Sunteți pe pagina 1din 227

Constantin Stnescu

Materiale pentru electronic i


electrotehnic

EDITURA UNIVERSITII DIN PITETI


2006
ISBN: (10) 973-690-617-5; (13) 978-973-690-617-6

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

Cuprins
1.

INTRODUCERE ..................................................................................................................... 5
1.1.
1.2.
1.3.
1.4.

2.

STRUCTURA ATOMIC I MOLECULAR A SUBSTANELOR ............................ 14


2.1.
2.2.
2.3.
2.4.
2.5.
2.6.

3.

STRUCTURA ATOMILOR .................................................................................................. 14


FORE I ENERGII DE LEGTUR ..................................................................................... 17
LEGTURA IONIC .......................................................................................................... 19
LEGTURA COVALENT.................................................................................................. 22
LEGTURA METALIC..................................................................................................... 24
LEGTURA VAN DER WAALS.......................................................................................... 26

STRUCTURA CRISTALIN .............................................................................................. 28


3.1.
3.2.
3.3.
3.4.
3.5.
3.6.

4.

SCURT PERSPECTIV ISTORIC ....................................................................................... 5


RELAIA DINTRE STRUCTUR, PROPRIETI, PRELUCRARE............................................... 6
PRINCIPALELE CATEGORII DE MATERIALE ......................................................................... 8
PROPRIETILE MATERIALELOR ..................................................................................... 10

INTRODUCERE................................................................................................................. 28
REELE CRISTALINE ........................................................................................................ 29
PUNCTE, DIRECII I PLANE N REEA ............................................................................. 31
REEAUA RECIPROC (INVERS) .................................................................................... 32
REELE BRAVAIS ............................................................................................................ 35
STRUCTURI CRISTALINE REALE ....................................................................................... 36

DEFECTE I VIBRAII N SOLIDE ................................................................................ 47


4.1.
TIPURI DE DEFECTE ......................................................................................................... 47
4.2.
DEFECTE PUNCTIFORME .................................................................................................. 47
4.3.
DEFECTE LINIARE; DISLOCAII........................................................................................ 51
4.3.1. Exemple de dislocaii ................................................................................................ 53
4.3.2. Multiplicarea dislocaiilor ........................................................................................ 56
4.4.
DEFECTE PLANARE (BIDIMENSIONALE) ........................................................................... 57
4.5.
DEFECTE DE VOLUM ....................................................................................................... 58
4.6.
VIBRAIILE REELEI CRISTALINE .................................................................................... 58
4.6.1. Vibraiile reelei monoatomice unidimensionale ...................................................... 58
4.6.2. Vibraiile reelei unidimensionale biatomice ........................................................... 61
4.6.3. Vibraiile reelei tridimensionale ............................................................................. 63
4.6.4. Cuantificarea vibraiilor reelei; fononi.................................................................... 64

5.

DIFUZIA ................................................................................................................................ 67
5.1.
CONSIDERAII GENERALE ............................................................................................... 67
5.1.1. Mecanisme de difuzie ................................................................................................ 67
5.1.2. Densitatea fluxului de difuzie .................................................................................... 68
5.2.
TIPURI DE DIFUZIE .......................................................................................................... 68
5.2.1. Difuzia staionar...................................................................................................... 68
5.2.2. Difuzia nestaionar; a doua lege a lui Fick ............................................................. 68
5.2.3. Factori care influeneaz difuzia .............................................................................. 69

6.

PROPRIETI MECANICE ALE MATERIALELOR ................................................... 70


6.1.

DEFORMAREA MATERIALELOR ....................................................................................... 70

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

6.2.
6.3.
6.4.
6.5.

MECANISME DE DEFORMARE PLASTIC .......................................................................... 75


RUPEREA MATERIALELOR ............................................................................................... 80
FLUAJUL MATERIALELOR ................................................................................................ 82
PROPRIETI MECANICE ALE MATERIALELOR ELECTRONICE I ELECTROTEHNICE .......... 83

DIAGRAME DE FAZ ........................................................................................................ 85

7.

7.1.
7.2.
7.3.
7.4.
8.

DEFINIII ........................................................................................................................ 85
LEGEA FAZELOR (GIBBS) ................................................................................................ 85
TRANSFORMRI DE FAZ ................................................................................................ 86
DIAGRAME DE FAZ; LEGEA PRGHIEI............................................................................ 87

METALE ................................................................................................................................ 93
8.1.
8.2.
8.3.
8.4.
8.5.
8.6.
8.7.

9.

CONSIDERAII GENERALE ............................................................................................... 93


ALIAJE ............................................................................................................................ 95
PRELUCRAREA METALELOR ............................................................................................ 97
CONDUCTIVITATEA TERMIC I ELECTRIC A METALELOR ............................................. 99
COROZIUNEA METALELOR ............................................................................................ 100
MINEREURI METALICE .................................................................................................. 102
TRANSFORMRI DE FAZ N METALE ............................................................................ 103

MATERIALE CERAMICE ............................................................................................... 104


9.1.
9.2.
9.3.

10.
10.1.
10.2.
10.3.
11.
11.1.
11.2.
11.3.
11.4.
12.

CONSIDERAII GENERALE ............................................................................................. 104


FORMAREA I PROCESAREA MATERIALELOR CERAMICE................................................ 107
APLICAII ALE MATERIALELOR CERAMICE.................................................................... 108
POLIMERI...................................................................................................................... 111
NOIUNI GENERALE ...................................................................................................... 111
POLIMERIZAREA ........................................................................................................... 119
CARACTERISTICILE I PROCESAREA POLIMERILOR ........................................................ 120
FENOMENE TERMICE N SOLIDE .......................................................................... 126
CLDURA SPECIFIC A SOLIDELOR ............................................................................... 126
DILATAREA TERMIC A SOLIDELOR .............................................................................. 130
CONDUCTIBILITATEA TERMIC A SOLIDELOR ............................................................... 131
PROPRIETI TERMICE ALE MATERIALELOR ELECTROTEHNICE ..................................... 135
PROPRIETI ELECTRICE ALE MATERIALELOR ........................................... 137

12.1.
BENZI ENERGETICE N SOLIDE; TIPURI DE SOLIDE .......................................................... 137
12.2.
CONCENTRAIA DE PURTTORI N METALE ................................................................... 140
12.3.
CONDUCIA ELECTRIC LA METALE ............................................................................. 143
12.4.
CONCENTRAIA DE PURTTORI N SEMICONDUCTORI ................................................... 145
12.4.1.
Semiconductori intrinseci ................................................................................... 145
12.4.2.
Semiconductori extrinseci .................................................................................. 148
12.5.
CONDUCIA ELECTRIC LA SEMICONDUCTORI.............................................................. 152
12.6.
CURENI DE DIFUZIE N SEMICONDUCTORI.................................................................... 153
12.7.
MATERIALE DIELECTRICE ............................................................................................. 156
12.7.1.
Noiuni generale ................................................................................................. 156
12.7.2.
Piroelectricitatea ................................................................................................ 158
12.7.3.
Piezoelectricitatea .............................................................................................. 159
12.7.4.
Feroelectricitatea ............................................................................................... 160
12.7.5.
Electrei .............................................................................................................. 161
12.8.
PROPRIETI ELECTRICE ALE MATERIALELOR .............................................................. 162
12.8.1.
Proprieti electrice ale dielectricilor ................................................................ 162

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

12.8.2.
12.8.3.
13.
13.1.
13.2.
13.3.
13.4.
13.5.
13.6.
13.7.
14.

Tipuri de materiale dielectrice; aplicaii............................................................ 168


Materiale conductoare; aplicaii ........................................................................ 177

PROPRIETI MAGNETICE ALE MATERIALELOR ......................................... 180


NOIUNI GENERALE ...................................................................................................... 180
DIAMAGNETISMUL ........................................................................................................ 181
PARAMAGNETISMUL ..................................................................................................... 183
FEROMAGNETISMUL ..................................................................................................... 188
ANTIFEROMAGNETISMUL I FERIMAGNETISMUL ........................................................... 194
PROPRIETI MAGNETICE ALE MATERIALELOR ELECTRONICE I ELECTROTEHNICE ...... 196
SUBSTANE I MATERIALE MAGNETICE ........................................................................ 197
ALTE MATERIALE ...................................................................................................... 204

14.1.
MATERIALE COMPOZITE ............................................................................................... 204
14.1.1.
Materiale compozite ranforsate cu particule ..................................................... 204
14.1.2.
Materiale compozite ranforsate cu fibre ............................................................ 205
14.1.3.
Materiale compozite structurale ......................................................................... 206
14.2.
CRISTALE LICHIDE ........................................................................................................ 206
14.2.1.
Natura chimic a cristalelor lichide ................................................................... 208
14.2.2.
Aplicaii industriale ale cristalelor lichide ......................................................... 210
14.3.
MATERIALE SUPRACONDUCTOARE ............................................................................... 213
14.3.1.
Noiuni generale ................................................................................................. 213
14.3.2.
Ecuaia London .................................................................................................. 215
14.3.3.
Aplicaii ale supraconductibilitii ..................................................................... 218
BIBLIOGRAFIE ........................................................................................................................... 223

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

1.

Introducere

Cunoaterea proprietilor materialelor electronice i electrotehnice


reprezint o necesitate fundamental pentru utilizarea corect a acestora, deoarece
introducerea ntr-un dispozitiv a unui material cu proprieti necorespunztoare
poate avea consecine nedorite att asupra duratei de via a dispozitivului nsui,
ct i asupra instalaiilor electrice aferente.
Domeniile de utilizare a materialelor electronice i electrotehnice sunt
foarte numeroase, iar solicitrile la care acestea sunt supuse foarte diferite (att ca
natur ct i ca intensitate). Ca atare, nu se poate face o mprire strict a
proprietilor materialelor n principale i secundare, impunndu-se o
cunoatere complet a tuturor proprietilor materialelor.

1.1.

Scurt perspectiv istoric

nceputurile tiinei materialelor dateaz din vremurile cnd oamenii au nceput


s confecioneze unelte din piatr. Epoca pietrei a nceput aproximativ acum dou
milioane de ani. Iniial s-au folosit materiale naturale: piatr, lemn, argil, piele etc.
Epoca pietrei a luat sfrit acum aproximativ 5000 de ani, odat cu nceputul
Epocii Bronzului n Orientul ndeprtat. Bronzul este un aliaj de cupru + maxim
25% staniu + alte elemente. El poate fi modelat prin batere cu ciocanul sau turnat
ntr-o varietate de forme, poate fi durificat prin aliere i se corodeaz foarte lent
dup ce la suprafa se formeaz un strat subire de oxid.
Epoca Fierului a nceput acum aproximativ 3000 ani i continu i n prezent.
Utilizarea fierului i apoi a oelului, un material mai rezistent i mai ieftin, a
modificat drastic viaa de zi cu zi a oamenilor. Fierul a fost descoperit (probabil
ntmpltor) de hitii, un popor care tria n zona Turciei actuale, n jurul anului
1400 .Hr. Ei au pstrat secretul fabricrii fierului aproape 200 de ani.
Pe parcursul Epocii Fierului au fost introduse numeroase noi tipuri de materiale
(materiale ceramice, semiconductori, polimeri, materiale compozite). Astfel, a
nceput epoca materialelor avansate, n special din secolul al XIX-lea.
Dezvoltarea tiinei materialelor este marcat de cteva etape importante. Prima
dintre acestea este descoperirea microstructurii materialelor, odat cu dezvoltarea
tehnicii de decapare a stratului superficial al metalelor de ctre Henry Sorby
(Anglia, 1864). Acesta, examinnd cu un microscop optic (n lumin reflectat)
suprafeele decapate, a observat c materialul aprea a fi constituit din mici granule
cristaline, diferitele granule avnd o strlucire diferit n lumina reflectat, ceea ce
evideniaz c metalele sunt alctuite din numeroase mici cristale orientate n
diferite direcii i grupate mpreun. Imediat au nceput cercetri n scopul gsirii
modalitilor de a altera microstructura (mrimea i forma granulelor) prin diferite
tratamente termice i tehnici de prelucrare i pentru a determina modul n care
proprietile metalelor depind de microstructur.
A urmat descoperirea difraciei radiaiilor X pe cristale, observat n 1914. n
1915, Bragg a dezvoltat teoria difraciei radiaiilor X pe cristale, ceea ce a permis
determinarea modului de aranjare a atomilor n cristale (structura cristalin)

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


Difracia este o metod intens utilizat n prezent pentru a determina structura
atomic a materialelor folosind raze X, fascicule de electroni, de neutroni, sau de
alte microparticule.
n acelai timp, a avut loc dezvoltarea microscopiei electronice, care permite
mriri ale imaginilor de 100.000 10.000.000 de ori (fa de microscopia optic,
ce permite mriri de numai 500 1000 de ori), prin utilizarea unui fascicul de
electroni n loc de un fascicul de lumin.
Microscopul electronic permite determinarea modului n care prelucrarea
influeneaz structura materialelor la diferite scri dimensionale, fiind astfel un
instrument foarte eficient n investigarea relaiilor dintre prelucrarea, structura i
proprietile materialelor.
n prezent, realizrile tehnologice datorate noilor materiale sunt foarte
numeroase i se regsesc n diferite dispozitive magnetice, fibre optice, materiale
cu memoria formei, superaliaje metalice, supraconductori, materiale compozite,
biomateriale, semiconductori etc.
Importana tiinei i ingineriei materialelor deriv din faptul c o mare
parte din ceea ce se poate face n prezent este limitat tehnologic de materialele
disponibile, iar progresele tehnologice viitoare depind de dezvoltarea unor
materiale noi sau perfecionate.

1.2.

Relaia dintre structur, proprieti, prelucrare

rezisten/densitate (106 Pam3/kg)

nelegerea relaiei dintre structura, proprietile, prelucrarea i performanele


materialelor este o problem esenial a ingineriei moderne.

fibre de
carbon

materiale
compozite

oel
lemn, bronz fier
piatr
1800
1900

2000

O nelegere mai bun a relaiei structur-compoziie-proprieti a dus la un


remarcabil progres n privina proprietilor materialelor. De exemplu, s-a realizat
un progres evident n raportul rezisten-densitate a materialelor, ceea ce a avut ca

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


rezultat o larg varietate de noi produse, aa cum se poate vedea din graficul de mai
sus.
tiina materialelor investigheaz relaia dintre prelucrarea, structura,
proprietile i performana materialelor.

Structura materialelor poate fi analizat la diferite niveluri dimensionale:


nivelul subatomic structura electronic a atomilor individuali este cea
care definete interaciunea dintre atomi (interaciunea interatomic).
nivelul atomic aranjarea atomilor n materiale poate fi diferit, rezultnd
proprieti diferite (aceeai atomi pot avea diferite proprieti, de exemplu
cele dou forme stri alotropice ale carbonului: grafit i diamant)
structura microscopic aranjarea micilor granule (cristalite) de material,
care pot fi identificate prin microscopie.
structura macroscopic cuprinde elemente structurale care pot fi vzute
cu ochiul liber.
Prelucrarea materialelor const n supunerea acestora la cldur (tratament
termic), fore mecanice etc. pentru a le afecta microstructura i, n acest fel,
proprietile.
Proprietile exprim modul n care materialul rspunde mediului i
aciunilor externe. Astfel, deosebim:
proprieti mecanice, care descriu rspunsul la fore mecanice, rezisten
etc.
proprieti electrice i magnetice, care descriu rspunsul la cmpuri
electrice i magnetice, conductivitate etc.
proprieti termice sunt legate de transmiterea cldurii icapacitatea
caloric.
proprieti optice, care descriu absorbia, transmisia i dispersia luminii.
stabilitatea chimic n contact cu mediul descrie rezistena la coroziune.
Materialele se pot clasifica dup modul n care atomii sunt legai unul cu altul:
metale: electronii de valen nu aparin unor atomi anume i sunt dispersai
ntr-o mare electronic ce leag ionii mpreun. Sunt rigide, ductile,
conduc curentul electric i cldura, sunt lucioase dac sunt lefuite.
semiconductori: legtura este covalent (electronii sunt pui n comun ntre
atomi). Proprietile electrice depind puternic de proporia impuritilor.
Exemple: Si, Ge, GaAs.

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

materiale ceramice: atomii se comport ca ioni pozitivi sau negativi i sunt


legai prin fore electrostatice. Aceste materiale sunt de obicei combinaii de
metale sau semiconductori cu oxigen, azot sau carbon (oxizi, nitruri, i
carburi). Sunt dure, friabile (casante), izolatori electrici. Exemple: sticla,
porelanul.
polimeri: atomii (de obicei C i H) sunt legai prin fore covalente i fore
Van der Waals. Se descompun la temperaturi moderate (100 400 C) i
sunt uoare. Exemple: materiale plastice, cauciuc.
Materiale compozite
Materialele prezint structuri cristaline diferite, rezultnd astfel proprieti
diferite.

1.3.

Principalele categorii de materiale

Aa cum s-a artat mai sus, sunt cinci principale categorii de materiale, unele
dintre acestea putnd fi mprite n subcategorii. ntr-o oarecare msur, aceste
clase se suprapun, n sensul c unele materiale ar putea face parte din mai mult de o
singur categorie.
I. METALE
Metalele sunt materiale solide constituite din elemente electropozitive
(grupele I, II i III, metalele tranziionale, elementele din partea de jos a grupelor
IV, V, pmnturile rare i actinidele), singure sau n combinaie, n proporii
continuu variabile. Astfel, se deosebesc:
elemente metalice pure (de exemplu, Fe)
aliaje i superaliaje (Cu + Sn = bronz, Cu + Zn = alam, Fe + C = oel,
Pb+Sn = cositor, nitinol)
unii compui intermetalici (de exemplu Ni3Al); alii, ca MoSi2, se
aseamn n multe privine cu materialele ceramice
Trsturi caracteristice: au atomii aranjai ntr-o structur regulat periodic
(cristal), sunt relativ dure, au densitate mare, sunt maleabile sau ductile (au o
plasticitate ridicat), sunt rezistente la rupere, sunt exceleni conductori de
electricitate i cldur, sunt opace la lumina vizibil, au aspect lucios.
Aplicaii: cabluri electrice, structuri n construcii: cldiri, poduri etc., automobile,
avioane, trenuri, maini unelte, materiale cu memoria formei, magnei, catalizatori.
Limitele performanelor sunt determinate de oxidare, coroziune (aciunea acizilor i
bazelor), temperatura de topire, scderea rezistenei la creterea temperaturii i, ca
urmare, temperaturile tipice de utilizare sunt cele sub 1000C.
II. MATERIALE CERAMICE
Materialele ceramice sunt elemente anorganice, nemetalice, sau compui ai
elementelor electropozitive cu oxigenul (oxizi: Al2O3, ZrO2), carbonul (carburi:
SiC, WC), azotul (nitruri: Si3N4, BN), halogenii (halogenuri: LiF, KBr), sulful
(sulfuri: FeS2). Se deosebesc:
materiale ceramice de structur (folosite n structuri de rezisten n
construcii)
materiale refractare (rezistente la coroziune, izolatori)
8

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


porelan
sticl
materiale ceramice electrice (condensatoare, izolatoare, traductoare etc.)
materiale ceramice combinate chimic (de exemplu, ciment sau beton)
Trsturi caracteristice: majoritatea au o aranjare regulat a atomilor (excepie
face sticla), sunt compuse dintr-un amestec de atomi metalici i nemetalici, au o
densitate mai mic dect a majoritii metalelor, sunt mai dure dect metalele, dar
au o rezisten redus la rupere (sfrmare), ceea ce le face casante, au ductilitate
sau maleabilitate reduse, deci plasticitate sczut, au un punct de topire ridicat, sunt
izolatori electrici i termici, monocristalele sunt transparente.
Aplicaii: izolatoare electrice i termice, materiale abrazive, materiale de acoperire
de protecie, fibre optice (sticl), materiale rezistente la coroziune, materiale
biocompatibile.
Exemple:
Oxizi simpli (SiO2, Al2O3, Fe 2O3, MgO etc.)
Oxizi metalici micti (SrTiO3, MgAl2O4, YBa2Cu3O7-x etc.)
Azoturi (Si3N4, SnN, AlN, GaN, BN)
Carburi (SiC, WC, TiC)
Materialele ceramice sunt rezistente la coroziune, chiar la temperaturi mari.
Domeniul de temperaturi de utilizare este de obicei ntre 500 2000C. Principala
limitare este dat de ruperea casant.
III. POLIMERI
Polimerii sunt formai din molecule mari, rezultate prin legarea unor molecule mai
mici (meri) de atomi de carbon, oxigen, hidrogen, azot, sulf, sau fluor.
Materiale plastice
Cristale lichide
Adezivi
Trsturi caracteristice: sunt compui n primul rnd din C i H (hidrocarburi), au
o temperatur de topire i o densitate sczute, unii sunt cristalini, dar muli nu sunt,
majoritatea sunt slabi conductori de electricitate i cldur, muli dintre ei au o
plasticitate ridicat, civa avnd totui o bun elasticitate, unii sunt transpareni,
alii sunt opaci.
Aplicaii: adezivi i cleiuri, ambalaje, materiale plastice injectabile, mbrcminte
i materiale textile (vinil, poliesteri, nylon), materiale impermeabile, produse
biodegradabile, biomateriale (intefee organic/anorganic), cristale lichide, materiale
cu aderen redus (teflon), uleiuri i lubrifiani sintetici, garnituri i inele de
etanare (cauciuc), spunuri i ageni tensioactivi.
Polimerii sunt rezisteni la coroziunea produs de acizi i baze, dar uneori
nu sunt rezisteni fa de aciunea unor solveni organici. Limitarea performanelor
este n primul rnd datorat slabei rezistene la temperaturi ridicate, fie prin
topire/muiere, fie prin combustie, oxidare, sau descompunere. Temperatura
maxim de utilizare este de obicei pn la 300C.
IV. SEMICONDUCTORI
Elemente din grupa a IV-a (siliciu, germaniu)
9

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


Compui III-V (de exemplu GaAs, InP)
Compui II-VI (de exemplu ZnSe, CdTe)
Trsturi caracteristice: au o aranjare regulat a atomilor (structur cristalin), o
puritate chimic mare, au o conductivitate electric variabil, sunt opaci la lumin
vizibil, au un aspect lucios, unii au o bun plasticitate, dar alii sunt destul de
friabili, unii prezint un rspuns electric la lumin.
Aplicaii: dispozitive electronice i optoelectronice semiconductoare (tranzistoare,
diode, circuite integrate etc.), laseri cu corp solid, panouri de afiare, celule solare,
detectori de radiaii, dispozitive microelectromecanice (MEMS). Oxidarea i
topirea limiteaz utilizarea acestor materiale la temperaturi ridicate.
V. MATERIALE COMPOZITE
Materiale compozite cu macroparticule (particule incluse ntr-un alt
material)
Materiale compozite laminate
Materiale compozite ranforsate cu fibre (de exemplu fibra de sticl)
Trsturi caracteristice: sunt compuse din dou sau mai multe materiale diferite
(de exemplu, metal-material ceramic, polimer-polimer etc.), proprietile lor
depinznd de cantitatea i distribuia fiecrui tip de material.
Aplicaii: materiale aerospaiale, echipament sportiv, materiale pentru izolaie
termic, materiale de construcie, materiale inteligente (smart materials) (de
detecie i rspuns).
Exemple: fibre optice, scuturi termice, vopsele (particule ceramice n latex),
armturi.

1.4.

Proprietile materialelor

O alt posibilitate de structurare a tiinei materialelor, n afara celei fcute


pe baza categoriilor de materiale este cea care se poate face pe baza proprietilor
acestora.
De altfel, aceast abordare este fireasc, avnd n vedere faptul c unul
dintre scopurile tiinei materialelor este acela de a selecta materialele cu
proprietile dorite pentru o aplicaie dat.
Ca i n cazul categoriilor de materiale, i n cazul proprietilor acestora
este o oarecare suprapunere a diferitelor categorii de proprieti, astfel c acestea
nu sunt ntotdeauna clar definite.
Principalele proprieti ale materialelor se pot clasifica astfel:
I. PROPRIETI GENERALE
II. PROPRIETI MECANICE
Elasticitate i rigiditate
Plasticitate
Rezisten
Friabilitate sau duritate
Oboseal
III. PROPRIETI ELECTRICE
Polarizabilitate

10

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


Permeabilitate electric
Proprieti feroelectrice
Proprieti piezoelectrice
Proprieti piroelectrice
Conductibilitate i rezistivitate electric
IV. PROPRIETI MAGNETICE
Proprieti paramagnetice
Proprieti diamagnetice
Proprieti feromagnetice
V. PROPRIETI OPTICE
Indice de refracie
Absorban, reflectan i transmitan
Birefringen
VI. PROPRIETI PRIVIND COROZIUNEA
Deoarece materialele electrotehnice se utilizeaz fie grupate n diferite
scheme de izolaie, fie n contact direct cu mediul nconjurtor, cunoaterea
compatibilitii fiecrui material fa de corpurile cu care acesta vine n contact
prezint o importan deosebit. Pentru aceasta, se definesc anumite proprieti
generale i mrimile fizice corespunztoare:
Sensibilitatea la coroziune a unui material depinde de natura i gradul su de
puritate, de natura i concentraia impuritilor pe care le conine, precum i de
caracteristicile agenilor activi coninui n mediile cu care materialul vine n
contact (coroziunea reprezint aciunea distructiv, chimic sau electrochimic,
pe care o serie de ageni chimici - oxigenul, apa, acizii etc. - o exercit asupra
corpurilor).
solubilitatea unui material se exprim prin cantitatea de substan care trece n
soluie n unitatea de timp de pe unitatea de suprafa a materialului, sau prin
concentraia soluiei saturate a materialului dizolvat ntr-un solvent dat; o
substan este mai solubil ntr-un solvent de aceeai natur chimic i care
conine n moleculele sale grupri de atomi asemntoare cu ale substanei
date; astfel, hidrocarburile saturate solide nepolare sau slab polare (parafina
etc.) se dizolv uor n hidrocarburi lichide (benzen etc.), substanele polare se
dizolv uor n lichide polare etc.; solubilitatea scade cu scderea temperaturii
i cu creterea gradului de polimerizare a substanei de dizolvat.
rezistena la solveni reprezint capacitatea unui material de a-i pstra
proprietile atunci cnd vine n contact cu un solvent lichid sau cu vaporii si.
indicele de aciditate, Ia caracterizeaz dielectricii lichizi i reprezint
cantitatea de hidroxid de potasiu (KOH), msurat n mg, necesar pentru
neutralizarea acizilor organici existeni ntr-un gram din materialul considerat;
pentru uleiul de transformator, indicele de aciditate are valori cuprinse ntre
0,03 i 0,05 mg KOH/g.
porozitatea, P a unui corp se definete ca fiind raportul dintre volumul porilor
Vp i volumul total Vt al corpului:

11

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

P=

Vp

Vt
Porozitatea prezint importan n special n cazul materialelor electroizolante,
care pot prezenta pori deschii, semi-nchii sau nchii; cele care conin
primele dou tipuri de pori nu sunt utilizate n medii umede dect impregnate;
cele mai reprezentative materiale poroase sunt produsele pe baz de celuloz
(la care porozitatea poate ajunge la 50%).
permeabilitatea fa de aer, Pa se caracterizeaz prin volumul de aer Va care
strbate, ntr-un interval de timp t, o suprafa de arie A a unei probe de
material de grosime h, datorit diferenei dintre presiunile p1 i p2 ale aerului pe
cele dou fee ale probei de ncercat:
Va h
Pa
A(p1 p 2 ) t
permeabilitatea la umiditate, Pu caracterizeaz capacitatea unui corp de a se
opune trecerii vaporilor de ap prin el i prezint o importan deosebit n
alegerea materialelor pentru protecia mpotriva umiditii (lacuri de acoperire,
mantale pentru cabluri etc.); se determin cu relaia:
mh
Pu
A(p1 p 2 ) t
unde m reprezint masa vaporilor de ap, iar p1, p2, A, h i t au aceeai
semnificaie ca n relaia anterioar.
umiditatea, U reprezint cantitatea de ap aflat ntr-un material i se exprim
n procente fa de cantitatea maxim de ap pe care o poate conine materialul;
aceast caracteristic este legat de porozitatea corpului, de umiditatea i
temperatura mediului nconjurtor, precum i de intervalul de timp n care
corpul se afl n mediul considerat; dup un anumit timp corpul ajunge la o
umiditate de echilibru Ue, a crei valoare depinde de natura i temperatura
mediului ambiant; n cazul materialelor polare (sticl, mic etc.), la care
interaciunea dintre moleculele de ap i material este mai puternic dect cea
dintre moleculele de ap, adic unghiul dintre suprafaa materialului i planul
tangent la suprafaa picturii de ap este foarte mic, se formeaz o ptur de
ap la suprafaa materialului; dac > 90, ptura de ap se formeaz foarte
greu; practic, aceste materiale nu se ud (parafina, ceara etc.); pentru corpurile
fibroase se stabilete o umiditate convenional: aceasta reprezint valoarea
umiditii de echilibru a materialului aflat n aer, n condiii normale de
presiune, temperatur i umiditate (p = 105 N/m2, t = 20C, Ur,aer = 65%).
umiditatea relativ a aerului reprezint raportul dintre presiunea vaporilor de
ap aflai efectiv n aerul din atmosfer i presiunea vaporilor necesari pentru a
satura atmosfera.
higroscopicitatea, H reprezint valoarea umiditii de echilibru a unui corp i
se determin cu relaia:

12

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


G G
G
n care G reprezint greutatea corpului n stare uscat, iar G greutatea corpului
inut timp de 24 ore n aer la temperatur i umiditate normale (t = 20C, Ur =
100%); deoarece ptrunderea umiditii provoac modificri ale proprietilor
electrice ale corpurilor, higroscopicitatea se poate determina i prin msurarea
variaiei permitivitii sau conductivitii electrice a acestora.
absorbia de ap, Aa caracterizeaz capacitatea corpurilor de a absorbi i
reine apa i se determin cu relaia
G G
Aa =
G
unde G reprezint greutatea corpului n stare uscat, iar G greutatea corpului
inut un anumit interval de timp, n ap.

H=

13

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

2.
2.1.

Structura atomic i molecular a substanelor


Structura atomilor

Atomii reprezint elementul structural fundamental al substanei.


Aa dup cum este cunoscut, atomii substanelor sunt formai dintr-un
nucleu i unul sau mai muli electroni care graviteaz n jurul acestuia. La rndul
su, nucleul este alctuit din Z protoni i A Z neutroni.
Electronii i protonii au sarcini electrice negativ, respectiv pozitiv, de
aceeai mrime, e = 1,61019 C. Neutronii sunt neutri din punct de vedere electric.
Protonii i neutronii au aproximativ aceeai mas, mp = 1,671027 kg. Masa
electronilor este mult mai mic, me = 9,111031 kg, ea putnd fi neglijat n
calcularea masei atomice. Astfel, practic, masa atomic este egal cu suma maselor
protonilor i neutronilor.
Numrul protonilor, Z, numit numr atomic, determin natura chimic a
elementului, reprezentnd n acelai timp i numrul de ordine al acestuia n tabelul
periodic al elementelor. Numrul de neutroni, A Z definete numrul izotopic.
Protonii i neutronii, fiind componentele nucleului, se numesc nucleoni. Numrul
de nucleoni din nucleul unui atom, A, se numete numr de mas.
Unitatea atomic de mas (uam) este o unitate tolerat a Sistemului
Internaional de Mrimi i Uniti de Msur, utilizat pentru exprimarea masei
atomice. 1 uam este definit ca a 12 parte a masei atomice a celui mai comun izotop
al atomului de carbon, 12C, care are 6 protoni (Z = 6) i ase neutroni (N = 6).
mp mn = 1,661027 kg = 1 uam
Masa atomic a izotopului 12C este 12 uam. Masa atomic a unui element
este egal cu media ponderat a maselor atomice a izotopilor naturali ai
elementului respectiv. Masa atomic a carbonului este 12,011 uam. Adesea, masa
atomic este exprimat ca mas molar. Un mol este cantitatea de substan care
sunt o mas exprimat n grame egal cu masa atomic exprimat n uam a
atomilor substanei respective (un mol de carbon are o mas de 12 grame). n
definiia anterioar, pentru substanele compuse, n locul masei atomice se
folosete masa molecular, obinut ca sum a maselor atomilor din compoziia
unei molecule.
Numrul de atomi (sau molecule) dintr-un mol este constant, indiferent de
substan i este numit Numrul lui Avogadro, NA = 6,0231023 molecule/mol.
NA = 1 gram/1 uam.
Foarte puine proprieti ale materialului sunt influenate semnificativ de
nucleul atomic. Excepiile sunt densitatea, masa atomic, i alte cteva. Aproape
toate proprietile materialelor sunt profund influenate de electronii din jurul
nucleului. n particular, proprietile materialelor depind de distribuia spaial a
electronilor n jurul nucleului, de energia (cinetic i potenial) a electronilor i de
dificultatea sau uurina cu care electronii pot fi adugai sau eliminai dintr-un
atom, proces numit ionizare. De aceea, n general se neglijeaz influena nucleului
atomic i atenia este concentrat asupra electronilor atomului.
14

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


Electronii formeaz un nor n jurul nucleului, de raz 0,05 2 nm. Cel mai
simplu mod de a reprezenta structura unui atom este acele n care l putem asemui
cu sistemul plantar. Analogia nu este ns corect. Electronii nu se mic pe orbite
circulare, ci pe orbite difuze (fuzzy). De fapt, nu se poate spune cum se mic ei,
dar se poate spune care este probabilitatea de a gsi un electron la o anumit
distan fa de nucleu.
Comportarea electronilor poate fi descris corect doar n teoria cuantic.
Principalele rezultate ale acestei teorii pot fi exprimate n urmtoarele afirmaii:
electronii, ca de altfel toate microparticulele, se comport uneori ca particule (au un
impuls, sufer ciocniri cu alte particule etc.), dar alteori se comport ca unde (nu
exist doar ntr-o locaie dat, ci au o anumit mprtiere spaial, pot interfera
unul cu altul, pot forma unde staionare, iar energia i impulsul lor depind de
lungimea de und).
Cnd orbiteaz n jurul nucleului atomic, electronii sunt cel mai bine descrii de
unda asociat, cu o anumit amplitudine i o anumit lungime de und. Modul de
propagare a acestei unde, lungimea de und i amplitudinea se pot afla prin
rezolvarea ecuaiei Schrodinger (ecuaia de micare n teoria cuantic). Pentru un
electron care orbiteaz n jurul nucleului atomic, doar anumite lungimi de und,
energii i amplitudini satisfac ecuaia Schrodinger. Soluiile ecuaiei Schrodinger
pot fi clasificate n funcie de patru numere, numite numerele cuantice ale
electronului:
Numrul cuantic principal, n cuantific energia electronului. Valori mai mari
ale lui n nseamn valori mai mari ale energiei. Valoarea lui n arat, de
asemenea ct de departe de nucleu este electronul. n determin stratul electronic
(n = 1 este primul strat etc.). Valorile permise ale lui n sunt 1, 2, 3, ...
Numrul cuantic orbital, , cuantific momentul cinetic, L r p , al
electronului pe orbita sa i determin substratul (orbitalul electronic) ntr-un
strat dat. Valorile permise ale lui sunt 0, 1, , (n 1). n practic, fiecrei
valori a lui , adic fiecrui substrat electronic, i este atribuit o liter, aa cum
se poate vedea din tabelul urmtor:
Tabel 2.1
Substrat
0
s
1
p
2
d
3
f

Numrul cuantic magnetic, m, cuantific proiecia momentului magnetic al


electronului pe o direcie dat. Valorile permise ale lui m sunt 0, l, 2, ,
(2 + 1 valori distincte).
Numrul cuantic de spin, ms, cuantific proiecia momentului magnetic de
spin al electronului pe o direcie dat. Valorile permise ale lui ms sunt: .
15

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


Principiul de excluziune al lui Pauli afirm c, ntr-un atom, doar un singur
electron poate avea un set de patru numere cuantice dat. Tabelul 2.2 prezint
numrul strilor electronice disponibile n diferite straturi i substraturi electronice.
Electronii ocup nivelurile cuantice n ordinea cresctoare a energiei (doar n i
determin o diferen semnificativ). Electronii care ocup stratul exterior
electroni de valen sunt rspunztori pentru comportarea chimic i legturile
chimice pe care atomul le realizeaz. Ordinea, n funcie de energie, a substraturilor
este: 1s, 2s, 2p, 3s, 3p, 4s, 3d, 4s, 4p, 5s, 4d, 5p, 6s, 4f,
Exemplu: Fe, Z = 26: 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 3d6 4s2

substrat

1
2
2
3
3
3
4
4

s ( = 0)
s ( = 0)
p ( = 1)
s ( = 0)
p ( = 1)
d ( = 2)
s ( = 0)
p ( = 1)

4
4

d ( = 2)
f ( = 3)

Tabel 2.2
numr
numr de electroni
de stri
n substrat
n strat
1
2
2
1
2
8
3
6
1
2
3
6
18
5
10
1
2
3
6
32
5
10
7
14

ntotdeauna, pe stratul ultim ocupat cu electroni (stratul de valen) acetia


se gsesc n substraturi de tip s sau p i, ca urmare, numrul acestora poate fi de
maxim 8. n funcie de ci electroni se gsesc pe ultimul strat, comportarea
chimic a elementului respectiv este diferit. Aceast comportare este periodic,
ceea ce se poate vedea din modul de aranjare a elementelor n tabelul periodic.
Elementele din aceeai grup (coloan) au proprieti similare. Numrul
grupei indic numrul de electroni disponibili pentru legtura chimic (electronii
de valen). Astfel, dac acest numr este 0, este vorba de gaze inerte (He, Ne,
Ar...), care au toate substraturile complete i sunt chimic inactive. Metalele alcaline
(Li, Na, K), din grupa I, au un singur electron pe stratul de valen, ocupnd un
substrat de tip s, electron pe care l pot pierde foarte uor, fiind deci chimic foarte
active. Halogenii (F, Br, Cl...), din grupa a VII-a, au 7 electroni pe stratul exterior,
lipsindu-le deci unul singur pentru ca acest strat s fie complet, motiv pentru care
prezint o puternic disponibilitate de a accepta un electron, fiind astfel, de
asemenea, chimic foarte active.
Ca o concluzie general, se pot afirma urmtoarele: atomii elementelor din
aceeai coloan (grup) au acelai numr de electroni de valen; electronii de
16

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


valen sunt aceia care interacioneaz cu exteriorul, motiv pentru care elementele
din aceeai grup au proprieti foarte asemntoare.
Schema tabelului periodic de mai jos prezint orbitalii exteriori pentru
fiecare regiune a acestui tabel.
Este de subliniat faptul c majoritatea elementelor nemetalice au un orbital
exterior de tip p, n timp ce majoritatea metalelor au un orbital exterior fie s, fie d,
fie f. (orbitalii f nu sunt prezentai aici, dar ei se gsesc n seriile lantanidelor i
actinidelor).
Electronegativitatea este msura tendinei atomilor de a accepta electroni.
Substraturile cu un electron au o electronegativitate sczut, n timp ce substraturile
cu un singur electron lips au o electronegativitate ridicat. Electronegativitatea
crete de la stnga la dreapta. Metalele sunt mai puin electronegative sunt
electropozitive , deoarece atomii lor pot ceda unul, doi, sau trei electroni de
valen pentru a deveni ioni ncrcai electric pozitiv.

Figura 2.1 Tipul orbitalilor exteriori pentru diferitele elemente din tabelul periodic

2.2.

Fore i energii de legtur

Structura ordonat a solidelor cristaline este datorat unor interaciuni ale


particulelor constituente ale reelei; forele de interaciune trebuie s fie fore de
atracie dar, n acelai timp trebuie s existe i fore de respingere, fapt ce permite
ca, prin echilibrul acestora, particulele s se gseasc n reea la o distan de
echilibru, r0, specific sistemului.
Este necesar ca la o distan mai mic dect r0 forele s fie repulsive iar la
o distan mai mare - atractive, astfel nct energia potenial a sistemului format
(pentru simplificare) din dou particule se poate reprezenta grafic ca n figura 2.2.

Cum F U i cum F acioneaz pe direcia lui r , putem scrie:

U r
F

(2. 1)
r r
Pentru a avea graficul din figura 2.2, trebuie ca:

17

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


U
U
< 0, iar la r > r0,
>0
r
r
Pentru r = r0,
U
=0
(2. 2)
r
Aceasta reprezint condiia de echilibru, din care se poate obine valoarea
lui r0. n plus, pentru ca echilibrul s fie stabil (energie potenial minim la
distana de echilibru), trebuie ca:
2U
>0
(2. 3)
r 2 r r

la r < r0,

Figura 2.2 Variaia energiei poteniale de interaciune dintre doi atomi, n funcie de
distana dintre ei

Din numeroase studii experimentale i teoretice, a rezultat c U este dat de


o expresie de forma:
A B
U= m n , m>n
(2. 4)
r
r
Din aceast relaie se obine:
1

mA mn
r0 =
(2. 5)

nB
n unele cazuri, este mai convenabil s se lucreze cu o expresie a lui U de

forma:

B
(2. 6)
rn
Valoarea U0 a energiei poteniale din graficul din figura 2.2 este o msur a
lucrului mecanic ce trebuie efectuat (energia cheltuit) pentru a deplasa un atom
aflat la distana r0 fa de altul, la o distan infinit fa de acesta (pentru un atom

U = A e

18

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


aflat n cristal, ea reprezint energia necesar scoaterii acestui atom n afara reelei).
Ea este numit energie de disociere sau energie de coeziune i poate fi
determinat experimental prin msurtori calorimetrice.
Natura forelor de legtur este electric, la care se adaug efecte cuantice,
datorate relaiilor de nedeterminare ale lui Heisenberg i principiului de excluziune
al lui Pauli. Respingerea dintre atomi, cnd acetia se afl foarte aproape unul de
altul, este legat de Principiul lui Pauli: cnd norii electronici ce nconjoar atomii
ncep s se suprapun, energia sistemului crete brusc. Originea regiunii atractive,
ce domin la distane mari, depinde de tipul particular de legtur. Tipurile
principale de legturi cristaline sunt: legtura ionic, legtura covalent i legtura
metalic (legturi intramoleculare) i legtura Van der Waals (legtur
intermolecular).
n concluzie, se pot evidenia urmtoarele idei:
legturile chimice ntre atomi se realizeaz cnd electronii de valen ai
atomilor interacioneaz, astfel nct energia sistemului format de atomii care
realizeaz legtura este mai sczut dect cea cnd atomii sunt separai.
aceast condiie se realizeaz cnd fiecare atom poate obine opt electroni pe
stratul de valen (un octet), care reprezint configuraia de gaz inert.
sunt trei moduri prin care atomii pot obine configuraia stabil, de octet:
- cedarea sau acceptarea de electroni de valen (legtur ionic)
- punerea n comun a electronilor de valen cu atomii vecini (legtura
covalent)
- punerea n comun a electronilor de valen cu toi atomii (legtura metalic)

2.3.

