5. Tranzistoare cu efect de cmp (TEC) sau FET (engl.

Field Effect Transistor)

5.1 Structur i funcionare
Tranzistoarele bipolare prezint i dezavantaje-impedana de cuplare ntre dou etaje de amplificare. S-a
cutat o soluie care s combine impedana mare de intrare cu unele avantaje ale tranzistorului bipolar. S-a
realizat astfel tranzistorul cu efect de cmp TEC.
Tranzistorul cu efect de cmp (TEC) este un tranzistor unipolar - n interiorul lui conducia electric este
asigurat de un canal semiconductor cu un singur tip de purttori de sarcin: fie electronii, fie golurile.
TEC - principiu de funcionare- efectul de cmp - curentul care circul ntre extremitile (surs i
dren) unui canal conductor stabilit n sau la suprafaa unui semiconductor este controlat de cmpul electric
creat de o tensiune aplicat pe electrodul de control ( poarta). De aceea TEC este un element activ
comandat n tensiune.
n principiu un tranzistor cu efect de cmp, pe scurt TEC sau FET (field effect transistor) este
constituit din dou jonciuni p-n, semiconductorul comun celor dou jonciuni constituind calea de circulaie
a curentului, iar prin semiconductorii laterali se controleaz curentul de circulaie (fig.5.1.).

Fig.5.1 Structura tranzistorului cu efect de cmp

Dou terminale, drena D (engl. drain) i sursa S (engl. source) sunt conectate la canal, ntre ele
circulnd curentul util ID (curentul de dren). Dup modul de aranjare a jonciunilor canalul poate fi de tip p
sau n.
Cmpul electric modulator este obinut prin aplicarea unei tensiuni de comand ntre al treilea
terminal, poarta G (engl. gate) i S.
n funcie de tipul purttorilor exist TEC -uri cu canal n, respectiv cu canal p. Din cauza mobilitii
sporite a electronilor fa de goluri, TEC -urile cu canal n sunt mai rapide dect cele cu canal p. Curentul
prin canal IDS este controlat de tensiunea aplicat pe gril.
Purttorii minoritari nu particip la conducia tranzistoarelor FET, numite de aceea i monopolare,
spre deosebire de TB la care i purttorii minoritarii particip ntr-o oarecare msur la conducie. Tipic
pentru tranzistoarele TEC este proprietatea de a fi comandate n tensiune, spre deosebire de TB care sunt
comandate n curent. Un prim avantaj este simplificarea circuitelor de comand pe poart, mai ales n cazul
dispozitivelor de mare putere.
Proprieti: impedan de intrare foarte mare; timp scurt de tranzit al purttorilor;
-

zgomot redus; tensiuni admisibile mai mari; construcie mai simpl.

Dup modul de construcie TEC se mpart n 3 grupe:

a) Tranzistoare cu efect de cmp i gril jonciune (TECJ sau JFET) ;
b) Tranzistoare cu efect de cmp cu gril izolat (TECMOS sau MOSFET) ;
c) Tranzistoare cu efect de cmp cu straturi subiri (TFET)

5.2. Tranzistorul cu efect de cmp cu jonciuni (TECJ)

n funcie de tipul purttorilor exist TECJ -uri cu canal n, respectiv cu canal p.
Ex: TECJ cu canal p.
Structura: pe o bar de semiconductor de tip p se realizeaz, prin dopare cu impuriti, dou pelicule de tip
n la care se fixeaz contactele porii (grilei) G, iar la capetele barei p se fixeaz contactele sursei S i a drenei
D. Prin S se injecteaz purttori majoritari n bar, prin D se culeg acetia iar prin G se controleaz cmpul
din interiorul canalului. Simbolurile folosite n schemele electronice pentru TECJ sunt prezentate n fig.b i c.

