UNIVERSITATEA DIN PITETI

FACULTATEA DE ELECTRONIC, COMUNICATII I CALCULATOARE

NDRUMAR DE LABORATOR
MASURARI ELECTRICE SI
ELECTRONICE
Mihai OPROESCU

UNIVERSITATEA DIN PITETI

FACULTATEA DE ELECTRONIC, COMUNICATII I CALCULATOARE

NDRUMAR DE LABORATOR
MASURARI ELECTRICE SI
ELECTRONICE

Mihai OPROESCU

PITETI

CUPRINS
Lucrarea de laborator numarul 1 - Osciloscopul

L1-1

Lucrarea de laborator numarul 2 - Masurari dinamice cu ajutorul

L2-1

osciloscopului
Lucrarea de laborator numarul 3 - Aparate de masura bazate pe a. Circuite de

L3-1

baza cu AO
Lucrarea de laborator numarul 4 - Masurarea intensitatii curentului, tensiunii,

L4-1

puterii, rezistentei, capacitatii, inductantei folosind multimetre

Lucrarea de laborator numarul 5 - Masurarea dispozitivelor semiconductoare
folosind osciloscopul

L5-1

Lucrarea de laborator numarul 1

OSCILOSCOPUL

Lucrarea are drept scop nsusirea de catre studenti a manevrarii si utilizarii corecte a
osciloscopului catodic, precum si a modalitatilor lui de folosire n anumite metode de
masurare si testare care au la baza acest aparat modern de masurat.
Osciloscopul catodic este un aparat electronic destinat

vizualizarii si masurarii

tensiunilor electrice si marimilor fizice care se pot transforma n tensiuni electrice variabile n
timp, n general cu caracter periodic. Tensiunea electrica a semnalului de intrare este
vizualizata pe ecranul unui tub catodic prin devierea convenabila a unui fascicol de electroni
emis de catodul tubului, obtinndu-se astfel o reprezentare bidimensionala (tensiune-timp).
Datorita calitatilor sale ca: lipsa de inertie a fascicolului de electroni permitnd
studierea semnalelor de frecventa foarte mare, pna la ordinul sutelor de MHz, consumul de
energie extrem de redus pe seama circuitului supus masurarii, datorita impedantelor de intrare
considerabile, de ordinul M sau zecilor de M, precum si sensibilitatea ridicata,
osciloscopul catodic este larg utilizat n diverse scopuri, fiind de nenlocuit n altele, avnd
largi aplicatii n industrie, cercetare, proiectare, depanare de echipamente, medicina (n
componenta unor aparate specializate) etc.
Osciloscoapele moderne snt diversificate si ofera posibilitati multiple n ceea ce
priveste numarul de semnale care pot fi vizualizate simultan, frecventa acestora, persistenta
imaginii, dilatarea imaginii pe anumite portiuni care prezinta interes pentru utilizator,
decalarea imaginilor, analiza dependentei dintre doua semnale temporale, trasarea unor curbe
caracteristice, analiza spectrala, masurarea unor parametri specifici marimilor variabile n
timp (valori de vrf, valori efective, perioada, frecventa) etc.
n acest sens, principalele tipuri de osciloscoape se pot clasifica dupa cum urmeaza:
- cu unul sau mai multe canale;
- de joasa frecventa (pna la 10 MHz) sau de nalta frecventa;
-

cu functionare n timp real sau cu timp translatat (cu esantionare);

- cu persistenta redusa a imaginii (< 2 ms), medie ( 2 ms < 2 s), mare ( 2 s) sau cu
memorie;
- cu una sau mai multe baze de timp;

L1-1

- de uz general (universale) sau specializate (caracterio-grafe, analizoare de spectru,

monitoare medicale etc).
Ulterior, functiile de baza ale osciloscopului au fost completate cu functii noi, ce au la
baza tehnologiile din domeniul electronicii digitale, care permit sporirea preciziei masurarilor
si analiza digitala a tensiunilor masurate, prezentarea rezultatelor sub forma numerica pe
panoul frontal, cu ajutorul unor celule de afisare specializate sau chiar pe ecranul
osciloscopului, precum si posibilitati de transmitere la distanta a datelor, codificate numeric,
n vederea stocarii si prelucrarii pe un calculator de uz general sau specializat.
n lucrarea de fata se va studia osciloscopul catodic universal, de joasa frecventa, cu
persistenta redusa, n variantele cu un canal si cu doua canale. Acesta este cel mai simplu tip
de osciloscop, a carui studiere prezinta o deosebita importanta deoarece se obtin informatii si
deprinderi necesare folosirii si altor tipuri de osciloscoape, mai complicate din punct de
vedere structural si functional.

A. OSCILOSCOPUL CATODIC CU UN CANAL

I. Principiul lucrarii
Principiul de functionare al osciloscopului catodic consta n devierea fluxului de
electroni, pe doua directii perpendiculare una pe cealalta, astfel:
- pe axa Ox (axa timpului) devierea se face cu o tensiune liniar variabila n timp,
simulnd astfel trecerea uniforma a timpului;
- pe axa Oy cu o tensiune care reproduce tensiunea de intrare, nmultita cu un factor
de proportionalitate variabil, aflat la alegerea utilizatorului prin comutatorul de deviatie pe
verticala.
Durata baleierii de la stnga la dreapta a ecranului este impusa de utilizator, pe baza
reglajelor de care dispune (coeficientii de baleiaj pe orizontala), osciloscopul fiind astfel
construit nct imaginile succesive aparute pe ecran sa se suprapuna perfect, dnd astfel
impresia unei reproduceri statice a tensiunii periodice care se vizualizeaza.
Schema functionala a unui osciloscop de uz general, monocanal, de joasa frecventa
este prezentata n fig.3.1 (schema corespunde osciloscopului tip E-0102, fabricatie I.E.M.I.).
Elementul principal al osciloscopului este tubul catodic TC, care este un tub electronic
cu vid naintat si care consta din:
- un catod C care emite electroni;
- un sistem de accelerare AC, focalizare F si astigmatism A;
L1-2

- o grila G de comanda a intensitatii spotului;

- un sistem de deflexie pe orizontala XX;
- un sistem de deflexie pe verticala YY;
- un anod de postaccelerare PA;
- o bobina de rotire trasa pentru asigurarea orizontalitatii;
- un ecran fluorescent E pe care apare un punct luminos de culoare verde n locul de
incidenta a fascicolului de electroni.

Fig.3.1.

L1-3

Semnificatiile si functiunile realizate de celelalte blocuri

componente ale

osciloscopului snt urmatoarele:

CI - este circuitul de intrare cu rol de atenuare si totodata asigura o impedanta mare de
intrare (prin folosirea unui tranzistor cu efect de cmp), la bornele caruia se aplica semnalul de
studiat; semnalul se poate aplica fie direct, fie prin intermediul unui condensator pentru
eliminarea componentei continue, n functie de pozitia comutatorului K1; de asemenea, o a
treia pozitie a comutatorului glisant K1 permite punerea intrarii osciloscopului la masa,
asigurndu-se n acest fel pozitionarea spotului pe ecranul

tubului catodic n absenta

semnalului de intrare;
PV - este preamplificatorul pentru deflexia pe verticala care asigura o amplificare
simetrica a semnalului;
AV - este amplificatorul de deflexie pe verticala, avnd, ca si preamplificatorul, o
banda larga de frecvente (010 MHz), asigurnd un nivel corespunzator pentru semnal astfel
nct sa se obtina o buna sensibilitate;
AS - este un amplificator simetric de sincronizare cu rolul de a asigura un nivel
corespunzator al semnalului care comanda circuitul formator CF; are n compunere un etaj
diferential a carui referinta poate fi modificata din exterior, asigurndu-se astfel nivelul de
basculare a circuitului formator CF n functie de amplitudinea semnalului de intrare, precum
si n functie de polaritatea frontului pe care se face sincronizarea;
CF - este un circuit formator de semnal care genereaza semnale dreptunghiulare de
frecventa semnalului de studiat;
CP - este circuitul poarta care asigura semnalul necesar circuitului de stingere a
spotului CSS precum si sincronizarea bazei de timp cu frecventa semnalului de studiat;
GTLV - este blocul generator de tensiune liniar variabila care, aplicata prin
intermediul amplificatorului de deflexie pe orizontala placilor XX, creaza baza de timp;
tensiunea bazei de timp este de forma unor dinti de fierastrau asigurnd periodicitatea imaginii
de pe ecran;
CR - este circuitul de retinere care asigura limitarea valorii maxime a tensiunii liniar
variabile corespunzator pozitiei spotului la extremitatea din dreapta a ecranului si apoi
revenirea pe pozitia din stnga a acestuia. Pe pozitia autosincronizare CR asigura functionarea
n absenta semnalului de intrare, n acest caz aparnd pe ecran o linie continua (situatie
ntlnita n cazul sincronizarii automate);
L1-4

CSA - este circuitul de sincronizare automata care asigura stabilitatea imaginii pe

ecran prin generarea unei tensiuni de forma dreptunghiulara de aceeasi frecventa cu frecventa
semnalului de intrare, oblignd baza de timp sa lucreze n regim fortat, adica pe o frecventa
egala sau multiplu al frecventei semnalului de intrare; blocurile AS, CF, CP, CSA, GTLV
alcatuiesc blocul de generare si sincronizare ale bazei de timp (BGSBT) si, de obicei, n
schemele de principiu ale osciloscoapelor snt prezentate sub denumirea generala de baza de
timp; n functie de pozitia comutatorului K2 baza de timp poate lucra n regim declansat sau
automat, cu sincronizare interioara sau exterioara, cele patru regimuri de lucru fiind alese n
functie de tipul aplicatiei;
AO - este amplificatorul semnalului pentru placile de deflexie pe orizontala, avnd
rolul de a asigura o buna sensibilitate a bazei de timp; de asemenea, prin intermediul
comutatorului K3, baza de timp poate fi scoasa din functiune aplicndu-se placilor de deflexie
pe orizontala semnale externe (independente de cele aplicate placilor de deflexie pe verticala).
Blocul de alimentare BA este alcatuit din urmatoarele subansamble:
TR - transformatorul de retea care coboara tensiunea de 220 V la aproximativ 24 V
c.a. necesara blocului de redresare BR;
BR - blocul redresor care da la iesire o tensiune continua, filtrata dar nestabilizata de
24 V c.c.;
BS - blocul stabilizator care asigura la iesire o tensiune stabilizata de 20 V;
BCT - blocul convertor de tensiune care, primind la intrare o tensiune continua si
stabilizata de 20 V, asigura tensiunile de polarizare ale circuitelor electronice precum si nalta
tensiune pentru alimentarea tubului catodic;
CCA - este un circuit astabil care oscileaza pe frecventa de 1kHz, denumit si
calibrator, avnd rolul de a asigura impulsuri

dreptunghiulare de amplitudine riguros

constanta (80 mV si 800 mV) necesare calibrarii circuitelor care asigura deflexia pe verticala
precum si corectiei frecventei bazei de timp.
Cu comutatorul K5 se poate asigura alimentarea fie de la retea, fie de la o baterie de
acumulatoare atunci cnd necesitatile de utilizare o impun.

Cu ajutorul osciloscopului catodic cu un singur canal pot fi efectuate o serie de

masurari cu caracter general sau specific. Astfel, prin utilizarea calibrarilor interne se pot
masura amplitudini si frecvente pentru semnale periodice cu eroare maxima de cca. 3 %, iar
L1-5

cu ajutorul unor calibratoare externe de referinta se poate mari precizia determinarilor prin
utilizarea unor metode de comparatie.
n afara utilizarilor curente snt o serie de aplicatii specifice n care folosirea
osciloscopului catodic permite obtinerea unor rezultate rapide si precise. Dintre acestea, n
cadrul lucrarii de laborator, se vor studia cele mai reprezentative ntlnite n practica
masurarilor.

II. Aplicatii specifice ale osciloscopului catodic cu un canal

2.1. Masurarea frecventei prin metoda figurilor Lissajous
Metoda se utilizeaza n scopul determinarii cu precizie a unei frecvente necunoscute
atunci cnd se dispune de un generator sinusoidal etalon de frecventa variabila. Semnalul de
frecventa necunoscuta se aplica pe una din perechile de placi ale osciloscopului (fig.3.2), iar
pe cealalta se aplica semnalul de referinta (cu parametrii riguros cunoscuti). Daca cele doua
frecvente se afla ntr-un raport exprimabil prin numere ntregi, pe ecranul osciloscopului se
obtine o curba nchisa cunoscuta sub numele de figura Lissajous. Pentru demonstratie se
considera raportul celor doua frecvente ca fiind m/n,
astfel ca perioadele celor doua semnale vor fi:
T1 = mT si T2 = nT; T - perioada de referinta
(oarecare).
La momentul t0 spotul va avea coordonatele:
x0 k1U1 sin(

2
t 0 1 )
mT

y o k 2U 2 sin(

2
to 2 )
nT

(1)

Fig.3.2.
La momentele tk = t0 + mT2 = t0 + nT1 = t0 + kmnT curba va trece tot prin punctul de
coordonate x0, y0, deci cnd raportul m/n este un numar rational spotul descrie o curba nchisa,
avnd o miscare periodica, de perioada
T0 = mT2 = nT1 = mnT

(2)

Pentru determinarea raportului celor doua frecvente se procedeaza n felul urmator:

printr-un punct A din interiorul domeniului delimitat de figura se duce o dreapta orizontala si
una verticala. Avnd n vedere modul de realizare a figurii de pe ecran, si anume prin
L1-6

compunerea a m perioade pe orizontala, respectiv a n perioade pe verticala de semnal

sinusoidal, n intervalul T0, rezulta ca, daca ramurile curbei nu se suprapun la ducerea si la
ntoarcerea spotului, x va trece de 2n ori prin valorile extreme, iar y de 2m ori.
Asadar figura care se obtine pe ecranul osciloscopului va avea 2n puncte de intersectie
cu verticala dusa din A si 2m puncte de intersectie cu orizontala dusa prin acelasi punct. Deci

fx/fy = 2n/2m

(3)

unde fx reprezinta frecventa semnalului aplicat placilor de deflexie pe orizontala, iar f y celor
de deflexie pe verticala.
n fig.3.3 snt prezentate figurile Lissajous care se obtin pe ecranul osciloscopului
pentru diferite rapoarte m/n ale frecventelor semnalelor si a defazajului =2 - 1 dintre
acestea.

