Platforma EP

UNIVERSITATEA DIN PITETI
FACULTATEA DE ELECTRONIC, COMUNICATII I CALCULATOARE
NDRUMAR DE LABORATOR
ELECTRONICA DE PUTERE
Mihai OPROESCU
PITETI
CUPRINS
1. Protectia muncii privind echipamentele electrice
2. Comutatia diodelor de putere
3. Redresoare necomandate
4. Comutatia tranzistorului bipolar de putere
5. Sursa stabilizata in comutatie
6. Comutatia tranzistorului MOS de putere
7. Convertor CC-CC pentru comanda masinii de CC
8. Comutatia tranzistorului IGBT
9. Invertor monofazat
10. Tiristorul; parametri statici si dinamici
11. Redresoare comandate. Convertor CA-CC pentru comanda masinii de CC
12. Circuite de comand a tiristoarelor. Circuite discrete si specilizate pentru
comanda tranzistoarelor
Lucrarea 1
PROTECTIA MUNCII PRIVIND ECHIPAMENTELE ELECTRICE
Obiectul lucrrii.
Prezentarea succint a condiiilor tehnice generale de electrosecuritate, a prescripiilor i
regulilor de verificare pentru aparatele electrice.
1.1. INTRODUCERE
1.1.1. Curenii de scurgere i curenii auxiliari de pacient
Utilizarea aparatelor electronice ridic o serie de probleme importante pentru securitatea
utilizatorului. Din acest motiv este necesar ca toi cei care proiecteaz, construiesc sau utilizeaz
aparatele electronice s cunoasc efectele curentului electric asupra organismului i s ia toate
msurile pentru excluderea oricrui risc n folosirea acestor aparate.
Moartea prin electrocutare se produce n majoritatea cazurilor prin efectul curentului electric
asupra inimii i numai n proporie minor prin arsuri sau paralizii ale muchilor respiratori. Pentru
acelai curent global preluat de un subiect, riscul depinde de proporia curentului care trece prin
inim; procentul este de 3,3% pentru contactul mn - mn, 3,7% pentru contactul mna stng picioare, 6,7% pentru contactul mna dreapt - picioare, 0,4% pentru contactul picior - picior.
Au fost efectuate cercetri pe animale i oameni pentru a studia efectul curenilor electrici
asupra organismului i pentru a determina limitele de cureni i tensiune n funcie de frecvena
stimulului electric. S-a constatat c trecerea unui curent electric prin inim, chiar la intensiti mici,
poate avea efecte grave. Rezultatele experimentale arat c majoritatea persoanelor nu percep
curentul de 300 A care este aplicat la suprafaa corpului ntre mini. Experienele pe cini au artat
c fibrilaia apare la un curent de 17 A aplicat direct pe cord. Pentru om se consider c un curent
de 30 A (50Hz) aplicat pe cord poate produce fibrilaie.
Valoarea limit maxim a tensiunii pe inim este de circa 10 V, iar a curentul prin muchiul
cardiac este de aproximativ 10 A (valori efective). Aceste valori se refer la un curent continuu sau
sinusoidal cu frecvena ntre 0 i 1KHz. Creterea frecvenei reduce treptat efectele curentului, astfel
nct intensitatea limit admisibil la 100KHz poate atinge 1mA.
La utilizarea aparatelor electronice pot s apar cureni de scurgere la pmnt, prin carcasa
aparatului sau prin utilizator. Curentul de scurgere la pmnt este curentul nefuncional care trece de
la partea legat la reea la conductorul de legare la pmnt prin materialul electroizolant sau de-a
lungul suprafeei sale. Curentul nefuncional care trece de la carcas sau de la o parte a carcasei la
pmnt sau la o alt parte a carcasei printr-o conexiune conductoare extern, diferit de conductorul
de legare la pmnt, reprezint curentul de scurgere prin carcas. Curentul de scurgere prin
utilizator este acel curent nefuncional care trece de la prile aparatului, ce stabilesc un contact
intenionat cu utilizatorul (numite pri aplicate ), prin pacient, la pmnt (prin pmnt se nelege
potenialul suprafeei terestre, care este considerat zero); curentul de scurgere prin utilizator se
datoreaz apariiei nedorite, la pacient, a unei tensiuni de la o surs extern utilizatorului.
Din cauza unui defect de izolaie caseta metalic a aparatului poate fi pus sub tensiune fa
de pmnt (fig. 1.1). La atingerea casetei, utilizatorul nchide circuitul (fig. 1.1.a). Cnd aparatul e
prevzut, prin construcie, cu conductor de protecie (fig. 1.1.b), curentul de scurgere se nchide prin
acest conductor, iar un element de protecie intercalat este declanat.
L1-1
Figura 1.1
Legarea efectiv a casetei sau a saiului aparatului la pmnt determin o cale de curent de
impedan mai mic n comparaie cu cea a cii de curent prin utilizator (fig. 1.2). Rezistena
admisibil maxim a conductorului de protecie nu trebuie s depeasc 0,1 . Conexiunile la
utilizator i legturile de semnal trebuie s fie bine izolate fa de pmnt i fa de tensiunile
periculoase. Este de dorit ca saiul aparatului i utilizatorul s aib legtura de mas bun, dar nu la
pmntul reelei. Alimentarea de la reeaua monofazic se face prin 3 conexiuni: faz, nul i pmnt.
n sistemele bine echilibrate, nulul ar trebui s fie la 12V fa de pmnt. Tensiunea reelei
alterneaz ntre valoarea de vrf pozitiv i negativ ( 325V), iar izolaia circuitului de reea trebuie
s fie proiectat s reziste la aceste tensiuni.
Figura 1.2
Figura 1.3
Deoarece ar putea exista posibilitatea legrii din greeal a masei aparatului la pmntul
reelei, conexiunile de faz i nul de la reea sunt conectate la transformatorul de alimentare al
aparatului printr-un comutator dublu i sigurane fuzibile (fig. 1.3.).
L1-2
Pentru aparatele conectate la utilizator

este important s se separe circuitul de reea de
circuitul de pacient. Transformatorul de
alimentare trebuie s aib un ecran metalic ntre
nfurrile primar i secundare sau chiar
nfurri complet separate pentru primar i
secundar (fig. 1.4.).
n afar de curenii de scurgere prin
utilizator pot s mai apar aa numiii cureni
auxiliari de pacient. Curenii auxiliari de
utilizator sunt cureni care strbat utilizatorul (n
timpul utilizrii normale), ntre elemente ale
prii aplicate (electrozi), i care nu sunt
destinai s produc un efect fiziologic (de
exemplu
curenii
de
polarizare
ai
amplificatoarelor,
curenii
utilizai
n
pletismografie, etc.).
Aparatele electronice pot fi alimentate
fie de la o surs de energie electric extern, fie
de la una intern. n ambele situaii trebuie luate
msuri, prin proiectare i construcie, astfel
nct curentul auxiliar de utilizator i curentul
Figura 1.4
de scurgere prin utilizator s fie mai mic dect
limitele admise, pentru a nu avea efecte
fiziologice duntoare asupra organismului. Aceste limite admise au determinat ca i msurile de
protecie mpotriva electrocutrii s fie corelate, ca grad de eficien i complexitate, cu ele. Astfel
aparatele electrice se clasific n:
- aparate de tip A; care nu au nici un fel de legtur electric sau neelectric cu utilizatorul;
- aparate de tip B; pentru aplicaii medicale externe sau interne pe utilizator excluznd
aplicarea direct pe cord. Aceste aparate au o protecie corespunztoare mpotriva electrocutrii, n
ceea ce privete curentul de scurgere admis i sigurana legrii la pmnt de protecie;
- aparate de tip BF; sunt aparate de tip B avnd o parte aplicat flotant de tip F. Prin parte
aplicat flotant de tip F se nelege acea parte aplicat izolat de toate celelalte pri ale aparatului,
astfel nct curentul de scurgere prin pacient, admis n condiii de prim defect, s nu fie depit atunci
cnd se aplic ntre partea aplicat i pmnt o tensiune de 1,1 mai mare dect cea mai mare valoare
admis a tensiunii de reea nominale. Prin condiii de prim defect se neleg condiiile n care un
singur mijloc de protecie mpotriva pericolelor de electrocutare este defect sau cnd apare o singur
condiie anormal care afecteaz securitatea aparatului i implic pericol pentru pacient;
- aparate de tip C; care sunt destinate pentru aplicaiile pe cord. Conform recomandrilor
Comitetului Electrotehnic Internaional (CEI) se construiesc numai ca aparate de tip CF, adic
aparate avnd o protecie sporit mpotriva electrocutrii, n ceea ce privete curentul de scurgere
admisibil i avnd o parte aplicat flotant de tip F permind aplicarea direct pe cord. Valorile
admisibile ale curenilor de scurgere i curenilor auxiliar de pacient, n condiii normale(CN) i
condiii de prim defect(CPD) sunt date n tabelul 1.1, pentru curent continuu i alternativ (valoarea
efectiv) cu frecvene pn la 1KHz. Aceste valori se verific presupunnd c aceti cureni se nchid
prin utilizator n condiiile cele mai defavorabile de impedan ntre electrozi. Pentru frecvene peste
1KHz valorile admisibile indicate n tabelul 1.1 vor fi multiplicate cu valoarea frecvenei (n KHz),
limitnd valoarea maxim admis la 10mA.
L1-3
Felul curentului
Tipul aparatului
Tip B
CN
Intesitatea curentului (mAef)
CPD
CN
mA
0,12)
0,5
0,12)
0,5
0,11)
0,5
0,11) 0,5
Curent de scurgere prin pacient
Curentul de scurgere prin utilizator (cu

tensiunea de reea pe partea aplicat)
CN
CPD
mA
16) 7)
Curent de scurgere prin carcas
Tip CF
mA
0,5
0,5
Curentul de scurgere prin utilizator (cu

tensi-unea de reea pe o intrare sau ieire de
semnal
CPD
16) 7)
Curent de scurgere la pamnt
Curent auxiliar de pacient
Tip BF
0,011)2) 0,5
0,11)2)4)
0,5
0,012)
16) 7)
0,5
0,11) 0,053)
-
0,053)
0,011)2) 0,5
0,11)2)4)
0,011)2) 0,5
TABELUL 1.1.
1) Se recomand a se reduce ulterior aceste valori pentru a diminua dificultile care apar
utiliznd aparatele de diagnostic de tip BF sau CF la acelai pacient.
2) Valoarea se aplic la toate aparatele.
3) S-a determinat clinic acea valoare a curentului de scurgere prin utilizator n condiiile de
prim defect, pentru aparate de tip CF, care nu afecteaz aciunea hemodinamic a inimii.
4) Aceast valoare crescut a curentului auxiliar de utilizator permite realizarea aparatelor
simple pentru pletismografie i se aplic numai la cureni avnd o frecven mai mare de 0,1Hz.
5) Se consider aparatul ca fiind de tip B i se vor lua msuri corespunztoare pentru a
prentmpina apariia tensiunilor de reea pe pacient.
6) Singura condiie de prim defect pentru curentul de scurgere la pmnt este ntreruperea
unui singur conductor de alimentare.
7) Prin excepie, se admit urmtoarele valori pentru curentul de scurgere la pmnt:
- maxim 10mA n condiii normale i-n cazul ntreruperii oricrui conductor de alimentare,
dac att curentul de scurgere prin utilizator n condiii normale, ct i curentul de scurgere prin
carcas nu depesc limitele admise;
- maxim 5mA n condiii normale i n cazul ntreruperii oricrui conductor de alimentare
pentru aparatura mobil cu raze X sau cea cu elemente nclzitoare (pentru aparate n clasa I de
protecie dotate cu conductor de protecie adiional i dac att curentul de scurgere prin utilizator ct
i cel de scurgere prin carcas nu depesc limitele admise).
- maxim 5mA n condiii de prim defect (pentru aparatele din clasa I de protecie i dac
curentul de scurgere prin utilizator i curentul de scurgere prin carcas nu depesc valorile admise),
atunci cnd se ntrerupe conductorul de protecie i dac instalaia de protecie este inaccesibil, iar
aparatul nu este dotat cu nici un mijloc care s permit legarea la pmntul de protecie a altor
aparate.
L1-4
1.1.2. Protecia mpotriva electrocutrii i sigurana

n exploatare a aparatelor electrice
Sigurana n utilizarea aparatelor electrice rezult din cocurena a trei condiii eseniale:
folosirea unor aparate de
foarte bun calitate i
sigure,
ndeplinirea
tuturor indicaiilor privind
instalaiile prescrise care
asigur
buna
lor
funcionare i exploatarea competent de ctre
un personal instruit i
autorizat s le mnuiasc.
Aparatele electrice trebuie
s
fie
concepute,
proiectate i realizate n
conformitate cu normele
tehnice i prescripiile
standarde-lor de stat
obligatorii n aceste
activiti.
Prescripiile
privind aparatele electromedicale sunt formulate aparte de celelalte
categorii de aparate
pentru a evita de la
nceput
vtmarea
organismului la care se
conecteaz.
Pentru protecia
mpotriva electrocutrii,
cel puin partea legat la
reea a aparatului trebuie
Figura 1.5
dotat cu o msur de
protecie suplimentar
fa de izolaia de baz (izolaia necesar pentru asigurarea funcionrii aparatului i care realizeaz
n acelai timp protecia contra atingerii accidentale a pieselor aflate sub tensiune), conform
condiiilor pentru aparate din clasa , sau de protecie.
n cazul aparatelor n clasa I de protecie msura suplimentar de protecie const din
conectarea tuturor prilor conductoare accesibile la conductorul de protecie care face parte din
instalaia electric fix de alimentare, astfel nct prile conductoare s nu ajung sub tensiune. Un
exemplu este dat n figura 1.5.a. n cazul aparatelor destinate a fi utilizate cu cordon detaabil,
msura suplimentar de protecie presupune o cupl de reea cu contact de protecie. Pentru aparatele
destinate a fi instalate fix, msura suplimentar de protecie presupune existena unei borne pentru
pmntul de protecie.
Aparatul n clasa de protecie poate avea:
- pri cu izolaie dubl (izolaie de baz plus izolaie suplimentar);
- pri lucrnd la tensiune redus, medical (tensiune care nu depete 24Vef sau 50Vcc ntre
conductoare sau ntre conductoare i mas)
L1-5
- pri accesibile, protejate cu impedane de protecie, n cazurile n care prile conductoare

ale unui circuit electric trebuie s fie accesibile pentru a permite aparatului s funcioneze.
n cazul aparatelor n clasa II de protecie msura suplimentar de protecie const ntr-o
izolaie suplimentar sau n ntrirea izolaiei de baz. Un exemplu se d n figura 1.5.b. Aparatele
din clasa de protecie pot fi :
- aparate avnd o carcas practic continu din material electroizolant care acoper toate
prile conductoare, cu excepia unor pri mici care sunt izolate de prile sub tensiune prin izolaie
cel puin echivalent cu izolaia ntrit;
- aparate avnd o carcasa metalic practic continu care este separat peste tot de prile sub
tensiune prin izolaie dubl; utilizarea izolaiei ntrite este admis numai acolo unde realizarea
izolaiei duble este n mod evident imposibil.
- aparate reprezentnd o combinaie a celor dou variante de mai sus.
n anumite cazuri speciale (de exemplu la
bornele de semnal ale aparatului) la aparatele din
clasa II de protecie poate fi utilizat impedana de
protecie dac aceast msur poate fi aplicat fr
scderea nivelului de securitate. Aparatele din
clasa de protecie pot fi prevzute cu mijloace
de legare la pmnt n scopuri funcionale.
Aparatele din clasa II de protecie
prevzute cu mijloace de legare la pmnt trebuie
s aib izolaie dubl sau ntrit i n raport cu
Figura 1.6
aceste circuite. Aparatele n clasa de protecie
cu carcas metalic pot fi prevzute cu mijloace de conectare la carcas a unui conductor de protecie
pentru egalizarea potenialului (figura 1.6).
n cazul aparatelor din clasa III, msura suplimentar de protecie const din alimentarea la o
tensiune redus medical i din imposibilitatea apariiei unor tensiuni mai nalte dect tensiunea
redus medical . Un exemplu este dat n figura 1.5.c.
1.1.3. Norme privind construcia aparatelor electronice
a. Aparatul trebuie s fie dotat cu un dispozitiv cu ajutorul cruia s poat fi separat de
reeaua de alimentare simultan pe toate fazele; simultaneitatea nu se aplic conductorului de
protecie.
b. Utilizarea conductoarelor din aluminiu cu seciune sub 16mm2 este interzis. ntre prile
legate la reea i prile metalice accesibile ale aparatului din clasa de protecie trebuie s nu fie
conectate conductoare.
c. Utilizarea dispozitivelor de antiparazitare pentru a reduce perturbaiile radioelectrice; pot fi
conectate dispozitive de antiparazitare nainte de ntreruptorul de reea al aparatului sau de
dispozitivul de protecie la suprasarcin.
d. Realizarea unei ecranri electrice i magnetice corecte.
Ecranele electrostatice se confecioneaz din materiale cu conductivitate bun: cupru, alam,
aluminiu etc. Ecranele de joas frecven pentru cmpuri magnetice se realizeaz din materiale
feromagnetice: fier, nichel, cobalt etc.
Un ecran electrostatic este eficace cnd este conectat la un potenial de referin (de semnal
zero) al circuitelor electronice coninute n interiorul ecranului. Ecranul reprezint calea pe unde se
dreneaz curentul nedorit la un punct de mas. De aceea segmentele de ecran trebuie s fie legate n
tandem printr-un conductor care n final este conectat la potenialul de referin.
L1-6
1.2. APARATE NECESARE

- machet de laborator;
- aparate electromedicale;
- instrumente de msur.
1.3. DESFURAREA LUCRRII
Se vor efectua ncercri ale aparatelor electronice (electromedicale) pentru verificarea
proteciei la electrocutare.
1.3.1. Msurarea curentului de scurgere fa de pmnt.
Figura 1.7 prezint schema electric de msurare a aparatelor din clasa de protecie (cu sau
fr partea aplicat). Se alimenteaz monofazic i se msoar curentul de scurgere fa de pmnt
folosind circuitul de msurare din figura 1.8 (1 - aparat, 2 - sistem de alimentare). Dac aparatul este
prevzut cu o born de punere la pmntul de protecie msurarea se va face cu instrumentul de
masur (multimetru digital) MD2.
Condiii normale: se msoar cu MD1 i MD2 avnd S1, S2, S3 i S8 nchise, pentru toate
combinaiile posibile ale poziiilor S4, S5, S6 i S7 (dac exist).
Condiiile primului defect: se masoar cu MD2 avnd S8 deschis n toate combinaiile
posibile ale poziiilor S5, S6 i S7 (dac exist).
Figura 1.7
L1-7
1.3.2. Msurarea curentului de scurgere care trece prin caset

Msurarea se efectueaz cu montajul din figura 1.8:
- pentru aparatele din clasa I de protecie msurarea se face cu MD1 ntre fiecare parte a
masei nelegat la borna de pmnt de protecie a aparatului i pmnt;
- pentru aparatele din clasa II de protecie fr legare la pmntul de protecie se msoar cu
MD1 ntre mas i pmnt (S9 i legtura la pmntul de protecie nu sunt utilizate);
- pentru aparatele din clasa III de protecie i aparatele cu surs de alimentare intern se
msoar ntre diferite pri ale casetei aparatului ( MD2 aplicat ca n fig. 1.9).
Msurrile pentru aparatele din clasa I de protecie se realizeaz cu S9 nchis pentru toate
combinaiile posibile ale poziiilor lui S4, S5 i S7 (dac exist). S9 deschis este o condiie a
primului defect.
1.4. NTREBRI. TEM DE CAS
1. Ce nelegei prin curent de scurgere prin pacient?
2. Desenai schema electric pentru msurarea curentului de scurgere prin utilizator pentru
aparate electrice fr parte flotant.
Figura 1.8
3. Ce nelegei prin curent auxiliar de pacient?
4. Desenai schema electric pentru msurarea curentului auxiliar prin utilizator pentru un
aparat din clasa de protecie.
5. Dai exemple de defeciuni electro - mecanice care ndeplinesc condiiile primului defect.
6. Ce materiale utilizai pentru ecranarea unui transformator de reea? Unde se conecteaz
acest ecran?
7. Ce nelegei prin rigiditatea dielectric a unei izolaii?
L1-8
Lucrarea 2
COMUTATIA DIODELOR DE PUTERE
1. Scopul lucrrii
Lucrarea i propune o introducere n universul dispozitivelor semiconductoare de putere
i analiza experimental a fenomenului de comutaie a diodei.
Rezultatele experimentale se vor compara cu cele obinute prin simulare cu SPICE.
2. Introducere teoretic
2.1. Dioda
2.1.1. Dioda cu jonciune
Siliciul
este
materialul
semiconductor
utilizat pentru obinerea
dispozitivelor de comutaie.
Siliciul dopat uor nconstituie uzual materialul
de baz pentru obinerea
dispozitivelor semiconductoare.
Rezistena
materialului depinde de
rezistivitatea sa (), de
grosimea stratului (l) i de
Fig. 2.1
aria total (A):
l
R=
A
Prin adugarea unui strat p se obine dioda cu seciunea transversal dat n figura 2.1.
Structura diodei conine o jonciune pn a crei comportare este bine cunoscut de la cursul de
dispozitive (figura 2.1).
Comutaia diodei
Pentru aplicaii n
circuite de comutaie, timpul
de tranziie al diodelor din
starea de conducie direct
(on) n starea de blocare (off)
trebuie s fie ct mai redus.
Fenomenele
care
nsoesc
tranziia
unei
jonciuni pn (diode) din starea
"on" n starea "off" sunt
ilustrate n figura 2.2.
Fig. 2.2
L2 - 1
Pn la momentul t=0 dioda este polarizat direct, dispozitivul fiind parcurs de curentul
de conducie IF . n momentul t=0 comutatorul trece instantaneu din poziia 1 n poziia 2. Ca
urmare, se ntrerupe curgerea curentului IF i se foreaz trecerea prin jonciune a curentului
invers IR. Valoarea acestui curent (IR= ER/ RR ) este determinat de sursa de tensiune ER i de
rezistena RR. Curentul invers prin diod i pstreaz constant valoarea IR pn la momentul
t=t1. Intervalul de timp (0,t1), cnd tensiunea la bornele diodei scade de la VF (tensiunea pe diod
n polarizare direct) la 0, este
determinat de procesul de
evacuare
a
purttorilor
minoritari existeni n exces n
jonciunea diodei i poart
denumirea de timp de stocare ts.
Dup momentul t1 curentul
invers prin diod ncepe s
scad, iar tensiunea la bornele
diodei devine negativ, tinznd
ctre valoarea sursei de
polarizare invers (ER). Durata
intervalului de timp (t1,t2) n
cursul
cruia
dioda
i
restabilete capabilitatea de
blocare n invers, poart numele
de timp de tranziie tt. Timpul
de revenire invers trr este
trr=ts+tt.
Din punct de vedere
Fig. 2.3
practic, tranziia unei diode din starea de blocare n starea de conducie, raportndu-se la durata
timpului de blocare toff =trr, are loc aproape instantaneu.
Productorii de diode de putere specific de regul valoarea timpului de revenire invers
trr (reverse recovery time).
n cazul blocrii pe sarcin inductiv fenomenele sunt ilustrate n figura 2.3.
Caracteristica curent-tensiune la nivele mari de injecie
Funcionarea dispozitivelor cu jonciuni pn la un nivel mare de injecie (n conducie
direct) se caracterizeaz prin faptul c valoarea concentraiei purttorilor minoritari n straturile
dispozitivului este comparabil cu cea a purttorilor majoritari.
Rezultatele experimentale obinute cu diode redresoare din siliciu se reprezint sub
urmtoarea dependen a densitii de curent:
qV
J = exp(
)
kT
unde este factorul de idealitate al diodei ( = 2 la nivele mari de injecie).
Strpungerea jonciunii pn
La aplicarea unei tensiuni inverse de valoare suficient de mare jonciunea
semiconductoare se strpunge: structura pn i pierde proprietile de redresare, curentul invers
crescnd foarte mult.
Exist urmtoarele mecanisme de strpungere a unei jonciuni pn:
- strpungerea prin avalan (ionizare prin oc);
- strpungerea prin ptrundere sau atingere (punch-through sau reach-through);
- strpungerea Zener (prin tunelare).
L2-2
unde:
Puterea total disipat de diod

Puterea disipat de o diod n conducie direct se exprim prin relaia:
P d on = V T I F(AV) + r D I F(RMS)
- VT este tensiunea de prag a diodei;

- rD este rezistena intern a diodei n polarizare direct;
- IF(AV) este curentul direct mediu prin diod;
- IF(RMS) este curentul direct efectiv prin dioda.
Puterea disipat de o diod n comutaie, mai precis pe durata comutaiilor inverse, se
poate exprima aproximativ prin:
P d com = f E R Qrr
unde:
- f este frecvena comutrilor;
- ER este tensiunea invers aplicat la blocare;
- QRR este sarcina de revenire care trebuie eliminat din jonciune pentru ca dioda s se
blocheze
Q rr =
t rr
ER
dV r
i dt
0
Puterea disipat n blocare este neglijabil fa de valorile date de relaiile de mai sus,
astfel nct puterea disipat (total) de o diod este:
Pd = Pd on + Pd com
2.1.2. Dioda Schottky de putere
Particulariti funcionale ale diodei Schottky
Diodele Schottky reprezint o categorie distinct n cadrul familiei de diode redresoare
prin faptul c funcia de redresare este realizat de contactul ntre un metal i un semiconductor
i nu de jonciuni pn semiconductoare.
Curentul prin dioda Schottky este transportat de un singur tip de purttori, purttorii
majoritari din semiconductor (goluri sau electroni). Deoarece mobilitatea electronilor este de 23
ori mai mare dect cea a golurilor, diodele Schottky sunt realizate n general pe semiconductoare
de tip n.
Absena conduciei prin purttorii minoritari determin dou avantaje majore:
1) nu exist sarcin stocat la nivelul jonciunii, deci timpii de comutaie depind exclusiv
de valoarea capacitii intrinseci a dispozitivului:
1
unde:
2
q NDs
C j= Aj
2( B n - n + V R )
- B este potenialul barierei de contact Schottky, care depinde n principal de natura

n
metalului utilizat pentru realizarea contractului ( B = 0.6 0.7 V pentru Cr,

n
pentru Pt);
- n este potenialul Fermi pentru electroni;
- A j este aria jonciunii metal-semiconductor;
- N d reprezint nivelul de dopare a stratului epitaxial;
L2-3
B n = 0.85 V
- s este permitivitatea electric a semiconductorului n;

