Capitolul 2

Tranzistorul Bipolar

TRANZISTORUL BIPOLAR
Subiecte
2.1. Structura i funcionarea tranzistorului bipolar
2.1.1. Funcionarea tranzistorului bipolar n regiunea
activ
2.1.2. Relaii ntre i cureni. Modele de semnal mare
pentru regiunea activ
2.1.3. Regimurile de blocare i de saturaie
2.1.4. Caracteristici statice ale tranzistorului bipolar
2.1.5. Analiza unui circuit simplu cu tranzistor bipolar.
Punctul de funcionare i dreapta de sarcin
2.2. Circuite de polarizare pentru tranzistorul bipolar
2.2.1. Circuit de polarizare cu rezisten serie n baz
2.2.2. Circuit de polarizare cu divizor de tensiune n baz
2.2.3. Circuit de polarizare cu rezisten serie n baz i
reacie negativ de tensiune
2.3. Amplificator pentru semnal mic cu tranzistor bipolar.
Modele de semnal mic
2.3.1. Rolul elementelor de circuit
2.3.2. Forme de und
2.3.3. Modelul dinamic al tranzistorului bipolar
2.3.4. Utilizarea modelului de semnal mic al tranzistorului
la calculul amplificatorului
2.4. Mrimi limit n funcionarea tranzistorului bipolar
2.5. Tranzistorul bipolar la nalt frecven

2.1. Structura i funcionarea tranzistorului bipolar

Tranzistoarele sunt dispozitive semiconductoare folosite pentru
amplificarea semnalelor electrice. Aproape toate aplicaiile
electronicii implic existena unui amplificator. Exist dou
categorii de tranzistoare larg folosite: tranzistoare bipolare i
tranzistoare cu efect de cmp.
1

Capitolul 2
Tranzistorul Bipolar

Un tranzistor bipolar are o structur de tip sandwich,

format din dou jonciuni pn, n conformitate cu figura 2.1. Se
observ existena a dou tipuri de tranzistoare bipolare: npn i
pnp. Pentru obinerea proprietilor specifice tranzistorului,
structura trebuie s ndeplineasc dou condiii de baz:
grosimea bazei s fie foarte redus.
concentraia de impuriti a bazei s fie mult mai mic
dect a colectorului i mai ales a emitorului.
Structura de principiu din figur nu reflect construcia
asimetric a celor dou jonciuni, ce conduce n practic la
proprieti diferite ale emitorului i colectorului. n funcie de
polaritatea tensiunilor pe cele dou jonciuni, se disting trei
regimuri de funcionare de baz:
regimul activ, cu jonciunea EB polarizat direct i
jonciunea CB polarizat invers,
regimul blocat, caracterizat prin polarizarea invers a
ambelor jonciuni,
regimul saturat, caracterizat prin polarizarea direct a
ambelor jonciuni.
n situaii speciale, tranzistorul bipolar poate funciona n toate
regimurile menionate cu rolurile colectorului i emitorului
inversate (funcionare invers).
Colector

Colector

n
Baz

Baz

n
p

n
Emitor

Emitor
a)

b)

Fig. 2.1. Structura i simbolurile tranzistoarelor bipolare : a) tip npn i b) tip

pnp.

Capitolul 2
Tranzistorul Bipolar

2.1.1. Funcionarea tranzistorului bipolar n regiunea activ

Ne vom referi la un tranzistor pnp, alimentat ntr-o conexiune
cu baza comun (Fig. 2.2). Funcionarea tranzistorului npn este
similar, cu observaia c toate tensiunile i toi curenii au
sensul invers.

p
C

curent de goluri

iE

iC
cureni de electroni
+

UBE>0

iB

UCB<0

Fig. 2.2. Funcionarea tranzistorului bipolar n regiunea activ

Datorit faptului c baza este slab dopat cu impuriti, curenii

de electroni sunt redui n cazul tranzistorului pnp, motiv
pentru care ne vom ndrepta atenia pentru nceput asupra
curentului principal, datorat golurilor. Mrimea lui este
determinat n esen de mrimea tensiunii directe aplicate pe
jonciunea emitor-baz. Golurile ce traverseaz jonciunea
dinspre emitor spre baz, ca rezultat al tensiunii directe pe
aceast jonciune, se rspndesc prin difuzie n toat baza,
ajungnd i la regiunea de sarcin spaial a colectorului.
Cmpul electric al acestei jonciuni, polarizate invers, este
ndreptat dinspre baz spre colector i determin traversarea
accelerat a jonciunii de ctre golurile din baz ajunse la
regiunea de sarcin spaial a colectorului. Numai o fraciune
redus (de ordinul unui procent) din golurile injectate n baz
se recombin cu electroni, dnd natere uneia din cele trei
componente ale curentului de baz. A doua component a
curentului de baz este datorat electronilor ce traverseaz
3

Capitolul 2
Tranzistorul Bipolar

jonciunea dinspre baz spre emitor, ca rezultat al polarizrii

directe. Cum concentraia de electroni liberi n baz este redus
n comparaie cu concentraia de goluri n emitor, i aceast
component a curentului de baz este mic n raport cu curentul
de goluri al emitorului. Cea de-a treia component a curentului
de baz este i mai redus, fiind constituit din curentul
rezidual de electroni al jonciunii colector baz (reamintim,
polarizat invers).
n sintez:
Ca rezultat al polarizrii directe a jonciunii emitorbaz, ia natere un curent de emitor format aproape
exclusiv din goluri.
Majoritatea golurilor ajunse din emitor n baz
ajung prin difuzie la jonciunea colector baz pe
care o traverseaz, dnd natere unui curent de
colector aproape egal cu cel de emitor (efectul de
tranzistor).
Curentul de baz este mult mai mic dect curenii de
emitor i colector (i este datorat electronilor
mobili la un tranzistor pnp).
Ct timp jonciunea colector-baz este polarizat
invers, mrimea tensiunii colector-baz are un efect
extrem de redus asupra mrimii curentului de
colector. Curentul de colector este practic egal cu
cel de emitor, a crui valoare este determinat de
tensiunea emitor-baz.
n concluzie, la borna colectoare, tranzistorul bipolar aflat n
regimul de funcionare activ se comport ca o surs de curent
comandat. Comportarea de tip surs de curent const n
independena curentului de colector de tensiunea colector-baz.
n realitate, creterea tensiunii inverse pe jonciunea colectorului
determin o cretere a curentului de colector prin extinderea regiunii
de sarcin spaial i ngustarea grosimii efective a bazei, ceea ce
reduce procentul golurilor ce se recombin n baz. Efectul de
modulare a grosimii bazei produce o modificare nensemnat a
curenilor prin dispozitiv i poate fi neglijat pentru majoritatea
aplicaiilor.

Capitolul 2
Tranzistorul Bipolar

Comanda sursei de curent echivalente din colector poate fi

exprimat n mai multe moduri:
n funcie de tensiunea emitor-baz,
n funcie de curentul de baz,
n funcie de sarcina n exces din baz.
Modelul de control prin sarcin este cel mai complex i nu face
obiectul cursului prezent.
2.1.2. Relaii ntre tensiuni i cureni. Modele de semnal
mare pentru regiunea activ
Considerm notaiile pentru tranzistorul npn din figura 2.3.
Acestea corespund sensurilor reale ale tensiunilor i curenilor
pentru funcionarea tranzistorului n regimul activ. De
menionat c unele cataloage folosesc alte sensuri
convenionale ale curenilor, mai precis, toi curenii au sensul
de referin dinspre exterior spre terminalele tranzistorului. n
cazul tensiunilor, convenia este implicit, fiind dictat de
ordinea n care sunt indicate terminalele ( de exemplu, uBE = uEB i uBE >0 implic faptul c potenialul bazei, VB, este mai
mare cect cel al emitorului, VE).
iC
uCB
iB

uCE
uBE
iE

Fig. 2.3. Sensurile convenionale ale curenilor i tensiunilor pentru un

tranzistor bipolar de tip npn.

n conformitate cu ecuaia jonciunii ideale, introduse n

capitolul precedent,
u BE
u BE
(2.1)

iE I ES (e mVT 1) I ES e mVT .