Fig.5.2 Structura - (a), reprezentarea n schem (b)- cu canal tip p, (c)- cu canal tip
Principiul de funcionare la tipurile n i p este acelai, deosebirea const n aceea c direcia curenilor i
polaritatea tensiunilor aplicate sunt opuse.
Modul normal de funcionare a TECJ- cu poarta polarizat invers fa de surs i dren.
-intensitatea curentului care circul prin canal - controlat de diferena de potenial dintre dren i
surs.
n fig.5.2.d se prezint familia caracteristicilor de dren (de
ieire) a dispozitivului ID = f(UDS) n condiia cnd UGS
= constant.
Privind o singur caracteristic, pentru o valoare dat a
tensiunii UGS, se poate observa c la valori mici ale
tensiunii UDS tranzistorul se comport ca o rezisten
ohmic, dependena ID=ID(UDS) fiind liniar. La tensiuni
UDS mai mari se constat o limitare a curentului de dren, el
rmnnd aproape constant pe o plaj larg a tensiunii UDS.

Fig.5.2 (d) caracteristica de dren ale tranzistorului

cu efect de cmp cu jonciune p-n

Cea mai folosit schem este cea cu sursa comun SC:

Funcionarea TEC - determinat de procesele care au loc la jonciunile

dintre canal i straturile vecine.
- cnd tensiunea de comand UGS = 0 i se cupleaz sursa de tensiune
ntre dren i surs UDS, prin canal trece curentul a crui valoare este
determinat de rezistena canalului.
Tensiunea UDS uniform aplicat pe lungimea canalului provoac
deplasarea invers a jonciunii p-n ntre canalul de tip p i stratul de tip
n, astfel nct tensiunea invers mai mare la jonciunea p-n se gsete n zona apropiat de dren, iar n
apropierea sursei jonciunea p-n se aplic n stare de echilibru.
Prin creterea tensiunii UDS domeniul stratului electric dublu din jonciunea p-n, srcit de purttori mobili
de sarcin, se va lii respectiv are loc ngustarea canalului. (fig.5.4 a).

(a)

(b)

Fig.5.4 ngustarea canalului tranzistorului cu efect de cmp la aplicarea tensiunii

Forma canalului, i implicit intensitatea curentului prin el, pot fi controlate i cu ajutorul tensiunii UGS.
- cnd se aplic tensiune pozitiv pe gril (UGS> 0) jonciunea p-n se deplaseaz i mai mult n zona
tensiunii inverse iar limea jonciunii crete, cum se observ din fig.5.4.b. Ca rezultat se ngusteaz
canalul conductor de curent i curentul de dren ID se micoreaz (fig.5.2d).
- pt. o anumit valoare a lui UGS - tensiune de blocare, curentul de dren practic dispare.
Raportul dintre variaia curentului de dren ID i variaia tensiunii dintre gril i surs UGS care o
provoac se numete pant, n condiia cnd UDS = constant.
S=

I D
U GS

U DS =const

Din modul de funcionare intern a unui TECJ i din aspectul familiei de caracteristici statice ID = ID(UDS)
putem observa existena a trei regiuni de lucru posibile:
regiunea liniar din vecintatea originii n care rezistena canalului este constant. De regul, acest lucru
se petrece la tensiuni dren-surs mai mici de 0,5V.
regiunea de saturaie n care curentul de dren crete foarte puin la valori UDS >UDSsat.
regiunea de strpungere n care are loc multiplicarea n avalan a purttorilor de sarcin, creterea
curentului de dren fiind limitat doar de rezistena din circuitul de polarizare.Sectorul de cretere rapid a
caracteristicii se folosete n schemele de comutare, iar sectorul al doilea pentru amplificarea semnalelor.