- q este sarcina electronului.
2) nu apare fenomenul de
modulare a rezistivitii stratului
semiconductor, determinat de creterea
nivelului de curent, deci tensiunea n
conducie i tensiunea n blocare sunt
sensibil mai mici dect n cazul diodelor
cu jonciune pn.
n figura 2.4 este prezentat
seciunea transversal printr-o diod
Schottky.
Fig. 2.4
2.2. Dispozitive cu trei straturi
Dispozitivele de baz cu trei straturi, de nalt tensiune (deci care au structura vertical
caracterizat de existena unui strat de tip n-), sunt prezentate n figura 2.5.
Fig. 2.5
Figura 2.6 prezint modul cum, pornind de la o jonciune pn, prin adugarea unui strat n
se obin structurile de principiu pentru:
-tranzistorul bipolar de nalt tensiune sau HVT cu seciunea transversal dat n figura
2.6a;
-tranzistorul J-FET sau SIT cu seciunea transversal dat n figura 2.6b;
-tranzistorul MOS cu seciunea transversala dat n figura 2.6c.
Fig. 2.6
L2-4
2.3. Dispozitive cu patru straturi

Structurile de principiu cu trei straturi din seciunea anterioara pot fi extinse cu un strat
p , obinnd trei structuri de baz cu patru straturi:
- tiristorul convenional - SCR (Silicon Controlled Rectifier), care este n esen un HTV
cu un strat p adugat (figura 2.7.a);
- tiristorul cu inducie static - SITh sau FCT - un J-FET la care s-a adugat un strat p
(figura 2.7b);
- tiristorul bipolar cu poart izolat - IGBT - un MOS la care s-a adugat un strat p
(figura 2.7c).
Fig. 2.7
2.4. Optimizri ale structurilor de baza

n funcie de aplicaiile concrete n care sunt utilizate, dispozitivele semiconductoare de
putere trebuie s aib:
- tensiuni de blocare ct mai ridicate;
- capabiliti mari n curent;
- valori mari ale capabilitilor n dV/dt i dI/dt;
- timpi de comutare ct mai redui, deci frecvene de lucru ct mai mari;
- puterea disipat n comutaie ct mai mic;
- nivele reduse ale puterii de comand pe poart.
De regul, mbuntirea uneia din caracteristicile de mai sus conduce inevitabil la
degradarea altor parametri ai dispozitivelor. n consecin, exist dispozitive specializate,
optimizate pentru diferite aplicaii. Prin integrare funcional s-au obinut structuri perfecionate
cum ar fi:
- tranzistorul cu efect de cmp cu dioda epitaxial rapid FRED-FET (FET with Fast
Recovery Epitaxial Diode - figura 2.8a);
- tiristoare cu blocare pe poart GTO (Gate Turn-Off Thyristor - figura 2.8b);
- tiristor controlat de MOS, denumit MCT (figura 2.8c) etc.
L2-5
Fig. 2.8
putere
2.5. Analiza comparativ a performanelor dispozitivelor semiconductoare de
Este important ca proprietile dispozitivelor semiconductoare s fie cunoscute atunci

cnd alegem un dispozitiv care s lucreze optim ntr-o aplicaie dat. Tabelul 1.1 se prezint
comparativ proprietile eseniale ale dispozitivelor capabile s susin tensiuni de peste 1000V.
Se remarc faptul c dispozitivele rapide sunt optimizate pentru o tensiune direct n
conducie minim.
2.6. Aria de aplicaii pentru dispozitivele semiconductoare de putere
Aceast seciune ncearc s dea indicaii asupra modului de alegere a dispozitivului
optim pentru o anumit aplicaie.
Este posibil pentru un proiectant de circuite, utiliznd tehnici variate i originale, s
foloseasc un dispozitiv n afara zonei de operare "normal", ilustrat n figura 2.9.
Se poate spune c este dificil utilizarea tranzistoarelor bipolare HVT la frecvene de
peste 100kHz, dar totui n literatura de specialitate sunt descrise aplicaii la frecvene de sute de
kHz. La alegerea unui tip de comutator concur o gama mai larg de parametri, legai ntr-o
anumit msur de frecvena de comutaie:
- timpii de ntrziere;
- puterea disipat n comutaie;
- densitatea de curent n conducie;
- limitri tehnologice la puteri mari;
- topologia aplicaiei.
De exemplu GTO este preferat tranzistorului de putere n aplicaii de mare putere la
frecvene ntre 1kHz i 20kHz datorit capabilitii sale la suprasarcin.
Scderea tensiunii susinute n blocare determin performane mai bune.
n tabelul 1.1, un "+" are, n funcie de context, semnificaia "simplu" sau "mic", iar un
"-" nseamn "complexitate" sau "mare". Un punct n tabel semnific o medie ntre "+" i "-", iar
F(fast)=rapid i S(slow)=lent. n cazul comutaiei forate pentru tiristoare sunt valabile
performanele dintre acolade.
Dispozitiv/
HVT
JFET
MOS
THY
L2-6
GTO
IGBT
IGBT
Unitate
Parametru
de
msur
V(ON)
10
1.5
Circuit CD
Circuit CI
Comanda
Tehnologie
Protecia
Ts, tq
0.1
0.1
0.5
Pd(com)
++
++
--
50
12
20
200
100
50
50
A/cm2
dv/dt
20
10
0.5
1.5
10
V/ns
dI/dt
10
10
0.3
10
10
A/ns
Vmax
1500
1000
1000
5000
4000
1000
1000
Imax
1000
10
100
5000
3000
400
400
Imax/Inom
15
10
Fmax
50
1000
1000
10
20
50
200
kHz
Tab. 1.1
Fig. 2.9
2.7. Valori limit absolute pentru dispozitivele semiconductoare de putere
n timpul operaiilor de montare n echipamentul electronic, precum i pe toat durata de
utilizare, dispozitivele semiconductoare sunt supuse la solicitri complexe, de natura mecanic,
electric i termic, ce pot afecta performanele de fiabilitate ale acestora.
Simplificarea mijloacelor de testare a determinat mprirea metodelor de ncercare n
ncercri:
L2-7
- climatice;
- mecanice;
- termice;
- electrice.
Corespunztor acestor moduri de ncercare avem sistemele de valori limit absolute
mecanice, climatice, termice i electrice.
Conform definiiei dat de CEI pentru sistemul de valori limit absolute, fiecare este
imperativ, n sensul c depirea ei provoac degradarea ireversibil a dispozitivului.
Proiectanii de echipamente cu dispozitive semiconductoare de putere trebuie s rein c exist
o corelaie strns ntre probabilitatea defectrii dispozitivului i gradul de ncrcare a
dispozitivului, n sensul apropierii de una din valorile sale limit absolute.
Valori limit absolute pentru diod
n regim de polarizare invers se definesc urmtoarele valori limit absolut:
VR
- tensiunea invers continu;
VRRM
- tensiunea invers repetitiv maxim;
VRWM
- tensiunea invers de lucru maxim;
VRSM
- tensiunea invers de suprasarcin maxim.
n regim de conducie valorile limit absolut, evident, se vor referi la curentul ce
parcurge dispozitivul:
IF
- curent direct continuu;
IFAVM
- curent direct mediu maxim;
IFRMSM - curent direct eficace maxim;
IFRM
- curent direct repetitiv maxim;
IFM
- curent direct de suprasarcin maxim;
2
It
- integrala de curent n funcie de care se dimensioneaz siguranele
ultrarapide de protecie etc.
Pentru regimul de comutaie al diodei intereseaz:
di/dt
- panta critic de cretere a curentului de conducie;
dv/dt
- panta critic de cretere a tensiunii de blocare;
tjM
- temperatura jonciuni maxim (parametru termic, dar strns legat de
puterea disipat n comutaie.
3. Aparate i echipamente utilizate
- osciloscop cu dou canale;
- machet laborator;
- generator de impulsuri de putere;
4. Desfurarea lucrrii
4.1. Experiment
1. Se alimenteaz generatorul de impulsuri i se conecteaz n varianta impulsuri bipolare
la macheta de laborator cu schema dat n figura 2.10.
2. Se conecteaz osciloscopul astfel nct pe un canal s se vizualizeze curentul prin
diod (iD), iar pe cellalt tensiunea pe diod (vD).
3. Se studiaz comutaia diodei pe sarcin rezistiv (figura 2.11a).
4. Se conecteaz dioda D1 (normal) n circuit.
5. Se deseneaz formele de und i se msoar timpii ts i trr , precum i curenii IF i
IRmax.
6. Se conecteaz dioda D2 (de comutaie) n circuit i se repet punctul 5.
L2-8
7. Se conecteaz dioda D3 (Schottky) n circuit i se repet punctul 5.

8. Se studiaz comutaia diodei pe sarcin inductiv, repetnd punctele 4, 5, 6 i 7 ale
lucrrii (figura 2.11b).
9. Se studiaz efectul introducerii unui condensator n circuitul de comutaie (figura 2.11c
i 1.11d).
10. Se centralizeaz rezultatele msurtorilor ntr-un tabel.
Fig. 2.10
Fig. 2.11
4.2. Simulare
1. Utiliznd programul SPICE se va studia:
- comutaia diodei cu jonciune normal pe sarcin rezistiv R (figura 2.12);
- comutaia diodei cu jonciune normal pe sarcin inductiv L;
- comutaia diodei cu jonciune de comutaie pe sarcin R;
- comutaia diodei cu jonciune de comutaie pe sarcin L.
Analizai comparativ rezultatele obinute prin simulare cu rezultatele experimentale
obinute pentru iD i vD.
2. Se vizualizeaz puterea disipat n comutaie.
L2-9
Fig. 2.12
5. ntrebri. Teme de cas
1. Cum influeneaz fronturile impulsurilor de comand procesul de comutaie (puterea
disipat n special)? Observaie. Se va utiliza simularea cu SPICE.
2. La comutaia diodei pe sarcin rezistiv, care este legtura dintre sarcin i timpul de
stocare?
3. Care este legtura dintre frecvena impulsurilor de comutare (factor de umplere 1/2) i
parametrii diodei (ts si trr)?
4. De ce se conecteaz n paralel cu dioda care lucreaz n comutaie un condensator?
5. Care sunt avantajele utilizrii diodelor Schottky?
6. Estimai valoarea inductanei din circuitul utilizat n laborator pentru un curent direct
maxim IFmax=0,5A.
7. Estimai sarcina stocat pentru fiecare situaie analizat. Comparai rezultatele cu cele
date n catalog.
8. Propunei o schem de generator de impulsuri dreptunghiulare cu amplificatoare
operaionale, care s aib posibilitatea reglrii frecvenei i a factorului de umplere.
9. Cum trebuie s fie impedana de ieire a generatorului de impulsuri?
L2-10
Lucrarea de laborator numarul 3

REDRESOARE NECOMANDATE CU DIODE
1.
Obiectul lucrrii
a) Studiul structurilor de redresoare monofazate cu diode
Clasificarea redresoarelor
Redresorul este un convertor static de putere care face conversia unei tensiuni alternative
ntr-o tensiune continua, sensul energiei fiind de la reeaua de c.a. spre consumatorii de c.c.
Redresorul construit cu diode, datorita conduciei unidirecionale a acestora, furnizeaz curent
redresat cu o singura polaritate i, fiind necomandat, o tensiune redresat fix, de aceeai
polaritate. Notaiile utilizate sunt Ud pentru valoarea medie a tensiunii redresate i Id pentru
valoarea medie a curentului redresat al redresorului.
O schem de redresor conine, n general, un transformator (poate lipsi cnd redresorul
se conecteaz direct la reea), filtre, diodele redresoare cu elemente de protecie ale acestora la
supratensiuni si scurtcircuit (elementele de protecie au fost analizate n capitolul 2 i, pentru
simplificarea schemei, nu vor mai fi reprezentate). Diodele conduc succesiv, dup o anumit
regul, nct n timpul unei perioade corespunztoare frecvenei reelei au loc un anumit numr
de comutaii ale curentului de sarcin, de la o diod care a condus la urmtoarea care intr n
conducie.
Clasificarea redresoarelor (schemelor de redresare) se poate face dup mai multe criterii:
1. Dup felul tensiunii alternative de alimentare:
a) redresoare monofazate - sunt redresoarele alimentate de la o sursa monofazata de
tensiune alternativa; din aceasta categorie fac parte redresorul monoalternana i redresorul
bialternana (cu punct median sau n punte);
b) redresoare trifazate - sunt redresoarele alimentate de la o sursa trifazata de tensiune
alternativa; cele mai cunoscute conexiuni (nu neaprat i utilizate, dup cum se va vedea n
continuare) sunt: redresorul trifazat cu punct median, redresorul n stea hexafazat cu punct
median, redresorul trifazat n punte, redresorul cu dubl stea i transformator interfaz,
redresoare duodecafazate (cu 12 pulsuri ale tensiunii redresate pe o perioada a tensiunii reelei);
2. Dup posibilitatea de reglaj a tensiunii de ieire:
a) redresoare necomandate - sunt redresoarele care furnizeaz o tensiune de valoare
medie Ud constanta; ele sunt construite numai cu diode;
b) redresoare comandate - sunt redresoarele care furnizeaz o tensiune de valoare medie
Ud, reglabil ca nivel; aceste redresoare sunt construite cu dispozitive semiconductoare
comandate (tiristoare sau tiristoare si diode, tranzistoare);
3. Dup modul de grupare a fazelor tensiunilor alternative (nfurrilor) care furnizeaz
tensiunea redresata:
a) redresoare de tip paralel (Pm) la care cele m faze alternative (nfurri), fiecare n
serie cu dioda sa, sunt grupate n stea i apar n paralel n raport cu bornele de ieire ale
redresorului; redresorul conine m diode, valoarea instantanee a tensiunii redresate fiind egal cu
valoarea instantanee a celei mai pozitive tensiuni din cele m; din aceasta categorie fac parte
redresorul monofazat bialternan cu punct median (P2), redresorul trifazat cu punct median (P3)
i redresorul n stea hexafazat cu punct median (P6);
L3-1
b) redresoare de tip dublu paralel (DPm) la care cele m faze alternative (nfurri) sunt
grupate tot n stea, ns se utilizeaz 2m diode; valoarea tensiunii redresate n fiecare moment
este egal cu diferena dintre cea mai pozitiv i cea mai negativ tensiune alternativ; exemple
sunt: redresorul monofazat bialternan n punte (DP2), redresorul trifazat n punte avnd
transformatorul cu secundarul n stea (DP3);
Sarcin rezistiv-inductiv conexiunea serie (R+L)
Schema redresorului i formele de und sunt prezentate n figura 1.1, respectiv n 1.2.
Figura 1.2
Figura 1.1
n intervalul de conducie al diodei D putem scrie:
us ud uR uL
sau
U sin = R id + L
unde:
di
d
= t
valoarea efectiva a tensiunii redresate este:

1/ 2
1 2
U 2 sin 2
U d ( RMS) U sin 2 d
2
2
2 0
Valoarea medie a curentului redresat este:

U d U 1 - cos
=
Id =
R R
2
Evident, avem i pentru curentul secundar Is(AV)=Id.
Sarcin rezistiv-capacitiv - conexiunea paralel (RC)

Schema redresorului i formele de und sunt date n figura 1.3, respectiv figura 1.4.
L3-2
Figura 1.4
Figura 1.3
n reprezentarea formelor de und din figura 1.4 s-a presupus c condensatorul are o
capacitate suficient de mare astfel nct, n regim permanent, acesta nu se descarc complet
i, deci, ncrcarea rencepe de la o valoare pozitiv Um.
n intervalul de conducie al diodei curenii sunt:
U
iR = sin
R
d ud
du
= C s = C U cos
iC = C
dt
d
unde us este tensiunea din secundarul transformatorului:
u s = U sin
Valoarea medie a tensiunii redresate este:

2
2
U
1
Ud
u ci d u cd d
sin d sin e tg d
2
2
2
cos cos sin tg e tg 1
Redresorul monofazat bialternan

cu punct median i sarcin rezistiv R.
Schema redresorului monofazat bialternan cu punct median (priza median a secundarului
transformatorului monofazat) funcionnd cu sarcin rezistiv este dat n figura 1.5, iar
formele de und semnificative sunt date n figura 1.6.
Se observ c unghiul de conducie al unei diode este =, iar numrul de pulsuri ale
tensiunii redresate ntr-o perioad este q=2.
L3-3
Figura 1.5
Pentru (0, ) avem us1>0>us2, deci
dioda D1 conduce i D2 este blocat. Rezult:
u d = u s1 = U sin
U
id = is1 = sin = I sin
R
u D2 = u s2 - u d = - 2 U sin
Pentru (,2) avem us2>0>us1,
deci dioda D2 conduce i D1 este blocat.
Rezult:
u d = u s2 = - U sin
id = is2 = - I sin
u D1 = u s1 - u d = 2 U sin
Figura 1.6
Valoarea medie a tensiunii redresate este:
1
2U
Ud = U sin =
0
iar valoarea efectiv a tensiunii redresate este:

1
1
2
1
2
1
U
2
U d ( RMS) Usin d U d
cos 2 d
2 0
2
0
2 0
innd cont c sarcina este rezistiv, valoarea medie a curentului redresat este:
Ud 2 U 2 I
=
=
Id =
R R
iar valoarea efectiv este:
U
I
Ud(RMS)
=
=
=
Id(RMS) =
Id
R
R 2
2 2 2
Puterea de curent continuu debitat de redresor n sarcin este:
2 U 2 U 4 U2
=
=
=
U
Pd
d Id
R 2 R
innd cont c am neglijat pierderile de putere din redresor, puterea furnizat de
transformator redresorului este egal cu:
L3-4
este:
2
U 1
U
=
Ps =
2 R 2R
Rezult randamentul redresorului:
8
= Pd = 2 0,8
Ps
Valoarea medie a curentului prin diode (egal cu cel printr-o nfurare secundar)
IF(AV) = Is(AV) =
iar valoarea efectiv a lui este:

IF(RMS) = Is(RMS) =
Id
2
Id(RMS)
= Id
4
2
cu punct median i sarcin puternic-inductiv

Pe intervalul (0, ] dioda D1 conduce i dioda D2 este blocat, iar pe intervalul (,
2] conduce D2 i este blocata D1 (figura 1.7). Rezult, i n acest caz:
u s1 U sin , (0, ]
ud
u U sin , (,2]
s2
dac se neglijeaz fenomenul comutaiei (Lc=0)
Figura 1.7
Figura 1.9
Figura 1.8
Pentru curentul printr-o seminfurare secundar avem:
L3-5
Is(AV)
iar pentru curentul primar avem:
Id ,
Id
2 Is ( RMS )
2
ns
Id
np
Tensiunea redresat avnd aceeai forma ca cea din cazul funcionrii pe sarcin
rezistiv, rezult:
2U
U d0
U U d0
2
deci
U
U ( RMS)
U d 0 1,11 U d 0
2 2 2
I p ( AV ) 0 , I p ( RMS)
cu punct median i sarcin rezistiv-capacitiv - conexiunea paralel (RC)
Cu originea de timp n 0 ecuaiile curenilor din circuit (figura 1.10), pe intervalul

de ncrcare al condensatorului [, ] sunt :
U
i R sin
R
du
CU cos
iC C
d
1
i d i R i C U sin C cos
R
Cu notaiile din figura 1.11:

= unghiul la care dioda ncepe sa conduc ;
= unghiul de conducie al diodelor ;
= unghiul la care dioda se blocheaz ;
putem scrie:
id
1
sin C cos 0 tg RC
R
arctg(RC) ,
L3-6

,
2
Figura 1.10
Figura 1.11
Figura 1.12
Figura 1.13
Tensiunea redresat este data de relaia:
U sin , ,
Ud R iR

U sin e tg , ,
Rezult valoarea medie a tensiunii redresate:

1
1
1
U
sin
U sin e tg d
Ud
ud

U
cos cos U sin tg e tg 1 U cos cos U tg sin sin
n punte cu sarcin rezistiv R

Dac considerm tensiunea secundar, u s U sin , format din tensiunile (msurate
fa de un punct secundar median fictiv, figura 1.14):
u s1
1
1
1
1
u s U sin i u s 2 u s U sin u s u s1 u s 2 ,
2
2
2
2
formele de und caracteristice (figura 1.15) au aceeai alur cu cele de la redresorul

monofazat bialternan cu punct median.
L3-7
Figura 1.14
Pentru (0, ) avem us>0, deci
diodele D1 i D4 conduc, D2 i D3 sunt
blocate. Rezult:
u d = u s = U sin
U
id = is = sin = I sin
R
u D2 u D 3 = u s = - U sin
Pentru (,2) avem us<0,
deci acum conduc diodele D2 i D3, iar
D1 i D4 sunt blocate. Rezult:
u d = u s = - U sin
id = is = - I sin
u D 4 u D1 = u s = U sin
Figura 1.15
Relaiile de calcul stabilite la redresorul bialternan cu punct median rmn valabile

(cu observaia fcut privind amplitudinea secundar U), deci avem:
- valoarea medie a tensiunii redresate:
1
2U
Ud = U sin =
0
- valoarea efectiv a tensiunii redresate:

1
1
2
U
2
U d ( RMS) Usin d
2
0
- valoarea medie a curentului redresat:

Ud 2 U 2 I
=
=
Id =
R R
- valoarea efectiv a curentului redresat:
U
I
Ud(RMS)
=
=
=
Id(RMS) =
Id
R
R 2
2 2 2
- randamentul redresorului:
8
P
= d = 2 0,8
Ps
- valoarea medie a curentului prin diode
Id
IF(AV) =
2
- valoarea efectiv a curentului prin diode:
L3-8
IF(RMS) =
Id(RMS)
= Id
4
2
n punte cu sarcin puternic inductiv

Dac considerm curentul redresat constant (figura 1.16), formele de und
caracteristice sunt prezentate n figura 1.17. Funcionarea redresorului este analog cu cea
pentru sarcin rezistiv.
Curentul secundar i primar ip au forma din figura 1.17, valoarea lor medie fiind nul.
Valoarea efectiv a curentului secundar (respectiv primar) este:
I s RMS
n
1
2 1
2
i s2 d I d2 d I d I p ( RMS) s I d
np
0
Figura 1.16
Tensiune redresat are aceeai form
ca n cazul sarcinii rezistive, deci
relaiile de calcul aferente rmn
valabile.
Pentru dimensionarea diodelor
relaiile de calcul sunt:
- valoarea medie a curentului:
Id
I F(AV) =
2
- valoarea efectiv:
Id
IF(RMS) =
2
- tensiunea invers maxim repetitiv:
U RRM = U
Figura 1.17
3. Echipamente necesare:
- montajul experimental
- osciloscop cu dou canale
- voltmetru numeric
4. Desfasurarea lucrarii
-
Simulare
se realizeaza schemele din partea teoretica;
se vizualizeaza formele de unda pentru diferite tipuri de sarcina (R; R+L; R||C);
se modifica parametrii sarcinii si se compara rezultatele obtinute;
L3-9
se vizualizeaza curentul si tensiunea pe una dintre diode retinandu-se valorile maxime;

Experiment
utilizand macheta de laborator se selecteaza structura de redresare; se fixeaza tipul
sarcinii si se vizualizeaza, pe osciloscop, aceleasi marimi ca si in simulare;
se compara calitativ (ca si forma) formele de unda obtinute prin masurare cu cele obtinute
prin simulare;
folosind Kc se introduc inductantele de comutatie si se vizualizeaza efectul comutatiei
diodei asupra curentului.
utilizand aparatul de masura se masoara Ured(AV) pentru sarcina rezistiva;
utilizand osciloscopul se masoara unghiul de comutatie pentru sarcina rezistiv-inductiva.
Referatul va contine:
rezultatele simularilor;
tabelul valorilor maxime ale tensiunii si curentului, pentru una dintre diode, precizand
parametrii sursei de tensiune si ai sarcinii, obtinute in urma simularii;
rezultatele experimentale se trec intr-un tabel evidentiindu-se parametrii sarcinii si
tensiunea din secundar;
se efectueaza calculul analitic pentru curentul si tensiunea redresata medie masurate
experimental;
se efectueaza calculul analitic pentru estimarea unghiului de comutatie la sarcina rezistivinductiva utilizand valoarea curentului redresat mediu masurat.
5. Intrebari. Tema de casa

-
Precizati care este efectul introducerii in serie cu rezistenta a inductantei la sarcina,

asupra curentului redresat. Din simularile realizate precizati care este relatia de
dependenta dintre valoarea inductantei si riplul curentului redresat;
Precizati care este efectul introducerii capacitatii de sarcina asupra tensiunii redresate;
Estimati procentual eroarea de calcul pentru curentul si tensiunea medie redresate
eroarea =
Vmas V exp
100
V exp
Estimati eroarea de calcul pentru unghiul de comutatie. Care este efectul comutatiei
anodice asupra tensiunii medii redresate?
6. Bibliografie
Convertoare, 180 pag.N. Bizon, 2004, MatrixROM, Bucureti, ISBN 973-685-836-7.

