Sunteți pe pagina 1din 4

Tranzistorul de putere BJT

Fig. 2.14: Simbolul (a) i structura semiconductoare (b) a BJT tip npn.

Fig. 2.15: Structuri monolitice de tip Darlington

Caracteristicile statice ale BJT

n Fig.2.16a sunt prezentate caracteristicile statice curent (iC)tensiune (uCE) aferente unui BJT
pentru diferite valori ale parametrului de comand IB.

Fig. 2.16: Caracteristicile statice ale tranzistorului de putere BJT.

Dac tranzistorul are circuitul baz-emitor deschis, nseamn c este blocat i implicit are IC = 0
pentru orice tensiune uCE mai mic dect tensiunea de strpungere direct BVCE (CollectorEmitter Breakdown Voltage) dat n cataloage pentru urmtoarele situaii posibile:
BVCE0 atunci cnd circuitul bazei este deschis;
BVCES atunci cnd jonciunea baz-emitor este scurtcircuitat;
BVCEV atunci cnd jonciunea baz-emitor este polarizat invers.
Cnd tranzitorul este comandat n baz cu un curent oarecare 0 < IB1 < IB2 < < IB3 < .........< IB(n-1) <
IB(n), acesta se deschide i punctul de funcionare se aeaz pe caracteristica static, fie n zona
activ (punctul 2-punctul de deschidere), fie n zona de saturaie (punctul 1). Dac circuitul
exterior tranzistorului permite o valoare suficient de mare a curentului IC , punctul de
funcionare se plaseaz n zona activ a caracteristicii (ntre punctele 1 i 2 pe dreapta de
sarcin), unde rezistena intern a dispozitivului (definit n rel. 2.25) este mai mare.

Ri

U CE
.
I C

(2.25)

Mulimea de puncte cuprins ntre punctele 1 i 2 formeaz dreapta de sarcin i caracterizeaz


funcionarea tranzistorului n zona activ. n regim de comutaie timpul de parcurgere al dreptei
de sarcin trebuie s fie ct mai mic, astfel nct durata regimului tranzitoriu i implicit
pierderile acestuia s fie ct mai reduse.
n zona de saturaie, obinut prin creterea curentului IB i conform rel. (2.23), va apare un
curent mare IC =IB chiar la o tensiune mic UCE. Dac circuitul exterior tranzistorului limiteaz
curentul de colector la o valoare IC < ICM i tranzistorul se comand cu un curent IB ce respect
condiia (2.24), punctul de funcionare se aeaz n zona de saturaie a caracteristicii unde
rezistena intern Ri de conducie devine foarte mic. n acest fel, valoarea curentului de
colector nu mai este controlat de tranzistor i este impus exclusiv de sarcin. Totodat,
cderea de tensiune pe tranzistor devine foarte mic UCE(sat) = (1 2)V i va determina pierderi
mici n conducie (performan deosebit). n cataloage este dat curentul maxim de colector ce
poate fi preluat de tranzistorul saturat n regim continuu IC i curentul maxim de colector n
regim de impuls ICM . n Fig. 2.16a zonele de saturaie ale tuturor caracteristicilor statice s-au
reprezentat cu aproximaie pe o aceeai dreapt numit dreapta de saturaie. Deoarece n cazul
unei comenzi corecte punctul de funcionare se afl tot timpul pe aceast dreapt (unde
cderea de tensiune pe tranzistor este neglijabil), n Fig. 2.16b dreapta de saturaie devine
caracteristica ideal de conducie. Astfel cele dou caracteristici din Fig. 2.16b sugereaz c
tranzistorul BJT are comportamentul apropiat de cel al unui comutator ideal.
Tranzistorul BJT poate fi afectat dac tensiunea la bornele acestuia depete o valoare maxim
admisibil (strpungere n tensiune) sau dac temperatura semiconductorului atinge o valoare
care i poate topi structura cristalin (distrugere termic). Strpungerea n tensiune apare cnd
tranzistorul este blocat i tensiunea pe colector crete peste valoarea maxim care poate fi
suportat de jonciunea C-B atunci cnd circuitul emitorului este deschis (BVCB0). Aceasta este
cu puin mai mare dect BVCE0 (BVCB0 > BVCE0) putnd fi luat n consideraie doar pe durata
blocrii, atunci cnd circuitul de baz sete ntrerupt (IB = 0).
Din acest motiv, n practic se lucreaz cu valoarea BVCE0 care limiteaz caracteristica de blocare
direct din Fig.2.16. fenomenul de strpungere n tensiune, numit i strpungere primar a
tranzistorului (Primary Breakdown), apare i atunci cnd tranzistorul este n conducie pe
caracteristica activ, iar tensiunea depete valoarea de susinere BVSUS (Sustained Breakdown
Voltage). Valorile BVSUS sunt uor inferioare valorii BVCE0. Pentru simplitate, n Fig.2.16a, toate
punctele care marcheaz grania de la care poate apare fenomenul de strpungere au fost
plasate pe o singur dreapt. Distrugerea prin ambalare termic, numit i strpungere
secundar a BJT-ului (Secondary Breakdown), se produce atunci cnd pierderile de putere n
semiconductor sunt mari i cldura rezultat nu mai poate fi evacuat cu succes din structur.

Acest fenomen odat declanat se desfoar n avalan, densitatea de curent crete, iar dac
temperatura din jonciune crete peste valoarea maxim de catalog (Tj(max)) pastila
semiconductoare este depreciat iremediabil (vezi i Fig.2.16a,b). Suprafaa delimitat de
caracteristica de blocare, caracteristica de conducie, frontiera dat de tensiunile de
strpungere i frontiera de la care s apar distrugerea termicformeaz aa numita arie de
funcionare sigur SOA (Safe Operating Area) sau ari de funcionare permis.
Aceast noiune este foarte important la proiectare, cnd tranzistorul este ales n funcie de
tensiunea, curentul i frecvena de lucru (vezi i Fig.2.16, SOA - aria haurat). Deoarece n
electronica de putere tranzistoarele funcioneaz n dou stri stabile, pe cele dou
caracteristici de conducie i de blocare, punctul de funcionare parcurge primul cadran format
de cele dou axe din Fig.2.16b doar pe durata regimurilor tranzitoriide deschidere (ON) i de
blocare (OFF).
Atunci cnd s-au luat msuri de reducere a timpilor de comutaie n timpul comutaiei
tranzistorului, aria de funcionare sigur SOA sufer o extensie n sensul artat de sgeata din
figura 2.16b odat cu creterea frecvenei de lucru. Rezult c pe durata comutaiilor rapide
punctul de funcionare poate urma traseul cuprins ntr-o arie SOA mai larg cu tensiuni i
cureni mai mari.