Legtura ionic

Dup cum este cunoscut, atomii oricrui element au tendina de a-i forma
configuraia electronic a unui gaz inert, prin captarea sau cedarea de electroni. De
exemplu, metalele alcaline au un electron de valen, pe care l pot ceda relativ
uor, energia de ionizare fiind mic; n schimb, halogenii au pe ultimul strat
electronic apte electroni, lipsindu-le unul pentru a avea o configuraie electronic
complet, de octet. Aceste elemente prezint o afinitate electronic, caracterizat
de energia eliberat la captarea electronului care le asigur formarea octetului
complet. Transferul unui electron de la un tip de atom la altul i transform pe
amndoi n ioni (unul pozitiv, cellalt negativ) cu structuri electronice complete,
acesta fiind aspectul esenial al legturii ionice. Structura unei reele cristaline cu
legtur ionic este format din alternarea ionilor pozitivi cu cei negativi. ntre
acetia se exercit interaciuni coulombiene, fora atractiv avnd expresia

Ve

,
4 0 r 2
unde V este valena ionului pozitiv. Energia de interaciune electrostatic are
expresia (2.4), r fiind distana dintre ioni. La o distan interatomic de ordinul a
1010 m, corespunde o energie de atracie electrostatic de ordinul a 1019 J (civa
eV). Pentru un calcul mai exact, trebuie inut ns seama nu numai de interaciunea
ionilor cei mai apropiai ci i de cea dintre ionii aflai la distane mai mari, care

19

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


include i fore de respingere (ntre ionii de acelai semn). Expresia energiei totale
de interaciune ionic poate fi scris sub forma:
Ve 2 B
U =
n
4

r
r
0

nsumarea fcndu-se pentru toate nodurile reelei. Calculul acestei expresii a fost
fcut de ctre Madelung i Ewald (1918), care au ajuns la relaia:
2
Ve

U =
(2. 7)
n
40
unde este constanta reelei iar este constanta Madelung, ce depinde de tipul
reelei (pentru reeaua clorurii de sodiu ea are valoarea 1,75, pentru altele fiind
cuprins ntre 1,6 i 1,8). Constantele i n se determin din condiiile:
dU
d2U
0 ;

d
d 2
Prima din aceste relaii este condiia de echilibru iar cea de-a doua exprim
fora necesar pentru a comprima cristalul cu o anumit valoare, for ce se
determin experimental. Rezultatele teoriei lui Madelung pot fi verificate
experimental. O modalitate pentru a face acest lucru este cea propus de Born i
Haber, n 1919 i prezentat n continuare.
Exemplul cel mai cunoscut al legturii ionice este cel al clorurii de sodiu
(NaCl). Dac o astfel de structur primete (pentru fiecare pereche de ioni de Cl i
Na) energia U, necesar desfacerii perechii n ioni, are loc procesul:
U
Na + Cl
Na+ + Cl
Cednd sistemului i energia E, corespunztoare afinitii electronice a Cl,
acesta pierde electronul n plus:
E
Cl
Cl + e
Acest electron este captat de Na+, cedndu-se, astfel, energia de ionizare i
rezultnd Na gazos:
I
Na+ + e
Na
Na gazos sublimeaz, trecnd n stare solid i cednd cldura de sublimare,
S:
S
Na gazos
Na solid
Cl atomic gazos formeaz molecule de Cl2 gazos, cednd energia de
disociere, D:
1
D

Cl
Cl2
2
Dac Cl2 reacioneaz cu Na metalic solid, rezult NaCl, cedndu-se
cldura Q:
1
Na + Cl2 Q NaCl
2
Scriind relaia care exprim conservarea energiei n acest proces ciclic,
obinem:
20

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


U+EISDQ=0
Din aceast relaie, se poate determina E, toate celelalte mrimi putnd fi
determinate experimental. Comparnd valoarea obinut cu cea determinat teoretic
conform modelului lui Madelung, rezult o bun concordan ntre cele dou
valori, deci o confirmare a acestui model.
Formarea legturii ionice se petrece n dou etape:
ionizarea reciproc a doi atomi are loc prin transfer de electroni (conform
electronegativitii elementelor respective) i formarea unui ion negativ (anion)
i a unui ion pozitiv (cation)
ionii sunt atrai printr-o interaciune coulombian (electrostatic)
Legtura ionic este ne-direcional (ionii pot fi atrai unul de altul n orice
direcie) i foarte puternic.
De exemplu, n clorura de sodiu, NaCl, Na are 11 electroni, cu unul mai
mult dect necesar pentru un strat exterior complet: 1s2, 2s2, 2p6, 3s1. Cednd un
electron, se ionizeaz pozitiv. Cl are 17 electroni, cu unul mai puin dect este
necesar pentru un strat exterior complet: 1s2, 2s2, 2p6, 3s2, 3p5. Primind electronul
cedat de Na, se ionizeaz negativ. ntre cei doi ioni se exercit o for de atracie,
care asigur legtura ionic (figura 2.3). Transferul de electroni reduce energia
sistemului atomic, care este energetic favorabil acestui transfer.

Figura 2.3 Realizarea legturii ionice la NaCl

O imagine care s sugereze mai clar modul n care se realizeaz structura


este prezentat n figura 2.4.
Dac n aceeai zon sunt atomi electronegativi i atomi electropozitivi, ei
pot cpta configuraii electronice stabile prin transferul electronilor de valen:
atomii electropozitivi cedeaz electroni i atomii electronegativi i accept.
Tendina pentru transferul de sarcin ntre atomi crete odat cu creterea diferenei
de electronegativitate (EN) dintre atomii diferii. Dup ce transferul de sarcin a
avut loc, ambii atomi sunt ionizai (au o sarcin electric net). Atomii
electronegativi devin ncrcai negativ (anioni), n timp ce atomii electropozitivi
devin ncrcai pozitiv (cationi). Sarcinile de semn contrar ale cationilor i
anionilor interacioneaz prin fore de atracie, care realizeaz legtura ionic.
Tria legturii ionice este determinat de lucrul mecanic necesar la
formarea sa. Acesta este compus din trei pri: energia total necesar transferului
de sarcin, lucrul mecanic efectuat de forele de atracie dintre cation i anion i
lucrul mecanic efectuat mpotriva forei repulsive de distan scurt dintre cation i
anion.
Energia total pentru transferul de sarcin este dat de relaia:
21

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


Wts = Ui + A
(2. 8)
unde Ui reprezint lucrul mecanic pentru a scoate electronul din nveliul electronic
al atomului electropozitiv, numit potenial de ionizare, iar A reprezint lucrul
mecanic pentru a aduce electronul n nveliul electronic al atomului electronegativ,
numit afinitate electronic.

Figura 2.4 Structura reelei ionice a NaCl

Potenialul de ionizare pentru electronii din stratul de valen, la diferite


elemente este prezentat n tabelul 2.3.
Tabel 2.3 Potenialul de ionizare al electronilor din stratul de valen, pentru
diferite elemente
Element Li Na Mg Al Si P
S
Cl
Ar
K Rb Cs Fr
Ui (eV) 5,4 5,1 7,6 6,0 8,2 10,5 10,4 13,0 15,8 4,3 4,2 3,9 3,8
Tabelul 2.4 prezint valorile afinitii electronice pentru cteva elemente:
Tabel 2.4 Afinitatea electronic a ctorva elemente
Element F
Cl
Br
I
O
S
A (eV) 3,6 3,7 3,5 3,1 1,5 2,1

2.4.

Legtura covalent

Un alt tip de interacie care asigur legturi chimice este cea n care
geometria norilor electronici ai atomilor este suficient de distorsionat astfel nct
electronii sunt continuu mprii ntre atomii vecini, formnd nveliuri complete
pentru acetia. O astfel de legtur este deci asociat cu existena unei perechi de
electroni comuni atomilor care interacioneaz. Punerea n comun a electronilor de
ctre atomi nseamn c este imposibil de precizat crui atom aflat n interaciune i
aparine electronul pus n comun.
22

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


O teorie a legturii covalente care s rezolve toate problemele aprute i
care s aib un caracter general este greu de pus la punct. O posibilitate (nu
complet i nici singura) este metoda orbitalilor moleculari, pe care o vom
prezenta calitativ n continuare, aplicat, pentru simplificare i nelegere mai
uoar, moleculei de hidrogen.
S considerm unul din electronii celor doi atomi de H din molecul.
Densitatea de sarcin electric a orbitalului molecular corespunztor acestui
electron poate fi exprimat ca fiind proporional cu ptratul unei combinaii liniare
a celor dou funcii de und ale electronului n cazul n care el ar aparine numai
unui atom, A, sau celuilalt, B
S ~ A + B ; S* ~ A B
(2. 9)
Forma funciilor de und S i S* i a densitilor de sarcin electric
corespunztoare, sunt date n figura 2.5. n cazul funciei s, se observ o
redistribuire a sarcinii electrice n regiunea dintre atomii A i B, ceea ce duce la
ecranarea sarcinii electrice a celor dou nuclee. Acest lucru se ntmpl dac
distana dintre cei doi atomi este mai mare dect o anumit valoare pentru care
energia sistemului este minim; sub aceast valoare, ecranarea nu se mai produce i
nucleele se resping. O astfel de funcie de und, s, este un aa-numit orbital de
legtur.

Figura 2.5 Forma funciilor de und S i S* i a densitilor de sarcin electric


corespunztoare, pentru un electron aparinnd unuia dintre atomii care interacioneaz

Pentru funcia de und s*, nu se produce ecranarea sarcinilor nucleelor,


care se resping, indiferent de poziia lor, starea descris de aceast funcie fiind
instabil, fr existena unei legturi. Funcia de und s* este un orbital
antilegtur. Considernd acum ambii electroni, acetia trebuie s se afle ntr-o
stare descris de funcia:
23

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


(1, 2) = S(1) + S(2)
(2. 10)
care, din considerente cuantice, trebuie s fie caracterizat de spinul total nul.
Evident, n aceast discuie simplificat, s-a neglijat termenul care trebuie s
apar n (1,2) datorit interaciunii celor doi electroni, care, oricum, trebuie s fie
minim, deci acetia s se afle la distana maxim. Energia strii descrise de (1,2)
este de forma din figura 2.2, ceea ce poate explica apariia legturii covalente.
Legtura covalent este o legtur direcional, ea realizndu-se pe direcia
suprapunerii celei mai mari a orbitalilor.
Trsturile principale ale legturii covalente sunt:
are loc ntre atomi electronegativi, neexistnd atomi electropozitivi disponibili
pentru a ceda electroni.
legtura se realizeaz prin punerea n comun a electronilor de valen, astfel
nct, n jurul fiecrui atom, se formeaz efectiv un octet.
punerea n comun a electronilor se realizeaz prin suprapunerea orbitalilor
electronilor (n cele mai multe cazuri, de tip p)
orientarea atomilor ntr-o molecul covalent reflect forma orbitalilor
unghiuri de orientare specifice legturii sunt caracteristice legturii covalente
suprapunerea straturilor electronice de sub stratul de valen determin o for
de respingere, datorat principiului de excluziune al lui Pauli (electronii au
fiecare un set unic de numere cuantice); drept urmare, forele de atracie nu pot
determina apropierea atomilor la o distan orict de mic, acestora opunnduli-se fore de respingere datorate acestui fapt.
Exemple de substane formate pe baza legturii covalente sunt:
solide cristaline ale elementelor din grupa a IV-a: C, Si, Ge etc.
legturi C C i C H n molecule de hidrocarburi
compui solizi, de tipul: SiC, Si3N4 etc.
molecule de gaze: H2, N2, O2, Cl2, F2, CO2, H2O, HCl etc.

2.5.

Legtura metalic

ntr-un metal, electronii de pe stratul exterior al atomilor pot prsi aceti


atomi destul de uor, numai c nu exist ali atomi, ca la legtura ionic, cu
afinitate electronic i care s atrag aceti electroni. Cnd astfel de atomi sunt
adui mpreun, ntr-o structur metalic, norii electronici ai atomilor vecini se
suprapun, astfel nct este uor pentru un electron s migreze de la un atom la altul.
Acest fapt fiind valabil pentru toi electronii de valen ai tuturor atomilor,
nseamn c nu mai exist electroni de valen aparinnd unui atom anume. Aceti
electroni migratori sunt electronii de conducie ai metalului, care-i asigur
acestuia cele mai importante proprieti electrice. Structura metalic poate fi
considerat ca fiind alctuit dintr-o reea fix de ioni pozitivi, scufundat ntr-un
gaz alctuit de electronii de conducie*.

termenul de gaz electronic este ct se poate de potrivit, ntruct electronii de conducie se


comport ca moleculele unui gaz
*

24

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


ntruct un astfel de sistem reprezint o punere n comun de electroni de
ctre toi atomii reelei, el poate fi studiat cu aceeai metod utilizat pentru
legtura covalent.
Caracteristic structurii metalice este faptul c fiecare atom tinde s se
nconjoare cu maximum de vecini posibil, astfel nct s se realizeze o umplere
compact a volumului disponibil. Trei sferturi din metale cristalizeaz n sistemele
cubic (cu volum centrat sau cu fee centrate) i hexagonal compact (la care fracia
de mpachetare are valoarea maxim), distana interatomic fiind minim.
Metalele au o foarte mare importan practic i, de aceea, ele au fost
studiate foarte intens (cercetri arheologice au artat c ameliorarea calitilor
metalelor prin aliere sau tratamente termice i mecanice era cunoscut nc de
acum dou mii de ani).
Dac un metal sau alt element este adugat unui metal exist patru
posibiliti:
insolubilitatea celor dou specii; plumbul i fierul sau bismutul i cuprul nu au
nici o afinitate unul pentru altul, fiind deci insolubile unul n cellalt. n acest
caz, amestecul este numai mecanic, neafectnd structurile celor dou specii de
atomi. Aliajele obinute n acest fel nu au modificate proprietile intrinseci dar,
uneori, apar efecte noi. Astfel, Fe aliat cu o carbur posed o rezisten la uzur
cu mult mai mare dect cea a Fe pur. De fapt, aceste amestecuri sunt false
aliaje, prin comparaie cu cele prezentate n continuare.
solubilitate cu formarea unui ansamblu interstiial; ntr-o reea mai puin
compact exist posibilitatea ca ali atomi s umple locul gol, existent ntre
atomii metalului. Cel mai adesea, hidrogenul, borul, azotul sau carbonul sunt
substane susceptibile de a juca acest rol, pentru a da natere la soluii
interstiiale.
solubilitate cu formarea unui ansamblu substituional. Unele aliaje sunt
caracterizate de faptul c atomii elementului adugat metalului substituie atomii
acestuia n nodurile reelei. Este cazul aliajelor cupru - nichel. Substituia se
poate realiza aleatoriu sau sistematic, ceea ce are drept efect crearea unei
suprastructuri n care atomii unuia din metale ocup locuri bine precizate iar cei
ai celuilalt locurile rmase libere n reea. De exemplu, n aliajul cupru - zinc n
proporie egal (ca numr de atomi), atomii de Cu ocup colurile celulelor
elementare iar atomii de Zn centrele acestora. Acest tip de solubilitate poate fi
provocat prin nclzirea unei soluii substituionale aleatorii la temperaturi mari
i rcirea lent a acesteia, cnd, sub 400 C, suprastructura se realizeaz prin
orientarea atomilor spre poziiile privilegiate.
formarea unui compus; are loc o reacie chimic ntre cele dou elemente
chimice.
Trsturile principale ale legturii covalente sunt:
are loc n materiale compuse din atomi electropozitivi (metale), care au tendina
de a ceda electroni; cum ns nu sunt disponibili atomi electronegativi, care s-i
accepte, electronii de valen sunt delocalizai, formnd un nor electronic, adic
sunt pui n comun de ctre toi atomii din material i sunt liberi s participe la
25

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

conducia electric n material, ceea ce asigur acestor materiale proprieti


unice: conductivitate electric i termic foarte bune, aspect lucios etc.
interaciunile de atracie apar ca urmare a forelor de atracie coulombian
dintre nucleele ionilor i norul electronic.
apropierea exagerat a ionilor este mpiedicat de forele de respingere datorate
suprapunerii orbitalilor electronici (cnd acioneaz principiul de excluziune al
lui Pauli); ca i la celelalte tipuri de legturi, aceast interaciune repulsiv este
de distan scurt.

2.6.

Legtura Van der Waals

Toate legturile discutate anterior sunt legate, ntr-un fel sau altul, de
transferul unui electron al unui atom ctre vecinii si, lucru posibil atunci cnd
energia necesar acestui proces nu este prea mare. Dac electronii aparin ns unor
straturi complete, energia lor de legtur cu nucleul este foarte mare i ei nu pot
prsi atomul. Aa este cazul gazelor inerte care, dup cum ar rezulta din
considerentele de mai sus, nu pot forma structuri solide cristaline. Totui i n acest
caz se pot obine astfel de structuri, ca urmare a altor interaciuni care pot asigura
stabilitatea acestora. Este vorba de interaciunile de tip molecular sau Van der
Waals care sunt mult mai slabe dect cele discutate anterior. Ele sunt datorate unei
deplasri relative a electronilor dintr-un atom sau o molecul fa de sarcina
pozitiv, central a nucleului; altfel spus, norul electronic nu are o simetrie sferic,
astfel nct ansamblul sarcin pozitiv a nucleului - sarcin negativ a electronilor,
dei neutru din punct de vedere electric, ca urmare a distribuiei asimetrice,
formeaz un dipol. Atomul sau molecula se caracterizeaz printr-un moment
electric dipolar variabil, ca urmare a modificrii formei norului electronic. ntre
doi astfel de dipoli oscilani apare o for atractiv care constituie interaciunea Van
der Waals, cea care asigur mecanismul solidificrii substanelor cu structura
complet a nveliului electronic.
n general, n atomi, centrul sarcinii pozitive (nucleul) coincide cu centrul
sarcinii negative (electronii nconjurtori). Astfel de sisteme posed o simetrie
sferic fa de centrul lor i sunt neutre din punct de vedere electric. Norul
electronic nu este ns un obiect staionar. El pulseaz i se deformeaz n intervale
de timp scurte. Dac norul electronic se deformeaz ntr-un astfel de mod nct
sarcina negativ este plasat asimetric, atunci centrul pozitiv i cel al sarcinii
negative nu mai coincid. Rezult un dipol temporar (figura 2.6).

Figura 2.6 Formarea dipolului temporar

Dipolul reprezint o distribuie de sarcin asimetric, n care cei doi poli


(sau centre de sarcin) sunt separai. Dipolul este neutru din punct de vedere
electric pe ansamblu, dar distribuia sarcinilor electrice pozitive i negative difer.
26

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


Doi dipoli interacioneaz electric (polii de acelai semn se resping, cei de
semn contrar se atrag), determinnd o legtur slab, dar stabil, numit legtur
Van der Waals.
Exist i dipoli permaneni, cum este cazul moleculei de ap (figura 2.7), la
care distribuia de sarcin este asimetric datorit orientrii legturii covalente
dintre atomii de hidrogen i cel de oxigen. n cazul acestora, legtura Van der
Waals este mai puternic dect n cazul dipolilor temporari.

Figura 2.7 Molecula de ap dipolar i apariia legturii Van der Eaals ntre astfel de
molecule

Pentru c legtura Van der Waals este foarte slab, astfel de solide formate
pe baza acestei legturi au puncte de topire sczute (tabelul 2.5) i o duritate mic.
Tabelul 2.5 prezint energia de legtur i temperatura de topire pentru cteva
materiale, cu diferite tipuri de legturi.
Tabel 2.5 Energia de legtur i temperatura de topire pentru materiale cu diferite
tipuri de legturi
Tip de
Energie de legtur
Temperatur de
legtur
Substan
kJ/mol
eV/atom (ion,
topire (C)
molecul)
Ionic
NaCl
640
3,3
801
MgO
1000
5,2
2800
Covalent
Si
450
4,7
1410
C (diamant)
713
7,4
3550
Metalic
Hg
68
0,7
39
Al
324
3,4
660
Fe
406
4,2
1538
W
849
8,8
3410
Van der
Ar
7,7
0,08
189
Waals
Cl2
31
0,32
101

27

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

3.
3.1.

Structura cristalin
Introducere

A devenit deja, de mult, un fapt banal, acela de a clasifica substanele din


punct de vedere al strii de agregare n trei (eventual patru) categorii: solide,
lichide, gaze (i plasm). Aceast clasificare, fcut n ordinea cresctoare a
energiei interne, este ns de multe ori ambigu, att timp ct nu exist un criteriu
clar, care s delimiteze o categorie, de alta. Altfel spus, doar valoarea energiei
interne nu este suficient pentru a putea spune dac un corp face parte dintr-o
anumit categorie.
Tipuri de solide
Starea solid cristalin se caracterizeaz la nivel microscopic printr-o
aranjare periodic tridimensional, de reea spaial, a particulelor constituente,
prezentnd o simetrie intern extins la scar macroscopic, acest fapt
manifestndu-se prin anizotropia proprietilor fizice. Cele dou componente
fundamentale ale solidului cristalin sunt reeaua cristalin i electronii prezeni
n reea.
ntr-un monocristal (figura 3.1.a), atomii sunt aranjai ntr-o structur
periodic unic pe ntreaga ntindere a materialului, n timp ce un policristal
(figura 3.1.b) se compune din mai multe mici monocristale (numite cristalite sau
granule), fiecare dintre acestea avnd o orientare a reelei cristaline diferit de a
celorlalte.

Figura 3.1 a) - structur monocristalin; b) structur policristalin

Cristalitele au de obicei dimensiuni de 100 nm 100 m. Policristalele cu


cristalite mai mici de 10 nm diametru sunt numite nanocristale.

28

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

Figura 3.2 Structura cristalin i amorf a SiO2

Starea solid amorf se caracterizeaz prin lipsa unei aranjri atomice


sistematice; n solidele amorfe nu exist ordine pe distane mari, ceea ce nu
nseamn neaprat o structur haotic, n multe cazuri existnd anumite forme de
ordine pe distan scurt.
Uneori, aceeai substan chimic poate fi ntlnit att n stare cristalin,
ct i n stare amorf, aa cum este cazul carbonului (diamant cristalin, grafit
amorf), sau al SiO2 (figura 3.2), ca i a multor metale.

3.2.

Reele cristaline

Structura periodic a corpurilor cristaline poate fi descris cu ajutorul


noiunii matematice de reea, definit ca o mulime infinit de puncte, numite
noduri ale reelei, a cror poziie este determinat de relaia:

(3. 1)
R n n1 a 1 n 2 a 2 n 3 a 3
unde n1, n2, n3 sunt numere ntregi iar vectorii ai (i = 1, 2, 3) sunt vectorii de baz
(fundamentali) ai reelei (figura 3.3).

Figura 3.3 Vectorii de baz ai reelei cristaline

Originea sistemului de coordonate este ntr-unul oarecare din nodurile


reelei, axele de coordonate fiind necoplanare.

29

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


Dreapta care trece printr-un ir de noduri se numete dreapt nodal; dou
drepte nodale care se intersecteaz, determin un plan nodal.

Figura 3.4 Celula elementar

Dreptele nodale formeaz familii de drepte paralele i echidistante; planele


nodale se grupeaz i ele n familii de plan paralele i echidistante. Alegnd un nod
al reelei drept origine i trei drepte nodale necoplanare care trec prin origine, se
poate construi un sistem de coordonate n raport cu care descriem poziia celorlalte
noduri ale reelei prin intermediul relaiei (3.1), mrimile vectorilor fundamentali
fiind distanele msurate pe fiecare ax, de la origine pn la primul nod. Dup

cum se poate constata, orice translaie de forma: T m 1 a 1 m 2 a 2 m 3 a 3 las


structura neschimbat, ceea ce nseamn c structura reelei este o structur
periodic.
Din intersecia planelor nodale cu axele de coordonate, se formeaz o serie
de paralelipipede, numite celule elementare, pe care le putem caracteriza prin
vectorii a i (i = 1, 2, 3), care definesc axele cristalografice ale celulei i prin
unghiurile ij (i, j = 1, 2, 3), formate de vectorii de baz, luai cte doi (figura 3.4).
Volumul celulei elementare este dat de relaia:

V a 1 a 2 a 3
(3. 2)
Cum vectorii de baz nu se pot alege n mod univoc, rezult c putem gsi
diferite celule elementare, n funcie de alegerea acestor vectori. Celulele care
conin un singur nod se numesc celule primitive (simple). Pentru determinarea
numrului de noduri dintr-o celul, se folosete relaia:
C F
N=I+
(3. 3)
8 2
unde I este numrul nodurilor interioare ale celulei, F - numrul nodurilor plasate
pe feele celulei i C - numrul nodurilor aflate n colurile acesteia.
Se observ c o celul primitiv nu poate avea noduri interioare i c ea are
volumul minim posibil. Prin translaii discrete ale celulei elementare, putem
construi ntreaga reea.
30

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


O celul primitiv de un tip special este celula Wigner-Seitz, care se
construiete astfel: se duc planele mediane la liniile care unesc un nod oarecare cu
toate nodurile vecine de ordinul I*; din intersecia acestor plane, rezult un volum
minim, avnd n centru un nod i care este celula primitiv Wigner-Seitz. n acest
caz, se poate vedea c, datorit modului diferit de construcie, celula primitiv
conine un nod interior, n schimb ea nu are noduri n coluri.

3.3.

Puncte, direcii i plane n reea

S considerm figura 3.4, n care, n plus, vom alege ca unitate de msur


pe fiecare ax, modulul vectorilor de baz (acetia reprezentnd, deci, versorii
sistemului de coordonate). Poziia unui punct n acest sistem de coordonate va fi
indicat printr-o expresie de forma [[m1 m2 m3 ]], unde m1, m2, m3 sunt numere
reprezentnd distana de la origine pn la punctul respectiv, pe direcia
coordonatei x, y, respectiv z. De exemplu, poziiile punctelor O, A, B, C, D, E, F,
G vor fi exprimate astfel: [[0 0 0]], [[1 0 0]], [[0 1 0]], [[0 0 1]], [[1 1 0]], [[0 1 1]],
[[1 0 1]], [[1 1 1]]; punctul central al celulei va avea poziia [[1/2 1/2 1/2]].
Pentru caracterizarea unei direcii, pornim de la faptul c ea este unic
determinat de dou puncte coninute pe dreapta ce d direcia respectiv. Vom
numi direcie cristalin, direcia determinat de dou noduri ale reelei (adic
direcia unei drepte nodale). Vectorul de poziie al nodului de pe o direcie
cristalin cel mai apropiat fa de un altul de pe aceeai direcie, ales drept origine,

se exprim, dup cum s-a vzut, printr-o relaie de forma: R h a1 k a 2 a 3


Tripleta [ h, k, ], format din numere ce nu admit un divizor comun,
exprim direcia respectiv.
Astfel, n figura 3.4, direciile date de dreptele ce trec prin punctele (OA),
(OB), (OC), se exprim astfel: [1 0 0], [0 1 0], respectiv [0 0 1]. Dac unul din
numere este negativ, el se noteaz sub forma: h , k sau . De exemplu, 1 0 0 ,
reprezint direcia OA, cu sensul de la A la O. Rezult c, prin acest mod de
exprimare, direciei respective i se precizeaz i sensul.
Dreptele (OA), (BD), (CF), (EG), respectiv (OB), (CE), (FG), (AD),
precum i (OC), (BE), (DG), (AF), au, fiecare grup, aceeai direcie, deci o familie
de drepte nodale au aceeai direcie. Pentru a indica o familie de drepte nodale,
aceasta se noteaz h k
n sfrit, ca un ultim exemplu, direciile diagonalelor (OG), (CD), (EA),
(BF) sunt, n ordine: [1 1 1], 1 1 1 , 1 1 1 i 1 1 1 .
Pentru definirea planelor cristalografice (reticulare), se folosete o notaie
de forma (h k ), unde h, k i reprezint aa-numiii indici Miller, determinai n
mod univoc, astfel: se exprim coordonatele interseciilor celor trei axe cu planul
respectiv (s le notm cu a, b, c); se iau valorile inverse ale acestora, 1/a, 1/b, 1/c,
Toate nodurile situate la distana minim fa de un anumit nod se numesc vecini de ordinul I ai
acestuia; nodurile situate la egal distan dar mai mare dect distana minim reprezint vecinii de
ordinul II i aa mai departe; distanele respective poart denumirea de raza sferei de coordinaie de
ordinul I, II etc.
*

31

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


valori care se reduc la cele mai mici trei numere ntregi aflate n acelai raport acetia sunt indicii Miller.
De exemplu, s considerm planul din figura 3.5, ale crui intersecii cu
axele de coordonate sunt punctele A, B, C, de coordonate (6 0 0), (0 2 0) i
respectiv (0 0 3). Deci, a = 6, b = 2 i c = 3. Inversele acestora sunt 1/6, 1/2, 1/3 sau
2/12, 6/12, 4/12, cu numrtorii 2, 6, 4. Diviznd cu 2, obinem (1 3 2), care este
setul de indici Miller care dau orientarea planului considerat.

Figura 3.5 Determinarea indicilor Miller

Acetia definesc, de fapt, o familie de plan paralele i echidistante, pe care o


vom nota sub forma {h k }, distana dintre dou astfel de plan alturate numinduse distan interplanar, dhk. Se poate observa c, dac familia de plane este
paralel cu una din axele de coordonate, indicele Miller corespunztor este nul.
O familie de plane date de h k reprezint planele paralele cu cele ale
familiei {h k } dar dispuse de cealalt parte a originii. Dac se consider planele
{nh nk n}, acestea sunt paralele cu planele {h k } fiind ns de n ori mai dese,
adic:
d h k = nd nh nk n
(3. 4)
Deci, familia de plane {h k } este o subfamilie (o submulime) a familiei
de plane {nh nk n}. n final, folosind tot figura 3.4, s dm cteva exemple de
exprimare a unor plane cristalografice cu ajutorul indicilor Miller: planul
determinat de punctele ADGF: (1 0 0); planul determinat de punctele OCGD:
1 1 0 ; planul determinat de punctele OAGE: 0 1 1 ; planul determinat de
punctele BCG: 1 1 1 .
S mai precizm c un punct de coordonate x, y, z se afl n planul cu
indicii Miller h, k, , dac i numai dac hx + ky + z = 1 (valabil pentru toate
sistemele cristaline).

3.4.

Reeaua reciproc (invers)

Cum s-a subliniat i anterior, principala proprietate a reelei cristaline este


periodicitatea, proprietate pe care o vom regsi i la mrimile fizice care o
32

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


caracterizeaz, cum sunt: intensitatea cmpului electromagnetic n reeaua format
de atomi, densitatea de sarcin electric a electronilor atomilor, probabilitatea ca un
atom s se gseasc ntr-o anumit poziie etc. Acest lucru poate fi scris astfel:


(3. 5)
Ur U r T

unde U este mrimea fizic considerat i T o translaie de forma menionat


anterior.

Dezvoltnd n serie Fourier funcia Ur , obinem:

(3. 6)
Ur U b e 2 i b r U b1 U b2 U b3 e 2 i b1x b2 yb3z
b

Vectorul b se determin din condiia de periodicitate (3.5). Din aceast

relaie rezult c: e 2 i b T , deci:






(3. 7)
b T m1 b a1 m 2 b a 2 m3 b a 3
unde m1, m2, m3 sunt numere ntregi, arbitrare. Rezult, mai departe:



(3. 8)
b a 1 g1 ; b a 2 g 2 ; b a 3 g 3
unde g1, g2, g3 sunt, de asemenea, numere ntregi, arbitrare.

Cu relaiile (3.8), am definit vectorul b , pentru aflarea lui, procedndu-se


astfel: scriem acest vector ca fiind de forma:




b a 1 a 2 a 2 a 3 a 3 a 1
Din condiiile (3.8), rezult:
b a1 a1 a 2 a 3 g1 ;
b a 2 a 2 a 3 a1 g 2 ;

(3. 9)

b a 3 a 3 a1 a 2 g 3

Dar, pe de alt parte, din (3.3) se obine:


V a1 a 2 a 3 a 2 a 3 a1 a 3 a1 a 2
g
g
g
de unde rezult: = 3 , = 1 , = 2 , deci:
V
V
V


a2 a3
a 3 a1
a1 a 2
b g1
g2
g3
g1 b1 g 2 b 2 g 3 b 3 (3. 10)
V
V
V
Din aceast ultim relaie, se poate constata i c:
0 dac i k

a i bk
(3. 11)
1 dac i k

adic b1 este perpendicular pe a 2 i pe a 3 , b 2 este perpendicular pe a 1 i pe a 3 i

b 3 este perpendicular pe a 1 i pe a 2 .

Vectorii b1 , b 2 , b 3 , astfel construii, se numesc vectorii de baz ai reelei
reciproce, reeaua obinut cu acetia fiind reeaua reciproc (invers).

33

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


Se poate arta c volumul celulei elementare a reelei reciproce este legat de
cel al celulei elementare al reelei directe prin relaia:

1
= b1 b 2 b 3
(3. 12)
V
Din expresiile care exprim vectorii reelei reciproce, se pot exprima i
unghiurile dintre aceti vectori n funcie de unghiurile dintre vectorii de baz ai
reelei directe:
a a a 3 a1
b b
cos 12 1 2 2 3
b1 b 2
a 2 a 3 a 3 a1

a 3 a 2 a 3 a1 a 3 a 3 a 2 a1 cos 23 cos 31 cos 12


a1 a 2 a 32 sin 23 sin 31

sin 23 sin 31

Analog,
cos 31 cos 12 cos 23
cos 12 cos 23 cos 31
cos 23
; cos 31
(3. 13)
sin 31 sin 12
sin 12 sin 23

Se poate, de asemenea, demonstra c vectorul b hk h b 1 k b 2 b 3


este perpendicular pe planele familiei {h k } i c:

1
b hk

(3. 14)
d hk

Figura 3.6 Zone Brillouin ntr-o reea ptratic

Dac n reeaua reciproc se construiete o celul primitiv de tip WignerSeitz, aceasta se numete zon Brillouin. Construcia se face n acelai mod,
descris anterior: alegem un nod arbitrar drept origine, de la acesta ducem segmente
de dreapt pn la nodurile vecine de ordinul I, ducem planele mediatoare la aceste
segmente, intersecia lor formnd prima zon Brillouin. Fcnd aceeai construcie
dar folosind vecinii de ordinul II (III, ... etc.), obinem a doua (a treia, ... etc.) zon
Brillouin. Se poate arta c volumele zonelor Brillouin de diferite ordine sunt
egale. n figura 3.6 se poate vedea construcia zonelor Brillouin ntr-o reea plan

34

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

ptratic. n locul vectorului b , definit prin relaia (3.10), n teoria corpului solid
se prefer lucrul cu vectorul:

(3. 15)
g 2b

3.5.

Reele Bravais

O observaie general se poate face n legtur cu cristalele reale: acestea


sunt anizotrope, adic proprietile lor sunt diferite, n funcie de direcia dup care
se face observarea; ntotdeauna putem gsi un punct, o dreapt, un plan de simetrie
sau o combinaie a acestor elemente.
Tabel 3.1 Singonii
singonii

triclinic

lungimi
axe,
unghiuri
a1a2a3

simpl

REELE BRAVAIS
cu baze
cu volum
centrate
centrat

cu fee
centrate

INFERI - monoclinic a1a2a3


OARE

=
rombic
(ortorombic)

a1a2a3
=
= =

tetragonal

a1=a2a3
=
= =

romboedric a1=a2=a3
(trigonal) =
=
MEDII
hexagonal

SUPERI- cubic
OARE

a1=a2a3
=
=

a1=a2=a3
=
= =

Dac se grupeaz tipurile de reele cristaline dup simetriile pe care le au, se


obin apte grupe, ce corespund celor apte sisteme cristalografice (singonii). Din
celulele elementare corespunztoare acestora, se pot forma, adugnd noduri n
35

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


centrul celulei sau n centrul feelor acesteia i alte tipuri de reele, astfel nct, aa
cum a artat n studiul su din anul 1848 A. Bravais, numrul de structuri de celule
elementare este de 14. Aceste tipuri distincte de structuri se numesc, n mod curent,
reele Bravais. Cele apte sisteme cristalografice i cele 14 tipuri de reele Bravais
sunt prezentate n tabelul 3.1. Dup cum se poate constata din analiza acestui tabel,
tipurile de reele Bravais sunt prezentate n ordinea cresctoare a simetriei, fiecare
dintre sisteme coninnd toate elementele de simetrie ale precedentului.
De asemenea, se poate constata c, pentru fiecare din cele apte sisteme,
exist cte un tip de reea cu celul primitiv (P), pentru unele dintre acestea
existnd i alte tipuri de reea, cu celul neprimitiv: cu baze centrate (C), cu volum
centrat (I) sau cu fee centrate (F). Prin deformarea pe anumite direcii, reelele
Bravais se pot genera una din alta, conform schemei din figura 3.7.
CUBIC
HEXAGONAL

TETRAGONAL

ORTOROMBIC

TRIGONAL

MONOCLINIC
TRICLINIC
Figura 3.7 Transformarea reelelor Bravais dintr-una n alta

3.6.

Structuri cristaline reale

n discuiile de pn acum, am vorbit de reele cristaline ideale, fr s ne


intereseze care sunt particulele constituente, cum sunt acestea legate unele de
altele, care sunt limitele reelei etc.
Dintre cele 14 reele Bravais, cea care aret simetria cea mai mare este
structura cubic simpl (CS) (figura 3.8). De altfel, ea este i cel mai comod de
studiat (este i uor de desenat) dar realitatea este departe de a fi att de simpl;
multe din proprietile solidelor pot fi explicate tocmai prin detaliile structurii
cristaline, care difer de la un solid la altul.
Se cunoate doar un singur element, poloniul, care cristalizeaz n forma
cubic simpl i aceasta doar pe un interval limitat de temperatur. De fapt, n
majoritatea cazurilor, atomii nu se aranjeaz ntr-o structur cubic simpl ntruct
aceasta este o structur foarte rarefiat, prezentnd spaii largi goale (evident, la
scara dimensiunilor atomice). Natura ns face economie de spaiu, n astfel de
structuri existnd tendina general a atomilor de a se aranja ct mai aproape unii
de alii.

36

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


n analiza structurii cristaline este comod s se considere atomii ca fiind
sfere rigide cu raze bine-definite. n acest model de sfere rigide, cea mai scurt
distan dintre doi atomi de acelai tip este egal cu diametrul sferei.

Figura 3.8 Structura cubic simpl

Pentru a caracteriza eficiena cu care este folosit spaiul disponibil ntr-o


anumit structur, se definete gradul (fracia) de mpachetare (raportul de
umplere), ca fiind raportul dintre volumul atomilor (considerai sfere rigide aflate
n contact) din celula elementar i volumul acesteia. La structura cubic simpl,
gradul de mpachetare este de 0,52 (52 %.).
Metalele sunt de obicei materiale (poli)cristaline, dei este posibil i
formarea metalelor amorfe prin rcire rapid. Cum legtura atomic n metale este
nedirecional, nu exist o restricie asupra numrului sau poziiilor vecinilor de
ordinul I ai atomilor, ceea ce determin un numr mare de vecini de ordinul I i o
mpachetare atomic dens. Raza sferei atomice, R este, tipic, 0,1 0,2 nm.
Majoritatea tipurilor de celule elementare sunt: cubic cu volum centrat (CVC),
cubic cu fee centrate (CFC) i hexagonal compact (HC).
Se poate observa (considernd c atomii sunt sfere rigide i c ei se
aranjeaz astfel nct se ating), c spaiul gol n structura cubic simpl este cel din
mijlocul cubului reprezentnd celula elementar. Dac acest spaiu se umple
(evident, parial) cu un alt atom, se obine structura cubic cu volum centrat
(CVC). ntr-o astfel de reea, celula elementar conine doi atomi, fiecare dintre ei
avnd opt vecini de ordinul I, care sunt de natur diferit fa de natura atomului
considerat, dac structura conine atomi de specii diferite (figura 3.9).
Aceast structur poate fi considerat ca fiind obinut din suprapunerea a
dou subreele cu structur cubic simpl, deplasate una fa de alta pe direcia
diagonalei cubului [1 1 1] cu distana egal cu jumtate din lungimea acestei
diagonale (figura 3.8).
Structura cubic cu volum centrat este ntlnit la numeroase metale, dintre
care cele mai cunoscute sunt -Fe, Cr, Mo, W, metalele alcaline (Li, K, Na, Rb,
Cs) ca i la compui cum sunt CsCl, CsBr, TlBr, NH4Cl. De altfel, aceast structur
mai este cunoscut i sub denumirea de structura clorurii de cesiu.

37

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

Figura 3.9 Structura cubic cu volum centrat

Sferele rigide se ating (sunt tangente) de-a lungul diagonalei cubului, de


4R
unde rezult c lungimea muchiei cubului (constanta reelei) este a =
. Fracia
3
de mpachetare este de 0,68 (68 %), numrul vecinilor de ordinul I este 8, iar
numrul atomilor din celula elementar este n = 2.
Dac se consider o structur plan, aranjarea optim a atomilor este cea din
figura 3.10. Spaiile dintre atomi (notai cu 1) sunt notate cu 2 i respectiv 3.

