Documente Academic
Documente Profesional
Documente Cultură
Fig. 2.14: Simbolul (a) i structura semiconductoare (b) a BJT tip npn.
n Fig.2.16a sunt prezentate caracteristicile statice curent (iC)tensiune (uCE) aferente unui BJT
pentru diferite valori ale parametrului de comand IB.
Dac tranzistorul are circuitul baz-emitor deschis, nseamn c este blocat i implicit are IC = 0
pentru orice tensiune uCE mai mic dect tensiunea de strpungere direct BVCE (CollectorEmitter Breakdown Voltage) dat n cataloage pentru urmtoarele situaii posibile:
BVCE0 atunci cnd circuitul bazei este deschis;
BVCES atunci cnd jonciunea baz-emitor este scurtcircuitat;
BVCEV atunci cnd jonciunea baz-emitor este polarizat invers.
Cnd tranzitorul este comandat n baz cu un curent oarecare 0 < IB1 < IB2 < < IB3 < .........< IB(n-1) <
IB(n), acesta se deschide i punctul de funcionare se aeaz pe caracteristica static, fie n zona
activ (punctul 2-punctul de deschidere), fie n zona de saturaie (punctul 1). Dac circuitul
exterior tranzistorului permite o valoare suficient de mare a curentului IC , punctul de
funcionare se plaseaz n zona activ a caracteristicii (ntre punctele 1 i 2 pe dreapta de
sarcin), unde rezistena intern a dispozitivului (definit n rel. 2.25) este mai mare.
Ri
U CE
.
I C
(2.25)
Acest fenomen odat declanat se desfoar n avalan, densitatea de curent crete, iar dac
temperatura din jonciune crete peste valoarea maxim de catalog (Tj(max)) pastila
semiconductoare este depreciat iremediabil (vezi i Fig.2.16a,b). Suprafaa delimitat de
caracteristica de blocare, caracteristica de conducie, frontiera dat de tensiunile de
strpungere i frontiera de la care s apar distrugerea termicformeaz aa numita arie de
funcionare sigur SOA (Safe Operating Area) sau ari de funcionare permis.
Aceast noiune este foarte important la proiectare, cnd tranzistorul este ales n funcie de
tensiunea, curentul i frecvena de lucru (vezi i Fig.2.16, SOA - aria haurat). Deoarece n
electronica de putere tranzistoarele funcioneaz n dou stri stabile, pe cele dou
caracteristici de conducie i de blocare, punctul de funcionare parcurge primul cadran format
de cele dou axe din Fig.2.16b doar pe durata regimurilor tranzitoriide deschidere (ON) i de
blocare (OFF).
Atunci cnd s-au luat msuri de reducere a timpilor de comutaie n timpul comutaiei
tranzistorului, aria de funcionare sigur SOA sufer o extensie n sensul artat de sgeata din
figura 2.16b odat cu creterea frecvenei de lucru. Rezult c pe durata comutaiilor rapide
punctul de funcionare poate urma traseul cuprins ntr-o arie SOA mai larg cu tensiuni i
cureni mai mari.