Capitolul 2
Tranzistorul Bipolar

Notnd cu ICB0 curentul rezidual al jociunii colectoare i cu F

fraciunea din curentul de emitor ce se transfer n colector,
avem expresia curentului de colector:
(2.2)
iC=FiE+ ICB0.
n practic, F, denumit i factor de amplificare n curent direct
n conexiunea cu baza comun, are valori de ordinul 0,95-0.98.
Indicele vine de la forward, specificnd conexiunea direct,
normal, a tranzistorului. Valoarea subunitar a coeficientului
F indic n fapt o atenuare de curent. Curentul rezidual ICB0
este de ordinul 10-9 A la tranzistoarele de siliciu de mic putere
i este n general neglijat n calcule, curenii de colector la care
operaz tranzistorul fiind uzual de ordinul miliamperilor sau
mai mare. Cei trei cureni ai tranzistorului mai sunt legai
printr-o relaie ce decurge din teorema lui Kirckhoff pentru
cureni aplicat tranzistorului, vzut ca un nod de circuit:
iE= iC + iB.
(2.3)
Combinnd ecuaiile (2.2) i (2.3) i notnd
(2.4)
F

1 F

obinem legtura dintre curentul de colector i cel de baz:

(2.5)
iC= FiB + (1+ F)ICB0.
Din nou, termenul dependent de curentul rezidual poate fi
neglijat uzual, cu toate c este nmulit cu un factor mult mai
mare dect 1. Pentru c F are valori apropiate de 1, numitorul
fraciei din ecuaia (2.4) este apropiat de zero, astfel c F
denumit factor de amplificare n curent direct n conexiunea cu
emitorul comun, are valori de ordinul 100-500. Semnificaiile
parametrilor F i F rezult cu claritate dac n ecuaiile (2.2)
i (2.5) se neglijeaz curentul rezidual:
(2.6)
iC=F iE,
(2.7)
iC= F iB.
Factorii de amplificare F i F pot fi considerai independeni
de mrimea curentului de colector i a tensiunii colector-emitor,
pentru calcule n creion i hrtie. Valorile de catalog ale acestor
parametri sunt oricum orientative, existnd o important
dispersie tehnologic a valorilor. De asemenea, creterea
temperaturii determin creteri ale acestor paprametri.
6

Capitolul 2
Tranzistorul Bipolar

n ecuaiile de mai sus, iC poate fi considerat curentul

de ieire. n conexiunea cu baza comun, din Fig. 2.2, curentul
din circuitul de intrare este curentul de emitor, corespunztor
ecuaiei (2.6). Baza tranzistorului este electrodul comun
circuitelor de intrare i de ieire, justificnd denumirea
conexiunii. Din ecuaia (2.7), avnd n vedere valorile uzuale
ale lui F, rezult c valorile curentului iB sunt mult mai mici
dect cele ale curenilor de colector sau emitor, din a cror
diferen rezult i sugereaz posibilitatea obinerii unei
amplificri de curent, prin rearanjarea tranzistorului n circuit,
n aa fel nct curentul de intrare s fie curentul de baz. Se
ajunge astfel la conexiunea cu emitorul comun a tranzistorului
bipolar, exemplificat prin circuitul amplificator inversor din
figura 2.4. Circuitul de intrare include i o rezisten, RB, ce
poate fi util pentru limitarea curentului de baz. Totodat, ea
poate ngloba efectul rezistenei interne a sursei de tensiune de
intrare. n exemplul considerat, tensiunii de intrare, uin, i revine
i rolul de a asigura polarizarea direct a jonciunii emitor-baz.
Circuitul de ieire este format din bucla ce include o surs de
tensiune de alimentare a colectorului, EC, pe care o vom
considera ideal i constant, de asemenea rezistena de
colector, RC i tranzistorul, ntre terminalele colectorului i
emitorului.

EC
RC

RB

iC

iB

uCE
uin

uBE

VE=0V

Fig. 2.4. Circuit amplificator inversor cu tranzistor bipolar n conexiunea cu

emitorul comun.

Un model simplu pentru semnal mare al tranzistorului util n

analiza circuitului de mai sus se prezint n figura 2.5. Modelul
7

Capitolul 2
Tranzistorul Bipolar

este valabil pentru regimul de funcionare activ. Frecvent, se

consider modelul cu V=0,6 V i rB=0.
B

uBE

iB

iC
C

F iB

rB

uCE

V
E

Fig. 2.5. Un model de semnal mare al tranzistorului bipolar, pentru regimul

de funcionare activ.

Ce nelegei prin afirmaia c tranzistorul se comport

la borna colectoare ca o surs de curent comandat?

2.1.3. Regimurile de blocare i de saturaie

Regimul de blocare presupune polarizarea invers a ambelor
jonciuni ale tranzistorului bipolar. ntr-o prim aproximaie,
tranzistorul blocat poate fi asimilat cu un circuit complet
ntrerupt ntre toate terminalele, ceea ce presupune iC=iE=iB=0.
n realitate, la blocare iB=-ICB0 i iC= ICB0. De remarcat c la
blocare, sensul curentului de baz este inversat. Dac baza este
lsat n gol, curentul rezidual nu poate fi evacuat prin
electrodul ei. O dat ajuns n baz, curentul rezidual
polarizeaz cu o tensiune direct redus, de ordinul 0,1-0,2 volt
jonciunea emitor- baz i este amplificat ca orice alt curent de
baz, astfel c iC=iE=( F+1)ICB0. Prin urmare, o asemenea
blocare este imperfect, cu toate c pentru majoritatea
aplicaiilor curenii de colector i emitor ce rezult ar putea fi
considerai nesemnificativi.
Regimul de saturaie presupune polarizarea direct a
ambelor jonciuni. La saturaie incipient, jonciunea emitor
baz este polarizat direct, ca i n regimul activ, n timp ce
tensiunea direct pe jonciunea colector baz este apropiat de
zero. Polarizarea direct a jonciunii colectorului determin
8

Capitolul 2
Tranzistorul Bipolar

apariia unei componente suplimentare a curentului de baz, ce

strbate jonciunea colector baz i care crete rapid la
creterea tensiunii directe pe jonciunea colector baz, respectiv
la scderea tensiunii dintre colector i emitor. Creterea
menionat a curentului de baz nu este nsoit de creterea
curentului de colector amplificat prin factorul F, aa cum se
ntmpl cu creterile curentului de baz datorate creterii
tensiunii tensiunii pe jonciunea emitor-baz. Pe msur ce
ptrundem mai adnc n regiunea de saturaie au loc
urmtoarele efecte:
Factorul F scade datorit creterii curentului
de baz, nensoite de creterea proporional,
conform ecuaiei (2.7), a curentului de colector.
Tensiunea colector emitor scade, pe msur ce
tensiunea direct dintre baz i colector se
apropie ca valoare de tensiunea baz emitor
(uCE=uCB+uBE=uBE-uBC).
Modele simplificate ale tranzistorului bipolar npn n regimurile
de blocare i de saturaie sunt prezentate n figura 2.6 (a) i
respectiv (b).
C
iC=0

iB=0

B
VBE

B
iE=0

VCEsat

E
a)

b)

Fig. 2.6. Modele simple ale tranzistorului bipolar pentru regimurile blocat
(a) i saturat (b)

La saturaie, pentru un tranzistor cu siliciu, se poate considera

VBE 0,7V i VCEsat0,1V, sau uneori chiar VBE = VCEsat 0V,
ceea ce corespunde de fapt unui scurtcircuit perfect ntre toi
cei trei electrozi ai dispozitivului. Tensiunea de saturaie tinde
9

Capitolul 2
Tranzistorul Bipolar

s creasc la creterea curentului de colector de saturaie,

datorit rezistenei echivalente serie a colectorului. Valorile
acesteia depind de tipul tranzistorului, fiind redus (fraciuni de
ohmi) n special la tranzistoarele destinate s funcioneze n
comutaie.