Convertoare de Putere utilizate in Sistemele de Generare a Energiei, 160 pag, N.
Bizon, M. Oproescu, 2007, Universitii din Piteti, Piteti, ISBN 978-973-690-644-2
Electronic Industrial II Teorie i Aplicaii, 250 pag, N. Bizon, 2000, Editura
MatrixROM, Bucureti, ISBN 973-685-118-4
Electronica de putere modelare si simulare, F. Ionescu, D. Alexa, s.a. 1997, Ed.
Tehnica
L3-10
Lucrarea 4
COMUTATIA TRANZISTORUL BIPOLAR DE PUTERE
1. Scopul lucrrii
Lucrarea i propune o analiz experimental a caracteristicilor de comutaie pentru
tranzistorul bipolar de putere corelat cu tipul circuitului de comand i respectiv tipul circuitului de
protecie. Sunt analizate de asemenea fenomenele specifice comutaiei tranzistorului bipolar pentru
tensiuni mari (High Voltage bipolar Tranzistor HVT). Rezultatele experimentale obinute se vor
compara cu cele obinute prin simulare cu SPICE.
2.1. Structura tranzistorului bipolar
pentru tensiuni mari
Elementele constructive ale unui HVT n
capsula SOT 186F sunt prezentate n figura 4.1. O
seciune transversal printr-o structur de HVT este
dat n figura 4.2.
Fig. 4.1
Fig. 4.2
Fig. 4.3
Grosimea stratului n- determin valoarea maxim a tensiunii colector-emitor susinut n
blocare. Pentru a menine aceast valoare se face o pasivizare a cipului cu sticl special (figura 4.2).
Aceast structur se poate obine tehnologic n mai multe moduri (aceste tehnologii numindu-se
"planare").
Un HVT i un tranzistor de tensiune mic difer prin grosimea stratului n- care determin i
ali parametri electrici ai tranzistorului (figura 4.3). n figura 4.3 s-au folosit urmtoarele notaiile
(care vor fi definite mai jos):
ts - timpul de stocare ;
tf - timpul de cdere a curentului.
HVT-urile sunt utilizate aproape n exclusivitate n circuite electronice de comutaie pentru
conversia energiei, comanda motoarelor (d.c. i a.c.) etc.
L4-1
2.2. Comutaia tranzistorului bipolar ( HVT )

Pentru un tranzistor n conducie se pot distinge trei zone n care se acumuleaz sarcina
electric ( Fig. 4.4).
Fig. 4.4
Fig. 4.5
Sarcina Qb localizat n regiunea bazei este esenial pentru conducia curentului de colector.
Sarcina Qc localizat n zona colectorului, n dreptul emitorului, determin o rezisten sczut
pentru colector, deci o tensiune colector emitor sczut. Sarcina Qd este localizat n zona
colectorului n dreptul contactului de baz.
Pentru o valoare
fixat a curentului de
colector valoarea sarcinilor
Qb , Qc i Qd depinde de
tensiunea colector-emitor
(figura 4.5). n condiii
normale de comand se
obine pentru V CE sat o
valoare
satisfctoare
(punctul N n figura 4.5),
obinndu-se
valori
moderate pentru Qc i Qd.
Cnd se aplic un curent de
baz mai mare, tranzistorul
se
satureaz
profund
valoarea sarcinilor Qc i Qd,
crescnd (punctul O overdriven - n figura 4.5).
Fig. 4.6
Dac se aplic o reea
pentru desaturarea tranzistorului (denumit Baker Clamp - vezi figura 4.7, punctul D n figura 4.5)
valoarea timpului de stocare i timpul de cdere scade.
Blocarea tranzistorului prin aplicarea unui curent de baz negativ se face n patru etape, n
care se evacueaz sarcinile Qb, Qc i Qd; durata primelor dou determin timpul de stocare ts , iar
celelalte determin timpul de cdere tf (figura 4.6).
n acest caz la saturaie incipient avem (figura 4.7):
V CE sat = V D1 + V BE - V D 3
supracurentul de comand fiind preluat de dioda D3. Dioda D2 asigur calea de evacuare a sarcinii
stocate, iar dioda D1 fixeaz pragul saturaiei incipiente (eventual pot fi conectate dou diode n
serie).
L4-2
Fig. 4.7
Fig. 4.8
n cazul configuraiei Darlington (figura 4.8), innd cont de faptul c jonciunile BE i BC

ale tranzistorului T1 joac rolul diodelor D2 i D3 , tranzistorul de for T2 nu se va satura profund,
indiferent ct este valoarea curentului de comand IB2.
Comutaia tranzistorului din blocare n conducie (comutaia direct - CD), respectiv invers
(comutaia invers - CI) se face ntr-un timp definit n principal de circuitul de comand.
2.3. Circuite de comand
Circuitele de baz pentru comanda tranzistorului bipolar sunt reprezentate n figura 4.9.
Se remarc existena rezistenei
Rb n fiecare circuit de comand, avnd
rolul de a limita valoarea curentului de
comand.
n cazul unei comenzi cu forarea
curentului de baz prin circuitul de
accelerare (Rb n paralel cu Cb , vezi
figura 4.10.b), puterea disipat n timpul
CD este mai mic dect n cazul unei
comenzi simple printr-o rezisten Rb
(figura 4.10.a.).
La comutarea invers, din
momentul t0 al aplicrii tensiunii inverse
de comand se pot evidenia timpii:
- t o - t 1 = t s ; pe durata cruia tranzistorul
rmne saturat;
- t 2 ; cnd iE=0 i V BE devine negativ;
- t 3 ; cnd iC = 0;
- t 3 - t 1 = t f ; timpul de cdere pentru iC.
Formele de und, pe durata CI,
pentru circuitele de comand din figura
4.9 sunt reprezentate n figurile
2.11.ac.
Fig.2.9
L4-3
Fig. 4.10.a
Fig. 4.10.b
Fig. 4.11.a
Fig. 4.11.b
Fig. 4.11.c
Fig. 4.12
n figura 4.12 este prezentat efectul mririi tensiunii inverse, aplicate pentru blocarea
L4-4
tranzistorului, asupra performanelor de comutare invers a circuitului din figura 4.9.b (vezi pentru
comparaie figura 4.11.b).
Circuitul de accelerare RbCb (vezi figura 4.9.a) este n general utilizat pentru comanda
1
tranzistoarelor cu tensiuni V CE max mici. n general se urmarete ca I BRM = I C .
2
Pe de alt parte, puterea disipat scade dac nu se utilizeaz condensatorul de accelerare Cb
(vezi figura 4.11.b) sau se mrete tensiunea invers aplicat (figura 4.12), fr ns a se depi
tensiunea de strpungere a jonciunii baz emitor, V(BR)EB0. Se remarc ns o cretere a timpului
total de comutare invers.
Pentru tranzistoare HVT intrarea jonciunii BE n strpungere la comutarea invers, utilizand
o bobina n baz Lb (vezi figura 4.11.c), nu are efecte distructive dac nu se depesc parametrii
IBR(AV) i IBRmax (precizai n catalog).
Este evident c au loc relaiile:
P dci (11a) > P dci (11b) > P dci (12 ) > P dci (11c)
t f (11a)> t f (11b)> t f (12 ) > t f (11c)
t s(11a) < t s(11b) < t s(11c)
n general, valoarea optim a inductanei Lb se determin experimental. O estimare bun este

dat de relaia :
LB =
unde:
E R+V BE sat
di B
dt
d iB
= 0,5Ic (A/s), pentru un HVT cu V CE0 =400V, V CEx =800V;
dt
d iB
= 0,15Ic (A/s), pentru un HVT cu V CE0 =700V, V CEx =1500V;
dt
E R - tensiunea negativ de comanda;
V BEsat =1V.
Timpul de stocare poate fi estimat cu relaia :
I BRM
+ 1) L B
I
BF
tf=
E R + V BE sat
(
unde, n practic, se consider uzual:
I BRM
=13
I BF
Deoarece E R = 2 5 V, o valoare mic pentru ts se obine pentru o valoare mic a inductanei

1
Lb. n acest caz ns energia nmagazinat de bobin ( L B I 2BRM ) este insuficient pentru a menine
2
jonciunea baz emitor n strpungere. n figura 4.13 i 2.14 sunt prezentate doua circuite care
rezolv aceast problem, fie prin untarea cu o diod a rezistenei Rb pe durata CI, fie prin mrirea
tensiunii inverse aplicate cu valoarea V3 (practic se poate utiliza n
locul rezistenei R3 i o dioda Zener).
L4-5
Fig. 4.13
Fig. 4.14
Fig. 4.15
Circuitul optim de comand este prezentat n figura 4.15. Este de menionat c pentru a
obine anumite performane nu sunt necesare, uneori, toate elementele. Astfel, n circuite n care rata
de cretere a curentului de colector este limitat (printr-o inductana aflat n circuitul de colector),
reeaua R1 - C1 - D1 poate lipsi fr a crete excesiv PdCD. De asemenea, n circuitele n care LB este
suficient de mare reeaua R3 C3 poate lipsi (vezi structura circuitelor de deflexie orizontal). Pentru
evitarea oscilaiilor se poate utiliza un rezistor balast R4.
L4-6
Fig. 4.16
Fig. 4.17
2.4. Aria de funcionare sigur

n cazul n care jonciunea de comand este
polarizat direct punctul de funcionare trebuie s se
afle n zona de funcionare sigur reprezentat n
figura 4.16. Dac jonciunea baz emitor este
scurtcircuitat ( V BE off =0V) sau este polarizat
invers ( V BE off =5V), aria de funcionare sigur este
reprezentat n figura 4.17. Limitarea ariei de
funcionare sigur este dat de curentul, tensiunea i
puterea disipat maxim, precum i de limita
strpungerii secundare.
Valoarea tensiunii maxime susinute n
blocare depinde de profilul concentraiei de purttori
(figura 4.18). Dac curentul de colector creste,
tensiunea V CE scade i cmpul electric poate
Fig. 4.18
atinge valoarea critic ( E crit ) pentru care se

declaneaz fenomenul de multiplicare n avalan
(figura 4.19). La aproximativ VCE = 30V golurile
produse prin multiplicarea n avalan stabilizeaz
temporar acest proces. Oricum, la V CE 30V , un
curent de colector mare determin distrugerea
termic a dispozitivului de putere n cel mult o
microsecund.
Reducerea ratei de cretere a tensiunii VCE la
Fig. 4.19
CI cu ajutorul unei reele R-C (vezi figura 4.20),
numit reea snubber, determin i o scdere a puterii Pd ( CI ) , deci evitarea strpungerii secundare. Se
recomand o rat de cretere a tensiunii VCE dat de relaia:
f[kHz]
dV CE
=
[kV/s]
dt
25
Uneori pierderile n reeaua snubber pot fi considerabile i deci se pune problema

recuperrii energiei acumulat de condensator. Pentru o protecie maxim a tranzistorului se
conecteaz n colector diverse reele de protecie (figura 4.21).
L4-7
Fig. 4.20
Fig. 4.21
Reeaua D 5 - R 5 - C 5 formeaz un detector de vrf pentru limitarea tensiunii VCE. Inductana

L6 reduce rata de cretere a curentului IC, care poate fi foarte mare pentru tranzistoarele care comut
transformatoare de putere, micornd PdCD. Energia nmagazinat de L6 este disipat de circuitul R6D6 pe durata cnd tranzistorul este blocat.
nfurarea secundar, bobinat n opoziie fa de cea primar, mpreun cu D7, are rol n
recuperarea energiei nmagazinate de transformator. Crete ns i tensiunea VCE pe durata cnd D7
conduce.
3. Aparate i echipamente utilizate:
- machet laborator (figura 4.22);
- generator de impulsuri de putere
Figura 4.22
L4-8
4. Desfurarea lucrrii:
4.1. Experiment
1. Se alimenteaz generatorul de impulsuri i se conecteaz n varianta impulsuri bipolare la
macheta de laborator cu schema din figura 4.22. Pentru comparaie se utilizeaz un tranzistor normal
(Q3) i unul de comutaie (Q4) .
2. Se alimenteaz montajul cu tensiune ( V cc = 10V ) i se conecteaz osciloscopul la bornele
O1, O2 i O3 pentru vizualizarea tensiunilor vBE i vCE.
3. Se studiaz comutaia tranzistorului bipolar pe sarcin rezistiv, analiznd influena
circuitului de comand asupra timpilor de comutaie (vezi figurile 2.7, 2.9 i 2.15). Iniial circuitele
de comand se conecteaz separat, iar apoi i n combinaie.
4. Se vizualizeaz tensiunea BE i curentul i B n cazul circuitului din figura 4.9.c, pentru
sarcin rezistiv.
5. Se vizualizeaz (la bornele O 2 , O3 fa de O4 ) tensiunea CE i curentul i C n cazul
circuitului din figura 4.9.b, pentru sarcin rezistiv.
6. Se conecteaz o sarcina inductiv n colectorul tranzistorului i se repet punctul 5.
7. Se analizeaz circuitele de protecie separat i apoi n combinaie, vizualiznd ic i CE .
8. Se studiaz circuitul pentru recuperarea energiei conectnd osciloscopul la bornele O6 , O2
i O4 .
4.2. Simulare
Utiliznd programul SPICE se analizeaz:
9. Influena circuitului de comand asupra timpilor de comutaie i puterii disipate .
10. Circuitele de protecie a tranzistorului bipolar care comut pe sarcin inductiv.
5. ntrebri
1. Poate lipsi rezistena R b din circuitul de comand ?
2. Explicai (prin relaii i grafic) efectul variaiei parametrilor caracteristicii de comand
i B ( BE ) , a tensiunii pozitive de comanda V1 i a rezistenei R b asupra curentului de baz i B .
3. Cum acioneaz asupra timpul de stocare circuitul Baker Clamp?
4. Explicai rolul fiecrei componente din circuitul optim de comand.
5. Ce nelegei prin arie de funcionare sigur a tranzistorului i cine o limiteaz ?
6. Explicai modul cum se face recuperarea energiei nmagazinate n transformator pentru
schema din figura 4.21.
7. Propunei o schem de generator de impulsuri de putere cu fronturi ct mai abrupte.
L4-9
L4-10
Lucrarea 5
SURSE DE TENSIUNE STABILIZATE N COMUTAIE
1. Scopul lucrrii
Majoritatea sistemelor electronice (n special tehnica de calcul) necesit alimentarea de la
surse cu gabarit mic, randament energetic ridicat i tensiuni de ieire stabile. Sursele de tensiune
care practic rezolva aceste cerine sunt cele care lucreaz n comutaie.
Aceast lucrare i propune, dup o succint introducere teoretic, o abordare prin
simulare i experiment a principalelor topologii de surse n comutaie, cu izolare i fr izolare
galvanic.
2.1. Surse de tensiune fr izolare. Convertorul Buck
n continuare, pentru analizarea funcionarii topologiilor de surse prezentate, se consider
c bobinele i transformatoarele sunt ideale (cu rezistena proprie nul, fr capaciti i
inductane parazite, etc.). Se consider de asemenea ca timpii de comutaie ai dispozitivelor sunt
zero i cderile de tensiune pe dispozitivele semiconductoare n conducie sunt neglijabile.
Fig. 5.1
Pe scurt, funcionarea schemei este descris n continuare.
Cnd tranzistorul T este comandat la saturaie, se nchide un curent prin T, L, i sarcina,
dioda D fiind polarizat invers. Cderea de tensiune pe bobina L este pozitiv i egal cu
diferena dintre tensiunea de intrare i tensiunea de ieire, deci practic constanta. Din acest motiv
curentul i=iC va fi liniar cresctor. Rezult:
uL=Ui Uo , i = iC , uD=-Ui
(5.1)
n momentul n care T este blocat, dioda D este polarizat direct i menine conducia
prin sarcin. Tensiunea pe bobin i schimb polaritatea, fiind egal n modul cu tensiunea de
ieire. Schimbarea polaritii tensiunii pe bobin determin schimbarea semnului pantei de
curent prin bobin. Rezult:
uL= -Uo , i = iD , uD = 0
Formele de und asociate sursei de tensiune tip Buck sunt prezentate n figura 5.2.
L5-1
(5.2)
Fig. 5.2
Pe baza relaiilor (5.1) i (5.2) se pot deduce expresiile tensiunii de ieire (U0) i variaiei
curentului prin bobin (I):
2I=Imax-Imin
di
2I
L
dt
t on
di
2I
u L U o L L
dt
t off
uL Ui U o L
Prin mprirea relaiei (5.3) la (5.4), notnd

stabilizate de ieire:
Rezult imediat i formula variaiei curentului prin bobin:
(1 )U i
S-a notat:
Lf
1
: frecvena de comutaie;
T
t on
: factorul de umplere al semnalului de comand
T
Observaii:
L5-2
(5.4)
t on
, se obine formula tensiunii
T
U o U i
(5.3)
Tensiunea stabilizat este proporional cu factorul de umplere al semnalului de comand;

Variaia curentului prin bobin este invers proporional cu inductana L i frecvena de
comutaie i este maxim la un factor de umplere de 1/2.
2.2. Surse de tensiune cu izolare. Principii de funcionare

Sursele cu izolare prezint urmtoarele avantaje:
- izolarea galvanic a intrrii fa de ieire;
- posibilitatea obinerii mai multor tensiuni de curent continuu, ntr-un domeniu larg de valori,
prin folosirea unor nfurri secundare multiple.
n majoritatea aplicaiilor practice se folosesc surse de tensiune n comutaie cu izolare.
Se va studia n continuare schema bloc a unei astfel de surse (figura 5.3).
Fig. 5.3
Tensiunea de alimentare de curent alternativ este redresat i filtrat obinndu-se
tensiunea nestabilizat Ui. Comutatorul electronic este comandata cu o tensiune ucom avnd
frecvena fix (uzual n gama 20200KHz), i factorul de umplere variabil.
Se obine la ieirea comutatorului electronic trenul de impulsuri dreptunghiulare u i cu
factor de umplere variabil, care se aplic transformatorului de putere i nalt frecven.
n cazul proiectrii corecte a transformatorului, cu ct frecvena este mai mare cu att
eficiena de utilizare a lui crete, iar gabaritul su scade. Nu se poate crete ns foarte mult
frecvena de lucru deoarece crete proporional cu aceasta i puterea disipat n comutaie de
dispozitivele semiconductoare. Astfel, de la o anumit frecvena, randamentul sursei scade cu
creterea frecvenei.
Tensiunea us din secundarul transformatorului este redresat i filtrat, obinndu-se
tensiunea de ieire Uo.
Pentru ca tensiunea de ieire s rmn constanta la variaia curentului de sarcin i la
variaia tensiunii reelei, o fraciune k din tensiunea de ieire este preluat i aplicat unui
amplificator diferenial. Aceast tensiune se scade dintr-o tensiune prescris, de referina notat
Uref(U). Tensiunea de eroare ue obinut este aplicat unui circuit de modulare n durat
specializat ce ajusteaz factorul de umplere al semnalului de comand al comutatorului
electronic pentru stabilizarea tensiunii de ieire.
n schema bloc se poate observa protecia la supracurent, a crei funcionare este
urmtoarea: comutatorul electronic este prevzut cu un circuit senzor de curent, care furnizeaz o
tensiune Usenz proporional cu curentul de sarcin. Aceast tensiune este comparat cu o
tensiune prescris Uref(I), care fixeaz limita de curent. Cnd tensiunea de la senzorul de curent
L5-3
este mai mare dect tensiunea prescris, comparatorul da un semnal la ieire care blocheaz
circuitul de comand a comutatorului electronic, limitnd astfel curentul de sarcin.
Izolarea galvanic (prin optocuploare) pe traseul de reacie se realizeaz uzual la nivelul
amplificatorului diferenial.
2.3. Analiza sursei n contratimp (Push-pull)
n figura 5.4 se prezint topologia sursei iar n figura 5.5 formele de und asociate.
Fig. 5.4
Diodele D1 i D2 redreseaz tensiunea din secundare, furniznd mpreun curentul prin
inductivitatea de filtraj L. n intervalul de timp n care tranzistoarele sunt blocate, secundarul
transformatorului este scurtcircuitat de ctre cele doua diode aflate simultan n conducie
(ndeplinind rolul de dioda de nul), ele fiind parcurse de curentul generat de energia
nmagazinat n inductivitatea L. Cnd unul din tranzistoare conduce la saturaie, tensiunea vCE
pe celalalt este aproximativ 2Ui, iar cnd ambele tranzistoare sunt blocate, tensiunea din primarul
transformatorului este nul (secundarul fiind scurtcircuitat de diode), deci tensiunea vCE este
egal cu Ui.
Pentru o anumit valoare medie a curentului de sarcin, curentul mediu printr-un
tranzistor este jumtate din curentul prin tranzistor corespunztor unei surse forward (vezi
tabelul 2.1), fapt ce determin o solicitare termic a acestora mult mai mic.
Tensiunea de la ieire este dat de relaia :
U o 2 n U i ,
unde:
t
on este factorul de umplere al semnalului de comand;
T
n
n s este raportul de transformare al transformatorului de impulsuri.
np
Factorul trebuie s fie mai mic de 0,5 pentru a mpiedica apariia scurtcircuitului n
primarul transformatorului datorit conduciei simultane a celor doua tranzistoare.
L5-4
Fig. 5.5
Se observ c tensiunea maxim pe un tranzistor este :
uCEmax = 2Ui
Dac notm cu:
I - valoarea medie a curentului de sarcin;
P - puterea disipat de consumator;
- randamentul sursei,
valoarea medie a curentului de colector printr-un tranzistor este:
P
Ic n I
U i
Stabilizatorul n contratimp ofer avantajul creterii puterii debitate pe circuitul de
sarcin, ns prezint i urmtoarele dezavantaje :
-- datorit inductanelor de dispersie ale transformatorului, tensiunea colector emitor a
tranzistoarelor poate depi dublul tensiunii de alimentare. Astfel, n cazul folosirii unei tensiuni
Ui de 200V, tensiunea vCE maxim poate depi chiar 800V.
-- saturarea miezului feromagnetic. Stabilizatoarele n comutaie folosesc ca material
feromagnetic feritele, care snt larg utilizate datorit pierderilor de putere reduse atunci cnd
frecvena de lucru depete 20kHz. Din pcate, feritele snt susceptibile la saturri rapide
datorit densitii relativ reduse a fluxului magnetic admis (aproximativ 3000 Gauss). Din acest
motiv o polarizare n curent continuu a miezului magnetic conduce la saturarea rapid a acestuia.
Dac caracteristicile tranzistoarelor nu sunt asemntoare, la intrarea i ieirea din conducie a
L5-5
acestora apare o componenta continua a curentului, care poate duce miezul n saturaie. Saturarea
miezului produce apariia unor vrfuri de curent de colector de valoare mare. Creterea de curent
produce disipaii de putere suplimentare pe tranzistoare, care pot duce la ambalarea termic a
acestora i, n final, la distrugerea lor.
Fenomenele nedorite prezentate mai sus pot fi nlturate dac se recurge la:
- crearea unui ntrefier n circuitul magnetic. Acest procedeu conduce ns la mrirea
inductanelor de dispersie, fapt ce necesit conectarea unor elemente de circuit care s limiteze
supratensiunile ce pot apare ntre colector i emitor.
- folosirea unor circuite suplimentare pentru simetrizarea celor doua seciuni ale
transformatorului. Aceast soluie mrete ns complexitatea i costul sursei.
2. 4. Principalele topologii de surse n comutaie. Caracteristici semnificative
n tabelul 2.1. sunt prezentate succint principalele tipuri de surse n comutaie (Buck,
Boost, Buck-Boost, Flyback, Forward, Push-pull) i caracteristicile lor cele mai importante.
Avantajele i dezavantajele fiecrei topologii de surs n comutaie sunt puse n eviden de
asemenea.
-
Tip
surs
autotransformator reglabil;
voltmetru de tensiune alternativ 300V;
reostat 440, 1A;
voltmetru numeric de tensiune continu 2V, 20V si 200V;
osciloscop;
machete de laborator (convertoare buck, boost, surs stabilizat n contratimp cu CI
specializat SG3524).
Schema electric de principiu
Caracteristici
Buck
- Uo= U i ,
- <1, deci Uo<Ui
- variaii mici ale curentului prin bobina L, de unde
rezult o capacitate C de filtrare de valoare mic
Boost
- U 1 U,
0
i
1
- <1, deci Uo>Ui

- curentul iD este discontinuu, de unde rezult o
capacitate C de filtrare de valoare mare
- U0 Ui
BuckBoost
- <1; Uo> U i pentru <0,5 si Uo>Ui pentru >0,5

L5-6
Flyback
Forward
- Uo=n U i
- <0,45
- vCemax=2 U i
- se realizeaz practic pentru puteri de ieire n
gama 50400W
- Uo=2n U i
- <0,45
- vCemax=2 U i
gama 100500W
Push-pull
- U 0 n U i , n regim de curent nentrerupt