Precizri importante:
Deoarece jonciunea este polarizat invers curentul de poart este foarte mic ( IG nA ) i rezistena de
intrare a tranzistorului este foarte mare ( rgs 1011 1015).
n regim de funcionare normal jonciunea este polarizat invers. Tranzistorul poate lucra i cu jonciunea
polarizat direct dar nu la tensiuni UGS > 0,5V. Dac nu se respect aceast condiie tranzistorul se va
distruge.
5.3 Tranzistoarele cu efect de cmp de tipul MOS (metal-dielectric-semiconductor)
Tranzistorul cu Efect de Cmp tip Metal-Oxid-Semiconductor (TEC-MOS), sau MOSFET, (Field Effect
Tranzistor) este un dispozitiv semiconductor cu 3 terminale :
Sursa => electrodul de unde pleaca sarcinile electrice,
Drena => electrodul catre care se indreapta sarcinile electrice,
Grila (Poarta) => electrodul care comanda comportarea dispozitivului.
Aceste tipuri de tranzistoare au grila izolat. La suprafaa cristalului semiconductor care reprezint suportul
cu conductivitate de tip p sunt formate dou zone cu conductivitate de tip n, legate ntre ele printr-o punte
subire care reprezint canalul. Zonele de tipul n sunt prevzute cu borne pentru cuplarea n circuitul exterior
(drena i sursa). Cristalul semiconductor este acoperit cu o pelicul de oxid dielectric pe care se dispune
grila metalic G legat n circuitul exterior. n acest fel grila este izolat din punct de vedere electric de
circuitul dren surs.
Structura schematic a unui TECMOS cu canal iniial de tip n este prezentat n fig. :

Suportul se leag cu sursa, legtura se face n interiorul acestuia sau n exteriorul acestuia.
Grila este un film metalic izolat de semiconductor printr-un strat de SiO2. Din fabricaie, ntre surs i dren
(zone de tip n puternic dopate) exist un canal conductor tot de tip n, astfel nct, chiar i atunci cnd poarta
nu este polarizat, la stabilirea unei diferene de potenial ntre dren i surs, prin canal va trece un curent
nenul. Seciunea transversal a canalului poate fi modificat prin aplicarea unui potenial pe poart.
De regul, terminalul conectat la substrat (care se numete baz) se conecteaz la terminalul sursei, astfel
nct sursa i substratul vor avea acelai potenial.
Dac diferena de potenial dintre poart i surs este negativ, atunci canalul se ngusteaz (electronii din el
sunt alungai n substrat) i rezistena lui crete. Se spune despre tranzistor c lucreaz n regim de
srcire .
Dac diferena de potenial dintre poart i surs este pozitiv, atunci canalul se lrgete (electroni din
substrat sunt atrai n canal) i rezistena lui scade. Se spune despre tranzistor c lucreaz n regim de
mbogire.

Fig. 5.5 Structura - (a) i caracteristica de dren- la tranzistoarele MOS cu canal iniial (b)

Caracteristicile de dren (de ieire) ID = f(UDS) pentru UGS=constant sunt prezentate n fig.5.5.b. Se poate
remarca asemnarea caracteristicilor statice de ieire ale TECJ cu cele ale TB, cu remarca c aici mrimea de comand nu mai este
un curent ci o tensiune. Poriunea din caracteristica static unde curentul de dren atinge un palier se numete zon de saturaie,
iar poriunea corespunztoare valorilor reduse ale UDS se numete zona ohmic sau zona nesaturat. Valoarea maximal a
curentului de dren, obinut cu tensiunea UGS = 0, se noteaz IDSS i este de obicei de ordinul a civa miliamperi. (n notaia
curentului de dren IDSS semnificaia simbolurilor utilizate: primul S corespunde la surs comun, iar cel de-al doilea S
corespunde la scurt circuit deoarece se scurtcircuiteaz grila prin legarea ei la surs.)