Figura 3.10 Structur hexagonal plan

Dac vrem s obinem o structur spaial prin suprapunerea mai multor


plan atomice de felul celui din figura 3.10, se poate face acest lucru prin
suprapunerea acestora n aa fel nct atomii planelor de deasupra s se afle exact n
poziiile atomilor notai cu 1. n acest caz, se obine structura hexagonal simpl
(H), o structur destul de rar ntlnit (La, Am, Nd, grafit, cuar, smarald) datorit
aceluiai motiv: risipa de spaiu (figura 3.11).
Dac ns planul de deasupra celui considerat este format din atomi plasai
n poziiile 2, dup care urmeaz iar un plan cu atomi n poziiile 1 i aa mai
departe, adic o succesiune de plane 121212... (figura 3.12.a), atunci structura
obinut este aa numita structur hexagonal-compact (HC).

38

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

Figura 3.11 Structur hexagonal simpl

Aranjarea atomilor se poate vedea foarte bine n figura 3.12.b, iar figura
3.12.c prezint celula elementar, unde se constat c aceast structur se poate
obine dintr-o structur hexagonal simpl, prin introducerea unui plan intermediar
situat simetric ntre planele bazelor, coninnd (pentru o celul elementar) trei
atomi aflai pe verticala dus din centrul de greutate al unui numr de trei
triunghiuri din cele ase n care se mparte hexagonul baz, luate prin alternan.
Celula elementar are doi parametri de reea, a i h. Raportul ideal este h/a = 1,633.

Figura 3.12 Structur hexagonal-compact

Structura HC este una dintre cele mai comune structuri ale cristalelor
metalice i n aceast structur cristalizeaz elemente ca: H, He, Be, Mg, Sc, Ti,
Co, Zn, Zr, Cd, Tl, precum i compui: ZnO, ZnSe, ZnTe, SiC, CdS, CdSe. Gradul
de mpachetare al acestei structuri este de 74%.
Dac planele de forma celui din figura 3.10 se suprapun astfel nct peste un
plan cu atomii n poziia 1 se suprapune un plan cu atomii n poziia 2 iar peste
acesta un plan cu atomii n poziia 3 i aa mai departe (adic o succesiune de plan
123123..., figura 3.13.a), se obine o structur cubic cu fee centrate (CFC)
(figura 3.13.b,c). Aceasta are un grad de mpachetare de 0,74 (74 %). Planele cu
aranjament compact, de tipul celui din figura 3.10 sunt planele diagonale ale
39

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


cuburilor reprezentnd celulele elementare ale acestei structuri, aa cum se poate
vedea i n figura 3.14.

Figura 3.13 Structur cubic cu fee centrate

Structura cubic cu fee centrate este tipic unor metale cum sunt Cu, Ag,
Au, Al, Ni, Pd, Pt, Sr, Ca, Pb. De asemenea, aceeai structur se ntlnete si la
substane compuse, ca: NaCl, KCl, KBr, LiH, PbS, MgO, MnO, AgBr. Aceste
structuri, de tipul clorurii de sodiu, pot fi considerate ca fiind alctuite din dou
reele CFC (de exemplu, la NaCl, de Na+ i respectiv Cl), ntreptrunse.

Figura 3.14 Planele cu aranjament hexagonal-compact, din structura cubic cu fee


centrate

Sferele rigide se ating una cu alta de-a lungul diagonalei feelor, de unde
4R
rezult c lungimea muchiei cubului (constanta reelei) este a =
. Numrul
2
vecinilor de ordinul I este egal cu 12 i numrul atomilor din celula elementar este
n = 4.
O alt clas este cea a structurii de tip diamant, structur care se poate
obine tot prin suprapunerea a dou reele CFC, deplasate una fa de alta pe
direcia [1 1 1] cu un sfert din lungimea diagonalei cubului. O imagine mult mai
sugestiv este cea care prezint aceast structur pentru care fiecare atom se afl n
40

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


centrul unui tetraedru regulat, n vrfurile acestuia aflndu-se vecinii si de ordinul
I (figura 3.15).
Elemente care cristalizeaz n aceast structur sunt C, Si, Ge, -Sn iar
compuii sunt de tipul AIIBVI, ca: ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, HgS, HgSe,
de tipul AIIIBV, ca: InSb, InAs, InP, GaAs, GaSb, GaP sau de tipul AIBVII, ca:
CuBr, AgI.

Figura 3.15 Structura diamantului

Celelalte sisteme sunt i ele mai rar ntlnite. Astfel, n sistemul tetragonal
cristalizeaz zirconiul i oxidul de titan, n sistemul ortorombic sulful i sulfatul de
bariu, n sistemul monoclinic gipsul i pehblenda iar n sistemul romboedric
calcitul i rubinul.
Aliajele (amestecuri de dou sau mai multe metale) n general au structuri
cristaline de tip CFC, CVC, sau HC, atomii fiind aezai ordonat sau dezordonat:
Structura clorurii de sodiu (NaCl) (figura 3.16) este o structur de tip CFC, la
care raportul razelor celor dou tipuri de ioni (Na+ i Cl), r/R este ntre 0,414
i 0,732, ionul de Cl fiind situat [[0 0 0]], iar ionul de Na+ la [[0 1/2 0]].

Figura 3.16 Structura clorurii de sodiu

Exemple: halogenuri alcaline: LiF, LiCl, LiBr, LiI, NaF, NaCl, NaBr, NaI,
KF, KCl, KBr, KI, RbF, RbCl, RbBr, RbI, CsF, halogenuri metalice: AgF, AgCl,
41

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

AgBr, oxizi metalici: MgO, CaO, SrO, BaO, VO, MnO, FeO, CoO, NiO, sulfuri
metalice: MgS, CaS, SrS, BaS, MnS, PbS, hidruri metalice: LiH, NaH, KH, RbH,
CsH, hidroxizi metalici: KOH, sruri de amoniu: NH4I.
Structura clorurii de cesiu (CsCl) (figura 3.17) este o structur de tip CVC, la
care raportul razelor celor dou tipuri de ioni (Cs+ i Cl), r/R este ntre 0,732 i
1,0, ionul de Cl fiind situat la [[0 0 0]], iar ionul de Cs+ la [[1/2 1/2 1/2]].
Exemple: CsCl, CsBr, CsI, NH 4Cl, NH4Br

Figura 3.17 Structura clorurii de cesiu

Structura perovskitului (figura 3.18), numit aa dup mineralul CaTiO3, numit


perovskit, are ionul de Ca2+ la [[0 0 0]], ionul O2 la [[1/2 0 1/2]], [[0 1/2 1/2]]
i [[1/2 1/2 0]], iar ionul de Ti4+ la [[1/2 1/2 1/2]]. Exemple: CaTiO3, SrTiO3,
BaTiO3, KNbO3, PbZrO3

Figura 3.18 Structura perovskitului

Trebuie precizat faptul c multe substane nu cristalizeaz exact n forma


unor reele simple, aa cum au fost descrise cele de mai sus, dar se apropie foarte
mult de acestea. Exist substane care, de exemplu, cristalizeaz aproape cubic, la
care ns, fie laturile cubului, fie unghiurile sale sunt doar aproximativ egale,
respectiv drepte. De asemenea, unele materiale i schimb sistemul de cristalizare
42

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


atunci cnd sunt nclzite peste o anumit temperatur. Este cunoscut starea
alotrop a staniului (-Sn, staniul cenuiu), cu structur de tip diamant, care este
posibil numai la temperaturi sub 40 C. La fel, fierul i schimb structura din
CVC n CFC la temperaturi peste 910C, iar nichelul din CFC n HC, aa cum
structura sodiului, sub temperaturi n jurul a 30 K, devine o structur complex
mixt. Zirconiul prezint faza hexagonal-compact, iar la 865C sufer o
transformare polimorf n faz , cu structur CVC, acelai fenomen ntlnindu-se
i la hafniu, la care temperatura de tranziie este ns de 1760C.
O imagine sugestiv privind sistemul de cristalizare pentru diferite
substane este dat n figura 3.19.

Figura 3.19 Tabelul periodic al structurilor cristaline

Faptul c, pentru o substan dat, aspectul exterior al cristalului poate


varia, dar elementele sale de simetrie rmn ntotdeauna constante a fost observat
nc din 1669 de ctre danezul Steno, fapt reluat apoi i dezvoltat n secolul XVIII
de ctre francezul Rom de l'Isle. Astfel s-a nscut cristalografia, tiin natural
care se ocup cu studiul formelor cristaline ale substanelor.
De obicei, n natur, aa cum s-a mai artat, cristalele se asociaz n
momentul formrii lor, alctuind formaiuni policristaline (cristalite), alctuite din
numeroase monocristale orientate diferit.
Exist, de asemenea, un alt fenomen, numit clivaj, care permite
cristalografilor s recunoasc i s clasifice cristalele, acesta fiind un fenomen de
ruptur a unui cristal sub aciunea unor factori mecanici, urmrind o direcie
privilegiat. Mica, de exemplu, cliveaz paralel cu suprafaa sa, astfel nct ea
poate fi considerat ca fiind constituit dintr-un teanc de foi. Acelai fenomen este
observat i la grafit.
Clivajul este o reflectare a forelor electrice care acioneaz ntre atomi,
avnd drept rezultat ruperea cristalului de-a lungul planelor atomice care sunt
paralele cu feele cristalului.
43

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


Evident c, n afara acestor observaii, privind structura cristalin a
substanelor, cristalografia mai dispune i de date cu privire la culoarea cristalelor,
densitatea lor, duritatea etc. Duritatea unui cristal se determin cu ajutorul scrii lui
Mohs, n care mineralele sunt clasificate de la 1 la 10, astfel nct fiecare categorie
zgrie pe cele care o preced i este zgriat de cele care o succed.
Duritatea unui mineral este reprezentat de rezistena sa la zgriere. Aceasta
este legat de structura cristalului n sensul c, cu ct atomii sunt mai strns legai,
cu att este mai mare rezistena suprafeei la zgriere. n 1812, Friedrich Mohs a
conceput o scar a duritii care este foarte util n identificarea mineralelor. Talcul
are, pe aceast scar, duritatea 1, n timp ce diamantul are duritatea maxim, 10.
Intervalele ntre numere nu sunt totui egale: diferena ntre corindon, la 9 i
diamant la 10 este mai mare dect ntregul domeniu de la 1 la 9.
Scara Mohs a duritii minerale este urmtoarea:
1. Talc
2. Gips
3. Calcit
4. Fluorin
5. Apatit
6. Feldspat
7. Cuar
8. Topaz
9. Corindon
10. Diamant
Unele materiale pot exista n mai mult dect o structur cristalin, acest fapt
numindu-se polimorfism, iar n cazul particular cnd materialul este un element
solid, alotropie. Structurile cristaline depind de temperatura i presiunea mediului
ambiant.
n afara exemplelor amintite anterior, un exemplu de alotropie este
carbonul, care poate exista ca diamant (figura 3.15), grafit (figura 3.20) i carbon
amorf.

Figura 3.20 Structura grafitului

44

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


Grafitul monocristalin are o structur stratificat, de tip ABAB Legtura
covalent puternic sp2 leag atomii de carbon n fiecare strat la unghiuri de 120.
Straturile sunt asamblate mpreun de legturi Van der Waals relativ slabe.
Aceast structur face grafitul foarte anizotropic, astfel nct este un bun
lubrifiant, ca urmare a alunecrii uoare a straturilor unul fa de altul. Din acelai
motiv, grafitul este utilizat pentru fabricarea minelor de creioane. Mai mult, grafitul
este un conductor electric i termic foarte bun n interiorul straturilor, dar un
izolator n direcia perpendicular pe straturi. Conductivitatea electric a grafitului
este foarte important n utilizarea acestuia pentru electrozi electrochimici. Grafitul
este chimic inert; totui, datorit anizotropiei sale, poate suferi o reacie (cunoscut
sub numele de intercalare), n care o specie strin, numit intercalat, este inserat
ntre straturile de carbon.
Carbonul dezordonat, amorf (numit carbon turbostratic), are de asemenea o
structur stratificat, dar, spre deosebire de grafit, nu are o ordine de stratificare, de
tipul ABAB i straturile sunt curbate. Prin nclzire, carbonul amorf devine mai
ordonat, deoarece forma ordonat (grafitul) are cea mai sczut energie.
Grafitizarea este procesul de ordonare care conduce la grafit. Fibrele de carbon
convenionale sunt n general din carbon amorf, astfel c straturile de carbon sunt
orientate de-a lungul axei fibrei. Grafitul flexibil este format prin comprimarea
unui grup de fulgi intercalai de grafit, meninui mpreun prin solidizare
mecanic, deoarece nu exist un liant. Grafitul flexibil se gsete de obicei n form
de folii, care sunt elastice pe direcia perpendicular pe planul foliilor. Aceast
elasticitate permite utilizarea grafitului flexibil la confecionarea garniturilor de
etanare.
Diamantul prezint o reea covalent i este utilizat ca substan abraziv,
sau conductor termic. Conductivitatea sa termic este cea mai mare dintre toate
materialele; totui, el este un izolator electric.
n ultimul timp s-au descoperit i alte structuri cristaline ale carbonului, mai
complexe i mai vaste, numite fulerene. Acestea sunt molecule (C60) cu legturi
covalente nuntrul fiecrei dintre ele. Moleculele adiacente sunt legate prin fore
Van der Waals; totui, fulerenele nu sunt polimeri. Cele mai cunoscute astfel de
structuri, cu numeroase aplicaii prezente sau doar ntrevzute, sunt nanotuburile de
carbon, care sunt derivai ai fulerenelor (fulerene cu atomi de carbon suplimentari
la ecuatorul moleculei).
Un alt exemplu este cel al fierului, care are o structur de tip CVC de la
temperatura camerei la 912C, o structur CFC ntre 912C i 1394C i din nou
CVC de la 1394C pn la temperatura de topire.
Gheaa este un alt exemplu de substan alotropic. Structura normal a
gheii la presiune atmosferic este hexagonal, dar se cunosc cel puin ase
polimorfisme, depinznd de presiune.
Dioxidul de siliciu (cunoscut i sub numele de silice, cremene, cuar), pur
cristalin, SiO2, are ase forme polimorfe:
- i cuar (romboedric), pn la 870C
- i cristobalit (cubic), de la 870C la 1470C
45

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


i tridimit (hexagonal), peste 1470C
Dac SiO2 este rcit rapid de la starea lichid, se formeaz sticl amorf.
Diferite direcii ntr-un cristal au aranjamente diferite ale atomilor. De
exemplu, atomii de-a lungul muchiei unei celule elementare de tip CFC sunt mai
distanai dect cei de-a lungul diagonalei unei fee. Aceasta determin o
anizotropie n proprietile cristalelor; de exemplu, deformarea depinde de direcia
n care este aplicat fora deformatoare. n unele materiale policristaline, orientrile
cristalitelor sunt aleatoare, astfel nct proprietile macroscopice ale materialului
sunt izotrope. Alte materiale policristaline au cristalitele cu orientri prefereniale
(au o textur), astfel c proprietile sunt dominate de acelea relevante pentru
orientarea texturii i materialul prezint proprieti anizotrope.
Datele obinute de cristalografie n privina proprietilor cristalelor provin
din studii la scar macroscopic i, de aceea, ele sunt insuficiente pentru a lmuri
toate aspectele acestor proprieti. Este necesar, deci i un studiu la scar
microscopic, pentru a aduce date noi, n completarea celor prezentate n acest
capitol. Acest lucru nseamn ns un salt calitativ deosebit, salt care a fost posibil
odat cu dezvoltarea rapid a tiinei, ncepnd cu primele decenii ale secolului al
XX-lea.
-

46

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

4.
4.1.

Defecte i vibraii n solide


Tipuri de defecte

n discuiile de pn acum, s-a considerat c structura reelei cristaline este


una n care atomii ocup poziiile corecte ntr-un mod foarte precis; n realitate,
exist atomi care nu respect acest aranjament ordonat, astfel nct reeaua are
unele defecte structurale. Multe din proprietile substanelor cristaline sunt
determinate tocmai de prezena defectelor n reea, motiv pentru care cunoaterea
modului n care apar i se manifest aceste defecte este de o importan deosebit.
Aceste defecte pot aprea la formarea cristalului, dar i dup aceea, datorit
faptului c mai multe defecte duc la creterea dezordinii n cristal i, deci, a
entropiei acestuia; ca urmare, exist tendina de a se forma mai multe defecte odat
cu creterea temperaturii.
Defectele pot fi clasificate n patru categorii, n funcie de dimensiune:
Defecte punctiforme, sau zerodimensionale: atomi lips, sau plasai n
locuri anormale n reea (vacane, atomi interstiiali, impuriti)
Defecte liniare, sau unidimensionale: grupri de atomi n poziii anormale
(de exemplu, dislocaii marginale i elicoidale)
Defecte planare, sau bidimensionale: interfee dintre regiuni omogene ale
materialului (suprafaa de separare dintre cristalite, suprafee exterioare)
Defecte de volum, sau tridimensionale: defecte extinse (pori, fisuri)

4.2.

Defecte punctiforme

Cel mai simplu defect care poate aprea este lipsa unui atom din locul
corespunztor n reea, defect numit vacan. Acest defect se produce prin ruperea
legturilor cristaline dintre un atom i restul reelei, acesta migrnd ntr-o alt
poziie, unde, la rndul su, reprezint tot un defect punctiform, numit atom
interstiial. De regul, deci, defectele punctiforme apar ca perechi vacan-atom
interstiial. Atomul interstiial se poate plasa undeva, oriunde, n interstiiul dintre
dou plane reticulare ale reelei (ceea ce produce o dilatare a acesteia), caz n care
perechea vacan-atom interstiial se numete defect Frenkel*, sau poate migra la
suprafaa cristalului, caz n care perechea respectiv se numete defect Schottky.
i n regiunea unde se formeaz o vacan are loc deformarea reelei dar n sensul
comprimrii ei. n plus, prezena vacanelor ofer o posibilitate destul de uoar a
atomilor de a difuza dintr-o parte a cristalului (cu concentraie mic de vacane) n
alta (cu concentraie mai mare de vacane) datorit faptului c, atunci cnd un atom
se deplaseaz ntr-o vacan lsnd propriul loc gol, nu produce rupturi prea mari n
reea, procesul necesitnd foarte mic energie. Odat cu difuzia atomilor ntr-un
sens, are loc i difuzia vacanelor n sens invers. n cristalele ionice, prezena
vacanelor n reea echivaleaz i cu o sarcin electric efectiv de semn opus celei
a ionului lips, fapt ce duce la creterea energiei electrostatice; de asemenea, pentru

Defectele Frenkel sunt foarte rar ntlnite la metale, care au o structur foarte compact.

47

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


meninerea neutralitii, apare i tendina de formare de perechi vacan-ion
interstiial.
Difuzia atomilor datorat vacanelor se poate produce i n cazul cnd
concentraia acestora este constant n toat masa cristalului dar se aplic din
exterior un cmp electric, situaie ce duce i la modificarea proprietilor de
conducie electric. Dac energia de formare a unei perechi vacan-atom
interstiial este EV (~ 1 eV pentru defecte Schottky i ~ 4 5 eV pentru defecte
Frenkel), se poate demonstra uor c, la temperatura T, concentraia unor astfel de
defecte este dat de relaia:
E
n = N exp V
(4. 1)
kT
unde k este constanta Boltzmann i N este concentraia atomilor din reea.
Dup cum se vede din relaia (4.1), concentraia vacanelor crete sau scade
o dat cu creterea, respectiv scderea temperaturii.
De exemplu, folosind relaia (4.1), se obine c, la temperatura camerei, n
cupru este o vacan pentru 1015 atomi din reea, n timp ce la temperatur ridicat,
chiar sub punctul de topire, este o vacan pentru 10.000 atomi.
Relaia (4.1) d o estimare a numrului minim de vacane, deoarece un mare
numr de vacane suplimentare (de neechilibru) pot fi introduse n procesul de
cretere sau ca rezultat al tratamentelor ulterioare (deformare plastic, clire etc.)
Numrul de vacane existente la o anumit temperatur poate fi ngheat
prin rcirea brusc a cristalului, lucru ce i confer, n anumite cazuri proprieti
deosebite (aa cum se ntmpl, de exemplu, la clirea oelurilor). Defectele de tip
Frenkel sunt (datorit energiei de formare mai mari) n concentraie mult mai mic,
numrul acestora putnd ns crete n timpul deformrilor mecanice.
Atomii interstiiali determin distorsiuni n reeaua nconjurtoare, ceea ce
face ca energia de formare a unui astfel de defect s fie de aproximativ 3 ori mai
mare dect cea de formare a vacanelor (Ei 3EV). Din aceast cauz, concentraia
de echilibru a atomilor interstiiali este foarte mic (mai puin de un atom
interstiial pe cm3 la temperatura camerei).

Figura 4.1 Tipuri de defecte punctiforme

48

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


Un alt tip de defect punctiform const n prezena n reea a unor atomi de
alt tip dect cei ai reelei respective, numii impuriti. Acestea pot fi impuriti
interstiiale, cnd atomii de impuritate sunt plasai ntre planele reelei sau
impuriti substituionale, cnd atomii de impuritate substituie chiar n nodurile
reelei atomi ai acesteia (figura 4.1). n afara efectelor care apar i n cazul atomilor
interstiiali, prezena impuritilor determin i alte efecte, specifice. De exemplu,
cel mai important este cel datorat diferenei de valen dintre atomii de impuritate
i cei ai reelei, cnd, ca urmare a acestui fapt, se produce o rearanjare local a
atomilor, pentru a menine neutralitatea electric. Procesul, numit compensare de
sarcin, se produce n cristalele ionice i determin creterea concentraiei de
vacane i, n consecin a conductivitii electrice. Tot aici, s amintim procedeul
de impurificare (i creare, n acest fel, a impuritilor substituionale) a
semiconductorilor, cu producerea conduciei extrinseci la acetia.
n fapt, impuritile sunt atomi care sunt diferii de cei ai reelei-gazd.
Toate solidele reale sunt impure (chiar i metalele foarte pure conin atomi de
impuriti). Impurificarea poate fi intenionat sau neintenionat. Un exemplu din
prima categorie este carbonul care, adugat n mici cantiti n reeaua fierului,
determin formarea oelului. Borul adugat la siliciu modific proprietile electrice
ale acestuia.
Aliajele reprezint amestecuri deliberate de metale. Un caz particular este
cel al soluiilor solide, care sunt obinute pe baza unei gazde (solvent sau
matrice), care dizolv componentul minor (solvit). Proprietatea de a se dizolva este
numit solubilitate.
ntr-un aliaj, elementul sau compusul prezent n mai mare cantitate este
solventul, iar elementul sau compusul prezent n mai mic cantitate este solvitul.
Soluia solid este omogen, i menine structura cristalin i conine
impuriti (substituionale sau interstiiale) dispersate aleatoriu.
Soluiile solide substituionale conin impuriti substituionale (figura 4.2).

Figura 4.2 Soluie solid substituional

Pentru o solubilitate ridicat, este necesar ca atomii de impuritate s aib


dimensiuni comparabile cu cele ale atomilor gazd (razele atomice alesolvitului i
49

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


solventului nu trebuie s difere cu mai mult de 15%), structurile cristaline ale
solvitului i solventului trebuie s fie aceleai, iar electronegativitile solvitului i
solventului comparabile. Aceste condiii sunt cunoscute sub numele de regulile
Hume-Rothery.
n general, dac solvitul are o valen mai mare dect a solventului, el are o
solubilitate mai mare.
Soluiile solide interstiiale conin impuriti interstiiale, cu dimensiuni
suficient de mici pentru ca acestea s se potriveasc n spaiile libere ale reelei.
Pentru structurile CFC, CVC i HC, spaiile libere (sau interstiiile) dintre
atomii gazd sunt relativ mici, ceea ce impune ca razaatomic a solvitului s fie
semnificativ mai mic dect cea a solventului. n mod normal, concentraia maxim
a solvitului este de cel mult 10%.
Compoziia unei soluii (aliaj) poate fi exprimat n dou moduri:
concentraie masic, util cnd se prepar soluia: reprezint masa unui
component raportat la masa total a soluiei (aliajului); pentru un sistem cu
dou componente, X i Y, concentraia masic elementului X este dat de
relaia:
mX
100 %
cX =
(4. 2)
mX mY
unde mX i mY sunt masele componentului X, respectiv Y.
concentraie atomic, util pentru nelegerea structurii materialului la nivel
atomic: numrul moli (atomi) dintr-un component, raportat la numrul total de
moli (atomi) din aliaj; pentru un sistem cu dou componente, X i Y,
concentraia atomic a elementului X este dat de relaia:
nX
cX
100 %
(4. 3)
nX nY
unde nX i nY reprezint numrul de moli (atomi) din componentul X, respectiv Y.
Se poate trece de la un tip de concentraie la altul, astfel:
de la concentraia masic la cea atomic:
cX A Y
cY A X
cX
; cY
cX A Y cY A X
cX A Y cY A X
de la concentraia atomic la cea masic:
cX A X
cY A Y
cX
; cY
cX A X cY A Y
cX A X cY A Y
n sfrit, ultimul tip de defecte punctiforme pe care l vom aminti aici este
cel numit centru de culoare. Dac unele cristale sunt supuse aciunii radiaiilor X,
, neutronice etc., acestea i schimb culoarea (de exemplu, sub aciunea unui
flux de neutroni, cuarul se coloreaz n maro iar diamantul capt o culoare
albastr cnd este supus aciunii unui flux de electroni). Efectul se produce ca
urmare a aciunii radiaiilor asupra reelei, prin care n aceasta sunt produse diferite
defecte punctiforme ce duc la acumularea n zon a unor purttori de sarcin
electric (electroni, goluri), ale cror niveluri energetice discrete determin
50

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


procesul de absorbie selectiv a luminii. Prin nclzirea cristalului, culoarea sa
devine cea iniial deci defectele aprute prin iradiere sunt reversibile. Un centru de
culoare foarte studiat este aa-numitul centru F, obinut prin nclzirea unei
halogenuri alcaline n vapori ai metalului alcalin respectiv, urmat de rcirea
brusc. Ca urmare a nclzirii, vaporii alcalini difuzeaz n cristal; cum ionii
alcalini sunt n exces, fiecare din acetia va fi dublat de o vacan de ion de
halogen. Pentru respectarea neutralitii electrice, electronul de valen al atomului
metalului alcalin va fi captat de vacana pereche, ca i cnd acolo s-ar fi aflat un
atom de halogen. Defectul const, deci, n lipsa unor ioni de halogen n reea,
acetia fiind nlocuii de cte un electron (n acelai mod, pot fi produi centri F
care constau n lipsa unor ioni pozitivi, nlocuii de goluri). n anumite cazuri, se
pot produce mici grupri de 2-3 astfel de centri F (clusteri), cu proprieti optice
deosebite.

4.3.

Defecte liniare; dislocaii

O alunecare relativ parial a planelor reticulare dense pe o distan


atomic produce o dislocaie. De exemplu, n cazul ideal, deformarea unui cristal
are loc prin alunecarea planurilor atomice unele peste altele. Se produce astfel o
alunecare unitate, pe un plan de alunecare, dac fiecare atom de-o parte a planului
a luat locul ocupat de cel mai apropiat vecin n direcia de alunecare. Astfel,
alunecarea unitar las atomii n coresponden de-o parte i de alta a planului de
alunecare i nu perturb perfeciunea cristalului. n majoritatea cristalelor,
alunecarea nu este ns uniform pe toat suprafaa planului de alunecare.
n figura 4.3, alunecarea unitar nu se produce dect pe o poriune a
planului de alunecare; restul planului nu a alunecat. Linia AD este limita din
interiorul cristalului a zonei care a alunecat. n jurul direciei AD, atomii nu mai au
aranjamentul normal. Zona cu un diametru de ordinul a 10 nm n jurul lui AD este
o dislocaie. De aici deriv i definiia dislocaiei: o dislocaie reprezint un defect
liniar (unidimensional) al reelei cristaline, care limiteaz n aceasta o regiune care
a alunecat.
Trebuie remarcat faptul c, dac dislocaia s-ar deplasa pe planul de
alunecare de la o extremitate la alta a cristalului, acesta s-ar deforma, ceea ce arat
legtura dintre dislocaii i deformarea plastic.
Pentru a preciza importana dislocaiilor n deformarea plastic, este
suficient s dm cteva exemple.
1. Slaba rezisten la forfecare a cristalelor
O dislocaie este o configuraie care se poate deplasa ntr-o reea. Micarea
sa, ca aceea a unei vacane, furnizeaz o schem comod pentru descrierea
deplasrilor unui mare numr de atomi; fiecare atom se deplaseaz cu o singur
distan interatomic n timp ce dislocaia parcurge un numr mare de astfel de
distane. Micarea unei dislocaii de-a lungul cristalului produce o deformare
macroscopic n care cristalul cedeaz constrngerilor aplicate. Fora necesar
pentru a deplasa o dislocaie este de mai multe ordine de mrime inferioar celei

51

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


necesare pentru forfecarea simultan a unui ntreg plan de atomi fa de un altul
ntr-un cristal perfect.

Figura 4.3 Alunecarea planelor reticulare ntr-o reea

2. Forjarea*
Dislocaiile sunt nconjurate de cmpuri de fore elastice. Cmpurile de
fore ale diferitelor dislocaii interacioneaz puternic i blocheaz dislocaiile ntro configuraie metastabil. Fora ce trebuie aplicat din exterior pentru a produce
deformarea trebuie s fie suficient pentru a face s treac dislocaiile de-a lungul
cmpurilor de for ale altor dislocaii care i se opun. Dislocaiile acumulate n
timpul forjrii la rece cresc deci duritatea materialului. Dac se reduce densitatea
dislocaiilor, acestea nu se mai blocheaz unele pe altele i se deplaseaz uor.
Dac toate dislocaiile ar fi eliminate, cristalul ar deveni foarte rezistent.

Figura 4.4 Curba efort-deformare

3. Efecte de impuriti
Atomii de impuriti difuzeaz spre dislocaii. Atomii de dimensiuni mai
mari dect constanta reelei sunt atrai spre regiunea dilatat din jurul dislocaiei.
Atomii de dimensiuni mai mici sunt atrai spre regiunea comprimat. S-a
interpretat limita rezistenei fierului drept momentul cnd dislocaiile se separ de
atomii de impuriti care le nconjoar. Cnd dislocaia s-a ndeprtat de impuritate,
*

Forjare = batere la rece, utilizat n metalurgie pentru modificarea proprietilor metalelor.

52

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


ea continu s se deplaseze sub aciunea unei fore, de unde variaia pantei curbei
efort-deformare (figura 4.4)
4. Recoacerea
O ridicare a temperaturii permite dislocaiilor s se deplaseze mai uor i s
formeze configuraii mai stabile (de energie mai sczut). Dac dou dislocaii se
atrag, ele pot s se reuneasc i s se anihileze sau s formeze o dislocaie unic
(figura 4.5).

Figura 4.5 Combinarea dislocaiilor

n toate cazurile, are loc scderea numrului de dislocaii i eliberarea de


energie. Recoacerea lefuiete cristalul, eliminnd dislocaiile.
5. Poligonizarea
Dac se curbeaz un cristal, se introduc dislocaii care se repartizeaz mai
mult sau mai puin uniform pe plan de alunecare paralele (figura 4.6.a).
n cursul poligonizrii, dislocaiile diverselor plan se aliniaz unele peste
altele, cci regiunile comprimate ale unei dislocaii atrag regiunile dilatate ale altei
dislocaii vecine. Ele formeaz astfel o jonciune de dezorientare uoar. Energia pe
dislocaie este astfel mai sczut i cristalul este mai stabil. Se obin de o parte i de
alta a jonciunii dou cristale de dezorientare uoar reciproc (figura 4.6.b).

4.3.1.

Exemple de dislocaii

Orice dislocaie poate fi explicat printr-o alunecare. Dup direcia i


mrimea vectorului de alunecare, se deosebesc urmtoarele tipuri de dislocaii:
1. Dislocaia marginal (Taylor i Orowan) (figura 4.3). Vectorul de alunecare
este perpendicular pe linia de dislocaie. Apare un plan reticular incomplet n
cristal, a crui limit este linia de dislocaie.
2. Dislocaia elicoidal (Burgers). Vectorul de alunecare este paralel cu linia de
dislocaie. Cristalul poate fi considerat ca un plan atomic unic, dispus elicoidal
n jurul liniei de dislocaie.
3. Dislocaia mixt
Cnd un cristal sufer o deformare plastic, aceasta se produce prin
alunecarea unui plan reticular (specific materialului respectiv) fa de altul, pe o
direcie de asemenea bine definit, n funcie de natura materialului. Linia care
separ partea din cristal care a alunecat de cea care nu a alunecat se numete
dislocaie. Dac direcia de alunecare este perpendicular pe dislocaie, avem de-a
53

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


face cu o dislocaie marginal (Taylor) iar dac cele dou direcii sunt paralele,
dislocaia este o dislocaie elicoidal sau spiral (Burgers). Cnd direcia de
alunecare este una oarecare, s-a produs o dislocaie mixt.

Figura 4.6 Poligonizarea

n figura 4.6 sunt prezentate cele dou tipuri de dislocaii. La dislocaia


marginal, alterarea structurii reelei este mare n imediata vecintate a acesteia dar
la distane de cteva ori distana interplanar deja structura reelei este aproape cea
regulat. Totui, descriind o curb nchis n planul xOy n jurul originii (figura

4.7), i adunnd pe aceast curb vectorii deplasare, u j , ai fiecrui atom de pe


curb fa de poziia iniial n reeaua ideal, vectorul rezultant este nenul, avnd
mrimea egal cu distana interplanar i fiind orientat pe direcia Ox.
Dislocaia elicoidal are loc prin tierea reelei de-a lungul unui semiplan
i alunecarea celor dou pri rezultate fa de poziia iniial pe o distan egal cu
jumtate din distana interplanar. i n acest caz se constat acelai lucru n
legtur cu vectorul deplasare calculat pe o curb nchis n jurul liniei de
dislocaie, astfel nct se poate scrie:
u
(4. 4)
du i x ki dx k bi
Cu alte cuvinte, cnd se descrie o curb arbitrar nchis, , n jurul unei

linii de dislocaie, vectorul deplasare elastic, u , sufer o variaie finit, b , egal


54

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


cu unul din vectorii de baz ai reelei (cel perpendicular, pentru dislocaia
marginal, respectiv paralel, pentru dislocaia elicoidal, cu direcia liniei de

dislocaie). Vectorul b este constant de-a lungul liniei de dislocaie i se numete


vectorul Burgers.

Figura 4.7 Tipuri de dislocaii

Este evident c linia de dislocaie nu se poate ntrerupe n interiorul


cristalului, cele dou capete ale acesteia ieind la suprafa sau unindu-se i
rezultnd o curb nchis. Dislocaiile pot fi puse n eviden prin diverse tehnici,
dintre care cele mai importante sunt microscopia electronic, microscopia
autoionic, difracia de raze X, atacul chimic al suprafeei cristalului etc.
4. Dislocaii imperfecte

B
C
A
A C A
B
B
C
A
A

B
C

a
b

B
C

Figura 4.8 Dislocaii imperfecte

Dac ntr-o structur CFC se produce un defect de mpachetare, astfel c n


locul succesiunii ABCABC apare, de exemplu, o succesiune ABCBCABC, se
poate considera c defectul a aprut pornind de la o alunecare AB. Vectorul BC
este mai scurt dect vectorul BB , care d o dislocaie marginal (figura 4.8).
Limita unui defect de mpachetare n interiorul cristalului este o dislocaie
imperfect (Shockley).

55

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

4.3.2.

Multiplicarea dislocaiilor

Numrul dislocaiilor ntr-un cristal de sintez este n jur de 108


10 /m , adic distana medie ntre dou dislocaii este de 10 100 m.
Dislocaiile se deplaseaz pe astfel de distane foarte uor. ntr-un cristal puternic
forjat, se poate atinge o densitate de 1014 dislocaii/m2, adic o distan de 100 nm
ntre dou dislocaii vecine. Cum regiunea perturbat de o dislocaie are un
diametru n jurul a 10 nm, se poate concepe cu uurin c micarea dislocaiilor
este dificil ntr-un cristal forjat. Dar dislocaiile se pot multiplica i prin alte
procese, cum este, de exemplu, cel al mecanismului Frank i Reed. Fie o linie de
dislocaie ancorat ntre dou puncte (ancorajul se constat de exemplu n prezena
impuritilor sau a cmpurilor de constrngere ale altor dislocaii). Dac se exercit
o slab constrngere de forfecare, dislocaia se deformeaz. Curbura crete i, din
aproape n aproape, apare o dezvoltare de forma din figura 4.9.
n punctul de ntlnire, bucla se nchide, n timp ce dislocaia ancorat
reproduce acelai proces. Formarea unor astfel de bucle de dislocaie se poate
observa cu uurin la microscopul electronic.
9

Figura 4.9 Multiplicarea dislocaiilor prin mecanismul Frank i Reed

Cunoaterea dislocaiilor este nc destul de recent i, deci, destul de


incomplet pentru a rspunde la toate problemele pe care acestea le pun. Totui, ele
se pot observa, numra, se poate studia micarea lor la microscopul electronic i
pot fi chiar, ntr-o oarecare msur, controlate.
Ideea de a obine monocristale fr dislocaii prea altdat utopic. n
prezent, acest lucru este posibil. Proprietile mecanice ale acestor monocristale
sunt proprietile teoretice ale unui cristal perfect. Totui, ele nu pot fi obinute
dect sub form particular: trichite* (whiskers).
*

Trichite = grup de minerale filiforme

56

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


Trichitele sunt fibre monocristaline perfecte, de 1 m diametru i lungime
variabil (n general, civa milimetri sau chiar civa metri n cazul carbonului).
Plecnd de la aceste fibre, se pot trefila fire sau pnze foarte rezistente (20000
kg/mm2, adic de 100 de ori mai rezistente dect cele mai bune oeluri cu siliciu).
Se pot prepara, de asemenea, materiale compozite asamblnd un mare
numr de trichite care acioneaz asupra rezistenei structurii precum tijele de fier
n betonul armat. Problema este aceea de a stabili o legtur ntre trichite i
matrice. Rezultate interesante au fost obinute n particular cu trichite de alumin
inserate n aluminiu, n scopul obinerii compatibilitii chimice.

4.4.

Defecte planare (bidimensionale)

Atomii de la suprafa au legturi atomice nesatisfcute i energii mai mari


dect atomii din interior, ceea ce d natere unei energii de suprafa (superficiale),
Ca urmare, aria suprafeelor tinde s se minimizeze (de exemplu, o pictur de
lichid, care, n absena altor constrngeri, ia form sferic), iar suprafeele solide se
pot reconstrui, pentru a satisface legturile atomice la suprafa.
Materialele policristaline sunt alctuite din numeroase mici cristale
(cristalite). Acestea au diferite orientri cristalografice, existnd astfel nepotriviri
atomice n regiunile unde se ntlnesc cristalitele. Aceste regiuni sunt numite
suprafee de separare dintre cristalite.
Suprafeele i interfeele sunt reactive i impuritile tind s se separe aici.
Cum interfeelor le este asociat o energie, cristalitele tind s creasc n
dimensiuni, pe seama celor de dimensiuni mai mici, pentru a minimiza energia.
Aceasta are loc prin difuzie, care este accelerat la temperaturi mari.

Figura 4.10 Suprafee de separare pereche

n funcie de nealinierea planelor atomice ale cristalitelor alturate, se pot


deosebi cristalite cu suprafee de separare cu unghiuri de nealiniere mici sau mari.

57

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

Suprafeele de separare de unghi mic sunt zone de dislocaii marginale


aliniate. Acest tip de suprafa de grani a cristalitei este numit grani nclinat.
Regiunea de separare dintre dou cristalite constnd n zone de dislocaii
elicoidale se numete grani rsucit.
Suprafee de separare pereche, de joas energie, cu poziii atomic n oglind
de-a lungul graniei pot fi produse prin deformarea materialelor (figura 4.10).
Aceasta d natere la memoria formei, pe care o prezint anumite metale, ce pot
reveni la forma original, dac sunt nclzite la o temperatur ridicat. Aliajele cu
memoria formei au suprafee de separare pereche ntre cristalite i cnd se
deformeaz, aceste se desperecheaz. La temperatur ridicat, aliajul revine la
configuraia pereche original i reface forma original.

4.5.

4.6.

Defecte de volum
Astfel de defecte se pot prezenta sub form de:
pori pot afecta puternic proprietile mecanice, optice, termice
fisuri pot afecta puternic proprietile mecanice
incluziuni strine pot afecta puternic proprietile mecanice, optice,
electrice

Vibraiile reelei cristaline

n discuiile de pn acum, am descris reeaua cristalin ca pe un ansamblu


de particule aranjate ordonat, fr a ne interesa de agitaia termic, caracteristic
oricrui ansamblu de particule. Problema ce urmeaz s o abordm este aceea a
studiului acestei micri pe care o efectueaz nodurile reelei cristaline. De
asemenea, ne intereseaz s cunoatem i problemele legate de energia de agitaie
termic, avnd n vedere variaia acesteia cu temperatura i influena ei asupra
multor fenomene, cum sunt cele legate de conducia electric, cea termic etc.
Agitaia termic a solidelor cristaline const n mici oscilaii ale particulelor
constituente n jurul poziiilor de echilibru care sunt nodurile reelei cristaline.

4.6.1.

Vibraiile reelei monoatomice unidimensionale

Deplasrile atomilor fa de poziia lor de echilibru sunt mult mai mici fa


de distana dintre ei, la aceste deplasri opunndu-se fore electrostatice aprute ca
urmare a deformrii nveliurilor electronice ale atomilor datorit tocmai acestor
deplasri. ntr-o prim aproximaie, aceste fore de revenire pot fi considerate
proporionale cu deplasarea (elastice).
S considerm o reea unidimensional cu un atom de mas M pe celul,
fiecare atom interacionnd numai cu vecinii si cei mai apropiai (figura 4.11).
Constanta reelei este a, constanta elastic iar deplasrile atomilor fa de poziia
de echilibru sunt un.
Ecuaia de micare a atomului cu numrul de ordine n este:

M u n = (un+1 un) + (un un1)


(4.5)
sau:

M u n = (2un un+1 un1)


(4.5)
58

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


Cutm soluii de forma*:
un = Ugeigna
(4.6)
Atunci, relaia (4.5) devine:

M U g = (2 eiga e iga)Ug = 2(1 cos ga)Ug


(4.7)
Aceasta reprezint ecuaia unui oscilator armonic simplu, cu pulsaia:

g a
2 sin
g =
(4.8)
M
2
Orice vibraii posibile sunt date de valorile posibile ale lui g n domeniul:

<g
(4.9)
a
a
care reprezint, de fapt, prima zon Brillouin.