Cnd cele doua semnale au aceeasi frecventa:

x = k1U1sint
y = k2U2sin(t + )

(4)

se demonstreaza usor (prin eliminarea parametrului t din cele doua ecuatii, obtinnd o curba
y=f(x)) ca pe ecranul osciloscopului apare o elipsa. Cnd = /2 + 2k elipsa are semiaxele
situate de-a lungul axelor de coordonate. n acest ultim caz, daca este ndeplinita relatia:
k1U1 = k2U2

(5)

unde U1, U2 snt amplitudinile semnalelor de intrare, iar 1/k1 si 1/k2 snt coeficientii de
deviatie pe orizontala, respectiv pe verticala, elipsa devine cerc.

2.2. Masurarea frecventei prin metoda elipsei mobile

Cnd cele doua frecvente ale semnalelor care intervin n metoda figurilor Lissajous
difera putin se obtine o imagine instabila, cu aspectul unei elipse mobile. Se observa ca elipsa
degenereaza periodic, conform figurilor Lissajous n cazul raportului 1/1, dnd astfel impresia
ca frecventele celor doua semnale snt egale, dar variaza defazajul.

L1-7

Fig.3.3.

ntr-adevar, expresiile semnalelor mentionate n fig.3.3 pot fi rescrise n forma:

x = k1U1sin1t

(6)

y = k2U2sin(2t + ) = k2U2sin[1t + (t)]

unde (t) =(2 - 1)t + .

Se observa ca, n cazul n care 1 2 se poate spune ca expresiile celor doua semnale
difera printr-un defazaj lent

variabil n timp. Miscarea elipsei fiind periodica, se poate

determina perioada T a acesteia, considernd momentele cnd elipsa degenereaza, de exemplu,

n dreapta de aceeasi nclinatie (s-a ales cazul dreptei deoarece aprecierea momentelor n care
o aceeasi figura este reprodusa identic se poate face cu mult mai mare fidelitate).
Fie t0 un astfel de moment, deci:

(2 - 1)t0 + = 2k

(7)

Dupa perioada T se revine la aceeasi situatie, dar defazajul s-a marit cu 2, deci:

(2 - 1)(t0 + T) + = 2k + 2

L1-8

(8)

Eliminnd t0 n cele doua ecuatii, se obtine:

f = 1/T = f2 - f1

(9)

adica diferenta dintre cele doua frecvente ale

semnalelor este egala cu inversul perioadei miscarii
elipsei mobile.
Metoda este, teoretic, foarte precisa. Totusi,
practic, erorile apar n modul cum se cronometreaza perioada T.
Pentru mbunatatirea calitatii rezultatului se cronometreaza un numar mai mare de
treceri (n) ale elipsei prin pozitia n care aceasta degenereaza n dreapta, astfel

f = n/nT = fx - fe

(10)

unde n este numarul de treceri prin pozitia considerata (n practica, n = 10 20), fe este
frecventa semnalului etalon iar fx cea a semnalului de etalonat.
n concluzie,
fx = fe f = fe 1/T.

(11)

Cunoscnd frecventa etalon, se determina astfel, cu destula

precizie, frecventa

necunoscuta.

2.3. Masurarea defazajelor prin metoda elipsei

Prin aplicarea pe placile de deflexie verticala si orizontala a doua semnale de frecvente
riguros egale, dar defazate cu unghiul , pe ecran se obtine o elipsa, ca n fig.3.4 (frecventele
egale se obtin prin utilizarea unui singur generator de semnal sinusoidal, n combinatie cu o
retea de defazare RC pe una din cai).
x = k1U1sint

Avem deci:
(12)

y = k2U2sin(t + )
Utiliznd, n continuare, notatia X = k1U1 si Y = k2U2, si eliminnd parametrul t ntre cele
doua expresii, se obtine relatia:
L1-9

y2 x2
y x

2
cos sin 2
Y X
Y2 X2

(13)

Cnd x = 0, deci sint = 0 si t = k rezulta

y = k2U2sin(k + ) = Ysin

(14)

adica
2b = 2Ysin

(15)

Fig.3.4.

ntruct amplitudinea semnalului corespunde elongatiei maxime a spotului fata de axa

Ox, rezulta ca
2a = 2Y

(16)

si
sin

2b b

2a a

(17)

Asadar
= arcsin(b/a)

(18)

2.4. Ridicarea ciclului de histerezis la un material magnetic

Osciloscopul catodic permite vizualizarea ciclului de histerezis corespunzator
magnetizarii n curent alternativ a unui miez magnetic.
Aplicandu-se placilor de deflexie pe orizontala (XX) o tensiune n faza cu curentul
alternativ care strabate nfasurarea de magnetizare a miezului magnetic, iar placilor de
deflexie
verticala (YY) tensiunea de la bornele nfasurarii secundare (de masurare) se obtine pe
ecranul
osciloscopului o figura nchisa care reprezinta curba de histerezis a miezului magnetic testat
(fig.3.5).

L1-10

Fig.3.5.
Deci
u x R1i1 (t ) R1

h(t )l
n1

(19)

unde:
h(t)=Hmsint este intensitatea cmpului magnetic alternativ;
l - este lungimea circuitului magnetic presupus cu ntrefier neglijabil;
n1 - este numarul de spire din nfasurarea primara.
Deviatia pe orizontala va fi
x S x u x S x R1

h(t )l
k x h(t )
n1

(20)

Cum:
db(t )
u 2 n 2 d n 2 S m
dt
dt

(21)

unde:
Sm - este sectiunea miezului magnetic testat;
b(t) = Bm(t)sint este inductia magnetica;
n2 - este numarul de spire din nfasurarea secundara.
n ipoteza ca R2 >> 1/(C) rezulta

n S db(t )
u
i2 2 2 m
R2
R2
dt

(22)

iar tensiunea la bornele condensatorului

L1-11

u c (t )

n2 S m
1t
b(t ) u y
i2 (t )dt
C0
R2 C

(23)

astfel ca

n S
y S y u y S y 2 m b(t ) k y b(t )
R2 C

(24)

Energia consumata pentru descrierea unui ciclu de histerezis este data de relatia:
W = hdb

(25)

si, tinnd seama ca, prin aplicarea tensiunilor ux si uy, deviatiile spotului pe cele doua directii
snt proportionale cu h(t) si b(t), rezulta ca aria curbei ce apare pe ecranul osciloscopului
reprezinta, la o anumita scara, nsasi energia W. Cum aria curbei este:
A = xdy = KxKyhdb = KxKyW

(26)

rezulta ca, la frecventa f a tensiunii de alimentare, puterea disipata prin histerezis de catre
materialul magnetic este:

PH fW f

A
KxK y

(26)

unde

K x S x R1

S
1
, K y S y n2 m ,
n1
R2 C

A-aria curbei obtinute pe ecranul osciloscopului.

2.5. Ridicarea caracteristicilor statice ale unor diode semiconductoare

Caracteristica statica a unei diode semiconductoare reprezinta

dependenta dintre

curentul care o strabate si caderea de tensiune de pe aceasta ID= f(UD), unde ID este curentul
prin dioda, iar UD tensiunea la bornele diodei.
Procedura de vizualizare a acestei caracteristici consta n aplicarea pe placile de deflexie
verticala a unei tensiuni proportionale cu curentul ID, iar pe placile de deflexie orizontala a
tensiunii culese de pe dioda UD (fig.3.6).

L1-12

Fig.3.6.
Practic montajul se va alimenta la o tensiune alternativa care la dioda semiconductoare
obisnuita sa nu atinga valoarea tensiunii de strapungere Ustr care ar conduce la distrugerea
diodei
si nici a curentului maxim n conductie directa IDmax (limitarea curentului se asigura din
dimensionarea corecta a rezistentei de sarcina R s), n timp ce la dioda Zener se va urmari
atingerea zonei Zener (tensiunea - Uz) fara a se depasi curentul invers maxim (-IDmax).
III. Chestiuni de studiat
3.1. Deprinderea manevrarii corecte a osciloscopului.
3.2. Vizualizarea formelor de unda ale tensiunilor n diverse puncte ale unei retele
electrice de tip RC, pentru trei amplitudini si trei frecvente diferite ale semnalului de intrare.
Se va alimenta schema mai nti de la un generator de semnal sinusoidal si apoi de la unul de
semnal dreptunghiular.
3.3. Masurarea amplitudinilor unor semnale sinusoidale si

dreptunghiulare n

domeniul 0 10 V (cte 5 determinari pentru fiecare tip de semnal).

3.4. Masurarea frecventelor prin utilizarea bazei de timp interne a osciloscopului
(metoda directa) pentru semnale sinusoidale si dreptunghiulare n domeniul 10 Hz 1 MHz
(cte doua determinari pe fiecare gama a generatorului utilizat).
3.5. Masurarea frecventelor prin metoda figurilor Lissajous pentru rapoartele 1/1,
1/2, 1/3, 2/1, 3/1 ale frecventelor generatoarelor de semnal sinusoidal, lund pe unul dintre
acestea drept etalon.
3.6. "Etalonarea" unui generator de semnal sinusoidal prin metoda elipsei mobile.

L1-13

3.7. Masurarea defazajului introdus de un circuit Rv, Cv prin metoda elipsei si

trasarea curbelor = F(Cv) pentru f = ct. si Rv = ct. si = F(Rv) pentru f = ct. si Cv = ct. Se
vor considera 10 valori ale parametrilor Cv, respectiv Rv.
3.8. Ridicarea ciclului de histerezis pentru un miez magnetic si determinarea
pierderilor prin histerezis.
3.9. Ridicarea caracteristicilor statice la o dioda redresoare si la o dioda Zener.

IV. Schemele de montaj si modul de lucru

4.1. Se citeste codul osciloscopului catodic care se utilizeaza n lucrare si se identifica
materialul de prezentare corespunzator din ANEXA B. Se studiaza semnificatia elementelor
componente, modul de functionare si de utilizare ale tipului de osciloscop care se foloseste
pentru efectuarea lucrarii de fata.
Pornirea osciloscopului se face din ntrerupatorul de retea, avndu-se grija ca intrarea
Y sa fie n gol (fara semnal), comutatorul tripozitional "CC, CA, GND" pe pozitia "GND"
(intrare la "masa"), comutatorul "V/DIV" (comutatorul coeficientilor deviatiei pe verticala) pe
pozitia

20

V/DIV

(sensibilitate

minima),

comutatorul

"TIMP/DIV"

(comutatorul

coeficientilor de baleiaj) pe o pozitie intermediara, 1 ms/DIV, iar comutatorul

SINCRONIZARE pe pozitia AUTOMAT "INT+" sau "INT-".
Dupa aparitia spotului luminos se regleaza intensitatea acestuia din potentiometrul
"LUMINOZITATE" si i se ajusteaza grosimea din potentiometrele "FOCALIZARE" si
"ASTIGMATISM" pna la minim (aproximativ 1 mm).
Daca se constata ca spotul nu este orizontal se actioneaza asupra potentiometrului
"ROTIRE TRAS", pna cnd se realizeaza o suprapunere a drei luminoase peste una din
liniile orizontale ale caroiajului din fata ecranului tubului catodic.
4.2. Pentru vizualizarea si compararea unor semnale electrice diferite se foloseste
schema din fig.3.7, care este alimentata de la un generator de semnal att sinusoidal ct si
dreptunghiular de tip VERSATESTER, fixnd amplitudinea la 10 Vef si frecventa la 1 KHz,
procedndu-se la

L1-14

Fig.3.7.
vizualizarea formelor de unda n punctele A, B, D, E, n felul urmator:
-se conecteaza cablul de intrare n osciloscop la borna Y;
-se pozitioneaza comutatorul tripozitional "CC, CA, GND" pe pozitia "GND" si se
centreaza spotul cu ajutorul potentiometrelor de deplasare verticala sau orizontala a acestuia;
-dupa conectarea intrarii la una din bornele de masurat (A, B, D, E) se pozitioneaza
comutatorul tripozitional "CC, CA, GND" pe una din pozitiile "CC" sau "CA", se scade
treptat atenuarea semnalului aplicat pe Y din comutatorul "V/DIV" (stabilindu-se coeficientul
de deviatie pe verticala potrivit) pna la ncadrarea sa convenabila pe ecran, dupa care se
modifica frecventa bazei de timp, din comutatorul "TIMP/DIV" (alegndu-se, astfel,
coeficientul de baleiaj) pna cnd pe ecranul osciloscopului apare un numar mic, distinct, de
perioade ale semnalului.
n acest mod se procedeaza pentru toate punctele de testare (A, B, D, E), lundu-se si
alte valori de frecventa si amplitudine de la generator.
Se verifica functionarea osciloscopului pentru pozitia AUTOMAT att pe "INT+" ct
si pe "INT-", observndu-se diferenta care apare pe ecran.
Pentru studierea functionarii osciloscopului cu baza de timp

declansata se

pozitioneaza comutatorul de sincronizare pe pozitia DECLANAT "INT+" sau "INT-" si se

modifica nivelul de atac al formatorului de impulsuri folosind potentiometrul NIVEL pna
cnd

imaginea pe ecranul osciloscopului se stabilizeaza; se va observa,

analog cu

functionarea pe regimul AUTOMAT, diferenta ntre pozitiile "INT+" si "INT-".