1
- <0,45
- vCEmax=2 U i
gama 20200W
Tab 5.1
4.1. Experiment
a. Surse de tensiune fr izolare
Utiliznd circuitele prezentate mai susse vor studia principalele surse de tensiune n
comutaie fr izolare. Pentru principalele topologii de surse n comutaie fr izolare (Buck,
Boost) se vor vizualiza formele de und ale tensiunilor i curenilor prin dispozitive, bobin i
sarcin pentru diverse valori ale factorului de umplere, ale frecvenei tensiunii de comand i ale
curentului de sarcin. Se vor trasa caracteristicile variaiei curentului prin bobina (I) i variaiei
tensiunii de sarcin (U0) n funcie de factorul de umplere al semnalului de comand.
b. Surs stabilizat n contratimp cu CI SG3524
Circuitul integrat SG3524 este un circuit specializat pentru comanda surselor de tensiune
n contratimp. Circuitul (vezi figura 5.8) cuprinde urmtoarele blocuri:
- regulatorul de referina care furnizeaz la ieire o tensiune stabilizat de +5V.
- oscilatorul furnizeaz la ieire semnal dreptunghiular cu frecvena de pn la
200KHz, n funcie de componentele externe plasate la pinii RT si CT. Semnalul,
rampa liniar obinut la intrarea CT este aplicat la intrarea comparatorului i folosit
pentru generarea semnalului modulat n durat.
- logica de obinere a semnalelor PWM specifice unei surse n contratimp, pentru
comanda n contratimp a celor doua tranzistoare finale ale circuitului integrat.
Aceasta logic cuprinde un bistabil i doua pori SAU-NU.
- amplificatorul de eroare primete pe intrri fraciuni din tensiunea de ieire i de
referina i furnizeaz la ieire un semnal de eroare care constituie a doua intrare n
comparator.
L5-7
blocul de protecie la supracurent primete la intrare o tensiune provenit de la un

senzor de curent (ntre intrrile IN+ si IN-). n momentul n care aceasta tensiune
depete valoarea prescris, se blocheaz comenzile tranzistoarelor finale.
- Circuitul integrat mai dispune de o logic de SHUT-DOWN care, prin aplicarea unei
tensiuni la intrarea respectiv, permite blocarea tranzistoarelor finale.
Schema tipic de aplicaie cu circuitul integrat SG3524 este prezentat n figura 5.9. Se
remarc izolarea galvanic att pe partea de fora (prin transformatorul de putere),
cat i pe partea de reacie prin optocuplor. n schemele practice izolarea cu optocuplor se face
utiliznd o schema care realizeaz liniarizarea caracteristicii acestuia. Din R6 se modific
frecvena de oscilaie, iar din R4 tensiunea stabilizat.
Pentru aceast schema se vor msura potenialele la pinii IN+, IN-, REF OUT i se vor
vizualiza potenialele la pinii: CURR LIM+ (care, prin senzorul de curent R8, urmrete variaia
curentul din primarul transformatorului), EMIT1 i EMIT2 (comenzile pentru tranzistoarele de
putere externe). Se vor vizualiza, de asemenea, formele de und ale tensiunilor pe dispozitivele
electronice i pe elementele inductive din schema.
n final se va trasa caracteristica de sarcin i de stabilizare a sursei.
Figura 5.8
L5-8
Figura 5.9
4.2. Simulare
Utiliznd programul SPICE se simuleaz funcionarea diverselor topologii de
stabilizatoare n comutaie, cu izolare galvanic i fr. Se urmrete:
- vizualizarea formele de und ale tensiunilor i curenilor prin dispozitive, sarcina i
bobine, pentru diferite tipuri de dispozitive i regimuri de curent;
- simularea unei bucle de stabilizare i determinarea caracteristicii de stabilizare i de
sarcin;
- determinare randamentului energetic;
- funcionarea circuitelor de protecie.
5. ntrebri. Tema de cas
1. Explicai de ce sursele stabilizate n comutaie au, n general, un randament superior
celor liniare.
2. Ce avantaje prezint sursele stabilizate n comutaie cu izolare comparativ cu cele
fr izolare?
3. Deducei expresia tensiunii de ieire n funcie de tensiunea de intrare i factorul de
umplere pentru toate schemele din tabelul 2.1. Se va considera regimul de normal de
funcionare.
4. Pentru schema din figura 5.7 deducei expresia frecvenei de oscilaie i a tensiunii de
ieire.
5. Explicai funcionarea modulatorului n durat i a logicii de generare a comenzilor
pentru o surs n contratimp la circuitul SG3542.
L5-9
L5-10
Lucrarea 6
COMUTATIA TRANZISTORUL MOS DE PUTERE
1. Scopul lucrrii
tranzistorul MOS de putere n corelaie cu circuitul de comand.
Rezultatele obinute experimental se vor compara cu cele obinute prin simulare cu SPICE.
2.1. Structur i mod de fabricaie
Un canal n vertical
pentru un tranzistor MOS
de putere este fabricat pe
un substrat n+ , avnd drena
metalic aplicat pe partea
inferioar a sa (Fig. 6.1).
Deasupra substratu+
lui n este crescut un strat
n- epitaxial, grosimea i
rezistivitatea
fiecruia
depinznd de tensiunea
programat s fie susinut
n blocare ntre dren i
surs. Structura canalului,
format printr-un
dublu
implant
n
suprafaa
stratului
epitaxial
n-,
renun la modelul celular,
astfel nct mai multe mii
de celule pot forma un
singur tranzistor.
Fig. 6.1
Poarta (n- polisiliciu) creat n

stratul izolator de dioxid de siliciu este
structura unic care leag ntre ele
celulele aceluiai dispozitiv. Sursa
metalic acoper de asemenea ntreaga
structur, realizand conectarea n
paralel a celulelor individuale ntr-un
singur tranzistor. Densitatea tipic este
de 0.3*106 celule/ cm2 .
O seciune transversal printr-o
celul este dat n figura 6.2.
Fig. 6.2
L6-1
2.2. Parametrii MOSFET-ului.

a. Tensiunea de prag (VP). Tensiunea de prag se msoar n mod normal conectnd poarta la
dren i apoi crescnd tensiunea aplicat dispozitivului ntre dren i surs pn se obine un curent
de dren de 1.0 mA. Aceast metod este foarte simpl i furnizeaz indicaii precise asupra
momentului n care se creeaz canalul indus.
Factorii principali care controleaz tensiunea de prag sunt grosimea oxidului de sub poart i
concentraia de suprafa maxim din canal, determinat de doza implantrii zonei p.Valoarea
tensiunii de prag este n gama 2.14V pentru tipul standard, respectiv 12V pentru tipul logic.
b. Rezistena dren surs n starea de conducie ("on") - R DS (on) .
Contribuia elementelor care determin R DS (on) este dependent de valoarea tensiunii drensurs proiectat a fi susinut n blocare (Fig. 6.3).
Se observ c la tensiuni nalte domin
rezistivitatea i grosimea stratului epitaxial,
iar la tensiuni joase o pondere mare o are
rezistena canalului i a stratului difuzat p+.
Rezistena ntregului canal este determinat
de lungimea canalului, grosimea stratului de
oxid al porii, mobilitatea purttorilor,
tensiunea de prag i tensiunea aplicat pe
poart. Pentru o tensiune de poart dat,
rezistena canalului poate fi redus
semnificativ micornd grosimea stratului de
oxid al porii. Acest mod de lucru este utilizat
pentru MOSFET-ul comandat cu nivele
logice, permind obinerea unei R DS (on)
similar cu tipul standard cu numai 5V pe
poart. Rezistena total a canalului este invers
proporional cu limea canalului determinat de toate ferestrele celulelor. Limea canalului este
de peste 200 m pentru un tranzistor de joas tensiune realizat pe un cip de 20mm2 .
Fig. 6.3
Fig. 6.4
L6-2
c. Tensiunea de strpungere dren-surs este determinat de forma cmpului electric la

jonciunea dintre stratul p+ difuzat i stratul n- epitaxial. Un set de inele flotante p+ este utilizat
pentru controlul distribuiei de cmp electric periferic.
2.3. Caracteristicile electrice in curent continuu.
O familie de caracteristici de ieire tipice pentru un tranzistor MOS de putere este dat n
figura 6.4. Se observ c depirea tensiunii V DS sat determin o limitare a curentului de dren
(regiunea de saturaie a caracteristicilor).
2.4. Caracteristicile de comutaie.

Caracteristicile de comutaie pentru un MOSFET de putere sunt determinate de capacitile
inerente care apar n structur (Fig. 6.5).
Capacitile sunt ncrcate/descrcate de circuitul de comand. n figura 6.6 sunt prezentate
formele de und VDS si VGS la comutaia tranzistorului MOS pe sarcina rezistiv, iar n figura 6.7
este prezentat comutaia direct pe sarcina inductiv.
Fig. 6.5
Fig. 6.6
Capacitatea poart-surs Cgs trebuie ncrcat pn la tensiunea de prag pentru a ncepe

procesul de comutaie direct, definindu-se timpul de ntrziere la comanda pe poart tgd (Fig. 6.7.a).
Tensiunea VDS scade determinnd descrcarea capacitilor Cds, Cgs ncrcndu-se n
continuare pn la tensiunea VGG aplicat n poart (Fig. 6.7.b). n momentul n care VDS < VGS
capacitatea Cgd crete, determinnd o cretere mai lent a tensiunii VGS (curentul de comand ncarc
capacitatea Cgd - Fig. 6.7.c). n acest timp tensiunea VDS atinge valoarea minim. Aplicarea unei
tensiuni mai mari pe poart este necesar pentru micorarea R DS (on) i implicit a pierderilor de
putere n conducie (Fig. 6.7.d).
Comutaia invers pe sarcin rezistiv va dura mai mult dect comutaia direct, deoarece
cile de ncrcare a capacitilor conin rezisten de sarcin.
L6-3
Fig. 6.7
2.5. Circuite de comand
Circuitele de comand trebuie s asigure o ncrcare (descrcare) rapid a capacitilor
parazite i, atunci cnd este cazul, o izolare a comenzii fa de circuitul de for. n figurile 3.83.14
sunt prezentate astfel de circuite.
Fig. 6.8
Fig. 6.9

- macheta laborator (Fig. 6.18);
- generator de impulsuri
L6-4
Fig. 6.10
Fig. 6.11
Fig. 6.12
Fig. 6.13
Fig. 6.14
L6-5
Fig. 6.15
Fig. 6.16
Fig. 6.17
4.1. Experiment:
1. Se alimenteaz generatorul de impulsuri i se conecteaz n varianta de comand cu
impulsuri monopolare pozitive la macheta de laborator cu schema dat n figura 6.18.
2. Se alimenteaz montajul cu tensiunea VDD=10V i se conecteaz osciloscopul la bornele
O1, O2, i O4 pentru vizualizarea tensiunii vGS si vDS.
3. Se studiaz comutaia tranzistorului MOS pe sarcina rezistiv analiznd influena
capacitilor Cgs si Cgd asupra timpului de comutaie (Fig. 6.15).
4. Se analizeaz influena circuitului de poart asupra timpului de comutaie (Fig. 6.16 a,b).
5. Se vizualizeaz forma curentului de dren (iD) i tensiunea VDS pentru circuitul din figura
6.16.a.
6. Se vizualizeaz formele de und iD si VDS pentru circuitul din figura 6.17.
L6-6
4.2. Simulare:
Utiliznd programul SPICE se
analizeaz:
7. influena capacitilor Cgs i
Cgd asupra timpilor de comutaie
utiliznd dou tipuri de tranzistoare MOS
(fig. 15.a). Se observ influena
circuitului
de
comand
(RG 10 RG ) asupra puterii disipate.
8. timpul de comutaie pentru
circuitele din figura 16.a si 16.b.
9. Considernd un generator de
curent constant n locul bobinei L din
circuitul din figura 6.17 (RD=0), se
analizeaz influena tipului de diod
utilizat asupra puterii disipate de
tranzistor.
Fig. 6.18
5. ntrebri
1. Care este cauza creterii capacitii Cgd n momentul comutaiei directe (Fig. 6.7.c)? Cum
evolueaz capacitatea de ieire n decursul unei comutaii ?
2. De ce se utilizeaz o supracomand vGS>VT?
3. Ce rol are o capacitate serie n circuitul de comand (fig.3.13 si 3.14)? Explicai circuitul
de comand din figura 6.14.
4. Cum depinde panta de cdere a tensiunii vDS de capacitile Cgs i Cgd?
5. Care sunt avantajele utilizrii tranzistoarelor MOS, fa de bipolare, n circuitele de
comutaie de putere ?
Rezultate obinute prin simulare

Pentru comparaie, n continuare se prezint rezultatele obinute cu SPICE
utiliznd un tranzistor MOS cu modelul:
.model IRF530 NMOS (Level=3 Gamma=0 Delta=0 Theta=0 Kappa=0 Vmax=0 Xj=0
Tox=100n Uo=600 Phi=.6 Rs=58.53m Kp=20.73u W=.68 L=2u Vto=3.191
Rd=38.69m Rds=444.4K Cbd=1.151n Pb=.8 Mj=.5 Fc=.5 Cgso=876.7p
Cgdo=261.4p Rg=4.63 Is=1.861p N=1 Tt=125n)
Astfel, n figurile 6.19 i 6.20 este prezentat dependena timpilor de comutaie de
capacitile parazite Cgs si Cgd (circuitele din figura 6.15).
n figurile 6.21, 6.22 si 6.23 este prezentat dependena de rezistena din circuitul de
comand a curentului de poart (IG), a curentului de dren (ID) i respectiv a puterii disipate (PD), n
procesul de comutaie.
Influena unei diode sau a unui condensator n circuitul de poart (figura 6.16) se poate
observa n figura 6.24. ntr-un circuit cu sarcin inductiv (figura 6.17), comutaia este influenat de
performanele diodei de regim liber (figura 6.25).
L6-7
Fig. 6.19
Fig. 6.20
Fig. 6.21
Fig. 6.22
L6-8
Fig. 6.23
Fig. 6.24
Fig. 6.25
L6-9
L6-10
Lucrarea de laborator numarul 7

CONVERTOR CC-CC PENTRU COMANDA MOTOARELOR
DE CURENT CONTINUU
1. Scopul lucrrii
Lucrarea de fa i propune analiza teoretic (prin modelare i simulare) i
experimental a funcionrii chopper-elor pentru comanda cu impulsuri modulate n durat
(Pulse Width Modullation PWM) a motoarelor de cc (cc - curent continuu).
Se vor evidenia aspectele caracteristice acestui tip de comand comparativ cu alte
metode de variaie a turaiei motoarelor de cc.
2.1. Modelarea motorului de cc
Cuplul electromagnetic al mainii de cc este dat de interaciunea dintre un flux
magnetic numit flux de excitaie si curentul prin nfurarea rotorului. Fluxul de excitaie se
poate obine:
- cu ajutorul unui magnet permanent sau printr-o nfurare statoric alimentat separat de la
o surs de cc, caz n care motorul de cc se numete cu excitaie separat;
- printr-o nfurare statoric legat n serie sau n paralel cu nfurarea rotoric
(excitaie serie sau paralel).
n continuare se va face referire la motoare de cc cu
excitaie separat. Pentru acestea, schema echivalent este
cea din figura 7.1. Semnificaia mrimilor din figura este
urmtoarea:
uA - tensiunea de alimentare (la bornele nfurrii rotorice a
motorului de cc);
iA - curentul prin nfurarea motorului de cc;
Lm - inductana nfurrii;
Rm - rezistenta nfurrii;
em - tensiunea electromotoare indus in nfurarea
motorului de cc.
Fig. 7.1
Relaia:
di
(7.1)
u A Rm i A Lm A em
dt
n valori medii relaie devine:
U A Rm I A E m
(7.2)
Tensiunea electromotoare Em indus n nfurarea rotorului este proporional cu
turaia n a motorului, factorul de proporionalitate fiind constanta electrica kE:
Em k E n
n regim staionar, cuplul electromagnetic al motorului de cc, egal cu cuplul rezistent

la arbore, este proporional cu valoarea medie a curentului prin nfurarea motorului,
factorul de proporionalitate fiind constanta mecanic kM:
M e kM I A
L7-1
Din analiza relaiilor de mai sus rezult posibilitatea reglrii liniare a turaiei
motorului de cc prin reglarea tensiunii la bornele motorului, n domeniul de funcionare n
regim de curent nentrerupt prin sarcin.
Avantajele comenzii PWM de reglare a turaiei motoarelor de cc (de exemplu:
comanda simpl, performane de regim tranzitoriu bune, randament energetic ridicat etc.),
permit ca aceasta s fie folosit la sistemele pentru controlul turaiei i al poziiei acestora
(servomecanismele).
2.2. Funcionarea ntr-un singur cadran a chopper-elor
Pentru comanda unui motor de cc ntr-un singur sens se poate folosi un chopper cu
schema de for reprezentat n figura 7.2.
Fig. 7.2
Funcionarea schemei are loc n doua etape:
Cnd tranzistorul T este comandat (starea ON), tensiunea de alimentare (de cc.), Ui ,
se aplic la bornele motorului de cc. Dioda D este polarizat invers i ntreg curentul de
sarcin este preluat de T. Neglijnd rezistent nfurrii rotorului i cderea de tensiune pe T,
putem scrie n regim staionar (eM=EM), nentrerupt sau ntrerupt de curent, relaia:
U i Lm
de unde rezult:
di A
Em
dt
di A U i E m
dt
Lm
(7.3)
2I U i E m
t on
Lm
(7.4)
Creterea curentului fiind aproximativ liniar, putem trece la variaii finite n relaia
(7.3). Dac notm cu I variaiile curentului de sarcin fa de valoarea medie (IA) i cu ton
timpul de conducie al tranzistorului (figura 7.3), obinem:
Cnd T este blocat (starea OFF), tensiunea autoindus n bobina Lm determin

polarizarea direct a diodei D, care menine conducia curentului prin sarcin.
Energia nmagazinat n bobina Lm i timpul conduciei tranzistorului T ntreine
curentul de sarcin prin intermediul diodei de nul, astfel:
- pe toata durata blocrii tranzistorului, caz n care avem funcionare n regim de
curent nentrerupt (vezi figura 7.7.a)
- un interval de timp mai mic dect toff, caz n care avem funcionare n regim de
curent ntrerupt (vezi figura 7.7.b).
L7-2
Fig. 7.7.a
relaia:
Fig. 7.7.b
n regimul de conducie nentrerupt (regimul normal de funcionare) este valabil

0 Lm
deci:
di A
Em
dt
E
di A
m
dt
Lm
Prin trecere la variaii finite obinem:
I E m
t off
Lm
Din relaiile (7.4) si (7.6) rezult:
(7.5)
(7.6)
E m U i
(7.7)
unde cu s-a notat factorul de umplere al semnalului de comand:
t on
1
, f
T
T
Analiznd relaia (7.7) rezult posibilitatea reglrii liniare a turaiei motorului de cc

prin modificarea factorului de umplere al semnalului de comand n domeniul specific
regimului de conducie nentrerupt.
Expresia variaiei curentului de sarcin este:
(1 )U i
2 Lm f
I max
L7-3
Ui
8 Lm f
Variaia maxim a curentului de sarcin se obine la un factor de umplere =0.5 i se

observ c este invers proporional cu frecvena. n consecin, la creterea frecvenei
semnalului de comand scad i armonicele din spectrul de frecven al curentului prin motor,
deci se reduc pierderile energetice n motor. Pe de alta parte, odat cu creterea frecvenei
semnalului de comand crete i puterea disipat n comutaie de dispozitivelor
semiconductoare. Rezult de aici un compromis n alegerea frecvenei semnalului de
comand, de obicei n gama 220 kHz. Utiliznd tranzistoare MOS pentru partea de for a
chopper-ului se poate crete frecventa de comand peste 20kHz.
De asemenea, se observ c variaia de curent este invers proporional cu inductana
nfurrii rotorului. Deci, prin introducerea unei inductane suplimentare de filtraj a
curentului motorullui de cc se poate reduce I.
Dac frecvena de comand a chopper-ului nu este suficient de mare sau inductana
nfurrii motorului are o valoare mic, regimul de curent prin motor devine ntrerupt. Pe
durata blocrii tranzistorului, energia nmagazinata n Lm ntreine curentul prin motor doar n
intervalul de timp t1< toff. n afara acestui interval de timp tensiunea la bornele motorului este
Em (figura 7.7.b).
2.7. Chopper pentru comand n doua cadrane a mainii electrice de cc
(regim de motor sau generator)
Schema circuitului este prezentat n figura 7.4. Pentru funcionarea n regim de
motor se comand PWM tranzistorul T1. Cnd acesta este blocat curentul de sarcin este
condus de dioda D2, T2 fiind blocat n acest regim de funcionare.
n regim de generator, chopper-ul permite controlul regimului de frnare al mainii de
cc prin variaia curentului pe care acesta l injecteaz n sursa Ui.
Acest lucru se realizeaz prin comanda PWM a tranzistorului T2. n acest regim de
funcionare D1 conduce n contratimp cu T2, iar T1 este blocat. Funcionarea schemei pentru
regimul de generator al mainii de cc este descris de formele de und din figura 7.7.
Fig. 7.4
Fig. 7.5
L7-4
2.4. Chopper pentru comanda n patru cadrane a mainii de cc

(motor sau generator pentru ambele sensuri de rotaie ale mainii de cc)
Pentru comanda n patru cadrane se folosete un chopper format dintr-o punte de
patru tranzistoare (figura 7.6.).
Fig. 7.6
Referitor la polaritatea tensiunii de la bornele mainii de cc, pentru acest chopper
exist dou moduri de comand:
1. Comanda bipolar: n acest caz comanda este PWM pentru toate tranzistoarele. Se
comand simultan tranzistoarele T1 i T4, T2 i T3 fiind blocate, iar cnd T1 si T4 sunt
blocate se comand tranzistoarele T2 si T7. Este necesar un singur semnal de comanda ucom
cu care se comand T1 si T4, iar cu semnalul ucom inversat se comand T2 i T7. Notnd cu
factorul de umplere al semnalului ucom i innd cont c tensiunea uA este un tren de
impulsuri dreptunghiulare de valori U1, se poate arta c:
- pentru >0.5 conduc T1, T4, iar cnd acestea se blocheaz conduc D3, D2.
- pentru <0.5 conduc T3, T2 n contratimp cu D1, D4; motorul i schimb sensul de rotaie
fa de situaia anterioar.
Pe durata blocrii tranzistoarelor motorul de cc ncarc sursa VDC., sensul puterii fiind
de la sarcin spre surs. De asemenea, se mai poate remarca c la un factor de umplere
0.5 motorul are turaia zero, el fiind alimentat doar n curent alternativ. Pentru ca
pierderile n motor sa nu creasc, se impune n acest caz s cretem frecvena semnalului
de comand sau s se monteze n serie cu motorul de cc o inductana de filtrare.
Expresia tensiunii electromotoare este data de relaia:
Em U i (2 1)
2. Comanda unipolar:
- Pentru funcionare n regim de motor: T4 saturat, T2, T3 blocate, T1 se comand PWM.
Pentru funcionare n regim de motor n sens de rotaie inversat: T2 saturat, T1, T4 blocate,
T3 se comanda PWM
- Pentru funcionare n regim de generator: T4 saturat, T1, T3 blocate, T2 se comanda PWM.
Pentru cellalt sens de rotaie: T2 saturat, T1 i T3 blocate, T4 se comand PWM.
2.7. Schema bloc a unui sistem de reglare PWM a turaiei unui motor de cc
Sistemele de reglare PWM a turaiei motoarelor se preteaz foarte bine la interfaarea
cu sisteme de calcul cu microcontroller sau microprocesor.
L7-5
Fig. 7.7
Sistemul de calcul primete la intrare informaia privind turaia i curentul prin motor,
realiznd software funcia de regulare numeric a turaiei. Semnalul de la traductorul de
turaie poate fi de tip digital (tren de impulsuri de frecventa variabila) sau analogic (provenit
de la un tahogenerator). Semnalul cu informaia de curent (vS) este analogic i el se obine cu
ajutorul unui senzor de curent. Sistemul de calcul realizeaz i rolul de interfaa cu
utilizatorul precum i modulaia n durat pentru comanda chopper-ului.
Comanda cu izolare galvanic a tranzistoarelor din chopper este necesar deoarece
acestea au emitoarele (sau sursele n cazul tranzistoarelor MOS) aflate la poteniale diferite,
deci necesit o comand cu masa flotanta. n plus se protejeaz sistemul de calcul la
perturbaiile generate de chopper i motor de cc. Pentru izolarea galvanica, att a semnalelor
analogice ct i a celor digitale, se folosesc uzual optocuploare.
-
voltmetru numeric de tensiune continua 2V, 20V si 200V; ampermetru 1A, 5A;
reostat 30/10A;
osciloscop;
machete de laborator (chopper-e in unu si patru cadrane, sistem de control PWM
al turaiei cu microcontroller);
ansamblu motor de cc, traductor de turaie.
a. Chopper pentru comanda ntr-un singur cadran
1. Se identifica elementele componente de pe macheta de laborator (figura 7.8).
2. Se vizualizeaz formele de unda pentru tensiuni si cureni prin dispozitive si
sarcina;
3. Pentru regim de curent ntrerupt i nentrerupt se urmarete dependent turaiei (n)
de factorul de umplere, la o sarcin constant a motorului de cc. Determinarea
turaiei se face msurnd cu osciloscopul perioada (Tn) semnalului furnizat de
traductorul de turaie, innd cont de numrul de poli p ai acestuia:
n=60/(pTn)
Simultan, se urmarete i dependena variaei curentului de sarcin (2I) de
factorul de umplere.
L7-6
Motor
1
2
R9
300
LM358
R6
1k
CON3
R7
Iesiri
1
2
3
10
V-
R8
U1A
OUT
R2
D1N4148
3
2
1
300
V+
R1
D1
Intrari
1k
1
CON2
CON3
Q1
2N2222A/ZTX
330
2
R10
1k U1B
300
R4
300
V+
OUT
6
LM358
V-
R3
R50
1k
Figura 7.8
b. Chopper pentru comanda n patru cadrane
Se utilizeaz un chopper n patru cadrane cu tranzistoare MOS comandate de ctre un
sistem cu microcontroller. n figura 7.9. este prezentat schema electrica a sistemului.
Datorit frecvenei de comutaie mari (20KHz), izolarea comenzilor se face cu
optocuploare de mare vitez de tip TLP250. Aceste dispozitive au intrare compatibil TTL i
sunt specializate pentru comanda tranzistoarelor MOS. Circuitul de comand permite
ncarcarea/descarcarea rapida a capacitatilor parazite poart-surs i poart-dren.
Tranzistoarele MOS de putere sunt de tip BUK457. n componena circuitului de for
se observ protecia la supracurentul care poate s apar la comutaia direct a tranzistoarelor.
L7-7
Y1
J7
2
1
2
1
D e la Mc c
J10
D e la Mc c
J13
C6
12 MH z
33 p
22 0 V
2
1
Int rar i an a l og i c e
1
2
3
4
C7
33 p
R3
10 k
5V
1k
R13
1k
R11
TR A N S F O R ME R
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
U1
PI C 1 6 F 8 7 7
BR I D G E
C14
40
MC L R / VP P
R B 7 / PG D 39
R A 0 / AN 0
R B 6 / PG C 38
R A 1 / AN 1
R B 5 37
R A 2 / AN 2 / Vr ef R B 4 36
R A 3 / AN 3 / Vr ef +
R B 3 / PG M 35
R A 4 / TO C K I
R B 2 34
R A 5 / AN 4 S S
R B 1 33
R E 0 / R D / AN 5
R B 0 / I N T 32
R E 1 / W R / AN 6
VD D 31
R E 2 / C S / AN 7
VS S 30
VD D
R D 7 / PS P 7 29
VS S
R D 6 / PS P 6 28
OS C 2 / C L K I
R D 5 / PS P 5 27
OS C 2 / C L K O
R D 4 / PS P 4 26
R C O / T1 O S O / T1 C KR1C 7 / R X/ D T 25
R C 1 / T1 O S I / C C P 2 R C 6 / TX/ C K 24
RC 2/CC P1
R C 5 / SD O 23
R C 3 / SC K / SC L R C 4 / SD I / SD A 22
R D 0 / PS P 0
R D 3 / PS P 3 21
R D 1 / PS P 1
R D 2 / PS P 2
Pentru buna nelegere a funcionrii chopper-ului n patru cadrane se vor studia filele
de catalog ale dispozitivele utilizate i funcionarea sistemului cu microcontroller.
Folosind acest sistem de reglare se vor efectua urmtoarele determinri:
1. Se vor identifica elementele componente ale machetei.
2. Se va selecta un program pentru comanda bipolar, verificndu-se funcionarea n
ambele sensuri de rotaie. Se vor vizualiza formele de unda ale tensiunilor prin
dispozitive i sarcina. De asemenea, pentru o turaie data se va verifica
R17
30 0 k
R16
30 0 k
U7A
+
1M R 1 4
V-
OU T
Po r t C s i D J 3
12 V
- 4
LM3 5 8
R12
1M
R15
30 0 k
5V
C1
10 0 N 22 0 0 u F / 25 V
J11
2
6
4
5
1
3
11
12
V+
V-
C2+
C2-
C1+
C1-
12 V
5V
J5
LC D
14
12
10
8
6
4
2
5V
C15
R19
3. 3k
R18
1k
Fi n
CON 2
MA X2 3 2 / SO
R1IN
R2IN
13
8
14
T1 O U T 7
T2 O U T
1
2
3
4
5
5V
10 0 N
J6
C2
10 0 N 10 0 u F / 25 V
10
T1 I N
T2 I N 9
R1 OU T R2 OU T
U3
13
11
9
7
5
3
1
Int rar e an a l og i c a PI C
1
2
3
C11
10 0 n
C 1 0 10 0 n
C 9 10 0 n
OU T
78 1 2 / TO 2 2 0
SE T = 0. 5
1K
R2
IN
C 8 10 0 n
VC C
U5
GN D
2
J2
8
V+
1
3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
16
VC C
GN D
15
D3
1
2
T1
1
6
2
7
3
8
4
9
5
IN
OU T
78 0 5 / TO 2 2 0
12 V
P1
D5
10 0 k
R20
10 n
C12
D4
1u
C13
5V
12 V
C5
Cm d 2
6
5
Cm d 1
6
5
0. 1
R9
R 1 47 0
CON 2
U4
C N Y - 75 C
U6
C N Y - 75 C
Cm d 21
LE D
J4
Mc c
R5
20 0
Q2
BD X5 3
D1
R21
Int rar e an a l og i c a PI C
2k
SE T = 0. 5 1
2
Cm d 11
R4
20 0
Q1
BD X5 3
C4
R8
2. 2k
22 0 0 u F / 10 V 10 0 N
U8
LM2 9 0 7 / 8
C O N N E C TO R D B 9
C3
U2
5
BZ X 8 4 C 5 V 1 / SO T BZ X 8 4 C 5 V 1 / SO T
6
6
1
1
2
GN D
2
7
7
3
3
8
4
L7-8
4
Fig. 7.9.
8
Pr og r am a t or
0. 22 m H
L1
2. 2k
R10
2. 2k
R9
Cm d 12
R7
20 0
Q4
BD X5 3
Cm d
Se n s
Cm d 22
J9
1
2
3
Cm d 2
1
16
13
8
11
Cm d 22
Cm d 21
Cm d 12
Cm d 11
Cm d
Se n s
RE LAY D P D T
LS 1
D e la uC
Cm d 1
D2
1N 4 0 0 7
R6
20 0
Q3
BD X5 3
funcionarea regulatorului prin modificarea cuplului rezistent la arborele

