4.

Tranzistorul bipolar
Tranzistoarele - dispozitive semiconductoare capabile de a amplifica semnale electrice. Prin semnal
electric nelegem o mrime electric (tensiune sau curent) care prezint o variaie n timp, purttoare de
informaie. Amplificarea fiind o operaie esenial pentru prelucrarea i transmiterea la distan a semnalelor
electrice, tranzistoarele sunt dispozitive de maxim importan, prezente practic n toate circuitele
electronice. La realizarea tranzistoarelor se pot identifica dou tehnologii de baz:
- tehnologia bipolar, prima din punct de vedere cronologic;
- tehnologia bazat pe efectul de cmp, mai modern i mai eficient, care pare s fie tehnologia viitorului.

4.1 Structura i funcionarea tranzistorului bipolar _ TB

TB - structur monocristalin cu trei straturi pnp sau npn i dou jonciuni p-n una polarizat n sens direct
i cealalt polarizat invers. Stratul din mijloc este slab impurificat i foarte subire (aprox.5m), mai subire
dect lungimea de difuziune a purttorilor care difuzeaz prin jonciuni.
- se numete bipolar deoarece conducia electric este asigurat att de purttorii majoritari ct i de
cei minoritari.
Cele dou jonciuni npn i pnp sunt astfel denumite dup poziia relativ a semiconductoarelor de tip
n i p: tranzistorul npn prezint dou regiuni de tip n separate printr-o regiune de tip p, n timp ce n
tranzistorul pnp regiunea de tip n este ncadrat de dou regiuni de tip p .

Deoarece purttori de sarcin majoritari i minoritari sunt diferii n cele dou tipuri de materiale
semiconductoare, mecanismul intern al conduciei curentului n cele dou tipuri de tranzistoare este diferit.
Cele trei zone pnp sau npn sunt conectate la 3 electrozi care se numesc:

Emitor (E), - corespunde zonei puternic dopate, - are proprietatea de a emite o cantitate mare de
purttori de sarcin.

Baza (B), zona din mijloc, deoarece primele tranzistoare se realizau prin alierea unui semiconductor
de baz cu impuriti donoare de o parte i de alta.

Colector (C), - corespunde zonei externe de suprafa mai mare, - proprietatea de a colecta sarcinile
emise de emitor.

n aceast tripl structur exist dou jonciuni de electroni i de goluri: jonciunea de emitor (EB) dintre
emitor i baz i jonciunea de colector (CB) dintre colector i baz.
- figura 4.1 a i b - modul de realizare a celor dou jonciuni i schema tranzistoarelor de tipul p-n-p i n-p-n.

(a)
(b)
Fig.4.1 Structura i reprezentarea n schem a tranzistorului de tip p-n-p - (a) i n-p-n - (b)
Simbolul tranzistorului pune n eviden prin sensul sgeii, existena unei circulaii uoare de curent ntr-o
jonciune p-n. Materialul de baz pentru realizarea tranzistoarelor este germaniul sau siliciul.
Structura TB este echivalent cu dou diode conectate n serie dar n sens opus, astfel nct pentru
oricare dintre cele dou variante, pnp sau npn i pentru orice polarizare, una dintre diode va fi blocat,
mpiedicnd stabilirea unor cureni ntre E i C. Structura cu dou jonciuni care formeaz TB este diferit n
funcionare fa de structura a dou diode legate n serie datorit grosimii foarte mici a bazei.
Efectul de tranzistor - trecerea unui curent important printr-o jonciune polarizat invers, datorit
vecintii unei jonciuni polarizate direct.
Se creeaz astfel posibilitatea controlrii curentului din circuitul de colector prin curentul injectat n
baz cu ajutorul circuitului de polarizare a jonciunii EB.
Aceast polarizare se asigur cu circuite de polarizare exterioare structurii tranzistorului (fig.4.2).
- modul de polarizare a tranzistorului pnp este invers fa de cel npn.

Fig.4.2 Modul de polarizare a tranzistorului pnp - (a) i npn - (b)

Pentru obinerea efectului de tranzistor trebuiesc luate dou msuri constructive eseniale prin care se
creeaz condiii ca influena jonciunii de emitor s se extind peste regiunea bazei, asupra colectorului:
a) Baza trebuie s fie foarte ngust n comparaie cu lungimea de difuzie a purttorilor minoritari n ea;

b) jonciunea EB trebuie asimetrizat prin doparea mult mai puternic a emitorului.

