebuie sa difuzeze prin stratul de oxid deja format. Pentru straturi mai groase de oxid este
valabilă următoarea lege de creştere parabolică:
(8.17)
Valorile constantelor B/A şi B ce intervin în relaţiile (8.16) şi (8.17) în funcţie de temperatură
şi de mediul oxidant (oxigen sau vapori de apă) se determină cu ajutorul nomogramelor de tipul
celor din figura 8.17.
Când s-a prezentat tehnologia de realizare a tranzistoarelor MOS, s-a făcut o menţiune
specială despre numărul şi felul sarcinilor electrice care pot fi "prinse" în oxid.
Observaţii
Sarcinile mobile din oxid (ionii de sodiu) pot fi reduse dacă în oxigenul sau vaporii care trec
prin cuptorul de oxidare se adaugă 1…5% HCl sau 1% TCE (tricloretilena). Numărul sarcinilor fixe
scade dacă oxidul este crescut pe plachete cu orientarea (100). Deoarece numărul de atomi de
siliciu cuprinşi în planul cu orientarea (111) este mai mare decât numărul de atomi cuprinşi în
celelalte planuri de interes şi viteza de creştere a oxidului pe o plachetă cu orientarea (111) este mai
mare decât în celelalte cazuri.
Oxidarea termică provoacă tensiuni mecanice la suprafaţa plachetei de siliciu care conduc la
apariţia unor defecte punctuale sau liniare în structura cristalină a semiconductorului. Fabricanţii de
dispozitive semiconductoare au dezvoltat reţete de oxidare care să minimizeze efectele nedorite ale
oxidării asupra parametrilor finali ai dispozitivelor în cauză.
Din punct de vedere practic, oxidarea termică are loc în aşa numitele "cuptoare de oxidare".
Acelaşi tip de cuptor este folosit şi pentru difuzia impurităţilor în siliciu.
Un cuptor de oxidare/difuzie este alcătuit dintr-un tub de cuarţ (mai rar se utilizează şi tuburi
din carbură de siliciu) încălzit de o rezistenţă electrică care îl înconjoară.
Tubul de cuarţ poate fi aşezat orizontal (clasic) sau vertical (fabricile care utilizează plachete
cu diametre mari). Diametrul tubului trebuie să permită introducerea plachetelor. Plachetele de siliciu
se aşează pe o nacelă din cuarţ care este introdusă în tub de obicei cu ajutorul unui echipament
automat care asigură o anumită viteză de introducere/extragere. Viteza cu care se introduc/extrag
plachetele din cuptor influenţează tensiunile mecanice induse în plachetă de diferenţa de
temperatură dintre interiorul tubului şi mediul ambiant exterior. O viteză mare de
introducere/extragere poate conduce chiar la deformarea plachetelor şi în consecinţă la
imposibilitatea de realizare a proceselor de fotolitografie.
În cadrul proceselor industriale, în cuptoarele de oxidare/difuzie se introduc un număr de
25…100 plachete simultan. Pentru aceasta, de-a lungul tubului (pe o distanţă de 400…600 mm)
trebuie să existe un palier de temperatură. Un echipament electronic adecvat asigură o abatere a
temperaturii pe palier mai mică de 1°C. Acest lucru este important pentru a asigura
reproductibilitatea procesului de oxidare pe fiecare plachetă în parte.
În figura 8.20 se prezintă un cuptor de oxidare/difuzie orizontal cu patru tuburi. În faţa "gurii"
tuburilor sunt plasate mecanismele de introducere/extragere a plachetelor. În spatele tuburilor se
află distribuitoarele de fluide (N2, O2, vapori H2O, H2, HCl etc.).
Observaţie
Procesele "clasice" de oxidare/difuzie au loc la presiune atmosferică în tuburi deschise.