motorului de cc.
3. Se va selecta un program pentru comanda unipolara i se va verifica funcionarea
motorului n cele patru cadrane si se vor vizualiza formele de unda aferente.
4.2. Simulare
Utiliznd programul SPICE se simuleaz toate tipologiile de chopper-e studiate la
curs si laborator. Se urmresc:
- formele de und ale tensiunilor i curenilor prin dispozitive i sarcina;
- aspectele caracteristice ale comenzii cu izolare a dispozitivelor de putere
- simularea unei bucle de stabilizare;
- funcionarea circuitelor de protecie la supratensiune i supracurent;
V2
12Vdc
Q4
V1 = 0
V2 = 12.1
TD = 0
TR = 1n
TF = 1n
PW = 6m
PER = 12m
Q1
V1 = 12.1
V2 = 0
TD = 0
TR = 1n
TF = 1n
PW = 6m
PER = 12m
V5
V1 = 0
V2 = 12.1
TD = 0
TR = 1n
TF = 1n
PW = 6m
PER = 12m
V3
D1
D1N4007
V4
BDX53C
R2
20
-4Vdc
Q5
L2
D2
D1N4007
V478
BDX53C
10m
Q2
D4
D1N4007
V1 = 12.1
V2 = 0
TD = 0
TR = 1n
TF = 1n
PW = 6m
PER = 12m
BDX53C
D3
D1N4007
V4967
BDX53C
0
20V
10V
0V
1.0A
V(V4:-)
0A
SEL>>
-1.0A
0s
-I(L2)
10ms
20ms
30ms
40ms
50ms
Time
L7-9
60ms
70ms
80ms
90ms
100ms
4. ntrebri. Tem de cas

1. Precizai avantajele i dezavantajele reglrii turaiei motoarelor de cc utiliznd
redresoare comandate, respectiv chopper-e.
2. Explicai funcionarea generatorului de semnal PWM din figura 7.8.
3. Pe baza filelor de catalog ale dispozitivelor, calculai randamentul chopper-ului n
patru cadrane din figura 7.9.a.
4. Explicai funcionarea circuitului de protecie la supracurent din figura 7.9.a.
6. Bibliografie
xxx, Power Semiconductor Applications, Philips Semiconductor, Netherlands, 1992.
Rapeanu, R. s.a., Circuite integrate analogice, catalog, Editura Tehnica, Bucuresti, 1983
Constantin. P., s.a., Electronica industriala, E.D.P., Bucuresti, 1972
Arpad Kelemen, Actionari electrice, E.D.P. Bucuresti, 1979
Convertoare de Putere utilizate in Sistemele de Generare a Energiei, 160 pag, N. Bizon,
M. Oproescu, 2007, Universitii din Piteti, Piteti, ISBN 978-973-690-644-2
7. Electronic Industrial II Teorie i Aplicaii, 250 pag, N. Bizon, 2000, Editura
8. Electronica de putere modelare si simulare, F. Ionescu, D. Alexa, s.a. 1997, Ed. Tehnica
1.
2.
3.
4.
5.
6.
L7-10
Lucrarea 8
COMUTATIA TRANZISTORULUI BIPOLAR CU POART
IZOLAT (IGBT)
1. Scopul lucrrii
tranzistorul IGBT de putere n corelaie cu circuitul de comand.
Rezultatele obinute experimental se vor compara cu cele obinute prin simulare cu
SPICE.
La nceputul anilor 1980 a fost proiectat un dispozitiv semiconductor de putere care s-a
dovedit a fi o excelent soluie pentru convertoarele n comutaie la puteri i tensiuni mari de
lucru. Dup aproximativ zece ani a fost posibil fabricarea la scar industrial a acestuia,
dispozitivul fiind denumit tranzistor bipolar cu poart izolat (IGBT - Insulated Gate Bipolar
Tranzistor).
Acest tranzistor combin caracteristicile de comutaie i modul de comand ale
tranzistorului MOS cu capabilitatea de a lucra la puteri foarte mari a tranzistorului bipolar.
Structur, modelare i caracteristici statice
Structura IGBT
Dispozitivul este obinut pe baza integrrii funcionale a unei structuri pnpn cu o poart
de tip MOS. Structura transversal a unui IGBT este prezentat n figura 8.1.
Structura unui IGBT este asemntoare cu cea a unui tranzistor MOS, diferena
fundamental fiind substratul puternic dopat p+. Fiind o structur pnpn (similar tiristorului)
IGBT-ul prezint o capabilitate ridicat de blocare a tensiunii n polarizare direct i invers.
Figura 8.1
L8-1
n mod similar tranzistorului MOS, limea stratului n- determin tensiunea maxim

suportat n blocare. Curentul maxim prin dispozitiv este dat de aria total a colectorului i de
nivelul de dopare al straturilor n+ i p+.
Fenomenul de conducie a curentului prin IGBT
La aplicarea unei tensiuni pozitive pe terminalul de colector fa de emitor, dispozitivul
se afl n starea de blocare n direct. Amorsarea are loc prin aplicarea unei tensiuni pozitive pe
poarta MOS-ului (fat de emitor). Aplicarea acestei tensiuni pozitive determin acumularea
sarcinilor negative n zona p-. Acest fenomen, denumit inversie de sarcin, duce la formarea unui
canal n de conducie ntre zonele n+ i n-. Iniierea conduciei n direct are loc prin injecia de
electroni din stratul n+ de emitor n baza n, prin canalul de inversie format.
ntre colectorul i emitorul IGBT-ului iau natere dou componente importante de curent:
- curentul de electroni din stratul n+ care trec prin canalul creat n zona n- - acest curent fiind
specific i conduciei printr-un tranzistor MOS de putere;
- curentul de goluri din stratul p+ (acesta fiind emitorul tranzistorului pnp echivalet). Datorit
intrrii n conducie a tranzistorului MOS echivalent este creat curentul de baz necesar
intrrii n conducie a tranzistorului pnp echivalent. Conducia de goluri din stratul p+ duce la
o reducere substanial a rezistenei n conducie a structurii, n comparaie cu tranzistorul
MOS. Natura bipolar a curentului n stare de conducie (format din electronii injectai de
emitorul n+ i din golurile injectate de stratul p+) determin o capabilitate mare de curent i o
cdere de tensiune colector-emitor redus n conducie direct.
Ca urmare, calea principal a
curentului n conducie direct
este cea a componentei de
electroni, care urmeaz traseul:
colector jonciunea J1 canal
MOS emitor (figura 8.1).
Curentul de goluri urmeaz
traseul: colector stratul p+
baza n baza p stratul n+ emitor.
Pentru
prevenirea
fenomenului de agare (latchup) conducia tranzistorul npn
este controlat prin unturile
din stratul de
emitor, de
rezisten RS (vezi figura 8.2 n
care este prezentat o schem
echivalent
simplificat
a
IGBT), prin care baza este
conectat la emitor.
Figura 8.2
Curentul de goluri (curent de colector al tranzistorului echivalent pnp) micoreaz

rezistena electric a bazei n, prin injecia de purttori minoritari n aceast regiune.
Performanele n comutaie sunt diminuate de existena curentului de goluri, care
determin apariia n baza n a unei sarcini electrice care trebuie s dispar prin recombinare, n
situaia n care tranzistorul este comandat s fie blocat. Prin msuri tehnologice (micorarea
rezistenei untului de emitor Rs, realizarea unui strat n+ ntre regiunea anodic p+ i baza netc.) se poate minimiza valoarea componentei de goluri a curentului. Micorarea volumul
regiunii neutre n-, care reprezint principal zon de acumulare a sarcinii electrice formate din
golurile injectate de regiunea p+, mbuntete performanele de comutaie ale IGBT-ului, iar
micorarea ctigurilor n curent (npn i pnp), determin mrirea capabilitii la variaii ale
L8-2
tensiunii colector-emitor. Pe de alt parte, introducerea stratului n+ reduce tensiunea invers de

strpungere a jonciunii J3, capabilitate de blocare invers a IGBT-ului fiind de aproximativ 5V,
deci IGBT-ul (ca oricare dispozitiv asimetric) trebuie protejat cu diode antiparalel. IGBT-ul
suport densiti de curent mai mari cam de trei-patru ori mai mari comparativ cu tranzistorul
bipolar, iar capacitatea echivalent poart-colector este mai mic dect capacitatea poart-dren a
unui tranzistor MOS echivalent din punct de vedere al parametrilor electrici (datorit cuplrii n
serie a capacitilor).
Blocarea IGBT-ului se realizeaz prin anularea potenialului din poart, care determin
blocarea tranzistorul MOS. Timpul de blocare este determinat n principal de procesul de
recombinare al purttorilor minoritari (goluri) n baza n.
Caracteristici statice
Caracteristica static de ieire a unui IGBT (figura 8.3) n conducie direct, se aseamn
cu cea a unui MOS, avnd dou regiuni distincte: activ i de saturaie.
Figura 8.3
n aplicaiile din electronica industrial este necesar o tensiune poart-emitor suficient de
mare pentru a asigura o funcionare n regiunea activ a caracteristicii de ieire. n aceast
regiune
comportarea
dispozitivului este caracterizat
de o cdere de tensiune mic la
un curent de colector ridicat.
n
figura
8.4
este
prezentat caracteristica IC(VCE)
(simulare
SPICE)
a
tranzistorului IGBT IRGBC20F
produs
de
International
Rectifier.
Figura 8.4
Comportarea dinamic a IGBT-ului
Circuitul de comutare pe sarcin rezistiv este prezentat n figura 8.5. Comanda n
tensiune a IGBT face ca acesta s fie mai rapid dect tranzistorul bipolare de putere, ns mai
lent dect tranzistorul MOS de putere, datorit cuplrii n paralel a capacitilor echivalente.
L8-3
Comutaia IGBT pe sarcin rezistiv

Comanda IGBT se face, n cele mai multe cazuri, cu circuite de comand similare
tranzistorului MOS de putere. La aplicarea unei tensiuni de comand pozitive, tensiunea poartemitor crete, evoluia tensiunii fiind dat de rezistena serie i de capacitatea poart-emitor.
Odat atinsa tensiunea de prag VT se iniiaz un curent de dren al tranzistorului MOS
echivalent. Curentul de dren crete rapid, conform caracteristicii ID(VDS) a tranzistorului MOS
echivalent, furniznd curentul de baz necesar intrrii n conducie al tranzistorului bipolar pnp
echivalent.
Pentru un circuit de comutare pe
sarcin rezistiv ca n figura 8.5, formele de
und corespunztoare sunt prezentate n
figura 8.6. Definirea timpilor specifici
proceselor de comutaie (de ntrziere la
comutaia direct td(ON), de cretere tr, de
ntrziere la comutaia invers td(OFF) i de
cdere tr) se face n mod analog (vezi
comutaia tranzistorul MOS i tranzistorului
bipolar).
Figura 8.5
Deoarece intrarea n conducie a IGBT-ului poate fi echivalat cu intrarea n conducie a

unui tranzistor MOS nseriat cu o diod de putere (dioda corespunztoare jonciunii J 3), timpii
corespunztori comutaiei directe (td(ON) i tr ) sunt mai mari ca timpii corespunztori unui
tranzistor MOS echivalent (chiar dac capacitatea echivalent de intrarea a IGBT-ului este mai
mic dect cea a tranzistorul MOS echivalent).
Blocarea IGBT-ului are loc n dou etape. n prima etap (intervalul t1-t2 din figura 8.6),
dup aplicarea comenzii de blocare, capacitatea echivalent a intrrii se descarc prin rezistorul
RGE (vezi figura 8.5), determinnd blocarea tranzistorului MOS din structura IGBT-ului (figura
8.2).
Figura 8.6
L8-4
Dup momentul t2 curentul prin

dispozitiv este susinut doar de curentul de
goluri (iP), injectate n baza n de ctre jonciunea
J3 polarizat direct, rata scderii n continuare a
curentului prin IGBT fiind determinat de rata
recombinrii golurilor n baza n. Durata
comutaiei inverse (tOFF = td(OFF)+tf) poate fi
controlat prin rezistorul RGE (vezi figura 8.7).
La fel ca la tranzistorul MOS, o rezisten RGE
mare determin o blocarea lent a tranzistorului
IGBT (valoarea maxim a curentului de
recombinare iP este mai mic).
Puterea total disipat de IGBT este dat de ecuaia general:
Figura 8.7
Pd v CE iC dt Pdcond Pdcom ,
0
unde :
T este perioada semnalului de comand, vCE i iC sunt cderea de tensiune colector-emitor i
respectiv curentul de colector.
Pdcond este puterea disipat n conducie
Pdcom este puterea disipat la comutaie
Puterea disipat n conducie se calculeaz n mod analog tranzistorului bipolar de putere:
Pdcond VCE ( sat ) I CM ,
unde:
este factorul de umplere al tensiunii de comad
VCE(sat) este tensiunea colector-emitor la saturaie a IGBT (parametru de catalog).
Puterea disipat la comutaie se calculeaz n mod similar tranzistorului MOS de putere, innd
cont de parametrii de catalog tr i tf:
EC I CM (t r t f )
Pdcom
6T
Comutaia IGBT pe sarcin inductiv
IGBT-ul este folosit n convertoare de

medie i mare putere (uzual peste 200W).
Aceste convertoare au o structur de tip punte
sau semipunte, celula principal fiind format
dintr-o coloan de dou comutatoare electronice
care conduc alternativ curentul prin sarcin (vezi
figura 8.8). Datorit popularitii deosebite a
acestei structuri, ea este folosit ca i criteriu
principal de performan (benchmark) pentru
IGBT-uri. Dac curentul de sarcin este pozitiv
el este comutat de T1 i D2, iar dac este negativ
este comutat de T2 i D1.
L8-5
Figura 8.8
Figura 8.9
n figura 8.9 sunt prezentate formele de und pentru tensiunea colector-emitor i curentul
de colector obinute prin simulare, pentru tranzistorul IRGBC20F (IGBT VCEmax=600V;
ICmed=28A). La comutaie direct tranzistorul T1 preia, pe lng curentul de sarcin, i curentul
invers de evacuare a sarcinii stocate n dioda D2. Din acest motiv performanele circuitului sunt
determinate att de IGBT-uri ct i de diodele antiparalel.
Pentru determinarea puterii disipate se folosete relaia integral de definiie a puterii pe o
perioad T de comutaie, n care variaiile n timp ale tensiunii colector-emitor i curentului de
colector se liniarizeaz. Se obin relaiile:
EC I S
P dcom
T
(t r t s ) 2 t f

2t
2
r
1
V C E ( sat ) I S ( T - t r i - t s )
T
Proiectantul unui circuit electronic de putere alege IGBT-ul i dioda antiparalel (care n
multe cazuri poate fi integrat n aceeai structur) n urma unui compromis. Se au n vedere
valoarea frecvenei de comutaie, performanele dispozitivelor i o echilibrare a puterilor disipate
n conducie i n comutaie. Astfel, se consider c alegerea unui dispozitiv de putere s-a fcut
corespunztor din punct de vedere al performanelor de comutaie ale acestuia dac puterea
disipat la comutaie este apropiat ca valoare de puterea disipat n conducie (chiar aproximativ
egale). n caz contrar, s-a ales un dispozitiv fie prea performant pentru aplicaia dat (dac
Pdcond>>Pdcom), fie cu performane de comutaie prea modeste (dac Pdcond<<Pdcom).
P dcond =
Aria de funcionare sigur; metode de protecie

Datorit ariei mari a bazei i ctigului mic n curent a prii bipolare a IGBT, fenomenul
strpungerii secundare la IGBT apare la nivele de curent i tensiune foarte mari, mai mari dect
cele limit absolute. De aceea aria de funcionare sigur a IGBT este una extins, nelimitat de
acest fenomen, avnd forma dreptunghiular din care se scade o zon aproximativ
dreptunghiular dat de limitarea puterii disipate.
Protecia la supracurent
Datorit capabilitii de a prelua vrfuri mari de curent, IGBT-ul poate comuta fr
circuit de protecie la supracurent cu inductan de comutaie, sau cu o inductan de comutaie
foarte mic. La creterea curentului de colector mult peste valoarea curentului de lucru IGBT-ul
se poate autoproteja prin schimbarea regiunii de funcionare de pe caracteristica static, din
activ n saturaie in care curentul de colector este limitat la o valoare maxim. n acest regim
L8-6
dispozitivul poate lucra intervale foarte scurte de timp, altfel el se va distruge prin ambalare
termic.
Protecia du/dt i la supratensiune
Se tie c o pant de cretere foarte mare a tensiunii colector-emitor poate duce la
autoamorsarea tiristorului echivalent din structura IGBT. Protecia la efect du/dt se realizeaz
tehnologic, printr-o rezisten de valoarea mic n gril i un ctig mic n curent al prii
bipolare.
Atunci cnd comut pe sarcini inductive, exist posibilitatea apariiei unor supratensiuni
tranzitorii care s depeasc valoarea maxim de tensiune suportat de IGBT. Limitarea acestei
supratensiuni face cu circuite de tip Snubber sau cu diode Zenner de putere montate antiparalel
pe sarcin.
Figura 8.10
n figura 8.10 sunt prezentate variante eficiente de circuite de protecie la supratensiune
pentru IGBT, pentru diferite puteri comutate. Circuitul din figura 8.10. a ofer o cale de curent
neinductiv la comutaie invers pentru ambele IGBT-uri, ajutnd n acest fel la limitarea
supratensiunii colector-emitor. O metod de a proiecta capacitatea Cp a corespunztoare
circuitului Snubber presupune egalarea energiei acumulate n inductana de comutaie Lc cu cea
din condensatorul Cp, pentru o supratensiune Umax dat de limitrile dispozitivelor Se obine:
LI S
Cp
(U max EC ) 2
Valoarea rezistorului din circuitul Snubber se calculeaz punnd condiia de descrcare a
condensatorului de la tensiunea Umax la tensiunea EC, n absena comutaiei inverse (a lui T1 sau
T2), considernd frecvena f de lucru:
1
Rp
6 fC p
Puterea disipat de rezistor va fi:
fC p (U max EC ) 2
PRp
2
Pentru aplicaii la nivele mari de curent se pot utiliza schemele din figurile 8.10.b i
8.10.c. Acestea sunt denumite circuit Snubber cu limitare i respectiv cu nrcare-descrcare.
Circuitul Snubber cu limitare
n absena unei comutaii inverse condensatoarele Cp1 i Cp2 sunt ncrcate la tensiunea
Ec. La comutaie invers tensiunea colector emitor a tranzistorului care comut tinde s creasc
peste Ec, ceea ce duce la deschiderea diodelor Dp1, Dp2. n acest mod energia din inductana de
comutaie este transferat condensatorarelor Cp1, Cp2, fr o cretere substanial a tensiunii pe
acestea. Dup terminarea comutaiei inverse condensatoarele Cp1, Cp2 se descarc prin Rp1, Rp2
de la tensiunea maxim ctre Ec.
L8-7
Circuitul Snubber cu ncrcare-descrcare

Limitarea supracreterii tensiunii colector-emitor nu este la fel de eficient ca la circuitul
anterior, ns avantajul este c se asigur i o reducere a puterii disipate la comutaie invers.
Funcionarea i relaiile de calcul sunt similare Snubber-ului de la tranzistorul bipolar de putere.
- placa de test Breadboard;
- generator de impulsuri
Placa de test Breadboard;

4.1. Experiment:
1.
2.
3.
4.
Se realizeaza pe placa de test Breadboard configuratiile studiate pentru

comutatia tranzistorului IGBT;
Se alimenteaz generatorul de impulsuri i se conecteaz n varianta de comand
cu impulsuri monopolare pozitive
Se studiaz comutaia tranzistorului IGBT pentru diferite sarcini.
Se analizeaz influena circuitului de poart asupra timpului de comutaie.
4.2. Simulare:
Utiliznd programul SPICE se analizeaz comutaia tranzistorului IGBT pentru diferite
sarcini si se compara rezultatele obtinute in urma simularii cu cele obtinute prin masuratori.
5.
Bibliografie
Dispozitive electronice de putere, Nicu Bizon, Ed. Matrix ROM
Tehnica
L8-8
Lucrarea 9
INVERTOARE MONOFAZATE
1. Scopul lucrrii
nelegerea i punerea n eviden a tuturor fenomenelor ce apar n funcionarea
invertoarelor monofazate cu tranzistoare. Msurarea parametrilor si eseniali i analiza
dependenei lor de tensiunea de alimentare, de rezistena sarcinii etc.
Invertoarele sunt circuite alimentate cu tensiune continua, destinate sa genereze o
tensiune alternativa cu un randament energetic cat mai mare. Pentru aceasta dispozitivele
electronice care intra in alcatuirea lor trebuie sa lucreze intr-un regim de comutatie adecvat.
Tensiunea generata la iesire este de obicei de forma dreptunghiulara sau in trepte.
2.1. Modulaia n und dreptunghiular (rectangular).
Principiul modulaiei rectangulare se va prezenta pentru un ondulor monofazat n
punte cu circuit intermediar de tensiune, fig. 9.1. Circuitul intermediar de tensiune realizat
prin capacitatea C, realizeaz alimentarea invertorului la tensiune continu, Vd constant.
Fig. 9.1. Ondulor monofazat n punte.

Sarcina invertorului se consider de tipul R+L, clasic pentru c.a. Comanda
rectangular este prezentat n figura 9.9. Comanda este structurat pe o perioad Tc
repetabil numit perioad de comutaie. Logica de comand a comutatoarelor statice:
prima jumtate de perioad: CS1 i CS2 - nchise; CS1 i CS2 - deschise;
- a doua jumtate de perioad: CS1 i CS2 - deschise; CS1 i CS2 - nchise;
n funcie de starea comutatoarelor statice, n figura 9.3, sunt prezentate tensiunile
v1N i v 2 N , precum i tensiunea de ieire:
v o t v1N v 2 N
-
(9.1)
Rezultatul, v o t , este o tensiune alternativ dreptunghiular, cu variaie ntre Vd i
Vd . Tensiunea v o t este nesinusoidal, dar fiind periodic se poate descompune n:

v o t Vk sin kt k
k
L9-1
(9.2)
2
2 fc
Tc
Fundamentala tensiunii v o t , de frecven:
unde:
este dat de:

avnd valoarea efectiv:
(9.3)
f fc
4
v1o t Vd sin t ,
(9.4)
Vo1
(9.5)
1 4
Vd ;
2
(9.6)
Din (9.2) i (9.5) rezult:

- frecvena fundamentalei poate fi modificat n
limite largi prin modificarea frecvenei de
comutaie fc;
- valoarea efectiv V1 este constant, neputnduse regla;
- dac se dorete modificarea lui V1 onduloare,
trebuie alimentat de la un redresor comandat cu
Vd variabil.
Coninutul de armonici este bogat,
coninnd toate armonicile impare. Valoarea
efectiv a armonicii de ordin k este:
V1
V0k 0 ;
k
(9.7)
rezultnd spectrul din figura 9.3 - a. Se constat o
atenuare rapid a valorii efective odat cu
creterea rangului armonicii.
Fig. 9.9. Modulaia n und

dreptunghiular.
Fig. 9.3 a. Spectrul de armonici
Spectrul de armonici al curentului i o t , (fig. 9.3), conine aceleai armonici, ns

amplitudinea acestora este mult redus. Astfel, valoarea efectiv a armonicii de rang k a
curentului este dat de relaia:
L9-2
Ik
Vk
R kL
fiind cu att mai mici cu ct rangul armonicii este mai mare.
2
(9.8)
Aadar fundamentala curentului i1o t mult mai important ca valoare, n raport cu

coninutul de armonici superioare. De asemenea, n figura 9.3 este prezentat i variaia
curentului absorbit de la sursa v d , i d t .
n sfrit, o ultim problem este cea a nchiderii conduciei prin semiconductoarele
invertorului. Pentru a se prezenta acest lucru n figura 9.3 este reprezentat fundamentala
curentului i1o t defazat cu unghi n urma tensiunii v1o t . Se disting 4 intervale diferite
din punct de vedere al conduciei:
Intervalul 1:
- comandate CS1 i CS2 ;

i o t >0;
- conduc comutatoarele statice comandate i circulaia de putere este de la surs spre
sarcin.
Intervalul 2:
-
comandate CS1 i CS2 ;

i o t >0;
- conduc diodele D1 i D 2 , circulaia de putere fiind de la sarcin spre surs.