Figura 4.11 Reea unidimensional monoatomic

Orice valoare a lui g n afara acestui interval are ca rezultat un mod de


vibraie care repet cu exactitate aceeai micare ca cea a unuia din modurile de
vibraie din intervalul dat. Reprezentat grafic, relaia (4.8) arat ca n figura 4.12.
Ecuaia (4.8) are N soluii diferite, corespunztor celor N valori ale lui g n zona
Brillouin, aceasta corespunznd celor N grade de libertate ale reelei iniiale, cu N
atomi; g joac rolul numrului de und, putnd fi reprezentat n spaiul reciproc
(aa cum s-a vzut la difracia n reele cristaline, vectorul reelei reciproce are
dimensiunea unui vector de und). Deci, cei N atomi ai reelei pot vibra n N
moduri diferite, vibraii ce se propag n reea sub forma unei unde avnd numrul
de und g.
Pentru valori mici ale lui g (ga << 1) obinem pentru pulsaie valoarea:

g ~
ag
(4.10)
M
ceea ce arat c g este proporional cu numrul de und, conform binecunoscutei
proprieti a unei unde elastice obinuite, ce se propag ntr-un mediu continuu. La
valori mari ale lui g, viteza de propagare a undei nu este ns constant, ceea ce
semnific faptul c are loc un proces de dispersie.
*

ceea ce nseamn c g este modulul vectorului reelei reciproce

59

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

Figura 4.12 Reprezentarea grafic a relaiei de dispersie 4.8

Pentru a nelege mai bine acest fapt, s calculm viteza de propagare a


undei n reea, conform formulelor:
d

vf =
; vg =
dg
g
i, innd cont de relaia (4.8), obinem:
ga
ga
sin
sin

ga
ga

2 v
2
cos
v s cos
vf =
; vg = a
(4.11)

s
ga
ga
M
2
2
M
2
2

Figura 4.13 Reprezentarea grafic a vitezei de faz i a celei de grup n funcie de


numrul de und

Reprezentarea grafic a vitezei de faz i a celei de grup n funcie de


numrul de und este dat n figura 4.13. Se vede c, pentru g mici ( mari), vg
vf, neavnd loc dispersie, ceea ce nu se ntmpl la g mari ( mici). Avnd n
vedere faptul c la gmax = /a corespunde un min = 2a, rezult c undele cu lungimi
de und mai mici dect aceast valoare minim nu se pot propaga n reea. innd
60

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


cont i de faptul c aceast lungime de und minim este dublul distanei
interatomice, putem interpreta acest lucru astfel: undele datorate vibraiilor termice
ale reelei au o semnificaie fizic numai n poziiile atomice; ceea ce se ntmpl
cu acestea n alte locuri ale reelei prezint doar un interes matematic, neavnd nici
o legtur cu comportarea sistemului.
Faptul c numrul soluiilor ecuaiei (4.8) (numrul modurilor de vibraie)
este egal cu N (mai general, egal cu numrul gradelor de libertate), rezult i din
raionamentul urmtor: se consider lanul unidimensional de atomi, de lungime L
= Na, aflat la echilibru termic; undele ce se propag trebuie s fie staionare ceea
ce implic:
un = un+N
(4.12)
Relaia de mai sus este forma simplificat (pentru cazul reelei
unidimensionale monoatomice) a condiiei de ciclicitate Born-von Karman.
Pentru a nelege de ce se impune aceast condiie, s presupunem c lanul
de N atomi este mpreunat la capete, formnd o bucl. n acest caz, este evident c
ecuaia de micare a atomului cu numrul de ordine n trebuie s fie aceeai cu cea a
atomului cu numrul de ordine n + N, cei doi atomi fiind, de fapt unul i acelai.
Din relaia (4.12), rezult:
eigna = eiga(n+N)
(4.13)
adic:
eigNa = 1
(4.13)
ceea ce impune:
2f
g=
,fZ
(4.14)
aN
innd cont i de (4.9), rezult:
N
N

<f<
(4.15)
2
2
Relaia de mai sus arat c numrul modurilor de vibraie este egal cu cel al
gradelor de libertate.

4.6.2.

Vibraiile reelei unidimensionale biatomice

S considerm acum un lan liniar cu atomi echidistani dar de dou specii,


dispui n mod alternativ, ntre care se exercit fore elastice cu aceeai constant,
, ca i n cazul precedent (figura 4.14).

Figura 4.14 Reea unidimensional biatomic

61

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


Ecuaia (4.7) are, n acest caz, analogul:

M1 u1 = 2u1 + 2cos(ga)u2

M2 u 2 = 2u1 + 2cos(ga)u1
creia, pentru rezolvare, i asociem ecuaia determinantului:
2 M12
2 cosga
=0
2 cosga 2 M 2 2
Pulsaia rezult din rezolvarea acestei ecuaii i are expresia:

(4.16)
(4.17)

1
1
1
1 4 sin 2 ga


(4.18)
M1M 2
M1 M 2
M1 M 2
Reprezentate grafic n funcie de g, cele dou soluii arat ca n figura 4.15.
Ca i n cazul lanului monoatomic, soluia tinde spre proporionalitate cu g
atunci cnd ga << 1. Acest mod de vibraie este numit mod acustic, fiind analog cu
o und de lungime de und mare, reeaua comportndu-se ca un mediu elastic
continuu (distana interatomic este mult mai mic dect lungimea de und), viteza
de propagare a undei fiind egal cu viteza sunetului.
2

2
1; 2

Figura 4.15 Reprezentarea grafic a relaiei de dispersie 4.18

Ramura optic, +, are o valoare constant, independent de g, n


apropierea valorii g = 0.
1
1

(4.19)
M1 M 2
Aceast ramur, numit mod optic, este separat net de modul acustic dar,
cnd g /2a, ea tinde s se apropie de ramura corespunztoare modului
acustic.
Se poate arta c, la g = 0, cele dou subreele, cu atomi uori, respectiv
grei, se mic fiecare n opoziie de faz, altfel spus, molecula biatomic a fiecrei
celule vibreaz independent de vecinii si. Dac, aa cum este cazul cristalelor
ionice, cei doi atomi ai celulei au sarcini electrice opuse, rezult o oscilaie a
momentului electric dipolar, acesta fiind, deci, optic activ.

62

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

Figura 4.16 Alt reprezentare grafic a relaiei de dispersie

Revenind la figura 4.15, se poate vedea c, dac se consider M1 = M2 (cei


doi atomi sunt identici), cele dou ramuri, optic i acustic, se ntlnesc la g =
/2a (figura 4.16.a). Comparnd figura 4.16.a cu figura 4.12, s-ar prea c
numrul modurilor de vibraie s-a dublat. n realitate, prin dublarea dimensiunii
celulei elementare la valoarea 2a, dimensiunea zonelor Brillouin s-a njumtit;
putem desfura figura 5.6.a sub forma din figura 4.16.b, obinnd, n acest fel,
chiar figura 4.12, n care se observ c ntlnirea ramurii acustice cu cea optic se
produce fr discontinuitate. Revenind la situaia cnd atomii sunt diferii, rezult
c valorile g = /2a reprezint, n acest caz, zone de salt, de discontinuitate,
pulsaia nemaifiind continu la aceste valori, aa cum se poate vedea n figura
4.16.c, care nu este altceva, dect desfurarea figurii 4.15.

4.6.3.

Vibraiile reelei tridimensionale

Discuiile din paragraful precedent se pot relua i n cazul tridimensional


dar, n cele ce urmeaz, vom face doar o analiz general, calitativ, fr a intra n
amnunte de calcul. Principial, acesta se face la fel, doar c, fiecare dimensiune
introducnd o nou component a vectorului deplasare, vom avea de rezolvat o
ecuaie de gradul III n 2.

Un atom plasat n nodul de poziie r n reea va oscila conform ecuaiei:

(4.20)
ur ~ e i kr t
Vecinul su va oscila conform ecuaiei:


(4.21)
ur a ~ exp i kr a t exp ik a ur

Pentru lungimi de und mai mari, deci k mic, practic toi atomii oscileaz
n faz, solidul comportndu-se ca un mediu elastic continuu (domeniul acustic),
structura sa fiind prea fin pentru a fi semnificativ n dinamica undelor lungi. Este

63

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


cunoscut c, ntr-un astfel de mediu, se pot propaga trei tipuri diferite de unde
acustice, cu viteze diferite, diferena esenial dintre aceste trei tipuri constnd n
natura polarizrii lor. Dac mediul este izotrop, un mod este polarizat longitudinal
(oscilaiile au loc pe direcia de propagare a undei) i celelalte dou sunt polarizate
transversal (oscilaiile au loc perpendicular pe direcia de propagare). Viteza de
propagare a modului longitudinal este mai mare dect a modurilor transversale,
care sunt egale. n cazul cristalului anizotrop, lucrurile se complic clasificarea
formal n moduri longitudinale i transversale este oarecum neltoare, vectorul
de polarizare netrebuind s fie strict paralel sau perpendicular pe direcia de
propagare a undei.
Dac lungimea de und este de ordinul constantei reelei, atomii vecini
oscileaz n opoziie de faz, frecvena atinge valoarea sa maxim i unda de vine o
und staionar.
Numrul modurilor de vibraie trebuie s fie ntotdeauna egal cu numrul
gradelor de libertate, pentru o reea tridimensional cu N atomi existnd 3N moduri
cu vectori de und n poliedrul zonei Brillouin.
Aa cum am mai artat, n cristalele ionice, modurile de vibraie de
frecven nalt sunt asociate cu momente electrice dipolare de vibraie, ionii
pozitivi i negativi micndu-se n opoziie de faz. Ca urmare a interaciunii
puternice dintre aceti dipoli cu radiaia luminoas, aceste moduri au cptat
denumirea de moduri optice, denumire pstrat chiar i n cazul cristalelor
neionice.

4.6.4.

Cuantificarea vibraiilor reelei; fononi

Discuiile anterioare s-au purtat n limitele teoriei clasice; aplicnd


rezultatele mecanicii cuantice referitoare la oscilatorul armonic, pentru care energia
1

unui mod de vibraie este cuantificat dup formula n h , cu n = 0, 1, 2,...,


2

energia vibraiilor reelei va fi dat de relaia:


h
E = E0 +
(4.22)
h
1
exp
k BT
Prin analogie cu optica, unde radiaia electromagnetic poate fi descris prin
numrul de fotoni, adic prin numrul de cuante de energie, vibraiile reelei pot fi
descrise prin intermediul cuantelor de energie hg, crora le asociem o particul
fictiv, numit fonon. Pentru a nelege mai bine acest concept, s privim ntr-un
mod puin diferit analiza pe care am fcut-o asupra vibraiilor reelei cristaline. Am
considerat c aceste vibraii sunt efectuate de oscilatori individuali dar, desigur,
sistemul n ansamblul su este cel care oscileaz i genereaz aceste unde n reea,
motiv pentru care putem considera reeaua cristalin drept un sistem capabil s
oscileze la diferite frecvene. Acest sistem se supune legilor mecanicii cuantice,
energia lui fiind descris de relaia (4.22) iar variaia ei nu se poate face dect cu

64

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

valori discrete, multipli ntregi ai cuantei hg, crora le asociem (pentru


comoditate) o particul fictiv, numit, dup cum spuneam, fonon. Dac
temperatura crete, crete i energia de vibraie a reelei, ceea ce, n termeni
cuantici se traduce n creterea numrului de fononi n sistem.
Fononii sunt particule indiscernabile, fiind asociate reelei n totalitatea
sa, motiv pentru care se supun statisticii Bose-Einstein, avnd spin nul *.
Evident. fiecrui mod de vibraie i corespunde un fonon, astfel nct,
conform terminologiei deja adoptate, exist fononi acustici i fononi optici.
Caracterizarea complet a fononului implic i precizarea impulsului su, care este
g = (h/2).g; cum g este un vector n reeaua reciproc, g nu este, propriu-zis, un
impuls, n sensul obinuit, motiv pentru care l numim cuasiimpuls.
Fcnd o parantez, referitor la procesul difraciei radiaiilor (X, ,
neutronice etc.) pe reele cristaline, acest proces privit din punctul de vedere al
fononilor este un proces prin care radiaia incident interacioneaz cu reeaua

pentru a distruge sau a crea un fonon cu vectorul de und g i energia g.


Condiia de maxim de difracie se poate scrie, prin multiplicare cu :


(4.23)
k k g
care nu este altceva dect legea de conservare a impulsului n procesul interaciei
radiaiei incidente (foton, electron, neutron etc.) cu fononul care este absorbit
(figura 4.17.a); cazul din figura 4.17.b prezint schematic procesul invers, cnd
este creat un fonon.

Figura 4.17 Absorbia (a) i crearea (b) unui fonon

Astfel de situaii justific utilizarea conceptului de fonon, ca o excitaie


cuantificat cu proprieti ca cele ale unei particule, prin analogie cu fotonul.
n general, ns, pot avea loc i procese n care sunt implicai fononi fr
respectarea relaiei (4.23) deoarece, aa cum am vzut, cuasiimpulsul este o mrime
de forma g, oricare alte valori multipli ai acesteia fiind, fizic echivalente.
*

Faptul c fononii se supun statisticii Bose-Einstein este exprimat deja n relaia 4.22, ntruct
probabilitatea de ocupare a unei stri de energie de ctre un bozon este dat de expresia:
{exp(/kBT) 1}1

Se poate utiliza i expresia h/ dar este de preferat s lucrm cu expresia dat n text, n funcie de
constanta Planck redus i de numrul de und; acelai lucru este valabil i pentru energie, pentru
care este de preferat s utilizm nu relaia hci, mai degrab

65

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


Procesele care respect relaia (4.23) se numesc procese normale sau procese N
oricare altele numindu-se procese Umklapp sau procese U.
n interpretarea cuantic, propagrii libere a undelor n aproximaia
oscilaiilor armonice i corespunde deplasarea liber a fononilor, fr nici o
interacie, adic fr ciocniri reciproce. innd cont i de termenii ptratici n
raport cu deplasrile atomilor, n energia potenial a particulelor, apar procese de
ciocniri inelastice ntre fononi, care duc la stabilirea echilibrului termic n gazul de
fononi (adic stabilirea unei agitaii termice de echilibru n reea).

66

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

5.
5.1.

Difuzia
Consideraii generale

Difuzia reprezint transportul de material ntr-o substan, prin intermediul


micrii atomice. Multe reacii i procese importante n materiale se produc prin
intermediul micrii atomilor n solid (transport), care are loc prin difuzie:
durificarea oelului, oxidarea metalelor, impurificarea semiconductorilor, formarea
compuilor solizi din componeni individuali, sinterizarea*. Materialele neomogene
pot deveni omogene prin difuzie. Pentru ca s aib loc o difuzie activ, temperatura
trebuie s fie suficient de ridicat pentru a depi barierele energetice la micarea
atomic. Tipurile de difuziune cunoscute sunt:
Interdifuzia (sau difuzia de impuriti) are loc ca rspuns la existena unui
gradient de concentraie.
Autodifuzia este difuzia ntr-un component mono-material, cnd toi atomii
care i modific poziiile sunt de acelai tip.

5.1.1.

Mecanisme de difuzie

Difuzia atomilor poate avea loc prin micarea vacanelor (difuzie de


vacane), sau a impuritilor (difuzie de impuriti).
Difuzia de vacane
Pentru a sri de la un nod de reea la altul, atomii au nevoie de energie
pentru a rupe legturile cu vecinii i a determina distorsiunile necesare reelei n
timpul saltului. Aceast energie provine de la vibraiile termice ale atomilor (E ~
kT). Curentul material (atomic) este opus ca sens celui de vacane.
Difuzia interstiial
Difuzia interstiial este n general mai rapid dect difuzia de vacane,
deoarece legtura atomilor interstiiali cu atomii nconjurtori este n mod normal
mai slab i, n plus, exist mult mai multe situri interstiiale dect vacane, pentru
ca atomii s fac salturi n aceste poziii. Acest tip de difuzie necesit atomi de
impuritate de dimensiuni mici (de exemplu C, H, O), pentru ca ei s aib loc n
interstiiile gazdei.
Trebuie fcut diferena dintre difuzie i difuzia net. ntr-un material
omogen, atomii difuzeaz, dar aceast micare este greu de detectat, deoarece
atomii se mic aleator i mereu va exista un numr egal de atomi care se mic
ntr-un sens i respectiv n sens opus. n materialele neomogene, efectul difuziei
este uor de observat, prin modificarea concentraiei n timp. n acest caz, avem dea face cu o difuzie net. Aceasta are loc deoarece, dei toi atomii se mic aleator,
sunt mai muli atomi care se mic n regiunile unde concentraia lor este mai mare.

sinterizare proces prin care o substan sub form de pulbere devine dens i dur (de obicei,
prin presare)
*

67

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

5.1.2.

Densitatea fluxului de difuzie

Densitatea fluxului atomilor difuzani, J este utilizat pentru msura ct de


rapid este difuzia i este definit n dou moduri:
- fie ca numr al atomilor care difuzeaz perpendicular prin unitatea de arie a
suprafeei transversale i n unitatea de timp (atomi/m2s)
1 dn
J
(5. 1)
A dt
unde n este numrul atomilor care difuzeaz prin suprafaa transversal de arie A,
n timpul t.
- fie ca flux masic - masa atomilor care difuzeaz perpendicular prin unitatea de
arie a suprafeei transversale i n unitatea de timp (kg/m2s).
1 dM
J
(5. 2)
A dt
unde M este masa atomilor care difuzeaz prin suprafaa transversal de arie A, n
intervalul de timp t.

5.2.
5.2.1.

Tipuri de difuzie
Difuzia staionar

La difuzia staionar, densitatea fluxului de difuzie nu variaz n timp. n


acest caz, se aplic prima lege a lui Fick:
dC x
J D
(5. 3)
dx
unde D este coeficientul de difuzie, o constant ce depinde de material.
Aceast relaie este valabil cnd gradientul de concentraie este orientat pe
direcia Ox. n cazul general, relaia se scrie:
C
C
C
J D C D
i
j
k
(5. 4)
y
z
x
Gradientul concentraiei este deseori numit for motrice a difuziei (dar nu
este o for n sensul mecanicii). Semnul minus n relaiile (5.3) i (5.4) semnific
faptul c difuzia are loc n sens invers gradientului concentraiei, adic spre zona de
concentraie mai mic.

5.2.2.

Difuzia nestaionar; a doua lege a lui Fick

n majoritatea situaiilor reale, concentraia i gradientul concentraiei se


modific n timp. Variaia concentraiei este dat n acest caz de o ecuaie
diferenial, care reprezint a doua lege a lui Fick:
C x, t C x, t
2C x, t

D
(5. 5)

t
x
x
x 2
Acesta este cazul cnd densitatea fluxului de difuzie depinde de timp, ceea
ce nseamn c un tip de atomi se acumuleaz ntr-o regiune, sau aceasta este

68

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


srcit n astfel de atomi (ceea ce face ca acetia s se acumuleze n alt regiune).
Soluia ecuaiei (5.5) este concentraia ca funcie de timp i poziie, C(x,t).
Pentru ca un atom s sar ntr-o vacan, el are nevoie de suficient
energie (termic), valoarea minim a acestei energii, Em, fiind numit energie de
activare pentru difuzia vacanelor.
Energia termic medie a unui atom (kT = 0,026 eV, la temperatura camerei)
este de obicei mult mai mic dect energia de activare (Em ~ 1 eV/atom) i este
necesar o fluctuaie mare a energiei pentru atingerea valorii de activare.
Probabilitatea unei astfel de fluctuaii, sau frecvena salturilor, Rs, depinde
exponenial de temperatur i poate fi descris de ecuaia lui Arrhenius:
E
R s R 0 exp m
(5. 6)
kT
unde R0 este o constant proporional cu frecvena vibraiilor atomice, .
Pentru mecanismul difuziei de vacane, probabilitatea pentru orice atom din
solid de a se mica este produsul dintre probabilitatea de a gsi o vacan ntr-un
nod de reea adiacent, P i probabilitatea fluctuaiei termice necesare pentru
depirea barierei de energie pentru micarea vacanei.
E
P C exp V
(5. 7)
kT
Atunci, coeficientul de difuzie poate fi estimat ca:
E
E
D CR 0 a 2 exp m exp V
kT
kT
(5. 8)
Em EV
Ed
D0 exp
D0 exp

kT

kT
Dependena de temperatur a coeficientului de difuzie urmeaz legea
Arrhenius.

5.2.3.

Factori care influeneaz difuzia

Temperatura. Viteza de difuzie crete foarte rapid cu creterea temperaturii.


Aa cum s-a artat anterior, exist o barier a difuziei, creat de atomii din jur,
care trebuie s se deplaseze, pentru a face loc atomului difuzant. Astfel,
vibraiile atomice determinate de agitaia termic uureaz difuzia.
Mecanismul de difuzie. Atomii interstiiali sunt de obicei mai rapizi dect
vacanele.
Speciile de atomi difuzani i ai reelei gazd. D0, Ed este diferit pentru
fiecare pereche solvit-solvent. n plus, atomii mai mici difuzeaz mult mai uor
dect cei mari.
Microstructura. Difuzia este mai rapid n materialele policristaline dect n
cele monocristaline, datorit difuziei accelerate de-a lungul suprafeelor de
separare dintre cristalite i miezului dislocaiilor. Difuzia are loc mult mai uor
de-a lungul suprafeelor i golurilor n material, deoarece este necesar ca mai
puini atomi s se mite pentru a face loc atomului difuzant.
69

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

Proprieti mecanice ale materialelor

6.
6.1.

Deformarea materialelor

Pentru a nelege i descrie modul cum se deformeaz (se alungesc, se


comprim, se rsucesc), sau se rup materialele, n funcie de sarcina aplicat, timp,
temperatur i alte condiii, este nevoie mai nti s se defineasc noiunile standard
pentru proprietile mecanice ale materialelor.
n figura 6.1 sunt reprezentate cele patru tipuri de deformri: alungirea,
comprimarea, forfecarea i torsionarea.

Figura 6.1 Tipuri de deformri: a) alungire; b) comprimare; c) forfecare; d) torsiune

Pentru a compara probe de diferite mrimi i modul n care acestea se


deformeaz, sarcina este calculat pe unitatea de arie. Se definete efortul unitar,
, astfel:
F

(6. 1)
A0

70

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

unde F este sarcina (fora, tensiunea) aplicat perpendicular pe seciunea


transversal i A0 este aria seciunii transversale (perpendicular pe for) nainte
de aplicarea forei (figura 6.1.a, 6.1.b).
Se definete alungirea relativ, , astfel:

(6. 2)
0

unde este modificarea n lungime, iar 0 este lungimea iniial.


Aceste definiii permit compararea rezultatelor deformrilor pentru probe de
diferite arii ale seciunii transversale, A0 i de diferite lungimi iniiale, 0.
Efortul unitar i alungirea relativ sunt pozitive pentru sarcini de alungire i
negative pentru sarcini de comprimare.
n cazul deformrilor de tip forfecare sau torsiune, definirea efortului unitar
i a alungirii relative se fac astfel:
F

(6. 3)
A0
unde F este tensiunea aplicat paralel la feele superioar i inferioar, fiecare de
arie A0 (figura 6.1.c).
Deformarea de forfecare este dat de relaia:
= tg
(6. 4)
unde este unghiul de deformare (figura 6.1.c).
n cazul torsiunii (figura 6.1.d), deformarea este o funcie de cuplul de
torsiune aplicat, T, deformarea de torsiune fiind determinat de unghiul de torsiune,
.
Deformarea elastic este reversibil: cnd tensiunea de deformare este
nlturat, materialul revine la dimensiunea avut nainte de solicitare. De obicei,
alungirea relativ este mic n acest caz, excepie fcnd materialele plastice.
Deformarea plastic este ireversibil: cnd tensiunea de deformare este
nlturat, materialul nu mai revine la dimensiunea avut nainte de solicitare.
n testele de elasticitate, dac deformarea este elastic, relaia efort unitaralungire relativ este numit legea lui Hooke:
= E
(6. 5)
unde E este modulul lui Young sau modulul de elasticitate, avnd aceeai unitate
de msur ca (N/m2 sau Pa).
Cu ct E are o valoare mai mare, cu att materialul este mai rigid (se
deformeaz mai greu).
La unele materiale (polimeri, beton), deformarea elastic nu este liniar (nu
respect legea lui Hooke), dar este reversibil. n acest caz, modulul de elasticitate
nu este constant, ci depinde de tensiunea aplicat.
Materialele supuse tensiunilor de deformare i modific i dimensiunile
transversale; astfel, cele supuse ntinderii se subiaz transversal pe direcia de
ntindere, iar cele supuse comprimrii se ngroa transversal pe direcia de
comprimare. Raportul dintre alungirile relative lateral i axial este numit raport
Poisson, . i el este adimensional, iar semnul arat c alungirea relativ lateral
71

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


este n sens opus fa de alungirea relativ longitudinal. Valoarea teoretic a lui
pentru materiale izotrope este 0,25, valoarea maxim 0,50, valorile tipice fiind n
domeniul 0,24 0,30.
Relaia dintre efortul unitar de forfecare i deformarea relativ este:
= G
(6. 6)
unde = tg = y/z0 (figura 6.1.c), iar G este modulul de forfecare.
Pentru un material izotrop:
E = 2G(1 + )
(6. 7)
La deformarea plastic, efortul unitar i alungirea relativ nu sunt
proporionale, deformarea nu este reversibil, ea avnd loc prin ruperea i
rearanjarea legturilor atomice (n materialele cristaline, n principal prin micarea
dislocaiilor).
Considernd o bar cilindric, de lungime iniial 0 i rie a seciunii
transversale iniiale A0, aplicnd o for de ntindere cresctoare, se poate trasa
graficul dependenei efortului unitar de alungirea relativ, rezultnd o curb ca cea
din figura 6.2.

Figura 6.2 Curba efort unitar-alungire relativ

Se definete limita de curgere, c, ca fiind efortul unitar care determin o


alungire relativ permanent de 0,002. Limita de curgere este o msur a rezistenei
la deformare plastic. Valoarea lui c se determin ducnd o paralel la poriunea
liniar a curbei efort unitar-alungire relativ (figura 6.2), pornind de la o valoare a
acesteia de 0,002 (0,2%). Ordonata punctului de intersecie a curbei efort unitaralungire relativ cu paralela trasat d valoarea c.

72

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


n acelai mod se definete tensiunea de ncercare, i, doar c se folosete
valoarea de 0,001 (0,1%) pentru alungirea relativ.
Punctul de curgere, P (figura 6.2), este punctul ncepnd cu care alungirea
relativ nu mai este proporional cu efortul unitar (limita de proporionalitate).
Punctul de curgere reprezint punctul de trecere din domeniul elastic n cel plastic.
Rezistena de rupere la alungire (traciune, ntindere), a se definete ca
fiind valoarea maxim a efortului unitar. Dac aceast valoare este meninut un
timp suficient de lung, proba sfrete prin a se rupe.
Punctul de rupere, R este punctul n care proba se rupe sub aciunea forei
deformatoare, lui fiindu-i caracteristic valoarea de rupere a efortului unitar, r.
Pentru aplicaiile structurale, limita de curgere este de obicei o proprietate
mai important dect rezistena de rupere, deoarece, odat limita de curgere
depit, structura se deformeaz dincolo de limita acceptabil.
Ductilitatea este o msur a deformrii la rupere i este definit prin:
elongaia relativ la rupere:
0
D% r
(6. 8)
100
0

variaia relativ a ariei la rupere:


A Ar
D% 0
(6. 9)
100
A0
Tabelul 6.1 prezint cteva proprieti mecanice ale unor metale.

Metal
(aliaj)
Aluminiu
Cupru
Alam
(70%Cu30%Zn)
Fier
Nichel
Oel
Titan
Molibden

Tabel 6.1 Proprieti mecanice ale metalelor


Limit de
Rezisten la rupere Ductilitate, D%
curgere (kPa)
(kPa)
35
90
40
69
200
45
75

300

68

130
138
180
450
565

262
480
380
520
655

45
40
25
25
35

Limita de curgere i rezistena la rupere variaz n primul rnd n funcie de


tratamentul termic i mecanic, nivelul de impuriti etc., aceast variabilitate fiind
legat de comportarea dislocaiilor n material, dar modulul de elasticitate este
relativ insensibil la aceste efecte. Limita de curgere, rezistena la rupere i modulul
de elasticitate scad cu creterea temperaturii, n timp ce ductilitatea crete cu
temperatura.
73

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


Dac un material este deformat plastic, dup care tensiunea de deformare
este anulat, materialul rmne cu o deformare permanent. Dac tensiunea este
aplicat din nou, materialul rspunde elastic din nou, pn la un nou punct de
curgere, care este plasat mai sus dect punctul iniial (figura 6.3).

Figura 6.3 Regenerarea deformrii elastice

Valoarea deformrii elastice care apare pn la atingerea noului punct de


curgere este numit valoare de regenerare a deformrii elastice.
Duritatea este abilitatea unui material de a absorbi energie pn la rupere,
ea fiind egal cu aria total de sub curba alungire relativ-efort unitar, pn la
rupere. Duritatea este o msur a rezistenei materialului la o deformare plastic
localizat (de exemplu, zgriere).
Att rezistena de rupere la ntindere, ct i duritatea pot fi privite ca
reprezentnd gradul de rezisten la deformarea plastic.
Duritatea este proporional cu rezistena de rupere la ntindere, dar
constanta de proporionalitate este diferit pentru materiale diferite.
Curba efort unitar-alungire relativ din figura 6.2 (curba nominal) nu este
curba efort unitar-alungire relativ real, deoarece ea se bazeaz pe dimensiunile
iniiale ale probei supuse deformrii. Aa cum se vede n figura 6.2, curba
nominal prezint un maxim, deoarece materialul devine instabil i se gtuie
nainte de rupere. Curba real nu prezint un maxim, ci este permanent cresctoare,
pn la rupere. Pentru a obine aceast curb, efortul unitar nominal, definit de
relaia (6.1) se nlocuiete cu efortul unitar real, definit astfel:
F
t
(6. 10)
Ai
unde Ai este aria seciunii transversale (perpendicular pe for) instantanee.
De asemenea, se definete alungirea relativ real, r, astfel:
74

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

ln

(6. 11)

1 , rezult c t = ln(1 + ).

Cum
0

Considernd c nu exist o variaie de volum al probei supuse deformrii,


A
F
putem scrie: Ai = A00 A i 0 0 t
, de unde:
A0 0
F
t
(6. 12)
1
A0
Pentru majoritatea metalelor, t k nt unde k este coeficientul de
rezisten i n este exponentul de ecruisare, ambele mrimi fiind constante de
material. Instabilitatea i gtuirea unui material ductil supus deformrii ncep s
aib loc atunci cnd t = n i, n acest punct se obine maximul curbei nominale,
ordonata acestui punct fiind a (figura 6.2), cu valoarea:

a = knn(1 n)(1 n)
(6. 13)

6.2.

Mecanisme de deformare plastic

Modul n care materialele se deformeaz plastic, variaia n foarte largi


limite a proprietilor de deformare plastic prin forjare, fr modificarea
compoziiei chimice i numeroase alte aspecte referitoare la deformarea plastic a
materialelor pot fi lmurite pe baza ideii propuse n 1934 de Taylor, Orowan i
Poliani, conform creia deformarea plastic este datorat micrii unui mare numr
de dislocaii. Acestea permit deformarea cu un efort unitar mult mai mic dect ntrun cristal perfect.

Figura 6.4 Propagarea dislocaiilor marginale (a) i elicoidale (b)

Dac partea superioar (figura 6.4) a unui cristal alunec pe o distan egal
cu o distan interplanar, atunci doar o mic parte din legturi se rup la un moment
dat i acest lucru necesit doar o mic for. Propagarea unei dislocaii de-a lungul
planului determin alunecarea prii superioare a cristalului fa de partea
inferioar, dar pentru aceasta nu este necesar ruperea simultan a tuturor

75

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


legturilor de-a lungul planului de alunecare (fapt care ar necesita o for foarte
mare). Planul de alunecare este planul cristalografic al micrii dislocaiei.
Pentru dislocaiile marginale, direcia de micare (propagare) a dislocaiei
este paralel cu direcia forei deformatoare, pe cnd la dislocaiile elicoidale, cele
dou direcii sunt perpendiculare. n cazul dislocaiilor mixte, direcia de propagare
a dislocaiei este una ntre direcia paralel i cea perpendicular pe direcia forei
deformatoare.
Dislocaiile marginale introduc deformri de comprimare, alungire i
forfecare ale reelei, pe cnd dislocaiile elicoidale introduc numai deformri de
forfecare.
Cmpurile de deformare n jurul dislocaiilor determin interaciunea
acestora (exercitarea de fore una asupra celeilalte). Cnd ele sunt n acelai plan,
se resping dac au acelai semn (acelai sens al vectorului Burgers) i se
atrag/anihileaz dac au semne opuse.
Numrul dislocaiilor ntr-un material este exprimat prin densitatea
dislocaiilor, reprezentnd lungimea total a dislocaiilor n unitatea de volum sau
numrul dislocaiilor ce intersecteaz o suprafa de arie egal cu unitatea.
Densitatea dislocaiilor poate varia de la 109 m2 n metalele cristalizate lent, la 1016
m2 n metalele deformate puternic.
Majoritatea materialelor cristaline, n special metale, prezint dislocaii
chiar n forma n care sunt obinute, n principal ca rezultat al tensiunilor
(mecanice, termice) asociate procesului de formare. Numrul dislocaiilor crete
spectaculos n timpul deformrii plastice.
n monocristale exist anumite plane preferate n care se mic dislocaiile
(plane de alunecare). n planul de alunecare exist anumite direcii cristalografice
preferate pentru micarea dislocaiilor (direcii de alunecare). Planele i direciile
de alunecare constituie sisteme de alunecare.
Capacitatea de deformare plastic a unui material este cu att mai mare, cu
ct numrul sistemelor de alunecare (dat de produsul dintre numrul planelor de
alunecare i numrul direciilor de alunecare) este mai mare.
Planele i direciile de alunecare sunt acelea cu densitatea de mpachetare
(densitatea de atomi) cea mai mare. Cum distana ntre atomi este mai mic dect
media, distana perpendicular pe plan este mai mare dect media. Fiind relativ mai
distanate, aceste plane pot aluneca mai uor unul fa de altul.
Cristalele cu structur CVC au 48 de sisteme de alunecare, cele cu structur
CFC 12 sisteme de alunecare, iar cele cu structur HC numai 3, ceea ce face ca
materialele cristaline cu structur CVC i CFC s fie mai ductile dect cristalele cu
structur HC. Trebuie subliniat faptul c, dei cristalele CVC au un numr de
sisteme de alunecare mai mare dect al cristalelor CFC, acestea din urm au o
capacitate de deformare mai mare, deoarece planele i direciile lor de alunecare au
densiti atomice mai mari.
Dislocaiile se mic n anumite direcii, pe anumite plane, ca rspuns la
tensiunile de forfecare aplicate de-a lungul acestor plane i direcii.

76

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


Se definete componenta de forfecare a efortului unitar, R, (care produce
deformarea plastic), ce rezult de la aplicarea unui efort unitar de alungire simplu,
(figura 6.5):
R = coscos
(6. 14)

Figura 6.5 Deformarea prin alunecare

Cnd aceast component, R devine suficient de mare, cristalul ncepe s


curg (dislocaiile ncep s se mite de-a lungul majoritii sistemelor de
alunecare orientate favorabil). nceputul curgerii corespunde limitei de curgere, c.
Efortul unitar de forfecare minim necesar iniierii alunecrii se numete efort unitar
de forfecare critic, RC:
RC = C(coscos)max
(6. 15)
De aici, se poate exprima limita de curgere:
RC
c
(6. 16)
cos cos MAX
Valoarea maxim a expresiei (coscos) se obine pentru:
= = 45 coscos= 0,5 c = 2RC
Alunecarea va avea loc mai nti n sisteme de alunecare orientate
aproximativ la aceste unghiuri ( = = 45) fa de tensiunea aplicat.
n cazul policristalelor, orientrile cristalitelor fa de direcia tensiunii
aplicate sunt aleatoare. Micarea dislocaiilor are loc de-a lungul sistemelor de
alunecare cu orientare favorabil (care au efort unitar de forfecare cel mai mare). O
deformare plastic mai mare corespunde alungirea cristalitelor de-a lungul direciei
tensiunii aplicate.
Direciile de alunecare variaz de la cristal la cristal. Unele cristalite sunt
orientate nefavorabil fa de tensiunea aplicat (coscos mic). Chiar i acele
77

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

cristalite pentru care coscos este mare pot avea limitri n deformare datorit
cristalitelor alturate, care nu pot s se deformeze la fel de uor. Dislocaiile nu pot
traversa cu uurin suprafaa de separare dintre cristalite, datorit modificrii n
direcie a planului de alunecare i dezordinii la marginea acestor cristalite. Drept
urmare, materialele policristaline sunt mai rezistente dect monocristalele (excepie
fac monocristalele perfecte, fr defecte - whiskers).
Abilitatea unui material de a se deforma depinde de abilitatea dislocaiilor
de a se mica. Limitnd micarea dislocaiilor, putem face materialul mai rezistent.
Mecanismele de durificare (rigidizare) a materialelor sunt:
reducerea mrimii cristalitelor
Cu ct cristalitele sunt mai mici, cu att este mai mare aria suprafeei de
separare dintre acestea, care mpiedic micarea dislocaiilor. Reducerea
dimensiunilor cristalitelor mbuntete de obicei i rezistena materialului. De
regul, limita de curgere variaz cu dimensiunea cristalitelor, d, conform relaiei
Hall-Petch:
k
(6. 17)
c 0 c
d
unde 0 este rezistena intern care se opune micrii i multiplicrii dislocaiilor,
kc o constant de material i d diametrul mediu al cristalitelor.
Diametrul mediu al cristalitelor poate fi controlat prin viteza de solidificare,
prin deformare plastic, sau printr-un tratament termic corespunztor.
alierea n soluii solide
Aliajele sunt de obicei mai rezistente dect materialul pur al solventului.
Impuritile interstiiale sau substituionale dintr-o soluie determin deformarea
reelei. Ca rezultat, aceste impuriti interacioneaz cu cmpurile de deformare ale
dislocaiilor i mpiedic micarea dislocaiilor.
Impuritile tind s difuzeze i s se grupeze n jurul nucleului dislocaiei,
pentru a gsi poziii ct mai potrivite dimensiunilor lor. Aceasta reduce energia de
deformare total i ancoreaz dislocaia.
ecruisarea
Metalele ductile devin mai rezistente cnd sunt deformate plastic la
temperaturi suficient de sczute fa de punctul de topire. Prin deformarea plastic
la rece, rezistena la rupere, limita de curgere i duritatea cresc, iar deformarea
scade, altfel spus, prin deformare plastic la rece materialele se ntresc, devin mai
rezistente, mai dure, mai puin plastice. Acest fenomen este cunoscut sub numele
de durificare prin deformare, sau ecruisare.
Motivul pentru care are loc acest fenomen este creterea densitii
dislocaiilor prin deformare plastic. n acest fel, distana medie dintre dislocaii
scade i dislocaiile ncep s-i blocheze micarea una alteia.
Aa cum am amintit, limita de curgere i duritatea cresc ca a rezultat al
ecruisrii, dar ductilitatea scade (materialul devine mai casant, friabil).
Deformarea plastic crete densitatea dislocaiilor (la materiale mono i
policristaline) i modific distribuia dimensiunilor cristalitelor (la materialele
policristaline). Aceasta corespunde nmagazinrii unei energii de deformare n
78

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


sistem (cmpuri de tensiuni n jurul dislocaiilor i distorsiuni ale cristalitelor).
Cnd tensiunea extern este nlturat, majoritatea dislocaiilor, distorsiunile
cristalitelor i energia de deformare asociat se pstreaz. Revenirea la starea
dinainte de prelucrarea la rece poate fi obinut printr-un tratament termic i
implic urmtoarele procese:
Restaurarea (restabilirea) const din dou etape:
- destinderea prin nclzire la temperaturi sub 30% din temperatura de topire,
are loc difuzia defectelor punctiforme, scurgerea lor spre marginile
cristalitelor sau spre dislocaii, anihilarea unor defecte punctiforme i a unor
dislocaii, deci scderea densitii acestora, formarea unor configuraii de
dislocaii de energie sczut i eliberarea energiei interne de deformare;
- poligonizarea (fenomen descris anterior).
Recristalizarea
Chiar dup restaurare, cristalitele pot fi deformate. Aceste cristalite
deformate prin tratament la rece al materialului pot fi nlocuite, prin nclzire, de
cristalite nedeformate, cu densitate mic a dislocaiilor; aceasta are loc prin
recristalizarea primar, care se produce prin nucleaie (germinaie) i cretere
de noi cristalite. Suportul recristalizrii este diferena dintre energia intern a
materialului deformat i cea a materialului nedeformat. Recristalizarea este mai
lent n aliaje, comparativ cu metalele pure; de asemenea, este mai puin intens
cnd tratamentul la rece a fost mai intens; sub o deformare critic, recristalizarea
nu se mai produce.
Se definete temperatura de recristalizare, ca fiind temperatura la care
proces este complet ntr-o or. Valoarea tipic pentru diferite materiale este ntre o
treime i jumtate din temperatura de topire, ajungnd, n unele aliaje, chiar pn la
dou treimi din aceasta.
Creterea cristalitelor
Dac materialul policristalin deformat este meninut la temperatura de
recoacere dup recristalizarea complet, atunci, n continuare are loc procesul de
cretere a cristalitelor, pe seama reducerii ariei suprafeelor de separare dintre
acestea. Creterea cristalitelor pe parcursul recoacerii are loc n toate materialele
policristaline, chiar dac acestea nu au fost mai nti deformate sau recristalizate
anterior. Procesul de cretere a cristalitelor este de fapt un proces prin care noile
cristalite nedeformate, formate prin recristalizarea primar, cresc pe seama celor
mici, deformate. El are loc uniform, nentrerupt; acest proces se numete
recristalizare cumulativ, sau recristalizare de coalescen.
n anumite cazuri, dup recristalizarea primar, se poate produce o cretere
ntrerupt a cristalitelor, o cretere anormal a unora dintre cristalite n detrimentul
altora; acest proces este adesea numit recristalizare secundar, cristalitele
crescute anormal putnd fi considerate centri de nucleaie.
Dimensiunea cristalitelor obinute dup recristalizare depinde de temperatur
i de gradul de deformare prin prelucrarea la rece; gradul de deformare la care se
obine dimensiunea maxim a cristalitelor se numete grad critic de deformare
(ecruisare), cu valori, de regul, ntre 3% i 10%.
79

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

6.3.

