Amplificatoare de bandă largă

1. În figura 1 este prezentată schema de principiu a unui etaj

compus CC-EC
Rezistenţa Rezistenţa
de intrare de ieşire

+
T1
T2
Ein Uo
- RE RC RL

Figura 1
Uo
Amplificarea în tensiune Au= este aproximativ:
Ein
a) Au = g m1 ( RC RL ) ;
b) Au = g m 2 ( RC RL ) ;
c) Au = − g m1 ( RC R L ) ;
d) Au = − g m 2 ( RC RL ) .
unde:

gm1 transconductanta lui T1

gm2 transconductanta lui T2

2. În figura 1 este prezentată schema de principiu a unui etaj

compus CC-EC. Impedanţa (rezistenţa) de intrare în regim
cvasistatic de semnal mic este aproximativ
a) Rin = β1 (RE RC ) ;
b) Rin = β 2 (RE RC ) ;
c) Rin = β1 (RE rπ 2 ) ;
d) Rin = β 1 (RE rπ 1 ) .

3. În figura 1 este prezentată schema de principiu a unui etaj

compus CC-EC. Impedanţa (rezistenţa) de ieşire în regim
cvasistatic de semnal mic este aproximativ:
(
a) Ro = RE RC ; )
 b) Ro = RL ;
c) Ro = RC ;
d) Ro = β1 (R E rπ 1 ) .

4. În figura 2 este prezentată schema de principiu a unui etaj

compus CC-CC Impedanţa (rezistenţa) de intrare în regim
cvasistatic de semnal mic este aproximativ:

T1
+ T2
Ein
- IP RL Uo

Rezistenţa Rezistenţa
de intrare de iesire
Figura 2
a) Rin = rπ 1 ;
b) Rin = β 1β 2 rπ 2 ;
c) Rin = β1β 2 RL ;
d) Rin = β 1 RL .

5. În figura 2 este prezentată schema de principiu a unui etaj

compus CC-CC. Impedanţa (rezistenţa) de ieşire în regim
cvasistatic de semnal mic este aproximativ:
1
a) Ro ≅ ;
g m2
b) Ro ≅ RL ;
1
c) Ro ≅ ;
g m1
R
d) Ro ≅ L .
β2

6. În figura 2 este prezentată schema de principiu a unui etaj

Uo
compus CC-CC. Amplificarea în tensiune Au= este
Ein
 aproximativ:
a) Au = g m1RL ;
b) Au = g m 2 RL ;
c) Au = − g m 2 RL ;
d) Au = 1.

7. În figura 3 este prezentată configuratia Darlington. Beta (β )

tranzistorului compus este aproximativ:

T1

T2

Figura 3
a) βc =1;
b) βc = β1 ;
c) βc = β2 ;
d) βc = β1 β 2 .

8. În figura 4 este prezentată schema de principiu a unui etaj

compus EC-BC. Impedanţa (rezistenţa) de intrare în regim
cvasistatic de semnal mic este aproximativ:
Rezistenţa Rezistenţa
de intrare de ieşire
T2

T1 RC Uo
Uin

Figura 4
a) Rin = rπ 1 ;
b) Rin = β 1 β 2 rπ 2 ;
c) Rin = β1β 2 RC ;
 d) Rin = β1RC .

9. În figura 4 este prezentată schema de principiu a unui etaj

compus EC-BC. Impedanţa (rezistenţa) de ieşire în regim
cvasistatic de semnal mic este aproximativ:
1
a) Ro ≅ ;
g m2
b) Ro ≅ RC ;
1
c) Ro ≅ ;
g m1
R
d) Ro ≅ C .
β2

10. În figura 4 este prezentată schema de principiu a unui etaj

Uo
compus EC-BC. Amplificarea În tensiune Au= este
U in
aproximativ:
a) AU ≅ g m1 RC ;
b) AU ≅ g m 2 RC ;
c) AU ≅ − g m1 RC ;
d) AU ≅ − g m 2 RC .