Cum sunt polarizate jonciunile tranzistorului n

regimurile de funcionare: activ, blocat, saturat? Cum
se modific F la saturaie i de ce?

2.1.4. Caracteristici statice ale tranzistorului bipolar

Spre deosebire de diod, la care o stare stabil a dispozitivului
poate fi caracterizat prin perechea de parametri curenttensiune, la tranzistorul bipolar situaia se complic, prin
existena a ase parametri: trei cureni i trei tensiuni. Numai
patru din acetia sunt independeni, ntruct suma algebric a
curenilor ce intr n dispozitiv, precum i suma algebric a
tensiunilor ntre borne este nul, conform celor dou teoreme
ale lui Kirckhoff pentru cureni i tensiuni.
La definirea i trasarea caracteristicilor statice,
tranzistorul este considerat un cuadripol. Pentru c tranzistorul
are numai trei electrozi, unul din ei trebuie s fie conectat att
la o born de intrare a cuadripolului ct i la una de ieire.
Electrodul comun stabilete denumirea conexiunii. Firesc,
exist trei posibiliti de alegere a electrodului comun. Mai
frecvent se folosesc caracteristicile statice pentru conexiunile
cu emitorul comun i cu baza comun.
Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar n
conexiunea cu emitorul comun (EC) sunt prezentate n figura
2.7. Caracteristica static de intrare a tranzistorului bipolar
pentru conexiunea EC reprezint matematic funcia iB=f(uBE;
uCE). La reprezentarea ei n planul iB-uBE, tensiunea uCE este
interpretat ca un parametru. Dnd parametrului uCE diferite
valori, se pot trasa diferite caracteristici iB=f(uBE), rezultnd o
familie de caracteristici. n figur sunt reprezentate numai dou
10

Capitolul 2
Tranzistorul Bipolar

caracteristici, pentru UCE=2V i 10V, distana dintre ele fiind

redat mult exagerat. n realitate, efectul tesiunii de ieire
asupra caracteristicii de intrare este cantitativ foarte redus (de
ordinul 104) i poate fi cel mai adesea neglijat. Independena
intrrii fa de ieire confer tranzistorului calitatea dezirabil
de dispozitiv unilateral, n sensul c intrarea comand ieirea,
n timp ce ieirea nu influeneaz intrarea. Condiia este numai
aproximativ ndeplinit de tranzistorul bipolar, datorit
existenei efectului de modulare a conductivitii bazei, dar
aproximarea este suficient de bun pentru majoritatea
aplicaiilor.

iie
iin

iB
A

UCE=2V

20

UCE=10
V

uie
uin

10

-ICB0
iC
mA
5
REGIUNE DE
SATURAIE
2,5

uBE
V

Locul geom.
uCE=uBE
IB=50A
IB=40A
REGIUN
E
ACTIV

IB=30A
IB=20A
IB=10A

IB=0
REGIUNE
DE BLOCARE

40

uCE
V

Fig. 2.7. Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar n conexiunea cu

emitorul comun. Sus: caracteristici de intrare, jos: caracteristici de ieire

11

Capitolul 2
Tranzistorul Bipolar

Caracteristicile statice de ieire, iC=f(uCE;iB) reprezint

dependena curentului de colector de tensiunea de ieire
colector emitor, cu parametru curentul de baz. Au fost
reprezentate n figur numai ase caracteristici, corespunztoare
curenilor de baz de 0, 1, 2, 3, 4 i 5 mA. Sunt evideniate
limitele celor trei regiuni de funcionare. Regiunea de blocare
corespunde de fapt unui curent de baz negativ, i unui curent
de colector foarte redus, egale ambele cu ICB0 i nu este
detaliat n figur. Regiunile activ i de saturaie sunt
delimitate prin locul geometric al punctelor de pe caracteristic
pentru care uCE=uBE (ceea ce implic de fapt uCB=0).
n regiunea activ, curentul de colector corespunztor unei
valori particulare a curentului de baz este aproximativ constant
n raport cu tensiunea colector-emitor, ceea ce justific
modelarea comportrii tranzistorului ntre colector i emitor ca
un generator de curent constant (vezi figura 2.5). Uoara
cretere a curentului de colector cu tensiunea de ieire poare fi
modelat cu ajutorul unei rezistene, denumite rezisten de
ieire, conectate n paralel cu generatorul de curent. Valorile ei
curente sunt de ordinul zecilor sau sutelor de k. Pentru calcule
n creion i hrtie este cel mai adesea neglijat.
Dai o interpretare grafic rezistenei de ieire a
tranzistorului, folosind caracteristicile statice n
conexiunea EC din figura 2.7.

Caracteristicile statice de ieire ale tranzistorului

bipolar pentru conexiunea cu emitorul comun nu sunt perfect
echidistante. Acest fapt se datoreaz variaiei facorului de
amplificare n curent direct, F de curentul de colector. Exist o
valoare a curentului de colector ce maximizeaz factorul de
amplificare. La cureni foarte mari i foarte mici, F scade
daorit unor fenomene a cror prezentare nu face obiectul
cursului prezent.
Caracteristica static de transfer a tranzistorului bipolar
pentru conexiunea cu emitorul comun reprezint dependena
12

Capitolul 2
Tranzistorul Bipolar

curentului de ieire de tensiunea de intrare, iC=f(uBE). Deoarece

iC= FiB, caracteristica static de transfer are aceeai alur ca i
cea de intrare. Difer doar factorul de scar al curenilor.
La tensiuni colector-emitor de valori mari se produce
strpungerea tranzistorului, manifestat prin tendina de
cretere necontrolat a curentului de colector.
2.1.5. Analiza unui circuit simplu cu tranzistor bipolar.
Punctul de funcionare i dreapta de sarcin.
Vom folosi modelul pentru semnal mare din figura 2.5 i
cunotinele referitoare la caracteristicile statice ale
tranzistorului bipolar pentru a studia dependena dintre
tensiunea de intrare i cea de ieire, uCE, n cazul circuitului din
figura 2.4. n acest scop, nlocuim tranzistorul cu modelul su
pentru semnal mare, completat cu o diod ideal, pentru a-i
extinde valabilitatea i pentru regimul blocat (figura 2.8).
iB

RB

RC

iC

F iB
uin

uBE

uCE

rB

EC

Fig. 2.8. Circuit echivalent de semnal mare pentru amplificatorul din Fig.
2.4.

Exemplu. Pentru mai mult claritate, considerm exemplul

numeric cu EC=20V, RB=1,5k ohm, RC=1k ohm, rB=500 ohmi,
F=200.
Observm c pentru uin<V, dioda ideal este blocat, deci iB=0.
Pentru uin>V, jonciunea este deschis, dioda ideal n
scurtcircuit i se pot scrie ecuaiile urmtoare. n circuitul de
intrare:
uin=iBRB+uBE= iBRB+ iBrB+ V,
(2.8)
13

Capitolul 2
Tranzistorul Bipolar

n circuitul de ieire:
(2.9)
uCE=EC-iCRC= EC - FiBRC.
Din ultimele dou ecuaii, rezult legtura cutat ntre
tensiunea de ieire i cea de intrare:
(2.10)
RC
uCE EC F
(uin V ) .