Operatiile enuntate mai sus se realizeaza att pentru semnal sinusoidal ct si pentru
semnal dreptunghiular, observndu-se

diferenta dintre pozitiile "CC" si "CA" ale

comutatorului tripozitional "CC, CA, GND" pentru acelasi tip de semnal.

Att la alimentarea cu semnale sinusoidale ct si la cea cu semnale dreptunghiulare,
pentru o frecventa si o tensiune a generatorului de semnal specificata n referat, formele de
L1-15

unda de pe ecranul osciloscopului se vor desena la scara, specificndu-se

pozitiile

comutatoarelor "CC, CA, GND", "V/DIV" si "TIMP/DIV".

4.3. nainte de efectuarea unor masurari cantitative de amplitudine sau frecventa cu
osciloscopul, acesta trebuie etalonat. Etalonarea se face folosind calibratorul intern ale carui
legaturi

snt scoase n exterior la una sau doua borne, deasupra carora se

gasesc

inscriptionate frecventa si amplitudinea semnalelor respective. La cele mai multe instrumente,

calibratorul are legatura la masa conectata n interior, astfel nct la intrare este suficient sa se
conecteze doar legatura "calda".
Etalonarea consta n obtinerea pe ecranul osciloscopului, prin masurare, folosind
coeficientii de deviatie pe verticala, coeficientii de baleiaj si caroiajul ecranului, a valorilor
inscriptionate n dreptul bornei calibratorului. Daca valorile nu corespund, se actioneaza
asupra potentiometrelor de etalonare, fie a bazei de timp, fie a amplificarii, dupa caz. Odata
etalonarea ncheiata, nu se mai umbla la potentiometrul respectiv, pentru a nu deregla
osciloscopul.
n cazul n care osciloscopului i se furnizeaza semnal de la un generator de semnal
sinusoidal, pentru aflarea tensiunii vrf la vrf (dublul amplitudinii) se nmulteste numarul de
diviziuni ale caroiajului cuprinse ntre extremele pe verticala ale imaginii de pe ecran cu
coeficientul de deviatie pe verticala indicat de comutatorul V/DIV. Rezultatul se obtine n [V]
si reprezinta pentru o unda sinusoidala x(t) = 2Umsint valoarea n volti a dublului
amplitudinii 2Um, astfel ca
Uef = 2Um/(22,_).

(28)

n mod analog se procedeaza la masurarea amplitudinilor pentru semnale de alta

forma (de exemplu dreptunghiulare). Pentru aflarea altor valori de interes, cum ar fi tensiunea
medie si tensiunea efectiva pentru aceste semnale, se tine seama de expresiile de definitie ale
acestora.
Rezultatele obtinute se compara cu valorile indicate de elementele de afisare ale
generatoarelor de semnal.
4.4. Pentru masurarea frecventelor prin utilizarea bazei de timp interne a
osciloscopului (procedeul uzual) se efectueaza urmatoarea succesiune:
-se ncadreaza semnalul pe ecran astfel nct sa existe 1 3 perioade ale acestuia prin
alegerea corespunzatoare a pozitiei comutatorului TIMP/DIV;

L1-16

-se nmulteste numarul de diviziuni cuprinse ntr-o perioada a semnalului cu indicatia

data de comutatorul TIMP/DIV, obtinndu-se astfel, n unitati corespunzatoare de timp,
perioada semnalului vizualizat. Cum frecventa este inversul perioadei, f = 1/T, se deduce
imediat valoarea acesteia.
Se procedeaza n acest fel mai nti pentru semnale sinusoidale, lundu-se cel putin 2
valori de masurat n fiecare gama a generatorului de masurat, dupa care se procedeaza similar
pentru un generator de semnale dreptunghiulare.

Fig.3.8.

4.5. Pentru masurarea frecventelor prin metoda figurilor

Lissajous se foloseste

montajul din fig.3.8, n care GSS1 si GSS2 snt generatoare de semnal sinusoidal.
Pentru desfasurarea lucrarii este necesar ca baza de timp interna a osciloscopului sa fie
scoasa din functiune, n acest scop comutatorul TIMP/DIV se pozitioneaza pe "X EXT" (baza
de timp

externa). Dupa fixarea amplitudinii generatoarelor sinusoidale la

5 V ef si a

comutatorului V/DIV pe pozitia 1 V/DIV (pentru obtinerea unei imagini suficient de bine
ncadrate pe ecran), se vor efectua masurari de frecventa considerndu-se GSS1 ca generator
etalon, iar GSS2 ca generator de etalonat. Pentru aceasta, se fixeaza GSS1 la o anumita
frecventa si se variaza frecventa celui de-al doilea pna cnd se obtine o figura Lissajous
stabila, nedepasindu-se raportul 1/3, respectiv 3/1 (pentru o interpretare corecta a figurii).
Se va determina clasa de precizie a celui de-al doilea generator, pentru primele 3
game de frecventa, la fiecare gama lundu-se n consideratie punctele extreme si 3 puncte
intermediare.
Clasa de precizie se calculeaza cu relatia:

c[%]

(f ) max
100
f max f min

(29)

n care:
(f)max - abaterea maxima de frecventa a celui de-al doilea generator fata de frecventa
celui considerat etalon,
L1-17

fmax - fmin - diferenta dintre frecventele extreme ale domeniului pe gama studiata.
4.6. Pentru masurarea abaterii de frecventa a generatorului GSS2 (etalonarea acestuia)
prin metoda elipsei mobile se foloseste acelasi montaj ca pentru figurile Lissajous (fig.3.8). Se
fixeaza GSS1 la o anumita valoare de frecventa,
iar pentru GSS2 se dau valori ale frecventei n jurul celei a generatorului GSS1, astfel nct
elipsa sa aiba o miscare observabila pe ecranul osciloscopului si sa se poata cronometra
intervalul de timp necesar trecerii acesteia prin pozitia n care degenereaza n dreapta, de
aceeasi nclinatie (pentru a se elimina erorile de citire), de un numar suficient de ori (de obicei
10). Pentru obtinerea unor rezultate concludente determinarile se vor face pe prima gama de
frecvente a generatorului, n care se considera 5 valori la GSS 1, n jurul fiecarei valori etalon
lundu-se cel putin 4 frecvente distincte ale generatorului de etalonat GSS2.
4.7. Pentru masurarea defazajelor prin metoda elipsei se va folosi un circuit defazor,
ca n fig. 3.9, in care:
GSS - generator de semnale sinusoidale;
Cv - cutie decadica de capacitati;
Rv - cutie decadica de rezistente 0,1 100 K.
Se vor efectua masurari mai nti cu Rv = ct (= 10K), f=ct (= 1KHz) si Cv variabil
(din

Fig.3.9.
0,5 F n 0,5 F), apoi cu C v = ct (=1 F), f=ct (1 KHz) si Rv variabil (din 10 K n 10 K);
valorile date n paranteze snt orientative pentru obtinerea unor rezultate semnificative.

4.8. Pentru ridicarea experimentala a ciclului de histerezis se executa montajul din

fig.3.10,
L1-18

Fig.3.10.
n care:
AT - autotransformator de 220 Vef c.a., 8 A, 50 Hz;
M - miez magnetic cu parametrii din figura;
V - voltmetru de c.a. clasa 1,5;
A - ampermetru de c.a. clasa 1,5.
Initial cursorul C al autotransformatorului se afla la zero. Se creste progresiv tensiunea
de iesire din autotransformator din 10 V n 10 V, desenndu-se la scara curba obtinuta pe
osciloscop si notndu-se indicatiile aparatelor. Cresterea tensiunii de alimentare a montajului
se va face pna cnd curba obtinuta pe ecranul osciloscopului va avea forma ciclului de
histerezis conform fig.3.5, adica pna la atingerea valorilor de saturatie ale miezului magnetic.
Tensiunea de alimentare nu va depasi cu mai mult de 10 % valoarea tensiunii de saturatie a
miezului magnetic. Se va acorda o atentie deosebita modului de alimentare a autotransformatorului la retea, urmarindu-se respectarea ntocmai a montajului din fig.3.10.

4.9. Pentru ridicarea caracteristicilor curent-tensiune a unei diode redresoare, respectiv

a unei diode Zener, se foloseste montajul din fig.3.11, n care:
GSS - generator de semnal sinusoidal (VERSATESTER tip E-0502);

L1-19

R - rezistenta de limitare a curentului prin dioda;

Fig.3.11.
D - dioda semiconductoare;
DZ - dioda Zener (stabilizatoare);
OSC - osciloscop catodic;
K - comutator bipolar.
Pentru alimentarea montajului din fig.3.11 generatorul de semnal sinusoidal GSS
trebuie sa furnizeze un semnal de amplitudine ntre 5 10 Vef, de frecventa 50 Hz 1 kHz.
Se fixeaza comutatorul K pe pozitia 1 obtinndu-se pe ecran caracteristica curenttensiune pentru dioda redresoare, iar prin schimbarea comutatorului pe pozitia 2 se obtine
caracteristica pentru dioda Zener; ambele caracteristici se vor desena la scara pentru 3 5
frecvente din domeniul specificat.

V. Rezultate experimentale
5.1. Rezultatele experimentale de la punctul 3.2 al chestiunilor de studiat se vor
prezenta sub forma de grafice la scara 1:1 sau 1:2. Pentru fiecare grafic se va preciza tipul de
generator folosit, parametrii semnalului, pozitia comutatoarelor V/DIV si TIMP/DIV ale
osciloscopului.
5.2. Rezultatele obtinute la punctele 3.3 si 3.4 ale chestiunilor de studiat se vor
prezenta ntr-un tabel de forma modelului prezentat n tabelul 3.1, n care:
f = fosc - fgen, rf = f/fgen pt.frecvente

(30)

respectiv
U = Uefosc - Uefgen, rU = U/Uefgen pt.amplitudini (31)

L1-20

Tabelul 3.1. (model)

Nr.
crt.

Tip Param.
Rezultate obtinute la osciloscop
sem- generat.
nal
f
Uef
CY
Nr.div. 2Um Uef Nr.div.
[Hz] [V] [V/DIV] [DIV] [V] [V] /per.
[DIV]

Erori
Cvx
T
[TIMP/ [s]
DIV]

[Hz]

5.3. Rezultatele experimetale obtinute prin aplicarea metodei figurilor Lissajous se vor
prezenta sub forma tabelului urmator:

Tabelul 3.2. (model)

Gama de
frecvente

fGSS1
[Hz]

fGSS2
[Hz]

m/n

fdet
[Hz]

f=
fGSS2-fdet
[Hz]

c
[%]

Obs.

unde:
fGSS1, fGSS2 - frecventele citite la cele doua generatoare;
fdet - frecventa determinata prin metoda figurilor Lissajous;
f - abaterea de frecventa.

5.4. Rezultatele obtinute la aplicarea metodei elipsei mobile pentru etalonarea unui
generator se vor trece ntr-un tabel de forma:
Tabelul 3.3. (model)
Gama de
frecvente

fGSS

fGSS

Nr.per.
N

Timp pt.
N per.
[s]

T
[s]

f
[Hz]

unde:
fGSS1, fGSS2 - frecventele citite la cele doua generatoare;
L1-21

fGSS2de
t

[Hz]

r
[%
]

Obs.

f - frecventa miscarii elipsei pe ecran;

fGSS2det - frecventa generatorului GSS2 determinata conform metodei elipsei mobile,

f
f GSS 2
r GSS 2 det
100[%] eroarea relativa
f GSS 2

(32)

5.5. Rezultatele experimentale obtinute prin aplicarea metodei elipsei la masurarea

defazajelor se vor trece ntr-un tabel de forma:

Tabelul 3.4. (model)

f
[Hz]

Rv
[]

Cv
[F]

a
[DIV]

b
[DIV]

det

calc

[rad]

[rad]

Observatii

unde:
det - defazajul determinat prin metoda elipsei;
calc = arctgRC - defazajul rezultat prin calcul.
5.6. Rezultatele obtinute experimental la ridicarea ciclului de histerezis se vor trece
ntr-un tabel de forma:

Tabelul 3.5. (model)

Nr.
crt.

U
[V]

I
[A]

Sx
[V/DIV]

Sy
[V/DIV]

Kx

Ky

Aria
curbei
[m2]

PH

unde:
U, I - snt indicatiile aparatelor din montajul prezentat n fig.3.8;
L1-22

Observatii

Sx, Sy - sensibilitatile osciloscopului pe intrarile X, respectiv Y;

Kx, Ky, PH - marimi ale caror semnificatii snt prezentate n principiul lucrarii.
5.7. Rezultatele obtinute experimental la ridicarea caracteristicilor diodelor se vor
prezenta pe cale grafica. Se vor pune n evidenta zonele de blocare n polarizare directa,
respectiv inversa, si tensiunile de deschidere ale diodelor U0 (n conductie directa) si Uz (n
conductie inversa). De asemenea, se vor calcula rezistentele lor dinamice, pe baza imaginilor
obtinute, astfel:

rd

U d
,
I d

rz

U 2
I 2

(33)

unde rd este rezistenta dinamica obtinuta la dioda redresoare n conductie directa, iar rz este
rezistenta dinamica pusa n evidenta la dioda Zener n conductie inversa.