Pentru tranzistoarele npn funcionarea este identic, inversndu-se doar polaritile tensiunilor i tipul
purttorilor.
n fig. 4.3 este prezentat o seciune transversal printr-un astfel de tranzistor. Formele difuziilor i
metalizrilor vzute de sus nu sunt relevante i depind de destinaia tranzistorului i de proiectant.
C B

Si O2

difuzia p de
difuzia n
emitor
de baz
substrat p - colector

difuzia n de
difuzia p
emitor
de baz
substrat n - colector

Fig. 4.3. Tranzistoare dublu difuzate pnp i npn

Pentru modelarea matematic a TB trebuie studiat conducia n interiorul su.
iB
(1- )ipM
inM
p+

ICB0

inM

ICB0

iE

iC
ipM

ipM
Fig.4.4.Curenii n tranzistorul pnp bipolar
iE curentul de emitor, cel mai mare dintre cureni, este compus din:
- ipM, curentul de goluri difuzate din E n B;
- inM, curentul de electroni difuzai din B n E.
Cum jonciunea EB este asimetric, raportul ipM/inM este mare, uzual apropiat de 100.
iC, curentul de colector este compus din:

- ipM, cea mai mare parte a ipM. factorul de transfer al curentului de goluri are valori uor subunitare;
- ICB0, curentul rezidual al jonciunii CB polarizat invers.
iB, curentul de baz, rezult aplicnd legea conservrii sarcinii electrice, care face ca suma algebric a celor trei cureni din
terminale s fie nul: iE =iC+iB. Cele trei componente ale iB vor fi n consecin inM, ICB0 i (1-)ipM, fraciunea din curentul de
goluri care se pierde n baz.
Pentru mrimile electrice variabile se folosesc litere mici, de exemplu iB, iar pentru cele constante litere mari, de exemplu ICB0.

n figura 4.4 se prezint sensurile acestor cureni interni tranzistorului, care nu prezint ns un interes practic, neputnd fi
decelai prin msurtori. Pentru utilizatori prezint interes doar cei trei cureni ai terminalelor, singurii care pot fi msurai din
exterior. Sistemul de ecuaii prin care se trece la curenii terminalelor este urmtorul:
iC = ipM + ICBO
iB = (1 - ) ipM + inM - ICBO
iE = iC + iB
nlocuind cu , factorul de transfer n curent emitor-colector, care se refer la curentul global de emitor i nu doar la
curentul de goluri, rezult:
iC = iE + ICBO
iB = (1 - ) iE - ICBO
iE = iC + iB
este un parametru constructiv, valoarea sa fiind n general cuprins ntre 0,95 i 0,99. El caracterizeaz eficiena
tranzistorului. Referitor la creterea eficienei, pe lng msurile constructive deja menionate mai trebuie adugat modul n care
construcia TB faciliteaz rolul colectorului. Dubla difuzie planar (fig.4.4) este avantajoas n acest sens prin faptul c baza este
efectiv ngropat" n colector, care are anse maxime de a capta purttorii injectai de emitor. Emitorul la rndul su este foarte
bine plasat, fiind "ngropat" n baz. Dezavantajul acestei soluii apare ns prin faptul c terminalul prin care trece cel mai
important curent, emitorul, este i cel mai mic, limitnd astfel drastic curentul maxim al TB.n majoritatea aplicaiilor ICB0 poate fi
neglijat. Abordnd din alt unghi sistemul se poate evidenia rolul de comand al bazei, prin iB. Eliminm iE din cele trei ecuaii,
pentru a se obine dependena iC (iB):

i + I CB0
,
iE = B
1

iC =

1
iB +
I CB0
1
1

Se introduce , factorul de transfer n curent baz - colector definit astfel:

de obicei cuprins ntre 20...1000. Cu aproximaia 1 obinem relaia:iC = iB + ICBO

Termenul ICB0 se va nota cu ICE0, i reprezint curentul rezidual dintre colector i emitor, msurat cu baza n gol (deconectat).
Rezult n final:iC = iB + ICEO,relaie fundamental, care exprim msura n care iB este amplificat n colector.
Dei ICE0 > ICB0, i el poate fi neglijat, deoarece:- atunci cnd curenii de lucru sunt mult mai mari dect curenii reziduali, erorile
produse prin neglijare sunt foarte mici: iB >> ICBO;
- cnd curenii de lucru sunt foarte mici scade din cauza scderii eficienei tranzistorului. Pentru ca efectul de tranzistor s existe
trebuie ca purttorii minoritari injectai n baz s fie suficient de muli nct pierderile prin recombinare n baz s fie "mascate".
n caz contrar, recombinrile din baz dei puine, vor anula efectul de tranzistor. Utilizarea TB la cureni foarte mici este n
concluzie neadecvat.