RB rB

Ecuaia de mai sus este valabil numai pentru regimul activ al

tranzistorului, respectiv ct timp uin>V , pentru evitarea
blocrii i uCE > uCEsat V, pentru evitarea saturaiei. Se observ
c tensiunea de ieire scade liniar la creterea tensiunii de
intrare. Factorul de proporionalitate este (prin definiie)
amplificarea de tensiune i se obine difereniind ecuaia
(2.10):
(2.11)
RC

uCE F

RB rB

uin Au uin .

Cu datele numerice ale circuitului, Au=100. Semnul minus

pune n eviden faptul c sensul de variaie al tesiunii de ieire
este invers fa de cel al tensiunii de intrare, ceea ce justific i
denumirea de amplificator inversor.
Tensiunea de intrare pentru care se produce saturaia
tranzistorului se obine punnd condiia uCE = uCEsat n ecuaia
(2.10):
(2.12)
EC uCEsat

uinsat V

Au

Cu datele numerice ale circuitului, observnd c uCEsatEC,

rezult uinsat=0,6V+0,2V=0,8V. Creterea tensiunii de intrare
peste valoarea uinsat nu mai are nici un efect semnificativ asupra
tensiunii de ieire. Practic tensiunea uCEsat tinde spre zero voli,
iar curentul de colector de saturaie nu mai poate crete peste
valoarea de saturaie, determinat de tensiunea de alimentare i
rezistena de colector:
(2.13)
EC uCEsat EC

iCsat

RC

RC

Ca i n cazul diodei, suntem interesai s definim starea

tranzistorului bipolar la un moment dat. Aparent, sunt necesari
trei cureni i trei tensiuni n acest scop. n realitate, numai
14

Capitolul 2
Tranzistorul Bipolar

patru din aceste mrimi sunt independente. Fie acestea iC, iB,
uCE, i uBE. Cunoscnd factorul F, curentul de baz se poate
calcula n funcie de cel de colector. De asemenea, tensiunea
emitor baz corespunztoare unui curent de colector rezult n
principiu din ecuaia (2.1), considernd iE=iC, sau este suficient
a se aproxima valoarea ei cu V. Avnd n vedere argumentele
menionate, starea tranzistorului bipolar poate fi definit
suficient de precis prin perechea de valori (IC,UCE),
reprezentnd un punct n planul caracteristicilor de ieire (Fig.
2.9). Punctul se obine ca intersecie a caracteristicii de ieire
curente, definite prin curentul de baz IB i dreapta de sarcin,
definit de ecuaia (2.9) (prima egalitate).
iC
mA

EC
RC
IC

dreapta de sarcin
static
B

IB=ct.

PSF(IC,UCE)

UCE

EC

uCE
V

Fig. 2.9. Punctul de funcionare i dreapta de sarcin

Caracteristica static de transfer a circuitului amplificator,

uCE=f(uin), este redat n figura 2.10. Se disting trei regiuni ale
caracteristicii, corespunznd strilor blocat, activ i saturat ale
tranzistorului. De observat c:
n regiunile de blocare i de saturaie, tensiunea de
ieire nu depinde de tensiunea de intrare
(amplificarea de tensiune este nul).
Intervalul tensiunilor de intrare pentru care
tranzistorul este n regiunea de funcionare activ i
este capabil de amplificare de tensiune este relativ
gust.
15

Capitolul 2
Tranzistorul Bipolar

uie
V
20 V
activ

blocat

saturat

0,6V 0,8V

uin
V

Fig. 2.10. Caracteristica static de transfer a circuitului amplificator

inversor din figura 2.4

Aplicaiile n care este utilizat tranzistorul bipolar pot fi grupate

n dou categorii: de comutaie i de amplificare. Primele sunt
specifice circuitelor numerice i n ele tranzistorul efectueaz
tranziii rapide ntre strile de blocare i saturaie (uneori
activ). n aplicaiile de amplificare, tranzistorul lucreaz cel
mai adesea exclusiv n regiunea activ a caracteristicilor.
Poate depi curentul de colector de saturaie
valoarea EC/RC n exemplul precedent? Argumentai.

2.2. Circuite de polarizare pentru tranzistorul bipolar

Sarcina de a aduce punctul static de funcionare al
tranzistorului n regiunea activ revine circuitelor de
polarizare. De cele mai multe ori, poziia PSF nu este critic,
abateri de ordinul a 10-20% fa de valoarea nominal a
16

Capitolul 2
Tranzistorul Bipolar

curentului de colector sau a tensiunii colector-emitor fiind

acceptabile. Alegerea PSF are la baz criterii diverse, ce difer
n funcie de aplicaie. O condiie necesar este aceea ca
tranzistorul s rmn n regiunea activ, n condiiile
variaiilor tensiunii colector-emitor i a curentului de colector
n jurul poziiei staionare, produse de semnalul supus
amplificrii. Condiia implic IC > ICmax i UCE >UCEmax, unde
ICmax i UCEmax sunt variaiile maxime n jurul valorilor
statice (din PSF).
2.2.1. Circuit de polarizare cu rezisten serie n baz
Un circuit de polarizare simplu, cu o singur surs de
alimentare, denumit cu rezisten serie n baz, este redat n
figura 2.11. Aplicnd teorema lui Kirckhoff pentru tensiuni, se
pot scrie urmtoarele ecuaii:
(2.14)
EC=iBRB+uBE iBRB+V,
(2.15)
EC =iCRC +uCE = FiBRC+uCE.
Exemplu. Analiza circuitului const n calculul PSF,
cunoscnd elementele pasive i parametrii tranzistorului. Fie:
EC=12V, RC=2k , RB=300k ,
F=100, V=0,6V.
Din ecuaia (2.14) se obine IB38A, rezultnd IC=3,8 mA,
apoi din ecuaia (2.15), UCE=5,4V.

RB

EC
RC
iC

iB

uCE
uBE

VE=0V

Fig. 2.11. Circuit de polarizare a tranzistorului bipolar cu rezisten serie n

baz

17

Capitolul 2
Tranzistorul Bipolar

Exemplu de proiectare.
S se proiecteze un circuit de polarizare cu rezisten de baz
serie ce asigur PSF de coordonate IC=2mA, UCE= 5V. Se
consider un tranzistor cu F=100, V=0,6V.
Soluie.
Tensiunea de alimentare se alege EC=12V, pentru a asigura pe
rezistena de colector o cdere de tensiune cu valoare apropiat
de cea a tensiunii colector i a permite o amplitudine apropiat
de 4-5V a tensiunii de ieire. Din ecuaia (2.15), se calculeaz
RC=(12V-5V)/2mA=3,5k ohmi. Se alege valoarea standardizat
apropiat, RC=3,6k ohmi. Curentul de baz este IB=IC/ F=20A.
Din ecuaia (2.14), rezult RB=(12V-0,6V)/20A=557k ohmi.
Se alege valoarea standardizat RB=560k ohmi.

