D:\CMAN\Development\DOC\SEMINAR NR 4.

doc

SEMINAR NR. 4

1. Se dă schema din figura 1, cu polarizarea pasivă a unui tranzistor NPN de mică

putere, la care circuitele de adaptare de la intrare şi ieşire nu au fost figurate.
Frecvenţa de lucru fiind 2,4 GHz, se cere să se calculeze circuitul de polarizare,
şocurile RF şi capacitoarele de cuplaj de la intrare şi ieşire. Datele problemei sunt:
Ec=5V
Vc0=2V
Ic0=10mA
β=100
VBE=0,6V
Elementele parazite ale componentelor reactive sunt:
Lp=0,7nH reprezintă inductanţa parazită serie a capacitoarelor
Cp=0,35pF reprezintă capacitatea parazită paralel a inductoarelor
Cp

6 5

L Rpl

6 14 5 5
RF Vdc

Rpc
C
R=

12 12

Lp

Elementele parazite ale

inductoarelor şi
capacitoarelor din
componenţa şocurilor de
RF.

Figura 1 Polarizare pasivă pentru un tranzistor NPN de mică putere

E c − Vc 0 (5 − 2 )V
Rc = = = 300Ω
I c0 10mA
I 10mA
I bo = c 0 = = 0,1mA
β 100
V − V BE (2 − 0,6)V
Rb = c 0 = = 14 KΩ
I b0 0,1mA
Pentru inductoarele Lb şi Lc se poate alege una din relaţiile:
ω ⋅ L = 4 ⋅ Z 0 ; Z0 =50Ω
sau
1
L=
(2 ⋅ π ⋅ f )2 ⋅ C p

Paul Leonida OPREA Page 1 of 5 Thursday, April 20, 2006

D:\CMAN\Development\DOC\SEMINAR NR 4.doc

Prima relaţie, empirică, asigură o reactanţă inductivă suficient de mare pentru corecta
funcţionare a şocului RF, evitându-se situaţia ca frecvenţa de lucru să fie mai mare
decât frecvenţa proprie de rezonanţă paralel a inductorului.
A doua relaţie plasează rezonanţa proprie paralel chiar pe frecvenţa de lucru.
Cu prima relaţie
4.50 100
Lb = L c = = nH = 13,26nH
2 ⋅ π ⋅ 2,4 ⋅10 9
2,4 ⋅ π
Cu a doua relaţie
1 1000
Lb = L c = = nH = 12,56nH
(2 ⋅ π ⋅ 2,4 ⋅10 ) ⋅ 0,35 ⋅10
9 −12
(4,8 ⋅ π )2 ⋅ 0,35
Pentru capacitoarele cu rol de scurtcircuit se exploatează rezonanţa parazită serie
poprie componetei, astfel încât:
1 1000
C b = C c = C in = C out = = pF = 6,28 pF
(2 ⋅ π ⋅ 2,4 ⋅10 ) ⋅ 0,7 ⋅10
9 −9
(4,8 ⋅ π )2 ⋅ 0,7
Pentru capacitorul C din figură, (punctul Ec) se utilizează o combinaţie paralel 100pF,
1nF, 100nF, pentru a asigura este decuplarea punctului respectiv la toate frecvenţele.
Ordinea de plasare a capacitoarelor este de jos în sus în figură (cele mai mici spre
tranzistor, cele mai mari spre sursa de alimentare.
Dacă se iau în considerare şi circuitele de adaptare, punctul de inserţie optim pentru
circuitul de polarizare este punctul de impedanţă minimă din reţeaua de adaptare, cu
condiţia evidentă a existenţei unei căi de curent continuu.

2. Se dă schema din figura 2, cu polarizarea activă a unui tranzistor NPN de putere,

la care circuitele de adaptare de la intrare şi ieşire nu au fost figurate. Frecvenţa de
lucru fiind 2,5 GHz, se cere să se calculeze circuitul de polarizare, şocurile RF ş i
capacitoarele de cuplaj de la intrare şi ieşire. Se va calcula puterea disipată pe
rezistorul sesisor de curent (current-sensing) RE, în vederea unei corecte alegeri a
modului de realizare fizică a acestui rezistor. Datele problemei sunt:
Ec=12V
Vc0=10V
Ic0=700mA
β=100, pentru ambele tranzistoare, de RF şi de polarizare acrtivă
VBE=0,6V pentru ambele tranzistoare
Icaux=20 mA
VCEaux = 4V1
Elementele parazite ale componentelor reactive sunt:
Lp=0,7nH reprezintă inductanţa parazită serie a capacitoarelor
Cp=0,35pF reprezintă capacitatea parazită paralel a inductoarelor
Rbo=4.Z0 = 200Ω.

3. Se cere dimensionarea aproximativă a şocurilor RF cu constante distribuite din

figura 3, dacă εef=4 pentru toate tronsoanele de linii microstrip din figură. Să se

1
În acest fel, puterea disipată pe tranzistorul regulator este 4V.20mA=80mW, iar tranzistorul este destul de
departe de zona de saturaţie, deci în zona liniară.

Paul Leonida OPREA Page 2 of 5 Thursday, April 20, 2006

D:\CMAN\Development\DOC\SEMINAR NR 4.doc

explice rolul fiecărui element din figură. De ce consideraţi că şocurile RF cu

constante distribuite sunt adecvate în cazul amplificatoarelor de putere?