Intervalul 3:
- comandate CS1 i CS2 ;

i o t <0;
- conduc comutatoarele statice comandate i circulaia de putere este de la surs spre
sarcin.
Intervalul 4:
-
comandate CS1 i CS2 ;

i o t <0;
conduc diodele D1 i D 2 , circulaia de putere fiind de la sarcin spre surs.
Rezult dou lucruri importante:

- conducia are loc prin comutatoarele statice comandate sau diodele antiparalel,
curentul i o t neputndu-se ntrerupe;
- circulaia de putere este bidirecional, de la surs la sarcin, convertorul funcionnd
ca invertor i de la sarcin la surs, convertorul funcionnd ca redresor cu diode.
L9-3
2.2. Modulaia n und quasidreptunghiular (PWM sinus modificat)

Comanda quasirectangular difer
fa de cea rectangular prin faptul c
pentru comutatoarele statice CS1 i CS2

comanda de conducie se furnizeaz cu un
unghi variabil, nainte de nceperea celei de
a doua jumtii de perioade (fig. 9.4). Dup
aceeai procedur ca la modulaia
rectangular sunt reprezentate tensiunile
v1N , v 2 N i v o t .
Tensiunile de ieire v o t este
format din pulsuri dreptunghiulare ns cu
Tc
lime mai mic de
. Calculul
2
amplitudinii armonicii de rang k se face
dup, figura 9.5:
Fig. 9.9. Modulaia quasirectangular

Fig. 9.5. Calculul tensiunii.
k 2
V
o
Vd cos k d
2
Vd sin k
4
Vd sin k ;
(9.9)
unde este evident:

;
2
2 2
Pentru armonica de ordin 1, fundamentala, rezult forma:

1 4 V sin 4 V cos ,
V
o
d
d
2
2 2
sau la nivel de valoare efectiv:
Vo1
Vd cos ;
(9.10)
(9.11)
(9.12)
Relaia (9.12) indic posibilitatea de a modifica n linii largii valoarea efectiv Vo1 ,
prin intermediul unghiul . Astfel pentru:
0 ;
(9.13)
L9-4
rezult:
1 4
Vd ;
(9.14)
2
adic de la zero pn la valoarea caracteristic modulaiei rectangulare.
Practic, realizarea acestei comenzi ridic unele probleme majore. Astfel, figura 9.4, pe
intervalul toate cele patru comutatoare statice sunt comandate pentru conducie, producnd
prin brae un curent suplimentar, generat de scurtcircuitarea sursei de alimentare Vd, care se
suprapune peste curentul de sarcin i o t . Pe de o parte se suprancarc comutatoarele statice
care preiau curentul de sarcin, iar pe de alt parte se creeaz un regim de avarie al sursei.
Pentru a se evita acest ultim inconvenient trebuie realizate dou lucruri:
- durata s fie relativ mic, respectiv f c mare, care s evite valorile mari ale
curentului de scurtcircuit;
- nserierea cu sursa a unei inductiviti de limitare a curentului de scurtcircuit, care
transform invertorul n unul de curent.
0 Vo1
Coninutul de armonici este asemntor cu cel de la modulaia rectangular:

- spectrul de armonici este acelai;
- amplitudinile armonicilor sunt mai mici, fiind afectate de valoarea unghiului de
comand , relaia (9.9).
2.3. PWM sinusoidal bipolar
Acest tip de modulaie este prezentat pentru invertorul de tensiune monofazat n punte,
din figura 9.1. Comanda, figura 9.6, se realizeaz din compararea tensiunii modulatoare
v t , de tip triunghiular, cu o tensiune de comand u c t de form sinusoidal. Se
presupune tensiunea modulatoare de amplitudine:
ct.
V
(9.15)
d
1
i frecven: f c
de asemenea constant.
Tc
L9-5
Fig. 9.6. PWM sinusoidal bipolar.

Tensiunea de comand are forma:
sin t ,
u c (t) U
c
este variabil, iar frecvena:
unde amplitudinea U
(9.17)
1
;
2 T
(9.18)
de asemenea variabil.
Logica de comand are structura:
- u c (t) v (t) :
- CS1 i CS2 - nchise;
- CS1 i CS2 - deschise;
- u c (t) v (t) :
- CS1 i CS2 - deschise;
L9-6
- CS1 i CS2 - nchise;

Corespunztor acestei structuri n figura 9.6. sunt reprezentate tensiunile rezultante
v1N ( t ) , v 2 N ( t ) i :
v 0 ( t ) v1N ( t ) v 2 N ( t ) ;
(9.19)
Din analiza tensiuni de ieire v 0 ( t ) se constat:

- nu este o tensiune sinusoidal;
- este format din pulsuri dreptunghiulare cu variaie bipolar, Vd , a cror lime este
a tensiunii de comand;
variabil n funcie de amplitudinea U
c
v1o t
- armonica fundamental
are frecvena tensiunii de comand, f;
- exist un coninut oarecare de armonici superioare, variabil n funcie de tensiunea de
comand u c ( t ) i cea modulatoare v t .
Modulaia n amplitudine
Modulaia n amplitudine este definit prin:
U
mA c ;
(9.20)
n funcie de valorile lui m A se definesc dou domenii de comand, modulaie n

amplitudine liniar pentru:
(9.21)
mA 1
i neliniar pentru:
(9.22)
mA 1
Considernd, pentru primul caz, o frecven a tensiunii modulatoare:
f c f ,
(9.23)
pe o perioad Tc amplitudinea tensiunii de comand u c ( t ) se modific nesemnificativ, iar
pentru calculul fundamentalei v1o t se poate folosi relaia de calcul de la convertoare

bidirecionale c.c. c.a., sub forma:
u (t)
V
v1o ( t ) c Vd d U
(9.24)
c sin t ,
V
V
Aadar, amplitudinea fundamentalei este:
1 Uc V K U
;
V
o
d
c
(9.25)
a tensiunii de comand. Valoarea

i poate fi reglat n limite largi prin amplitudinea U
c
efectiv a acesteia va fi:
1 1 KU
,
(9.26)
V
o
c
2
Frecvena tensiunii v1o t este egal cu cea a tensiunii de comand i poate fi reglat
n limite largi. Mai mult, faza iniial a tensiunii v1o t este de asemenea reglabil prin faza
iniial a tensiunii u c ( t ) . Suplimentar, se remarc faptul c toate cele trei mrimi,
L9-7
amplitudine, frecven i faz iniial se pot modifica independent, ceea ce este un avantaj
, respectiv m , este liniar,
1 i U
major al acestui tip de modulaie. Dependena dintre V
o
fiind prezentat n figura 9.7.
Pentru cazul:
(9.27)
mA 1 ,
n funcie de amplitudinea tensiunii de comand
u c ( t ) , care ndeplinete condiia:
V
,
U
(9.28)
c
aceasta nu mai intersecteaz, dect parial sau de loc,

tensiunea triunghiular v t . Astfel de situaii, sunt
prezentate, simplificat, n figura 9.8.
Fig. 9.7. Modulaia n amplitudine
Pentru cazul unei tensiuni de
comand de valoare u c1 ( t ) , figura 9.8, a
i se constat c pulsul triunghiular din
mijloc nu mai este intersectat, ceea ce
conduce la un puls central al tensiunii
v o ( t ) , figura 9.8, b, mult mai lat, dect n
caz normal. Pentru tensiunea u c 2 ( t ) ,
cnd nu se mai intersecteaz nici o

tensiune triunghiular, forma tensiunii
v o ( t ) corespunde, figura 9.8, c, cu cea
din cazul modulaiei rectangulare, figura
Fig. 9.8. Modulaia n amplitudine neliniar
9.9. Variaia tensiunii v1o t n funcie de

modulaia n amplitudine m A , pentru
cazul neliniar, este prezentat n figura
9.7. Ca urmare a dependenei neliniare i
a efortului mare de comand pentru o
cretere nesemnificativ a tensiunii de
ieire, modulaia neliniar se utilizeaz
relativ rar.
Modulaia n frecven
Modulaia n frecven se definete prin:
f
(9.29)
mF c ;
f
Modulaia n frecven prezint importan din mai multe puncte de vedere. n primul
rnd mF determin spectrul de frecvene al tensiunii v o ( t ) . Pentru cazul modulaiei n
amplitudine liniare, se poate arta c rangul armonicilor coninute de v o ( t ) este de forma:
(9.30)
h i mf j ;
L9-8
unde i i j sunt numere ntregi, trebuie s ndeplineasc condiiile:

- i par, j impar;
- i impar, j par.
Spectrul de armonici este prezentat n figura 9.9. Valorile maxime ale principalelor
armonici sunt prezentate n tabelul 9.1, unde este scris valoarea de vrf relativ a armonicii:
h
V
o
;
(9.31)
Vd
fundamentala, la:
h =1,
(9.32)
1
m V ;
avnd valoare maxim:
(9.33)
V
o
mA
mF
mF 2
mF 4
2m F 1
2m F 3
3m F
3m F 2
Tabelul 9.1.
0,2
0,4
0,6
0,8
1,2424
0,016
0,19
0,335
0,044
1,15
0,061
0,326
0,024
0,123
0,139
1,006
0,131
0,370
0,071
0.083
0,203
0,818
0,220
0,314
0,139
0,171
0,176
0,601
0,318
0,018
0,181
0,212
0,113
0,062
Fig. 9.9. Spectrul de armonici.

Principalele observaii care rezult din figura 9.9 i tabelul 9.1 sunt:
- spectrul de armonici este bogat;
- amplitudinea armonicilor este variabil cu modulaia n amplitudine m A , neexistnd o
regul de dependen fa de aceasta;
- armonicile sunt relativ mai mici n benzile laterale ale i m F ;
- prima armonic h m F , este cea mai important, fiind comparabil cu fundamentala.
Singurul lucru controlabil este rangul armonicii, n sensul c prin alegerea unui m F
ct mai mare se mpinge ntreg spectrul spre frecvene mult mai mari dect fundamentala,
ceea ce poate fi favorabil pentru sarcinile obinuite de tip R+L.
n cazul modulaiei n amplitudine neliniare, n plus, fa de spectrul din figura 9.9,
apar i armonicile impare, caracteristice modulaiei quasirectangulare, deteriornd i mai mult
coninutul de armonici. Acesta este nc un motiv pentru care modulaia neliniar este puin
utilizat.
Alegerea modulaiei n frecven

La alegerea modulaiei n frecven se au n vedere dou lucruri:
plasarea armonicilor ct mai departe de fundamental;
L9-9
- evitarea apariiei principalelor armonici n spectrul audio, 6 20 KHz, n scopul

evitrii polurii sonore.
Se mai are n vedere i faptul c, n principal, invertoarele sunt utilizate pentru
alimentarea mainilor de c.a. cu reglarea la valoare constant a raportului tensiune / frecven,
cu limitarea superioar a frecvenei la 100 Hz. n aceste condiii, se utilizeaz dou tipuri de
modulaie n frecven:
2.9. PWM sinusoidal unipolar
Aceast variant de comand este prezentat pentru invertoarele monofazate de
tensiune n punte, figura 9.10.
Fig. 9.10. PWM sinusoidal unipolar

Singura diferen fa de modulaia bipolar const n existena a dou tensiuni de
comand u c t i u c t . Cele dou tensiuni de comand genereaz independent comanda
comutatoarelor statice de pe cele dou brae, 1 i 2, dup cum urmeaz:
1) Braul 1:
o
u c t v t , CS1 - nchis i CS1 - deschis;
o u c t v t , CS1 - deschis i CS1 - nchis;

2) Braul 2:
o u c t v t , CS 2 - nchis i CS 2 - deschis;
o u c t v t , CS 2 - deschis i CS 2 - nchis;
Corespunztoare acestei logici de comand, n fig. 9.10 sunt prezentate tensiunile

v1N t i v 2 N t , precum i tensiunea de ieire:
L9-10
v o t v1N t v 2 N t ;
(9.40)
Din analiza formelor de und obinute rezult urmtoarele:

- v o ( t ) are o variaie unipolar pe semiperioad;
- frecvena pulsurilor tensiunii v o ( t ) este dubl n raport cu modulaia unipolar, dei
frecvena de comutaie nu se schimb.
Fundamentala v1o t se calculeaz n acelai mod ca la bipolar, adic dup relaiile

(9.24) i (9.26). n privina coninutului de armonici al tensiunii de ieire v o ( t ) , lucrurile stau
diferit de cazul anterior. Tensiunile v1N t i v 2 N t , fiind identice cu cele de la PWM
bipolar, conin un spectru de armonici de forma celui din figura 9.9 i tabelul 9.1. Ca urmare
a modului de calcul al tensiunii v o ( t ) , relaia (9.40), coninutul de armonici a lui v o ( t ) este
diferit. Cele dou brae ale ondulorului fiind comandate cu dou tensiuni u c t i u c t ,
n antifaz, armonicile,de acelai tip, ale tensiunilor v1N t i v 2 N t pot fi n faz sau n
antifaz, n funcie de rangul armonicii. Calculul lui v o ( t ) prin relaia (9.40) permite o
curare apreciabil a spectrului de armonici, dac se alege adecvat modulaia n frecven
m F . Astfel dac:
(9.41)
mF 2 k ;
adic numr ntreg i par, armonicile pare coninute de v1N t i v 2 N t sunt n faz i prin
diferena dat de relaia (9.40) anuleaz. Spectrul de armonici, foarte favorabil, este prezentat
n figura 9.11.
Spectrul este cu att mai
favorabil cu ct dispar toate
armonicile de rang i m F , care au
valorile cele mai importante.
Frecvena dubl a pulsurilor
tensiunii v o ( t ) este de asemenea
favorabil
pentru
ondulaiile
curentului i o ( t ) . Acesta se determin
n acelai mod ca la PWM bipolar.
Ca urmare a limii mai mici a
pulsurilor tensiunii v o ( t ) , creterile
Fig. 9.11. Spectrul de armonici pentru MLI unipolare
i descreterile lui i o ( t ) sunt de

durat i amplitudine mai reduse,
ceea ce implic i a reducere
apreciabil a ondulaiei.
Toate
celelalte concluzii de la MLI bipolar
rmn valabile.
2.5. Modulaia pentru invertoarele n semipunte (cu un singur bra)

Un invertor monofazat de tensiune n semipunte este prezentat n figura 9.12.
Condensatoarele C i C , identice i de capacitate mare, alctuiesc un divizor de tensiune,

care permite realizarea unui punct de nul artificial 0, fa de care se conecteaz sarcina R+L.
L9-11
Fig. 9.12. Invertor monofazat n semipunte.

Comanda care se poate realiza este de tipul n und rectangular sau PWM sinusoidal
bipolar, cele dou comutatoare statice fiind comandate n antifaz. Tensiunea v o ( t ) are, dup
caz, forma din figura 9.3 sau 9.6, cu diferena c variaia, de tip bipolar, este ntre Vd 2 i
Vd 2 . Acest lucru conduce i la modificarea relaiilor de calcul (9.6), respectiv (9.24),
modificare care const n nlocuirea tensiunii de alimentare Vd cu Vd 2 .
Coninutul de armonici este cel caracteristic tipului de modulaie, figura 9.4, respectiv 9.9.
Singura problem este cea determinat de pstrarea tensiunilor Vd 2 pe cele dou
condensatoare C i C , adic neflotarea punctului de nul 0. acest lucru este asigurat n

permanen, indiferent de comutatoarele statice sau diode n conducie, ca urmare a faptului
c i o ( t ) se mparte n punctul 0 n doi cureni prin cele dou condensatoare. ntr-adevr, cele
dou condensatoare sunt relativ mult solicitate, ceea ce conduce uneori la realizarea acestui
tip de ondulor cu alimentare de la dou surse Vd 2 nseriate.
3. Aparate si echipamente utilizate
- sursa stabilizata 0 - 25 V / 3 A;
- reostat 6 k / 1A ;
- frecventmetru;
- osciloscop cu doua spoturi;
- voltmetru de tensiune alternativa 300V;
- ampermetru de curent continuu 1A;
- invertor cu tranzistoare in contratimp;
- invertor cu tranzistoare MOS comandat PWM.
4. Desfasurarea lucrarii
9.1. Invertor cu tranzistoare in contratimp si reactie in baza
1. Se identifica elementele montajului. Se conecteaza sursa de alimentare reglabila si
reostatul ca rezistenta de sarcina. Pentru E = 15V si RS=2,5k se vizualizeaza
urmatoarele forme de unda: uBE, i - curentul prin condensatorul C, tensiunea pe
condensator, curentul de colector, tensiunea colector-emitor, tensiunea u3 si u2.
2. La bornele 1 - 2, se conecteaza un frecventmetru, iar in paralel cu sarcina se conecteaza
un voltmetru electronic.
L9-12
3. Se traseaza caracteristicile u2(E) si f(E) pentru RS=2,5 k.

4. Pentru E=15V, se traseaza caracteristicile u2(RS) si f(RS). Pentru fiecare valoare a
rezistentei de sarcina se masoara curentul IA absorbit de la sursa de alimentare si se
calculeaza:
- puterea absorbita de la sursa de alimentare: PA=EIA;
- puterea utila disipata consumata de sarcina: PS=U22/RS;
- randamentul invertorului: =PS/PA.
5. Pentru E=15V si RS = 2,5 k se calculeaza analitic frecventa oscilatiilor folosind relatiile
9.19.5. Se compara rezultatele calcului cu valorile determinate experimental.
9.2. Invertor monofazat PWM sinus pur
1. Se identifica elementele montajului;
2. Se vizualizeaza formele de unda pentru tensiunile de comanda, pentru tensiunea de iesire;
3. Se realizeaza simularea montajului de mai jos.
9
10
1
2
3
4
5
6
7
U1
OSC1/CLKIN
OSC2/CLKOUT
MCLR/Vpp/THV
RB0/INT
RB1
RB2
RB3/PGM
RB4
RB5
RB6/PGC
RB7/PGD
RA0/AN0
RA1/AN1
RA2/AN2/VREFRA3/AN3/VREF+
RA4/T0CKI
RA5/AN4/SS
RC0/T1OSO/T1CKI
RC1/T1OSI/CCP2
RC2/CCP1
RC3/SCK/SCL
RC4/SDI/SDA
RC5/SDO
RC6/TX/CK
RC7/RX/DT
21
22
23
24
25
26
27
28
11
12
13
14
15
16
17
18
U1(RB1)
R1
R1(2)
200k
R2
200k
C1
100n
C2
100n
PIC16F873
5. Intrebari. Tema de casa

1. Deduceti relatia frecventei pentru invertorul fara condensator (pozitia 1 si 2 a
comutatorului K) si comparati cu valorile experimentale obtinute la E=15V, R S=2,5k.
Se va folosi schema echivalenta a transformatorului din figura 9.2. Prin compararea
valorilor calculate si experimentale, deduceti daca pe pozitia 1 miezul transformatorului
se satureaza sau nu.
2. De ce este posibila trecerea curentului invers prin tranzistoare? Daca conductia inversa nu
este posibila, cum trebuie modificat circuitul din figura 9.1 pentru a functiona?
3. Explicati aparitia impulsului de curent consumat de la sursa de alimentare in momentul
comutarii directe a tranzistoarelor.
4. Care sunt cauzele aparitiei oscilatiilor parazite in timpul comutatiilor ?
5. Ce modificari apar in functionarea invertorului autooscilant atunci cand cele doua
tranzistoare au mult diferiti?
6. Propuneti o organigrama de comanda PWM sinusoidala.
L9-13
7. Completati schema din figura 9.5 cu elemente de protectie la supratensiune si supracurent.

8. Comparati, din punct de vedere energetic, distorsiuni ale tensiunii pe sarcina etc.,
invertoarelor PWM cu cele cu tensiune de iesire dreptunghiulara.
9. Completati schema din figura 9.5 cu un circuit de stabilizare a tensiunii de iesire la
variatiile sarcinii si ale tensiunii de alimentare.
6. Bibliografie
1.
2.
3.
4.
Teodorescu, I., Electronica industriala, curs litografiat, I. P. Bucuresti, 1990.

Ponner, I., Electronica industriala, E.D.P., Bucuresti 1972.
5. Electronic Industrial II Teorie i Aplicaii, 250 pag, N. Bizon, 2000, Editura
6. Electronica de putere modelare si simulare, F. Ionescu, D. Alexa, s.a. 1997, Ed. Tehnica
L9-14
Lucrarea 10
TIRISTORUL; PARAMETRII STATICI SI DINAMICI
1. Scopul lucrrii
Scopul acestei lucrri este nelegerea aspectelor teoretice (prin modelare-simulare) i
practice privind metoda uzual de amorsare a tiristorului prin curent de comand pe poart. Se vor
face msurtori pentru determinarea curenilor de meninere IH, de blocare IB i de acroare IL,
precum i a altor parametrii specifici tiristoarelor.
Denumirea generic de tiristor este atribuit unei familii de dispozitive semiconductoare de
putere, avnd o funcionare de tip bistabil i similariti de structur intern.
Caracteristica static curent (iA) - tensiune (vAK) a unei structuri pnpn (cu sau fr electrozi de
poart - figura. 4.1) are forma tipic din figura 10.2.
Fig. 10.1
La polarizarea direct a structurii
pnpn (potenalul din anod mai mare
dect cel din catod), pe poriunea 0-1 a
caracteristicii, dispozitivul susine
tensiunea aplicat (jonciunea J2 este
blocat), fiind n starea de blocare n
direct. Dac tensiunea direct aplicat
(vAK) atinge valoarea VF(BO) (breakover
voltage) dispozitivul trece rapid prin
zona de rezisten negativ 1-2 (dvAK/diA
< 0), ajungnd n conducie direct. n
conducie direct (poriunea 2-3 a
caracteristicii) dispozitivul pnpn se
Fig. 10.2
comport ca o diod redresoare n
conducie, fiind utilizat un model liniar analog diodei cu jonciune pn n conducie:
vAK= VT + rFTiA
unde:
L10-1
rFT este rezistena n conducie direct a tiristorului;

VT este tensiunea pe tiristorul aflat n
conducie direct (VT=12V pentru
densiti de curent de aproximativ
100A/cm2).
n polarizare invers (- pe anod i + pe
catod) dispozitivul pnpn se afl n poriunea 0-4 a
caracteristicii n polarizare invers (jonciunea J1
blocat susine tensiunea aplicat, deoarece
VBR(J3)=1030V). Dac tensiunea invers aplicat
atinge valoarea VBR (breakdown voltage), curentul
invers prin dispozitiv crete foarte rapid, provocnd
distrugerea dispozitivului.
Amorsarea prin aplicarea unei tensiuni
directe vAK=VF(B0) se utilizeaz pentru diodele
Fig. 10.3
tiristoare (dioda Schockley figura 10.1.a, diacul
etc), fiind evitat la triodele i tetrodele tiristoare (figurile 4.1. c respectiv d) deoarece se pot
distruge dispozitivele respective.
Amorsarea tiristoarelor convenionale (figura 10.1.c) se obine prin aplicarea unui curent
pozitiv de poart iG>0 (obinut prin aplicarea unei tensiuni vGK > 0) cnd tiristorul este polarizat
direct, amorsarea avnd loc la tensiuni vAK > 0 din ce n ce mai mici dac valoarea curentului de
poart crete (figura 10.3).
Dup amorsare, tiristorul rmne n starea de conducie dac curentul anodic iA este mai
mare dect valoarea curentului de agare IL (latching current). Dispozitivul rmne n conducie
atta timp ct curentul anodic este mai mare dect curentul de meninere IH (holding current). Avem
IL > IH.
Denumirea de "redresor comandat din siliciu", prescurtat SCR (Silicon Controlled Rectifier),
este utilizat i n prezent (vezi biblioteca utilizat de SPICE) pentru tiristorul convenional.
Comutarea n conducie a tiristoarelor convenionale se face uzual prin curent de comand pozitiv pe
poart, continuu sau n impulsuri. Tensiunea minim continu (VGT) aplicat pe poart fa de catod
i curentul continuu minim de poart (IGT), care determin o amorsare sigur a tiristorului sunt
parametri importani ai acestora. mpreun cu puterea disipat n poart, acetia determin valorile
componentelor din circuitul de comand.
Domeniul de amorsare
sigur (figura 10.4) este limitat
superior de puterea de vrf de
comand (n impulsuri) sau
medie de comand (n curent
continuu). Inferior, domeniul se
extinde odat cu creterea
temperaturii dispozitivului.
Odat
cu
creterea
temperaturii, curentul rezidual
din jonciunea J2 poate deveni
comparabil cu IGT, tiristorul
putnd amorsa termic (fr
Fig. 10.4
comand pe poart).
Aplicarea unui curent n poarta unui tiristor determin o injecie de goluri (purttori
majoritari) n stratul p2, polariznd direct jonciunea J3. n momentul n care jonciunea J3 se
deschide, stratul n2 injecteaz electroni n zona p2, care ajungnd n cmpul electric al jonciunii J2
sunt transferai n stratul n1 (golurile nu trec prin jonciunea J2). Acest fenomen de separare
L10-2
determin
scderea
concentraiei
purttorilor n zona jonciunii J2.
Deoarece:
uAK=VJ1+VJ2+VJ3
scderea tensiunii de blocare a jonciunii
J2 (figura 10.5) determin mrirea
tensiunii de deschidere a jonciunii J1 i
J3, iniiindu-se procesul tranzitoriu de
amorsare a tiristorului.
Fig.4.5
Evident, acest fenomen ncepe din
zona catodului apropiat de terminalul porii,
conducia curentului anodic iniial I(0) fcnduse prin aria iniial n conducie (initial on-area
figura 10.6).
Curentul anodic continu s produc
fenomene de injecie de purttori prin
jonciunile J1 i J3, determinnd extinderea
canalului de amorsare pe toat suprafaa
catodului. Viteza vs cu care se desfoar acest
fenomen crete cu densitatea curentului anodic
i are valori n gama 0,030,1mm/s.
Dispozitivele pnpn pot fi amorsate cu
semnale optice situate n banda de rspuns
spectral a siliciului.
Fig.4.6
Pe lng amorsare prin breakover
(autoamorsarea), care este de tip parazit i distructiv, pentru tiristoarele cu terminal de poart,
amorsarea prin efect dv/dt este de asemenea distructiv.
La aplicarea unei tensiuni anodice vD de tip ramp, datorit capacitii de barier a
jonctiunii J2
C J 2 (t )
2 0 r N D1
qv D (t )
apare un curent de deplasare

avnd densitatea:
jd =
dC J 2 (t)
dv (t)
dq
dv (t)
= C J 2 (t) D + v D (t)
C J 2 (t) D
dt
dt
dt
dtFig. 10.7
Valoarea sa medie este:
j d0 = C J
dv D (t)
dv (t)
= 2C J ( V RF ) D
2
dt
dt
unde: VRF este valoarea final a tensiunii anodice.