VI. Observatii si concluzii

n referat se vor trage concluzii privind domeniile de utilizare ale osciloscopului
catodic studiat, precum si asupra calitatilor sale ca instrument de masurat.
Se vor face aprecieri privind precizia masurarilor efectuate cu osciloscopul catodic; n
acest sens fiecare set de determinari se va compara d.p.d.v. al calitatii masurarilor si usurintei
de determinare a rezultatului cu alte modalitati de masurare a marimilor determinate.
n cadrul referatului se va raspunde la urmatoarele ntrebari:
6.1. Care snt performantele osciloscopului catodic utilizat conform panoului frontal al
aparatului?
6.2. tiind ca impedanta de intrare pe borna Y este 1 M 40 pF iar pe XEXT de 350
k 35 pF, sa se arate daca montajele din fig.3.6, 3.7, 3.8 snt corecte sau trebuiesc inversate
semnalele de intrare n osciloscop.
6.3. n cazul experimentarii metodei figurilor Lissajous se folosesc doua generatoare
GSS1 si GSS2 avnd aceeasi clasa de precizie. Este corect? De ce?
6.4. Sa se specifice care este diferenta dintre baza de timp automata si baza de timp
declansata.
6.5. Poate metoda elipsei, odata cu determinarea defazajului, sa precizeze si semnul
acestuia? n cazul unui raspuns negativ imaginati o metoda simpla de determinare a semnului
defazajului.

L1-23

6.6. Dupa determinarea caracteristicii statice tensiune-curent a unei diode

semiconductoare, dndu-se un punct de pe caracteristica si valoarea tensiunii de alimentare
(constanta) sa se calculeze valoarea rezistentei de polarizare pentru ca dioda sa lucreze n acel
punct.
6.7. Sensibilitatile osciloscopului pe intrarile X si Y snt S x = 1 V/DIV si Sy = 5
V/DIV; n ce raport trebuie sa se gaseasca amplitudinile semnalelor, de aceeasi frecventa,
aplicate la intrarile respective, astfel nct elipsa obtinuta pe ecran sa poata degenera n cerc?
6.8. Imaginati o schema de montaj pentru masurarea puterii active monofazate
utiliznd doar osciloscopul catodic.
6.9. Un circuit genereaza, n mod aleator, semnale parazite; se pot acestea determina
cu osciloscopul studiat? De ce?
6.10. Explicati diferenta dintre figurile obtinute pe osciloscop n cazul studierii
caracteristicilor diodelor semiconductoare si caracteristicile ideale (prezentate n fig.3.6).

L1-24

Lucrarea de laborator numarul 2

MASURARI DINAMICE CU AJUTORUL OSCILOSCOPULUI

L2-1

L2-2

L2-3

L2-4

L2-5

L2-6

L2-7

L2-8

L2-9

L2-10

L2-11

L2-12

L2-13

L2-14

L2-15

L2-16

Lucrarea de laborator numarul 3

APARATE DE MASURA BAZATE PE AMPLIFICATOARE
OPERATIONALE (AO).CIRCUITE DE BAZA CU AO

Scopul lucrarii:
Lucrarea isi propune studierea catorva circuite de baza realizate cu amplificatoare
operationale. Se pun in evidenta relatiile de principiu deduse in conditiile presupunerii unui
amplificator ideal, ca si doua aspecte fundamentale legate de aceste configuratii cu
amplificatoare operationale: raspunsul in timp si comportarea in frecventa.

1 . NOIUNI TEORETICE
1.

Sinteza teoretica

n cadrul acestui capitol se va analiza o categorie aparte de amplificatoare electronice

si anume cele care au fost concepute si realizate la exigentele impuse n mod special de
canalele de intrare ale aparatelor electronice de masurat (voltmetre electronice, ampermetre
electronice, multimetre electronice, osciloscoape catodice, dispozitive electronice de
automatizare s.m.a.). Ele poarta numele generic de amplificatoare de masurat (ce indica, prin
urmare, domeniul lor de utilizare) carora noi vom prefera sa le dam denumirea de
amplificatoare instrumentale (ce arata, parca mai bine, si "locul" unde sunt amplasate aceste
amplificatoare).
Amplificatoarele instrumentale trebuie sa corespunda exigentelor impuse de tehnica
electronica de masurare ndeplinind simultan urmatoarele functiuni:
- cresterea puterii elementelor de prelucrare a semnalelor prin care se masoara
diferitele marimi atasate unor procese sau obiecte supuse masurarii unde sunt dificil de
detectat (elemente sensibile-senzori, convertoare, traductoare etc.);
- asigurarea unei anumite impedante de generator, pentru a nu influenta starea reala a
obiectului supus masurarii;
- limitarea automata la anumite valori ale tensiunii sau curentului pentru protectia
sarcinii;
- realizarea unei anumite caracteristici de transfer, liniare sau neliniare, potrivit
scopului masurarii;
L3-1

- "citirea" (prelucrarea) unor semnale extrem de diverse, ca dinamica, frecventa, forma

de unda etc.;
- realizarea unor caracteristici de frecventa adecvate masurarii unor semnale foarte
diverse (continue, lent variabile n timp, de frecvente foarte mari etc.);
- asigurarea unei rejectii de mod comun corespunzatoare;
- asigurarea unui cstig diferential (n bucla deschisa) foarte mare;
- asigurarea unei largi benzi de trecere pentru frecvente;
- asigurarea unui raspuns rapid etc.
Amplificatoarele instrumentale tipice sunt: amplificatoarele de current continuu,
amplificatoarele operationale si amplificatoarele diferentiale.
Amplificatoarele integrate monolitice constituie clasa cea mai cunoscut i utilizat de
circuite integrate analogice. Amplificatorul operaional ,, ideal este un amplificator de
tensiune cu intrare diferenial i ieire simpl, avnd amplificare infinit, band infinit,
impedan de intrare infinit i impedan de ieire zero .
Desi amplificatoarele operationale reale nu au asemenea caracteristici ideale,
performantele lor sunt de obicei suficiente pentru a aproxima proprietatile amplificatorului
ideal, la frecvente joase.
In majoritatea aplicatiilor, amplificatorul operational este folosit in configuratie cu
reactie negativa. Castigul in bucla inchisa este notat uzual cu A, pentru a se deosebi de
castigul in bucla deschisa, notat cu a. Teoria reactiei negative arata ca pentru valori suficient
de mari ale amplificarii in bucla deschisa, performantele in bucla inchisa vor fi determinate in
esenta de elementele retelei de reactie.
Castigul in tensiune foarte mare de intrare, cu alte cuvinte presupune ca amplificatorul
este practic ideal, simplifica foarte mult analiza circuitelor cu amplificatoare operationale,
conectate in configuratie cu reactie negativa. Se arata imediat ca se poat face doua ipoteze de
calcul simplificatoare: tensiunea Vin care apare direct intre intrari este practic zero, iar
curentii care intra in cele doua terminale de intrare sunt de asemenea zero.

L3-2

1.2.Circuite de baza cu AO(descriere si simulare)

Amplificator inversor
Relatie ve

R2
vi
R1

Schema de principiu:
R2
{RES}

2
Vi

1k

VOFF = 0
VAMPL = 10m
FREQ = 1

V-

-VCC
R1
LM358

OUT

1
V

V+

+
U1A
+VCC

Relatii de calcul:

Ii I R
V0 I R RR 0
VI RI I I
VI RI I R I R
V0

VI
V
V0 I RR 0
RI
RI

VI RR
RI

50mV

0V

-50mV
0s

V(U1A:OUT)

0.5s

V(R1:1)

1.0s

1.5s

2.0s

2.5s

3.0s

Time

Rezultatele simularii functionarii amplificatorului inversor pentru R2={1k, 2k, 3k, 4k}

L3-3

Amplificator neinversor

R
Relatie ve 1 2 vi
R1
Schema de principiu:
R2
{RES}
-VCC
4
V-

R1
2
1k

LM358

3
Vi

VOFF = 0
VAMPL = 10m
FREQ = 1

OUT

1
V

+ 8
V+
U1A
+VCC

50mV

0V

-50mV

-100mV
0s

V(U1A:+)

0.5s
V(U1A:OUT)

1.0s

1.5s

2.0s

2.5s

3.0s

Time

Rezultatele simularii functionarii amplificatorului neinversor pentru R2={1k, 2k, 3k, 4k}

Repetorul de tensiune
Relatie ve vi
Schema de principiu:
R3
1k

V-

-VCC
6

LM358

+
U1B
+VCC

V+

VOFF = 0
VAMPL = 10m
FREQ = 1

5
Vi1

OUT

Structura de repetor provine din cea a amplificatorului neinversor in care R1=.

L3-4

 R
In relatia neinversorului ve 1 2 vi . Inlocuind pe R1 cu obtinem: ve=vi.
R1
10mV

0V

-10mV

-20mV
0s

0.5s
V(U1B:OUT)

V(Vi1:+)

1.0s

1.5s

2.0s

2.5s

3.0s

Time

Rezultatele simularii functionarii repetorului de tensiune

Amplificatorul sumator

n R
Relatie ve vi
i 1 Ri
Schema de principiu:
R
R3
1k

Vi1
VOFF = 0
VAMPL = 20m
FREQ = 1

2
1k

VOFF = 0
VAMPL = 10m
FREQ = 1

I e I1 I 2 I 3
Ve I R
V1
R1

V2 R2 I 2 I 2

V2
R2

V3 R3 I 3 I 3

V3
R3

Relatii de calcul:

V1 R1 I1 I1

LM358

Vi

R1

1k

V-

-VCC

OUT

+
U1A
+VCC

V+

Vi2
VOFF = 0
VAMPL = 5m
FREQ = 1

R2

1k

V V V
V
V1 V2 V3

e Ve R 1 2 3
R1 R2 R3
R
R1 R2 R3

L3-5

1
V

40mV

0V

-40mV
0s

V(Vi:+)

V(Vi1:+)

0.5s
V(Vi2:+)

V(U1A:OUT)

1.0s

1.5s

2.0s

2.5s

3.0s

Time

Rezultatele simularii functionarii amplificatorului sumator

Amplificatorul diferential
Relatie ve

R2
R
R
v3 v4 daca 2 4
R1
R1 R3

Schema de principiu:
R2
1k
-VCC
4
V-

R1
2
1k
V

R3
3

V4
VOFF = 0
VAMPL = 100m
FREQ = 1

V3
VOFF = 0
VAMPL = 330m
FREQ = 1

LM358

1k
V

R4
1k

OUT

1
V

+ 8
U1A V+
+VCC

400mV

0V

-400mV
400mV

V(V4:+)

V(R3:1)

0V
SEL>>
-400mV
0s

V(U1A:OUT)

0.5s

1.0s

1.5s

2.0s

Time

Rezultatele simularii functionarii amplificatorului diferential

L3-6

2.5s

3.0s

Amplificatorul integrator
Daca in reactia unui circuit inversor de tipul celui discutat se pune un condensator in
locul rezistentei, se realizeaza operatia matematica de intregrare, obtinandu-se la iesire un
semnal care este proportional cu integrala semnalului de intrare.
Circuitele integratoare cu amplificator operational se pot utiliza fie ca filtre selective
in frecventa, fie ca circuite de defazare (de exemplu, pentru conversia unei forme de unda
sinusoidale in una cosinusoidala), sau ca integrator propriu-zis, deci sumare in timp: de
exemplu, o tensiune continua la intrare va determina la iesire o rampa crescatoare.
t

Relatie ve

1
vi dt
RC 0

Schema de principiu:
C1
22n
-VCC
4
V-

R
2
1k
3
V1 = -100m
V2 = 100m
TD = 0
TR = 1n
TF = 1n
PW = 1m
PER = 2m

V3

LM358

R4
1k

OUT

+ 8
U1A V+
+VCC

1
V

Relatii de calcul:

dU c
I

dt
C
1
Ve
Idt
C
Vi R I R
IR IC
Ve

1
C

Vi
1
dt
R
CR

dt

Pentru semnal sinusoidal de amplitudine constant i cu frecvena variabil,

integratorul d la ieire o tensiune de aceeasi frecven, cu amplitudinea dependent de
frecven i de elementele circuitului i defazat fa de semnalul de intrare cu o faz
dependent de frecven ( arctg CR ).
Pentru un salt de tensiune aplicat la intrare, rspunsul este exponenial; n cazul unei
succesiuni de impulsuri, dac durata impulsurilor este mic n raport cu constanta de timp CR,
L3-7

atunci circuitul funcioneaz ca un integrator, dnd la ieire o tensiune aproape continu, egal
cu componenta continu a impulsurilor aplicate la intrare.
Prezena unei rezistene n paralel pe capacitate duce la repartiia unei constante de
timp de integrare mai mici, neliniaritatea obinut la integrare fiind dependent de timpul de
integrare.
100mV

0V
SEL>>
-100mV
20V

V(R:1)

10V

0V
0s

1.0ms

V(U1A:OUT)

2.0ms

3.0ms

4.0ms

5.0ms

Time

Rezultatele simularii functionarii amplificatorului integrator

Amplificatorul derivator
Relatie ve RC

dvi
dt

Schema de principiu:
R
1k

R1

1k

22n

2
V1 = 50m
V2 = 0
TD = 0
TR = 1n
TF = 1n
PW = 50u
PER = 100u

V3

-VCC
4
VLM358

Relatii de calcul:
IC I R
Ve I R R
Q dU c dQc I
1

Ic
C
dt
dt C
C
V
dQ dVi I R
I

e
dt dt
C
RC
dV
Ve RC i
dt
Vi v sin t
UC

Ve RC cos t

L3-8

OUT

+ 8
V+
U1A
+VCC

6.0ms

Daca pe intrarea unui circuit inversor de tipul celui discutat, se pune un condensator in
locul rezistentei, se realizeaza operatia matematica de diferentiere, obtinandu-se la iesire (la
joasa frecventa) un semnal care este proportional cu derivata semnalului de intrare.
50mV

