Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
M1 clasa a X-a C
6.In situatia in care temperatura unui semiconductor creste ,numarul electronilor liberi(de
conductie)
a .creste
b. scade
c .ramane constant
1
a.creste temperatura semiconductorului si se rupe o legatura covalenta
2
11.Datorita polarizarii semiconductorului de tip n ,in structura va apare un curent de
electroni :
a. semiconductor de tip p
b. semiconductor de tip n
c. semiconductor intrinsec
semiconductor de tip n
a. semiconductor de tip p
b. semiconductor de tip n
c. semiconductor intrinsec
a. semiconductor de tip p
b. semiconductor de tip n
c. semiconductor intrinsec
a. semiconductor de tip p
b. semiconductor de tip n
3
c. semiconductor intrinsec
b. fenomenului de difuzie a electronilor din zona n in zona p si difuziei golurilor din zona p in
zona
4
18 In zona jonctiunii p-n ,apare o zona de potential electric pozitiv datorita :
20.Zona de sarcina spatiala care apare la jonctiunea n-p nepolarizata are o latime de ordinul
21.In cazul jonctiunii p-n, zona de sarcina spatiala are urmatoarele proprietati :
5
b.opreste difuzia purtatorilor in cele 2 zone p si n .
a. 7 V
b. 0,7 V
c. 700mV
a. 3 V
b. 0,3 V
c. 0,7V
6
25In cazul figurii sunt false afirmatiile
26 .In cazul unei jonctiuni p-n polarizate direct sunt adevarate afirmatiile
7
b.inchis
28.Un material semiconductor dopat are rezistivitatea de valoare mica atunci cand :
29. Proprietatile fizice si chimice ale unui element chimic sunt determinate de :
b.orbitalul electronilor
a.nucleul atomic .
b.electronii de valenta .
c.electronii liberi .
8
b. a.este o jonctiune n-p polarizata invers