ELECTRONICA

Cursul nr. 4
Conf. Dr. Petru A. COTFAS
 DISPOZITIVE CU
CORP SOLID
SEMICONDUCTORII

2
 Substanta in camp electric
 Comportamanet diferit al subtantelor in
câmp electric (în funcţie de natura
substanţei)
 Structura de Benzi (permise si interzise)
 Clasificare: conductori, semiconductori si
izolatori
 Semiconductori: Germaniul si Siliciul
materialelor izolatoare

3
Semiconductori
 Formează o clasă aparte în ceea ce priveşte conducţia electrică.
 Sarcinile electrice de conducţie din semiconductori, sau purtătorii,
sunt electronii de conducţie şi golurile.
 Procesul de generare de electroni de conducţie şi de goluri constă în
ruperea legăturilor covalente dintre anumiţi atomi, rolul principal
fiind jucat de temperatura la care se află semiconductorul:
◦ cu cât temperatura este mai mare cu atât creşte
numărul de legături covalente din care unii
electroni de valenţă sunt puşi în libertate, ei
devenind electroni de conducţie. Locurile lăsate
vacante de aceşti electroni poartă numele de
goluri de conducţie

4
Semiconductori intrinseci
(puri)
 structura unui cristal de Si pur – fiecare atom
este înconjurat de 4 atomi vecini, cu fiecare având în comun
câte un electron de valenţă => structura de octet (foarte stabila).

 Semiconductorii puri, sau intrinseci, se caracterizează prin

egalitatea numărului de purtători de sarcină electrică negativă şi
pozitivă (ni = ne = np).
 Conductivitatea semiconductorilor puri este redusă (o parte din
electronii de valenta sunt liberi).
 Conducţia electrică din semiconductorii puri se numeşte
conducţie intrinsecă.

5
Semiconductori extrinseci
(cu impurităţi)
 Pentru a mări conductivitatea electrică se introduc
impurităţi(Arseniu –grupa V, Galiu – grupa III)
 => un semiconductor impurificat sau extrinsec
 Impuritati din grupa a V-a - semiconductor de
tip n (electroni liberi)
 Impuritati din grupa a III-a - semiconductor de
tip p (goluri libere)
 Acest tip de conducţie electrică, prin intermediul
impurităţilor de concentraţie controlată se numeşte conducţie
extrinsecă, iar semiconductorii impurifiaţi cu impurităţi de tip p sau
de tip n se numesc semiconductori extrinseci.
 Putatorii de sarcina rezultati – purtatori majoritari

6
Dispozitive cu semiconductori
 Joncţiunea semiconductoare p-n
 formată dintr-un cristal de siliciu (sau germaniu) ce a fost impurificat
într-o regiune cu atomi pentavalenţi (de tip n) şi în alta cu atomi
trivalenţi (de tip p), regiunile fiind separate de o zonă numită
joncţiune.
 La contactul celor două zone se realizează o regiune de baraj (zona
de saracire): în zona n se află o sarcină electrică pozitivă netă
(obţinută prin difuzia electronilor în zona p), iar în zona p se află
sarcină electrică negativă (obţinută prin difuzia golurilor spre zona n).
În joncţiune ia naştere un câmp electric orientat dinspre zona n spre
zona p.

7
DIODA

8
DIODA fara polarizare externa

9
DIODA polarizata direct

10
Dioda invers polarizata

11
Dioda invers polarizata

12
 Caracteristica diodei
 Ecuaţia diodei

q/KT descrie tensiunea produsă în joncţiunea p-n datorită acţiunii temperaturii -

tensiunea termică, Vt.
La temperatura camerei, această temperatură este de aproximativ 26 mV
13
DIODA
 Intr-un sens conduce – redresare
 Curentul invers tipic circa 1nA
 Daca creste tensiunea inversa – avem

strapungere in avalansa
 Diode speciale: Diode Zener (1934 a sugerat

un mecanism de strapungere electrica) dioda

stabilizatoare

 Diode varicap (polarizate invers) capacitate

variabila functie de tensiunea aplicata

14
CAPACITATEA JONCTIUNII
 Diodele “VARICAP”
 Polarizare inversa, circa 2pF
 Variaza capacitatea cu polarizarea
 Prin dopaj, usor 10pF-2pF (2-30V)
 Utilizare:

◦ circuit de acord in radio si TV

◦ control automat al frecventei CAF
◦ acord de la distanta…

15
Testarea diodei
 Testarea cu ohmetrul  Utilizarea funcţiei speciale
de „verificare diodă”

 Folosirea unui circuit special

16
DIFERITE DIODE

17
TRANZISTORI BIPOLARI
 Tranzistorul bipolar (jonctiuni pnp
sau npn)
 Structura: BAZA-EMITER-COLECTOR
 Baza – slab dopata, subtire
 Colector, Emiter – puternic dopati

18
Diagrama de functionare
 Jonctiunea CB este “invers polarizata” (si in
consecinta avem un curent rezidual extrem de
mic !)
 Jonctiunea BE este “direct polarizata” (avem un
IB datorita polarizarii directe)

19
 FUNCTIONARE IC
hFE 
 Cu K inchis
IB
 Jonctiunea BE polarizata direct
 Injectie de electroni din E

 Difuzati in ZDS trec la jonctiunea BC

 Traverseaza rapid bariera de potential

 Absorbiti de colectorul C

 Jonctiunea BE actioneaza ca o poarta (ef. tranz.)

 Atentie – baza usor dopata (putin probabil sa

avem recombinari in Baza)

 Tranzistorul bipolar– Dispozitiv controlat in

Curent
20
 IC
hFE 
IB

Testarea
tranzistorilor
ICB0
hFE
ICE0 = hFE* ICB0
21
Tranzistori npn si pnp
 Circuite complementare
 Cer polaritate opusa
 Amplificatoare de curent continuu DC
 Amplificatoare de putere – etaj final
 Dispozitive optoelectronice:

◦ Fotodioda (aici introducem si LED-ul)

◦ Fototranzistor
◦ Optocuploare (optoizolatoare)

22