Mrirea capabilitii de protecie la efectul dv/dt pentru dispozitivele pnpn se poate obine
prin conectarea unui grup RC (denumit snubber) n paralel pe dispozitiv (Fig. 10.7.a).
L10-3
Conectarea unui rezistor RG ntre poart i catod determin devierea unei pri din curentul
de deplasare din baza p2, mrind capabilitatea de protecie la dv/dt (fig.4.8.).
Fig.4.8
Procesul de amorsare a tiristoarelor de putere, deci care au o arie a catodului mare, innd
cont c extinderea zonei de conducie direct (on-zone spreading) se face cu viteza finit, vs,
determin limitri ale ratei de variaie a curentului anodic di/dt.
n circuitele care utilizeaz tiristoare convenionale, cu capabilitate n di/dt limitat la
50200A/s, limitarea pantei de cretere a curentului anodic se obine prin utilizarea unei inductane
serie L (de ordinul H sau zeci de H) (Fig. 10.7.b). Mrirea capabilitii n di/dt la tiristoarele
moderne la 300 1000A/s se obine prin utilizarea unui amplificator de poart integrat (integrated
amplifying gate) care acioneaz doar n primele faze ale procesului tranzitoriu de amorsare (Fig.
10.9.a). Schema echivalent simplificat a unui tiristor cu amplificator de poart integrat (Fig.
10.9.b) se aseamn cu configuraia Darlington a dou tranzistoare.
a)
Fig. 10.9
b)
n Fig. 10.10.a,b se prezint schema i formele de und privind caracteristica static de

amorsare n curent continuu la diferii cureni anodici iG(vG)|iA .
L10-4
a)
Fig. 10.10
b)
Pentru acelai tiristor se prezint n figura 10.11.a,b schema, principiul i rezultatele obinute
prin simulare privind determinarea curenilor IL i IH .
a)
b)
Fig. 10.11
Necesitatea unei anumite puteri de comand este ilustrat n Fig. 10.12.a,b, unde se aplic
impulsuri de durat fix i amplitudine variabil, respectiv impulsuri cu amplitudine fix i durat
variabil.
Fig. 10.12.a
L10-5
Fig.4.12.b
Modificarea n timp a curentului anodic i a tensiunii
anodice indic etapele procesului de amorsare a tiristorului (Fig.
10.13.a,b) .
Timpul de ntrziere la amorsare tgd depinde n principal de
curentul de amorsare IG , scznd odat cu creterea lui RG. Timpul
de cdere a tensiunii tfu nu mai depinde de IG ci, n principal de
caracterul circuitului anodic, scznd odat cu creterea inductanei
din circuitul anodic. Timpul de stabilizare tst depinde de parametrii
constructivi ai tiristorului. n timpul amorsrii, n tiristor, energia
electric se transform n energie termic. Puterea disipat n timpul
amorsrii Pd este reprezentat n Fig. 10.13.c.
Fig. 10.13.b
L10-6
Fig. 10.13.a
Fig. 10.13.c
3. Aparate i echipamente utilizate:
-
ampermetru de c.c. i c.a;

voltmetru de c.c.;
surs de tensiune continu;
transformator reea 220/12+12;
osciloscop cu dou canale;
reostat;
machet de laborator (Fig. 10.14). Cu ajutorul comutatorului K se selecteaz tiristorul de mic,
respectiv medie putere care va fi testat, iar cu K1 se aplic impulsurile de comand cnd este
cazul.
Fig. 10.14
L10-7
4.1. Experiment
1. Caracteristica static de amorsare n c.c. a tiristorului
a. Se verific datele de catalog ale tiristoarelor de pe macheta de laborator;
b. Se identific componentele de pe macheta de laborator (figura 14);
c. Se realizeaz montajul din figura 10.15;
Fig. 10.15
d. Se regleaz reostatul R la minim, rezistena corespunztoare limitnd curentul anodic sub
valoarea admis dat de catalog;
e. Se mrete treptat valoarea sursei de tensiune continu pn la amorsarea tiristorului, de
exemplu, amorsarea este semnalizat optic prin stingerea becului B;
f. Se noteaz valoarea tensiunii i curentului de amorsare, indicat de voltmetrul V1 i
ampermetrul A1;
g. Se repet experimentul pentru celalalt tiristor i apoi se urmrete efectul modificrii
curentului anodic asupra parametrilor de amorsare (o valoare medie i maxim de reglaj a
reostatului). Se noteaz valoarea reglat iA;
h. Se ridic caracteristica (uG,iG)|iA la amorsare pentru tiristoarele testate.
2. Msurarea curentului de meninere, blocare i acroare
a. Se realizeaz montajul din Fig. 10.16.
Fig. 10.16
b. Se regleaz reostatul la valoarea minim i se fixeaz sursa de tensiune continu la
L10-8
aproximativ 1V.
c. Se alimenteaz montajul; voltmetru V va indica prezena tensiunii n starea blocat direct a
tiristorului.
d. Cu comutatorul K1 se aplic impuls de amorsare a tiristorului. Se citete valoarea tensiunii
anodice cnd tiristorul este n conducie.
e. Se mrete rezistena din circuitul anodic, urmrindu-se indicaia ampermetrului A. La un
moment dat tiristorul se va bloca (indicaia ampermetrului este 0, iar a voltmetrului este din nou
egal cu valoarea tensiunii de alimentare). Se reine ultima indicaie a ampermetrului, curentul
anodic minim n conducie, deci valoarea curentului de meninere IH.
f. La valori i mai mare ale rezistenei anodice, se nchide - deschide K1 i se urmrete
modul cum conduce tiristorul; practic tiristorul are o funcionare asemntoare cu a unui tranzistor
pn cnd curentul anodic scade sub valoarea de blocare IB. Se msoar curentul de blocare IB
mrind rezistena reostatului pn se observ blocarea tiristorului.
g. Se micoreaz apoi, treptat, rezistena reostatului, aplicndu-se totodat i impulsuri de
comand. Pentru o anumit valoare a curentului anodic IL, numit curent de acroare, tiristorul
rmne n conducie i dup dispariia impulsului de comand (K1 deschis). Se reine aceast valoare
IL.
h. Se fac msurtorile pentru ambele tiristoare.
3. Amorsarea tiristorului cu impulsuri de comand
Fig. 10.17
a. Se realizeaz montajul din Fig. 10.17. Generatorul de impulsuri sincronizate cu reeaua de
alimentare are posibilitatea reglrii amplitudinii (ntre 010V cu R3) i duratei (ntre 0,2 - 200s cu
R2) acestora. ntrzierea fa de trecerile prin zero se fixeaz din semireglabilul R1.
b. Se unteaz inductana L; i se regleaz reostatul din circuitul anodic la R = Rmin.
c. Se vizualizeaz curentul iG i tensiunea de poart vG n momentul amorsarii tiristorului (K1
nchis) pentru diverse combinaii amplitudine - durat impuls. Se noteaz combinaiile care
determin limita inferioar a domeniului de amorsare sigur.
d. Se introduce inductana L n circuitul anodic i se repet punctul c., pentru combinaiile
Rmin - Lmin i Rmin - Lmax.
e. Se vizualizeaz tensiunea anodic vA i de poart vG repetnd punctele c. i d.
f. Se repet experimentul i pentru cellalt tiristor.
L10-9
4.1. Simulare
Se vor determina prin simulare, pentru cteva tipuri de tiristoare din librria SPICE:
1. Caracteristica (iG, uG)|iA (figura 10.10);
2. Curenii de acroare, meninere i blocare (figura 10.11);
3. Parametrii puterii de comand la amorsare (figura 10.12);
4. Modificarea n timp a curentului anodic, a tensiunii anodice i a puterii disipate n timpul
amorsrii (figura 10.13).
5. ntrebri. Teme de cas
1. Considernd jonciunile J1, J2 i J3 ca abrupte i asimetrice, iar dopajul celor patru straturi
ale structurii fiind de valorile N A1 10 3 ; N D1 N A 2 N D 2 1017 cm 3 , s se estimeze:
- tensiunile de strpungere n avalan VBR ale jonciunilor polarizate invers (J1, J2 i J3) ale
tiristorului n regim blocat, direct i invers;
- extinderea zonei de sarcin spaial W a jonciunii J2 la o tensiune egal cu VF(BO);
Indicaie: Se vor utiliza relaiile cunoscute:
2 r 0 ( V D - i ) 1
1
(
+
)
q
NA ND
kT N A N D
NA lp = ND ln i =
ln
q
ni2
W = ln +l p =
E max =
Se dau constantele:
ni=1,451010cm-3;
r=11,2;
0=8,8610-14F/cm.
2q
1
1
+
)
V R(
r 0
NA ND
2. Care sunt metodele de amorsare ale tiristorului?

3. Care sunt limitele domeniului de amorsare sigur?
4. Definii curentul de acroare, meninere i blocare. Ce importan are cunoaterea lor?
5. Cum se amorseaz tiristorul prin creterea brusc a tensiunii anodice? De ce nu se aplic
aceast metod?
6.Bibliografie
Dispozitive electronice de putere, Nicu Bizon, Ed. Matrix ROM
Electronica de putere modelare si simulare, F. Ionescu, D. Alexa, s.a. 1997, Ed. Tehnica
L10-10
Lucrarea 11
REDRESOARE COMANDATE
CONVERTOR CA-CC PENTRU COMANDA MASINII DE CC
1. Scopul lucrrii
Lucrarea i propune studiul detaliat al funcionrii convertorului monofazat cu
control prin faz, de tip:
- convertor monofazat monoalternan;
- convertor monofazat bialternan:
- cu punct median;
- n punte integral comandat;
- n punte semicomandat;
n acest scop se vor oscilografia formele de und al curenilor i tensiunilor n
punctele semnificative ale redresorului, n special pe sarcin.
Sarcina convertorului va fi de tip pasiv: rezistiv R, rezistiv-inductiv R-L, puternic
puternic inductiv L, respectiv de tip activ R-L-E (motor de curent continuu n serie cu o
bobin de filtrare). n consecin se va putea studia funcionarea convertorului att n regim
de conducie continu, ct i ntrerupt. Se va pune n eviden fenomenul suprapunerii
curenilor anodici i se va msura unghiului de suprapunere anodic. Se va evidenia rolul
diodei de nul.
Cu ajutorul mrimilor msurate experimental se vor trasa grafic:
- caracteristica de reglaj:
- caracteristicile externe:
U d
Ud0
U d
Ud0
- caracteristicile de sarcin:
f ;
I d ct
ct
Pd
Pd 0
f I d ;
ct
f I d ;
Rezultatele obinute experimental se vor compara cu cele obinute prin simulare. Un

obiectiv important l reprezint nsuirea cunotinelor practice legate de reglajul turatie
motoarelor de c.c.
Circuitul fundamental pentru convertorul monofazat monoalternan este prezentat
n figura 2.1, iar formele de und ale tensiunii i curentului pe sarcin R-L n figura 2.2.
Ecuaia curentului este:
i
unde:

U
,
sin sin exp
Z
tg
Z R 2 L 2 ,
tg
L
Q
R
(2.1)
(2.2)
Conducia se prelungete pn la unghiul de faz , cnd
Fig. 2.1
i 0 . Rezult ecuaia de definire a unghiului :

sin sin exp

tg
(2.3)
Se observ c:
(2.4)
(2.5)
(2.6)
Tensiunea redresat medie este:
U d
U
U cos cos
(2.7)
sin d
2
2
iar curentul mediu este:
I d
U d
R
Fig. 2.2
(2.8)
n
cazul
convertorului
monofazat
bialternan valorile medii sunt duble. Dac este
ndeplinit condiia (2.6), conducia curentului prin
sarcin este ntrerupt, deci:
U
2U cos cos
U d
, I d d (2.9)
2
R
Dac este ndeplinit condiia (2.4),
conducia curentului prin sarcin este nentrerupt.
Fiecare tiristor preia conducia de la cel precedent
i conduce jumtate de perioad, deci:
U
U
2U
U d
sin
cos , I d d (2.10)
Fig. 2.3

R
Notnd, pentru =0, cu Ud0, respectiv Id0
tensiunea redresat medie, respectiv curentul redresat mediu, se definete caracteristica de
reglaj:
U d I d
Ud0 Id0
(2.11)
cos cos
2
(2.13)
n
cazul
conduciei
nentrerupte
(bialternan i ) avem:
R cos ,
(2.12)
iar pentru conducie ntrerupt (bialternan i >
sau monoalternan) avem:
Soluiile ecuaiei (2.3) sunt reprezentate n

figura 2.3 (dependena unghiului de stingere ), iar
caracteristicile de reglaj n figura 2.4.
Fig. 2.4
L11-2
Curbele trasate cu linii pline corespund convertorului bialternan (inclusiv grania

dat de relaia 2.5), iar mpreun cu prelungirile acestora (cu linii ntrerupte)
corespund convertorului monoalternan.
Caracteristica extern a convertorului
monofazat bialternan, n cazul cel mai raspndit n
practic, cnd impedana generatorului are caracter
pur inductiv (LC) i sarcina este puternic inductiv,
este dat de relaia:
U d U d 0 cos
X c Id
(2.14)
Prin normare se obine caracteristica extern:

U d
U d0
cos
ct
Id
2U
(2.15)
, I sc2
I sc2
Xc
Fig. 2.5
n figura 2.5 sunt reprezentate

caracteristicile
externe
ale
convertoarelor
bialternan
cu
funcionare ntr-un cadran (vezi ecuaia
2.15).
0
Pentru 90 valoarea medie

a tensiunii devine negativ, determinnd
pe o sarcin pasiv (R-L), ncetarea
conduciei. Dac ns sarcina are un
caracter regenerativ (R-L-E) domeniul
de reglaj poate fi extins la tot domeniul
o, .
n figura 2.6 este reprezentat
fenomenul de suprapunere anodic (n
figura 2.3.a este prezentat schema
electric
de
comutaie
pentru
convertorul cu nul, iar n figura 2.3.b
tensiunea i curentul prin sarcin).
Pe durata suprapunerii anodice,
tensiunea redresat are valoarea:
Ud
1
u s u s2
2 1
Fig. 2.3.a)
(2.16)
L11-3
Fig. 2.3.b)
Deoarece u s u u s , pe durata comutaiei anodice tensiunea redresat este deci
1
2
ud 0 .
n figura 2.7 este reprezentat schema convertorului
monofazat n punct median i dou pulsuri (dubl alternan) iar
formele de und ale tensiunii i curentului pe sarcin sunt date n
figura 2.8, n cazurile: a - sarcina R; b - sarcina L; c i d - sarcina R-L
n regim de conducie continu , respectiv conducie
ntrerupt ;
Fig. 2.7
P
strnd notaiile, formele de
und rmn aceleai i pentru
convertorul monofazat n punte
complet comandat (figura 2.9:
a - schema electric; b, c, d faze de funcionare).
Avantajul convertoarelor
comandate monofazate n punte
este
acela
c
puterea
transformatorului de reea este
cu 11% mai mare dect puterea
util U d 0 I dN P0 (relaia
2.21), n timp ce la convertorul
monofazat cu punct de nul este
cu 34% mai mare (relaia 2.20),
Fig. 2.8
din cauza functionrii unei
singure jumti, din nfurarea secundar, la un moment dat.
L11-4
Fig. 2.9
Puterea transformatorului, considernd un raport de transformare egal cu 1 (Up=Us),
se determin cu relaia general:
Ptr
1
Pp Ps
2
(2.17)
Pentru convertorul monofazat cu punct de nul puterile din primar, respectiv

secundar, sunt:
Pp I efp U efp I d U efs I d
Ps 2 I efs U efs
Obinem:
Ptr
U do
2 2
2 2
I
2 d
U do Pd 0
2
22 2
1
1
Pdo 1.34 Pd 0
4
2
Pdo
(2.18)
(2.19)
(2.20)
Analog, obinem pentru convertorul monofazat n punte:
Pd 0
2 2
Pd 0 1.11Pd 0
(2.21)
n aplicaiile n care este necesar doar o tensiune redresat, pozitiv, adic

funcionarea numai n regim de redresor, o parte din tiristoarele convertoarelor monofazate n
punte pot fi nlocuite cu diode. Se obin astfel punile semicomandate la care tensiunea
redresat medie este:
U d
2U s 1 cos
,
unde Us=U reprezint amplitudinea n secundar.

Valoarea maxim a tensiunii redresate este:
L11-5
(2.22)
Ud0
2U s
(2.23)
n figura 2.10 este prezentat puntea monofazat semicomandat n dou variante de

amplasare a diodelolor (a simetric; b asimetric), iar n figura 2.11 sunt prezentate formele
de und ale tensiunii i curentului de alimentare, respectiv tensiunii i curentului redresat
pentru varianta simetric la un unghi de comand =450.
Fig. 2.10
Funcionarea acestui redresor n condiii reale este de asemenea nsoit de
fenomenul suprapunerii anodice i al conduciei ntrerupte, fenomene ce vor fi puse n
eviden prin oscilografierea curenilor n montajul exprimental.
n ceea ce privete forma i mrimea tensiunii
redresate, redresoarele monofazate n punte
semicomandat nu se deosebesc cu nimic de
redresoarele monofazate bialternan cu nul sau n
punte integral comandat care au diod de nul. n
schimb apare avantajul unei echipri mai ieftine.
Funcionarea convertoarelor analizate pn
acum n cazul unei sarcini de tip R-L-E (motor de
curent continuu) prezint anumite particulariti
datorit prezenei tensiunii electromotoare E (vezi
figura 2.12. n care este prezentat schema echivalent
a unui motor de curent continuu cu excitaie
independent, n regim staionar).
Astfel, pentru un unghi de comand dat,
funcionarea convertorului n regim de redresor poate
fi n regim de conducie permanent sau n regim de
conducie ntrerupt n funcie de nivelul tensiunii
electromotoare, care la rndul ei depinde de turaia
motorului (modificndu-se n funcie de sarcina la
arborele motorului).
Astfel, turaia motorului de curent continuu
este dat de expresia:
n
Fig. 2.11
U d Ra I d
Cc
iar cuplul electromotor dezvoltat este:

L11-6
(2.24)
M em C m I d
unde:
Cc
respectiv,
Cm
U N Ra I N
nN
(2.25)
(2.26)
U N Ra I N 30
Cc
N
(2.27)
E Ce n
(2.28)
De asemenea, tensiunea electromotoare E la bornele motorului este:
Schema echivalent din figura 2.12 este valabil n regim stabilizat Id=ct.
Mainile de curent continuu au o rezisten relativ mic. Din aceasta cauz, pentru a
limita curentul care apare datorit diferenei dintre tensiunea
redresat, variabil n timp, i tensiunea electromotoare E a
motorului, ntre redresor i motor se conecteaz o inductan
auxiliar (Laux).
n cazul cnd bobina Ld La Laux asigur o
conductan permanent (Id=ct.) obinem:
(2.29)
U d E R d I d ,
Fig. 2.12
unde Rd este rezultanta rezistenelor din circuitul de curent
continuu.
Neglijnd aceste pierderi, Rd=0, obinem:
U d U d 0 cos E
(2.30)
Fiind
n
cazul
conduciei
permanente, din relaia 2.5 rezult c pentru
un unghi de comand mai mare dect
,
2
tensiunea electromotoare i schimb semnul

(E<0).
Bineneles c sensul curentului
redresat nu poate s se schimbe deoarece
prin elementele redresoare curentul poate s
treac numai ntr-un singur sens. n acest
regim, maina de curent continuu
funcioneaz ca generator iar convertorul n
regim inversor. Energia generatorului de
curent continuu ajunge prin circuitul
Fig. 2.13
convertorului n reeaua de curent alternativ.
n figura 2.13. este prezentat
convertorul monofazat bialternan cu punct median n regim de redresor (a) i n regim de
invertor (b).
L11-7
n cazul cnd Ld scade, poate s apar regimul de conducie ntrerupt. Din ecuaia
diferenial:
Ld
se obine ecuaia curentului redresat:
id
d id
U s sin E ,
dt
Us
Ld
E
cos cos
Us
(2.31)
(2.32)
Curentul redresat se anuleaz la unghiul dat de relaia:
cos cos
E

Us
(2.33)
n figura 2.14 este reprezentat regimul de conducie ntrerupt al convertorului

monofazat bialternan (cu doua pulsuri): a - regim redresor; b - regim invertor (partea
haurat reprezint tensiunea de pe bobina Ld).
Funcionarea convertorului n cele dou regimuri de conducie (continu i ntrerupt)
difer foarte mult din punct de vedere a reglajului unghiului de comand. n cazul conduciei
permanente, o schimbare mic a unghiului de comand poate s determine modificarea
puternic a curentului motorului. n regiunea conduciei ntrerupte schimbarea curentului
necesit modificarea n mai mare masur a unghiului de comand.
n figura 2.15 sunt prezentate:

a - funcionarea convertorului n
conducie permanent (la 2 tensiunea
redresat este nul);
b - n conducie ntrerupt (curentul
redresat este nul i tensiunea la bornele
motorului este tensiunea electromotoare E;
c - caracteristicile externe de
conducie ntrerupt i permanent.
Fig. 2.14
L11-8
Fig. 2.15
L);

- voltmetru c.a/c.c i ampermetru c.c;
- reostat 033/66W (sarcina R); bobina de filtrare (autotransformator ATR 8) (sarcina
- baterie de acumulatori 12V (sarcina R-E);

- motor de c.c 12V (sarcina R-L-E);
- macheta laborator. Pe panoul frontal al machetei de laborator se gsesc urmtoarele
elemente de conectare, comutare i reglaj:
- comutatorul K permite configurarea convertorului ntr-una din variantele:
- p.m. monofazat bialternan cu punct median;
- c.c. monofazat bialternan n punte complet comandat;
- s.s. monofazat bialternan n punte semicomandat simetric;
- s.a. monofazat bialternan n punte semicomandat asimetric;
- ntreruptorul K0 pentru introducerea n circuit a diodei de nul;
- ntreruptorul K1 pentru introducerea n circuit a inductanei auxiliare de filtrare;
- ntreruptorul K2 permite introducerea inductanelor de comutaie n circuitul de
alimentare;
- poteniometrul P, pentru reglarea unghiului de comand .
- borne care permit accesul pentru vizualizarea i msurarea curenilor i
tensiunilor din circuitul redresoarelor
Experiment
a. Studiul convertoarelor monofazate (p.m.; c.c; s.s.; s.a.) cu reglaj de faz avnd
sarcin rezistiv.
1. Se conecteaz sarcina rezistiv (reostat) n serie cu ampermetrul (Id=0,5A),
untnd bobina auxiliar (Laux=0) i inductana de comutaie (Lc=0). Dioda de nul D0 nu este
conectat.
L11-9
2. Se msoar tensiunea efectiv aplicat la intrarea convertorului, determinndu-se

amplitudinea semnalului sinusoidal aplicat convertorului.
3. Avnd permanent n vedere semnul mrimilor vizualizate i alegerea corect a
punctulului comun de mas, se oscilografiaz urmtoarele mrimi caracteristice redresorului:
- tensiunea i curentul prin sarcin;
- tensiunile i curenii prin tranzistoarele i diodele care intr n schema
convertorului;
- tensiunea i curenii prin faze;
- tensiunea pe bobina de filtrare (cnd este cazul);
Toate oscilogramele se vor reprezenta grafic la scar, sincron, punndu-se n
eviden tensiunea sinusoidal de la intrarea convertorului i impulsurile de comand ale
tiristoarelor, eventual, grupndu-se graficele. Oscilogramele se vor face la un unghi de
comand =00, =300, =600 i un curent de sarcin Id=0,5A.
4. Se conecteaz un volmetru de c.c. pentru a msura tensiunea medie redresat Ud
(la bornele +L i M).
5. Se msoar experimental i se reprezint grafic caracteristicile de funcionare ale
redresorului:
- carcteristica extern: U d f I d ct , unde Id [0,2]A, iar =00, 300 i
600;
- caracteristica de comand extern a redresorului U d f

