Capitolul 3

Tranzistoare cu efect de cmp

TRANZISTOARE CU EFECT DE
CMP
Subiecte
3.1. Tranzistorul cu efect de cmp cu jonciune
3.1.1. Stuctura i principiul de funcionare a TEC-J
3.1.2. Funcionarea la tensiuni dren-surs foarte mici
3.1.3. Funcionarea n regiunea neliniar
3.1.4. Funcionarea n regiunea de saturaie
3.2. Circuite de polarizare pentru TEC-J
3.3. Modele pentru semnal mic ale TEC-J
3.4. Tranzistoare MOS
3.4.1. Tranzistorul MOS cu canal indus. Structura i
funcionarea
3.4.2. Caracteristici statice ale TEC-MOS cu canal indus
3.4.3. TEC-MOS cu canal iniial

Funcionarea tranzistoarelor cu efect de cmp (TEC) se bazeaz

pe modificarea conductivitii unui canal semiconductor cu
ajutorul cmpului electric produs de o tensiune de comand. Un
avantaj important al TEC l constituie faptul c necesit un
curent de comand infim, ceea ce le confer o impedan de
intrare foarte mare. Pe de alt parte, amplificarea de tensiune
este mai mic dect la tranzistoarele bipolare. Exist
urmtoarele tipuri de TEC:
cu jonciune (TEC-J)
cu electrod de comand izolat (TEC-MOS)
o cu canal indus
o cu canal iniial
Fiecare din tipurile menionate exist n varianta cu canal de tip
n sau cu canal de tip p. Tranzistoarele cu efect de cmp de tip
MOS sunt larg folosite n tehnologia circuitelor integrate
digitale.

Capitolul 3
Tranzistoare cu efect de cmp

3.1. Tranzistorul cu efect de cmp cu jonciune

Pentru conciziune, vom restrnge prezentarea la cazul
tranzistoarelor TEC-J cu canal n. Funcionarea i concluziile ce
se desprind sunt similare pentru tranzistoarele cu canal de tip p,
cu observaia c toate tensiunile i toi curenii au semnul
schimbat.
3.1.1. Stuctura i principiul de funcionare a TEC-J
Structura de principiu n seciune a unui TEC-J (J-FET n limba
englez) cu canal semiconductor de tip n i simbolul
dispozitivului sunt ilustrate n figura 3.1. Dispozitivul prezint
o singur jonciune pn, cele dou regiuni p din figur fiind
interconectate.
D (dren)

D
iD>0
tip p+

(poart)
G

canal
semiconductor
tip
n

G
uGS<0

canal n
uDS>0

S
D

regiune
golit
de purttori

canal p
S

S (surs)

a)

b)

Fig. 3.1. Structura i simbolurile tranzistoarelor TEC-J .

Funcionarea TEC-J se bazeaz pe modificarea regiunii de

sarcin spaial a jonciunii, cu ajutorul tensiunii de polarizare
2

Capitolul 3
Tranzistoare cu efect de cmp

invers, aplicat ntre poart i surs. Regiunea de sarcin

spaial este golit de purttori de sarcin mobili i se comport
ca un izolator, modificnd limea efectiv i conductivitatea
canalului semiconductor de tip n dintre dren i surs.
3.1.2. Funcionarea la tensiuni dren-surs foarte mici
Dac tensiunea dren-surs are valori reduse, de ordinul
fraciunilor de volt, cderea de tensiune de-a lungul canalului
are un efect neglijabil asupra formei i conductivitii canalului.
Curentul i tensiunea de dren sunt legate printr-o relaie
liniar, de forma:
iD=GuDS,
(3.1)
unde G este conductivitatea canalului, care depinde exclusiv de
tensiunea de comand aplicat ntre poart i surs. Se poate
demonstra c:

u
G G0 1 GS
VP

(3.2)

Examinnd ecuaia (3.1), se deduce c G0 este conductivitatea

iniial (i maxim) a canalului, pentru uGS=0, iar VP, denumit
tensiune de prag este tensiunea la care conductivitatea devine
egal cu zero. Ecuaia este valabil pentru
(3.3)
VP uGS 0 .
Pentru uGS<VP, G0=0, canalul fiind complet obturat de regiunea
de sarcin spaial. Combinnd ecuaiile (3.1) i (3.2) se obine:

u
iD G0 1 GS
VP

uDS .

(3.4)

Funcionarea TEC-J la tensiuni dren-surs foarte mici este

ilustrat n figura 3.2, ce red caracteristicile statice de ieire
iD(uDS) cu parametru UGS.