25mV
SEL>>
0V
50mV

V(V3:+)

0V

-50mV
0s

V(R:2)

50us

100us

150us

200us

250us

300us

350us

400us

450us

500us

Time

Rezultatele simularii functionarii amplificatorului derivator

Amplificatorul logaritmic
Amplificatorul logaritmic (convertorul logaritmic) realizeaza intre marimea de la
iesire si marimea de la intrare o dependenta logaritmica. In mod obisnuit marimea de la iesire
este o tensiune iar marimea de la intrare este o tensiune sau un curent.
Pentru a obtine un circuit cu o caracteristica logaritmica, este suficient, in principiu, ca
in montajul inversor sa se introduca in reactie o jonctiune polarizata direct.
Relatie ve U T ln(vi ) ln( I 0 R )
Schema de principiu:
D
D1N4148
-VCC
4
V-

R
2
Vi

1k

LM358

5
3

OUT

+ 8
V+
U1A
+VCC

-400mV

-500mV

-600mV

-700mV
0V

V(D:2)

0.5V

1.0V

1.5V

2.0V

2.5V

3.0V

3.5V

4.0V

4.5V

5.0V

V_Vi

Rezultatele simularii functionarii amplificatorului logaritmic pentru Vi=(0,05V 5V) cu pasul

de 0,05V
L3-9

Amplificatorul exponential
v
Relatie ve R I e exp i
UT

Schema de principiu:
R
1k
-VCC
4
V-

D
2
Vi

D1N4148

LM358

OUT

5v
3

+ 8
U1A V+
+VCC

0V

-5V

-10V

-15V
300mV
V(R:2)

350mV

400mV

450mV

500mV

550mV

600mV

650mV

700mV

750mV

800mV

V_Vi

Rezultatele simularii functionarii amplificatorului exponential pentru Vi=(0,3V 8V) cu

pasul de 0,025V

Convertorul tensiune curent

Relatie ie

vi
R

Schema de principiu:
R3
100
-VCC
4
V-

R
2
Vi

1k

LM358

5Vdc
3

OUT

+ 8
U1A V+
+VCC

Rezistenta Ro este rezistenta de sarcina.

L3-10

5.0V

2.5V
SEL>>
0V

V(V3:+)

0A

-5mA

-10mA
0s

0.5ms
-I(R3)

1.0ms

1.5ms

2.0ms

2.5ms

3.0ms

3.5ms

4.0ms

4.5ms

5.0ms

5.5ms

6.0ms

Time

Rezultatele simularii functionarii convertorului tensiune - curent

Convertorul curent tensiune

Relatie ve R ii
Schema de principiu:
40mA

20mA

0A

I(I2)

4.0V

2.0V
SEL>>
0V
0s

0.5ms
V(R3:2)

1.0ms

1.5ms

2.0ms

2.5ms

3.0ms

3.5ms

4.0ms

4.5ms

5.0ms

5.5ms

6.0ms

Time

Rezultatele simularii functionarii convertorului curent tensiune

2.

DESFASURAREA LUCRARII

Realizarea lucrarii consta atat in efectuarea masuratorilor pe meachete cat si in

realizarea simularii circuitelor cu amplificatoare operationale prezentate in partea teoretica.
Efectuarea masuratorilor se vor face pentru urmatoarele configuratii de baza cu
amplificatoare operationale:
-

Amplificator inversor;

Amplificator neinversor;

Amplificator diferential;

Amplificator integrator;

Amplificator derivator;

Amplificator logaritmic;
L3-11

Amplificator exponential;

Convertor tensiune curent.

La primul pas se identifica, pe macheta de laborator configuratia dorita. Se fac

conexiunile specifice fiecarei configuratii, se aplica semnalele corespunzatoare fiecarei
configuratii, se alimenteaza macheta si se vizualizeaza formele de unda ale semnalelor de
intrare respectiv semnalelor de iesire.
Rezultatele obtinute in urma masuratorilor se compara cu rezultatele obtinute prin
simulare.
Macheta de laborator are urmatoarea configuratie:

L3-12

10K
1 J4

R2

2
-V
LM324

11

J1
2
3

Vin1

1
2

R1 1k

1
2

J5

U1A

Vout1

D2
1 J11

1 J12

-V

1N4007

J14
C2 22n
1
2

1K

11

1 J3

R7

9
10

CON2

U1C

LM324
J13
8

Vout3

+V

1
2

J2 - ON AO logaritmic
J3 - ON AO integrator
J4 - ON AO inversor, convertor tensiune-curent

C1 22n

J11- ON AO derivator
J12 - ON AO exponential

1N4007

D1
1 J2

+V

+V
Sursa de alimentare+-12V
1
J9 - ON AO diferential
J10 - ON AO neinversor
R4
1K

6 R6

1K

Vin3

LM324

1
2
Vout2

22uF/25V
D3
BRIDGE

C3

C5
100N

C4
100N

4
2

Retea 220V/50Hz

Traf o 2X12V

U4

R5

7912/TO220
-V

-V
1K

C8
+

T1
1

C7
100N

22uF/25V

IN

OUT

GND

1 J10

1
2

22uF/25V

1 J9

J15

11

1
2

J6
7

5 +

C6

1K

U1B

R3
J8

OUT

+
4

1
2

Vin2

IN

+V

C10
+

J7

7812/TO220

GND

U3

C9
100N

22uF/25V

Macheta de test pentru configuratii de baza ale amplificatoarelor operationale

L3-13

Totodata pentru studentii interesati sa realizeze singuri montajele cu amplificatoare

operationale se constituie un grup de lucru care realizeaza la alegere 3 configuratii de baza ale
amplificatoarelor operationale utilizand Placa de test Breadboard, firele si componentele
adiacente pentru conectare. Configuratia pinilor circuitului integrat utilizat (LM324 4
amplificatoare operationale pe capsula) este urmatoarea:

L3-14

Lucrarea de laborator numarul 4

MSURAREA DIRECT A TENSIUNII, A INTENSITII
CURENTULUI ELECTRIC A REZISTENEI, CONDUCTANEI I
PUTERII ELECTRICE NTR-UN CIRCUIT DE CURENT CONTINUU

1. Scopul lucrrii
Msurarea direct a tensiunii electrice U i intensitii curentului electric de conducie
I ntr-un circuit de curent continuu.
Punerea n eviden a erorilor datorate impreciziei aparatelor de msurat i a alegerii
corecte sau incorecte a domeniului de msurare.
Msurarea indirect a rezistenei electrice R, a conductanei electrice G i a puterii
electrice P, ntr-un circuit de curent continuu.
Punerea n eviden a erorilor datorate impreciziei aparatelor de msurat i a erorilor
sistematice de metod, ce apar n cazul msurrilor indirecte.
Aplicarea metodei voltmetrului i ampermetrului pentru msurarea rezistenei electrice
R i puterii electrice disipate P, n circuite aval i amonte.

2.

Baze teoretice

2.1.

Msurarea direct a tensiunii si a intensitii curentului electric

Msurarea unei mrimi fizice este operaia de alocare a unui numr real A, valorii
respectivei mrimi M, care arat de cte ori mrimea respectiv este mai mare dect valoarea
etalon U, numit unitate de msur:
M = AU .
Din punctul de vedere al msurrii, mrimile fizice se mpart n mrimi msurabile
(care accept o astfel de coresponden biunivoc ntre valorile mrimii i mulimea
numerelor reale) i mrimi nemsurabile (care nu accept o astfel de coresponden).
Electrotehnica lucreaz numai cu mrimi msurabile.
Mrimile fizice pentru care exist un instrument de msurare care s indice direct
valoarea mrimii msurate (n sensul indicat mai sus) se numesc mrimi msurabile direct;
celelalte mrimi, a cror valoare se determin prin efectuarea unor operaiuni aritmetice
asupra altor mrimi se numesc mrimi msurabile indirect.
L4-1

Msurarea direct a tensiunii electrice i a intensitii curentului se face cu ajutorul

instrumentelor de msurare specializate: voltmetrul, respectiv ampermetrul.
Voltmetru msoar diferena de potenial electric (tensiunea electric), n voli V,
ntre dou puncte ale unei reele electrice i se conecteaz n paralel. Legarea n paralel a
voltmetrului este sugerat de faptul c diferena dintre potenialele celor dou puncte ntre
care se msoar tensiunea, deci ntre cele dou sonde ale voltmetrului care vor palpa cele
dou puncte, este independent de restul circuitului electric existent ntre cele dou puncte.
Ampermetrul msoar intensitatea curentului electric de conducie printr-o latur a
unui circuit electric, n amperi A, i se conecteaz n serie. Legarea n serie a ampermetrului
ne este sugerat de faptul c intensitatea curentului electric este, prin definiie, o msur a
fluxului purttorilor de sarcin electric printr-un conductor sau element de circuit i, pentru a
msura un flux, aparatul de msur trebuie interpus pe calea acestui flux.
Aparatele de msurare, n majoritatea cazurilor, sunt multimetre, capabile s msoare
att tensiuni, ct i cureni electrici, pe diferite domenii, de la cele mai mici, pn la cele
semnificativ de mari. Selecia naturii aparatului (voltmetru/ampermetru), precum i al
domeniului de msurare se face printr-o cheie multipoziional. Aparatele de msurare pot fi
analogice sau digitale (numerice). Cele digitale afieaz direct, pe un ecran cu cristale lichide,
valoarea mrimii fizice n cifre. Pentru cele analogice, cadranul fiind gradat n diviziuni, care
pentru fiecare domeniu de msur ales reprezint alte valori ale mrimii fizice msurate, se
definete constanta aparatului de msur k, pe domeniul ales, prin raportul dintre captul de
scal al domeniului i numrul total de diviziuni de pe cadranul de citire. Pentru a determina
valoarea mrimii fizice se va nmuli numrul de diviziuni n dreptul cruia se oprete acul de
citire cu aceast constant. n laborator cele mai utilizate vor fi aparatele analogice.
Msurarea direct a oricrei mrimi fizice este afectat de erori accidentale sau
aleatoare, datorate impreciziei aparatelor de msurare.
Rezultatul Vm obinut n urma unei msurri a unei mrimi fizice difer ntotdeauna de
valoarea adevrat V a respectivei mrimi. Orice msurare este afectat de o eroare.
Eroarea absolut V este diferena ntre valoarea msurat i valoarea exact a
mrimii fizice:
V = Vm V

(2.1)

i are aceeai unitate de msur ca i mrimea msurat.

Eroarea relativ este o mrime care exprim n procente, %, precizia unei msurri.

L4-2

Teoretic:

V V
V
100% m
100%
V
V

(2.2)

i practic:

V
V V
100% m
100% .
Vm
Vm

(2.3)

Erorile introduse de aparatele de msurare pot fi evaluate prin clasa de

precizie c a aparatului. Clasa de precizie este indicat printr-un numr pe cadranul aparatului,
de exemplu c = 0,5.
Clasa de precizie este definit ca eroarea absolut maxim a aparatului, exprimat n
procente din valoarea nominal a scrii aparatului de msurare:

Vm V
100% .
Vn

(2.4)

Valoarea nominal Vn reprezint valoarea maxim a mrimii de msurat care poate fi

citit pe scara respectiv a aparatului (valoarea mrimii la cap de scal).
Marginea superioar a erorilor accidentale V cu care se determin o valoare V, pe
scara de valoare nominal Vn a unui aparat de msurat avnd clasa de precizie c se calculeaz
cu relaia:

c
Vn .
100

(2.5)

Dac Vm este valoarea indicat de aparatul de msurat, valoarea adevrat V a

mrimii msurate este:

V Vm V .

(2.6)

Gradul de precizie al msurrii se apreciaz cu ajutorul erorii relative:

V
V
V
100
100 c n
V
Vm
Vm

(2.7)

Se constat c clasa de precizie c reprezint eroarea relativ la cap de scal (V m=Vn).

Eroarea relativ de citire a mrimii msurate este direct proporional cu Vn captul
domeniului de msur ales. Acest lucru motiveaz necesitatea utilizrii domeniului de msur
acoperitor pentru mrimea msurat, dar strict imediat acoperitor. Pentru o mai mare
claritate, s dm exemplul unei tensiuni de 0,8 V, care, citit cu un voltmetrul avnd clasa de
precizie de 0,2, pe domeniul de 100V, este determinat pn la o eroare absolut de 0,2V, deci
o eroare relativ de 25%, iar aceeai mrime, citit cu acelai aparat, dar pe scara imediat
L4-3

acoperitoare de 1V, d o eroare absolut de 0,002V, adic o eroare relativ de 0,25%. Este
bine de tiut c o msurtoare se poate considera ca fiind reuit, acceptabil, n cazul n care
eroarea relativ este mai mic de (25)%.
Erorile de citire ale aparatelor sunt erori accidentale, subiective, ale operatorului
datorate preciziei de apreciere a fraciunilor de diviziune (de exemplu l = 0,5 div.) i se
exprim prin eroarea absolut:
Vl = l k ,

(2.8)

unde k este constanta aparatului. Valoarea corectat este:

V Vm Vl .

(2.9)

2.2. Msurarea indirect a rezistenei, conductanei i puterii electrice

Mrimile msurabile indirect sunt acele mrimi fizice ale cror valori se determin
prin efectuarea unor operaiuni aritmetice asupra altor mrimi, msurabile direct.
Conform Legii lui Ohm (legea conduciei electrice), rezistena R a unui conductor se
determin prin raportul ntre tensiunea electric U, de la bornele conductorului i intensitatea
curentului electric de conducie I, prin conductor, determinat de aceast tensiune:

U
.
I

(2.10)

Conductana G este inversul rezistenei i reprezint raportul ntre intensitatea

curentului electric I prin conductor i tensiunea U de la bornele acestuia:

I
.
U

(2.11)

Puterea electric P, disipat ntr-un conductor parcurs de curent electric este egal cu
produsul ntre intensitatea curentului electric de conducie I, ce strbate conductorul i
tensiunea electric U, de la bornele acestuia:

P I U.