Figura 2. Circuit de polarizare activ pentru tranzistor RF bipolar (NPN)

Figura 3 Şoc RF cu constante distribuite, cu rejecţie îmbunătăţită a RF

Paul Leonida OPREA Page 3 of 5 Thursday, April 20, 2006

D:\CMAN\Development\DOC\SEMINAR NR 4.doc

REZOLVARE PUNCT 2

RE =
Ec − Vc 0
=
(12 − 10)V = 2V = 2,77Ω
I c 0 + I caux (700 + 20 )mA 0,72 A
Puterea disipată pe rezistorul RE este:
22
Pdis = ≅ 1,44W
2,77
Rezistorul va fi format dintr-o arie de 10 rezistoare SMD de 27Ω a câte 0,25W
fiecare.
I 20mA
I baux = caux = = 0,2mA
β 100
Curentul prin divizorul Rb1, Rb2 se alege cu condiţia:
Idiv=10.Ibaux = 10.0,2mA=2mA
E − VCo 2V
Rb1 = c = = 1KΩ
I div 2mA
Tensiunea în baza tranzistorului PNP fiind de 9,4V, rezultă:
9,4V 9,4V
Rb 2 = = = 4,7 KΩ
I div 2mA
Curentul din baza tranzistorului RF este:
I 700mA
I b0 = c 0 = = 7mA
β 100
Tensiunea la terminalul superior al rezistorului Rb1 este:
Vc1, 2 = V BE + Rb0 ⋅ I b0 = 0,6V + 200Ω ⋅ 7 mA = 2V
Rezistorul Rc2 se calculează cu relaţia:
Vc1, 2 2V
Rc 2 = = = 153,8Ω şi se alege 150Ω.
I caux − I b 0 (20 − 7 )mA
Tensiunea de colector a tranzistorului regulator este:
Vcaux = Ec − RE ⋅ I caux − VCEaux = (12 − 2 − 4)V = 6V , astfel încât, în final:
V − Vc1, 2 (6 − 2 )V
Rc1 = c = = 200Ω
I caux 20mA
Şocurile de RF cu constante concentrate se calculează ca la punctul 1, dar pentru
frecvvenţa de 2,5GHz în loc de 2,4 GHz. Rezultatele sunt sensibil aceleaşi.

REZOLVARE PUNCT 3

Dimensiunile relativmari ale radiatorului unui tranzistor de putere fac disponibilă o

arie adecvată pentru realizarea şocurilor RF şi a circuitelor de adaptare în varianta cu
constante distribuite. De fapt, din cauza curenţilor mari care trec prin elementele
circuitului, acdeastă soluţie se impune de la sine. Apoi nivelul puterii de RF care
trebuie blocat poate fi cu zeci de dB mai important decât în cazul aplicaţiilor de
putere mică, astfel încât şocul trebuie să fie format din mai multe celule. În figura 3
este prezentat un şoc cu două celule High-Z/Low-Z, urmat de un inel de anulare în

Paul Leonida OPREA Page 4 of 5 Thursday, April 20, 2006

D:\CMAN\Development\DOC\SEMINAR NR 4.doc

antifază. Sectoarele circulare de rază λ/4, cu capătul liber în gol, constituie

scutcircuite de bandă largă, echivalente cu circuite rezonate serie, iar tronsoanele
longitudinale de lungime λ/4 sunt rezonante paralel la frecvenţa de lucru, dacă sunt
treminate în scurtcircuit. Semnalul RF care mai rămâne după trecerea prin primele
două celule de filtrare se desparte pe cele două căi ale inelului şi se recombină la
punctul de ieşire către sursa de alimentare. Diferenţa de drum de λ/2 între cele două
căi produce anularea reciprocă prin combinare în antifază.
Reamintim relaţiile pentru tronsoanele în gol şi scurtcircuit:
Z op = − j ⋅ Z 0 ⋅ ctgβ l
Z op (λ / 4) = 0
Z sh = j ⋅ Z 0 ⋅ tgβ l
Z sh (λ / 4) = j ⋅ ∞
300 300
λ0 (mm) = = = 120mm
f (GHz ) 2,5
λ 120
λg = 0 = = 60mm
ε ef 4
λ g / 4 = 15mm
λ g / 2 = 30mm
Diametrul inelului este:
3⋅ λ / 2
D= ≅ 28,6mm
π

4. Se cere să se determine pragul de sensibilitate la temperatura T0 = 3000K al unui

receptor pentru care raportul semnal/zgomot minim (pentru eroare zero) la ieşire
este 30dB, factorul de zgomot NF=4dB, iar banda de frecvenţe este de 1 MHz.
Care ar fi pragul de sensibilitate la temperatura de -400C? Dar la +600C?

S (dBm) = 10 ⋅ log (K ⋅ T0 ) + NF (dB) + 10 ⋅ log B( Hz ) + SNRout (dB)

S (dBm) = −174(dBm / Hz ) + 4dB + 60( Hz ) + 30dB = −80dBm
La -400C temperatura absolută este:
T− 40 = −40 − (−273) = 2330 K
Variaţia pragului de sensibilitate în raport cu temperatura camerei este:
233
∆S = 10 ⋅ log = −1,098dBm
300
La +600C temperatura absolută este:
T+60 = 60 − (−273) = 3330 K
Variaţia pragului de sensibilitate în raport cu temperatura camerei este:
333
∆S = 10 ⋅ log = +0,45dBm
300
Datorându-se exclusiv variaţiei zgomotului termic la intrarea receptorului, valorile de
mai sus ale variaţiei pragului de sensibilitate sunt valabile pentru toate receptoarele.

Paul Leonida OPREA Page 5 of 5 Thursday, April 20, 2006