Ruperea materialelor

Ruperea reprezint fenomenul de separare a unui material n buci, ca


urmare a supunerii acestuia la un efort (tensiune), la temperaturi sub punctul de
topire. El presupune dou etape: formarea fisurii i propagarea acesteia. n funcie
de capacitatea materialului de a se deforma plastic nainte de rupere, se pot defini
dou moduri de rupere - ductil sau casant (fragil).
Ruperea ductil (figura 6.6, punctul R) , suferit de majoritatea metalelor (la
temperaturi nu foarte mici), presupune:
- deformarea plastic extensiv nainte de fisurare i absorbie de energie
- fisura este stabil, adic rezist n timp, dac tensiunea aplicat nu crete
Ruperea fragil (figura 6.6, punctul R), suferit de materialele ceramice,
ghea, metale la temperaturi sczute, presupune:
- deformare plastic relativ mic i absorbie de energie redus
- fisura este instabil, adic se propag rapid, fr creterea tensiunii
aplicate.
Ruperea ductil este preferat n majoritatea aplicaiilor.
n cazul ruperii ductile (mediat de dislocaii), materialul supus unei
tensiuni trece prin mai multe etape. Mai nti, sub aciunea unei fore de ntindere,
materialul se gtuie, acest fapt constnd n micorarea diametrului transversal al
probei supuse aciunii; apoi, n zona gtuiturii are loc formarea unor caviti,
coalescena (fuzionarea) cavitilor duce la formarea unei fisuri, aceasta se propag,
avnd ca rezultat final ruperea materialului.
O clasificare mai precis este urmtoarea:
- rupere foarte ductil (figura 6.6.a), suferit de metalele moi (Pb, Au) la
temperatura camerei, alte metale, polimeri, sticle la temperatur ridicat;
- rupere moderat ductil (figura 6.6.b), tipic pentru metalele ductile;
- rupere fragil (figura 6.6.c), tipic pentru metale la temperaturi sczute,
materiale ceramice.
Dac ruperea ductil este mediat de deplasarea dislocaiilor, ruperea fragil
este datorat mobilitii limitate a dislocaiilor.
La ruperea fragil nu se produce nici o deformare plastic apreciabil, iar
fisura se propag foarte rapid, aproape perpendicular pe direcia tensiunii aplicate,
deseori propagarea avnd loc prin clivaj ruperea legturilor atomice de-a lungul
unui anumit plan cristalografic (plan de clivaj).

80

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

Figura 6.6 Ruperea materialului

O alt posibilitate de rupere este cea prin forfecare, ce se realizeaz sub


aciunea componentelor tangeniale ale tensiunilor, spre deosebire de ruperea prin
clivaj, care se realizeaz sub aciunea componentelor normale ale tensiunii. De
obicei, ruperile prin forfecare sunt ruperi ductile.
La materialele policristaline, ruperile prezint de cele mai multe ori un
aspect mixt.
Din punct de vedere al aspectului suprafeelor de rupere, la ruperea prin
forfecare (ductil), acestea au un aspect fibros, pe cnd la ruperea prin clivaj
(fragil), ele au un aspect cristalin strlucitor.
Caracterul ductil sau fragil a ruperii este determinat de trei categorii de
factori:
- factori de lucru (tensiunea, viteza de solicitare, geometria corpului supus
ruperii etc.)
- factori de structur (natura, structura, compoziia materialului)
- factori ambientali (temperatura ambiant, factori corozivi, radiaii etc.)
Temperatura este cel mai important factor, de regul la temperaturi ridicate
ruperea fiind ductil i la temperaturi coborte ruperea fiind fragil. Trecerea nu are
loc ns brusc, la o temperatur dat, ci treptat, pe un domeniu de temperaturi.
Alierea crete de obicei temperatura de tranziie ductil-fragil. Metalele cu
structur CFC rmn ductile pn la temperaturi foarte sczute. Pentru materialele
ceramice, acest tip de tranziie are loc la temperaturi mult mai ridicate dect pentru
metale.
La materialele policristaline se pot constata dou tipuri de rupere:
- rupere transgranular: fisurile de rupere trec prin cristalite; suprafaa de rupere
are o textur faetat datorit orientrii diferite a planului de clivaj n diferite
cristalite.

81

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


rupere intergranular: propagarea fisurilor de rupere are loc de-a lungul
suprafeei de separare dintre cristalite (aceste suprafee de separare sunt slbite
sau fragilizate de segregarea impuritilor etc.)
Rezistena la rupere a unui solid fragil (friabil, casant, sfrmicios) este
determinat de forele coezive ntre atomi. Se poate estima c rezistena coeziv
teoretic a unui material friabil este ~ E/10, dar rezistena la rupere experimental
este n mod normal ~ E/100 E/10000.
Aceast rezisten la rupere mult mai sczut este explicat prin efectul
concentrrii tensiunilor la fisurile microscopice. Tensiunea aplicat este amplificat
la extremitile microfisurilor, porilor, zgrieturilor superficiale etc. care sunt
numite amplificatori de tensiuni. Mrimea acestei amplificri depinde de
orientarea, geometria i dimensiunile microfisurilor.
O importan practic deosebit o are ruperea la oboseal, care se produce
sub aciunea unor solicitri alternative (tensiuni fluctuante sau ciclice). n acest caz,
ruperea poate avea loc la sarcini considerabil mai mici dect limita de curgere a
materialului sub aciunea unei sarcini statice.
Ruperea la oboseal este de tip fragil (deformare plastic relativ mic),
chiar i la materialele ductile normale. Tensiunile ce cauzeaz oboseala pot fi
axiale (ntindere sau comprimare), de ncovoiere sau de torsiune.
Limita de oboseal (limita de anduran) se constat pentru unele
materiale (unele aliaje de Fe i Ti), ea reprezentnd amplitudinea maxim a
efortului unitar sub care materialul nu cedeaz niciodat, indiferent de ct de mare
este numrul de cicluri.
Se definesc urmtoarele mrimi:
- rezistena la oboseal: efortul unitar la care ruperea are loc dup un numr
specificat de cicluri (de exemplu 107)
- timpul de via la oboseal: numrul de cicluri pn la rupere la un nivel
specificat al efortului unitar.
Ruperea la oboseal se produce n trei etape distincte: iniierea fisurii n
zonele de concentrare a tensiunii (n apropierea amplificatorilor de tensiuni),
propagarea cresctoare a fisurii, ruperea catastrofal final.
Numrul total de cicluri pn la rupere este suma ciclurilor din prima i a
doua etap: Nf = Ni + Np, unde Nf este numrul total de cicluri pn la rupere, Ni
numrul de cicluri pentru iniierea fisurii i Np numrul de cicluri pentru
propagarea fisurii.
Factorii care afecteaz timpul de via la oboseal sunt mrimea efortului
unitar (medie, amplitudine), calitatea suprafeei (zgrieturi, muchii).
-

6.4.

Fluajul materialelor

Fluajul este o deformare dependent de timp i permanent a materialelor


cnd acestea sunt supuse unei sarcini constante la o temperatur ridicat (peste 0,4
din temperatura de topire). Aceast deformare lent i continu este puternic
dependent de temperatur i se produce ca urmare a depirii de ctre dislocaii a

82

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


obstacolelor ce se opun alunecrii, sub aciunea combinat a tensiunilor mecanice
i a fluctuaiilor termice.
Se definete rezistena la fluaj (limita tehnic de fluaj), ca fiind efortul
unitar constant maxim care, acionnd la o temperatur dat, un anumit timp,
produce o deformare remanent de o anumit valoare i rezistena de rupere la
fluaj, ca fiind efortul unitar constant maxim care, acionnd la o temperatur dat,
produce ruperea dup un anumit timp.
Etapele fluajului sunt:
1. deformarea instantanee, n principal elastic;
2. fluajul primar/tranzient; variaia alungirii relative n funcie de timp, d/dt este
negativ;
3. fluajul secundar/staionar; d/dt = 0;
4. fluajul teriar; d/dt > 0; are loc formarea unor fisuri interne, pori, gtuituri etc.
5. ruperea
Temperatura i tensiunile mecanice sunt factori care influeneaz fluajul. La
creterea efortului unitar sau a temperaturii, alungirea relativ instantanee crete,
viteza fluajului staionar crete i timpul pn la rupere scade.
Pentru fluajul care are loc n diferite materiale i n diferite condiii de
tensiuni mecanice i temperatur sunt rspunztoare diferite mecanisme:
difuzia de vacane asistat de tensiuni mecanice
difuzia pe suprafeele de separare dintre cristalite
alunecarea suprafeelor de separare dintre cristalite
micarea dislocaiilor
Fluajul este n general minimizat n materiale cu temperatur de topire mare,
modul de elasticitate mare, sau dimensiuni mari ale cristalitelor.

6.5.

Proprieti mecanice
electrotehnice

ale

materialelor

electronice

Materialele electronice i electrotehnice sunt caracterizate de anumite


proprieti, care trebuie cunoscute n vederea utilizrii corespunztoare a acestor
materiale. n continuare sunt prezentate principalele mrimi ce msoar
proprietile mecanice de care trebuie s se in seama n proiectare i alegerea
materialelor.
modulul de elasticitate ia valori ntre 2 200 GN/m2.
rezistena la rupere prin traciune rt (rt = Fr/A), unde Fr este solicitarea
de traciune care provoac ruperea materialului, iar A este aria seciunii
transversale a probei.
alungirea specific la rupere r = (r 0)/0, unde r reprezint lungimea
final la rupere a probei, iar 0 lungimea iniial a acesteia; pentru materiale
conductoare, rt are valori ntre 70 500 MN/m2 i r are valori ntre 2 60%;
pentru materiale izolatoare, rt are valori ntre 7 330 MN/m2 i r are valori
ntre 0,5 500%.

83

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


Pentru materialele foarte rigide i cu deformri foarte mici (materiale
ceramice, rini sintetice etc.) nu se folosesc aceste mrimi, preferndu-se mrimile
corespunztoare eforturilor de ncovoiere.
rezistena la despicare se determin pentru materialele fibroase sau stratificate
ce conin fibre paralele i reprezint valoarea maxim a forei necesare
despicrii straturilor unei probe paralelipipedice din materialul de ncercat, la
introducerea n prob a unui cuit, paralel cu straturile materialului.
rezistena la sfiere se determin n cazul esturilor i reprezint fora
necesar producerii sau continurii sfierii acestora, fr a utiliza un element
de tiere.
duritatea caracterizeaz capacitatea straturilor superficiale ale materialului de
a rezista la eforturi de compresiune transmise prin corpuri de dimensiuni mici
(din oel sau diamant); se definete convenional, n funcie de metoda utilizat
pentru msurarea ei; duritatea Brinell are valori ntre 150 1200 MN/m2
pentru materiale conductoare i ntre 80 500 MN/m2 pentru materiale
izolatoare.
reziliena, r caracterizeaz comportarea materialelor la aciunea solicitrilor
prin oc i se definete ca raport dintre lucrul mecanic necesar ruperii printr-o
singur lovire a unei probe i aria seciunii transversale iniiale a poriunii
rupte.
viscozitatea* dinamic, caracterizeaz starea de fluiditate a unui lichid i se
poate determina cu relaia:
pr 4 t

(6. 18)
8 V
unde V reprezint cantitatea de lichid ce trece n intervalul de timp t sub
aciunea presiunii p, printr-un vas capilar de lungime i raz r.
viscozitatea cinematic, reprezint raportul dintre viscozitatea dinamic i
densitatea a lichidului ( = /).

Facem precizarea c forma corect este viscos, viscozitate i nu vscos, vscozitate, cum, din
pcate se ntlnete destul de des n unele lucrri.
*

84

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

7.
7.1.

Diagrame de faz
Definiii

Pentru discuiile urmtoare, este necesar definirea anumitor noiuni:


Component - specie chimic recognoscibil (Fe i C n oel, H2O i NaCl n
apa srat). Un aliaj binar conine doi componeni, un aliaj ternar trei etc.
Faz a poriune dintr-un sistem, care are caracteristici fizice i chimice
uniforme. Dou faze distincte dintr-un sistem au caracteristici fizice sau chimice
distincte (de exemplu apa i gheaa) i sunt separate una de alta de suprafee de
separare de faz bine definite. O faz poate conine unul sau mai mult componeni.
Un sistem monofaz este numit omogen, sistemele cu dou sau mai multe
faze sunt amestecuri sau sisteme eterogene.
Limita de solubilitate a unui component ntr-o faz este cantitatea maxim
din acel component, care poate fi dizolvat n acea faz (de exemplu, alcoolul are o
solubilitate nelimitat n ap, zahrul are o solubilitate limitat n ap, iar uleiul
este insolubil). Aceleai concepte se aplic la faze solide: Cu i Ni sunt solubili
reciproc n orice cantitate (solubilitate solid nelimitat), pe cnd C are o
solubilitate limitat n Fe.
Proprietile unui aliaj depind nu numai de proporiile fazelor, ci i de
structura acestora la nivel microscopic. Astfel, microstructura este specificat de
numrul de faze, proporiile acestora i aranjarea lor n spaiu.
Un sistem este ntr-o stare de echilibru, dac la temperatur, presiune i
compoziie constante, sistemul este stabil i nu se modific n timp.
Echilibrul este o stare la care se poate ajunge dup un timp suficient de
lung. Timpul de obinere a echilibrului poate fi foarte lung (cinetica poate fi lent),
astfel c o stare intermediar din trecerea spre echilibru poate aprea stabil.
Aceasta este numit stare metastabil.
n termodinamic, echilibrul este descris ca starea unui sistem care corespunde
minimului funciei termodinamice numite energie liber. Termodinamica afirm
c:
n condiii de temperatur, presiune i compoziie constante, sensul oricrei
modificri spontane este spre o energie liber mai sczut;
starea de echilibru termodinamic stabil este cea de energie liber minim;
un sistem aflat ntr-o stare metastabil se gsete ntr-un minim local de energie
liber, care nu este unul global.

7.2.

Legea fazelor (Gibbs)

S considerm un sistem compus din substane diferite (componeni),


prezentndu-se sub forma mai multor faze n contact, n numr de f. Dac n este
numrul componenilor sistemului, fiecare faz este caracterizat de presiunea i
temperatura sa i n poteniale chimice. Condiia de echilibru al sistemului impune
egalitatea presiunilor, temperaturilor i a tuturor potenialelor chimice:

85

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

11 12

1f

12 22

f2

1n n2 fn
Prin notaie, indicele din dreapta-sus indic faza, iar cel din dreapta-jos
indic componentul.
Fiecare din potenialele ij este o funcie de presiune, temperatur i n 1
concentraii ale componenilor din faza dat (deoarece suma concentraiilor este
egal cu 1), deci n total n + 1 variabile independente.
Condiiile de echilibru formeaz un sistem de (f 1)n ecuaii, avnd un
numr de necunoscute egal cu 2 + f(n 1). Pentru ca acest sistem s fie
determinat, trebuie ca numrul ecuaiilor s fie cel mult egal cu numrul
necunoscutelor, adic:
n(f 1) 2 + f(n 1)
de unde rezult:

fn+2
(7. 1)
ceea ce se poate exprima astfel:
ntr-un sistem de n componeni independeni, se pot gsi simultan n
echilibru cel mult n + 2 faze.
Aceasta reprezint legea fazelor, formulat de J. W. Gibbs*.
Dac numrul fazelor, f este mai mic dect n + 2, un numr V = n + 2 r de
variabile n ecuaiile de echilibru pot avea valori arbitrare, V reprezentnd numrul
gradelor de libertate termodinamice ale sistemului (variana sistemului). Relaia:
V=n+2f
(7. 2)
reprezint o alt form de scriere a legii fazelor.
De exemplu, s considerm un sistem cu un singur component: n = 1. Dac
f = 1, atunci V = 2, deci presiunea i temperatura se pot modifica arbitrar; dac f =
2, atunci V = 1, deci presiunea i temperatura nu sunt independente, ci ntre ele
exist o relaie; dac f = 3, atunci V = 0, starea sistemului fiind complet
determinat prin valori unice ale lui p i T (punctul triplu).

7.3.

Transformri de faz

Modificarea parametrilor intensivi ai sistemului, care sunt parametri ce nu


depind de numrul particulelor sistemului (de cantitatea de substan), cum sunt
presiunea, temperatura, poate duce la schimbarea fazei (transformare de faz).
Astfel de transformri de faz sunt: topirea, vaporizarea, sublimarea i
procesele inverse ale acestora, trecerea dintr-o form cristalin n alta, din starea de
conductor n cea de supraconductor, din starea de fluid n cea de suprafluid, din
starea de feromagnetic n cea de paramagnetic etc.
Josiah Willard Gibbs, 1839 1903, chimist i fizician american, unul din fondatorii
termodinamicii chimice, cu contribuii n energetica proceselor chimice i a echilibrelor termice
*

86

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


Din aceast simpl enumerare, se constat c faza iniial i cea final ntr-o
transformare pot aparine aceleiai stri de agregare. Numeroase corpuri pot exista,
de exemplu, sub diferite forme de cristalizare (polimorfism la substane compuse,
alotropie la substane simple). Unele dintre aceste transformri sunt caracterizate
de faptul c trecerea de la o faz la alta este nsoit de o discontinuitate a entropiei
i, deci, aceste transformri sunt caracterizate de o cldur latent de transformare.
Astfel de transformri n care volumul V i entropia S sunt discontinue se numesc
transformri de faz de spea nti.
Exist ns i o a doua categorie de transformri, care se produc fr cldur
latent: se constat experimental c, sub o temperatur Tc (temperatur critic),
exist un parametru extensiv, adic un parametru care depinde de numrul
particulelor sistemului (volum, mas, suprafa, concentraie, energie intern etc.),
diferit de zero, peste aceast temperatur el fiind nul.
Aceste transformri, numite transformri de faz de spea a II-a, sunt
caracterizate de faptul c volumul V i entropia S sunt continue, dar apar
discontinuiti n cldura specific, compresibilitatea i coeficientul de dilatare
termic.
Din categoria transformrilor de spea I fac parte tranziiile dintr-o stare de
agregare n alta i dintr-o form cristalin n alta, iar din categoria celor de spea a
II-a fac parte tranziiile conductorsupraconductor, fluidsuprafluid, tranziiile de
faz magnetice.

7.4.

Diagrame de faz; legea prghiei

O diagram de faz este o reprezentare grafic de combinaii de


temperatur, presiune, compoziie, sau alte variabile, pentru care exist la echilibru
faze specifice.
O diagram de faz arat ce faze exist la echilibru i ce transformri de
faz sunt de ateptat cnd se modific parametrii sistemului (T, p, compoziie).
O diagram de faz binar prezint fazele formate n diferite amestecuri de
dou elemente pe un domeniu de temperaturi. n continuare se va considera c
presiunea n sistem se menine constant (de obicei, o atmosfer).
Compoziia variaz de la 100% pentru elementul A la stnga diagramei,
prin toate valorile posibile ale amestecului, la 100% pentru elementul B, la dreapta
diagramei. Compoziia unui aliaj este dat n forma: A x%B. De exemplu, Fe
30%Ni este un aliaj cu 70% Fe i 30% Ni.
Concentraia masic este deseori utilizat pentru a specifica proporia
elementelor aliate, dar poate fi utilizat i concentraia atomic. n continuare, se va
utiliza concentraia masic.
Aliajele tind s se solidifice mai degrab pe un domeniu de temperatur,
dect la o temperatur specific, aa cum se ntmpl cu elementele pure.
La fiecare capt al diagramei de faz, doar un element este prezent (100% A
sau 100% B) i, de aceea, exist un punct de topire specific.
Figura 7.1 prezint aspectul tipic al unei diagrame de faz pentru un aliaj
binar.

87

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

temperatur

Uneori exist un amestec al elementelor constituente care produce


solidificarea la o temperatur unic, aa cum se ntmpl cu un element pur. Acesta
este numit punct eutectic (eutectos nseamn n limba greac uor de topit i,
ntr-adevr, aliajul de compoziie eutectic are temperatura de topire cea mai
sczut). Punctul eutectic poate fi gsit experimental prin reprezentarea grafic a
ratelor de rcire pe un domeniu al compoziiei aliajului. Diagramele de faz pentru
unele aliaje binare foarte simple nu au puncte eutectice.
Prin rcirea aliajelor de la starea lichid i reprezentarea grafic a ratelor lor
de rcire, poate fi determinat i reprezentat pe diagrama de faz temperatura la
care ele ncep s se solidifice. Dac se efectueaz suficiente experimente, pe un
domeniu de compoziii, poate fi reprezentat grafic pe diagrama de faz o curb de
nceput al solidificrii. Aceast curb va ntlni cele trei puncte de solidificare i
este numit linia liquidus.

Punct de topire al
materialului A pur

Punct de topire al
materialului B pur
Lichid

+ lichid

+ lichid

Punct eutectic

Linie eutectic

%A

compoziie

%B

Figura 7.1 Diagrama de faz a unui aliaj binar

n acelai mod n care sarea se dizolv n ap i formeaz o soluie lichid,


este posibil pentru un element s se dizolve n altul, ambele rmnnd n stare
solid. Aceasta este numit solubilitate solid i este posibil de obicei pn la
cteva procente masice, care reprezint limita de solubilitate, dependent de
temperatur.
Extinderea regiunii de solubilitate solid poate fi reprezentat pe diagrama
de faz. O soluie solid a elementului B n elementul A este numit , iar o soluie
solid a elementului A n elementul B este numit .

88

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

temperatur

Este de notat c unele aliaje dintre anumite elemente au solubilitate solid


nul; un bun exemplu este cel al aliajelor Al-Si, unde aluminiul are solubilitate
solid zero n siliciu.
Dac o compoziie a aliajului nu se plaseaz n interiorul micii regiuni de
soluie solid de la fiecare capt al diagramei de faz, aliajul devine complet solid
la temperatura eutectic, aspect reprezentat prin linia eutectic, pe diagrama de
faz.
La compoziii ale aliajului i temperaturi ntre nceputul solidificrii i
punctul la care acesta devine complet solid (temperatura eutectic), exist un
amestec pstos de stare sau , ca ghemotoace solide, cu un amestec lichid de
elemente A i B. Aceste regiuni parial solide sunt marcate, de asemenea, pe
diagrama de faz ( + lichid, + lichid).
Regiunea sub linia eutectic i exteriorul regiunii soluiei solide este un
amestec solid de i .
Diagramele de faz binare foarte simple nu au un punct eutectic. Amestecul
lichid se rcete printr-o regiune de solidificare (domeniu de temperatur) i devine
o soluie solid constituit din dou elemente. Aceste diagrame de faz simple apar
n mod normal doar cnd sunt aliate dou elemente foarte similare, sau ca parte a
unei diagrame de faz mult mai complexe. Aspectul unei astfel de diagrame este
redat n figura 7.2.

Lichid
+ lichid

%A

compoziie

%B

Figura 7.2 Diagrama de faz a unui aliaj binar fr punct eutectic

Un exemplu de astfel de sisteme este cel al sistemelor binare izomorfe, care


sunt sisteme formate din doi componeni cu solubilitate solid complet (att n
faza lichid, ct i n cea solid).
Trei regiuni de faze distincte pot fi identificate pe diagrama de faz: lichid,
solid + lichid (+ lichid) i solid (). Curba de echilibru lichid + lichid este
linia liquidus, iar curba de echilibru + lichid solid este linia solidus.
89

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


Un foarte cunoscut caz de sistem izomorf este cel format de Cu i Ni. n
acest caz, solubilitatea complet are loc deoarece Cu i Ni au aceeai structur
cristalin (CFC), raze atomice similare, aceeai electronegativitate i valen.

Figura 7.3 Determinarea compoziiei pe diagrama de faz a unui aliaj binar; legea
prghiei

Diagrama de faz poate fi utilizat, pentru o temperatur i compoziie date,


pentru a determina fazele care sunt prezente, compoziiile acestor faze, precum i
fraciile relative ale fazelor.
Compoziia procentual a fazelor ntr-o regiune bifaz se determin astfel:
- se fixeaz pe diagram punctul P(C0, T), corespunztor temperaturii i
concentraiei aliajului (figura 7.3);
- n regiunea bifaz, se traseaz linia transversal (izoterma), prin punctul P;
- punctelor de intersecie a acestei linii cu liniile de separare a fazelor, le
corespund abscisele care reprezint fraciile celor dou faze (solid i lichid).
Legea prghiei este o analogie mecanic cu balana. Linia transversal, AB,
n regiunea bifaz este analoag unei prghii sprijinit pe un suport (punctul P).
Condiia de echilibru al prghiei este: mS = mR.
Notm C C0 = S i C0 C = R.
Definim fraciile masice
m
m
m
m
X
, X
,
m m
m
m m m
reprezentnd fracia din amestec aflat n faza (solid), respectiv (lichid).
Evident,

90

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

X X

m m
m m

De asemenea, condiia de echilibru al prghiei se rescrie, sub forma: XS =


XR. Din aceste ultime dou relaii, rezult:
C C
C C0
X 0
; X
C C
C C
Dac se produce o rcire lent, la echilibru, solidificarea din faza solid +
lichid are loc gradual, prin rcirea de la linia liquidus. Compoziia solidului i
lichidului se modific gradual n timpul rcirii (aa cum se poate determina prin
metoda liniei transversale), formndu-se nuclee de faz solid, care cresc i
consum tot lichidul pn la linia solidus.
Dac se produce o rcire rapid, de neechilibru, modificrile
compoziionale necesit difuzia n fazele solid i lichid. Difuzia n starea solid
este foarte lent, motiv pentru care noile straturi se solidific peste cristalitele
existente i metoda liniei transversale nu mai este valabil. Aceasta rmne totui
valabil pentru faza lichid, unde difuzia este rapid. Prin nclzire, suprafaa de
separare dintre cristalite se topete prima, ceea ce conduce la ruperi mecanice
premature.
Pe baza celor discutate pn acum, se pot defini n continuare i alte noiuni.
Linia solvus separ o soluie solid de un amestec de soluii solide. Linia
solvus reprezint limita de solubilitate.
Punctul eutectic sau invariant este punctul n care lichidul i dou faze
solide coexist n echilibru la compoziia eutectic, CE i temperatura eutectic, TE.
Izoterma eutectic este linia solidus orizontal la TE.
Reacia eutectic reprezint tranziia ntre lichid i amestecul a dou faze
solide, + la concentraia eutectic, CE. Punctul de topire al aliajului eutectic
este mai sczut dect cele ale componenilor.
Majoritatea sistemelor de dou faze pot fi n echilibru n interiorul unui
cmp de faze. Trei faze (L, , ) pot fi n echilibru doar n cteva puncte de pe
izoterma eutectic. Regiunile monofaz sunt separate de regiuni bifaz.
Compoziiile i cantitile relative ale fazelor sunt determinate de la aceeai linie
transversal i cu legea prghiei, ca pentru aliajele izomorfe.
Sistemele eutectice care au dou faze solide (i care exist doar la
extremitile diagramei de faz sunt numite soluii solide terminale. Unele sisteme
de aliaje binare au faze intermediare de soluii solide. n diagrama de faz, aceste
faze sunt separate de compoziiile extreme (0% i 100%).
Reacia eutectoid este similar cu reacia eutectic, dar are loc de la o
faz solid la dou noi faze solide. n punctul eutectoid, sunt n echilibru trei faze
solide. Prin rcire, o faz solid se transform n dou alte faze solide.
O reacie peritectic este cea n care o faz solid i o faz lichid
formeaz mpreun o a doua faz solid la o anumit temperatur i
compoziie.Astfel de reacii sunt n general lente.
91

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


O transformare congruent este o transformare care nu implic nici o
modificare n compoziie (de exemplu, transformarea alotropic -Fe -Fe sau
tranziiile de topire n solide pure). ntr-o transformare incongruent, cel puin o
faz i modific compoziia (de exemplu, reaciile eutectice, eutectoide,
peritectice).

92

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

8.
8.1.

Metale
Consideraii generale

Nici o alt categorie de materiale nu a contribuit mai mult la dezvoltarea


omenirii de-a lungul istoriei sale, dect cea a metalelor (excepie fcnd, poate,
polimerii sintetici, dar numai n secolul al XX-lea).
Metalele pure sunt elemente, ele reprezentnd mai mult de 80 (75%) din cele
aproximativ 110 elemente chimice cunoscute, incluznd binecunoscutele metale
staniu, cupru, argint, fier, aluminiu, sodiu, mercur, uraniu etc., dar i unele mai
puin cunoscute, cum sunt molibden, tungsten, iridiu, ceriu, praseodim etc., n fapt,
majoritatea tabelului periodic, cu excepia colului i prii drepte. n plus, fa de
elementele pure, sunt i multe aliaje metalice amestecuri de metale (i unele
nemetale) cu proprieti metalice, cum sunt alama, bronzul, oelul, cupronichelul,
cositorul, ferocromul, magnaliul etc.
Aurul a fost primul metal exploatat de oameni i a fost ntotdeauna
considerat foarte valoros, pentru uurina cu care poate fi prelucrat i pentru
strlucirea sa, care se pstreaz n orice condiii. De aceea, a fost utilizat nc din
vremuri strvechi (~ secolul al VII-lea .Hr.) pentru baterea monedelor. Alchimitii
Evului Mediu erau obsedai s gseasc piatra filozofal sau elixirul, care ar
putea s transforme orice metal n aur i argint. Pare ridicol, acum, acest lucru, dar,
prin eforturile lor, ei ai pus piatra de temelie a chimiei i fizicii moderne.
Lunga asociere istoric a aurului cu omenirea este datorat faptului c acesta
este foarte puin reactiv i se gsete n natur ca metal necombinat, sau nativ
(aurul este mult mai stabil ca element dect n compui).
Argintul, de asemenea, se gsete n natur necombinat i a fost i el utilizat
de mii de ani.
Cuprul se gsete doar ocazional ca element pur, mai des el este combinat cu
alte elemente n minereuri de cupru: pirite - CuFeS2, cuprite - Cu2O, malachite Cu2(OH)2(CO3) etc. Totui, cuprul este destul de nereactiv i este foarte uor extras
din minereuri, ceea ce a fcut ca acest metal s fie exploatat nc din timpuri
strvechi. Lipsa de reactivitate, sau natura nobil a cuprului, argintului i aurului a
avut ca rezultat larga rspndire i utilizare n sistemul monetar, de mii de ani,
motiv pentru care ele sunt numite colectiv metale monetare. Abia n secolul al XXlea valoarea intrinsec a acestor metale n monetrie a depit valoarea monedelor
confecionate din ele i au nceput s fie folosite substitute mai ieftine, cum sunt
aliajele de cupronichel i aluminiu.
Aurul are i o alt proprietate remarcabil - este cel mai maleabil metal
cunoscut. Aurul poate fi laminat n foi cu grosimi de nu mai mult dect 1000 atomi;
1 cm3 poate fi laminat ntr-o suprafa de 3-4 m3. Foia de aur este foarte mult
utilizat n decorare.
Aurul este, de asemenea, cel mai ductil dintre metale i poate fi ntins sau
extrudat n fire foarte fine, fr rupere.

93

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


n schimb, plumbul i staniul sunt printre cele mai puin ductile dintre
metale. Ordinea ductilitii unor metale dintre cele mai cunoscute este:
aur argint platin fier cupru paladiu aluminiu zinc staniu
plumb
Metalele sunt elemente opace, lucioase, care sunt bune conductoare de
cldur i electricitate. Majoritatea metalelor sunt maleabile i ductile i sunt, n
general, mai dense dect alte elemente. Ele reprezint aproximativ 24% din masa
planetei i sunt utilizate foarte mult, datorit proprietilor lor: rezisten mecanic,
ductilitate, punct de topire ridicat, conductivitate termic i electric i duritate.
Aceste proprieti ofer i indicii cu privire la structura metalelor.
Rezistena mecanic a metalelor sugereaz c atomii acestor materiale sunt inui
mpreun prin legturi puternice. Aceste legturi trebuie ns s permit atomilor s
se mite, pentru ca metalele s poat fi ductile i maleabile. Astfel de legturi ar
putea fi formate ntre atomi metalici, care au electronegativiti reduse i nu atrag
puternic propriii electroni de valen, fapt ce permite majoritii electronilor din
stratul exterior s fie folosii n comun de ctre toi atomii nconjurtori,
rezultnd ioni pozitivi (cationi) scufundai ntr-o mare de electroni (uneori numii
nor electronic).
Deoarece electronii de valen sunt pui n comun de ctre toi atomii, ei nu
sunt considerai ca fiind asociai cu un anumit atom. Aceast situaie este foarte
diferit de cea a legturii ionice sau covalente, unde electronii sunt asociai cu unul
sau doi atomi. Legtura metalic este de aceea puternic i uniform. Cum
electronii interacioneaz cu mai muli atomi, ei au o mobilitate considerabil, ceea
ce confer metalelor o bun conductivitate termic i electric.
Structura cristalin are o fracie de mpachetare mare, fiind posibile mai
multe aranjamente: hexagonal-compact (HC), cubic cu fee centrate (CFC), cubic
cu volum centrat (CVC). Tabelul 8.1 prezint structura cristalin pentru diferite
elemente metalice la temperatura camerei .
Tabel 8.1 - Structura cristalin pentru unele metale (la temperatura camerei)
Metal
Structur Metal
Structur
Aluminiu CFC
Nichel
CFC
Cadmiu
HC
Niobiu
BCC
Crom
CVC
Platin
CFC
Cobalt
HC
Argint
CFC
Cupru
CFC
Titan
HC
Aur
CFC
Vanadiu CVC
Fier
CVC
Zinc
HC
Plumb
CFC
Zirconiu HC
Magneziu HC
Structura celulei elementare determin unele proprieti ale metalelor. De
exemplu, structurile de tip CFC sunt mult mai ductile dect cele de tip CVC, sau
HC.
94

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


Pe msur ce atomii metalului topit ncep s se grupeze mpreun pentru a
forma o reea cristalin, grupuri de astfel de atomi formeaz mici cristale, care
cresc n mrime odat cu adugarea de noi atomi. Solidul rezultat nu este un
monocristal, ci el este format din multe mici cristale, numite cristalite, sau granule.
Aceste granule cresc pn cnd vin n contact cu cristalele adiacente, aflate, de
asemenea, n cretere. Interfaa format ntre ele este numit grani dintre
cristalite. Cristalitele sunt uneori suficient de mari pentru a fi vizibile la un
microscop optic obinuit, sau chiar cu ochiul liber. Lamelele care se vd pe
suprafaa metalelor proaspt galvanizate sunt cristalite.
Defectele cristalelor metalice, ca i existena cristalitelor i a granielor
dintre acestea, determin multe din proprietile mecanice ale metalelor. Cnd
asupra unui cristal metalic este aplicat o for deformatoare, sunt generate
dislocaii, care se deplaseaz, permind metalului s se deformeze i asigurndu-i
acestuia proprietile de maleabilitate i ductilitate.
Nu toate metalele adopt una din structurile CVC, CFC, sau HC. Astfel,
cobaltul alterneaz ntre CVC i HC, iar staniul adopt dou structuri, sau stri
alotrope, n funcie de temperatur. La temperatura camerei, staniul metalic alb este
stabil, dar prin meninere prelungit sub 13C, el se transform n staniu cenuiu,
un foarte casant semi-metal, format cu o structur covalent gigant, ca a
diamantului.

8.2.

Aliaje

Prezena altor elemente n metal poate de asemenea schimba proprietile


acestuia, uneori n mod drastic. Aranjarea i tipul de legtur n metale permite
adiia altor elemente n structur i formarea unor amestecuri de metale, numite
aliaje. Chiar dac elementele adugate sunt nemetale, aliajele pot pstra
proprietile metalice.
Aliajele pot fi privite ca o soluie solid a unui metal n altul. Bronzul este
un aliaj de cupru i staniu, de importan particular. Ca i cuprul, este rezistent la
coroziune, dar este mult mai dur i poate fi utilizat n tehnic (este util n special n
fabricarea elicelor de vapoare, unde rezistena sa la coroziune este foarte
important, dar un beneficiu adiional este i faptul c cuprul fiind toxic pentru
molute i scoici, creterea acestora este inhibat.
Dei nici cuprul i nici staniul nu sunt metale dure n stare pur, bronzul
este mult mai dur dect fiecare component. Acest lucru se explic astfel: atomii
sunt aranjai ntr-o structur compact, n straturi i aceste straturi se depun unul
peste altul; cnd cuprul este comprimat, ndoit, sau btut, straturile de atomi pot
aluneca cu uurin unul peste altul, din care cauz cuprul este maleabil i ductil.
Adugarea unui procent de aproximativ 15% de atomi de staniu, care sunt mai
mari, duce la ruperea straturilor de atomi de cupru (le face mai rugoase) i previne
alunecarea straturilor unul peste altul. De asemenea, apare i un surplus de legtur
chimic ntre cupru i staniu, care face rezistena mecanic mai mare.
Un alt efect important al alierii cuprului cu staniul este acela c bronzul are
un punct de topire mai sczut dect cel al cuprului pur (1084C) i mai ridicat dect
95

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

cel al staniului pur (232C). Valoarea punctului de topire depinde de proporia


componentelor n aliaj, aa cum se poate vedea n tabelul 8.2.
Tabel 8.2 - Dependena temperaturii de topire a aliajului Cu-Sn de compoziia
acestuia
mas % Cu mas % Sn
Temperatura de topire (C)
100
0
1084
90
10
1005
80
20
890
70
30
755
60
40
724
50
50
680
40
60
630
30
70
580
20
80
530
10
90
440
0
100
232
Aliajele de cupru au fost produse nc din timpuri strvechi. Bronzul a fost
primul aliaj de acest tip obinut. Este uor de produs, prin simpla adugare a
staniului la cuprul topit. Uneltele i armele fcute din acest aliaj erau mai rezistente
dect cele din cupru pur.
Adugarea zincului la cupru produce un alt aliaj, alama. Dei alama este
mai mult dificil de obinut dect bronzul, i ea este cunoscut din cele mai vechi
timpuri. Compoziia tipic a unor aliaje este dat n tabelul 8.3.
Tabel 8.3 - Compoziia unor aliaje
Aliaj
Compoziie
alam
cupru, zinc
bronz
cupru, zinc, staniu
aliaj alb
staniu, cupru, bismut, antimoniu
cositor
plumb, staniu
alnico
aluminiu, nichel, cobalt, fier
font
fier, carbon, mangan, siliciu
oel
fier, carbon (plus mici cantiti de elemente aliate)
Oel inoxidabil fier, crom, nichel
Aliajele sunt amestecuri i compoziia lor procentual poate varia, lucru
util, deoarece proprietile lor pot fi modificate prin modificarea compoziiei.
Cteva aliaje mai cunoscute sunt prezentate n continuare.
Cositorul este un aliaj cu punct de topire sczut (aproximativ 180C),
format n principal din staniu (50%) i plumb (49,5%), la care se mai poate aduga
antimoniu (0,5%), utilizat la lipirea suprafeelor de metal. Nu se pot lipi orice fel de
96

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


metale. Astfel, este practic imposibil cositorirea metalelor cum este aluminiul,
care au o suprafa de oxid foarte rezistent.
Aliajul alb este compus din staniu (80%) i plumb (20%) i este utilizat
pentru ornamente i obiecte decorative, deoarece el poate fi sculptat, gravat cu
mna sau la strung.
Nicromul este compus din nichel (60%), fier (20%) i crom (20%) i poate
fi nclzit la rou i rcit n mod repetat fr oxidare, sfrmare sau deformare,
motiv pentru care este utilizat n elemente de nclzire.
Constantanul conine cupru (60%) i nichel (40%) i are o rezistivitate care
practic nu se modific cu temperatura.
Iconelul conine nichel (76%), crom (15%), fier (8%) i mangan (1%) i
este foarte inert i utilizat pe scar larg n confecionarea ustensilelor pentru
prelucrarea hranei.
Invarul conine fier (64%), nichel (35%) i carbon + mangan (1%) i are un
foarte sczut coeficient de dilatare termic.
Multe metale se pot dizolva n mercurul lichid, rezultnd un aliaj solid,
cunoscut sub numele de amalgam. De exemplu, amalgamul cu argint i staniu este
un cunoscut material dentar, folosit pentru plombe dentare. Mercurul nu formeaz
amalgam cu fierul i, de aceea, acesta poate fi folosit pentru confecionarea
recipientelor de pstrare a mercurului.
Fierul i oelul
Fierul pur este extrem de moale i este foarte rar utilizat. Oelurile sunt
aliaje ale fierului cu carbonul, al crui procentaj n compoziie poate varia.
Cantitatea de carbon afecteaz proprietile oelului i adecvarea sa pentru anumite
utilizri. Oelurile nu conin de obicei mai mult de 1% carbon. Oelul pentru
construcii conine aproximativ 0,1 0,2% carbon, ceea ce l face mai ductil i mai
puin apt de rupere la solicitri (n timpul cutremurelor). Oelul utilizat pentru
unelte are aproximativ 0,5 1 % carbon, ceea ce l face mai dur i mai rezistent la
uzur. Fonta are ntre 2,5 i 4% carbon i i gsete utilitatea n aplicaii de cost
redus, unde friabilitatea sa nu este o problem. Creterea cantitii de carbon duce
la creterea duritii metalului.
Proprietile oelului pot fi ajustate pentru utilizri speciale prin adiia altor
metale la aliaj. Titanul, vanadiul, molibdenul i manganul se numr printre
metalele ce pot fi adugate la aceste oeluri speciale. Oelul inoxidabil conine
minim 12% crom, care mpiedic oxidarea prin formarea unui strat protector de
oxid la suprafaa aliajului.

