ELECTRONICA

Cursul nr. 5
Conf. Dr. Petru A. COTFAS
 DISPOZITIVE
SEMICONDUCTORII
Tranzistori bipolari

2
 POLARIZARE

punct static
de functionare
VCC
Conditia amplificarii AC : VX 
2
I E  IC  I B
VCC / 2 4,5V
I C  1mA  RS   3
 4500
I CC 1*10
VCE  VCC  I C RS  VCC  hFE I B RS tipic hFE  200 I C  hFE I B
I C 1*10 3 VCC  VBE VCC  VBE
IB    5A  RB   1M8 I C  hFE
200 200 IB RB
3
CONDENSATORI de CUPLAJ
 C1 si C2 – condensatori de cuplaj
 Blocheaza tensiunea DC
 Trece doar tensiunea AC
 Atentie la: constanta de timp a circuitului
 Capacitati relativ mari, pierderi mici
 Trebuie respectata “polaritatea” pe C
 Amplificatoare speciale DC

4
 STABILIZAREA
punctului de functionare
 Schimbam hFE =200 (intre 100 si 400)
 Tranzistorii cu Si au 90 < hFE < 450
 hFE=100 tensiunea pe RS – doar 2,35V
hFE=400 tensiunea pe RS – imposibil sa fie
mai mare ca Vcc >> SATURATIE
 Saltul I =0 la regim de Saturatie (I =I
C C cmax)
aduce tranzitorul in regim de comutatie
(multe aplicatii)

5
 Amplificator de tensiune
cu punct de functionare stabilizat
Apare un fenomen de reactie :
VC scade  prin I B  I C scade
VCE
IB  cu VCE  VCC  hFE I B RS
RB
VCC
Care conduc la: VCE 
RS
1  hFE
RB

6
 Amplificator de tensiune
cu punct de functionare stabilizat - v2
I C  1mA  VE  I C RE  1*10 3 *1k  1V
IC VCC  VBE  VE
IB   5A  RB   1.48M
hFE IB
VCC  VBE
I C  hFE I B  hFE
hFE RE  RB
 IC sa nu depindă de hFE
=> RB<<hFERE
 greu de realizat

7
 Amplificator de tensiune complet
stabilizat
VBB  VBE
I C  hFE
hFE RE  RB
 Pe baza teoremei
Thevenin
R2 RE

VBB  VCC
R2  R1
RB  R1 || R2 VBB  I B RB  VBE  I E RE  I B RB  VBE   hFE  1 I B RE
R1 R2 VBB  VBE VBB  VBE
IB   I C  hFE I B  hFE
RB  hFE RE  RB hFE RE  RB
R1  R2 RB  hFE RE
8
Masurarea cistigului in tensiune
AV=Vies/Vin
9
 Lucrul in
REGIM de
SATURATIE
 Regimul normal
de “amplificare”
 I = f(I ) urmareste VCC  0,6V VCC
C B
IB  
curentul de baza RB RB
 La un moment dat
VCC
nu mai poate I C  hFE cand RB  hFE RS
urmarii curentul RB
de baza: VCC VCC
I C  hFE  I Cs 
hFE RS RS
10
 Regimul de saturatie

 Icmax = VCC/RS (pentru RB=hFERS)

 Saturatie puternica (siguranta):
IC/IB < hFE/5 sau RB/RS < hFE/5
 Comanda cu “fotorezistenta”
C
 Montaj “Darlington” , pentru a

asigura curentul de iesire dorit:

11
Tranzistorul cu Efect de Camp
FET

12
Tranzistorul cu Efect de Camp FET
 Tranzistorul bipolar – dispozitiv electronic
controlat in curent
 Tranzistorul cu efect de camp este un

dispozitiv electronic controlat in tensiune

 Tipuri de FET-uri:
 FET cu Jonctiune j-FET
 MOS-FET (sau IGFET)

13
Tranzistorul j-FET
D J-FET cu canal “n”

D ID

P Z.D.S.

canal “n” 18V

S
K
canal “p”
D
P
B2
6V
VPS
GS
B1
P
S
electron
S
14
Caracteristici j-FET
 Foloseste in functionare numai purtatorii
majoritari de sarcina
 Impedanta mare de intrare

 Controlat in tensiune V
PS
 Modularea canalului in functie de ZDS

15
Tranzistorul MOS-FET
D D

CU SARACIRE
P P

canal “p” S canal “n” S

D D

P P CU INTENSIFICARE

canal “p” S canal “n” S

16
Tranzistorul MOS-FET
ID
J-FET MOS-FET cu canal “n”

D ID
VPS
Strat n
ID izolator
MOS
canal 18V
initial p
K P
VPS

ID B2
MOS 6V n
canal VPS
S
indus B1
VPS

17
 TRANSCONDUCTANTA

 Tranzistor bipolar: IC
cistigul in curenat hFE 
◦ Raport adimensional IB

I D
 Tranzistor FET: gm 
curentul de DRENA VPS
controlat de VPS
 mA 
Volti   mS
18
 Amplificator de tensiune cu FET
 S – pozitiva prin RS canal “n” VDD (18V)
 P – la masa prin RP RD
 Chiar daca RP>RS curentul prin 22K
1uF
poarta este mic =>P este la pot.
masei D
 Daca iS => URs => creste si pot.
aplicat portii in sensul blocarii => iS 10nF VIES
 CS are rol de a shunta RS d.p.d.v. al P
curentilor a.c.
S 100uF
VIN
RP 2M2

RS 8K2

19
Aplicatii j-FET si MOS-FET
 ELECTROMETRE
 Impedante 100Mohmi – zeci Gohmi
 Vulnerabile la sarcina statica
 Circuite de protectie cu diode Zener
 Circuite de comanda a amplificarii
 Amplificatoare controlate la distanta
 Circuite de reducere a zgomotului DOLBY

20