Factorul (n cataloage este de obicei echivalat cu h21E) este un parametru fundamental al TB, el

caracteriznd capacitatea de amplificare n curent a acestora. n practic se constat o mare mprtiere tehnologic a lui . La
acelai tip de tranzistor, de exemplu BC177, poate fi cuprins de ntre 70 i 800!O concluzie fundamental care se desprinde din
cele de mai sus este faptul c TB este un dispozitiv semiconductor comandat n curent.
Principiul de funcionare a tranzistorului npn este similar, deosebirea constnd n inversarea direciei curenilor, a purttorilor de
sarcin i a polaritii tensiunilor aplicate.

Aplicaiile cele mai importante ale TB :

- n domeniul amplificrii (tensiune, curent, putere), deci n circuitele de prelucrare analogic a
semnalelor.
-utilizarea sa drept comutator (posibilitatea de a bloca curentul de colector prin anularea curentului de baz)
a permis realizarea de circuite logice i numerice.

4.2. Regimuri de funcionare ale tranzistoarelor bipolare

n cele de mai sus s-a considerat jonciunea CB polarizat invers i jonciunea EB polarizat direct,
regim n care tranzistorul este capabil de amplificare. Aceast polarizare nu este ns unica. n tabelul
urmtor vor fi prezentate toate posibilitile de polarizare, fiecare dintre ele corespunznd cte unui regim
diferit de funcionare.
Tabelul 4.1
Regim de funcionare

Polarizarea jonc. EB

Polarizarea jonc. CB

activ normal

direct

invers

blocat

invers

invers

saturat

direct

direct

activ invers

invers

direct

Regimul activ normal este utilizat pentru amplificarea linear a semnalelor; jonciunea CB este
blocat iar jonciunea EB este deschis.
Regimul blocat se caracterizeaz prin cureni foarte mici, ambele jonciuni fiind blocate; tensiunile
dintre terminale sunt determinate de circuitele externe. Se obine prin anularea curentului de baz
Regimul saturat se caracterizeaz prin tensiuni mici ntre terminale, ambele jonciuni fiind
deschise; curenii sunt determinai de circuitele externe. Apare atunci cnd curentul de colector iese de sub
controlul bazei
Regimul activ invers este asemntor cu cel activ normal, dar eficiena tranzistorului este mult mai
slab (E i schimb rolul cu C).
n foarte multe aplicaii actuale, att din domeniul conversiei energiei ct i n calculatoarele
numerice, tranzistoarele opereaz n regim de comutaie ntre regimurile blocat i saturat, trecnd prin
regimul activ numai pe durata scurt a comutaiilor.

4.2.1.Conexiunile tranzistorului bipolar

Pentru studierea amplificatoarelor este clasic noiunea de cuadripol - circuit cu patru borne: dou
de intrare, prin care se aplic semnalul care se dorete a fi amplificat i dou de ieire, de unde se obine
semnalul amplificat.
Mrimi de intrare:
I2

I1

- U1 - tensiune de intrare;
- I1 - curent de intrare;

CUADRIPOL
U1

U2

Mrimi de ieire:
- U2 - tensiune de ieire;
- I2 - curent de ieire.

Fig. 4.5 Definirea cuadripolului

Tranzistorul este caracterizat de 6 parametrii, 3 cureni i 3 tensiuni, dar nu sunt independeni. Pentru aceasta
dac se cunosc 4 parametrii se pot determina i ceilali doi. Deoarece tranzistorul are 3 terminale, este
convenabil s se aleag unul dintre acestea ca electrod de referin i s se conecteze la potenial zero
(mas), fa de acest electrod se vor msura toate tensiunile n schem. n raport cu electrodul de conectat la
mas(comun) - 3 scheme: baz comun (BC), emitor comun (EC), colector comun (CC).
IC
IC C

IE

IC

IB

IB
B

UBE

UCE
E

Emitor comun

UEB

UCB
B

Baz comun

UBC

UEC
C

Colector comun

Tranzistorul este caracterizat prin dou relaii ntre cele patru variabile. Fiecare relaie exprim o variabil n
funcie de alte dou, i poate fi reprezentat printr-o reea de curbe, numit reea (familie ) de caracteristici.
Alegnd o variabil ca parametru, se pot trasa curbele reprezentnd dependene ntre celelalte dou variabile,
pentru fiecare valoare a parametrului. Exist mai multe posibiliti de a trasa caracteristicile, dar numai
cteva prezint interes practic.