8.3.

Prelucrarea metalelor

n industrie, metalul topit este rcit i formeaz metalul solid. Apoi, acesta
este prelucrat mecanic pentru a se obine un produs particular. Modul n care se
desfoar aceste etape este foarte important, deoarece cldura i deformarea
plastic pot afecta puternic proprietile mecanice ale metalului.
Este de mult cunoscut faptul c proprietile unor metale pot fi modificate
prin tratament termic. Cristalitele n metale tind s creasc mai mari, pe msur ce

97

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


metalul este nclzit. O cristalit poate crete prin migrarea atomilor de la o alt
cristalit, care ar putea n final s dispar. Dislocaiile nu pot trece cu uurin peste
limitele cristalitelor, astfel c mrimea cristalitelor determin ct de uor se pot
mica dislocaiile. Cum este deci de ateptat, metalele cu cristalite mici sunt mai
rezistente, dar mai puin ductile.
Sunt mai multe moduri n care metalele pot fi tratate termic. Recoacerea
este un proces de plastifiere n care metalele sunt nclzite i apoi rcite lent.
nclzirea lent a unui metal dur i rcirea lent a sa d natere unui metal care
rmne dur, dar este i mai puin casant.
Etapele recoacerii sunt:
nclzirea la temperatura necesar
Pstrarea (recoacerea) la temperatur constant
Rcirea
Timpul de recoacere la temperatur ridicat este suficient de lung pentru a
permite ca transformarea dorit s aib loc.
Rcirea are loc lent, pentru a evita deformarea sau fisurarea datorit
gradienilor termici i tensiunilor termoelastice din piesa metalic.
Recoacerea are ca scop:
Descrcarea stresului intern
Creterea ductilitii, duritii
Producerea unei anumite microstructuri
Ca urmare, ntlnim:
Recoacerea de prelucrare, utilizat pentru inversarea efectelor ecruisrii (prin
restabilire i recristalizare) i cretea ductilitii. nclzirea este de obicei
limitat pentru a evita creterea excesiv a cristalitelor i oxidarea.
Recoacerea de descrcare a stresului, utilizat la eliminarea/minimizarea
stresului datorat deformrii plastice n timpul prelucrrii, rcirii neuniforme, sau
transformrilor de faz ntre faze cu densiti diferite.
Temperaturile de recoacere sunt relativ sczute, astfel nct efectele utile ale
prelucrrii la rece s nu fie eliminate.
Majoritatea oelurilor pot fi clite prin nclzire, urmat de o rcire rapid.
Acest proces a fost utilizat nc din timpuri vechi n prelucrarea oelului.
Prelucrarea la rece
Deoarece deformarea plastic rezult din micarea dislocaiilor, metalele
pot fi durificate prin prevenirea acestei micri. Cnd un metal este ndoit sau
prelucrat, sunt generate dislocaii i acestea se mic. Pe msur ce numrul
dislocaiilor n cristal crete, ele vor fi blocate i nu vor mai fi capabile s se
deplaseze, ceea ce durific metalul, fcndu-l mai greu de deformat. Acest proces
este cunoscut sub numele de prelucrare la rece.
nclzirea elimin efectele prelucrrii la rece. Cnd metalele astfel
prelucrate sunt nclzite, are loc o recristalizare. Noi cristalite se formeaz i cresc
pentru a consuma poriunile prelucrate la rece. Ele au mai puine dislocaii i astfel
proprietile iniiale sunt restabilite.

98

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

8.4.

Conductivitatea termic i electric a metalelor

Metalele prezint o foarte bun conductivitate termic i electric. nalta


conductivitate termic face metalele s dea senzaia de rece la atingere deoarece
ele conduc cldura rapid, i o absorb de la corpurile cu care intr n contact.
Metalele se nclzesc i se rcesc foarte repede - suprafaa metalului
pierde/absoarbe cldur spre/dinspre mediul nconjurtor, aceasta fiind condus
intern de la/spre interiorul metalului. Totui, o suprafa lucioas reflect o mare
parte din radiaia infraroie (cldura) incident i suprafeele metalice lucioase sunt
utilizate pentru a mpiedica transferul de cldur prin radiaie termic (de exemplu,
suprafaa argintat a sticlei de termos vas Dewar, sacii de plastic argintat pentru
pstrarea alimentelor congelate, foliile utilizate pentru protecia contra hipotermiei,
folia de aluminiu de buctrie etc.) O suprafa metalic mat se nclzete rapid i
radiaz cldur mult mai eficient dect o suprafa metalic lucioas.
Tabelul 8.3 prezint valoarea conductivitii termice pentru unele dintre
cele mai cunoscute metale, n comparaie cu alte materiale:
Tabel 8.3 - Conductivitatea termic a unor metale
Material Conductivitate termic (J/msK)
Argint
416
Cupru
386
Aur
302
Aluminiu
201
Fier
46
Mercur
7
Crmid
0,63
Ap
0,55
Lemn
0,13
Seria conductivitii termice pentru unele metale mai cunoscute este:
argint cupru aur aluminiu magneziu zinc crom fier staniu
plumb
iar pentru conductivitatea electric:
argint cupru aur aluminiu magneziu zinc fier staniu crom
plumb
Se poate observa uor similaritatea celor dou serii, ceea ce se explic prin
faptul c ambele proprieti sunt legate de structura metalelor. Cnd atomii absorb
energie termic, ei vibreaz (temperatura este o msur a energiei de agitaie
termic) i aceast vibraie se transfer de la un atom la urmtorul. n metale,
deoarece atomii sunt deseori mpachetai compact (cu 12 sau 14 vecini de ordinul I)
vibraia sau efectul de nclzire este transportat rapid n corpul metalului de la un
atom la altul. n materialele cu legturi covalente sau ionice, atomii nu sunt att de
apropiai (densiti mai mici) i energia termic este transferat mai greu de la un
atom la altul, ea fiind utilizat n vibraia legturii covalente. n plus, aceste
99

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


materiale nu dispun nici de electroni liberi, care asigur i ei o parte din transportul
energiei termice.

8.5.

Coroziunea metalelor

O alt trstur caracteristic a tuturor metalelor este luciul metalic. Luciul


suprafeei unui metal este esenial n utilizarea acestuia n decorare i ornamentare.
Majoritatea metalelor au un luciu caracteristic argintiu, dar cuprul i aurul au un
luciu unic, roz i respectiv galben. Cu excepia aurului i platinei majoritatea
metalelor devin mai mult sau mai puin mate n timp. Mtuirea poate fi un aspect
estetic - patina pe bronzul antic, verdele cuprului de pe acoperiurile unor cldiri
etc. Uneori ns mtuirea este sinonim cu coroziunea, adic rugina fierului i
oelului nu este doar neplcut, dar i duntoare i posibil periculoas. De
asemenea, tenta neagr pe argint, n principal sulfur de argint, care stric luciul
strlucitor al argintriei, rezult din reacia:
2Ag + H2S + 4O2 Ag2S (negru) + H2O
Stratul de oxizi de la suprafaa majoritii metalelor rezult din reacia
metalului cu oxigenul din aer. n cazul aluminiului, un metal foarte reactiv, stratul
de oxid de la suprafa este foarte rezistent i face aluminiul practic inert la reacii.
4Al + 3O2 2Al2O3
Cnd fierul ruginete, oxidul de fier hidrogenat care se formeaz se extinde
i jupoaie constant suprafaa metalului, expunnd mai mult fierul la umezeala
atmosferic i aer.
4Fe + 3O2 + xH2O 2Fe2O3.xH2O(rugin)
Gradul i rapiditatea cu care un metal se mtuiete, sau i pierde luciul sunt
legate n mod evident de reactivitate. Mai jos sunt prezentate elementele n ordinea
descresctoare a luciului metalului dup o anumit expunere la aer:
aur argint crom staniu cupru zinc magneziu aluminiu
plumb fier
Aurul i argintul, aa cum s-a artat, sunt nereactive i foarte lucioase.
Plumbul, dei nereactiv, nu este niciodat foarte lucios, chir cnd este lustruit.
Unele metale foarte reactive, de exemplu sodiul i potasiul se mtuiesc aproape
instantaneu la expunerea la aer, dar suprafaa nemtuit poate fi vzut pentru un
foarte scurt timp, cnd o bucat de metal este tiat cu un cuit.
Luciul metalelor este legat intim de structura electronic a acestora. Fiecare
electron poate absorbi o anumit cuant de radiaie pentru a deveni excitat i cuanta
de radiaie absorbit depinde de nivelul energetic al electronului. Electronii liberi
deseori absorb cuante de lumin vizibil. n metale, electronii de pe stratul exterior
sunt electroni liberi i energia lor depinde de distana lor fa de nucleu; cum sunt
nenumrai electroni liberi, la practic orice distan posibil, energia pe care ei o
pot absorbi este la orice frecven a luminii vizibile care cade pe suprafaa metalic,
astfel c:
metalele sunt complet opace

100

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


Totui, un electron excitat re-emite o cuant de radiaie identic cu cea
absorbit pentru a se dezexcita i astfel cea mai mare parte a radiaiei incidente pe o
suprafa metalic este re-emis, astfel c:
metalele sunt puternic reflecttoare, sau lucioase
Coroziunea metalelor poate reprezenta o problem major, n special pentru
aplicaii structurale pe termen lung: poduri, vapoare, maini etc. De cele mai multe
ori, coroziunea este electrochimic (galvanic). Pentru a avea loc coroziunea, este
nevoie de prezena unui anod (o regiune mai uor oxidat) i un catod (o regiune
mai greu oxidat). Acestea pot fi diferite tipuri de metale, sau regiuni diferite ale
aceluiai metal. De asemenea trebuie s fie prezent i un tip oarecare de electrolit,
care s permit transportul electronilor. Coroziunea implic eliberarea de electroni
la anod, datorit potenialului de oxidare ridicat al atomilor din anod. Pe msur ce
electronii sunt eliberai, se formeaz cationi metalici i metalul se dezintegreaz.
Simultan, catodul, care are un potenial reductor mai mare, accept electroni, fie
prin formarea de ioni negativi, fie prin neutralizarea ionilor pozitivi.
Un metal cum este zincul reacioneaz cu hidrogenul i joac rolul att de
anod, ct i de catod. Ecuaia acestei reacii este:
2Zn + 2H+ 2Zn2+ + H2
Hidrogenul se degaj la catod, pe cnd anodul este distrus.
Imperfeciunile suprafeei, prezena impuritilor, orientarea cristalitelor,
tensiunile locale i variaii n mediul nconjurtor sunt unii dintre factorii ce explic
de ce o singur bucat de metal poate juca rolul ambilor electrozi.
Dei oxidarea la anod i reducerea la catod sunt procese simultane,
coroziunea are loc de obicei la anod. Catodul nu este distrus aproape niciodat. Pe
aceast baz, nc din prima jumtate a secolului al XIX-lea, s-a pus la punct o
metod de protecie a corpului navelor contra coroziunii, prin utilizarea unor buci
de zinc, ce sunt periodic nlocuite. Zincul este mult mai activ dect oelul i
servete drept anod, fiind deci corodat; oelul joac rolul catodului. Acest tip de
protecie anticoroziv este numit protecie catodic. n mod asemntor,
conductele de oel sunt protejate cu un mult mai activ metal, magneziul.
Coroziunea este o problem major, care trebuie rezolvat pentru a putea
utiliza efectiv metalele. Fierul se combin cu oxigenul n aer, formnd oxid de fier
(rugin), n final distrugnd utilitatea metalului. Din fericire, alte metale, cum sunt
aluminiul i cromul, formeaz o acoperire de oxid protector care mpiedic
oxidarea (coroziunea) ulterioar. n mod asemntor, cuprul se combin cu sulful
i oxigenul, dnd aspectul cunoscut, verde.
nelegerea chimiei metalelor duce la dezvoltarea metodelor de reducere i
prevenire a coroziunii. Atomii de crom sunt aproximativ de aceeai mrime ca
atomii de fier i i pot substitui pe acetia n cristalele de fier. Cromul formeaz un
strat de oxid care permite oelului inoxidabil s reziste la coroziune. Metalele pot fi
vopsite, sau pot fi acoperite cu alte metale; oelul galvanizat (acoperit cu zinc) este
un exemplu. Cnd aceste dou metale sunt utilizate mpreun, zincul mult mai activ
se corodeaz, sacrificndu-se pentru a salva oelul.

101

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


Modurile de protejare a unui metal reactiv mpotriva coroziunii sau a
ruginirii sunt diverse i cunoscute. Iat cteva dintre cele mai utilizate:
vopsirea sau lcuirea metoda cea mai ieftin, dar i cea mai puin eficient n
timp.
alierea metod ceva mai costisitoare, dar mult mai eficient, n anumite
cazuri.
placarea electrolitic metod mult mai costisitoare; cel mai cunoscut este
nichelul placat cu argint, acesta constituind o alternativ mai ieftin la argintul
pur; ceva mai puin folosit n ultimul timp, mai ales n industria automobilelor,
este cromarea suprafeelor metalice.
galvanizarea este o metod realizat astfel: un obiect de fier curat chimic
este pentru scurt timp scufundat n zinc topit (temperatura de topire 420C) i
este astfel acoperit cu un strat subire de zinc. Suprafaa de zinc se oxideaz
treptat, astfel c suprafaa fierului este dublu protejat, prin straturile de zinc i
oxid de zinc. Chiar dac se produce zgrierea pn la suprafaa fierului, nu se
produce ruginirea, deoarece are loc un efect electrochimic, datorat faptului c,
din cele dou metale n contact, zincul este oxidat preferenial.
protecia electrochimic este metoda bazat pe fenomenul descris mai sus.
De exemplu, picioarele de oel ale platformelor marine petroliere sunt protejate
contra coroziunii cu un bloc de magneziu, ataat cu un cablu conductor la
piciorul de oel.

8.6.

Minereuri metalice

Aurul, argintul i cuprul au fost primele metale utilizate, deoarece ele se


gsesc n stare liber sau elementar. Majoritatea metalelor se gsesc ns n natur
combinate cu alte elemente, cum sunt oxigenul i sulful. n tabelul 8.3 sunt
prezentate astfel de combinaii, numite minereuri.
Tabel 8.3 Diferite tipuri de minereuri
Minereu
Formul chimic Minereu Formul chimic
Hematit() Fe2O3
Rutil
TiO2
Magnetit
Zircon
Fe3O4
ZrSiO4
Pirit
Casiterit SnO2
FeS2
Calcozin Cu2S
Bauxit Al2O3
Cinabru
HgS
Galen
PbS
Aceste minereuri sunt compui ionici n care metalele exist ca ioni
pozitivi. De exemplu, starea de oxidare a fierului n hematit este +3; starea de
oxidare a cuprului n calcozin este +1. Extragerea metalelor din minereurile lor
este o reacie de oxidare-reducere (redox). n stare elementar, metalele constau din
atomi, nu din ioni. Cum atomii sunt neutri din punct de vedere electric, ionii de
metal ctig electroni n reacie; ei sunt redui.
Reacia general de reducere a cuprului din calcozin este:
102

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


Cu2S + O2 + Energie 2 Cu + SO2
Aceasta este reacia general. Procesul complet nu este aa de simplu.
Reducerea metalelor din minereuri implic o serie de procese chimice i mecanice.
Acestea sunt de obicei endoenergetice, consumnd mari cantiti de cldur i/sau
energie electric. Extragerea metalelor din minereuri poate produce, de asemenea,
poluani cum este dioxidul de sulf. De aceea, ori de cte ori este posibil, reciclarea
i reprelucrarea metalelor este binevenit.
Relativa dificultate a extragerii metalelor din minereuri arat c aceasta este
starea lor preferat. Odat extrase din minereu, n stare elementar, majoritatea
metalelor prezint o considerabil tendin de a reaciona cu oxigenul i sulful i
revin astfel n starea natural, prin coroziune.

8.7.

Transformri de faz n metale

Transformrile de faz (modificarea microstructurii) pot fi mprite n trei


categorii:
transformri de faz dependente de difuzie, fr modificri n compoziia
fazelor sau a numrului de faze prezente (de exemplu: topirea, solidificarea
metalului pur, transformri alotropice, recristalizare etc.)
transformri de faz dependente de difuzie, cu modificri n compoziia fazelor
i/sau a numrului de faze (de exemplu, transformri eutectoide)
transformri de faz fr difuzie, care produc o faz metastabil prin mici
deplasri cooperative ale tuturor atomilor n structur (de exemplu,
transformarea martensitic)
Transformrile de faz nu au loc instantaneu. De exemplu, transformrile de
faz dependente de difuzie pot fi mai degrab lente i structura final deseori
depinde de viteza de rcire/nclzire. Ca atare, este necesar analiza dependenei de
timp sau a cineticii transformrilor de faz.
Cinetica transformrilor de faz
Majoritatea transformrilor de faz implic modificri n compoziie, ceea
ce nseamn c este necesar redistribuirea atomilor prin intermediul difuziei.
Procesul transformrii de faz implic:
nucleaia noii faze formarea unor mici particule stabile (nuclee) ale noii
faze. Nucleele sunt deseori formate la suprafaa de separare dintre cristalite
i alte defecte.
creterea noii faze, pe seama fazei iniiale.
Viteza transformrii poate fi definit ca fiind inversul timpului pentru care
transformarea a parcurs jumtate din proces:
1
r
(8.1)
t 12
r crete cu temperatura conform ecuaiei Arrhenius, caracteristic pentru
procesele activate termic:

QA

Qm

r A e kT A e RT
(8.2)
unde QA este energia de activare pe atom, iar Qm este energia de activare pe mol.

103

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

9.
9.1.

Materiale ceramice
Consideraii generale

Cuvntul ceramic provine din cuvntul grec keramikos, care nseamn


olar, sau ceramic. La rndul su, keramos vine din sanscrita veche, cu sensul
de a arde. Vechii greci au utilizat termenul cu sensul de material ars, sau
pmnt ars, cnd se refereau la produse obinute prin aciunea focului asupra
argilei. Cuvntul keramikos arat, deci, c proprietile dezirabile ale materialelor
ceramice sunt n mod normal obinute printr-un tratament termic la temperatur
ridicat (ardere).
Categoriile de materiale ceramice sunt prezentate n tabelul de mai jos.
Tabel 9.1 Categorii de materiale ceramice
Categorie
Exemple
Materiale ceramice clasice
Produse structurale crmizi, conducte de canalizare, igl de acoperi, igl
din argil
din argil pentru pardoseli i perei, cptueli de cuptoare
i couri
Faian i porelan
vesel, plci pentru pardoseli i perei, piese sanitare,
porelan electric, ceramic decorativ
Sticle
plci de sticl (geamuri), recipiente de sticl, sticl presat
i suflat (vesel), fibre de sticl (izolare termic i
fonic), sticle avansate/speciale (fibre optice)
Materiale abrazive
naturale (granat, diamant etc.) i sintetice (carbur de
siliciu, diamant, alumin etc.), utilizate pentru lefuire,
tiere, polizare, lepuire, sau sablare
Cimenturi
Utilizate la producerea betonului n construcii
Materiale ceramice avansate
Structurale
materiale de acoperire, materiale bioceramice, unelte de
tiere componente de motoare
Electrice
condensatoare, izolatoare, substraturi, capsule de circuit
integrat, piezoelectrici, magnei i supraconductori
Straturi de protecie Componente de motoare, unelte de achiere, pri de
acoperire industrial
Ceramice chimice
filtre, membrane, catalizatori, i suporturi de catalizatori
i de mediu
De obicei, materialele ceramice sunt compui ntre metale i nemetale,
ntotdeauna avnd n compoziie mai mult dect un element (de exemplu, Al2O3,
CaO, SiC, SiO2, SiN4)
n materialele ceramice, legturile structurale sunt total ionice sau parial
ionice, atunci cnd apare o combinaie de legtur ionic i covalent.

104

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


n general, materialele ceramice sunt dure i casante, bune izolatoare
electrice i termice. Pot fi optic opace, semi-transparente, sau transparente.
Materialele ceramice clasice (tradiionale) sunt n principal argila (crmizi,
igle, porelan. faian) i sticla. Materialele ceramice noi (tehnice) sunt materiale
moderne, folosite n domeniul electronicii, tehnicii de calcul, industriei
aerospaiale etc.
Legtura atomic n materialele ceramice este de obicei, aa cum s-a
amintit, mixt: ionic i covalent. Gradul caracterului ionic depinde de diferena
de electronegativitate ntre cationi (+) i anioni ().
Structura cristalin este definit de:
mrimea sarcinii electrice a fiecrui ion; raportul sarcinilor determin
formula chimic.
mrimile relative ale cationilor i anionilor; cationii tind spre un numr
maxim posibil de vecini anioni de ordinul I (i reciproc).
Structurile cristaline ceramice stabile sunt cele n care anionii din jurul unui
cation sunt toi n contact cu acel cation. Pentru un anumit numr de coordinaie,
exist un raport al razelor cation-anion, rC/rA, critic, sau minim, la care acest
contact poate fi meninut.
Tabel 9.2 Gradul caracterului ionic n diferite materiale ceramice
Ma Pro
teri cen
al tul
car
act
eru
lui
ion
ic
CaF2
89
MgO
NaCl
Al2O3
SiO2
Si3N4
ZnS
SiC

73
67
63
51
30
18
12

Structuri cristaline n materiale ceramice


Materialele ceramice pot avea diferite structuri, cum sunt:

105

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

structura clorurii de sodiu: rC = rNa = 0,102 nm, rA = rCl = 0,181 nm


rC/rA = 0,56. NaCl, MgO, LiF, FeO au aceast structur cristalin
structura clorurii de cesiu: rC = rCl = 0,170 nm, rA = rCl = 0,181 nm
rC/rA = 0,94.
structura de fluorit (CaF2): rC = rCa = 0,100 nm, rA = rF = 0,133 nm
rC/rA = 0,75.
structura de blend, tipic pentru compui unde legtura covalent este
dominant. ZnS, ZnTe, SiC au aceast structur cristalin
Materiale ceramice de tip silicat
O categorie important de materiale ceramice este cea de tip silicat. Aceste
materiale sunt compuse n principal din siliciu i oxigen, cele dou elemente fiind
cele mai abundente n scoara Pmntului (roci, sol, argile, nisip). Structura de baz
este tetraedrul SiO44, cu legtura Si-O n mare msur covalent. Diferite structuri
de silicai au moduri de aranjare a structurilor SiO44 diferite. Dioxidul de siliciu
(SiO2), numit i silice, cremene, cuar are o structur n care fiecare atom de oxigen
este mprit de tetraedrele alturate; el poate fi cristalin (de exemplu, cuarul) sau
amorf, cum este sticla (silice topit sau vitroas, sticloas).
Majoritatea sticlelor comune sunt produse prin adugarea altor oxizi (de
exemplu, CaO, Na2O, figura 9.1) ai cror cationi sunt ncorporai n reea. Cationii
rup reeaua tetraedric i aceste sticle se topesc la o temperatur mai sczut dect
SiO2 pur amorf. Un punct de topire mai sczut face prelucrarea sticlelor mai
uoar. Ali oxizi (TiO2, Al2O3) sunt substitueni pentru siliciu i devin parte a
reelei.
Sticlele anorganice sunt materiale termoplaste obinute din oxizi de siliciu,
bor sau fosfor, la care se adaug (pentru obinerea unor proprieti speciale) oxizi
de calciu, aluminiu, plumb, sodiu, potasiu etc. Structural, ele sunt construite din
cristalite cu o structur cristalin perfect desprite de regiuni amorfe.
Proprieti mecanice ale materialelor ceramice
materialele ceramice sunt casante
rezistena la rupere a materialelor ceramice poate fi mult crescut prin crearea
unor tensiuni compresive la suprafa
rezistena la comprimare este tipic de zeci de ori mai mare dect rezistena la
ntindere, ceea ce face din materialele ceramice bune materiale de structur sub
comprimare (de exemplu, crmizi de construcii).

106

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

Figura 9.1 Silice cu adaos de Na2O

Din punct de vedere al cristalinitii, materialele ceramice se mpart n:


materiale ceramice cristaline;
materiale ceramice amorfe, la care nu exist o structur cristalin regulat,
ceea ce face ca s nu existe dislocaii; astfel de materiale se deformeaz prin
curgere viscoas, adic prin ruperea i reformarea legturilor atomice,
permind ionilor (atomilor) s se rostogoleasc unul peste altul (ca ntr-un
lichid); viscozitatea este msura rezistenei la deformare (la curgere) a unui
material necristalin (amorf sau fluid); fluidele cu viscozitate ridicat au o
rezisten mare la curgere; fluidele cu viscozitate sczut curg cu uurin
(viscozitatea apei la temperatura camerei este ~ 103 P, iar a sticlei obinuite
la temperatura camerei >> 1016 P); solidificarea este gradual, trecnd
printr-o etap viscoas (viscozitatea crete cu scderea temperaturii), fr o
temperatur de topire exact; volumul specific nu are o tranziie brusc la o
temperatur dat, ci mai curnd prezint o modificare treptat

9.2.

Formarea i procesarea materialelor ceramice

Materialele ceramice au temperaturi de topire relativ ridicate i sunt


casante; ca urmare, turnarea i procesarea bazat pe deformarea plastic (de
exemplu forjarea), care se aplic la metale nu se pot aplica pentru materialele
ceramice.
Unele materiale ceramice sunt formate prin comprimarea unor pulberi,
implicnd uscarea i arderea etc. Cimenturile sunt formate dintr-o past fluid care
se ntrete ca rezultat al unor reacii chimice. Sticlele (silicaii amorfi) sunt
produse prin topirea complet a ingredientelor brute.
107

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

Materialele ceramice naturale sunt produse de obicei prin arderea argilelor


prelucrate i a altor materiale naturale brute pentru a forma un produs rigid.
Produsele ceramice care utilizeaz roci i minerale naturale ca materie prim
trebuie supuse unor prelucrri speciale pentru a controla puritatea, mrimea,
distribuia i eterogenitatea particulelor. Aceste atribute joac un mare rol n
proprietile finale ale ceramicii finite.
Pulberile preparate chimic sunt utilizate de asemenea ca materiale primare
pentru unele produse ceramice. Aceste materiale sintetice pot fi controlate pentru
producerea de pulberi cu compoziii chimice i dimensiuni ale particulelor precise.
Urmtoarea etap este formarea particulelor ceramice ntr-o form dorit.
Aceasta este realizat prin adiia de ap i/sau aditivi ca liani, urmat de un proces
de formare: extrudare, presare, tragere n benzi i turnare prin injecie. Dup ce
particulele sunt formate, aceste materiale ceramice sunt supuse unui tratament
termic pentru a obine un produs finit rigid. Unele produse ceramice, ca
izolatoarele electrice, vesela i igla, pot suferi n continuare un proces de
smluire (emailare), iar altele, cum sunt ceramicele pentru aplicaii avansate, o
etap de prelucrare i/sau polizare, pentru a satisface criterii inginereti specifice.
Prelucrarea produselor de sticl este diferit fa de alte ceramice. n
producia de sticl, materia prim (silice, var, sod calcinat) este topit ntr-un
cuptor, apoi format n forma dorit cnd nc este n stare de topitur. Apoi, ea
este rcit rapid, nghend sticla n forma produsului finit. Sticla tipic sufer i
etape suplimentare de prelucrare: tiere, gravare, acoperire, lefuire, decorare, sau
tratament termic (clire).
Tratamentul termic al sticlelor
Recoacerea la temperaturi ridicate este utilizat pentru eliminarea
tensiunilor termice care rezult datorit neomogenitii temperaturii n timpul
rcirii.
Clirea este procesul de nclzire a sticlei peste temperatura de tranziie (de
topire) a sticlei, dar sub punctul de plastifiere, urmat de rcirea brusc ntr-un jet
de aer, sau ntr-o baie de ulei.
Se definesc:
Punctul de topire: temperatura la care viscozitatea este 100 P; sub aceast
temperatur, sticla este lichid.
Punctul de prelucrare: temperatura la care viscozitatea este 104 P, cnd sticla
este uor de deformat
Punctul de plastifiere (nmuiere): temperatura la care viscozitatea este 4107
P, adic temperatura maxim la care o pies de sticl i menine forma pentru
un timp lung.
Punctul de recoacere: temperatura la care viscozitatea este 1013 P.
Punctul de deformare: temperatura la care viscozitatea este 31014 P; peste
aceast viscozitate, ruperea are loc nainte de deformarea plastic.

9.3.

Aplicaii ale materialelor ceramice

108

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

transparena la lumin a multor materiale ceramice le face pe acestea utile


pentru aplicaiioptice (geamuri, aparate optice etc.)
sunt buni izolatori termici
sunt buni izolatori electrici, utilizai ca suport pentru conductori n aplicaii
electrice i electronice
au inerie chimic bun, ceea ce le face utile naplicaii n medii reactive.
sticlele de tip silicat amorf (SiO2), coninnd ali oxizi (CaO, NaO2, K2O,
Al2O3) se folosesc pentru containere, geamuri, lentile, fibre de sticl etc.
nc din vechi timpuri, tehnologia i aplicaiile materialelor ceramice
(inclusiv sticla) s-au dezvoltat permanent.
Producia modern a fierului, oelului i metalelor neferoase nu ar fi
posibil fr utilizarea unor materiale refractare sofisticate, care sunt utilizate la
cuptoare de temperatur ridicat. Materialele ceramice refractare sunt necesare i n
alte industrii, cum sunt industria chimic, petrochimic, energetic etc. Industria
construciilor depinde i ea de utilizarea materialelor ceramice, care include
crmida, cimentul, igla i sticla.
Industria electronic i electrotehnic nu ar exista fr materiale ceramice.
Acestea pot fi excelente izolatoare, semiconductoare, supraconductoare, i magnei.
De asemenea, fibrele optice au asigurat un progres tehnologic uria n aria
telecomunicaiilor.
Sticlele cu coninut de CaO i Na2O, avnd o rezistivitate de suprafa mare,
se utilizeaz pentru fabricarea izolatorilor de nalt tensiune, cele cu coninut de
Al2O3 i B2O3 se utilizeaz pentru fabricarea lmpilor cu vapori de mercur i cu
vapori de sodiu, iar cele cu coninut de Al2O3, CaO i B2O3 se utilizeaz pentru
fabricarea fibrelor de sticl, a esturilor etc.
Materialele ceramice joac un rol important n protecia mediului
nconjurtor, ajutnd la scderea polurii, captarea materialelor toxice i
ncapsularea deeurilor nucleare.
Materialele ceramice avansate, sau materialele ceramice tehnice sunt
materiale care prezint proprieti mecanice, termice, electrice, optice sau
magnetice superioare, rezisten sporit la coroziune. Ele cuprind mai multe
categorii:
materiale ceramice de structur, utilizate n componente industriale cu
rezisten mare la uzur, materiale bioceramice, scule achietoare,
componente de motoare etc.
materiale ceramice electrice i electronice, utilizate n condensatoare,
izolatoare, substraturi, capsule de circuite integrate, materiale
piezoelectrice, magnei i supraconductori
materiale ceramice de acoperire
materiale ceramice pentru prelucrare chimic i protecia mediului
nconjurtor, utilizate n filtre, membrane, catalizatori, i suporturi de
catalizatori.
nceputul erei materialelor ceramice avansate este plasat acum aproximativ
50 ani, odat cu extinderea utilizrii pulberilor preparate chimic, n prezent
109

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


domeniul fiind foarte larg i n permanent dezvoltare, prin nlocuirea n
numeroase aplicaii a multor materiale tradiionale, dar i prin oferirea de noi
soluii n alte aplicaii.
Pulberile ceramice sunt un ingredient necesar pentru majoritatea
materialelor ceramice avansate. Acestea includ oxizi, nitruri, carburi i boruri.
Un alt domeniu de interes este cel al aa-numitelor materiale ceramice
inteligente. Acestea asigur funciile necesare vieii, cum sunt detecia,
acionarea, controlul i prelucrarea informaiei. Astfel de exemple de sisteme
inteligente includ: sisteme medicale de tratament al diabetului cu senzori de zahr
n snge i pompe de insulin; sisteme de purificare a apei care detecteaz i
filtreaz substanele toxice i poluanii; ferestre electrocrome, care controleaz
fluxul de cldur i lumin, ca rspuns la modificrile de clim i activitatea
uman.
Supraconductorii ceramici la temperatur ridicat sunt acum dezvoltai
pentru aplicaii comerciale i pare sigur intrarea lor pe pia n urmtorii civa
ani. Cablurile electrice fcute din aceste materiale transport energia electric cu
pierderi foarte mici, practic nule. De asemenea, pot fi utilizate pentru producerea
unor bobine extrem de eficiente, electromagnei, conductori, i componente de
maini i putere. Aceste materiale ar putea duce la creterea spectaculoas a vitezei
de prelucrare a informaiei n sistemele de calcul, la scderea drastic a pierderilor
n controlerele motoarelor, la creterea eficienei scanerelor de rezonan magnetic
nuclear (RMN) i a altor dispozitive de examinare nedistructiv i la realizarea
transportului foarte eficient, cu levitaie magnetic.
Un alt cmp de dezvoltare pentru materialele ceramice avansate este cel al
medicinei. Deja se folosesc biomateriale ceramice pentru repararea i nlocuirea
unor pri din scheletul uman, sau a valvelor inimii i n stomatologie.

110

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

10. Polimeri
10.1. Noiuni generale
Polimerii sunt substane coninnd un mare numr de uniti structurale,
legate prin acelai tip de legtur. Aceste substane formeaz deseori o structur n
lan. Cu alte cuvinte, polimerii sunt constituii din molecule mari, alctuite din (cel
puin cinci) uniti chimice (meri) repetate, unite mpreun, ca mrgelele nirate
pe un fir. Polimerii conin de obicei mai mult dect cinci monomeri i unii pot
conine sute sau mii de monomeri n fiecare lan.

Figura 10.1 Structuri de molecule de hidrocarburi

Polimerii pot fi naturali, ca celuloza sau ADN-ul, sau sintetici, ca nailonul


sau polietilena. Majoritatea polimerilor sunt organici i formai din molecule de
hidrocarburi. Fiecare atom de carbon are patru electroni care particip n legturile
covalente, iar fiecare atom de hidrogen are un electron de legtur. Exemple de
molecule de hidrocarburi cu legturi saturate (toate legturile sunt simple) se pot
vedea n figura 10.1.

Figura 10.2 Molecule de hidrocarburi cu legturi nesaturate

111

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


ntre atomii de carbon pot exista legturi duble i triple (mprirea a dou
sau trei perechi de electroni). Aceste legturi sunt numite legturi nesaturate.
Moleculele cu legturi nesaturate sunt mult mai reactive. Exemple de astfel de
molecule sunt etilena i acetilena (figura 10.2).
Moleculele care conin aceiai atomi, dar n aranjare diferit se numesc
izomeri. Un exemplu este cel al butanului i izobutanului (figura 10.3).

Figura 10.3 Exemplu de izomeri

Sunt posibile dou tipuri de izomerism: stereoizomerismul i izomerismul


geometric.
n cazul stereoizomerismului, atomii sunt legai mpreun n aceeai ordine,
dar pot avea aranjare spaial diferit. Se deosebesc mai multe situaii:
configuraia izotactic: toate gruprile radical sunt de aceeai parte a lanului.

Figura 10.4 Stereoizomerism n configuraie izotactic

configuraia sindiotactic: gruprile radical alterneaz de o parte i de alta a


lanului.

Figura 10.5 Stereoizomerism n configuraie sindiotactic

112

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

configuraia atactic: gruprile radical se plaseaz aleator de-a lungul lanului.

Figura 10.6 Stereoizomerism n configuraie atactic

n cazul izomerismului geometric, dac doi atomi de carbon sunt legai


printr-o dubl legtur n lan, atomul de H i radicalul R legai la aceti doi atomi
pot fi situai de aceeai parte a lanului (structur cis figura 10.7.a), sau de pri
opuse ale lanului (structur trans figura 10.7.b).

Figura 10.7 Izomerism geometric: a) structur cis; b) structur trans

Multe alte grupri organice poate fi implicate n moleculele polimerice. n


tabelul 10.1, R reprezint un radical, adic un grup organic de atomi care rmne ca
o unitate i i menine identitatea n timpul reaciilor chimice (de exemplu CH3,
C2H5, C6H5).
Moleculele polimerice sunt molecule foarte mari. Majoritatea polimerilor
constau din lanuri lungi i flexibile cu un irag de atomi de carbon drept coloan
vertebral. Legturile laterale ale atomilor de carbon sunt cu atomi de hidrogen sau
radicali. Dublele legturi sunt posibile att n lan, ct i ca legturi laterale.
Unitatea care se repet ntr-un lan polimeric (celul elementar) este un mer. Un
singur mer este numit monomer.
Cnd toi merii sunt aceeai, molecula este numit homopolimer, iar dac
sunt prezeni cel puin doi meri, molecula este un copolimer. Merii care au dou
legturi active pentru a se conecta cu ali meri se numesc meri bifuncionali, iar cei
cu trei legturi sunt meri trifuncionali. Acetia din urm formeaz structuri
moleculare tridimensionale (figura 10.8).

113

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


Tabel 10.1 Molecule polimerice cu radicali organici
Categorie
Structur
Compus caracteristic
Alcooli
R OH

Alcool metilic
Eteri

R O R

Dimetileter
Acizi

Acid acetic
Aldehide

Formaldehid
Hidrocarburi
aromatice

Fenol
Masa molecular final (lungimea lanului) este controlat prin ratele
relative de iniiere, propagare i terminare a polimerizrii. Formarea
macromoleculelor n timpul polimerizrii determin distribuia lungimilor
lanurilor i a maselor moleculare.

Figura 10.8 Meri bifuncionali i trifuncionali

114

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

Se definesc:
a) Masa molecular medie numeric, M n , se exprim prin raportul dintre masa
total a probei i numrul de macromolecule pe care aceasta le conine:
M n n1M1 n 2 M 2 ...

Ni Mi
N1
N2
M1
M 2 ... i
n i Mi
Ni
Ni
Ni i
i

(10.1)

unde Mi este masa molecular a unei macromolecule din specia i i Ni este numrul
de macromolecule din specia i.
Mrimea
Ni
(10.2)
ni
Ni
i

este fracia numeric a speciei i, produsul niMi este masa speciei i, iar

n M
i

este masa total a polimerului.


Din modul de definire a masei moleculare medii numerice reiese c valorile
sale sunt sensibil afectate de prezena unui numr redus de macromolecule cu mas
mic.
b) Masa molecular medie gravimetric (ponderal), M g ,se exprim
recurgnd la fraciile gravimetrice:
Ni Mi
(10.3)
wi
Ni Mi
i

care conduc la urmtoarea expresie:


i Ni Mi 2
Mg
w i Mi
Ni Mi i

(10.4)

Observnd c, n expresia M g dimensiunile moleculare apar la ptrat,


rezult c, n acest caz, spre deosebire de mediile numerice, tocmai
macromoleculele de mas molecular mare joac un rol preponderent.
Un mod alternativ de exprimare a mrimii medii a lanurilor polimere este
gradul de polimerizare, care reprezint numrul mediu de uniti mer ntr-un lan:
Mn
Mm
nn
; nm
(10.5)
m
m
unde m este masa molecular a merului.
Temperatura de topire/plastifiere crete cu creterea masei moleculare (pn
la ~ 100 kg/mol). La temperatura camerei, polimerii cu lanuri scurte (masa molar
~ 0,1 kg/mol) sunt lichizi sau gazoi, cei cu lanuri medii (~ 1 kg/mol) sunt solizi
parafinoi, iar cei cu lanuri lungi (~10 103 kg/mol) sunt solizi.
Unghiul dintre atomii de carbon cu legtur simpl este de 109,5, atomii de
carbon formnd o structur n zigzag n molecula polimeric (figura 10.9.a). Mai
115

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

mult, meninnd unghiul de 109,5 ntre legturi, lanurile polimerice se pot roti n
jurul legturilor CC simple (legturile duble i triple fiind foarte rigide) (figura
10.9.b).

Figura 10.9 Aranjarea lanurilor polimerice

Astfel de bucle aleatoare, rsuceli i ncreituri duc la o structur ncreit,


n care lanurile moleculare se pot curba, ncolci i rsuci, iar cele nvecinate se
pot mpleti unele cu altele.
Caracteristicile fizice ale materialelor polimere depind nu doar de masa
molecular i form, dar i de structura molecular.
Se cunosc diferite tipuri de lanuri polimerice:
1. polimeri liniari (figura 10.10.a); ntre lanuri se stabilesc legturi Van der
Waals. Exemple: polietilen, nailon;

Figura 10.10 Tipuri de lanuri polimerice

116

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


2. polimeri ramificai (figura 10.10.b); eficiena mpachetrii lanurilor este mai
mic n comparaie cu cea a polimerilor liniari i, ca urmare au o densitate mai
sczut;
3. polimeri reticulai (figura 10.10.c); lanurile sunt conectate prin legturi
covalente. Deseori se obin prin adugare de atomi sau molecule care formeaz
legturi covalente ntre lanuri.
4. polimeri n reea (figura 10.11): reele alctuite din meri trifuncionali;
exemple: rini epoxidice, fenol.

Figura 10.11 Reea polimeric

Polimerii cu cel puin dou tipuri diferite de meri se numesc copolimeri i


pot diferi n modul de aranjare a merilor. Diversele posibiliti sunt prezentate n
figura 10.12.