Problem. Cum se modific curentul de colector al

tranzistorului la circuitul proiectat dac:
a) Rezistena RC se alege de 1k ohm n loc de valoarea
calculat
b) Rezistena RC se alege de 10k ohmi n loc de
valoarea calculat,
c) Se folosete un tranzistor cu F=50 n loc de 100,
valoarea luat n calcul,
d) Se folosete un tranzistor cu F=300 n loc de 100,
valoarea luat n calcul
Soluie.
a) Curenii nu se modific, se schimb numai
UCE12V-2mA1k ohm=10V.
b) Relund calculul precedent, ar rezulta UCE12V2mA10k ohm=-8V. Soluia nu este fizic posibil,
tensiunea UCE putnd s scad numai pn la
valoarea UCEsat0V (vezi figurile 2.9 i 2.10).
Curentul de colector la saturaie ce rezult este
ICsat10V/10k =1mA.
c) Curentul de baz nu este afectat, deci IC scade la
jumtate din valoarea proiectat: IC =1mA.
d) Din nou IB nu este afectat. Din calculul
IC= FIB=6mA ar rezulta o valoare mai mare dect
18

Capitolul 2
Tranzistorul Bipolar

cea de saturaie, ICsat = EC / RC = 12V / 3,6k

3,3mA. Soluia este IC = ICsat 3,3mA.
Din analiza ecuaiilor (2.14) i (2.15) i din exemplele de calcul
de mai sus, se relev dezavantajul principal al circuitului de
polarizare cu rezisten serie n baz: dependena PSF de
factorul F. Pentru circuite fabricate n serie mare, n condiiile
dispersiei tehnologice importante a parametrului F, precum i
a dependenei acestuia de temperatur, soluia este
nesatisfctoare.
2.2.2. Circuit de polarizare cu divizor de tensiune n baz
Schema circuitului este dat n figura 2.12.

EC

RB1

RC

iD

iC

VC

iB

uCE

VB
RB2

VE
RE
iE

19

Capitolul 2
Tranzistorul Bipolar

Fig. 2.12. Circuit de polarizare cu divizor de tensiune n baz

Circuitul se proiecteaz uzual astfel nct curentul iD prin

divizorul de tensiune RB1-RB2 s fie de 5-20 ori mai mare dect
cel de baz. n consecin, potenialul bazei, VB, tinde s fie
independent de curentul de baz:
(2.16)
RB 2
VB
EC .

RB1 RB 2

Implicit i potenialul emitorului este stabilit prin divizorul de

tensiune, diferena fa de potenialul bazei fiind aproximativ
constant:
(2.17)
RB 2
VE VB uBE
EC V .

RB1 RB 2

Cum

iC iE

VE
,
RE

(2.18)

rezult c nici valorile curenilor de colector i de emitor nu

depind de parametrii tranzistorului, ntr-o prim aproximaie.
Potenialul colectorului se calculeaz cu relaia:
VC= EC - iCRC.
(2.19)
Pentru un calcul mai exact, divizorul de tensiune i sursa EC din
baz se echivaleaz cu o surs Thevenin, Uth, cu rezistena
intern Rth. Se las n seama cititorului s demonstreze c Uth
are expresia potenialului VB din ecuaia (2.16) i c Rth este
rezistena echivalent RB1|| RB2. Circuitul se reduce astfel la cel
din figura 2.4, cu uin=Uth. Din nou, tensiunea baz-emitor se
poate aproxima cu 0,6-0,7V. La calculul exact, potenialul
bazei devine:
(2.20)
RB 2
VB
EC iB ( RB1 || RB1 ) .

RB1 RB 2

Rezistena RE introduce n circuit o reacie negativ (termenul

va fi explicat ulterior), cu efect de stabilizare a PSF n raport cu
temperatura i variaiile factorului F. n acelai timp, rezistena
din emitor reduce amplificarea de tensiune i amplitudinea
maxim a variaiilor tensiunii uCE care s nu produc saturaia
20

Capitolul 2
Tranzistorul Bipolar

sau blocarea tranzistorului. Ultimul impediment poate fi

diminuat prin alegerea unei rezistene de emitor de cel puin 3-5
ori mai mic dect rezistena de colector. Condiia este
echivalent cu alegerea unei tensiuni VE care s nu depeasc
o anumit fraciune (10-20% ) din EC.
Exemplu numeric de analiz
Un circuit de polarizare cu divizor de tensiune n baz are:
EC=12V, RC=1,8k ohmi, RB1=30k ohmi, RB2=5,9k ohmi, RE=390
ohmi. Tranzistorul are parametrii: F=200, UBE 0,7V. Se cere
s se determine PSF.
Soluie
Din ecuaiile (2.16) i (2.17) rezult VB=125,9/35,9V2V,
respectiv VE=2V-0,6V=1,3V. Din ecuaiile (2.18) i (2.19)
rezult apoi, IC= IE=1,3V/390=3,33mA, respectiv VC=12V3,331,8V6V i UCE=VC-VE=6V-1,3V=4,7V. Verificm dac
era justificat calculul aproximativ. Curentul prin divizorul de
tensiune este IDEC/(RB1+RB2)12V/36k=0,33mA. Curentul de
baz este IB3,33mA/200=0,33mA/20, deci o valoare mult mai
mic dect curentul de divizor (exact de 20 de ori). Eroarea la
calculul tensiunii VB i VE este, conform ecuaiei (2.20),
U=IB(RB1|| RB2)=16,6A5k=83mV. n raport cu VE=1,3V,
este o eroare relativ de aproximativ 6,4%. Este i eroarea
relativ introdus la calculul curentului. Nu ntmpltor,
eroarea este apropiat de procentul de 5% reprezentat de
curentul de baz din curentul de divizor. Cititorul este invitat s
reflecteze asupra legturii.
Problem. Recalculai PSF pentru problema precedent cu
modificarea RB2=30k.
Problem. Aceeai ntrebare dar cu RB2=1k.
2.2.3. Circuit de polarizare cu rezisten serie n baz i
reacie negativ de tensiune
Circuitul de polarizare din figura 2.13 are simplitatea celui cu
rezisten serie n baz, fa de care are n plus calitatea de
stabilizare a PSF. Efectul de stabilizare apare datorit faptului
c rezistena de baz nu este alimentat de la tensiunea EC,
constant, ci de la tensiunea uCE a tranzistorului, introducnd
21

Capitolul 2
Tranzistorul Bipolar

astfel o reacie negativ. S presupunem c, dintr-un anumit

motiv, de exemplu creterea temperaturii, curentul de colector
tinde s creasc. n consecin, crete cderea de tensiune pe
RC, deci scade tensiunea uCE (suma lor fiind constant) i
cderea de tensiune pe rezistena de baz, deci scade i curentul
de baz, ceea ce determin revenirea curentului spre valoarea
iniial.

EC
RC

RB

iE

iC

iB

uCE

uBE

Fig. 2.13. Circuit de polarizare cu rezisten serie n baz i reacie negativ

de tensiune.

Pentru calculul circuitului, se pot utiliza ecuaiile urmtoare:

(2.21)
EC=iERC + iBRB + uBE = (1+ F)iBRC + iBRB + uBE,
(2.22)
EC =iERC +uCE =(1+ F)iBRC+uCE.
Problem. Calculai PSF pentru un tranzistor cu F=100,
polarizat cu schema din figura 2.13, avnd EC=12V, RC=1k,
RB=100K.
Comparai circuitele de polarizare studiate din punctul
de
vedere
al
complexitii,
avantajelor
i
dezavantajelor.
2.3. Amplificator pentru semnal mic cu tranzistor bipolar.
Modele de semnal mic
22

Capitolul 2
Tranzistorul Bipolar

La funcionarea ca amplificator, punctul de static funcionare al

tranzistorului este stabilit, cu ajutorul circuitelor de polarizare,
n regiunea activ. Prin aplicarea unui semnal la intrarea
amplificatorului, curenii i tensiunile care definesc starea de
echilibru (static) a tranzistoarelor din componena
amplificatorului se modific. Variaiile tensiunilor i curenilor
se propag de la un etaj de amplificare la cel urmtor i i
mresc progresiv amplitudinile. Pornind de la exemplul
amplificatorului din figura 2.14, ne propunem s stabilim relaii
de calcul pentru determinarea variaiilor tensiunii i curentului
la ieirea unui amplificator n funcie de variaiile tensiunii sau
curentului la intrarea lui. Pentru concretizare, vom presupune
c rezistenele, tranzistorul i sursa de alimentare au parametrii
exemplului analizat la paragraful 2.2.2 i RS=RC.