n lipsa tensiunii de comand cnd UGS=0, prin canal ntre zonele de tipul n trece curentul ID. Prin
creterea tensiunii sursei UDS, jonciunea p-n dintre substrat i canal se deplaseaz n sens invers, astfel
nct tensiunea invers mai mare pe jonciune se realizeaz n apropierea drenei. Prin deplasarea invers a
jonciunii p-n se produc lrgirea stratului electric dublu, srcit de purttorii mobili de sarcin i se
ngusteaz canalul care conduce curentul.
Pe msura creterii UDS rezistena canalului se mrete, creterea curentului de dren se ncetinete i
atunci cnd jonciunea acoper seciunea canalului prin creterea lui UDS, curentul ID practic se stabilizeaz.
-cnd se aplic tensiunea pozitiv pe gril UGS >0 , se produce atragerea electronilor din suport, electronii
care se acumuleaz n zona canalului, rezistena acestuia se micoreaz iar curentul de dren ID crete .
- cnd pe gril se aplic tensiune negativ, UGS <0, cmpul electric respinge electronii din canal n suport,
rezistena canalului crete iar curentul ID scade (regim de srcire).
n acest fel prin modificarea tensiunii de comand UGS se modific curentul de ieire a
tranzistorului ID, astfel nct raportul dintre creterile mrimilor de ieire i intrare sunt determinate de panta :
I D
S=
= const.
U
U GS DS
Datorit faptului c grila este izolat de restul circuitului, curentul acesteia este foarte mic IG i este
determinat numai de rezistena izolrii, motiv pentru care puterea necesar pentru comanda tranzistoarelor
MOS este practic nul.
n mod analog funcioneaz i tranzistoarele MOS cu canal de tip p, la care suportul este de tip n,
sensul curenilor i polaritatea tensiunilor fiind invers fa de cazul analizat anterior (MOS de tip p).

Canalul unui tranzistor cu poart izolat poate exista chiar n absena unei tensiuni aplicate pe poart
(UGS=0). Acest tip de tranzistor poart numele de tranzistor cu canal iniial.
Se disting deci patru tipuri de tranzistoare cu efect de cmp cu poart izolat:
tranzistoare cu canal n indus;
tranzistoare cu canal n iniial;
tranzistoare cu canal p indus;
tranzistoare cu canal p iniial;
Marcarea tranzistoarelor MOS de tipul n i p se arat n fig. 5.6a i respectiv b. Ambele tipuri de
tranzistoare au canalul ncorporat.

(a)

(b)

(c)

(d)

Fig.5.6 Reprezentarea n schem a tranzistoarelor MOS

APLICAIE : "Comutator pentru becuri cu halogen"

Becul cu halogen d o lumina foarte bun cu un randament excelent. Ca orice bec cu filament n
momentul conectrii absoarbe un curent de circa 10 ori mai mare dect curentul nominal, ceea ce determin
scurtarea timpului de viata. Fiindc becurile cu halogen sunt scumpe, mai ales cele speciale pentru
automobile, este util un circuit care s le mreasca timpul de via. Circiutul prezentat aici se bazeaz pe
faptul ca dac tensiunea pe poarta creste treptat si curentul drena-sursa prin tranzistorul cu efect de
camp va creste tot treptat. Timpul de crestere este stabilit de rezistenta R1 si condensatorul C :
t = RC = 100 kW 10 m F = 1s.
Dioda descarc condensatorul prin bec i TEC la ntreruperea alimentrii.
Fiindca rezistena drena - sursa este 0,05W , cderea de tensiune pe tranzistor va fi :
UTEC = RDS x Ibec = 0,05W x 4A=0,2V
Puterea disipata va avea valoarea => P=UTEC x Ibec = 0,8W destul de mic pentru a nu fi necesar
radiator pentru tranzistor.

6. Tranzistorul unijonciune (TUJ)

6.1.Structur i funcionare
- dispozitive - prezint regiune de rezisten negativ, proprietate ce le face utilizabile n schemele de
oscilatoare de relaxare, circuite de comand a tiristoarelor i a triacurilor, circuite de temporizare.
Structura TUJ: o bar de siliciu de tip n avnd rezistivitatea =100 cm, cu lungimea mult mai mare
dect celelalte dou dimensiuni, este dopat ntr-un punct pe lungime, formnd o regiune de tip p i n acea
zon apare o jonciune p-n.
Dispozitivului astfel construit i se ataeaz 3 terminale corespunztor capetelor barei i regiunii p,
denumite respectiv baza B1, baza B2 i emitorul E, ( fig.6.1).
- jonciuna p-n n bara de siliciu n este poziionat la distanele l1, l2 fa de capete.
- r1, r2 rezistenele ohmice ale barei pe lungimile l1 i
l2, cu ajutorul crora se definete raportul intrinsec de
r
divizare al barei = 1 .
r1 + r2
Deoarece baza este omogen, raportul teoretic
(0,1) i d poziia jonciunii pe lungimea barei de siliciu

i care practic ia valori n domeniul (0,40,9).