Pentru a preveni contaminarea tuburilor cu impurităţile care ar pătrunde prin gurile de acces,
întotdeauna tuburile sunt purjate cu gaze inerte (de obicei N2), chiar dacă nu se efectuează procese
de oxidare/difuzie. Pentru a preveni contaminarea între diferitele procese ce se desfăşoară în
acelaşi tub (de exemplu, contaminarea oxidului MOS de la un proces de difuzie anterior efectuat în
acelaşi tub), fiecărui proces de oxidare sau de difuzie i se alocă un tub separat.
8.4. Procesul de impurificare prin implantare de ioni
Implantarea de ioni este un proces echivalent predifuziei din cadrul procesului de difuzie.
Practic, dacă se doreşte ca impurităţile introduse în semiconductor prin implantare să fie redistribuite
pe o adâncime mai mare, este nevoie de un proces de difuzie propriu-zisă.
Echipamentul utilizat se numeşte implantator de ioni. Acesta este un accelerator de
particule, care accelerează ionii impurităţilor de interes către placheta de semiconductor. Datorită
energiei primite în procesul de accelerare ionii pătrund pe o anumită adâncime în placheta de
semiconductor.
Structura unui implantator de ioni se poate urmări în figura 8.24.
Implantatorul este prevăzut cu un sistem de vid înalt conceput după principiul ce va fi descris
în capitolul dedicat proceselor de metalizare.
Implantatorul dispune de o sursă de ioni. În această zonă se introduce substanţa care
conţine atomii de impuritate. În mod uzual, ca sursă de bor se foloseşte BF3 iar ca sursă de fosfor,
fosforul roşu. BF3 disociază în ioni de B şi BF2 iar vaporii de fosfor (obţinuţi după încălzirea fosforului
roşu la cca. 600°C) sunt ionizaţi, obţinându-se ioni de fosfor.
Ionii sunt preluaţi din sursă cu ajutorul tensiunii de extracţie şi sunt direcţionaţi către
analizorul de masă. Aici ionii utili sunt separaţi din fluxul de ioni şi sunt dirijaţi către plachetele care
trebuie bombardate.
Înainte de a ajunge pe plachete, ionii sunt acceleraţi, după care sunt delectaţi printr-un
sistem care asigură baleiajul.
În zona de accelerare ionii capătă energia de implantare necesară, care constituie unul din
parametrii procesului de implantare. În general, industria dispozitivelor bazate pe siliciu foloseşte
implantatoare care realizează energii de până la 200 keV.
Energia de implantare determină adâncimea joncţiunii. Este interesant de remarcat că în
timpul aceluiaşi proces se poate modifica atât energia de implantare cât şi doza corespunzătoare
acelei energii, ceea ce face ca tehnologul să aibă la dispoziţie un mijloc prin care să ajusteze profilul
concentraţiei de impurităţi (fig. 8.25).
Doza de implantare este al doilea parametru care caracterizează procesul şi se exprimă în
ioni/cm2. În general, dozele folosite în industria semiconductorilor se situează intre 1011 cm-2 şi 1016
cm-2. Doza sau cantitatea de ioni implantată depinde de timpul de implantare. Realizarea unor doze
mai mari de 1016 cm-2 cu implantatoarele uzuale este prohibitivă datorită timpului îndelungat
necesar pentru a realiza doza respectivă (durează mai mult de 10 ore).
Fascicolul de ioni baleiază placheta pe verticală (implantatoare clasice) şi pe orizontală
(implantatoare care procesează plachetă cu plachetă). La implantatoarele clasice baleiajul pe
orizontală este asigurat de deplasarea suportului pe care sunt aşezate plachetele.
Două probleme majore sunt asociate procesului de implantare de ioni:
deteriorarea reţelei cristaline a semiconductorului datorată bombardamentului cu ioni;
implantarea prin canale (channeling).