Se remarc avantajele conexiunii EC care este singura capabil de a amplifica simultan semnalele de
tensiune i de curent. Mrimile de intrare n aceast conexiune sunt curentul de baz iB i tensiunea bazemitor uBE iar cele de ieire sunt curentul de colector iC i tensiunea colector-emitor uCE.
n conexiune EC, TB este abordat ca un amplificator de curent comandat prin iB, amplificarea de
tensiune fiind obinut prin circuitul extern. n continuare vom considera aceast conexiune implicit.

4.2.2.Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar

Starea electric a unui tranzistor bipolar este definit de patru mrimi electrice doi cureni ( al treilea se
deduce din relaia IE= IC+IB) i dou tensiuni (a treia se deduce din relaia UCE=UCB+UBE). Cele patru
variabile nu sunt independente; dac valorile a dou dintre ele sunt fixate de ctre un circuit pentru un
tranzistor dat, celelalte capt valori perfect determinate. De exemplu, dac circuitul fixeaz valorile
tensiunilor pe jonciuni (UBE i UCB), curenii tranzistorului sunt perfeci determinai. n fig.4.7 sunt
prezentate toate cele 6 mrimi caracteristice pentru TB. Sensurile curenilor i tensiunilor prezentate sunt cele
reale i corespund regimului activ normal, pentru ambele tipuri de tranzistoare, npn respectiv pnp.

IB

IC

IC

UCB

IB UBC
UCE

UEC
B
IE

UBE

IE

UEB

E
Fig. 4.7. Mrimile caracteristice tranzistoarelor bipolare
ntre aceste mrimi exist din start dou relaii de interdependen, impuse de legea conservrii sarcinii
electrice i de Legea a II-a a lui Kirchoff:
iE = iC + iB
UCE = UCB + UBE

pentru npn,

respectiv

UEC = UBC + UEB pentru pnp

Cele 4 mrimi independente pot fi alese n orice mod. Pentru conexiunea EC se prefer excluderea
UCB care nu influeneaz funcional tranzistorul (deoarece este o tensiune de polarizare invers a jonciunii
CB) i a lui IE care poate fi de regul aproximat cu IC. Oricum IE se obine uor din suma celorlali doi
cureni, ntre care exist relaia esenial.

Rmn caracteristicile statice (fig. 4.8), tipice pentru un tranzistor npn n conexiune EC:
-

familia de caracteristici statice de ieire sau de colector Ic = f(UCE), cnd IB = const.. variind n trepte,

(cadranul I);
-

caracteristica static de intrare IB= f(UBE), cu parametrul UCE = const. (cadranul III);

caracteristica static de transfer n curent IC = f (IB), cu parametrul UCE=constant , ( cadranul II);

caracteristica static de transfer n tensiune UCE = f(UBE) cu parametrul IB =constant (cadran IV), o

dependen mai puin interesant, deoarece interdependena celor dou tensiuni este neglijabil.
IC
IB2 = 2 IB1

II

UCE constant
IB1 0
IB = 0

IB

UCE constant

UCE

0,6V

IB constant

III

UBE

IV

Fig. 4.8 Caracteristicile unui tranzistor npn n conexiune EC

Caracteristicile IC=f(UCE) - o importan primordial, deoarece determin interaciunea tranzistor-sarcin.
De regul proiectarea unui circuit electronic se face n sensul ieireintrare, tocmai pentru a garanta
deservirea optim a sarcinii.
Pentru IB=0, tranzistorul este blocat. Singurul curent existent este ICE0, iar tensiunea UCE este dictat de
circuitele exterioare.
Pentru IB0, caracteristicile IC se prezint sub forma unor drepte cvasiparalele cu axa UCE, indicnd faptul
c UCE influeneaz ntr-o msur foarte mic curentul de colector, care este dependent n principal de
curentul de baz (ICIB).
n cazul creterii UCE peste valoarea limit indicat n catalog, tranzistorul se va distruge prin strpungerea
jonciunii CB.
Dintre parametrii electrici ai tranzistoarelor bipolare se pot meniona:
- factorul de amplificare n curent, (h21E - alt notaie )
UCES - tensiunea de saturaie;

ICE0 -curentul rezidual;

fT - frecvena de tranziie, pn la care tranzistorul poate amplifica.
Cele mai importante valori limit sunt: IC - curentul maxim de colector; UCE0 - tensiunea de strpungere CE
cu Baza n gol; Ptot - puterea maxim disipat.
Funcionarea tranzistorului cuplat n schem cu emitor comun (EC) este determinat de familiile
caracteristicilor de intrare i ieire.
Tranzistoarele bipolare sunt comandate n curent i deci consum putere din circuitul de intrare, motiv
pentru care nu pot fi utilizate pentru amplificarea semnalelor de putere mic.