Figura 10.12 Structuri de copolimeri

117

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


Aranjarea atomic n cristalele polimerice este mult mai complex dect n
metale sau materiale ceramice (celulele elementare sunt mari i complexe). Mai
mult, structurile polimerice sunt deseori parial cristaline (semicristaline), cu
regiuni cristaline dispersate n materialul amorf.
Segmentele de molecule polimere pot exista n dou structuri fizice
distincte. Ele se pot gsi att n form cristalin, ct i amorf. Polimerii cristalini
sunt posibili doar dac exist o structur chimic regulat (de exemplu, la
homopolimeri, sau copolimeri cu aranjament alternant) i lanurile posed o foarte
bun aranjare ordonat a segmentelor lor. Cristalinitatea n polimeri este favorizat
n lanurile polimerice simetrice, totui, ea nu atinge niciodat 100%. Aceti
polimeri semicristalini posed mai degrab o comportare tipic de topire,
pstrndu-i starea solid pn la atingerea punctului de topire, la Tt.
Polimerii amorfi nu prezint ordine. Segmentele moleculare n polimerii
amorfi, sau domeniile amorfe ale polimerilor semicristalini sunt aranjate aleator i
nclcit. Polimerii amorfi nu au o Tt definit, datorit caracterului aleatoriu al lor.
La temperaturi joase, sub temperatura de tranziie vitroas (Tv), segmentele sunt
imobile i proba este deseori casant. Pe msur ce temperatura crete i se apropie
de Tv, segmentele moleculare pot ncepe s se mite. Peste Tv, mobilitatea este
suficient (dac nu sunt prezente cristale), astfel ca polimerul s poat curge ca un
lichid foarte viscos. Viscozitatea scade cu creterea temperaturii i scderea masei
moleculare. Este posibil, de asemenea, un rspuns elastic, dac nclcirea nu
permite alinierea cnd este aplicat o for. Un astfel de material este atunci descris
ca un polimer visco-elastic. ntr-un polimer semicristalin, curgerea molecular este
mpiedicat prin poriuni ale moleculelor n cristale pn cnd temperatura este
peste Tt. n acest punct, se formeaz un material visco-elastic.

Figura 10.13 Structura unui polimer semicristalin

Cu ct cristalinitatea este mai pronunat, cu att densitatea este mai mare,


ca i rezistena mecanic i rezistena la dizolvare i plastifiere prin nclzire.
Polimerii cristalini sunt mai deni dect polimerii amorfi; gradul de
cristalinitate poate fi definit i determinat din msurarea densitii:
a
(10.6)
GC(%) c
100
c a

118

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


unde c este densitatea polimerului complet cristalin, a este densitatea polimerului
complet amorf i este densitatea polimerului parial cristalin, al crui grad de
cristalinitate se definete.
Gradul de cristalinitate este determinat de:
viteza de rcire n timpul solidificrii; lanurile au nevoie de timp pentru a se
mica i alinia n structura cristalin;
complexitatea merilor; cristalizarea are loc mai greu n structuri complexe;
polimerii simpli, cum este polietilena, cristalizeaz relativ uor;
configuraia lanurilor; polimerii liniari cristalizeaz relativ uor, ramurile
inhibnd cristalizarea; polimerii reticulai pot fi att cristalini, ct i amorfi, iar
polimerii n reea sunt aproape complet amorfi;
izomerism; polimerii izotactici i sindiotactici cristalizeaz relativ uor,
regularitatea geometric permind lanurilor s se cupleze mpreun;
configuraia atactic face dificil cristalizarea;
copolimerism; cristalizarea este mai uoar dac aranjarea merilor este mai
regulat; aranjarea alternant i cea n blocuri permit cristalizarea mult mai
uor n comparaie aranjarea aleatoare i de gref.

10.2. Polimerizarea
Polimerizarea este procesul de sintez a polimerilor, pornind de la materia
prim (de exemplu, petrol sau crbune) i poate avea loc n dou moduri.
1. Adiia (reacie n lan) are loc cnd unitile monomer sunt ataate una cte
una.
Acest tip de polimerizare este un proces n trei etape, implicnd dou
entiti chimice. Prima, numit monomer, poate fi considerat ca o verig n lanul
polimeric. Iniial, exist ca simple uniti. n aproape toate cazurile, monomerii au
cel puin o dubl legtur carbon-carbon. Cellalt reactant chimic este un
catalizator. n polimerizarea prin adiie, catalizatorul poate fi un radical liber
adugat n concentraii relativ mici. Un radical liber este un compus chimic care
conine un electron liber ce formeaz o legtur covalent cu un electron al unei
alte molecule.
Prima etap n polimerizarea prin adiie, iniierea, are loc cnd radicalul
liber catalizator reacioneaz cu un monomer cu o dubl legtur carbon-carbon,
ncepnd formarea lanului polimeric. Dubla legtur se rupe, monomerul se leag
la radicalul liber i electronul liber este transferat la cellalt atom de carbon n
aceast reacie.
Etapa urmtoare, propagarea, este o operaie repetitiv, n care este format
fizic lanul polimeric. Dubla legtur a monomerilor succesivi este desfcut cnd
monomerul reacioneaz cu lanul reactiv polimeric. Electronul liber este deplasat
succesiv n lan la atomul de carbon final. Aceast reacie este capabil s decurg
continuu, deoarece energia n sistemul chimic scade pe msur ce lanul crete.
Din punct de vedere termodinamic, suma energiilor polimerului este mai mic
dect suma energiilor monomerilor individuali. Altfel spus, legturile simple n
lanul polimeric sunt mult mai stabile dect dublele legturi ale monomerilor.
119

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


Etapa a treia, terminarea, are loc cnd un radical liber la stnga ntlnete
captul unui lan n formare. Acest radical liber termin lanul, legndu-se cu
ultimul component CH2 al lanului polimeric. Aceast reacie produce un lan
polimeric complet. Terminarea poate avea loc, de asemenea, cnd dou lanuri
neterminate se leag mpreun.
2. Condensarea (reacie n trepte), are loc prin reacii chimice intermoleculare
n trepte, care produc uniti mer; de obicei, apare i o mic cantitate de
produs secundar, care este eliminat; condensarea este semnificativ mai
lent dect adiia i deseori formeaz molecule trifuncionale, care pot
genera polimeri reticulai i n reea.
Reacia de polimerizare n trepte este un tip comun de polimerizare, aceast
metod producnd tipic polimeri de mas molecular mai mic dect reacia n lan
i necesit temperaturi mai mari pentru a avea loc. Spre deosebire de polimerizarea
prin adiie, reacia n trepte implic dou tipuri diferite de monomeri di-funcionali
sau grupri de final, care reacioneaz unul cu altul, formnd un lan. Polimerizarea
prin condensare produce, de asemenea, o mic cantitate de produs secundar
molecular (ap, HCl etc.).

10.3. Caracteristicile i procesarea polimerilor


Dup comportarea la aciunea forelor deformatoare, polimerii sunt de trei
tipuri: casani, plastici i elastici (elastomeri).
Modulul de elasticitate pentru polimeri este de ordinul 10 MPa 4 GPa
(fa de metale, la care acesta este de ordinul 50 400 GPa). Rezistena la rupere
este de 10 100 MPa (fa de metale, 100 MPa 10 GPa). Alungirea poate fi pn
la 1000 % n anumite cazuri (< 100% pentru metale).
Proprietile mecanice ale polimerilor se modific drastic cu temperatura,
mergnd de la comportarea casant, ca a sticlei, la temperaturi mici, pn la
comportarea de tip cauciuc, la temperaturi mari. Creterea temperaturii duce la
scderea modulului de elasticitate i a rezistenei la rupere i la creterea
ductilitii.
Mecanismul de baz al deformrii elastice a polimerilor semicristalini este
alungirea (alinierea) lanului molecular n direcia forei aplicate. Modulul de
elasticitate este determinat de proprietile elastice ale regiunilor amorfe i
cristaline i de microstructur.
Deformarea plastic a polimerilor semicristalini este determinat de
interaciunea dintre regiunile cristaline i amorfe i este parial reversibil. Etapele
deformrii plastice sunt:
1. alungirea lanurilor amorfe
2. nclinarea cristalitelor lamelare pe direcia axei de traciune
3. separarea segmentelor de blocuri cristaline
4. ntinderea cristalitelor i regiunilor amorfe pe direcia axei de traciune
Factori care influeneaz proprietile mecanice ale polimerilor
temperatura i viteza de deformare;

120

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

nclcirea lanurilor, legtura intermolecular puternic (determin creterea


rezistenei);
laminarea, analoag ecruisrii metalelor; lanurile moleculare devin puternic
orientate, ceea ce face caproprietile materialului laminat s fie anizotrope
(perpendicular pe direcia alinierii lanurilor rezistena este redus);
tratamentul termic (duce la modificri n mrimea i ordinea cristalitelor);
pentru materialul nelaminat, creterea temperaturii de recoacere duce la
creterea modulului de elasticitate, creterea rezistenei la deformare i
reducerea ductilitii; pentru materialul laminat, modificrile au loc n sens
invers (datorit recristalizrii i pierderii orientrii lanurilor)
gradul de cristalinitate
masa molecular; rezistena la rupere crete cu creterea acesteia, ca efect al
nclcirii lanurilor
legturile secundare; cu ct acestea sunt mai tari, cu att materialul este mai
dur i mai casant
Cristalizarea este procesul de formare a unor nuclee cristaline (nucleaie),
urmat de creterea acestora, alinierea lanurilor i ordonarea acestora. Nucleaia
devine mai lent la temperaturi mai ridicate.
Tranziia vitroas este procesul prin care polimerul devine un solid rigid
(viscozitatea crete) prin rcire, dar reine structura molecular dezordonat,
caracteristic lichidelor. Ea are loc la o anumit temperatur, Tv, temperatura de
tranziie vitroas, cu valori ntre 0,5 i 0,8 din temperatura de topire, Tt (figura
10.14).

Figura 10.14 Tranziia vitroas

121

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


Comportarea la topire a polimerilor semicristalini este intermediar ntre
cea a materialelor cristaline i cea a materialelor amorfe pure.
Temperatura de topire crete cu viteza de nclzire, grosimea lamelelor i
depinde de istoria materialului, n special de temperatura de cristalizare. Topirea
implic ruperea legturilor dintre lanuri, de aceea temperaturile de tranziie
vitroas i de topire depind de:
rigiditatea lanurilor (lanurile rigide au temperaturi de topire mai mari)
mrimea/masa moleculelor (creterea masei moleculare duce la creterea
temperaturii de topire)
mrimea i forma gruprilor laterale, a ramurilor, reticularea, defectele etc.
Polimerii termoplastici (termoplaste) se nmoaie reversibil cnd sunt
nclzii (se ntresc la rcire). La temperaturi ridicate, legturile dintre lanuri se
slbesc, permind deformarea la eforturi mici. Majoritatea termoplastelor sunt
polimeri liniari i cu unele structuri ramificate.
Termoplastele sunt n general polimeri care conin carbon, sintetizai prin
polimerizare de adiie sau condensare. Acest proces formeaz legturi covalente
puternice n interiorul lanurilor i legturi secundare, mai slabe, de tip Van der
Waals, ntre lanuri. De obicei, aceste legturi secundare pot fi cu uurin rupte
prin intermediul energiei termice, ceea ce face ca termoplastele s se topeasc la
temperatur ridicat.
Polimerii termorigizi se ntresc permanent cnd sunt nclzii. Reticulele
covalente (~ 10 50 % din meri) se formeaz n timpul nclzirii. Reticularea
mpiedic ndoirea i rotaiile. Polimerii termorigizi sunt mai duri, mult mai stabili
dimensional i mult mai casani dect termoplastele. Exemple de polimeri
termorigizi sunt cauciucul vulcanizat i rinile epoxidice.
Polimerii termorigizi au aceleai legturi Van der Waals ca i termoplastele,
dar au i legturi mai tari ntre lanuri. ntr-un astfel de material, legturi chimice
covalente puternice in mpreun lanuri diferite. Lanurile pot fi legate direct unul
de altul sau pot fi legate prin intermediul altor molecule. Aceast legtur reticulat
ntre lanuri permite materialului s nu se nmoaie la nclzire. Astfel, polimerii
termorigizi trebuie s fie prelucrai ntr-o nou form dac sunt reutilizai sau pot
servi ca pulberi de umplere n materiale compozite. Dei sunt dificil de reformat,
aceste materiale au multe avantaje distincte n aplicaiile inginereti:
stabilitate termic ridicat i proprieti izolatoare
rigiditate foarte bun i stabilitate dimensional
rezisten la fluaj i deformare sub aciunea unor fore deformatoare
densitate mic.
Cteva aplicaii comune pentru polimerii termorigizi includ: rini
epoxidice (cleiuri), pri pentru automobile, adezivi pentru placaj i plci
aglomerate i matrice pentru compozite.
Elastomeri
Elastomerii pot fi deformai la valori foarte mari ale alungirii relative, dup
care revin elastic la lungimea iniial, aceast comportare fiind observat pentru

122

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


prima dat la cauciucul natural. Pentru a fi elastomeri, polimerii trebuie s
ntruneasc mai multe criterii:
rezisten la cristalizare (elastomerii sunt amorfi)
rotaii relativ libere ale lanurilor (elastomerii nedeformai au o structur
spiralat/rsucit, care se desfoar n timpul deformrii)
un anumit grad de reticulare (obinut prin vulcanizare), care crete
rezistena la deformare plastic
temperatura peste temperatura de tranziie vitroas (sub Tv, elastomerii
devin casani)
Reticularea este una din condiiile necesare comportrii elastomerice i ea
poate fi obinut prin vulcanizare, o reacie chimic ireversibil, de obicei la
temperaturi nalte i implicnd adiia compuilor cu sulf. Atomii de sulf se leag cu
atomii de C cu dubl legtur din lanurile principale i formeaz puni de reticule.
Cauciucul nevulcanizat se plastifiaz la temperaturi ridicate i devine rigid
la temperaturi sczute. Cercetrile pentru depirea acestor neajunsuri s-au finalizat
cu descoperirea ntmpltoare (Charles Goodyear, 1839) a procedeului de
vulcanizare, prin nclzirea cauciucului acoperit cu sulf, cnd astfel cauciucul
devine compact i stabil la nclzire i rcire.
Deoarece sunt reticulate, materialele elastomerice sunt polimeri termorigizi.
Ruperea polimerilor
Rezistena la rupere a polimerilor este sczut, comparativ cu cea a
metalelor i a materialelor ceramice. Ruperea fragil are loc n polimerii
termorigizi. Aceasta este iniiat la concentratorii de tensiuni (zgrieturi, crestturi
etc.). n polimerii termoplastici sunt posibile att ruperea ductil, ct i cea fragil.
Ruperea fragil este favorizat de temperaturi mai sczute, de rate de alungire
relativ mai mari i de prezena unor concentratori de tensiuni.
Prelucrarea polimerilor
Sunt cinci procese de baz pentru obinerea unor produse sau pri de
produse din polimeri. Acestea sunt: turnarea (modelarea) prin injecie, modelarea
prin comprimare, modelarea prin transfer, modelarea prin suflare, i extrudarea.
Modelarea prin comprimare i cea prin transfer sunt utilizate n principal pentru
polimerii termorigizi. Turnarea prin injecie, extrudarea i modelarea prin suflare
sunt utilizate n principal pentru termoplaste.
Turnarea prin injecie este un proces foarte obinuit pentru formarea
materialelor plastice. n principiu, un material plastic este nclzit peste
temperatura de tranziie vitroas (suficient pentru ca acesta s curg) i apoi el este
forat sub presiune nalt s umple volumul unei matrie. Plasticul topit este
comprimat de obicei n matri prin intermediul unui piston sau un melc (nec).
Materialul plastic este apoi rcit i scos din matri n forma sa final. Avantajul
principal al turnrii prin injecie este viteza. Alte avantaje sunt deeurile reduse
rezultate la prelucrare i automatizarea uoar.
Modelarea prin comprimare a fost prima metod de formare a materialelor
plastice. Ea implic patru etape:

123

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


-

materialul n stare de pulbere sau preformate aglomerate este plasat n


jumtatea inferioar a unei matrie nclzite
- se aplic i jumtatea superioar a matriei, dup care este aplicat presiunea
- materialul se plastifiaz (nmoaie) sub aciunea cldurii i presiunii i curge
pn la umplerea matriei; excesul este eliminat
- matria este deschis i piesa este scoas
Pentru termoplaste, matria este rcit nainte de a fi scoas, pentru ca piesa
s nu-i modifice forma. Polimerii termorigizi pot fi extrai din matri cnd sunt
calzi i dup ce maturarea este complet. Acest proces este lent.
Modelarea prin transfer este o variant a modelrii prin comprimare. Ea este
utilizat n principal pentru modelarea plasticelor termorigide i are loc n
urmtoarele etape:
- un material parial polimerizat este plasat ntr-o incint nclzit
- un piston foreaz curgerea materialului n matri
- materialul curge prin canalele de turnare
- temperatura i presiunea din matri sunt mai ridicate dect n incinta
nclzit, ceea ce induce reticularea.
- materialul plastic se ntrete, este rigidizat, matria este deschis i piesa
scoas.
Acest tip de modelare implic costuri mari i o cantitate semnificativ de
material rmne n canalele de turnare, dar n acest fel pot fi produse cu precizie
piese complexe.
Modelarea prin suflare este folosit pentru producerea recipientelor,
accesoriilor corpurilor de iluminat, tuburilor, rezervoarelor de combustibil pentru
automobile i a bidoanelor. Procesul are loc n urmtoarele etape:
- este extrudat un tub din plastic nmuiat
- tubul este nchis la un capt i umflat pentru a umple o matri
- piesa este scoas din matri
Acest proces este rapid i relativ ieftin.
Extrudarea este un proces similar turnrii prin injecie, prin care se pot
obine pri de seciune transversal constant, cum sunt evile i barele. Polimerul
topit intr ntr-o matri pentru a produce o form final. Procesul implic patru
etape:
- granule de polimer sunt amestecate cu colorant i aditivi
- materialul este nclzit la o plasticitate corespunztoare
- materialul este injectat ntr-o matri
- materialul este rcit.
Un extruder este alctuit dintr-o plnie de alimentare (cu polimer i aditivi),
un cilindru cu un urub de alimentare continu, un element de nclzire i un suport
pentru matri. Un adaptor la captul unui extruder, suflnd aer printr-un orificiu n
polimerul fierbinte extrudat printr-o matri inel produce saci i pelicule subiri din
material plastic.

124

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

Reciclarea materialelor plastice


Materialele plastice constituie ntre 14 i 22 % din volumul deeurilor solide
produse de societatea modern. Este evident atunci faptul c este necesar
reciclarea acestor materiale, mai ales c degradarea natural este foarte lent.
Totui, un handicap major n reutilizarea materialelor plastice este acela c
reprelucrarea adaug o istorie termic, degradeaz proprietile i face dificil
utilizarea repetat pentru aceeai aplicaie. Alt motiv pentru evitarea aruncrii
materialelor plastice este conservarea energiei.

125

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

11. Fenomene termice n solide


11.1. Cldura specific a solidelor
Aa cum este cunoscut din termodinamic, cldura specific a unui solid
este cldura specific la volum constant, definit ca:
1 U
c=
(11.1)
T
unde U este energia intern a sistemului i numrul de moli ai acestuia.
Considernd c sistemul se supune statisticii Maxwell-Boltzmann, pentru
w

care funcia de distribuie este de forma f = e kT (w este energia unei particule


constituente a sistemului) i c este alctuit din N atomi care oscileaz independent
cu o pulsaie constant, se arat c energia intern a unui astfel de sistem este egal
cu 3NkT, de unde:
c = 3NAk = 3R
(11.2)
unde R este constanta gazelor perfecte i NA numrul lui Avogadro.
Aceasta este legea Dulong-Petit care arat independena de temperatur a
cldurii specifice a unui solid.
Verificrile experimentale arat c legea Dulong-Petit este valabil la
temperaturi obinuite, dar cnd acestea scad astfel nct w ~ kT, ea nu mai este
valabil. La temperaturi tinznd spre zero absolut, cldura specific a unui solid
depinde de temperatur dup o lege de forma (dedus experimental):
c(T) = 1T3 + 2T
(11.3)
n care 1>>2.
n cazul dielectricilor 2 = 0, ceea ce determin constatarea c al doilea
termen este datorat electronilor de conducie.
Cel care a ncercat pentru prima dat s dea o explicaie acestui fapt a fost
A. Einstein (1907). El a pornit de la faptul c energia termic ce duce la creterea
temperaturii unui solid excit vibraiile reelei (adic fononii), cldura specific
putnd fi calculat astfel ca fiind cea a unui gaz de fononi coninui n solid (i care
se supun, evident, statisticii Bose-Einstein), pentru care probabilitatea de ocupare a
unei stri energetice (funcia de distribuie) este:
1
f(w) = w
(11.4)
kT
e 1
La echilibru termic, energia unui sistem care se supune statisticii BoseEinstein, este dat de:

w Dw
dw
U = w f w D w dw w
(11.5)
0
0
kT
e 1
Considerm c numrul de celule ale reelei este N i fiecare celul conine
un singur atom. n modelul lui Einstein se presupune c fiecare atom vibreaz
independent de vecinii si, ca un oscilator armonic simplu, spectrul energetic

126

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


constnd n niveluri discrete, distanate cu valoarea w0 = E, unde E este pulsaia
Einstein. n acest caz, densitatea de stri energetice este
D(w) = (w w0)
(11.6)
unde ww este funcia Dirac, egal cu 1 pentru wwi nul pentru orice
alte valori ale lui w.
Atunci,

w w
3Nw
dw w 0 0
U= w
(11.7)
0
e kT 1
e kT 1
de unde:
TE

1 U
eT
T
3N A k E
c=
(11.8)
2
T
T TE

e T 1

unde s-a notat:


w
E
TE = 0
(11.9)
k
k
mrime numit temperatura Einstein.
Se poate observa uor c, la temperaturi nalte (T >> TE), relaia (11.8) se
reduce la legea Dulong-Petit. La temperaturi sczute (T << TE), se obine:
2

T E
c = 3NAk E e T
(11.10)
T
Aceasta este, practic, o dependen exponenial, care, experimental, nu este
observat.
n figura 11.1 este reprezentat dependena cldurii specifice de temperatur
n modelul Einstein (linia punctat), comparat cu dependena obinut
experimental (linia continu).
T

Figura 11.1 Dependena cldurii specifice de temperatur

127

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


Neconcordana dintre cele dou curbe provine din faptul c, aa cum a
artat Debye, spectrul frecvenelor de vibraie ale reelei este diferit de cel presupus
n modelul Einstein. Energia unui oscilator este n acest caz w g, densitatea de
stri energetice, D(w) fiind i ea dat de o alt expresie, pe care o vom deduce n
continuare.
Dup cum se arat n teoria vibraiilor reelei cristaline, vectorul de und al

unui fonon, g , este cuantificat, valorile sale posibile fiind cuprinse n interiorul
primei zone Brillouin. Aproximnd aceast zon cu o sfer de raz gD, reprezentnd
valoarea maxim a numrului de und (gD se numete numr de und Debye iar
sfera de raz gD sfera Debye) i considernd c viteza de propagare a undelor n
cristal este unic, c, astfel nct g = cg, numrul valorilor lui g (care este egal cu
numrul gradelor de libertate, egal, la rndul lui cu triplul numrului de celule
elementare, N) poate fi exprimat ca raportul dintre volumul sferei Debye i
8 3
volumul unei singure stri, care este
(volumul unei celule elementare n
V
4 3
g D
spaiul reciproc), adic 3N = 3 3 . De aici, se poate scrie:
8
V
1

6 2 3
gD = 3
(11.11)


unde V/N este volumul celulei elementare.
Volumul ocupat de o stare n spaiul vectorului de und este egal cu raportul
4 3
g D
dintre volumul sferei Debye i numrul de stri din aceast sfer, adic 3
.
3N
ntr-un interval cuprins ntre i d, ceea ce corespunde unui interval
(g, g + dg) pentru g, se afl un numr de stri egal cu raportul dintre volumul din
spaiul vectorului de und corespunztor acestui interval i volumul ocupat de o
singur stare:
2
3N
2
D()d = 4
dg = 3N 3 d
(11.12)
4 3
D
g D
3
unde D = cgD este pulsaia Debye.
Se poate scrie atunci (nlocuind n relaia (11.5):
D
2
U = 9N
(11.13)
3 d

D
0
e kT 1
Cu aceast formul, se obine:

128

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

kT 2
3
D
e
T D x 4e x
kT

dx
c = 9Nk
(11.14)
d = 9Nk
2

TD 0 e x 12

0
3
kT
e 1 D

n care x =
i
kT
D
TD =
(11.15)
k
TD reprezint temperatura Debye, caracteristic solidului respectiv. Relaia
(11.14) este cunoscut sub numele de formula Debye pentru cldura specific a
solidelor.
Dac temperatura este mare (T >> TD), integrala din formula (11.14) devine
2

1 TD
i cldura specific devine egal cu cea dat de formula Dulong3 T
T
Petit. La temperaturi joase (T 0 ; D ), integrala tinde spre un factor
T
4
4
constant,
i putem scrie:
15
egal cu

T
12 4
c=
Nk
(11.16)
5
TD
cunoscut sub numele de legea T3 a cldurii specifice, valabil la temperaturi
joase.
Pentru un kmol, relaia (11.16) poate fi scris:
3

T
c = 1,94110 J/kmolK
(11.17)
TD
Relaia (11.16) este, aa cum am precizat, valabil la temperaturi joase;
T
experiena arat c ea este corect sub temperaturi n jurul valorii D . Aceast
10
formul se verific pentru majoritatea elementelor, ct i pentru unele substane
compuse (de exemplu, srurile halogenilor); pentru corpuri cu o structur mai
complex ea nu mai este valabil ntruct spectrul vibraiilor acestora este mult mai
complex. n mod special, formula Debye nu se poate aplica pentru cristalele cu o
anizotropie pronunat.
Temperatura Debye este o mrime caracteristic fiecrui cristal, ea aprnd
i n legtur cu alte proprieti ale sale, nu numai n legtur cu cldura specific.
Fiind proporional cu frecvena maxim a vibraiilor reelei, ea semnific
temperatura la care sunt excitate toate modurile de vibraie. Cnd aceast frecven
maxim este mare, forele de legtur din reeaua cristalin sunt puternice, ceea ce
nseamn c acele cristale cu TD mare au structura foarte stabil (de exemplu,
6

129

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

diamantul, cu TD aproximativ 2000C) i invers (de exemplu, plumbul, cu TD n


jurul a 100C). Majoritatea elementelor au temperatura Debye de ordinul a cteva
sute de K, aa cum se poate vedea i din tabelul de mai jos:
Tabel 11.1 Temperatura Debye pentru cteva substane
SUBSTANA TD (K) SUBSTANA TD (K) SUBSTANA
Na
158
V
380
Cu
K
91
Cr
630
Si
Be
1440
W
400
Diamant
Ca
230
Fe
470
Ge
Ag
210
Co
445
Al2O3
Au
165
Ir
420
NaCl
Pb
90
Ni
450
KCl
Al
426
Pt
240
KBr

TD (K)
348
645
2230
360
1000
310
230
174

La cldura specific a conductorilor contribuie i gazul de electroni. Pentru


calculul termenului corespunztor acestei contribuii, se ine seama c numai
electronii cu energii foarte apropiate de energia Fermi contribuie la conducia
electric i, deci, numai acetia vor contribui i la conducia termic.
Numrul total al acestora (pe unitatea de volum) poate fi calculat ca
produsul dintre densitatea de stri electronice (numrul strilor electronice din
unitatea de volum i pe unitatea de energie) i energia kT, adic N(wFkT, unde
3

2m 2

w . Oricare din aceti electroni poate interaciona cu fononii i,


2 2 3
ca urmare a acestei interacii, i poate mri energia cu o valoare de ordinul kT,
astfel nct, la 0 K, creterea total a energiei acestor electroni este egal cu
produsul dintre numrul lor i energia pe care o poate primi fiecare, adic
N(wk2T2. Cldura specific electronic se calculeaz derivnd aceast relaie n
funcie de temperatur, cnd se obine o relaie de forma c = a2T, adic al doilea
termen din relaia (11.3). Calculnd valoarea numeric la temperatura mediului
ambiant (300 K), rezult o valoare de ordinul 200 J/kmolK, care este numai de
ordinul a 1% din cldura specific a reelei. Numai la temperaturi sczute, termenul
datorat electronilor devine important.

N(w) =

11.2. Dilatarea termic a solidelor


n capitolul referitor la vibraiile reelei cristaline, s-au analizat aceste
vibraii pornind de la presupunerea c interaciunea dintre atomi este de tip elastic.
Dac energia potenial a sistemului format din atomi aflai n poziia de
echilibru este V0, ca urmare a vibraiilor reelei au loc mici deplasri ale atomilor
fa de aceast poziie i energia potenial, ca funcie de poziie, poate fi
dezvoltat n serie Taylor n jurul poziiei de echilibru, obinndu-se o relaie de

forma (11.18), n care u sj , (j = x,y,z) sunt componentele deplasrii u s , n jurul


130

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

poziiei de echilibru a atomului s din celula elementar de poziie a reelei.


Primul termen al relaiei (11.18) este constant, al doilea se anuleaz, la echilibru,
doar al treilea are importan - termenul armonic.
V

2V

V = V0 + u sj, j u sj, u sj'', ' j
(11.18)
j'

u
j,s ,
j
,
s
,

s
,

s
,

s
'
,

'

0 j',s ', '

0
Pentru studiul dilatrii termice ns, nici acest al treilea termen nu este
suficient ci este necesar luarea n considerare i a termeilor de ordin superior termeni anarmonici.
S considerm al patrulea termen:

3V
j
j'
j''
(3)

V =
(11.19)
j
j'
j''
s,
s ', '
s '', ''

u u

u
j,s ,
s,
s ', '
s '', '' 0

j',s ', '

j'',s '', ''

La creterea temperaturii, valoarea medie a lui u sj , crete, termenii


anarmonici contribuind din ce n ce mai mult la energia cristalului, aceasta
nemaifiind n mod necesar minim pentru vibraiile n jurul configuraiei de
echilibru (n care u sj , se anuleaz). n acest fel, ntregul cristal se dilat pn
gsete un volum la care noile poziii de echilibru ale atomilor asigur minimul
energiei sistemului.
Fr a intra n amnunte, precizm c, innd cont de influena acestor
termeni anarmonici, n teorie se stabilete relaia ce exprim coeficientul de dilatare
1 V
termic, , n funcie de coeficientul de compresibilitate izoterm, =
i
V T
de cldura specific, c, relaie cunoscut sub numele de formula Grneisen:
c
=
(11.20)
V
unde este constanta Grneisen, dat de relaia:
ln TD
=
(11.21)
ln V
Cum este o constant, a crei valoare determinat experimental este de
aproximativ 2, rezult din relaia (11.20) c temperatura Debye este dependent de
volumul cristalului.

11.3. Conductibilitatea termic a solidelor


Conductibilitatea termic (capacitatea de transport de cldur) a solidelor
este determinat de doi factori: purttorii de sarcin electric liberi din solid i
reeaua (prin intermediul fononilor), astfel nct se pot deosebi dou laturi ale
fenomenului. Legea fenomenologic a transportului de cldur este cea cunoscut
din termodinamic:

q T
(11.22)

131

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

unde q este densitatea de curent termic*, este coeficientul de conductibilitate


termic i T temperatura.
Este evident c transportul cldurii dintr-o zon mai cald spre una mai rece
are loc ca urmare tocmai a existenei acestui gradient de temperatur.
Din teoria clasic a gazelor, se tie c:
1
= cv
(11.23)
3
unde este densitatea de particule care efectueaz transportul, c cldura specific,
v viteza medie a particulelor care realizeaz transportul cldurii, iar drumul
liber mediu al acestora.
n cazul dielectricilor, conducia termic este realizat practic numai de
fononi. Calculul cuantic al coeficientului de conductibilitate termic al gazului de
fononi este destul de complicat, lucrndu-se n condiii de anarmonicitate, cnd pot
avea loc ciocniri bi i trifononice, unele dintre acestea, de tip U, opunndu-se
procesului conduciei termice prin introducerea unei rezistene termice a solidului.
La aceasta contribuie i mprtierea fononilor pe defectele reelei.
Deci, conductivitatea termic a reelei este influenat de procesele de
mprtiere pe care le sufer fononii i care sunt de mai multe tipuri:
ciocniri fonon-fonon


Acestea pot avea loc cu respectarea relaiei k k g , caz n care
procesul respectiv se numete proces normal. Aceste procese nu influeneaz n
nici un fel conductivitatea termic. Cele care o influeneaz sunt procesele
Umklapp, n care nu se respect relaia respectiv, datorit faptului c k nu este
un impuls n sensul strict, ntruct, pentru valori n afara primei zone Brillouin, ale
vectorului de und, acestea repet stri din prima zon; astfel, un vector care difer
de altul cu g (vectorul reelei reciproce) corespunde unei stri fizice echivalente cu
cea corespunztoare primului. De exemplu, dac doi fononi cu vectorii de und


k 1 , k 2 interacioneaz, poate rezulta un fonon cu vectorul de und k 3 dar, este

posibil s rezulte i un fonon cu vectorul de und k 3 g , care va avea sensul invers
(aproximativ) cu primul (acest lucru rezultnd din conservarea impulsului). Acest
fapt nseamn i o inversare a sensului vitezei fononului ceea ce echivaleaz cu
apariia unei rezistene la transportul cldurii n reea. Procesele Umklapp se
produc cu o probabilitate ce crete exponenial cu temperatura la temperaturi mici
i proporional cu aceasta la temperaturi mari. Acelai lucru este valabil, n
consecin i pentru rezistivitatea termic (inversul conductivitii termice) datorat
proceselor Umklapp.

n multe lucrri, aceast mrime este numit densitate de cldur, densitate a fluxului de cldur
sau, chiar flux de cldur; am considerat c termenul de densitate de curent termic, i datorit
analogiei cu termenul densitate de curent electric (inclusiv ca mod de definire), este mai sugestiv i,
oricum, mai corect din punct de vedere semantic.
*

132

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

mprtierea fononilor pe defecte punctiforme


La temperaturi mici, lungimea de und dominant a fononilor este mult mai
mare dect dimensiunea defectelor punctiforme, care este de ordinul de mrime al
dimensiunilor atomice, probabilitatea de mprtiere pe defecte punctiforme fiind
proporional cu 4, adic cu T4 (ca n legea Rayleigh, a dispersiei luminii), ceea ce
duce la un drum liber mediu al fononilor proporional cu T4. Aceast valoare
introdus n relaia (11.22), d pentru conductivitatea termic o dependen
proporional cu T1 (innd cont c, la temperaturi mici, cldura specific depinde
de T3). Un calcul mai precis d o dependen a conductivitii termice proporional
cu T3/2.
La temperaturi mari, mprtierea fononilor pe defecte punctiforme nu mai
depinde de temperatur, termenul conductivitii termice datorat acestui proces
rmnnd constant.
mprtierea fononilor pe dislocaii
Conductivitatea termic este influenat de aceste procese printr-un termen
invers proporional cu densitatea dislocaiilor i care variaz proporional cu T3/2.
mprtierea fononilor pe zonele de separare dintre cristalitele unui
policristal
Conductivitatea termic (termenul datorat acestor procese) variaz ca i c
(adic proporional cu T3 la temperaturi sczute) i este proporional cu
dimensiunea minim a cristalitelor.
Dac se reprezint grafic variaia conductivitii termice cu temperatura, se
obine graficul din figura 11.2.

Figura 11.2 Variaia conductivitii termice pentru o prob pur (linia punctat) i pentru
o prob cu impuriti i alte defecte (linia continu)

n figur este reprezentat cu linie punctat variaia conductivitii termice


pentru o prob pur. La temperaturi n apropiere de 0 K este important
133

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


mprtierea fononilor pe zonele de separare dintre cristalite (regiunea
corespunztoare pe grafic este notat cu unde ~ T3) iar la creterea
TD

temperaturii procesele Umklapp (regiunea , unde ~ e 2kT ). Cu linie continu,


este reprezentat variaia cu temperatura a conductivitii termice a unei probe
avnd impuriti, la care, la temperaturi n jurul lui 0 K, conteaz mprtierea
fononilor pe zonele de separare dintre cristalite (regiunea notat cu ), iar la
temperaturi mai mari mprtierea pe impuriti (regiunea , unde ~ T3/2). n
ambele cazuri, la temperaturi mari (> TD) conductivitatea termic variaz invers
proporional cu temperatura.
n general, dielectricii sunt considerai i izolatori termici sau slab
conductori termici. Uneori ns, ei pot deveni buni conductori termici, cum este
cazul, aa cum se vede n figura 11.2, al probelor foarte pure, la temperaturi n jurul
T
valorii D , corespunztoare vrfului graficului, cnd poate avea valori de
20
ordinul 104 W/mK.
Un caz interesant este cel al diamantului, care avnd TD aproximativ 2000
K, prezint o conductivitate termic la temperatura camerei de aproximativ 2000
W/mK, adic de aproximativ 5 ori mai mare dect a cuprului. Faptul c diamantul
este un foarte bun izolator electric dar i un foarte bun conductor termic i confer
acestuia proprieti speciale care fac ca el s fie folosit n construcia unor
dispozitive electronice speciale (n special ca suport radiator de cldur).
Aplicnd cele discutate aici la materialele cu structur amorf, cum sunt
sticla i unele materiale plastice, tocmai aceast structur neregulat a acestora
implic procese intense de mprtiere a fononilor, ceea ce face ca aceste materiale
s prezinte o conductivitate termic foarte sczut, de ordinul a 101 W/mK.
n cazul conductorilor, n procesul conduciei termice intervin i electronii
liberi, care au o contribuie important la acest proces. Conductivitatea termic a
acestora este legat de conductivitatea electric printr-o relaie care poate fi dedus
e 2 n
astfel: conductivitatea electric este dat de expresia: =
, unde e este sarcina
2mv
electronilor, n concentraia acestora, drumul lor liber mediu, m masa electronilor
1
1
i v viteza medie. Pe de alt parte, e = cv = nkv, unde c este cldura
3
2
specific electronic.
mv 2 3
kT , rezult
mprind cele dou relaii de mai sus i innd cont c
2
2
2
e 3k
2 T . Un calcul mai precis d:

2 k
(11.24)
LT
3 e
cunoscut sub numele de legea Wiedemann-Franz (L este constanta Lorenz).
2

e =

134

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


Conductivitatea termic total este dat deci, n cazul conductorilor, de
suma dintre conductivitatea termic a reelei i cea a electronilor liberi.

11.4. Proprieti termice ale materialelor electrotehnice

cldura specific, c reprezint (conform relaiei 11.1) cldura schimbat de


unitatea de mas a materialului pentru a-i modifica temperatura cu o unitate.
coeficientul de conductibilitate termic, reprezint cldura transferat n
unitatea de timp prin unitatea de arie (considerat perpendicular pe direcia
fluxului termic) la un gradient de temperatur egal cu unitatea; ia valori mici n
cazul materialelor izolatoare poroase (~ 102 W/mK), valori medii n cazul
materialelor poroase impregnate sau a celor neporoase (0,1 1 W/mK) i
valori mari n cazul metalelor (102 W/mK).
coeficientul de dilatare termic liniar, reprezint variaia relativ a
lungimii corpului, provocat de o cretere a temperaturii t cu o unitate
1 d

(11.25)
0 dt
Coeficientul de dilatare termic liniar ia valori cuprinse ntre 5104 i
7103 K1 pentru materiale conductoare i ntre 103 i 0,2 K1 pentru materiale
izolatoare.
temperatura de inflamabilitate, Ti reprezint valoarea temperaturii la care un
corp lichid produce o cantitate suficient de vapori, astfel nct mpreun cu
aerul din atmosfer s formeze un amestec combustibil ce se aprinde n contact
cu o flacr.
temperatura de aprindere, Ta reprezint valoarea temperaturii la care vaporii
de lichid se autoaprind, fr a utiliza o flacr; uleiul de transformator are Ti =
135 125C i Ta = 150C.
temperatura de nmuiere, Tnm reprezint valoarea temperaturii la care
fluiditatea materialului este suficient de mare pentru ca deformarea sa s se
produc sub aciunea greutii proprii; ea caracterizeaz materialele amorfe,
fr punct de topire bine determinat (ceramic, sticle, bitumuri, mase plastice
etc.).
stabilitatea la cldur a formei se caracterizeaz prin valoarea maxim a
temperaturii la care poate fi adus un material solicitat mecanic, fr ca
deformarea sa s depeasc o limit admisibil.
rezistena la oc termic, Rst a unui material se apreciaz prin numrul de
cicluri (nclzire-rcire) la care acesta rezista fr a se deforma, fisura, crpa
sau sfrma. ocul termic reprezint trecerea brusc de la o temperatur nalt
(1000C n cazul ceramicelor) la temperatura mediului ambiant. Teoretic,
rezistena la oc termic se determin cu relaia:

(11.26)
R st

E c

135

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


unde reprezint densitatea corpului, efortul unitar la traciune, coeficientul de
dilatare termic liniar, E modulul de elasticitate, coeficientul de conductivitate
termic i c cldura specific.
Stabilitatea termic caracterizeaz capacitatea materialelor de a rezista timp
ndelungat la o anumit temperatur fr ca proprietile lor (mecanice, electrice) s
scad sub o valoare limit (dup care materialele nu-i mai pot ndeplini rolul n
instalaia din care fac parte).
mbtrnirea termic reprezint procesul de degradare i nrutire a
caracteristicilor electrice i mecanice ale corpurilor sub aciunea temperaturii.
Acest proces se intensific dac temperatura crete, datorit activizrii reaciilor
chimice de descompunere a moleculelor corpurilor.
Tabelul 11.2 prezint proprietile termice pentru unele materiale
electrotehnice mai des folosite.
Tabel 11.2 Proprieti termice ale unor materiale electrotehnice
Material
(106 K1)
c (103 J/kgK)
(W/mK)
Ap
4,18
0,595
Ulei de transformator 1,67
0,15
Hrtie
1,5
0,1
Cauciuc vulcanizat
0,86
0,36
Ebonit
1,4
0,2
50
PVC
1,5
0,2
100
Polietilen
2,3
0,3
150
Poliamide
1,7
0,2
100
Poliester
1,05
0,3
35
Azbest
0,84
0,15
Sticl
0,7
0,8
Cuar
0,76
10
14
Porelan
0.92
1,85
4,5
Cupru
0,385
394
17,7
Aluminiu pur
0,895
209
23,9

136

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

12. Proprieti electrice ale materialelor


12.1. Benzi energetice n solide; tipuri de solide
Considernd N atomi separai, fiecare cu o structur energetic discret,
ansamblul format din cei N atomi va prezenta pentru fiecare nivel energetic discret
o stare N-degenerat. Cnd aceti atomi sunt adui mpreun, orbitalii se suprapun
i fiecare stare N-degenerat se transform ntr-o band energetic n care energia
variaz practic continuu (pentru N mare, aa cum este cazul solidelor). Se obin,
astfel, benzi coninnd N stri, corespunztoare fiecrui nivel energetic discret al
atomilor, astfel nct se poate vorbi despre banda 2s, banda 3p etc.,
corespunztoare nivelurilor energetice respective. Despicarea nivelurilor energetice
discrete n N subniveluri i formarea benzilor energetice n solide este reprezentat
n figura 12.1.