Dispozitivul astfel construit este o diod cu dou baze
deoarece are o singur jonciune i se numete diod cu
dou baze sau tranzistor unijonciune.
Fig.6.1 Structura - (a) i simbolul -(b) tranzistorului unijonciune

6.2 Caracteristica static a tranzistorului unijonciune

Se consider schema (fig. 6.2) n care cele dou baze au fost polarizate cu tensiunea UB1B2 iar ntre
emitorul E i B1 este tensiunea pozitiv UEB1. Prin tranzistor circul curentul IB2B1 dat de relaia:
U B2B1
(6.1)
I B2B1 =
r1 + r2

iar tensiunea ntre jonciune i B1 este dat de relaia:

r
U = I B 2 B1 r1 = 1 U B 2 B1 = U B 2 B1
r1 + r2

(6.2)

Fig.6.2 Montaj pentru ridicarea caracteristicii TUJ-ului

Se constat c UEB1 i U = U B2B1 sunt n opoziie, ceea
ce nseamn c dac U >UEB1, ntre emitorul E i B1 nu circul dect un curent foarte mic, tranzistorul
fiind blocat deoarece jonciunea este polarizat invers adic IE 0.
- Dac UEB1 crete, UEB1 > U, atunci jonciunea este polarizat direct i rezistena sa devine
neglijabil ceea ce nseamn c r1 0 i U 0, curentul IE prin circuitul EB1 crete brusc la valoarea
maxim, tranzistorul comportndu-se ca o diod polarizat direct.

- n cazul n care bazele B1B2 se leag ntre ele, ceea ce nseamn c UB2B1=0 tranzistorul unijonciune se
comport ca o diod (caracteristica 1, fig. 6.3).
Caracteristica static a TUJ-ului este IE = f(UEB1) pt. diferite valori UB2B1 i este prezentat n
fig.6.3. Tensiunile UEB1,UEB2 sunt tensiuni de deschidere sau basculare a TUJ-ului i ele cresc o dat cu
creterea tensiunilor UB2B1.

Fig.6.3 Caracteristica static a tranzistorului unijonciune

Poriunile ab, ab din caracteristici se numesc poriuni cu rezisten negativ. Aceste poriuni dau o
caracteristic deosebit TUJ-ului fiind utilizat ca generator de oscilaii comandat.
Din analiza funcionrii TUJ-ului rezult c acesta funcioneaz ca o diod a crei rezisten r1 este
controlat prin tensiunea UEB1. Acest lucru permite s se construiasc o schem echivalent pentru TUJ n
care variaia rezistenei r2 se face printr-un montaj cu 2 tranzistoare complementare T1 , T2. Raportul de
divizare se stabilete din rezistenele R1,R2 (fig.6.4a).

(a)

(b)

Fig.6.4 Schema echivalent a tranzistorului unijonciune - (a),

simbolul pentru TUJ complementar cu bara de Si i jonciune n - (b)

Un caz special de TUJ este aa zisul TUJ programabil care conine 4 straturi de semiconductor alternant n
succesiunea p1- n1- p2 - n2 i o singur jonciune p1- n1. Se realizeaz apoi 3 terminale la p1,n1 i n2 denumite
anod A, catod C i gril G. ntre G i C se monteaz un divizor R1, R2 exterior dispozitivului care constituie
factorul de divizare i care factor poate fi programat din alegerea acestor rezistene. Va rezulta un TUJ
programabil avnd schema i simbolul de conexiune n fig.6.5.
Fig.6.5 Schema - (a) i simbolul - (b) a TUJ-ului
programabil