Capitolul 3
Tranzistoare cu efect de cmp

iD
mA

0,1

UGS=0
UGS= -1V
UGS=VP=3V

0,1

uDS
V

Fig. 3.2. Funcionarea TEC-J la tensiuni dren-surs foarte mici

3.1.3. Funcionarea n regiunea neliniar

Cderea de tensiune provocat de curentul iD de-a lungul
canalului semiconductor determin creterea tensiunii de
polarizare invers a jonciunii poart-canal, progresiv de la
captul dinspre surs spre cel dinspre dren. n consecin,
limea canalului se reduce progresiv, de la captul dinspre
surs spre cel dinspre dren, conform figurii 3.3a. Dac
tensiunea uDS are valori de ordinul volilor, acest efect nu mai
poate fi neglijat.
Reducerea limii medii a canalului la creterea tensiunii dren
surs i a curentului de dren determin reducerea
conductivitii canalului. Din acet motiv, pe msur ce
tensiunea dren surs este mai mare, creterea ei n continuare
determin o cretere din ce n ce mai mic a curentului de
dren. Caracteristicile de ieire care, la tensiuni dren surs
reduse prezentau o variaie aproximativ liniar a curentului de
dren cu tensiunea de dren, se curbeaz la tensiuni dren surs
mai mari, tinznd s devin orizontale (figura 3.4). Valoarea
tensiunii dren surs de la care curentul de dren se satureaz
(tinde s nu mai creasc cu tensiunea dren surs) se numete
4

Capitolul 3
Tranzistoare cu efect de cmp

tensiune dren surs de saturaie, UDSsat. Saturaia curentului

de dren se produce n momentul n care tensiunea invers
dintre poart i canal la captul dinspre dren egaleaz
tensiunea de prag i canalul se stranguleaz, ca n exemplul din
figura 3.3b. Rezult c saturaia se produce cnd
uGD=VP.

(3.5)

iD

iD

-1V

+1V

-1V

+2V

-1V

+0,5V

-1V

+1V

-1V

0V

-1V

0V

VD=+1V
VG=1V
VS=0V
a)

VP=-3V

VD=+2V
VG=1V
VS=0V
b)

Fig. 3.3. Efectul tensiunii dren surs asupra geometriei i conductivitrii

canalului. a) canal nestrangulat, b) canalul strangulat

Deoarece
uGD= uGS uDS,
rezult c
UDSsat= UGS VP.

(3.6)
(3.7)

3.1.4. Funcionarea n regiunea de saturaie

Dup strangularea canalului pe o scurt poriune la captul
dinspre dren, creterile tensiunii dren surs au ca efect unic
creterea rezistenei electrice a poriunii strangulate. Restul
canalului, inclusiv distribuia potenialului, geometria i
curentul de dren rmn practic neschimbate. Curentul de dren
n regiunea de saturaie depinde ns de tensiunea de comand
5

Capitolul 3
Tranzistoare cu efect de cmp

dintre poart i surs. Putem concluziona c, n regiunea de

saturaie, TEC-J se comport la terminalul drenei ca un
generator de curent comandat cu ajutorul tensiunii poartsurs.

iD
mA

iD
mA

2mA
IDSS

UDS=ct.
n reg. de
saturaie

locul
Strpungere
UDSsat=
UGS=0
uGS-VP
regiune
regiune de
neliniar
saturaie
UGS= -0,5V
UGS= -1V
UGS= -2V

VP
(-3V)

uGS
V

UGSVP=UDS=ct. 3V

20V uDS
V

Fig. 3.4. Caracteristicile statice de ieire ale TEC-J (stnga) i de transfer n

regiunea de saturaie (dreapta). Valorile numerice sunt pur orientative!

Dependena curentului de dren de tensiunea de

comand poart-surs n regiunea de saturaie se poate
aproxima prin ecuaia:

u
iD I DSS 1 GS
VP

(3.8)

reprezentnd caracteristica static de transfer n regiunea de

saturaie ( vezi figura 3.4). De reinut:
Curentul IDSS, este, alturi de tensiunea de prag,
VP, un parametru funcional de baz al
dispozitivului. Este cel mai mare curent de

Capitolul 3
Tranzistoare cu efect de cmp

dren posibil la o funcionare normal i

corespunde unei tensiuni de comand nule.
Ecuaia (3.8) este valabil numai pentru
0>uGS>VP. Pentru tensiuni mai mici dect
tensiunea de prag, iD=0.
Ca i la tranzistorul bipolar de tip npn,
creterea tensiunii de intrare determin
creterea curentului de ieire. Dependena este
tot neliniar, dar neliniaritatea este mai puin
sever (parabolic n loc de exponenial).
Spre deosebire de tranzistorul bipolar, nu
folosim caracteristici statice de intrare.
Curentul de poart, IG, este curentul rezidual al
jonciunii poart-canal i are valori de ordinul
10-9A, neglijabil pentru o gam larg de
aplicaii ale TEC-J.