Bombardamentul cu ioni deplasează şi atomii de semiconductor din nodurile reţelei. Atât
pentru reordonarea reţelei, cât şi pentru ca ionii de impuritate introduşi prin implantare să capete
poziţii substituţionale, este nevoie să se realizeze un tratament termic post–implantare. Temperatura
tratamentului trebuie să permită, pe de o parte, activarea tuturor impurităţilor implantate şi pe de altă
parte, să nu conducă la deplasarea atomilor de impuritate prin difuzie. Pentru impurităţile uzuale
temperatura de activare este situată între 600°C şi 900°C.
Channelingul reprezintă deplasarea ionilor implantaţi prin canalele reţelei cristaline "văzute"
de ioni incidenţi în plachete.
Acest lucru conduce la o mărire necontrolată a adâncimii joncţiunii. Pentru a minimiza acest
efect, plachetele se înclină faţă de fascicolul incident astfel încât ionii să fie împrăştiaţi prin ciocnirea
cu nodurile reţelei cristaline.
Tehnologia MOS prin care se realizează circuitele de mare densitate (memorii,
microprocesoare) utilizează în exclusivitate procesele de implantare de ioni pentru realizarea
joncţiunilor.
Implantarea de ioni are şi ea anumite limitări datorate faptului că joncţiunile sunt puţin adânci,
iar concentraţiile de suprafaţă sunt mai reduse decât în cazul difuziei. Din punct de vedere economic
implantarea de ioni este un proces scump.
8.5. Procese de metalizare
a. Evaporarea în vid
Echipamentele de evaporare în vid, ca şi cele de sputtering, implantare de ioni sau MBE
(Molecular Beam Epitaxie) dispun de un sistem care permite obţinerea unui vid înaintat. Prin vid
înaintat se înţelege o presiune mai mică de 10-5 torr. În mod uzual, un echipament de vid înalt
realizează 10-7…10-6 torr, iar echipamentele performante pot realiza 10-10 torr şi chiar mai puţin.
În cazul evaporării în vid, dar în mod special în procesele MBE, un vid înalt este esenţial
pentru a realiza straturi subţiri slab contaminate.
O "instalaţie de vid" este formată în general din următoarele trei componente:
camera de lucru vidată pentru evaporare, sputtering, implantare de ioni etc.;
pompa de vid înalt;
pompa de vid preliminar.
O reprezentare schematică a unei instalaţie de vid este ilustrată în figura 8.28.
Pompa de vid preliminar poate să realizeze o presiune de 10-2 torr. Aceasta este o pompă
mecanică rotativă cu ulei.
Pompele de vid înalt pot fi de mai multe tipuri:
pompe de difuzie cu ulei;
pompe turbomoleculare;
pompe criogenice.
Pompele de difuzie pentru vid înalt sunt deosebit de robuste. Principiul de lucru constă în
evaporarea unui ulei special ale cărui molecule "prind" "moleculele de aer" din spaţiul de deasupra
pompei (care este în legătură cu camera de lucru).
Stratul subţire depus pe cristal modifică frecvenţa de oscilaţie a acestuia, care este
interpretată de un sistem adecvat, în grosime de material depus.
Prin evaporare şi pulverizare catodică (sputtering) se pot depune în vid atât metale cât şi
materiale dielectrice. Grosimea tipică pentru un strat subţire metalic folosit la interconexiuni este de
1 µm.
Avantajul depunerii prin pulverizare în vid îl constituie o mai bună acoperire a denivelărilor de
pe substrat (plachete de siliciu) şi o mai bună aderenţă a stratului subţire la substrat.
8.6. Procese de depunere chimică din fază de vapori (CVD)
Procesele CVD sunt procese prin care se realizează straturi subţiri care se depun pe
suprafaţa plachetelor de semiconductor. Aceste straturi pot avea rol de surse de difuzie, de izolator
între nivelele de metalizare, de mască etc.
Procesele CVD se pot realiza la presiune atmosferică (APCVD) sau în vid (LPCVD – Low
Pressure CVD).