RC

RB1

ii

Cc1
VB

ui

EC

iB

iC

VC Cc2

uCE
RS

iE

RB2

VE

RE

uo

CE

Fig. 2.14. Amplificator de semnal mic cu tranzistor bipolar, n conexiunea cu

emitorul comun

2.3.1. Rolul elementelor de circuit

Presupunem c la intrarea amplificatorului se aplic o tensiune
sinusoidal, de forma:

ui Uim sin t ,

(2.23)

unde Uim este amplitudinea tensiunii, pe care o presupunem

mic, mai precis de 6mV. Tranzistorul este polarizat cu ajutorul
unui circuit cu divizor de tensiune n baz. Tensiunea de intrare
23

Capitolul 2
Tranzistorul Bipolar

se aplic n baza tranzistorului prin intermediul

condensatorului de cuplare, Cc1, pentru a nu se modifica
polarizarea bazei. Prin proiectare, condensatorul de cuplare se
dimensioneaz astfel nct, la frecvena de lucru, reactana lui
s fie neglijabil. n consecin, acesta transmite neatenuate i
nedefazate variaiile tensiunii ui n baza tranzistorului.
Totodat, deoarece componenta medie a curentului prin
condensator este nul, potenialul mediu al bazei, VB, rmne
cel impus de divizorul de tensiune RB1-RB2. Condensatorul CE,
denumit condensator de decuplare, se opune variaiilor
tensiunii de emitor, mpiedicnd potenialul VE s se modifice
la aplicarea semnalului de intrare. i acest condensator se
dimensioneaz astfel nct s aib o reactan neglijabil la
frecvena de lucru. La conectarea tensiunii de alimentare,
condensatorul CE se ncarc la potenialul static impus n emitor
de circuitul de polarizare. n absena condensatorului de
decuplare, variaiile potenialului din baza tranzistorului s-ar
diviza intre jonciunea baz-emitor i rezistena de emitor.
Deoarece condensatorul de decuplare menine pe rezistena de
emitor o tensiune constant, ntreaga variaie a tensiunii de
intrare se va regsi pe jonciunea baz-emitor, fiind amplificat.
Variaiile tensiunii baz-emitor determin variaii ale curentului
de baz i n consecin i ale cureilor de emitor i colector,
care, la rndul lor, determin variaii ale tensiunii pe rezistena
de colector, RC. Prin condensatorul de cuplaj Cc2, variaiile
potenialului colectorului se transmit practic neatenuate sau
defazate rezistenei de sarcin, RS. Dac rezistena de sarcin ar
fi fost conectat direct n colectorul tranzistorului, ar fi afectat
potenialul VC stabilit de circuitul de polarizare, ceea ce n
general ar fi fost de nedorit.
2.3.2. Forme de und
Presupunem c tensiunea de intrare determin variaii ale
curentului de baz de form sinusoidal, cu amplitudinea Ibm=
4A, urmnd s revenim asupra acestui aspect. Curentul de
polarizare al bazei, calculat la paragraful 2.6.2, este IB=16,6A.
Curentul total de baz este:
(2.24)
iB I B Ibm sin t I B ib (t ) .
24

Capitolul 2
Tranzistorul Bipolar

Cu aceast ocazie, atragem atenia asupra unor

convenii de notaie utilizate larg n electrotehnic i n
electronic. Componenta continu, sau valoarea medie a unui
semnal se noteaz cu liter mare i indice mare. Cu liter mare
i indice mic se noteaz parametri integrali ai componentei
alternative, cum este amplitudinea sau valoarea efectiv. Cu
liter mic i indice mic se noteaz componenta alternativ a
unui semnal, iar cu liter mic i indice mare ntregul semnal,
ca sum a componentelor continu i alternativ. Componenta
alternativ sau variabil, se mai noteaz uneori cu o liter
precedat de simbolul , mai ales n situaiile n care forma de
variaie n timp este nesinusoidal sau neprecizat.
n figura 2.15, se ilustreaz cteva forme de und
specifice amplificatorului. Componenta alternativ a curentului
de baz determin deplasarea punctului de funcionare de o
parte i cealalt a poziiei statice. Traiectoria se nscrie pe o
linie dreapt, numit dreapt de sarcin dinamic. Panta ei este
iC/uCE=1/(RC||RS), mai mare n modul dect panta dreptei
statice, egal cu 1/(RC+RE).
iC
mA

iC

ic

dreapta de sarcin
static
dreapta de sarcin
dinamic
iB

EC
RC RE

ib

[A]

PSF(IC,UC
E)

IC
t

IB
EC

UCE

uCE
V

uce
t
Fig. 2.15. Forme de und specifice amplificatorului de semnal mic i legtura
lor cu caracteristicile statice de ieire n conexiunea EC

25

Capitolul 2
Tranzistorul Bipolar

Care dreapt de sarcin are panta mai mare i din ce

motiv: cea static sau cea dinamic?

2.3.3. Modelul dinamic al tranzistorului bipolar

Modalitatea cea mai eficient de analiz a rspunsului
amplificatorului la semnale de intrare o constituie utilizarea
modelelor dinamice de semnal mic ale tranzistorului. Aceste
modele stabilesc legtura ntre variaiile tensiunilor i
curenilor la bornele dispozitivului, n jurul unui anumit punct
static de funcionare. Folosind ipoteza de semnal mic, aceste
legturi se pot descrie prin ecuaii liniare. Ipoteza de semnal
mic impune restricia ca variaia tensiunii emitor baz s fie
mic n comparaie cu tensiunea termic (25mV). Condiia este
echivalent cu restricia de a avea o component continu a
curentului de colector (de baz) mult mai mic dect
componenta alternativ a curentului respectiv. n practic,
pentru calcule preliminare n creion i hrtie, specifice fazei de
proiectare a circuitelor, modelele dinamice pentru semnal mic
sunt folosite i n situaii n care condiia de semnal mic nu este
riguros respectat.
Exist dou modaliti diferite de obinere a unor
modele de semnal mic ale tranzistorului. Prima pornete de la
modelarea fizic a funcionrii dispozitivului i conduce la
modelul natural i este mai apropiat de fenomen. Cea de a
doua pornete de teoria cuadripolilor i conduce la parametri
mai uor msurabili, fiind preferat n general de productorii
de dispozitive semiconductoare. n cursul prezent, vom folosi
cu precdere modele simplificate, pentru care cele dou
abordri conduc la acelai circuit.
Modelul natural al tranzistorului bipolar se prezint n
figura 2.16. Punctul B este un punct imaginar din baza
tranzistorului. Rezistena rbb modeleaz efecte ohmice n
regiunea bazei, rbc modeleaz efectul de modulare a grosimii
bazei, iar rezistena de ieire rce efectul de modificare a
26

Capitolul 2
Tranzistorul Bipolar

curentului de colector la variaiile tensiunii colector-emitor.