Pentru aplicaiile n care TEC-J funcioneaz ca

amplificator liniar, dispozitivul se polarizeaz cu PSF n
regiunea de saturaie. Atragem atenia c, termenul de saturaie
are aici cu totul alt semnificaie dect n cazul tranzistorului
bipolar. Regiunea neliniar este mai puin interesant pentru
aplicaii, cu excepia poriunii liniare a caracteristicii de ieire,
corespunztoare tensiunilor dren surs foarte mici, n care
TEC-J se comport ca o rezisten comandat n tensiune.
Inclus ntr-un divizor de tensiune, rezistena echivalent dren
surs la tensiuni mici poate servi la obinerea unui atenuator
comandat n tensiune, cu aplicaii poteniale n controlul
amplificrii pe cale electric.

Comparai TEC-J cu tranzistorul bipolar din punctul de

vedere al neliniaritii caracteristicii statice de transfer.
Comparai semnificaiile termenului regiune de
saturaie a caracteristicilor statice de ieire la cele dou
tipuri de tranzistoare.

Capitolul 3
Tranzistoare cu efect de cmp

3.2. Circuite de polarizare pentru TEC-J

Cel mai simplu circuit de polarizare pentru un TEC-J este redat
n figura 3.5. Vom calcula PSF pentru cazul particular cu
Vdd=20V, RD=15k ohmi, RS=1,5k ohmi, RG=2M ohmi i
tranzistor cu parametrii: IDSS=2mA, VP=3V.

Vdd
RD
VD

D
VG

RG

uGS<0

uDS
S VS
RS
iS=iD

0V

Fig. 3.5. Circuit de polarizare simplu pentru TEC-J

Deoarece IG0, considerm VG=0 (de exemplu, IG=1nA,

conduce la VG=2mV). Rezult c
uGS=-iDRS.
(3.9)
Folosind acest rezultat n ecuaia (3.8), se obine ecuaia de
ordinul doi n uGS:

uGS

u
I DSS RS 1 GS
VP

(3.10)

cu soluiile uGS=-7,85 V i uGS=-1,15V. Prima este o soluie

fictiv, corespunznd unei tensiuni mai mici dect VP, pentru
care ecuaia (3.9) nu este valabil. Prin urmare, avem soluiile
UGS=-1,15V i ID=0,76 mA. Din circuitul de ieire,
(3.11)
Vdd iD RD uDS iD RS ,
din care deducem UDS=7,35V. Tensiunea UDS obinut este mai
mare dect UDssat =-1,15V+3V=1,85V, ceea ce justific
folosirea ecuaiei (3.9).
8

Capitolul 3
Tranzistoare cu efect de cmp

Efectul dispersiei caracteristicilor statice ale TEC-J

asupra PSF se poate reduce dac n locul rezistenei RG se
introduce un divizor rezstiv. Pentru a nu se reduce prea mult
impedana de intrare mare a etajului amplificator, rezistenele
divizorului trebuie s aib valori foarte mari.
Problema 3.1. Reproiectai rezistena de surs din exemplul
precedent, pentru a se obine curentul de dren de 1mA,
prevznd i un divizor de tensiune la intrare, care s asigure
potenialul de 2V pe electrodul poart.