(2.12)

Msurarea indirect a rezistenei i a puterii se realizeaz prin metoda

ampermetrului i voltmetrului (metoda voltampermetric).
n vederea msurrii simultane a tensiunii i a intensitii curentului ntr-un circuit
pentru un consumator exist dou montaje posibile pentru conectarea voltmetrului i
ampermetrului:

L4-4

1.
receptorului

montajul amonte (fig. 2.1), n care ampermetrul msoar chiar curentul

Im I ,

ns

voltmetrul

msoar

tensiunea

UA- fiind cderea de tensiune pe ampermetru, de rezisten

Im

Um U UA,

RA .

I
R
U

UA

V
Um
Fig. 2.1. Montajul amonte.

2.montajul aval (fig. 2.2), n care voltmetrul msoar chiar tensiunea la bornele
receptorului

U m U , ns ampermetrul msoar curentul

Iv G v U

U
este curentul voltmetrului de conductan G v .
Rv
Im
+

IV

Im I Iv ,

unde

R
U
V

Um
Fig. 2.2. Montajul aval.

Din valorile msurate: Um i Im se calculeaz:

- puterea msurat:

Pm U m I m ,

- rezistena msurat:

Rm

Um
,
Im

(2.14)

- conductana msurat:

Gm

Im
.
Um

(2.15)

(2.13)

Deoarece valorile P, R, G nu sunt egale cu cele "msurate" P m, Rm, Gm rezult c

msurarea prezint erori sistematice de metod.
Erorile sistematice se pot elimina prin corecii corespunztoare.
L4-5

Corecia (Cv) este mrimea care trebuie adugat la mrimea msurat (V m) pentru a
afla mrimea adevrat (V):

V Vm C v .
n cazul montajului amonte trebuie corectat valoarea tensiunii msurate:

U U m R A I m cu

C U R A I m .

(2.16)

Pentru putere:

P Pm R A I 2m Pm PA sau C p PA ,

(2.17)

unde PA R A I m este puterea consumat de ampermetru.

2

Eroarea relativ, sistematic de metod este:

Ps

Pm P

PA
100% . (2.18)
P

100%

Pentru rezisten se obine valoarea rezistenei corectate:

R Rm RA

cu

C R R A .

(2.19)

Eroarea relativ, sistematic de metod este:

Rs

Rm R
R

100%

RA
100% .
R

(2.20)

Conductana se calculeaz cu relaia:

1
.
R

(2.21)

n cazul montajului aval trebuie corectat valoarea curentului msurat:

I Im

Um
I m G v U m cu C I G v U m .
Rv

(2.22)

Puterea consumat de rezisten este:

P Pm G v U 2m Pm Pv , cu C p Pv ,
unde PV G V U m
2

(2.23)

U 2m
este puterea consumat de voltmetru.
RV

Eroarea relativ, sistematic de metod este:

Ps

Pm P
P

100%

Valoarea conductanei corectate rezult:

L4-6

PV
100% .
P

(2.24)

G Gm Gv

C G G v .

sau

(2.25)

Valoarea rezistenei corectate este:

1
G

(2.26)

Eroarea relativ, sistematic de metod este:

Rs

Rm R
R

100%

G Gm
Gm

100%

GV
R
100% m 100%
Gm
RV

(2.27)

Deoarece, msurrile directe ale mrimilor fizice sunt afectate de erori accidentale,
datorate impreciziei aparatelor de msurat (vezi lucrarea 1), aceste erori se transmit i
mrimilor determinate indirect.
Marginea superioar a erorii accidentale n montajul amonte este pentru putere:

P I m U m U m I m I 2m R A 2R A I m I m ,
U m I m
P Pm

Im
Um

R A
I
PA
2 m
Im

RA

(2.28)

iar eroarea accidental relativ este:

Pa

U m
I
P
P
100%
100% m 100% A
Pm
Um
Im
Pm

Pa U I

R A
I

100% 2 m
Im
RA

PA
RA 2 I ,
Pm

(2.29)

(2.30)

unde U i I sunt respectiv erorile relative accidentale la msurarea tensiunii,

respectiv a curentului.
Pentru rezisten,marginea superioar a erorii accidentale

U m U m
2 I m R A ,
Im
Im

U m I m
R R m

U
Im
m

R A ;

(2.31)

iar eroarea accidental relativ este:

Ra

U m
I
R R A
R
100%
100% m 100% A
100% ,
Rm
Um
Im
Rm RA

L4-7

(2.32)

 Ra U I

RA
RA ,
Rm

(2.33)

cu RA, eroarea relativ de determinare a rezistenei ampermetrului.

n montajul aval, marginea superioar a erorii accidentale este, pentru putere:

P I m U m U m I m U 2m G V 2G V U m U m ,
U m I m
P Pm

Im
Um

G V

U m
PV
2
Um

GV

(2.34)

iar eroarea accidental relativ este:

Pa U I

PV
GV 2 U ,
Pm

(2.35)

unde U i I sunt respectiv erorile relative accidentale la msurarea tensiunii,

respectiv a curentului
Pentru rezisten marginea superioar a erorii accidentale

U m U m
2 I m G V U m G V U m ,
Im
Im

U m I m
R R m

U
Im
m

G V U m

R 2m G V

G
Um

(2.36)

iar eroarea accidental relativ este:

Ra

U m
I
R
R
100%
100% m 100% m
Rm
Um
Im
RV

Ra U I

G V
U
, (2.37)

100%
U
GV

Rm
GV U ,
RV

(2.38)

cu GV, eroarea relativ de determinare a conductanei voltmetrului.

Eroarea total la msurarea indirect a rezistenei i puterii electrice este o sum a
erorilor accidentale i sistematice de metod. Pentru a studia numai erorile sistematice de
metod, introduse de cele dou montaje n parte, vom lua n considerare doar coreciile
obinute pentru rezisten, conductan, respectiv putere.

L4-8

3. Schema de montaj
3.1.Msurarea tensiunilor i intensitii curenilor ntr-un circuit de curent
continuu
Msurarea tensiunilor i intensitii curenilor ntr-un circuit de curent continuu se
realizeaz conform schemei din figura.

I1
A

I2

I3

I
V
U1

U2

V
V

2V
V

U3 V

E
Msurarea direct a tensiunii i curentului.
Aparate i instrumente utilizate:
A ampermetre de curent continuu diferite sau pe scri diferite ,
V voltmetre de curent continuu diferite sau pe scri diferite,
R rezisten,
E surs de tensiune continu.

3.2. Msurarea indirect a rezistenei, conductanei i puterii electrice

RS
Sursa
de
C.C.

RX

+
b

K1

K2

Fig. 2.3. Msurarea rezistenei prin metoda voltmetrului i ampermetrului.

A ampermetru de curent continuu; V voltmetru de curent continuu;
RS - reostatul de protecie;

RX- rezistena de msurat;

K1 ntreruptor;

K2 comutator.

L4-9

4. Modul de lucru
Se realizeaz montajul din figura i se citesc clasele de precizie ale aparatelor. Se
fixeaz valorile nominale ale instrumentelor de msurare (acoperitoare fa de mrimile
msurate). Din fiecare set de cte trei aparate (trei voltmetre i trei ampermetre) unul (aparatul
1) va avea o clas de precizie mai bun dect celelalte dou, primele dou vor fi folosite pe
domenii de msur direct alese, deci imediat acoperitoare, iar al treilea n mod deliberat se va
folosi pe un domeniu de msur prea acoperitor. Astfel primele dou aparate vor da indicaii
prin compararea erorilor obinute n urma citirilor fcute asupra influenei clasei de precizie
asupra preciziei de msur, iar ultimele dou aparate vor sublinia importana alegerii corecte a
domeniului de msur. Se alimenteaz montajul i se citesc indicaiile aparatelor.
Se determin constantele acestora i se afl valoarea curentului i a tensiunii pentru
mai multe valori ale tensiunii de alimentare E.
Se evalueaz marginea superioar a erorilor accidentale introduse de aparatele de
msurare i a erorilor de citire.
Pentru msurarea rezistenei i a puterii disipate se folosete montajul prezentat n
figura 2.3.
Se realizeaz montajul la rece. Cu reostatul de protecie R S la maximum se
alimenteaz montajul (se nchide ntreruptorul K1). Se citesc clasele de precizie ale
voltmetrului (cV) i ampermetrului (cA) i se trec n tabelul 2.2. Se poziioneaz scrile
instrumentelor pe valori acoperitoare i se evalueaz rezistenele interne ale acestora pe
scrile respective.
Se ajusteaz curentul I, cu ajutorul lui RS la valoarea dorit, ct mai convenabil
pentru citirea ampermetrului cu erori de citire ct mai mici.
Cu ajutorul comutatorului K2 se alege montajul amonte (poziia a) sau aval (poziia b).
Se citesc valorile indicate de voltmetru i de ampermetru n cele dou cazuri i se trec n
tabelul de date (tabelul 2.2.), indicndu-se de fiecare dat valoarea rezistenei interne a
aparatului de msurare folosit, corespunztoare scrilor utilizate. La schimbarea rezistenelor
RX se deconectez circuitul de la sursa de alimentare (K1 - deschis).
Se vor face trei seturi de msurtori aval - amonte, pentru rezistene de ordinul
rezistenei interne a ampermetrului folosit, pentru rezistene al cror ordin de mrime este
incomparabil cu rezistena intern a ampermetrului sau cu cea a voltmetrului i pentru
rezistene de ordinul de mrime al rezistenei interne a voltmetrului.
La terminarea msurrilor se decupleaz montajul de la sursa de alimentare, se stinge
sursa i se demonteaz circuitul.
L4-10

5. Date experimentale

Nr.
crt.

VOLTMETRE
cV 1=..

cV 2=..

cV2 =..

AMPERMETRE
cA1 =..
cA2 =..

cA3 =..

U1

U2

U3

I1

I3

div

div

div

div

I2
k

div

div

1
2
3
4
5

Tabelul 2.1.
unde k reprezint constanta aparatului pe scara la care s-a fcut msurarea.

REZ

VOLTMETRU

AMPERMETRU

cV =..

cA=..

Um
div

kV

RV

Im

div

RA
kA

R1 av
R1 am
R2 av
R2 am
R3 av
R3 am

Tabelul 2.2.

6. Prelucrarea datelor experimentale

Cu valoarea nominal a scrii aparatului de msurat, corespunztoare fiecrei
msurri, i cu clasa de precizie a aparatului se determin marginea superioar a erorii
accidentale U (respectiv I) i gradul de precizie al msurrii U (respectiv I) pentru toate
aparatele utilizate.

Evaluarea erorilor accidentale

Nr.
Crt.

U1

u 1 U2

u 2 U3

u 3

I 1

I 1

I 2

I 2

I 3

I 2

1
2
3
4
5

L4-11

Se comenteaz rezultatele obinute, scondu-se n eviden influena clasei de precizie

i a alegerii domeniului de msur asupra erorilor de msurare.
Se vor determina valorile msurate ale mrimilor electrice studiate precum, coreciile
care se impun pentru fiecare metod n parte i se trec n tabelul 2.3. Se vor evalua erorile
sistematice de metod, iar din studiul comparativ al acestor erori pentru fiecare set de
msurri (pentru rezistene mici, medii i mari) se va concluziona utilitatea fiecrei metode de
msurare a rezistenei electrice pentru diferitele domenii de valori ale rezistenei. Se va
completa tabelul 2.3.
Erori sistematice de metod
REZISTEN

R1

av

R1

am

R2

av

R2

am

R3

av

R3

am

PUTERE

Rm

CR

Gm

CG

Rs

Pm

Cp

Ps

-------

Tabelul 2.3.
Se determin valoarea puterii msurate Pm , se compar cu cea corectat P i se trag
concluziile n ceea ce privete gradul de precizie a fiecrei metode. Se completeaz tabelul
2.3.
Se calculeaz erorile accidentale i se completeaz tabelul 2.4. Se discut rezultatele.
Evaluarea

erorilor accidentale

Ua

Ia

Pa

Ra

1
2
3
4
5
6
Tabelul 2.4.

L4-12

7. ntrebri
1.

Care voltmetru prezint eroarea relativ minim? De ce?

2.

Care ampermetru prezint eroarea relativ minim? De ce?

3.

Scriei valoarea adevrat a tensiunii msurate.

4.

Scriei valoarea adevrat a intensitii curentului electric msurat.

5.

n cazul rezistenelor mari R 1k , care este metoda optim de msurare?

6.

n cazul rezistenelor mici R 10 , care este metoda optim?

7.

Care este rezistena critic pentru care eroarea relativ de msurare, prin cele

dou metode este aceeai?

8.

n afara erorilor sistematice de metod ce erori pot s mai apar la msurrile

9.

Evaluai erorile accidentale pentru fiecare msurare indirect. Discuie.

10.

Care este valoarea adevrat a fiecreia din cele trei rezistene msurate?

11.

Ce putere se disip n fiecare caz?

fcute?