Prima are valori mici, de ordinul 10-100 ohmi, iare celelalte
dou au valori foarte mari, de ordinul mega ohmilor, respectiv
sutelor de kilo ohmi i sunt adesea neglijate.
Capacitile parazite ale celor dou jonciuni sunt
incluse n circuit numai pentru aplicaii de frecven nalt. Ele
determin scderea amplificrii de curent a tranzistorului la
frecvene nalte. Valori tipice ale acestora sunt 1-5 pF pentru
Cbc i 50-500pF pentru Cbe. Ca toi parametrii modelului,
capacitile parazite depind de punctul de funcionare al
tranzistorului. Prima scade la creterea tensiunii colector-baz,
a doua crete proporional cu creterea curentului de emitor
(colector).

ib

rbc
rbb

ic

Cbc
ube rbe

ube

gmube
rce

Cbe

uce

Fig. 2.16. Modelul natural al tranzistorului bipolar

Pentru calcule la frecven nalt n regim sinusoidal,

tensiunile i curenii la bornele circuitului echivalent,
reprezentnd componente alternative, sunt considerate i notate
ca mrimi complexe: Ube , Ube, Uce, Ib, Ic. n schimb, pentru
calcule la frecvene joase i medii, se poate folosi modelul
simplificat din figura 2.17.

27

Capitolul 2
Tranzistorul Bipolar
ic

ib

B
ube

gmube
(hfeib)

r
(hie)

uce

Fig. 2.17. Crcuitul echivalent de semnal mic simplificat al tranzistorului

Generatorul de curent comandat de la ieire poate fi exprimat n

funcie de variaiile tensiunii emitor baz sau n funcie de
variaiile curentului de baz. n primul caz, factorul de
proporionalitate este panta sau conductana mutual a
tranzistorului, care se poate obine pe baza ecuaiei (2.1), printrun calcul asemntor ca la diod:
(2.25)
i
i
i

gm

ube

u BE

PSF

u BE

PSF

uBE

1
I
I ES e mVT C .
mVT
VT
Parametrul hfe se poate aproxima cu F:

h fe

ic iC

ib iB

PSF

IC
F hFE h21E
IB

(2.26)

Rezistena dinamic a jonciunii emitor-baz vzut dinspre

baz (pentru conexiunea cu emitorul comun) este notat n
cataloagele de fabricaie prin parametrul hie sau h11e. Prin
comparaie cu figura 2.16, deducem c:
hie= rbb+ rbe rbe = r .
(2.27)
Valoarea rezistenei de intrare scade la creterea curenilor prin
tranzistor i poate fi calculat folosind ecuaia (2.25):
(2.28)
ube
ube
1
VT

hie

28

ib

h fe

ic

h fe

gm

h fe

IC

Capitolul 2
Tranzistorul Bipolar

2.3.4. Utilizarea modelului de semnal mic al tranzistorului

la calculul amplificatorului
Se parcurg n ordine etapele urmtoare:
1. Calculul
de
curent
continuu
pentru
determinarea PSF.
2. Calculul valorilor parametrilor modelului de
semnal mic, pentru PSF determinat la punctul
1.
3. Reprezentarea circuitului echivalent n regim
dinamic, pentru semnal mic, al ntregului
amplificator.
4. Calculul performanelor amplificatorului, pe
baza circuitului echivalent determinat la
punctul 3.
Exemplu
Referitor la amplificatorul din figura 2.14, calculul PSF s-a
efectuat la paragraful 2.6.2, conducnd la IC=3,33 mA i
UCE=4,7V. Cunoscnd i faptul c tranzistorul are F=200,
rezult: hfe=200, hie=20025mA/3,33mA=1,5k ohmi, gm=133
mA/V.
Schema echivalent n regim dinamic pentru semnal
mic a amplificatorului se obine efectund urmtoarele operaii:
1. Sursele de tensiune constant i sursele de
curent constant (dac exist) se pasivizeaz.
Pasivizarea unei surse de tensiune constante,
U, se face prin scurtcircuitarea sa (pentru c
U=0). Pasivizarea unei surse de curent
constant, I, se face prin ntreruperea ramurii de
circuit din care aceasta face parte (pentru c
I=0).
2. Tranzistorul se nlocuiete cu modelul su
pentru semnal mic.
3. Pentru
analiza
la
frecvene
medii,
condensatoarele de cuplare i de decuplare se
nlocuiesc cu cte un scurtcircuit.

29

Capitolul 2
Tranzistorul Bipolar

Rezultatul aplicrii operaiilor menionate pentru

amplificatorul de semnal mic din figura 2.14 este
redat n figura 2.18.
ii
B

ib

Ro

ic

C
uo=uce

ui=ube

hfeib RC RS
RB1 RB2 hie
(1,5k) (200ib)

Fig. 2.18. Schema echivalent pentru componentele de curent

alternativ, de semnal mic, a amplificatorului din figura 2.14.

Amplificarea de tensiune este, prin definiie, raportul:

Au

(2.29)

uo
.
ui

Din circuitul de ieire, rezult:

uo=-hfe(RC|| uo ( RC || RS )h feib .
Din circuitul de intrare, rezult:
ui hieib .
Combinnd ultimele dou ecuaii, se obine:

Au h fe

RC || RS
g m ( RC || RS ) .
hie

(2.30)
(2.31)
(2.32)

Cu datele din problem, se obine Au=120.

Rezistena de intrare a amplificatorului este, prin definiie,
raportul dintre tensiunea de intrare aplicat circuitului
amplificator i curentul de intrare absorbit:
(2.33)
u
Ri i .

ii

Prin examinarea direct a circuitului, se gsete c

Ri RB1 || RB 2 || hie .
Cu datele din problem, rezult Ri=1,15k.

30

(2.34)

Capitolul 2
Tranzistorul Bipolar

Rezistena de ieire este rezistena echivalent a sursei de

tensiune ce se aplic la bornele rezistenei de sarcin. Ea nu
include rezistena de sarcin, care nu este considerat ca fcnd
parte din amplificator. Pentru circuitul din figura 2.18, este uor
de vzut direct c:
(2.35)
Ro RC .
O soluie mai general pentru calculul rezistenei de ieire este
metoda generatorului de test, ce const n urmtoarele etape:
1. Se pasivizeaz generatorul de semnal de la intrare.
2. Se aplic o tensiune de test, vt, la bornele de ieire ale
amplificatorului
3. Se calculeaz curentul it, absorbit de la generatorul de
tensiune de test.
4. Se calculeaz rezistena de ieire cu ajutorul ecuaiei:
(2.36)
v
Ro t .

it

Pentru circuitul analizat curent, pasivizarea generatorului de

tensiune ui conduce la anularea curentului ib, ce pasivizeaz i
generatorul de curent de la ieire i conduce, evident, tot la
rezultatul dat de ecuaia (2.35).
Amplificarea de curent a circuitului este raportul ntre curentul
de sarcin i curentul de intrare. Aceasta poate fi calculat
direct din circuitul echivalent din figura 2.18, sau pe baza
amplificrii de tensiune. Observnd c

iS

uo
u
i ii i ,
RS
Ri

se obine

Ai

uo Ri
R
Au i .
ui RS
RS

(2.37)

Calculele numerice conduc la Ai=94.

Amplificarea de putere, Ap, este raportul dintre puterea
absorbit de rezistena de sarcin i puterea absorbit de
amplificator. Se las n seama cititorului s demonstreze c
(2.38)
Ap Au Ai .
Calculele numerice conduc la Ap =11280.