3.3. Modele pentru semnal mic ale TEC-J

Caracteristica static de transfer a TEC-J n regiunea de
saturaie poate fi considerat o funcie de forma: iD=f(uGS,uDS).
Dependena de tensiunea uDS a fost neglijat n ecuaia (3.9).
Difereniind, obinem

iD

iD
uGS

uGS
PSF

iD
uGS

g m uGS g d uDS .

uDS
PSF

(3.12)

Adugnd i capacitile parazite dintre electrozii

dispozitivului, ecuaia de mai sus ne conduce la modelul din
figura 3.6, valabil pentru toate tipurile de tranzistoare cu efect
de cmp.
Frecvent, gd se neglijeaz. Inversa ei, rezistena de ieire rd, este
de ordinul sutelor de k. Conductana mutual a TEC-J, sau
transconductana, se poate calcula derivnd caracteristica
static de tansfer. Se obine:

gm

2 I DSS uGS
1
VP
VP

u
g m 0 1 GS
VP

iD
g m 0
.
I DSS

(3.13)
9

Capitolul 3
Tranzistoare cu efect de cmp

De remarcat c transconductana este maxim pentru tensiune

poart-surs nul, respectiv curent de dren maxim, IDSS.

id

Cgd

gmugs

ugs

uds

rd

Cgs

Fig. 3.6. Modelul pentru semnal mic al TEC

Exemplificm utilizarea modelului pentru

Vdd calculul amplificrii
circuitului din figura 3.7.
RD
D
Cc1

Rg

ui RGuGS<0

Cc2

uDS
uL

S
RL

RS
ug

iD

0V

Figura 3.7. Amplificator cu TEC-J n conexiune cu sursa comun

Considerm reactanele condensatoarelor de cuplare i de

decuplare de valoare neglijabil la frecvena de lucru, rezultnd

10

Capitolul 3
Tranzistoare cu efect de cmp

schema echivalent pentru componenta de curent alternativ din

figura 3.8. Se pot scrie ecuaiile urmtoare:

uL gmugs ( RD || RL ) ,

(3.14)

RG
u gs ,
RG Rg

(3.15)

u gs ui

de unde rezult amplificarea de tensiune:

Au

uL
g m ( RD || RL ) ,
ui

(3.16)

Rg
ugs =ui

uL =uds

ug

gmugs RD RL

RG

Figura 3.8. Schema echivalent de c.a. pentru amplificatorul din figura 3.7.

Rezistena de intrare a amplificatorului este Ri=RG. Datorit

acesteia, tensiunea la intrarea amplificatorului este atenuat fa
de tensiunea pe care generatorul de semnal ar furniza-o n gol.
Factorul de atenuare la intrarea amplificatorului este Ri/(Rg+Ri).
ku=Ri/(Rg+Ri).
(3.17)
Se definete amplificarea de tensiune total,

Autot

uL
ku Au ku g m ( RD || RL ) .
ug

(3.18)

Rezistena de ieire a amplificatorului este Ro=RD. Amplificarea

de tensiune n gol (fr RL la ieire) este Auo = gmRD.
Exemplu numeric. Considerm datele din exemplul precedent
pentru polarizarea TEC-J: Vdd=20V, RD=15k, RS=1,5k,
11

Capitolul 3
Tranzistoare cu efect de cmp

RG=2M i tranzistor cu parametrii: IDSS=2mA, VP=3V. De

asemenea, considerm Rg=100k, RL=15k. Cunoscnd PSF
i aplicnd ecuaia (3.13), obinem gm=0,82 mA/V, Ri=2M,
Ro=7,5 k, Au=6.16, ku=0,95 i Autot=-0,95 6,16=5.86.
Datorit impedanei de intrare mari, atenuarea la intrarea
amplificatorului este redus. Amplificarea de tensiune n gol
este Auo = 12,33, de dou ori mai mare ca n sarcin. Se las n
seama cititorului s demonstreze c

Auo

RL
Au .
Ro RL

(3.19)

Problema 3.2. Refacei circuitul echivalent i calculul

amplificrii pentru amplificatorul din figura 3.7, n ipoteza c
se elimin condensatorul de decuplare din surs.

Comparai etajul amplificator cu surs comun cu etajul

amplificator cu tranzistor bipolar n conexiunea cu
emitorul comun.

12

Capitolul 3
Tranzistoare cu efect de cmp

3.4. Tranzistoare MOS

Spre deosebire de TEC-J, la care canalul se formeaz n
volumul semiconductorului, la tranzistoarele MOS canalul se
formeaz la suprafaa semiconductorului. Grosimea lui este
controlat prin cmpul electric produs de tensiunea de comand
aplicat unui electrod poart izolat de semiconductor. Izolatorul
este un strat de bioxid de siliciu cu grosimea de ordinul 0,1
microni, format prin oxidarea termic a suprafeei siliciului.
Electrodul de comand (realizat din metal, sau mai modern din
siliciu policristalin puternic dopat), mpreun cu izolatorul i
semiconductorul, formeaz structura MOS, ce poate fi asimilat
unui condensator minuscul, denumit capacitor MOS (fig. 3.9).