L4-13

L4-14

Lucrarea de laborator numarul 5

MASURAREA DISPOZITIVELOR SEMICONDUCTOARE FOLOSIND
OSCILOSCOPUL

1. Scopul lucrarii
Prezentarea unor modaliti prin care se poate vizualiza grafic caracteristica unor
dispozitive electronice avnd modele SPICE n bibliotecile adecvate din cadrul programului
ORCAD / PSPICE A/D si vizualizarea cu ajutorul osciloscopului a acelorasi forme de unda in
vederea compararii rezultatelor obtinute prin simulare cu cele obtinute prin masurare.

n general, dispozitivelor semiconductoare de putere (cu excepia diodelor din seleniu

policristalin, care sunt tot mai rar utilizate) sunt confecionate pornind de la o plachet
decupat dintr-un monocristal siliciu, avnd grosimea de ordinul zecimilor de milimetru i
aria de ordinul centimetrilor ptrai, n care se realizeaz una sau mai multe jonciuni paralele
cu feele plachetei, folosind cel mai adesea tehnologii de difuzie sau implantare ionic.
Progresele tehnologice obinute n domeniul semiconductoarelor de putere permit realizarea
circuitelor electronice de putere la un nivel de performan ridicat, optimizate din punct de
vedere energetic, fiabile i cu un pre de cost sczut.
Pentru ca dispozitivul s-i exercite rolul de conducie specific, pentru care a fost
creat, este necesar ca solicitarea fiecrei jonciuni s fie limitat. Astfel:
*

tensiunea invers trebuie limitat la valori inferioare de strpungere n avalan;

densitatea de curent trebuie limitat la valori determinate de materialul de baz i de

caracteristicile jonciunii (pentru siliciu valoarea maxim este de 100200 A/cm2);

*

temperatura n regiunea jonciunilor trebuie limitat la valori pentru care conducia

prin purttori generai termic rmne neglijabil fat de procesele de conducie definitorii
pentru dispozitivele semiconductoare i, de asemenea, pentru care nu exist pericolul apariiei
unor modificri structurale ireversibile (temperatura maxim a jonciunilor este de 150200C
pentru siliciu).
Respectarea primelor dou condiii se obine printr-o proiectare corect a circuitului
electric extern i alegerea adecvat a parametrilor de alimentare i comand. Metodologia de
proiectare este specific fiecrui tip de dispozitiv semiconductor de putere i necesit
cunoaterea acestuia n detaliu (funcionare, parametri electrici etc.).
L5-1

Pentru respectarea ultimei condiii trebuie cunoscut modul n care se transport i se

evacueaz n mediul ambiant energia termic generat prin funcionarea dispozitivului,
normal din punct de vedere electric.
Analiza unui circuit electronic de putere se poate face uor dac considerm pentru
dispozitivele semiconductoare de putere modele electrice funcionale ideale, de tip comutator
cu doua stri:
-

nchis (on), cnd este parcurs de curent i tensiunea la borne este nul;

deschis (off), cnd curentul prin el este nul, susinnd tensiune aplicat la borne.
Tranziiile ntre stri se fac practic instantaneu pentru comutatoarele ideale (timpii de
comutaie sunt nuli).
n aceast perspectiv, dispozitivele semiconductoare de putere pot fi clasificate n

funcie de modul de control a strilor on i off. Astfel avem:

-

dispozitive pentru care strile on i off sunt determinate de tensiunea de al bornele sale; de
exemplu: diodele redresoare (cu jonciune pn), diodele Schottky, diodele pnpn (diode
Schockley), diac-ul (diode ac switch) etc;

dispozitive pentru care trecerea n starea on este determinat de aplicarea unui semnal de
comand pe poart (terminalul de comand), iar trecerea n starea off este determinat de
circuitul electric n care este conectat; de exemplu: tiristoarele uzuale, triac-ul (triode ac
switch) etc;

dispozitive pentru care trecerea n starea on, respectiv off, este controlat printr-un semnal
de comand cu parametri specifici tipului de comutaie (trecere dintr-o stare n alta); de
exemplu: tranzistoarele bipolare, tranzistoarele MOS, tiristoarele cu blocare pe poart
(Gate Turn-Off Thyristor GTO), tiristorul cu inducie static (Static Induction Thyristor
SIT) tranzistoarele bipolare cu poart izolat (Insulated Gate Bipolar Tranzistor - IGBT,
structuri darlington i Bi-MOS, tiristoare comandate cu MOS-uri (MOS Controlled
Thyristor MCT), comutatoare de putere inteligente (Inteligent Power Switch ISP) etc.
Un comutator electronic practic trebuie s aib:

un curent rezidual ct mai mic n starea off;

o tensiune pe el n starea on ct mai mic;

timpi de comutaie ct mai mici;

putere de comand ct mai mic.

Este important ca proprietile dispozitivelor semiconductoare s fie cunoscute atunci

cnd alegem un dispozitiv optim pentru o aplicaie dat. Tabelul 2.1 prezint comparativ
proprietile eseniale ale dispozitivelor electronice capabile s susin tensiuni de peste
L5-2

1000V. Se remarc faptul c dispozitivele electronice de comutaie sunt optimizate pentru o

tensiune direct n conducie minim.
Utiliznd tehnici de proiectare variate i originale, un proiectant de circuite electronice
de putere poate s foloseasc un dispozitiv n afara zonei de operare ,,normal. Astfel, se
poate spune c este dificil utilizarea tranzistoarelor bipolare de nalt tensiune (High Voltage
Bipolar Transistor HVT) la frecvente de peste 100kHz, dar totui n literatura de specialitate
sunt descrise aplicaii la frecvene de sute de kHz. La alegerea unui tip de comutator concura
o gama mai larg de parametri, legai ntr-o anumita msur de frecvena de comutaie:
- timpii de ntrziere;
- puterea disipat n comutaie;
- densitatea de curent n conducie;
- limitri tehnologice la puteri mari;
- topologia aplicaiei etc.
De exemplu, GTO este preferat tranzistorului de putere n aplicaii de mare putere la
frecvene ntre 1kHz i 20kHz, datorit capabilitii sale la suprasarcin.
Evident, scderea tensiunii susinute n blocare determin performane mai bune
pentru dispozitivul electronic.
n timpul operaiilor de montare n echipamentul de putere, precum i pe toat durata
de utilizare, dispozitivele semiconductoare sunt supuse la solicitri complexe de natur
mecanic, electric i termic, ce pot afecta performanele de fiabilitate ale acestora.

2. Simularea functionarii sipozitivelor semiconductoare

2.1.

Caracteristica diodei

2.1.1. Caracteristica diodei PN n cadranul 1 (polarizare direct).

Se ncepe un nou proiect intitulat CARACTERISTICA DIODEI 1N4007.
Desenul n ORCAD CAPTURE va arta ca n Figura 5.1.
Dioda D1N4007 se aduce din biblioteca Diode.olb ( dac biblioteca nu exist n lista
afiat se aduce cu comanda Add Library urmat de selectarea bibliotecii diode.olb aflat n
subdirectorul PSPICE )

L5-3

R1
1

2
270

V1

D1

10Vdc

D1N4007

Figura. 1
Se alege tipul de analiz cu

secvena Pspice _ Edit Simulation Profile _ din

Analysis type se alege DC Sweep _ din zona Sweep variable se bifeaz Voltage Source,
la Name se completeaz V1 _ n zona Sweep type se bifeaz Liniar apoi se completeaz
Start value : 0V, End value : 40V, Increment : 0.001V _ OK _ Run
Se observ grafic evoluia curentului prin diod funcie de modificarea tensiunii sursei
V1.
Se d secvena Plot _ Axis Settings _ Axis Variable _ clic pe V(2) _ OK _ OK
Se observ caracteristica diodei trasat grafic la scar liniar (Figura 5.2)
150mA

100mA

50mA

0A

0V

I(D1)

100mV

200mV

300mV

400mV

500mV

600mV

700mV

800mV

900mV

V(2)

Figura 5.2

Se apas butonul Log Y Axis

Se observ caracteristica diodei trasat grafic la scar logaritmic (pe axa Y). Abaterea
de la linia dreapt pune n eviden abaterea de la ecuaia exponenial (la valori mari
ale curentului)sau modificarea unor parametrii din ecuaia exponenial (la valori
foarte mici ale curentului).

L5-4

1.0A

10uA

100pA

1.0fA

10e-21A

0V

I(D1)

100mV

200mV

300mV

400mV

500mV

600mV

700mV

800mV

900mV

V(2)

Figura 5.3

Pe caracteristica la scar logaritmic se poate constata c noiunea de tensiune de

deschidere a diodei este relativ. Tensiunea la care dioda aparent ncepe s intre n
conducie (se observ pe scara liniar) este de fapt dependent de domeniul de curent
in care se utilizeaz dioda.

Se revine la scara liniar (clic pe butonul Log Y Axis

- butonul este de tip

toggleadic cu reinere). Tensiunea de deschidere pare a fi 0.45...0.5V).

Se d secvena Plot _ Axis Settings _ Y Axis _ User Defined _ 0A to 1mA _ OK

Tensiunea de deschidere pare a fi 0.2....0.25V
1.0mA

0.8mA

0.6mA

0.4mA

0.2mA

0A

0V

I(D1)

100mV

200mV

300mV

400mV

500mV

600mV

700mV

800mV

900mV

V(2)

Figura 5.4

Se d secvena Plot _ Axis Settings _ Y Axis _ User Defined _ 0A to 10uA _ OK

2.1.2. Caracteristica diodei stabilizatoare (zenner).

Se ncepe un nou proiect intitulat CARACTERISTICA DIODEI ZENNER.
Desenul n ORCAD CAPTURE va arta ca n Figura 5.5.

L5-5

Dioda BZ-075 se aduce din biblioteca jdiode.olb ( dac biblioteca nu exist n lista
afiat se aduce cu comanda Add Library urmat de selectarea bibliotecii jdiode.olb aflat n
subdirectorul PSPICE )
R1
1

2
270
D1

V1

BZ-075
10Vdc

Figura. 5
Se alege tipul de analiz cu

secvena Pspice _ Edit Simulation Profile _ din

Analysis type se alege DC Sweep _ din zona Sweep variable se bifeaz Voltage Source,
la Name se completeaz V1 _ n zona Sweep type se bifeaz Liniar apoi se completeaz
Start value : -20V, End value : 20V, Increment : 0.001V _ OK _ Run
Se observ grafic evoluia curentului prin diod funcie de modificarea tensiunii sursei
V1.
Se d secvena Plot _ Axis Settings _ Axis Variable _ clic pe V(2) _ OK _ OK
Se observ caracteristica diodei trasat grafic la scar liniar (Figura 5.6)
100mA

50mA

0A

-50mA
-8.0V
I(D1)

-7.0V

-6.0V

-5.0V

-4.0V

-3.0V

-2.0V

-1.0V

0.0V

1.0V

V(2)

Figura 5.6

2.2.

Caracteristicile statice ale tranzistorului bipolar

2.2.1. Caracteristica de intrare

IB=f(UBE);

UCE=ct

2.2.2. Caracteristica de transfer

IC=f(UBE);

UCE=ct

Pentru a trasa grafic aceste caracteristici putem utiliza schema din Figura 5.7.
L5-6

Tranzistorul BC547B l gsim n biblioteca de simboluri ebipolar.olb i are modelul

PSPICE n biblioteca ebipolar.lib .
Principalele date de catalog ale tranzistorului sunt:
VCB0 =50 V

; tensiunea maxim CB cu E n gol

VCE0 =45 V

; tensiunea maxim CE cu B n gol

VEB0 = 6 V

; tensiunea maxim EB cu C n gol

ICmax = 100 mA
PDmax =500 mW

; tranzistorul montat pe cablaj FR4 (FR4 - PCB)

TJmax = 150 oC
fT = 100 MHz

; UCE=5V, IC=10mA,

Schema poate fi utilizat i experimental cu condiia ca sursa V2 s limiteze curentul

la o valoare sub ICmax . Trebuie avut grij s nu depim PDmax, acest lucru fiind dificil de
realizat cu mijloace simple.
Practic se nseriaz o rezisten care limiteaz att curentul de colector ct i puterea
disipat pe tranzistor.
C

Q1
B
V2
BC547B
I1

20V

5uA

Figura 5.7

Sursa de curent I1 este IDC din biblioteca Source.olb.

Se alege tipul de analiz cu secvena Pspice _ Edit Simulation Profile _ din Analysis
type se alege DC Sweep. Din zona Options se las Primary Sweep. Din zona
Sweep variable, se bifeaz Current Source, la Name se completeaz I1 , n zona
Sweep type se bifeaz Logarithmic apoi se completeaz Start value : 1p End value :
100u Points / Decade : 100. Se d_OK _ Run

Secvena Trace_Add Trace_IB(Q1) determin afiarea grafic a curentului de baz

funcie de el nsui adic I(I1)

Secvena Plot _ Axis Settings _ Axis Variable _ clic pe V(B) _ OK _ OK determin

afiarea grafic a evoluiei curentului de baz funcie de modificarea tensiunii bazemitor.
L5-7

Se d secvena Plot_Add Plot to Window, apoi Trace_Add Trace_IC(Q1)

40mA

20mA

0A
120uA

IC(Q1)

80uA

40uA

SEL>>
0A
200mV
IB(Q1)

300mV

400mV

500mV

600mV

700mV

800mV

V(B)

Figura 5.8

Figura 5.9. Dependena ctigului n curent continuu ( sau hFE ) de curentul de colector
(preluat din catalog Philips, 1999)

2.2.3 Caracteristicile de ieire

IC=f(UCE);

IB=ct. ; IB parametru

Folosim aceeai schem (fig. 7).

Se alege tipul de analiz: DC Sweep. n zona Options se las Primary Sweep. n

zona Sweep variable, se bifeaz Voltage Source, la Name se completeaz V2 , n zona

Sweep type se bifeaz Liniar apoi se completeaz Start value : 0.1V
Increment : 0.1V. Se apas Apply.