31

Capitolul 2
Tranzistorul Bipolar

Ce efect au rezistenele divizorului de tensiune asupra

amplificrii de curent? Dar rezistena de colector? Cum
depinde amplificarea de tensiune de rezistena de
colector? Dar de curentul static de colector?
Este de reinut c amplificare numai de tensiune sau numai
de curent, fr s fie nsoite i de o amplificare de putere se
poate obine i cu ajutorul unor circuite pasive, de exemplu un
transformator de tensiune. Aspectul cel mai important din
punctul de vedere al amplificrii l reprezint amplificarea de
putere. Aceasta se obine pe baza puterii consumate de la sursa
de tensiune continu ce alimenteaz amplificatorul.
2.4. Mrimi limit n funcionarea tranzistorului bipolar
Curenii i tensiunile la bornele tranzistorului trebuie s se
ncadreze ntre anumite limite care asigur funcionarea
normal i fiabil a dispozitivului. Avarierea tranzistorului, ca
rezultat al nerespectrii limitelor fixate de productor, are loc
ntotdeauna din cauza nclzirii excesive a cel puin uneia din
cele dou jonciuni. Temperatura maxim admisibil a
jonciunii la un dispozitiv semiconductor cu siliciu este de 175200 grade Celsius, n funcie de tehnologie.
Cureni maximi
Curentul de colector maxim admisibil indicat de productor
este determinat uzual nu de riscul de avariere ct de scderea
factorului de amplificare de curent, F sub o limit rezonabil,
datorit fenomenului de aglomerare a curentului de colector.
Curentul de baz maxim este, de asemenea specificat, depirea
lui putnd conduce la distrugerea conexiunii bazei.
Tensiuni maxime
Tensiunile inverse maxime admisibile pe cele dou jonciuni
difer semnificativ. Datorit concentraiei mari de impuriti a
emitorului, jonciunea emitor-baz strpunge la tensiuni relativ
32

Capitolul 2
Tranzistorul Bipolar

mici, de ordinul 3-7 V. Strpungerea jonciunii colector-baz se

produce la tensiuni mai mari, de ordinul zecilor de voli (exist
ns i tranzistoare destinate s funcioneze la tensiuni ridicate,
ce pot suporta tensiuni de ordinul unui kV). Tensiunea la care
are loc strpungerea este influenat esenial de modul de
polarizare. De exemplu, dac baza tranzistorului este lsat n
gol, strpungerea tranzistorului apare la tensiuni de cteva ori
mai mici dect dac potenialul bazei este fixat ferm, printr-o
surs cu rezisten intern mic. n primul caz, purttorii de
sarcin generai prin multiplicare n avalan n jonciunea
colectorului trec din baz n emitor i sunt amplificai prin
factorul F, accelernd tendina de cretere necontrolat a
curentului de colector. n cel de-al doilea, acetia sunt evacuai
prin terminalul bazei, tranzistorul putnd funciona n siguran
chiar cu sensul curentului de baz inversat.
Puterea disipat maxim
Puterea disipat pe tranzistor este suma puterilor disipate pe
cele dou jonciuni:
(2.39)
PD I CU CB I EU BE

I C (U CB U BE ) I CU CE
Ecuaia
iCuCE=PDmax=ct.
(2.40)
reprezint o hiperbol raportat la asimptote n planul iC-uCE
(figura 2.19). Plasarea PSF n interiorul hiperbolei conduce
necondiionat la distrugerea tranzistorului prin supranclzire.
n regim dinamic, punctul de funcionare poate patrunde n
interiorul hiperbolei pentru intervale scurte de timp, cu condiia
pstrrii puterii medii sub valoarea maxim admisibil.
Temperatura jonciunii unui tranzistor se poate calcula cu
ajutorul ecuaiiilor urmtoare, bazate pe modelul termic al
dispozitivului:
(2.41)
T j PD ( Rthjc Rthca ) Ta ,
,
Tc PD Rthca Ta T j PD Rthjc
(2.42)
unde Tj este temperatura jonciunii, Tc este temperatura
capsulei, Ta este temperatura mediului ambiant, PD este puterea
disipat pe dispozitiv, iar Rthjc i Rthca sunt rezistenele termice
33

Capitolul 2
Tranzistorul Bipolar

dintre jonciune i capsul, resectiv dintre capsul i mediul

ambiant. Cu ct rezistenele termice sunt mai mari, pentru
evacuarea unei puteri disipate date este nevoie ca dispozitivul
s se nclzeasc mai mult peste temperatura mediului ambiant.
Rezistena termic se msoar n C/Watt.
iC

ICmax
PDmax

uCE

UCEmax
Fig. 2.19. Regiunea de funcionare sigur pentru tranzistorul bipolar

Rezistena termic dintre jonciune i capsul, Rthjc, este un

parametru constructiv al dispozitivului, dependent de tipul
capsulei i nu poate fi modificat de utilizator. Rezistena
termic dintre capsul i mediul ambiant poate fi redus prin
montarea dispozitivului pe un radiator. n acest caz, Rthca se
nlocuiete n ecuaia (2.41) cu rezistena termic a radiatorului,
Rthrad. Pentru dispozitive destinate s funcioneze cu radiator,
productorul specific puterea disipat maxim pentru o
temperatur a capsulei dat, uzual pentru Tc= 20C. Meninerea
capsulei la o temperatur dat echivaleaz cu utilizarea unui
radiator infinit (cu rezisten termic nul).
Problem. Un tranzistor poate suporta o putere disipat de 5W
cu temperatura capsulei meninut la 20oC. tiind c
temperatura maxim a jonciunii tranzistorului nu poate depi
200oC, pn la ce temperatur poate funciona acesta, cnd este

34

Capitolul 2
Tranzistorul Bipolar

polarizat la IC=200mA i UCE=10V, dac tranzistorului i se

monteaz un radiator cu rezistena termic de 5oC/W?
2.5. Tranzistorul bipolar la nalt frecven
La frecvene nalte, amplificarea de curent a trazistorului scade
datorit ca pacitilor parazite. Folosind modelul natural, vom
calcula amplificarea de curent la frecvene nalte cu ieirea n
scurtcircuit (figura 2.20).
rbc
Ib

rbb

Ic

Cbc

Ube

gmUbe
rce

Cbe

rbe

Fig. 2.20. Calculul amplificrii de curent, la frecvene nalte

Vom neglija rbc care apare n paralel cu rezistena mult mai

mic, rbe. De asemenea, vom neglija la ieire curentul ce se
transfer direct de la intrare prin Cbc, n raport cu curentul ce se
transfer normal:
(2.43)
I c g m U b'e .
Curentul de intrare este:

Ib [

1
j(Cb'e Cb'c )]U b'e .
rb'e

(2.44)

mprind ultimele dou ecuaii, obinem:

g m rb 'e

1 j(Cb 'e Cb 'c ) rb 'e

1
1 ,
F
F

f
1 j
1 j

( j)

(2.45)

35

Capitolul 2
Tranzistorul Bipolar

unde f este frecvena de tiere a amplificrii de curent pentru

conexiunea cu emitorul comun, la care modulul amplificrii de
curent scade la 1/ 2 =0,707 din valoarea ei la joas frecven
i are expresia:
(2.46)
1
.
f

2rb'e (Cb'e Cb'c )

Tranzistorul poate funciona i peste aceast frecven, cu

amplificarea de curent diminuat. La frecvene mult mai mari
dect f, putem aproxima amplificarea de curent prin:

( j) F

f
jf

(2.47)

ceea ce indic o scdere a amplificrii, proporional cu

inversul frecvenei. Amplificarea de curent scade n modul la
valoarea 1 pentru
f F f fT ,
(2.48)
unde fT se numete frecven de tranziie. Peste aceast
frecven, folosirea tranzistorului nu mai produce amplificare
de curent. Folosind ecuaia (2.47) putem da nc o interpretare
frecvenei de tranziie:
(2.49)
| ( jf ) | f f T .
Ecuaia arat c, la frecvene ridicate, produsul dintre
amplificarea de curent i frecven (produsul amplificareband) este constant i egal cu frecvena de tranziie.
Problem. Folosind legtura dintre factorii de amplificare F i
F, artai c frecvena de tiere pentru amplificarea de curent
n conexiunea cu baza comun, F(j), este apropiat de
frecvena de tranziie.

36