Metal
Q+
Q

+++++++++++++++++++++++

Oxid
Semiconductor

semiconductor
tip p

Fig. 3.9. Capacitorul MOS

Prin aplicarea unei tensiuni, U, ntre armturile capacitorului,

pe suprafeele interioare ale acestora se separ sarcini electrice
pozitive (Q+) i negative (Q) induse de cmpul electric
transversal produs de tensiunea aplicat. Sarcina Q crete
proporional cu tensiunea aplicat, factorul de proporionalitate
fiind capacitatea echivalent a ansamblului, C.

13

Capitolul 3
Tranzistoare cu efect de cmp

3.4.1. Tranzistorul MOS cu canal indus. Structura i

funcionarea
Structura de principiu a unui tranzistor MOS cu canal n indus
este prezentat n figura 3.10. Uzual, substratul este legat la
surs. n caz contrar, substratul poate fi conectat la un potenial
care asigur polarizarea invers a jonciunilor ce se formeaz
cu regiunile n.

Surs
(S)

Poart Dren
D
G

SiO2

canal n
indus S

n+ canal n indus n+

D
substrat tip p
B

G
B
(bulk)

canal p
indus

Fig. 3.10. Structura de principiu i simbolol electric al unui TEC-MOS cu

canal n indus

Presupunem iniial c s-a aplicat o tensiune uDS pozitiv i

tensiunea de comad, uGS este nul. Curentul de dren va fi nul
n aceast situaie, pentru c jonciunea dintre dren i substrat
este polarizat invers. Dac aplicm o tensiune uGS pozitiv dar
de valoare redus aceasta induce la suprafaa de separaie dintre
substratul de tip p i izolator sarcini negative (electroni). Ct
timp concentraia electronilor indui la suprafa rmne
inferioar concentraiei golurilor, curentul de dren rmne nul.
Dac tensiunea de comand depete un anumit prag, VP,
14

Capitolul 3
Tranzistoare cu efect de cmp

concentraia electronilor la suprafaa substratului o depete

pe cea a golurilor, formndu-se un strat de inversie cu purttori
majoritari electroni. Acesta se comport ca un canal
semiconductor de tip n (indus), ce permite apariia unui curent
de dren pe traseul dren (tip n) canal indus (tip n) surs
(tip n). Creterea tensiunii de comand peste VP mrete
grosimea canalului indus i conductivitatea lui, contribuind la
creterea curentului de dren.
S considerm acum situaia n care meninem o
tensiune de comand, uGS constant i mai mare dect VP i
cretem treptat tensiunea uDS de la valoarea iniial zero. Pe
msur ce tensiunea uDS crete, se produce o cdere de tensiune
tot mai mare de-a lungul canalului semiconductor. Diferena de
potenial dintre poart i substrat nu mai este constant de-a
lungul canalului, reducndu-se progresiv de la captul dinspre
surs spre captul dinspre dren, unde aceasta este minim i
are valoarea uGD=uGS-uDS. Grosimea stratului de sarcini negative
indus se reduce i ea progresiv de la surs nspre dren, ceea ce
determin reducerea conductivitii canalului la creterea
tensiunii dren-surs. Comportarea dispozitivului este
asemntoare cu a TEC-J n regiunea neliniar. O situaie
special se produce cnd uGD=VP i canalul indus se
stranguleaz la captul dinspre dren (figura 3.11). Ideal,
creterea tensiunii de dren n continuare, peste valoarea care a
produs strangularea canalului, nu mai este nsoit de creteri
ale curentului de dren, care se satureaz la valoarea pe care o
avea n momentul cnd canalul s-a strangulat. Tensiunea drensurs de saturaie corespunztoare se obine din ecuaia
uGSuDSsat=VP.

(3.20)

15

Capitolul 3
Tranzistoare cu efect de cmp
(S)

G
uDSsat
uGS

uGD=VP

n+

n+

substrat tip p

Fig. 3.11 Modificarea grosimii canalului i strangularea lui la captul

dinspre dren, n urma creterii tensiunii dren-surs.