Straturile subţiri cel mai des realizate prin CVD sunt cele de dioxid de siliciu. Tehnica APCVD
permite depunerea de dioxid de siliciu peste straturile de metal la temperatură scăzută (400°C).
Temperatura scăzută previne topirea metalului şi difuzia acestuia în oxidul termic sau în
semiconductor.
Prin LPCVD se realizează straturi de dioxid de siliciu la temperaturi de aprox. 700°C având
ca precursor TEOS (TetraEtilOrtoSilicat).
Dioxidul de siliciu realizat prin CVD nu are calităţile celui obţinut prin oxidare termică, însă
este de neînlocuit pentru aplicaţii de tipul celor amintite anterior.
Un proces special de tip CVD este cel de epitaxie.
Prin procesul de epitaxie se depun straturi de semiconductor care reproduc structura
cristalină a substratului de semiconductor (dacă substratul are orientarea (111) atunci şi stratul
epitaxial are aceiaşi orientare).
Procesul de depunere al siliciului se poate face pe orice alt substrat numai că stratul subţire
astfel obţinut este policristalin. Astfel, dacă se realizează un proces de epitaxie pe o plachetă parţial
oxidată, în zona neoxidată se obţine un strat de siliciu cristalin iar peste zona oxidată se obţine un
strat de siliciu policristalin. Siliciul policristalin este folosit la realizarea electrodului de poartă în
tranzistoarele MOS.
În figura 8.32 sunt prezentate schemele unor tipuri de reactoare folosite pentru procesul de
epitaxie.
Precursorii folosiţi în mod uzual în procesul de epitaxie sunt tetraclorura de siliciu (SiCl4) şi
diclorsilanul (SiH2Cl2). Reacţiile care au loc în reactor sunt cele de mai jos.
Pentru SiCl4:
SiCl4 (gaz) + 2H2 (gaz) = Si (solid) + 4HCl (gaz) (8.19)
Pentru SiH2Cl4:
SiH2Cl4 = SiCl2 + H2 (8.20)
Utilizarea hidrogenului în aceste reacţii chimice face ca procesul de epitaxie să fie unul cu
grad înalt de pericol.
8.7. Procese de corodare în plasmă
Corodarea straturilor se poate realiza printr-un procedeu umed folosind o soluţie adecvată
sau uscat, în plasmă.
Prin ambele procedee se pot obţine atât corodări izotrope, cât şi anizotrope, depinzând de
tipul de corodant sau de tipul de instalaţie cu plasmă utilizată.
Corodarea în plasmă se bazează pe reactivitatea chimică ridicată a ionilor unor elemente
chimice sau substanţe. Plasma se obţine prin aplicarea unui câmp electric şi/sau magnetic într-o
incintă vidată care conţine gazul ce urmează a fi ionizat. În aceste echipamente, vidul are o valoare
situată între 10-4…10-1 torr.
Din punct de vedere practic se poate obţine plasmă, dacă într-o incintă (tub de cuarţ, de
exemplu) se face vid cu o pompă rotativă cu ulei, după care se introduce gazul de lucru, de exemplu
freon (CF4). În exteriorul tubului se aplică pe mai multe perechi de electrozi (capacitiv) sau printr-o
bobină (inductiv) o tensiune de radiofrecvenţă. Această tensiune generează un câmp de
radiofrecvenţă în interiorul tubului, care provoacă ionizarea gazului (fig. 8.35).
Ionii astfel formaţi (ioni de freon, de exemplu) atacă substraturile introduse în plasmă şi
formează compuşi volatili care sunt extraşi spre atmosferă de către pompa de vid.
Un astfel de aranjament experimental permite realizarea de corodări izotrope.
O aplicaţie a corodării izotrope în plasmă o constituie îndepărtarea fotorezistului în plasmă de
oxigen.
Fig. 8.35. Instalaţie de plasmă pentru corodări izotrope.