11. Figura 5 prezinta un etaj diferenţial.

 +EC

RC RC

iC1 uO1 uO2

iC2

T1 T2
uI1 uI2

IE RE

-EE
Figura 5
Schema echivalentă de semnal mare regim cvasistatic este:
a.) b.)
+EC +EC

RC RC RC RC

uO1 uO2 uO1 uO2

B1 C 1 C 2 B2 B1 C 1 C 2 B2
iC1 iC2 iC1 iC2
uI1 E1 E2 uI2 uI1 E1 E2 uI2

IE RE IE RE

-EE -EE

c.) d.)
+EC +EC

RC RC RC RC

uO1 uO2 uO1 uO2

B1 C 1 C 2 B2 B1 C 1 C 2 B2
iC1 iC2 iC1 iC2
uI1 E1 E2 uI2 uI1 E1 E2 uI2

IE RE IE RE

-EE -EE
12. Pentru etajul diferenţial tensiunea de intrare pe mod diferenţial
(notaţiile sunt cele din figura 6) este:

RC RC

Uo1 Uo2
B1 C 1 C 2 B2
rπ1 iC1 iC2 rπ2
Ui1 E1 E2 Ui2

IE RE

Figura 6
U i1 − U i 2
a) U id = ;
2
b) U id = U i1 − U i 2 ;
c) U id = U i1 + U i 2 ;
U + Ui2
d) U id = i1 .
2

13. Pentru etajul diferenţial tensiunea de intrare pe mod comun

(notaţiile sunt cele din figura 6) este:
U i1 − U i 2
a) U ic = ;
2
b) U ic = U i1 − U i 2 ;
c) U ic = U i1 + U i 2 ;
U + U i2
d) U ic = i1 .
2

14. Pentru etajul diferenţial tensiunea de ieşire pe mod comun

(notaţiile sunt cele din figura 6) este:
U o1 − U o 2
a) U oc = ;
2
 b) U oc = U o1 − U o 2 ;
c) U oc = U o1 + U o 2 ;
U + U o2
d) U oc = o1 .
2

15. Pentru etajul diferenţial tensiunea de ieşire pe mod diferenţial

(notaţiile sunt cele din figura 6) este:
U o1 − U o 2
a) U od = ;
2
b) U od = U o1 − U o 2 ;
c) U od = U o1 + U o 2 ;
U + U o2
d) U od = o1 .
2

16. Semicircuitul pe mod diferenţial pentru etajul de amplificare

diferenţial din figura 5 este:
a.) b.)
Ib B C Iid B C
rπ1 Ube Ux gmUbe
Uid Uod
Ie RC rπ1 RC
Uid E Uod 2 2
2RE E
Ube1 gmUbe1
c.) d.)
Iid B C Ib B C
rπ1 Ube Ux gmUbe
Uid Uod
rπ1 RC Ie RC
2 2 Uid E Uod
E 2RE
Ube1 gmUbe1

17. Semicircuitul pe mod comun pentru etajul de amplificare

diferenţial din figura 5 este:
a.) b.)
Ib B C Iic B C
rπ1 Ube1 gmUbe1
Uic Uoc
Uic Ie RC Uoc rπ1 R
E 2RE 2 E 2
Ube1 gmUbe1
 c.) d.)
Iic B C Ib B C
rπ1 Ube1 gmUbe1
Uic Uoc
rπ1 R Uic Ie RC Uoc
2 E 2 E 2RE
Ube1 gmUbe1

18. Câstigul pe mod diferenţial al etajului diferenţial prezentat în

figura 5:
U od
a) Ad = = g m RC ;
U id
U 1
b) Ad = od = − g m RC ;
U id 2
U
c) Ad = od = − g m RC ;
U id
U 1
d) Ad = od = g m RC .
U id 2
Răspunsuri corecte

1. Răspuns corect d.) 10. Răspuns corect c.)

2. Răspuns corect c.) 11. Răspuns corect b.)
3. Răspuns corect c.) 12. Răspuns corect b.)
4. Răspuns corect c.) 13. Răspuns corect d.)
5. Răspuns corect a.) 14. Răspuns corect d.)
6. Răspuns corect d.) 15. Răspuns corect b.)
7. Răspuns corect d.) 16. Răspuns corect b.)
8. Răspuns corect a.) 17. Răspuns corect a.)
9. Răspuns corect b.) 18. Răspuns corect c.)