I
ct
la
I d 0,5 A
- caracteristica de sarcin Pd f I
la Id=0,5A, considernd Pd=Ud Id
d ct
3. Se determin unghiul de suprapunere anodic (cnd apare fenomenul), cu i fr

inductanele suplimentare de comutaie, determinndu-se inductanele de comutaie proprii
circuitului (adic inductanele de scpri ale transformatorului, inductanele firelor de
legatur, etc). Pentru Id=0,5A se determin unghiul cu i fr inductana auxiliar Lc,
pentru =00, 300, 600 i 900.
7. Se observ efectul conectrii diodei de nul D0 asupra funcionrii convertorului,
vizualiznd tensiunea i curentul de nul, precum i celelalte forme de und enumerate la
punctul 2.
b. Studiul convertoarelor monofazate cu reglaj de faz avnd sarcin puternic
inductiv. Se repet punctele 17.
c. Studiul convertoarelor monofazate cu reglaj de faz avnd sarcin rezistiv-
L
inductiv R L, tg
. Se repet punctele 17, suplimentar se va determina unghiul
, urmrind care este valoarea unghiului la care se face trecerea de la regimul de conducie
continu la regimul de conducie ntrerupt.
d. Studiul convertoarelor monofazate cu reglaj de faz avnd sarcina R-E (baterie de
acumulatori + reostat). Se repet punctele 17.
e. Studiul convertoarelor monofazate cu reglaj de faz avnd sarcina R-L-E (motor de
c.c. + bobin de filtrare). Se repet punctele 17. Suplimentar se va determina pentru =00,
300, 600 i 900, curenii de mers n gol i inductana bobinei de filtrare necesare pentru
asigurarea (la limit) a regimului de conducie continu.
L11-10
Simulare
1. Utiliznd programul SPICE se simuleaz funcionarea convertoarelor monofazate
(monoalternan sau bialternan: p.m.; c.c.; s.s.; s.a.) pe diverse tipuri de sarcin.
- R;
- R+L (>=lim), R+L (<=lim);
- R+E;
- R+L+E (>lim), respectiv R+L+E (<lim);
S-a notat cu lim valoarea unghiului de comand la care se face trecerea de la regimul
de conducie ntrerupt la cel de conducie continu.
2. Se compar rezultatele obinute prin simulare cu cele msurate experimental. Se
urmrete i comportarea n regim tranzitoriu, fenomen care nu poate fi observat
experimental.
3. Se analizeaz fenomenul comutaiei anodice pentru convertorul monofazat
bialternan cu punct median avnd sarcina puternic inductiv (Id=0,5A) la diferite unghiuri
de comand (pentru =00, 300, 600 i 900). Se compar rezultatele obinute prin simulare cu
cele obinute experimental.
5. ntrebri; teme de cas
1. Ce se ntmpl n cazul sincronizrii incorecte a schemei electronice de comand
cu schema electronic de for?
2. Care este efectul mririi bobinei de filtrare, Laux?
3. De cine depinde unghiul de suprapunere anodic ?
4. De ce este necesar s cunoatem unghiul de comand specific limitei dintre cele
dou regimuri de conducie (lim)? Cu ce element de circuit putei influena aceast valoare
limit?
5. Ce se ntampl dac se monteaz o diod de nul la ieirea convertorului? Care va
fi forma caracteristicii externe n acest caz?
6. De ce nu poate deveni negativ tensiunea redresat n cazul convertorului
monofazat bialternan cu diod de nul, respectiv convertorului monofazat bialternan n
punte semicomandat?
7. Ce diferene exist n funcionarea convertoarelor de tip s.a., respectiv s.s.?
8. Ce relaie exist ntre turaia motorului de curent continuu n regim stabilizat i
unghiul de comand al convertorului?
9. Cum operai cu motorul de curent continuu, aflat pe post de sarcin variabil,
legat printr-un cuplaj elastic de motorul de curent continuu comandat de convertor, pentru a
trece convertorul n regim de invertor?
6. Bibliografie
Convertoare de Putere utilizate in Sistemele de Generare a Energiei, 160 pag, N.
Bizon, M. Oproescu, 2007, Universitii din Piteti, Piteti, ISBN 978-973-690-644-2
Tehnica
L11-11
L11-12
Lucrarea 12
CIRCUITE DE COMAND A TIRISTOARELOR
CIRCUITE DISCRETE SI SPECILIZATE PENTRU COMANDA
TRANZISTOARELOR
1. Scopul lucrrii
Lucrarea i propune s prezinte circuitele de comand n faz, plecnd de la cele discrete
spre cele specializate. Un obiectiv important l reprezint nsuirea cunotinelor legate de
utilizarea circuitului integrat AA 145.
2.1. Particularitile comenzii pe poart a tiristorului
De obicei producatorul de tiristoare indic valorile curentului de poart IGT i tensiunii de
poart UGT care asigur amorsarea la o temperatur de 25oC. Astfel,
pentru tiristoarele de mic putere T1N* produse de IPRS Bneasa,
aceste mrimi au valorile IGT=10mA, UGT=1V. Aceste date sunt
valabile pentru un regim de curent continuu, dar ele pot fi folosite i
ntr-un regim de comand n impulsuri, dac impulsurile de
comand au forma rectangular cu o durat mai mare de 20-100 s
(n funcie de tipul tiristorului). n
cazul cnd durata impulsurilor de
comand este mai mic este necesar
s se mreasc n mod corespunztor
amplitudinea lor.
Fig. 12.1.a
n cazul cnd tiristorul este
amorsat (vezi figura 12.1.a), curentul trece prin dispozitiv (i prin
sarcin) numai ct timp iA > IH .
Se poate obine
Fig. 12.1.b
un redresor cu tensiune
continu reglabil, denumit i redresor comandat
(figura 12.1.b), dac comanda prin intermediul
curentului de gril (iG) se ntrzie, mai mult sau mai
puin, n raport cu nceputul alternanelor pozitive.
Funcionarea acestui circuit este ilustrat de
diagramele din figura 12.2. n multe cazuri ntrzierea
la amorsare este exprimat prin unghiul a (denumit
unghi de comand), corespunzator timpului de
ntrziere ta:
a = ta ,
unde este pulsaia tensiunii reelei de alimentare.
Modificarea acestui unghi se obine cu ajutorul
unor circuite electronice denumite circuite de comand
n faz (sau circuite de formare a tensiunii de comand
n faz).
Fig. 12.2
L12-1
2.2. Circuite de comanda n faz a tiristoarelor cu componente discrete

Cele mai multe scheme de comand folosesc drept surs de energie pentru amorsarea
tiristorului chiar tensiunea de alimentare a dispozitivului, care poate fi o tensiune alternativ
(Fig. 12.3.a, b, c), sau o tensiune pulsatorie obinut dup o redresare dubl-alternan (Fig.
12.3.d).
a)
b)
c)
d)
Fig. 12.3
n schema din Fig. 12.3.a tiristorul amorseaz cnd valoarea instantanee a tensiunii de
alimentare u satisface egalitatea:
u = IGT (RC + RS) + UGT+ VD
unde VD este cderea de tensiune pe diod (0,6 V), RS este rezistena de sarcin, iar IGT respectiv
UGT sunt valorile curentului i tensiunii de poart
care asigur amorsarea sigur a tiristorului.
Schema din Fig. 12.3.a permite un reglaj al
unghiului de comand n faz (prin creterea
rezistentei RC) pn la unghiul maxim a(max)= 90.
Aceleai performane se obin i cu schema din Fig.
12.3.b. Aici, unghiul de comand crete cu mrirea
Fig. 12.4
constantei de timp = RC CC.
Schema din figura 12.3.c permite obinerea unor valori a >90. Condensatorul CC se
ncarc prin dioda D1 pn la valoarea de vrf (-Umax) n timpul alternanei negative (cnd
tiristorul este blocat). Atunci cnd tensiunea de alimentare ncepe s creasc, dioda D1 se
blocheaz i apare n circuitul de descrcare rezistena RC. Constanta de timp la descrcare fiind
mult mai mare dect la ncrcare (RC >> RS), este posibil, prin ajustarea (n sensul creterii)
rezistenei RC, ca la sfritul alternanei negative s avem nc o tensiune negativ pe
condensator. Pe alternana pozitiv condensatorul se descarc complet, iar apoi se ncarc,
schimbnd polaritatea tensiunii, pn la tensiunea necesar pentru amorsarea tiristorului (vezi
figura 12.4 n care tensiunea redresat este precizat prin aria haurat).
Constanta de timp se alege n acest caz cu relaia:
T
4
RC CC 1,3
2
unde = 2f = 2 /T.
L12-2
Referitor la schema din figura 12.3.d, ea funcioneaz la fel ca i schema din figura
12.3.b, cu deosebirea c tiristorul conduce curent n timpul ambelor alternane (figura 12.5).
O schem de comand mai perfectionat care
permite reglajul ntrzierii la aprindere ntre a=0
i a=180 este prezentat n figura 12.6.
Tiristorul este comandat n timpul fiecrei
alternane cu o tensiune n form de impulsuri,
produs cu ajutorul unui tranzistor unijonciune
(TUJ). TUJ-ul este configurat ntr-o schem de
Fig. 12.5
oscilator de relaxare, circuitul de reglaj a
perioadei oscilaiilor (RC + CC) fiind alimentat,
ca i n schemele precedente, cu tensiunea de reea limitat la o valoare de aproximativ 1225 V
cu ajutorul unei diode Zener (Dz). Funcionarea circuitului de comand este redat de formele de
und reprezentate n figura 12.7, unde uZ este
tensiunea de alimentare limitat de dioda
Zener, iar uC tensiunea la bornele
condensatorului din circuitul de comand.
Cnd tensiunea uC ajunge la nivelul de
basculare VT al tranzistorului unijonciune,
condensatorul se descarc prin circuitul de
emitor (emitor-baza l) i rezistenta RBl. La
bornele rezistenei RB1 apare un impuls care
amorseaz tiristorul. Dup descrcarea
condensatorului, TUJ-ul se blocheaz din nou,
iar fenomenele se repet. Condensatorul se
ncarc i descarc, producndu-se i alte
impulsuri la bornele rezistorului RBl, care ns
Fig. 12.6
practic nu mai au nici o aciune asupra
tiristorului aflat deja n conducie, dac primul impuls ndeplinete condiiile de amorsare.
Datorit alimentrii TUJ-lui cu o tensiune de form aproximativ trapezoidal, sincron cu
reeaua, primul impuls de la oscilator (care amorseaz tiristorul n fiecare alternan) apare
practic la acelai moment dup trecerea prin zero a tensiunii reelei. ntr-adevr, la sfritul
fiecrei alternane tensiunea uZ scade la zero, oblignd condensatorul CC s se descarce pn la
aceeai tensiune, deci are loc resetarea sa. n acest mod condensatorul reia procesul de ncrcare
la nceputul fiecrei alternane de la acelai nivel de tensiune (0 V), asigurndu-se astfel o
"sincronizare" a impulsurilor de comand cu tensiunea de alimentare a circuitului anodic al
tiristorului.
Fig. 12.7
n schema din figura 12.6. variaia unghiului de comand se obine prin modificarea
constantei de timp a circuitului, =RCCC. Este posibil ns i o comand electronic a unghiului
L12-3
a cu ajutorul unei tensiuni continue care s alimenteze circuitul de ncrcare, meninnd

valoarea constant (astfel se efectueaz un reglaj
automat al puterii disipate n sarcin sau reglarea
valorii medii a tensiunii redresate, prin modificarea
corespunztoare a unghiului de comand n faz n
bucla de reacie negativ).
O schem de comand a unghiului de
amorsare printr-o tensiunea continu ucom este
prezentat n figura 12.8.
n acest caz tensiunea continu ucom
controleaz curentul de ncrcare a condensatorului
CC prin intermediul unui generator de curent
(realizat cu un tranzistor pnp). Neglijnd curentul
de baz al tranzistorului i notnd cu iC curentul de
Fig. 12.8
colector, tensiunea la bornele condesatorului este
dat de expresia:
uC
u com
1 t
t
iC dt U C (0)
CC 0
RC C C
Dac tensiunea continu de alimentare a circuitului de comand are valoarea E,

tranzistorul unijonciune intr n conducie n momentul t=ta, cnd uC=E, unde reprezint
raportul de divizare intrinsec al tranzistorului unijonciune. Timpul de ntrziere
t a RC C C
u com
, poate fi modificat uor prin variaia tensiunii continue de comand ucom.
Pentru sincronizare, tensiunea de alimentare a circuitului de comand se obine din

tensiunea reelei de alimentare cu ajutorul unei diode Zener.
2.3. Circuitul integrat AA 145
Tiristoarele convertoarelor cu comutaie natural se comand cu impulsuri sincronizate cu
reeaua de alimentare monofazat sau trifazat. Impulsurile de amorsare se genereaz cu ajutorul
unor scheme de comand logice i analogice.
Fig. 12.9
L12-4
Cu ajutorul acestor scheme, momentul amorsrii tiristoarelor se regleaz n timp, pe

durata semiperioadei reelei de alimentare. Reglajul se poate efectua n bucl nchis sau n bucl
deschis, n funcie de schema de principiu a convertorului de putere.
Schemele electronice de sincronizare cu reeaua folosesc componente electronice discrete
sau integrate. Circuitul integrat AA 145 este un circuit monolitic dezvoltat special pentru
rezolvarea problemelor de sincronizare cu reeaua.
Fig. 12.10
Fig. 12.11
Tehnologia de realizare monolitic are toate avantajele cunoscute privind funcionarea
circuitelor integrate: precizie, stabilitate, dispersie mic a parametrilor, termostatare (temperatur
egal a tuturor componentelor), siguran n funcionare, pre redus etc.
Schema bloc a circuitului AA 145 este prezentat n figura 12.9 i ea cuprinde:
- etajul de sincronizare;
- etajul generator de tensiune liniar variabil (ramp descresctoare);
- comparatorul de tensiune;
- generatorul de impuls;
- etajul logic separator de canale;
- amplificatoarele de ieire.
Etajul de sincronizare este alimentat cu tensiune alternativ printr-un divizor rezistiv,
limitnd sinusoida reelei la o amplitudine egal aproximativ cu tensiunea baz-emitor (0,8V).
Tensiunea reelei fiind de 220Vef, rezult practic fronturi verticale la fiecare trecere prin zero a
acesteia. Unda dreptunghiular sincronizeaz un generator de impulsuri, care genereaz un
impuls scurt la fiecare trecere prin zero. n cazul cnd tensiunea vSINC traverseaz nivelul 0V
(vezi figura 12.10), avnd valori n ambele domenii de tensiune (pozitiv i negativ), sunt
generate impulsuri la ambele ieiri ale circuitului AA 145. Circuitul de sincronizare, odat
L12-5
declanat, nu mai este influenat de variaia ulterioar a semnalului vSINC, atta vreme ct acesta
nu trece din nou prin zero.
Etajul generator de tensiune liniar variabil (ramp descresctoare) este declanat de
impulsurile ascuite i genereaz o ramp descresctoare cu amplitudinea de aproximativ 8V.
Comparatorul de tensiune compar valoarea prescris (o tensiune ntre 0 i 8V) cu
rampa de tensiune. n momentul cnd prescrisa (tensiunea la pinul 8) devine mai mare dect
rampa, tensiunea de la ieirea comparatorului comut la valoarea negativ de alimentare (de la
+15V la -8V; vezi figura 12.9).
Generatorul de impuls este declanat de fronturile descresctoare ale tensiunii de la
ieirea comparatorului, rezultnd un tren de impulsuri de 100Hz defazat conform valorii
prescrise la intrarea inversoare a comparatorului.
Fig. 12.12
Etajul logic separator de canale distribuie impulsurile generatorului pe dou canale de
ieire, corespunztoare alternanelor pozitive i negative. Impulsurile distribuite au fronturi
corespunztoare i o durat reglabil ntre 0,1ms i 4ms (din P2e).
Amplificatoarele de ieire au rolul de a asigura impulsurilor de comand un nivel de
putere mai ridicat, suficient pentru a amorsa un tiristor de 1A.
Figura 12.11 red diagrama formelor de und la pinii integratului, caracteristice fiecrui
bloc funcional. Cifrele ncercuite pe figur
reprezint numrul pinului circuitului integrat
unde se poate oscilografia forma de und
respectiv.
Figura 12.12 reprezint schema tipic
de utilizare a circuitului integrat. Grupul
(RS+R2e)CS servete la fixarea duratei rampei,
deci o limitare a domeniului de reglaj la valori
mai mici dect 180.
Grupul (RT + R3e)CT servete la reglarea
limii impulsului de amorsare (tp).
Conectarea la pinul 6 a unei tensiuni de
+15V blocheaz impulsurile de la pinii de ieire
(10 i 14), independent de valoarea prescris la
pinul 8 i valoarea instantanee a tensiunii de
Fig.5.13
L12-6
sincronizare. Definiia unghiului de comand n faz (amorsare i aprindere) i a unghiului de

conducie rezult din figura 12.13.
Configuraia pinilor CI AA145:
1 - Alimentare(V+);
2 - Ieire monostabil;
3 - Mas;
6 - Blocare impuls;
7 - Ramp de tensiune;
8 - Comand faz;
9 - Intrare de sincronizare;
10 - Ieire;
11 - Comand durat;
13 - Alimentare(V-);
14 - Ieire;
15 - Referin de tensiune;
Fig. 12.14
16 - Sincronizare paralel.
Msurtori electrice i electronice
a) msuratori cu voltmetrul de c.c. (cu Ri 20k/V).
Deoarece AA145 este un circuit de impulsuri se pot realiza puine msurtori care s ne
dea informaii corecte despre starea de funcionare a acestuia; fa de mas avem potenialele la
pini:
- pinul 13: V3-13 7V;
- pinul 9: V9-3 0,6V;
- pinul 16: V16-3 < 0,1V;
- pinul 7: 3,5V <V7-3 < 4,5V.
b) msuratori cu osciloscopul (f > 100kHz i dou spoturi).
Recomandabil este ca osciloscopul s fie sincronizat pe un canal cu semnalul de pe pinul
9 i cu cellalt canal s se vizualizeze forma de und dorit. Baza de timp se regleaz
la 2 ms/div., iar sensibilitatea la 0,5V/div. pentru pinul 9 i la 5V/div. pentru pinii 10 i 14.
Formele de und din figura 12.11 se obin pentru V8 5V.
Aplicaii ale circuitului AA145*
Vom folosi notaia AA145* pentru a indica faptul c acest circuit se consider ca n
montajul din figura 12.12. Schemele de aplicaii ce vor fi prezentate n continuare vor conine
doar componentele externe suplimentare celor indicate n figura 12.12.
Aplicaia 1: Comanda monoalternan a unui tiristor de 1A
Curentul de poarta necesar pentru amorsarea tiristorului T1N4 (IPRS) este de 15 mA i
deci curentul de 22 mA
asigurat de AA145 este
suficient pentru amorsare.
Dioda D1 este necesar pentru
asigurarea blocrii tiristorului
pe intervalul cnd tensiunea la
pinul 14 de ieire este la
valoarea minim (tranzistorul
intern este saturat, curentul
fiind fixat de valoarea
rezistorului intern).
Fig.5.15
L12-7
Aplicaia 2. Comanda bialternan a dou tiristoare conectate antiparalel

Observm c ieirea 14 comand direct Th1 pe alternana pozitiv. Ieirea 10, prin
intermediul transformatorului de impulsuri TrI, comand Th2 pe alternana negativ (impulsul de
curent pozitiv este aplicat n poarta tiristorului). Dioda D1 evit aplicarea impulsurilor negative
(de exemplu, frontul negativ al impulsului de comand se transmite n secundarul
transformatorului sub forma unor tensiuni negative pe poart sau, accidental TrI poate fi conectat
invers) pe poarta lui Th2.
Fig. 12.16
Aplicaia 3. Comanda bialternan a tiristorului de 1A aflat ntr-un montaj n punte
Puntea redresoare 1PM4 realizeaz redresarea tensiunii de c.a. pentru a permite
polarizarea corect a tiristorului T1N4 n vederea amorsrii, att n timpul alternanei negative
ct i n timpul celei pozitive. Impulsurile de comand bialternan se obin cu circuitul sumator
realizat cu diodele D1 i D2.
Fig. 12.17
3. Echipamente necesare:
- soft de simulare ORCAD, PROTEUS
L12-8
4.1. Circuite discrete de comand n faz
1. Folosind schemele prezentate n fig.5.22, se studiaz modul de funcionare a circuitelor
de comand din fig.12.3.b i Fig. 12.3.c (impulsul de comand se preia cu clreul
corespunztor).
Fig. 12.18
Cu ajutorul simularii in ORCAD se vor vizualiza i desena formele de und de la
punctele de msur 2, 6, 4 i G, n raport cu catodul tiristorului (punctul de msur 1). Operaia
se va repeta pentru diferitele valori ale rezistenei RC. n acest scop rezistena RC este constituit
dintr-un poteniometru a crui valoare se poate regla ntre 0 i 0.5 M.
2. Folosind aceeai schema dar schimbnd comutatorul K pentru preluarea impulsului de
comand pe cealalt poziie, se studiaz funcionarea schemei de comand cu tensiune continu
din fig.12.8. n acest scop, la bornele 9 i 10 se va conecta o surs de tensiune continu
stabilizat, a crei tensiune de ieire va fi fixat la o valoare de 1V. Se vor vizualiza formele de
und din punctele de msur 2, 3 i 4 (n raport cu borna de mas 1), pentru diferite valori reglate
ale tensiunii continue.
4.2. Circuitul A145
Lucrarea se efectueaz folosind unul din montajele care conin schema de utilizare de
baz a circuitului integrat AA 145 (Fig. 12.12). Partea de for este conform figurilor 12.15,
12.17.
Dup realizarea schemei se fac urmtoarele reglaje:
- ajustarea din poteniometrul R2e a rampelor descresctoare, vizualizate la pinul 7, astfel
nct panta unei rampe s se termine exact atunci cnd ncepe urmtoarea ramp (vezi Fig.
12.11);
- reglarea limii impulsului de comand (1ms) vizualizat la pinul 10 (sau 14), din
semireglabilul R3e.
1. Se vizualizeaz i se interpreteaz formele de und de la pinii circuitului, conform
figurii 12.11, pentru diferite valori ale tensiunii de comand la pinul 8 al circuitului integrat; se
reprezent grafic =f(Ucom).
2. Se modific din poteniometrul R2e panta rampelor (optim reglat anterior), n ambele
sensuri; de fiecare dat se baleiaz tensiunea de comand observnd limitrile de reglaj ale
unghiului de comand care apar.
L12-9
5. ntrebri
1. n ce domeniu poate fi reglat unghiul de comand pentru schemele de comand n
faz studiate? Ce elemente influeneaz plaja de reglare i stabilitatea n timp a lui ?
2. Care sunt avantajele tehnologiei monolitice?
3. Care sunt blocurile funcionale ale circuitului integrat AA145?
4. De ce este necesar cuplarea unor rezistene de la ieirile circuitului integrat AA145,
ctre plusul tensiunii de alimentare?
5. Care convertoare necesit impulsuri de comand sincronizate cu reeaua ?
6. Definii unghiul de comand?
7. Care este rolul blocului care asigur repetiia impulsului de aprindere?
9. Concepei o schem bloc i una logic pentru un circuit digital de comand n faza.
6.Bibliografie
Tehnica
L12-10

Platforma EP

Încărcat de

Informații document

Drepturi de autor

Formate disponibile

Partajați acest document

Partajați sau inserați document

Opțiuni de partajare

Vi se pare util acest document?

Este necorespunzător acest conținut?

Drepturi de autor:

Formate disponibile

Platforma EP

Încărcat de

Drepturi de autor:

Formate disponibile

UNIVERSITATEA DIN PITETI

FACULTATEA DE ELECTRONIC, COMUNICATII I CALCULATOARE

Pentru aparatele conectate la utilizator

Intesitatea curentului (mAef)

Curent de scurgere prin pacient

Curentul de scurgere prin utilizator (cu

Curent de scurgere prin carcas

Curentul de scurgere prin utilizator (cu

Curent de scurgere la pamnt

Curent auxiliar de pacient

1.1.2. Protecia mpotriva electrocutrii i sigurana

- pri accesibile, protejate cu impedane de protecie, n cazurile n care prile conductoare

1.2. APARATE NECESARE

1.3.2. Msurarea curentului de scurgere care trece prin caset

Puterea total disipat de diod

- VT este tensiunea de prag a diodei;

- B este potenialul barierei de contact Schottky, care depinde n principal de natura

metalului utilizat pentru realizarea contractului ( B = 0.6 0.7 V pentru Cr,

- s este permitivitatea electric a semiconductorului n;

2.2. Dispozitive cu trei straturi

2.3. Dispozitive cu patru straturi

2.4. Optimizri ale structurilor de baza

2.5. Analiza comparativ a performanelor dispozitivelor semiconductoare de

Este important ca proprietile dispozitivelor semiconductoare s fie cunoscute atunci

7. Se conecteaz dioda D3 (Schottky) n circuit i se repet punctul 5.

Lucrarea de laborator numarul 3

valoarea efectiva a tensiunii redresate este:

Valoarea medie a curentului redresat este:

Sarcin rezistiv-capacitiv - conexiunea paralel (RC)

cos cos sin tg e tg 1

Redresorul monofazat bialternan

iar valoarea efectiv a tensiunii redresate este:

iar valoarea efectiv a lui este:

cu punct median i sarcin puternic-inductiv

2] conduce D2 i este blocata D1 (figura 1.7). Rezult, i n acest caz:

cu punct median i sarcin rezistiv-capacitiv - conexiunea paralel (RC)

Cu originea de timp n 0 ecuaiile curenilor din circuit (figura 1.10), pe intervalul

Cu notaiile din figura 1.11:

Tensiunea redresat este data de relaia:

n punte cu sarcin rezistiv R

formele de und caracteristice (figura 1.15) au aceeai alur cu cele de la redresorul

Relaiile de calcul stabilite la redresorul bialternan cu punct median rmn valabile

- valoarea efectiv a tensiunii redresate:

- valoarea medie a curentului redresat:

n punte cu sarcin puternic inductiv

se vizualizeaza curentul si tensiunea pe una dintre diode retinandu-se valorile maxime;

5. Intrebari. Tema de casa

Precizati care este efectul introducerii in serie cu rezistenta a inductantei la sarcina,

Convertoare, 180 pag.N. Bizon, 2004, MatrixROM, Bucureti, ISBN 973-685-836-7.

2.2. Comutaia tranzistorului bipolar ( HVT )

n cazul configuraiei Darlington (figura 4.8), innd cont de faptul c jonciunile BE i BC

t s(11a) < t s(11b) < t s(11c)

n general, valoarea optim a inductanei Lb se determin experimental. O estimare bun este

Timpul de stocare poate fi estimat cu relaia :

unde, n practic, se consider uzual:

Deoarece E R = 2 5 V, o valoare mic pentru ts se obine pentru o valoare mic a inductanei

2.4. Aria de funcionare sigur

atinge valoarea critic ( E crit ) pentru care se

Uneori pierderile n reeaua snubber pot fi considerabile i deci se pune problema

Reeaua D 5 - R 5 - C 5 formeaz un detector de vrf pentru limitarea tensiunii VCE. Inductana

Prin mprirea relaiei (5.3) la (5.4), notnd

Rezult imediat i formula variaiei curentului prin bobin:

Tensiunea stabilizat este proporional cu factorul de umplere al semnalului de comand;

2.2. Surse de tensiune cu izolare. Principii de funcionare