Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
doc
SEMINARUL NR.2
Se dă un tranzistor, considerat unilateral ( s12 ≅ 0 ) care, la frecvenţa de 1 GHz, are
parametrii s de mai jos, exprimaţi în format MAGANG (modul/fază), pentru impedanţa
de referinţă de 50Ω:
F(GHz) |s11| ϕ11 |s21| ϕ21 |s12| ϕ12 |s22| ϕ22
1,000 0,825 157 3,16 102 0,001 45 0,8 -18
Se cer următoarele:
1. Exprimarea parametrilor de mai sus în format DBANG
2. Valorile în dB ale atenuărilor de reflexie (return loss) la porţi, prin calcul şi direct
pe diagrama Smith, pe scala radială corespunzătoare.
3. Reprezentarea pe diagrama Smith a parametrilor s11 şi s22.
4. Determinarea impedanţelor echivalente de intrare şi ieşire, în valori normate şi
denormate. Calculul factorului de calitate al impedanţelor respective
5. Determinarea ariei recomandabile pentru circuitele de adaptare, astfel încât
valorile factorilor de calitate în toate punctele reţelelor de adaptare intrare-ieşire
să fie inferioare celor calculate la punctul 4.
6. Proiectarea unor reţele de adaptare în interiorul ariilor recomandabile (cel puţin 3
soluţii)
7. Calculul câştigului unilateralizat maxim în putere, cu punerea în evidenţă a
aportului fiecărei componente
Soluţie:
1. Avem s ii (dB ) = 20 * log s ii şi sij (dB) = 20 * log sij
F(GHz) |s11|(dB) ϕ11 |s21|(dB) ϕ21 |s12|(dB) ϕ12 |s22|(dB) ϕ22
1.000 -1.67 157 9.99 102 -60 45 1.94 -18
2. RLi(dB)=-20.log|sii|
RLin=1.72 dB (se poate utiliza şi scala radială pe diagrama Smith)
RLout=1.94 dB (ibidem)
3&4&5. INTRARE Utilizarea scărilor radială şi unghiulară ale diagramei Smith
plasează s11 în punctul
z=0,1+j.0,2 (vezi figura 1)
1 1
(1)
L1
L=1.6 nH [ltr]
R1
R=5 O
C1
C=0.76 pF [Cout]
R1
R=150 O [Rout]
ADAPTAREA LA INTRARE
3
1 4
2 0
ADAPTAREA LA IEŞIRE