Chimia Materialelor

Studiu de caz

Câtă chimie presupune realizarea

unui calculator?
 Cum se ajunge de la
la

?
 De ce este Si aşa de special?
Număr atomic : 14; Masă atomică : 28,0855

• Siliciul este al doilea element ca răspândire

în scoarţa terestră (25,7%) după oxigen

• Siliciul este un semiconductor

Semiconductorii au o proprietate foarte
specială: conductivitatea lor electrică poate fi
controlată

• Cum?
De ce este Si aşa de special?
Doparea Si: înlocuirea unor atomi de Si cu alţi atomi

Electroni: tip n (-)

Goluri :tip p (+)
Realizarea unui microchip
Fabricarea substratului de Si

A. Obtinerea Si din nisip

SiO2 + 2C → Si + 2CO 1500-2000oC

în cuptoare electrice cu un exces de

SiO2

De ce ?

Concomitent se poate forma SiC,

excesul de SiO2 îndepărtează carbura,
conform reacţiei:

SiO2+ SiC → 3Si + CO

B. Hidroclorurarea Si

Si + 3HCl → SiHCl3 + H2 ; 300oC

De ce ? Un lichid e mai uşor de purificat

C. Distilarea fracţionată a triclorsilanului

P.f.=31,8oC, îndepărtarea impurităţilor electric active Fe, Al, B;

impurităţile rămase < 1 ppb (10-9)
 D. Obţinerea siliciului policristalin
SiHCl3 + H2 → Si + HCl ; 1100oC

O parte din triclorsilan se transformă în SiCl4, un produs secundar care se

îndepărtează, si se utilizează în continuare la obţinerea siliconilor

Ce este siliciul policristalin?

Siliciul constituit din
numeroase cristalite
orientate diferit, care
influenţează în mod
negativ proprietăţile
electrice, fapt ce
impune realizarea
unui singur cristal,
monocristal de siliciu
Monocristal de Si
Si policristalin
 E. Creşterea de monocristale de Si prin
metoda Czochralski
• Si se topeşte într-o incintă închisă

• se introduce un germene de
cristalizare şi se reglează
temperatura

• tragerea, o dată cu germenele de

cristalizare, este rapidă la început
pentru a obţine un monocristal

• ulterior viteza de creştere se reduce

la câţiva mm/s; are loc creşterea
monocristalului

• rotirea monocristalului se face

pentru a menţine o creştere
uniformă
 Fotolitografie
A. Curăţirea substratului de Si
substratul de Si se curăţă cu solvenţi foarte
puri
-pentru compuşii organici: H2O2 + H2SO4
-pentru oxizi: HF De ce?

B. Creşterea unui strat de SiO2 SiO2 este izolator

şi este folosit ca
Cum?
barieră de difuzie
pentru straturile
Si + O2 → SiO2; 700-1200oC
conductoare
→SiO2 +2H2;700-1200oC
Si+H2O→
C. Aplicarea fotorezistului
Ce este un fotorezist?
3 componenti:
-răşină (liant)-polimer
-compus fotoactiv
-solvent organic

Răşina: Novolak, primul polimer sintetic produs industrial (1910);

se obţine prin condensarea fenolilor cu formaldehida catalizată acid
Compusul fotoactiv: reacţionează cu lumina
UV; influenţează solubilitatea răşinii în apă;
conţine grupări diazonaftochinonice

Solventul: foarte important în realizarea unei

soluţii de acoperire stabile; de exemplu 2-
heptanona, CH3-CO-C5H11

Depunere prin centrifugare (spin-

coating)

-pentru a realiza un strat uniform de fotorezist se pun

câţiva ml din amestecul de soluţii pe un substrat de Si,
iar apoi se centrifughează cu o viteza de 5000 rpm timp
de câteva secunde

-se usucă la 90-110oC, când are loc si evaporarea

solventului
D. Iradierea filmului de fotorezist printr-o
mască
Ce se întâmplă?
E. Developarea pattern-ului

-soluţie de developare
NaOH, KOH
Ce se întâmplă?

Compusul fotoactiv reacţionează cu hidroxidul

şi solubilizează fotorezistul ⇒ rezulta o portiune
umbrita
 F. Corodarea substratului

Realizarea primului strat

Cum ?
Utilizarea unui reactiv care ataca selectiv SiO2, nu şi Si

Corodarea SiO2 expus

Corodare umedă: soluţie de HF

Corodare uscată: plasmă de

CF4 +H2(aplicarea unei tensiuni
mari duce la formarea CFx+)

Se îndepărtează fotorezistul pentru a obtine stratul de SiO2

G. Creşterea celui de-al doilea strat de SiO2 şi
Si policristalin

Cum se realizează creşterea celui de-al doilea strat de SiO2 ?

Se utilizează depunerea chimică din stare de vapori (CVD)

Nu se poate utiliza un proces termic ca şi în cazul anterior deoarece acest

procedeu se utilizează în cazul filmelor foarte subţiri de oxizi (≈
≈ 10nm) :

Si + O2 → SiO2
 Depunerea chimică din stare de vapori

are loc atunci când produsul Cum?

solid al unei reacţii chimice se
depune pe o suprafaţă, de obicei
la temperaturi ridicate, pornindu- Se lucrează la presiune scăzută
se de la precursori volatili
De ce?

Capătul de ieşire a gazului este cel mai fierbinte Asigură un proces de

creştere lent şi uniform
De ce ?

Concentraţia de gaz este cea mai mică, astfel că se accelerează reacţia pentru a obţine
aceeaşi grosime a filmelor de SiO2 şi Si policristalin.
 Depunerea chimică din stare de vapori
SiO2

TEOS = tetraetilortosilicat
Avantaje:se formează oxizi de calitate
nu se formează HCl
reacţia are loc la temperaturi mai scăzute

Si policristalin
• foarte uşor de dopat pentru a face un semiconductor de tip n- sau p- prin adaos de
AsH3 sau PH3 în gazul de reacţie

• DAR, AsH3 sau PH3 sunt foarte toxice, iar HCl este foarte coroziv şi periculos

• Pentru doparea Si cu As sau P se foloseşte implantarea ionică

 Depunerea fotorezistului şi
pattern-area

Pentru a realiza un microchip operaţia se repetă de aproximativ 20 de ori

 H. Depunerea metalului pe substrat
-asigură legătura electrică dintre straturi
-se poate realiza prin depunere fizică din stare
de vapori (PVD) se depun vapori metalici pe
un subsrat, de exemplu Au
-initial s-a utilizat Al, iar mai nou Cu depus
prin CVD

unde
Cu(hfa)2=hexafluoroacetilacetonat de Cu
• Pe un singur substrat se fac numeroase circuite
integrate (microchip-uri)

• Suprafaţa fiecărui chip este testată

• Microchip-urile sunt tăiate cu scule diamantate

• Tendinţe: miniaturizare şi integrare

• Dificultăţi: costul, fotolitografia şi stratul izolator de

SiO2

• Soluţia: utilizarea moleculelor ca şi dispozitive

electronice active...
 Concluzii
• realizarea unui microchip este complexă

• presupune şi multă chimie

• sunt necesare substanţe şi reactivi foarte puri (Si,

solvenţi, fotorezist)

• se utilizează fotolitografia pentru microfabricatie

• sunt necesare mai multe pattern-ări

• viitorul: electronica moleculară, electronica de

spin(spintronica)?