3.4.2. Caracteristici statice ale TEC-MOS cu canal indus

Caracteristicile statice de ieire i cele de transfer ale unui
TEC-MOS unui cu canal n indus sunt ilustrate n figura 3.12.
Asemnarea cu cele ale TEC-J este evident. Deosebirea cea
mai important const n faptul c tensiunea de prag, VP, este
pozitiv la TEC-MOS cu canal n indus. n consecin, TECMOS cu canal n indus necesit pentru conducie tensiuni
poart-surs pozitive, spre deosebire de TEC-J cu canal de tip
n.
Regiunea ohmic
n regunea ohmic, denumit i regiune de tip triod sau
regiune neliniar, caracteristicile de ieire pot fi modelate cu o
ecuaie de forma:

iD k

W
2
[2(uGS VP )uDS uDS
],
L

(3.21)

unde W este limea canalului, L este lungimea lui i k este o

constant de proporionalitate de ordinul zecilor de A/V 2. n
regiunea de saturaie, respectiv pentru uGSVP<uDS, curentul de
dren depinde numai de tensiunea efectiv de comand uGSVP:
16

Capitolul 3
Tranzistoare cu efect de cmp

iD k

W
(uGS VP )2 .
L

(3.22)

Dac se foreaz tensiunea de prag ca factor comun n faa

parantezei, ecuaie se poate pune n forma de la TEC-J,
evideniindu-se similitudinea de principiu a caracteristicilor
TEC-MOS i TEC-J n regiunea de saturaie.
iD
mA

iD
mA
0,2

locul
UDSsat=
uGS-VP

regiune
neliniar
UDS=ct.
n reg. de
saturaie

Strpungere
UGS=4V
regiune de
saturaie
UGS= 3,5V
UGS=3V
UGS= 2,5V

VP
(2V)

uGS
V

UDS=ct.

UGSVP=2V

20V uDS
V

Fig. 3.12. Caracteristici statice ale unui TEC-MOS cu canal indus de tip n.

Problema 3.3. Un TEC-MOS cu canal indus are tensiunea de

prag VP=3V. tiind c tranzistorul are curentul de dren n
regiunea de saturaie de 0,5mA pentru tensiunea poart-surs de
4V, calculai curentul de dren i transconductana pentru
UGS=5V. Ce tensiune minim UDS trebuie aplicat n situaia din
problem pentru ca tranzistorul s fie n regiunea de saturaie a
caracteristicilor
3.4.3. TEC-MOS cu canal iniial
Structura i funcionarea TEC-MOS cu canal iniial sunt
asemntoare cu cele ale TEC-MOS cu canal indus. Deosebirea
principal const n faptul c, la un TEC-MOS cu canal n
17

Capitolul 3
Tranzistoare cu efect de cmp

iniial, la suprafaa substratului de tip p se formeaz prin

fabricaie un strat subire de tip n, care l face conductor i
pentru tensiuni de comand uGS nule. Prin intermediul tensiunii
de comand, conductivitatea canalului poate fi mrit sau
micorat pn la anulare, de o manier similar cu cea
prezentat pentru varianta cu canal indus. Caracteristicile
statice i simbolul unui TEC-MOS cu canal n iniial sunt
prezentate n figura 3.13.
Tensiunea de prag are valori negative, ca la TEC-J.
Caracteristicile statice de transfer n regiunea de saturaie sunt
descrise de ecuaia (3.8) de la TEC-J.
iD
mA

iD
mA
0,5

0,5

UDS=ct.
n reg. de
saturaie

locul
UDSsat=
uGS-VP

UGS=2V
regiune de
saturaie
UGS= 1V

regiune
neliniar

UGS=0V

IDSS

IDSS

Strpungere

UGS= 1V
uGS
V

VP=2V

UDS=ct.

UGSVP=
2V

D
B

G
canal n
iniial

20V uDS
V

G
canal p
iniial

Fig. 3.13. TEC-MOS cu canal indus. Caracteristici statice pentru tranzistorul

cu canal n i simbolori

18

Capitolul 3
Tranzistoare cu efect de cmp

Polarizarea TEC-MOS
Pentru TEC-MOS cu canal iniial se poate folosi circuitul
simplu din figura 3.5 sau unul cu divizor de tensiune pe poart.
n cazul, pentru TEC-MOS cu canal indus, prezena divizorului
de tensiune este obligatorie pentru asigurarea tensiunii de
deschidere ntre poart i surs.

Modele de semnal mic pentru TEC-MOS

Se utilizeaz aceleai modele ca la TEC-J i aceleai metode de
rezolvare a circuitelor.

Ce avantaje prezint un amplificator cu impedan de

intrare mare Care din cele dou tipuri de TEC prezint
impedan de intrare mai mare Se poate folosi la
polarizarea unui TEC-MOS cu canal indus schema din
figura 3.7?

19