L5-8

End value : 40V

n zona Options se las Secondary Sweep. n zona Sweep variable, se bifeaz

Current Source, la Name se completeaz I1 , n zona Sweep type se bifeaz Value List i se
completeaz : 1u, 5u, 10u, 15u, 20u . Se apas Apply, apoi OK.

Se d Run. Secvena Trace_Add Trace_IC(Q1) determin afiarea grafic a

curentului de colector funcie de tensiunea colector emitor, pstrnd IB constant . Sunt 5 curbe
, corespunztor celor 5 valori ale parametrului I1 (adic IB ), aa cum se poate vedea n fig.
10.
10mA

8mA

6mA

4mA

2mA

0A

-2mA

0V

IC(Q1)

5V

10V

15V

20V

25V

30V

35V

40V

V_V2

Figura 5.10.
2.3.

Caracteristicile statice ale tranzistorului cu efect de cmp cu jonciuni

(TECJ)
2.3.1. Caracteristica de intrare

IG=f(UGS);

UDS=ct

2.3.2. Caracteristica de transfer

ID=f(UGS);

UDS=ct

Pentru a trasa grafic aceste caracteristici putem utiliza schema din Figura 5.11.
Tranzistorul BF245B

l gsim n biblioteca de simboluri jfet.olb i are modelul

PSPICE n biblioteca jfet.lib .

Principalele date de catalog ale tranzistorului sunt:

L5-9

J1
G
BF245B

V2

V1

10V

-1V

Figura 5.11

Se alege tipul de analiz cu secvena Pspice _ Edit Simulation Profile _ din Analysis
type se alege DC Sweep. n zona Options se las Primary Sweep. Din zona Sweep
variable, se bifeaz Voltage Source, la Name se completeaz V1 , n zona Sweep
type se bifeaz Linear apoi se completeaz Start value : -3V End value : 0V
Increment : 0.001V. Se d_OK _ Run

Secvena Trace_Add Trace_IG(J1) determin afiarea grafic a curentului de poart

(gril) funcie de V1 care este chiar VGS . Curentul este practic curentul prin
jonciunea PN polarizat invers (neglijabil n majoritatea aplicaiilor).

Secvena Plot_Add Plot to Window, apoi Trace_Add Trace_ID(J1) determin

afiarea grafic a caracteristicii de trasfer
10mA

5mA

0A
-0.8pA

ID(J1)

-1.2pA

SEL>>
-1.6pA
-3.0V
IG(J1)

-2.5V

-2.0V

-1.5V

-1.0V

-0.5V

-0.0V

V_V1

Figura 5.12.
2.3.2. Caracteristicile de ieire

ID=f(UDS);

UGS=ct. ; UGS parametru

Folosim aceeai schem (fig. 11).

Se alege tipul de analiz: DC Sweep. n zona Options se las Primary Sweep.

Din zona Sweep variable, se bifeaz Voltage Source, la Name se completeaz V2 , n zona
Sweep type se bifeaz Liniar apoi se completeaz Start value : 0.01V
Increment : 0.01V. Se apas Apply.

L5-10

End value : 25V

n zona Options se bifeaz Secondary Sweep . n zona Sweep variable, se bifeaz

Voltage Source, la Name se completeaz V1 , n zona Sweep type se bifeaz Value List i
se completeaz : -2V, -1.5V, -1V, -0.5V, 0V . Se apas Apply, apoi OK.

Se d Run. Secvena Trace_Add Trace_ID(J1) determin afiarea grafic a

curentului de colector funcie de tensiunea colector emitor, pstrnd UGS constant . Sunt 5
curbe , corespunztor celor 5 valori ale parametrului UGS aa cum se poate vedea n fig. 10.
10mA

8mA

6mA

4mA

2mA

0A

0V

ID(J1)

5V

10V

15V

20V

25V

V_V2

Figura 5.13.
Revenim n dialogul pentru setarea simulrii unde modificm baleierea pentru V2 ,
Rezultatul rulrii programului este prezentat n Figura 5.14, unde se vede funcionarea
tranzistorului n zona liniar (rezistena de ieire este dependent de tensiunea de intrare)
5.0mA

0A

-5.0mA
-500mV
-400mV
ID(J1)

-300mV

-200mV

-100mV

0mV
V_V2

Figura 5.14

L5-11

100mV

200mV

300mV

400mV

500mV

M1
G
V2
IRF540
V1

50v

4V

Figura 5.15
15A

10A

5A

0A
1.0uA

ID(M1)

0A

SEL>>
-1.0uA
2.0V
IG(M1)

2.5V

3.0V

3.5V

4.0V

4.5V

5.0V

V_V1

Figura 5.16
15A

10A

5A

0A

0V

ID(M1)

10V

20V

30V

40V

50V

60V

70V

80V

V_V2

Figura 5.17
D

Z1
I

V1

APT25GF100BN

V2
20v

4V

L5-12

4.0A

2.0A

0A
1.0uA

IC(Z1)

0A

SEL>>
-1.0uA
2.0V
IG(Z1)

2.5V

3.0V

3.5V

4.0V

4.5V

5.0V

V_V1

4.0A

3.0A

2.0A

1.0A

0A

3.

0V

IC(Z1)

5V

10V

15V

20V

25V

30V

35V

40V

45V

50V

V_V2

Masuratori efectuate pe macheta de laborator

Schema bloc a circuitului

Schema bloc se compune din:
Blocul SURSE DE ALIMENTARE ne ofera tensiunile necesare functionarii
machetei (5V, 24V);
L5-13

Blocul DE COMANDA CU MICROCONTROLLER PIC 16F877 se

alimenteaza cu o tensiune de 5 V de la blocul Surse de alimentare, genereaza un semnal PWM

si realizeaza selectia tipului de circuit de comanda si a tipului de sarcina dorit de utilizator;
-

Blocul CIRCUIT DE COMANDA cuprinde trei structuri de circuite de

comanda: circuit rezistiv, rezistiv-inductiv, respectiv rezistiv-capacitiv. Selectia pentru unul

dintre circuite se realizeza din blocul de comanda cu microcontroller PIC 16F877;
-

Blocul DEP cuprinde trei dispozitive electronice de putere: dioda, tranzistor

bipolar, tranzistor MOS, care sunt selectate de catre blocul de comanda cu microcontroller
PIC 16F877;
-

Blocul SARCINA - cuprinde trei structuri de circuit de sarcina: circuit rezistiv,

rezistiv-inductiv, respectiv rezistiv-capacitiv. Selectia pentru unul dintre circuite se realizeza

din blocul de comanda cu microcontroller PIC 16F877;

L5-14

CON5
ICSP

1
2
3
4
5

+24V
R1

C1

+5V

On/Of f
DEP
Sarcina
Camanda

+5V
+5V

C3
22p

20MHz

C4
On/Of f

DEP

Sarcina

PWM

Comanda
C_C
C_L

J1
C_S_C
C_S_L
C_D
C_TM

3
2

C_S_C

0
3

LS2
Sarcina L
L1

+5V
1K

R4

D2 1n4148

C_TB
C_C_M
C_C_B

C_S_L

PIC16F877

SW4

SW3

SW2

SW1

22p

D1 1n4148
E
RS
+5V

R8
1k

RW
3

14
12

3
2

LS6
Conectare TMOS

3
2

LS5
Conectare TB

D6 1n4148

D3
1n4148
LS3

C_TB
1
4
C_C_B

C_TM

Q1

Tranzistor Bipolar

D9

0
Sarcina C

D8 1n4148

Sarcina L L2

LS9

PWM

0
1
4
3
2

1n4148

C_C_M

Tranzistor MOS
D10

Schema electrica generala

L5-15

0
Q2

3
2

C_L

2
3
4

R2

D4
1n4148

1n4148

C_C

D7 1n4148

LS8

LS4
2
3

C2

LS7
Conectare Dioda

3
2

R7
1k

RW
RS
E

13
11

LS1
Sarcina C

14
12
10
8
6
4
2

R6
1k

14
13
12
11

13
11
9
7
5
3
1

R5
1k

MCLR/VPP
RB7/PGD
RA0/AN0
RB6/PGC
RA1/AN1
RB5
RA2/AN2/Vref RB4
RA3/AN3/Vref +
RB3/PGM
RA4/TOCKI
RB2
RA5/AN4SS
RB1
RE0/RD/AN5
RB0/INT
RE1/WR/AN6
VDD
RE2/CS/AN7
VSS
VDD
RD7/PSP7
VSS
RD6/PSP6
OSC2/CLKI
RD5/PSP5
OSC2/CLKO
RD4/PSP4
RCO/T1OSO/T1CK1 RC7/RX/DT
RC1/T1OSI/CCP2
RC6/TX/CK
RC2/CCP1
RC5/SDO
RC3/SCK/SCL
RC4/SDI/SDA
RD0/PSP0
RD3/PSP3
RD1/PSP1
RD2/PSP2

40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21

J2

+5V
+5V
+24V

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
0 14
15
16
17
18
19
20

3
2

1
2
3

CON14A

U1

1K

R3

CON3

C_D
D5

Montajul practic
Masuratorile se vor efectua pentru cele trei tipuri de dispozitive semiconductoare
(dioda, tranzistor bipolar si tranzistor MOS). Pentru a efectua masuratorile se va utiliza o
sursa de tesniune stabilizata 5V 1A , iar formele de unda se vor vizualiza cu ajutorul
osciloscopului HAMEG HM 303-6.
Rezultatele obtinute prin masurare se vor compara cu cele obtinute prin simulare si se va
explica aparitia diferentelor.

4.

Intrebari, tema de casa

Determinai rezistena de intrare n tranzistor, adic rezistena dinamic ntre

baz i emitor ( rbe ) pentru trei valori ale UBE : 0.6V, 0.65V, 0.7V. Pentru uurin facei
zoom pe plot-ul de jos n zona respectiv utiliznd mouse-ul sau Plot _ Axis Settings _
X Axis _ User Defined _ 0.55V to 0.75V _ OK

Determinai panta gm (sau transconductana) pe graficul din Figura 5.8 n dou

puncte : IC = 2 mA, respectiv IC = 5 mA. Pentru acuratee facei zoom pe plot-ul de sus n
zona respectiv sau Plot _ Axis Settings _ YAxis _ User Defined _ 0 to 6mA _ OK

Vizualizai grafic raportul IC(Q1)/IB(Q1) funcie de IC(Q1) n domeniul

0.01mA10mA i comparai cu graficul =f(IC) oferit de firma Philips (www.).

Determinai rezistena de ieire din tranzistor, adic rezistena dinamic ntre

colector i emitor ( rce ) n RAN pentru cele 5 curbe din Figura 5.10.
Ne putem folosi de cele dou cursoare disponibile dac activm butonul display
cursor, sau Trace_Cursor_Display_clic buton stnga mouse pe una din curbe _clic
L5-16

buton dreapta mouse pe aceeai curb ntr-un p4nct situat la stnga. Observm
valorile

proieciilor celor dou puncte A1 respectiv A2 pe cele dou axe i

diferenele.

RO

diferenta _ d int re _ proiectiile _ pe _ axa _ tensiune

diferenta _ d int re _ proiectiile _ pe _ axa _ curent
Determinai panta gm (sau transconductana) pe graficul din Figura 5.12 n

dou puncte : ID = 2 mA, respectiv ID = 5 mA. Pentru acuratee facei zoom pe plot-ul de
sus n zona respectiv sau Plot _ Axis Settings _ YAxis _ User Defined _ 0 to 6mA _ OK.
Comparai cu transconductana tranzistorului bipolar.

Determinai rezistena de ieire din tranzistor, adic rezistena dinamic ntre

dren i surs ( rds ) n zona de saturaie pentru cele 5 curbe din Figura 5.13 (atenie: saturaia
pentru tranzistoarele cu efect de cmp are alt semnificaie fa de tranzistoarele bipolare) .

L5-17

L5-18

BIBLIOGRAFIE

1. Mihai Antoniu, Masurri electronice, vol 1, Ed. Gh Asachi, Iai, 1999;

2. Mihai Antoniu, Eduard Antoniu, tefan Poli, Masurri electronice, vol 2,
Ed. SATYA, Iai, 2000;
3. Marin Sracin, Masurri electronice i sisteme de masurare, Ed.
MatrixRom, Bucureti, 2003;
4. Oprea Stefan, Masurari in electronica note de curs, Universitatea din
Pitesti, 2008.
5. Rdoi, s.a., SPICE Simularea i analiza circuitelor electronice, Ed.
Amco Press, Bucureti, 1994
6. F. Ionescu, Diode semiconductoare si redresoare de putere, Editura
Tehnica, Bucureti, 1995.
7. F. Ionescu, D. Alexa, s.a., Electronica de putere modelare si simulare,
Editura Tehnica, Bucureti, 1997.
8. Bodea, I. Teodorescu, a., Diode i tiristoare de putere Aplicaii,
Editura Tehnica, Bucureti, 1990.
9. Bizon, Electronic Industrial I, ndrumar de laborator, Editura
Universitii din Piteti, Piteti, 1999.
10.N. Bizon, Dispozitive i circuite electronice de putere, Culegere de
probleme, Editura Universitii din Piteti, Piteti, 1999.
11.***, Tranzistoare, Catalog IPRS Bneasa, 1998.
12.***, Diode i Tiristoare, Catalog IPRS Bneasa, 1998.
13.***, Power module, Mitsubishi semiconductors, 1995.
14.***, Databook, Semikron, 1990.
15.***, Bipolar Power Transistor Databoook, Harris Semiconductor,
1992.
16.***, MCT/IBBTs/Diodes Databoook, Harris Semiconductor, 1992.