Figura 12.1 Structura de benzi a energiei electronilor n solide

Aa cum energia electronilor ntr-un atom izolat poate avea numai valori
discrete bine determinate, restul valorilor fiind interzise, tot aa, ntr-un ansamblu
de atomi cum este cel al unui solid, energia electronilor poate avea numai valori din
cadrul acestor benzi energetice permise, restul valorilor aflndu-se n benzi
energetice interzise, care separ ntre ele benzile energetice permise.
Trebuie precizat c structura de benzi este caracteristic fiecrui cristal n
parte, n diferite cazuri particulare unele benzi interzise putnd lipsi sau benzile
permise se pot suprapune parial.
Rezult, deci, c structura energiei electronilor n solide este o structur de
benzi, care se formeaz, n principiu, la fel, indiferent de tipul solidului, deosebirea
fiind doar cantitativ. Fiecare band provine dintr-un nivel discret al atomului
izolat, benzile de energie permis fiind desprite de zone (benzi) interzise.
137

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


Dup modul de ocupare a acestor benzi energetice cu electroni, apare
deosebirea dintre diferitele solide, fiind posibil i clasificarea acestora.
Dac n solid sunt N celule elementare, fiecare avnd s atomi, numrul
atomic al acestora fiind Z, numrul total de electroni din solid va fi atunci NsZ.
Numrul strilor energetice (innd cont de dubla valoare a spinului electronic) este
NsZ
egal cu
.
2
La T = 0 K, se deosebesc dou situaii:
dac electronii, n numr de NsZ, ocup complet un anumit numr de benzi
(adic energia celui mai nalt nivel energetic ocupat coincide cu limita
superioar a ultimei benzi ocupate), banda de deasupra acesteia, separat de ea
printr-o band interzis, va fi complet goal (figura 12.2).
W
Banda de conducie
Wc
Eg

Banda interzis

Wv
Banda de valen
Figura 12.2 Structura de benzi energetice la izolatori

Pentru a crea un curent electric printr-un solid, ar trebui ca electronii (sau


cel puin o parte din ei) s treac n stri energetice superioare celor n care se
gsesc (ceea ce nseamn ruperea lor din legturile pe care le au cu atomii crora le
aparin i trecerea lor n stare liber n solid) sub aciunea unui cmp electric
exterior. Procesul nu poate avea loc ns n cazul solidelor cu structura descris mai
sus sub aciunea unui cmp electric obinuit, electronilor fiindu-le necesar o
energie mare (cel puin egal cu lrgimea benzii interzise, Eg) pentru a sri peste
banda interzis i a trece ntr-o stare neocupat, aflat n banda de deasupra, iniial
goal (care se numete band de conducie, deoarece n ea se pot afla aceti
electroni, care pot participa la conducia electric). Ultima band complet ocupat
se numete band de valen, coninnd electronii de valen ai atomilor solidului.
Ca urmare a celor expuse, solidul este un dielectric (izolator), el neputnd permite
trecerea unui curent electric dect n prezena unui cmp electric foarte intens (de
ordinul a 108 V/m), cnd se produce fenomenul de strpungere electric.
dac electronii nu ocup complet ultima band energetic, nivelul energetic cel
mai nalt ocupat aflndu-se n interiorul acesteia, atunci ei pot trece foarte uor,
138

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


chiar i sub aciunea unui cmp electric foarte slab, n stri energetice
superioare (aflate la valori infinit mici deasupra celor iniiale) ceea ce asigur
trecerea lor n stare liber n cristal i posibilitatea de a forma un curent electric.
Structura energetic n acest caz este prezentat n figura 12.3 i ea corespunde
solidelor numite conductori, la care, la T = 0 K, ultima band ocupat (parial)
este banda de conducie. Nivelul energetic maxim al strilor ocupate cu
electroni (la 0 K) se numete nivel Fermi, iar energia corespunztoare, energie
Fermi, EF.
W

EF

BC
Stri ocupate

Figura 12.3 Structura de benzi energetice la conductori

Deci, la T = 0 K, solidele sunt fie conductori, fie dielectrici (izolatori).


La T > 0 K, dielectricii cu o lrgime Eg a benzii interzise mic (< 3 eV), pot
prezenta o conducie electric, datorit fluctuaiilor termice, care permit obinerea
energiei necesare, de ctre unii electroni, pentru a trece n banda de conducie.
La conducia electric a acestor solide particip i golurile formate n banda
de valen prin trecerea unor electroni n stri energetice superioare, din banda de
conducie. Astfel de solide sunt numite semiconductori.
Dup cum s-a vzut anterior, numrul de stri energetice dintr-o band
energetic este N. Pentru un cristal cu un singur atom pe celul, numrul benzilor
NZ
ocupate (rezultat ca raport dintre numrul total de stri energetice ocupate,
i
2
Z
numrul de stri dintr-o band, N) este .
2
Dac Z este impar, ultima band este incomplet ocupat (figura 12.3),
solidul respectiv fiind un conductor (metal), cum sunt, de exemplu, metalele
monovalente; alcaline (Li, Na, K, Rb, Cs) i nobile (Cu, Ag, Au), care au o band
ocupat pe jumtate, ca i cele trivalente (Al, Ga).
Dac Z este par, ultima band este complet ocupat, solidul respectiv fiind
un dielectric. Elementele cu Z par nu sunt ns ntotdeauna dielectrici Astfel,
datorit suprapunerii pariale a benzii de valen cu cea de conducie, elementele
bivalente sunt, toate, metale (de exemplu, Be, Mg, Ca, Hg, Zn). Unele dintre
acestea sunt ns slabi conductori, ca urmare a unei suprapuneri mici a benzilor
139

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


energetice. Tot datorit suprapunerii benzilor energetice, elementele pentavalente
(As, Sb, Bi etc.) sunt metale, dei, avnd doi atomi n celula elementar, ultima
band este complet ocupat. La aceste elemente se observ o conducie mixt (de
electroni i de goluri), ele fiind semimetale. n aceste cazuri, nivelul Fermi este
plasat n zona de suprapunere a benzilor (figura 12.4).

EF
Stri ocupate

Figura 12.4 Suprapunerea parial a benzilor energetice la semimetale

Elementele tetravalente sunt metale sau semiconductori, cazul cel mai


interesant fiind cel al staniului, care, prezentnd dou faze solide, este
semiconductor ntr-una i metal n cealalt. De asemenea, carbonul, cu structura de
diamant, este un izolator pe cnd ca grafit este un (semi)conductor. Din aceeai
categorie, a elementelor tetravalente, Ge i Si sunt semiconductori standard iar
Pb este metal. Cu excepia cazurilor amintite, elementele cu Z par sunt dielectrici.
O ultim problem ce merit a fi amintit aici este cea a aa-numitelor stri
locale, datorate unor defecte structurale ale reelei, de tipul celor descrise anterior.
Aceste defecte determin apariia, pe lng benzile de energie permise, normale,
ale solidului i a unor niveluri energetice discrete, plasate uneori n interiorul
benzilor permise, alteori n benzile interzise. Aceste niveluri energetice,
corespunztoare strilor locale, sunt foarte importante, ntruct electronii din aceste
stri pot fi excitai i pot trece n stri din benzile permise, modificnd concentraia
purttorilor de sarcin electric liberi n solid i, n acest fel, numeroase proprieti
ale acestuia. Legat de aplicaiile practice, cel mai cunoscut exemplu este cel al
semiconductorilor cu impuriti (extrinseci).

12.2. Concentraia de purttori n metale


Considernd, pentru simplificare, o reea unidimensional, energia
potenial n reea poate fi reprezentat conform figurii 12.5, n care n1, n2,...
reprezint nodurile reelei. Potenialul la marginea cristalului a fost ales cu valoarea
zero.
Se observ c un electron cu energia W1 nu poate fi liber n cristal,
neputnd prsi groapa de potenial n care se afl. El poate trece doar la un atom
vecin, pe acelai nivel energetic, fiind astfel un electron legat, care nu poate
140

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


participa la conducia electric. n schimb, un electron cu energia W2 se poate
deplasa liber n interiorul metalului, el fiind un electron de conducie. Pentru a
putea prsi metalul, unui electron nu i este ns suficient energia W 2, ntruct,
dup cum se poate vedea n figur, el ntlnete la marginea cristalului o barier de
potenial. Numai electronii cu valori pozitive ale energiei, cum este W3, pot prsi
metalul devenind liberi n exteriorul acestuia, dar, n mod obinuit, electronii
metalului nu au energii care s le permit acest lucru.

Figura 12.5 Energia potenial n reeaua cristalin

Electronii liberi din metal sunt distribuii pe diverse niveluri energetice din
banda de conducie conform relaiei:
dn = f(w)N(w)dw
(12.27)
unde dn este concentraia de electroni (numrul de electroni din unitatea de volum)
cu energii cuprinse n intervalul energetic dw, f(w) este probabilitatea ca starea
cuantic de energie w s fie ocupat de un electron, iar N(w) este densitatea de
stri energetice din banda de conducie (numrul de stri energetice din unitatea
de volum i pe unitatea de energie).
S considerm un metal de form cubic, de latur a, n interiorul cruia
potenialul este considerat constant*, bariera de potenial la marginea acestuia fiind
suficient de nalt pentru ca nici un electron s nu poat prsi cristalul. n acest
caz, funcia de und asociat electronului (funcia Bloch) este nul n exteriorul
metalului ceea ce este posibil numai dac unda asociat este staionar, avnd un
minim de amplitudine (nod) la capetele cristalului. Acest lucru impune ca
dimensiunea cristalului, a, s fie un multiplu ntreg al semilungimii de und a undei

h
asociate electronilor liberi din cristal, adic a = f i, cum p = , rezult:
2

n realitate el are forma din figura 12.5, dar pentru electronii liberi din metal aproximaia fcut
este suficient de bun.
*

141

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

h
(12.28)
2a
p2
f 2h2

w=
(12.29)
2m 8ma 2
Pentru cele trei direcii, relaia 12.28 devine:
px = fxh/2a, py = fyh/2a, pz = fzh/2a.
Electronii liberi din metal sunt caracterizai deci de patru numere cuantice:
fx, fy, fz i s (numrul cuantic de spin). ntr-o reprezentare n spaiul impulsurilor,
innd cont de principiul de excluziune al lui Pauli i de cele dou valori posibile
ale lui s, densitatea electronilor n acest spaiu este 2(2a/h)3, deci numrul
electronilor cu impulsul cuprins n intervalul (p, p + dp) este:

p=f

1 2a
8a 3
2 4p 2 dp 3 p 2 dp .
8 h
h
3

Cum p = 2 mw , pdp = mdw i p2dp = 2m 3 w dw , se poate scrie:


8p 2 dp 42m 2

N(w)dw =
h3
h3

w dw

3
42 m 2
Dac se noteaz C =
= 6,821027 eV 2 m 3 , rezult:
3
h
N(w) = C w
(12.30)
Electronii liberi ai metalului se supun statisticii Fermi-Dirac, astfel nct
probabilitatea de ocupare a unui nivel energetic de energie w este dat de relaia:
1
f(w) =
(12.31)
w EF
1 e kT
unde EF este energia Fermi, T temperatura absolut a cristalului i k constanta
Boltzmann.
Se vede c, la T = 0 K, pentru w > EF, f(w) = 0 i pentru w < EF, f(w) = 1,
ceea ce semnific faptul c, la 0 K, toate strile energetice aflate sub nivelul Fermi
sunt ocupate iar cele de deasupra sunt, toate, libere.
La T > 0 K, cnd w = EF, f(w) = 1/2, ceea ce d posibilitatea unei alte
interpretri a nivelului Fermi (nivelul energetic a crei probabilitate de ocupare este
50 %). n figura 12.6 este reprezentat grafic expresia f(w)N(w) la diferite
temperaturi.
Numrul total de electroni din unitatea de volum (concentraia de electroni)
este:
1
3
EF
2
n = Cw 2 dw C E F 2
(12.32)
0
3
Se constat c, la metale, concentraia electronilor de conducie este practic
constant, nedepinznd de temperatur. Rezult c, ntruct mobilitatea electronilor
este invers proporional cu temperatura, conductivitatea metalelor este i ea invers

142

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


proporional cu temperatura (rezistivitatea este direct proporional cu
temperatura).
f(w)N(w)

T=0K
T1 > 0 K

C w

T2 > T1
C w
2

w
EF
Figura 12.6 Dependena expresiei f(w)N(w) de temperatur

Pentru a scoate un electron din metal, dup cum s-a vzut anterior, este
necesar ca energia acestuia s fie cel puin egal cu nlimea barierei de potenial
de la marginea cristalului. Energia electronilor la 0 K este ns cel mult egal cu
energia Fermi. Ca atare, pentru extracia unui electron este nevoie, n medie, de o
energie egal cu diferena dintre nivelul barierei de potenial de la marginea
cristalului i energia Fermi, valoarea respectiv fiind o caracteristic a fiecrui
metal, numit energie de extracie*. Aceast energie poate fi primit de unii din
electronii de conducie ai metalului pe diferite ci. De exemplu, prin nclzirea
metalului, cum se poate vedea din figura 12.6, unii din electroni pot avea energii
mai mari dect EF i pot depi astfel bariera de potenial, ieind din metal. Din
calcule rezult c, prin emisia electronilor din metal ca urmare a nclzirii acestuia
la temperatura T (fenomen numit emisie termoelectronic), se formeaz un curent
termoelectronic a crui densitate este dat de:

Wext
kT

j = AT e
(12.33)
Aceasta este legea emisiei termoelectronice, cunoscut i sub numele de
legea Richardson-Dushman.
2

12.3. Conducia electric la metale


Din cele vzute anterior, rezult c, la temperaturi obinuite, electronii de
valen ai metalelor se gsesc n banda de conducie; acest lucru nseamn c ei
sunt liberi s se mite n interiorul cristalului, nemaiaparinnd unui atom anume i
constituind astfel purttori de sarcin electric liberi. Aceti electroni se comport
ca un gaz n care este scufundat reeaua cristalin.

adesea, se folosete termenul de lucru mecanic de extracie

143

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

Sub aciunea unui cmp electric exterior de intensitate E , electronii de


conducie capt o micare ordonat, ce se constituie ntr-un curent electric de
densitate:

dQ
E
(12.34)
j

dS dt E

unde dQ este sarcina electric transportat n intervalul de timp dt prin suprafaa


transversal de arie dS, pe direcia cmpului electric.
Aceast micare dirijat se suprapune peste agitaia termic a purttorilor i
are loc cu o vitez medie constant, numit vitez de drift.
S considerm un electron de conducie; asupra sa acioneaz cmpul

electric exterior, de intensitate E , cu fora F eE , imprimndu-i o acceleraie a .


Ca urmare, viteza electronului crete pn cnd acesta ciocnete plastic un ion al
reelei, cedndu-i ntreaga energie, dup care micarea se reia n acelai mod, cu o
vitez iniial nul. Presupunnd c ciocnirile se succed la intervale de timp egale
(acest lucru nsemnnd c distana parcurs ntre dou ciocniri consecutive este
egal cu drumul liber mediu), dependena de timp a vitezei electronului este de
forma din figura 12.7, n care tC este timpul dintre dou ciocniri consecutive iar
vmax este dat de relaia:

et

v max at C C E
mn
Viteza medie a acestei micri estedat de relaia:

v max
et

vm
C E,
2
2m n
din care se vede c vm (care este viteza de drift) este constant, deci micarea este
uniform.

Figura 12.7 Dependena de timp a vitezei electronului n reea

n realitate, ciocnirile nu au loc la intervale egale de timp dar formula se


poate folosi considernd o valoare medie a acestor intervale de timp dintre dou
ciocniri consecutive, tCm. Atunci, viteza de drift a electronilor de conducie are
expresia:
144

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

et

v n C E n E
2m n

(12.35)

Mrimea n reprezint mobilitatea electronilor de conducie, o constant


specific fiecrui material. Densitatea de curent va fi deci:

dQ E
en dS d E
j

env n en n E
(12.36)
dS dt E
dS dt E
nlocuind:
1
enn = =
(12.37)

unde este conductivitatea electric a metalului iar este rezistivitatea electric


a acestuia, densitatea de curent se scrie sub forma:

(12.38)
j E
relaie ce reprezint forma local a legii lui Ohm.
Acest model clasic d rezultate n concordan cu datele experimentale la
temperaturi obinuite. La temperaturi sczute ns, acest model nu mai corespunde
rezultatelor experimentale, fiind necesar o tratare cuantic.

12.4. Concentraia de purttori n semiconductori


12.4.1.

Semiconductori intrinseci

Dup cum s-a vzut anterior, la semiconductori, banda de valen este (la 0
K) complet ocupat i separat de banda de conducie (liber la 0 K) printr-o band
interzis cu o lrgime de maxim 3 eV. n tabelul 12.1 este dat valoarea lrgimii
benzii interzise pentru unele materiale semiconductoare. La temperaturi sczute,
semiconductorii se comport deci ca un izolator, nedispunnd de purttori de
sarcin electric liberi, care s formeze un curent electric sub aciunea unui cmp
electric exterior.
Tabel 12.1 Lrgimea benzii interzise a unor semiconductori
Semiconductor Eg (eV) Semiconductor Eg (eV)
Si
1,1
CdS
2,4
Se
0,8
PbS
0,41
Ge
0,67
PbSe
0,23
Te
0,34
PbTe
0,6
Sn
0,1
GaP
2,24
InSb
0,32
GaAs
1,35
InAs
0,39
SiC
2,8
InP
1,25
HgSe
0,6
InSb
0,18
Al2O3
2,5
AlSb
1,5
Cu2O
1,5
CdSe
1,8
ZnO
3,2

145

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


Crescnd ns temperatura, are loc aa-numitul proces de generare termic
intrinsec a purttorilor de sarcin electric liberi, ca urmare a faptului c un
anumit numr de electroni din banda de valen vor cpta suficient energie (prin
intensificarea agitaiei termice) pentru a rupe legturile covalente la formarea
crora particip i a deveni liberi n interiorul cristalului. Din punct de vedere
energetic, acest lucru nseamn trecerea acestor electroni din banda de valen n
banda de conducie, energia minim necesar fiind egal cu lrgimea benzii
interzise, Eg. Este evident c, spre deosebire de metale, concentraia electronilor de
conducie la semiconductori depinde de temperatur, avnd n vedere c tocmai
aceasta este cauza apariiei acestor electroni.
Legturile covalente corespunztoare electronilor trecui n banda de
conducie rmn nesatisfcute, echivalnd cu o regiune de sarcin electric
pozitiv, numit gol care, la rndul su, particip la conducie, ca urmare a
deplasrii sale n sensul cmpului electric exterior. Acest proces are loc prin saltul
pe care l poate face un electron legat (situat energetic n banda de valen) de la
un atom vecin. Acest electron ocup golul (situat, de asemenea, n banda de
valen), refcnd legtura covalent rupt i lsnd n locul su un alt gol.
nlocuirea deplasrii reale a electronilor din banda de valen cu deplasarea n sens
invers a golurilor lsate de acetia permite simplificarea studierii fenomenului de
conducie electric la semiconductori. Cu alte cuvinte, sarcina electric pozitiv a
golului se deplaseaz n semiconductor sub aciunea unui cmp electric, ca i cum
ea ar fi purtat de o particul real.
Deci generarea termic intrinsec const n apariia electronilor de
conducie (prin excitarea acestora din banda de valen n cea de conducie)
concomitent cu formarea golurilor n banda de valen pe seama energiei termice.
Fiecrui electron din banda de conducie i corespunde un gol n banda de valen
ceea ce nseamn c i concentraia electronilor de conducie este egal cu cea a
golurilor, fapt caracteristic semiconductorilor puri (intrinseci), a cror conducie
electric este numit conducie intrinsec.
Procesul de generare este dublat de un proces invers, de recombinare
electron-gol, astfel nct, la o temperatur constant cele dou procese se
echilibreaz, concentraia (egal) de electroni de conducie i de goluri, ni, numit
concentraie intrinsec, rmnnd constant.
Pentru determinarea concentraiei intrinseci se procedeaz ca n cazul
metalelor cu precizarea c energia golurilor se msoar n sens invers ca cea
electronilor de conducie.
Conform figurii 12.8, energia cinetic a electronilor, Wkn i cea a golurilor,
Wkg, au expresiile: Wkn = w WC, respectiv Wkg = WV w, unde WC este limita
inferioar a benzii de conducie, iar Wv este limita superioar a benzii de valen.
Atunci, densitile strilor energetice pentru electroni i goluri sunt date de
expresiile:
3
1
1
4
Nn(w) = 3 2m n 2 w WC 2 C n w WC 2
h
146

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


3
1
1
4
2m p 2 WV w 2 C p WV w 2
3
h
Probabilitatea de ocupare a unei stri este dat tot de funcia Fermi-Dirac.
Pentru electronii din banda de conducie, expresia este cea dat de relaia 12.5,
care, la temperaturi obinuite, ntruct f(w) << 1, se poate aproxima sub forma:

Np(w) =

EF w

f w e kT . Aceasta arat c, n aceste condiii, funcia de distribuie se reduce


la una de tip clasic (Maxwell-Boltzamnn). Concentraia de electroni este:

WC

WC

n = Nn w f w dw Cn
n=

3
2
2m n kT 2 e
3
h

E F WC
kT

NC e

w WC e

w EF
kT

dw

E F WC
kT

(12.39)

Wkn

BC

Wc
BI
Wv
+

Wkg

BV

Figura 12.8 Energia cinetic a electronilor i golurilor

Analog, pentru goluri,


p =

WV

N p w f w dw , unde f(w) = 1 f(w),

ceea ce deriv din faptul c o stare energetic poate fi ocupat fie de un electron,
fie de un gol, deci suma probabilitilor de ocupare a acelei stri de un electron,
w EF

respectiv de un gol este egal cu unitatea. Evident, cum f(w) << 1, f(w) e kT .
Atunci,
WV EF
WV E F
3
2
p = 3 2m p kT 2 e kT N V e kT
(12.40)
h
ntruct la un semiconductor extrinsec, n = p = ni,
3

mn 2 e

E F WC
kT

EF =

mp 2 e

WV E F
kT

, de unde rezult:

mp
Eg 3
mp
WV WC 3
kT ln
WV
kT ln
2
4
mn
2 4
mn

(12.41)

147

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


unde Eg = WC WV este lrgimea benzii interzise.
Din relaia de mai sus, se vede c, dac mn = mp sau T = 0 K, nivelul Fermi
este situat chiar la mijlocul benzii interzise; dac mn < mp, nivelul Fermi este mai
aproape de banda de conducie, n timp ce, dac mn > mp, el este mai aproape de
banda de valen.
Calculnd np = n i2 , rezult concentraia intrinsec:
ni = N C N V e

12.4.2.

Eg
2 kT

(12.42)

Semiconductori extrinseci

Introducerea unor impuriti n proporie foarte redus ntr-un


semiconductor se numete dopare. Folosind drept impuriti elemente
pentavalente, cum sunt Sb, As, P, Bi, numite impuriti donoare, se obine un
semiconductor extrinsec de tip n n timp ce, folosind drept impuriti elemente
trivalente, ca B, Al, Ga, In, numite impuriti acceptoare, se obine un
semiconductor extrinsec de tip p.
Aceste impuriti fiind ntr-o concentraie foarte redus (1014 1018
atomi/cm3) nu modific structura cristalin a semiconductorului, comportndu-se
ca impuriti substituionale, adic substituind n reea atomii de semiconductor i
fiind deci obligate s se comporte ca acetia (s formeze patru legturi covalente cu
cei patru atomi de semiconductor vecini).
Atomii de impuriti donoare dispun astfel de un electron n plus fa de
numrul necesar realizrii configuraiei electronice complete pe stratul de valen,
electron care este foarte slab legat (energia de legtur fiind de ordinul a 102 eV).
Prezena impuritilor donoare determin apariia unor stri locale nsoite de un
nivel energetic discret situat n banda interzis, n imediata apropiere a benzii de
conducie, numit nivel energetic donor, cruia i corespunde energia WD. La 0 K,
acest nivel este complet ocupat cu cte un electron provenit de la fiecare atom de
impuritate donoare. Chiar i la temperaturi sczute, unii din electronii aflai pe
nivelul donor pot trece n banda de conducie, ntruct energia de care au nevoie
pentru aceasta, numit energie de activare, este foarte mic, n comparaie cu
energia necesar procesului de generare intrinsec. Evident, aflai n banda de
conducie, electronii respectivi sunt electroni de conducie, ns locul gol, lsat de
acetia pe nivelul donor nu este un gol care s poat participa la conducia electric.
Acest proces, de apariie a electronilor de conducie prin excitarea electronilor de
pe nivelul donor n banda de conducie (proces nensoit de apariia, corespunztor
fiecrui electron de conducie, a unui gol n banda de valen, ca la conducia
intrinsec) se numete generare termic extrinsec a electronilor de conducie.
Fizic, procesul const n ruperea electronului slab legat de atomul cruia i aparine,
el devenind astfel liber n cristal. Concomitent cu acest proces, are loc i procesul
invers, de trecere a electronilor de conducie pe nivelul donor, astfel nct, la o
temperatur constant, concentraia electronilor de conducie generai extrinsec se
menine constant, ca urmare a stabilirii unui echilibru dinamic n cristal.

148

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


n cazul impurificrii semiconductorului cu impuriti acceptoare, acestea
au o legtur nesatisfcut, ca urmare a faptului c nu dispun dect de trei electroni
de valen, care, mpreun cu cei patru pui n comun de cei patru atomi vecini, nu
pot asigura configuraia electronic complet, de octet. Aceast legtur
nesatisfcut creeaz o stare local, caracterizat de un nivel energetic discret,
situat n banda interzis, n imediata apropiere a benzii de valen, nivel care la 0 K
este complet liber. Legtura poate fi saturat prin acceptarea unui electron legat, de
la un atom vecin, acesta rmnnd legat de atomul de impuritate, deci nedevenind
electron liber. Locul lsat liber de acest electron la atomul cruia i-a aparinut este
ns un gol care poate participa la conducie, prin procesele artate anterior.
Energetic, procesul const n excitarea unui electron din banda de valen pe
nivelul donor i apariia unui gol n banda de valen, proces care se poate petrece
chiar i la temperaturi mai sczute, ntruct energia de care este nevoie pentru
aceasta este foarte mic, n comparaie cu energia necesar procesului de generare
intrinsec.
Acest proces, de apariie a golurilor n banda de valen prin excitarea unor
electroni din banda de valen pe nivelul acceptor (proces nensoit de apariia,
corespunztor fiecrui gol, a unui electron n banda de conducie, ca la conducia
intrinsec) se numete generare termic extrinsec a golurilor. Concomitent cu
acest proces, are loc i procesul invers, de trecere a electronilor de pe nivelul donor
n banda de valen, astfel nct, la o temperatur constant, concentraia golurilor
generate extrinsec se menine constant, ca urmare a stabilirii unui echilibru
dinamic n cristal.
n ambele situaii, peste procesele descrise, se suprapune i cel de generare
termic intrinsec i, ca urmare, oricnd, n semiconductorii impurificai vor exista
ambele tipuri de purttori de sarcin electric liberi, electroni de conducie i goluri
dar concentraiile lor nu mai sunt egale, ca la conducia intrinsec. Semiconductorii
impurificai cu impuriti donoare (semiconductori extrinseci de tip n) vor avea o
concentraie mai mare de electroni de conducie dect de goluri (motiv pentru care
electronii de conducie sunt purttori majoritari iar golurile purttori
minoritari), conducia electric realizat n acest caz numindu-se conducie
extrinsec de tip n iar cei impurificai cu impuriti acceptoare (semiconductori
extrinseci de tip p) vor avea o concentraie mai mare de goluri dect cea a
electronilor de conducie (n acest caz golurile sunt majoritare i electronii
minoritari). Procesele descrise mai sus sunt reprezentate n figura 12.9.
S considerm acum un semiconductor extrinsec de tip n. ntruct, la 0 K,
nivelul donor este complet ocupat, rezult c nivelul Fermi este situat ntre acest
nivel i limita inferioar a benzii de conducie: WC > EF > WD.
La o temperatur oarecare, n banda de conducie se gsesc electroni
provenii att prin generare intrinsec dar i prin generare extrinsec, n
concentraie n = nD + ni, unde ni este concentraia de purttori generai prin procese
intrinseci iar nD este concentraia de electroni generai prin procese extrinseci.
La temperaturi mici, generarea intrinsec este neglijabil, ni 0 i n nD.
Concentraia electronilor de conducie generai extrinsec este egal cu concentraia
149

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


de atomi donori ionizai i care, printr-un calcul analog celor anterioare, se arat c
are expresia:
WD E F
kT

nD = ND e
unde ND este concentraia de atomi donori.

(12.43)

BC

Wc
+

WD

WA
Wv
+

Nivel
donor
Nivel
acceptor

BV

Figura 12.9 Diagrama energetic a proceselor de generare extrinsec a purttorilor

Pe de alt parte, n paragraful anterior s-a dedus relaia 12.16, care exprim
concentraia de electroni din banda de conducie i care este valabil indiferent de
E F WC
kT

modul de apariie a acestora: n = NC e


. innd cont c n nD, nmulind cele
dou relaii i extrgnd rdcina ptrat, se obine:
n = NCND e

WC WD
2 kT

Un calcul mai exact d valoarea:


N C N D WC2kTWD
n=
(12.44)
e
2
La temperaturi de ordinul a 102 K, practic toi atomii donori sunt ionizai i,
ntruct nc ni 0, n ND, deci concentraia electronilor de conducie rmne
practic constant. Temperatura la care practic toi donorii sunt ionizai se numete
temperatur de epuizare, TE.
La temperaturi i mai mari, peste o valoare Ti,* generarea termic intrinsec
ncepe s se manifeste n mod evident i, cum concentraia atomilor de
semiconductor este mult mai mare dect cea a atomilor de impuriti, i
concentraia electronilor de conducie provenii din generarea intrinsec va fi mult

De fapt, nu exist o temperatur exact la care putem spune c toi donorii sunt complet ionizai,
sau la care generarea intrinsec devine evident, deci T E i Ti nu sunt n realitate valori exacte ci,
mai degrab, domenii de valori ale temperaturii. Formal, este mai comod ns s le considerm
drept valori exacte.
*

150

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


mai mare dect cea a electronilor de conducie provenii prin generarea extrinsec,
astfel nct ni >> ND i, deci, n ni.
n graficul din figura 12.10 este reprezentat cu linie continu variaia cu
temperatura a concentraiei electronilor de conducie ntr-un semiconductor
extrinsec de tip n, de unde se poate constata c exist un domeniu de temperaturi
destul de larg (n domeniul de temperaturi ale mediului ambiant) n care aceasta
este constant, fapt pe care se bazeaz i majoritatea aplicaiilor materialelor
semiconductoare extrinseci. Pentru comparaie, s-a reprezentat cu linie ntrerupt
variaia cu temperatura a concentraiei de electroni de conducie ntr-un
semiconductor intrinsec. Zona I, la temperaturi sub temperatura de epuizare, este
zona de conducie extrinsec, n care concentraia crete exponenial cu
temperatura, exponentul fiind ns mic. Zona a II-a, la temperaturi cuprinse ntre TE
i Ti, este zona de epuizare, n care concentraia de purttori rmne constant.
Zona a III-a, la temperaturi peste Ti, este zona de conducie intrinsec, unde
concentraia purttorilor crete din nou exponenial ns mult mai rapid, exponentul
fiind mult mai mare. Mai exact, n aceast zon concentraia este dat practic de
relaia 12.16, unde exponentul este proporional cu Eg = WC WV (Eg ~ 1 eV), n
timp ce, n prima zon, concentraia este dat de relaia 12.18, n care exponentul
este proporional cu WC WD (WC WD ~ 102 eV).
n

II

III
T

TE

Ti

Figura 12.10 Variaia concentraiei electronilor de conducie ntr-un semiconductor de tip


n, cu temperatura

n mod analog se produc i procesele ntr-un semiconductor extrinsec de tip


p, n care ns purttorii majoritari sunt golurile, provenite din generarea termic
intrinsec i din generarea termic extrinsec (n acest caz electronii provin numai
din generarea termic intrinsec).
La temperaturi mici, concentraia golurilor ntr-un semiconductor extrinsec
de tip p este dat de relaia:

151

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

WC WD

p = 2 N V N A e 2 kT
(12.45)
unde NA este concentraia de impuriti acceptoare.
Un grafic asemntor celui din figura 12.10 se poate trasa i pentru
concentraia de goluri dintr-un semiconductor extrinsec de tip p.
n tabelele 12.2 i 12.3 sunt date valorile energiei de activare la germaniu i
siliciu dopai cu diferite impuriti.
Tabel 12.2 Valoarea energiei de activare la semiconductori dopai cu impuriti
donoare
Impuritate donoare Sb P As
WC WD
semiconductor Si
43 45 53
3
Ge
10 12 13
(10 eV)
Tabel 12.3 Valoarea energiei de activare la semiconductori dopai cu impuriti
acceptoare
Impuritate acceptoare B
Al Ga In
WA WV semiconductor Si
44 68 72 155
Ge
10,4 10,2 10,8 11,2
(103eV)

12.5. Conducia electric la semiconductori


Consideraiile expuse n paragraful 12.3 sunt valabile i n cazul
semiconductorilor, numai c aici trebuie s inem seama c exist dou tipuri de
purttori: electronii (cu sarcin negativ) i golurile (cu sarcin pozitiv). Acetia
se vor deplasa sub aciunea unui cmp electric exterior cu viteza de drift*:
et cm
et
vn
E n E ; v p cm E p E
(12.46)
2mn
2mp
Se constat c viteza de drift a golurilor este orientat n sensul cmpului
electric, n timp ce viteza de drift a electronilor este n sens invers acestuia. Fiecare
tip de purttor va crea un curent electric cu densitatea:

jn = enn E = n E ; jp = enp E = p E
(12.47)
Sensul celor doi cureni, determinai de cele dou tipuri de purttori, este
acelai cu sensul cmpului electric exterior. Curentul total, rezultat prin
suprapunerea lor are densitatea:

j jn jp = e(nn + pp) E = (n + p) E = E
(12.48)
Mrimea
= e(nn + pp)
(12.49)

n continuare, pentru electroni vom folosi indicele n i pentru goluri indicele p

152

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


reprezint conductivitatea electric a semiconductorului, relaia 1.23 fiind
cunoscut sub denumirea de formula conductivitii unui semiconductor cu
impuriti.

12.6. Cureni de difuzie n semiconductori


Am vzut c ntr-un cristal (metal sau semiconductor), n prezena unui
cmp electric exterior, apare un curent electric, numit curent de cmp sau de
drift. Cmpul electric exterior nu este ns singura cauz care poate produce o
deplasare dirijat a purttorilor de sarcin electric liberi. Aceasta poate fi produs
i de existena unui gradient de concentraie a purttorilor, datorat fie unui
gradient de temperatur, fie injeciei ntr-o anumit zon a unor noi purttori, fie
aciunii unor radiaii care produc generarea de noi purttori etc. Acest gradient de
concentraie d natere unui curent de difuzie, analog cu procesul de difuzie a
gazelor.
S considerm un semiconductor n care exist un gradient de concentraie
de electroni de conducie. Acesta d natere unei difuzii a electronilor din zona de
concentraie mai mare spre cea de concentraie mai mic, ce tinde spre
uniformizarea concentraiei n toat masa cristalului. Deplasarea dirijat a
purttorilor ca urmare a gradientului de concentraie reprezint un curent de
difuzie, a crui densitate este dat de relaia:

jn = eDn nr
(12.50)
unde Dn este coeficientul de difuzie al electronilor, o constant ce depinde de
material.
Dar, cum np = ni2, nseamn c, paralel cu gradientul de electroni, exist i
un gradient de goluri, ce determin, la rndul su, un curent de difuzie de
densitate*:

jp = eDp pr
(12.51)
Ca urmare a difuziei, n regiunile prsite de electroni, respectiv goluri,
rmn sarcini electrice imobile necompensate (regiunea din care au difuzat
electronii este srcit n sarcini electrice negative, deci are un surplus de sarcini
pozitive iar cea din care au difuzat golurile are un surplus de sarcini negative), de
semn opus. Aceast distribuie de sarcin electric determin apariia unui cmp

electric intern n cristal, E int , care determin, la rndul su, apariia unui curent
electric de drift, att pentru electroni ct i pentru goluri. Conform relaiei 12.21.
acetia au expresiile:
aa cum sunt scrise cele dou relaii, 1.24 i 1.25, sensul pozitiv ales este sensul lui gradn (care
are, la rndul su, sensul de la zona de concentraie de electroni mai mic spre cea de concentraie
mai mare) deci i jn i jp au sens pozitiv; gradp are sens negativ.

sensul cmpului intern este de la zona din care au difuzat electronii liberi (unde a rmas un surplus
de sarcin electric pozitiv imobil) spre cea n care au difuzat acetia; cum difuzia are loc din
zona de concentraie mai mare spre cea de concentraie mai mic, sensul cmpului electric intern
este invers sensului gradientului concentraiei de electroni (care este de la zona de concentraie mai
mic spre cea de concentraie mai mare) deci, conform conveniei, negativ.
*

153

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

jnd en n E int ; jpd ep p E int

Se observ c cei doi cureni de drift au sens opus (vezi nota de subsol)
sensului curenilor de difuzie. Ca urmare se va produce un fenomen de echilibru
dinamic, ntruct efectul (curentul de drift) se opune cauzei (gradientul de
concentraie i curentul de difuzie). Echilibrul se stabilete cnd cei doi cureni, de
difuzie, respectiv de drift, sunt egali n modul, deci cnd curentul total este nul.
Densitile totale de curent de electroni i respectiv de goluri sunt date de relaiile:

(12.52)
J n jn jnd e D n n n n E int

J p jp jpd e D p p p p E int
(12.53)

Un semiconductor izolat ajunge deci la echilibru cnd J n i J p sunt egali cu


zero. Considernd, pentru simplificare, un gradient unidimensional, condiia de mai
sus pentru curentul de electroni se scrie:
dn
nnEint = Dn
(12.54)
dx
Concentraia electronilor de conducie este dat de relaia 12.13: n0 =

WF WC
kT

NC e
. Dac ns exist i un cmp electric (cmpul electric intern, n cazul de
fa), la energia WC trebuie adugat un termen suplimentar, eU, care provine din
faptul c energia minim a electronilor de conducie este mai mare ca urmare a
accelerrii lor n diferena de potenial, U, creat de cmpul electric respectiv.
Concentraia electronilor de conducie este, n acest caz:
WF WC eU

eU

n = NC e kT = n0 e kT
(12.55)
dU
Cum Eint =
, se poate scrie:
dx
eU

dn
en
e dU
n 0 e kT

E int
(12.56)

dx
kT
kT dx
nlocuind relaia 12.56 n 12.54, rezult:
kT
Dn =
n
(12.57)
e
Printr-un calcul analog, se obine i:
kT
Dp =
p
(12.58)
e
Aa cum s-a artat anterior, la echilibru termic, concentraia purttorilor n
orice punct din semiconductor este constant n timp, ca urmare a echilibrului
dinamic ce se stabilete ntre cele dou procese inverse: generarea termic i
recombinarea purttorilor.
Se definesc viteza de generare, G, respectiv viteza de recombinare, R, ca
fiind numrul de purttori generai, respectiv recombinai n unitatea de volum i n
unitatea de timp (dn/dt sau dp/dt). La echilibru, R = G.

154

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

De asemenea. se definete timpul de via mediu al purttorilor, n ip,


ca intervalul de timp mediu ntre momentul generrii i cel al recombinrii.
Este evident c viteza de recombinare depinde, pe lng ali factori, direct
proporional de concentraiile celor dou tipuri de purttori care se recombin.
Astfel, putem scrie: R ~ np, relaie care, n cazul unor semiconductori extrinseci, la
temperaturi medii capt forma:
R ~ NDp0 pentru semiconductori de tip n
R ~ NAn0 pentru semiconductori de tip p
unde ND i NA sunt concentraiile (constante) de impuriti donoare, respectiv
acceptoare.
innd cont i de definiia vitezei de recombinare, putem scrie expresiile
vitezei de recombinare a purttorilor minoritari:
R = p0/p pentru semiconductori de tip n
R = n0/n pentru semiconductori de tip p
S considerm acum un semiconductor de tip n, n care, la echilibru,
concentraia de purttori minoritari (goluri) este pno. Dac, printr-un mijloc
oarecare, concentraia crete la valoarea pno + p0, se produce o stare de
neechilibru, la ncetarea cauzei care a produs surplusul de purttori, concentraia
acestora scznd spre valoarea iniial, pno (p 0). Valoarea pn = pno + p
reprezint concentraia purttorilor de neechilibru, p fiind concentraia
purttorilor n exces. Ecuaia ce descrie acest proces este:
p pn 0
dpn
GR n
; prin integrare, rezult:
dt
p

t
p

t
n

pn(t) = pn0 + p0 e
(12.59)
unde pn(t) este concentraia purttorilor de neechilibru la momentul t dup
ncetarea cauzei care a produs dezechilibrul iarp0 este concentraia iniial a
purttorilor n exces.
ntr-un mod asemntor, se poate scrie i o relaie care s exprime
concentraia purttorilor de neechilibru ntr-un semiconductor de tip p:
np(t) = np0 + n0 e
(12.60)
S considerm acum o poriune paralelipipedic, de arie transversal A i
lungime dx (figura 12.11) dintr-un semiconductor de tip n, prin care trece un curent
transversal de purttori minoritari, de densitate j.
Dac n acest volum se produce generarea de noi purttori, cu viteza de
generare G = p0/p, ntr-o regiune infinit mic n interiorul volumului respectiv vom
avea o concentraie p, de purttori minoritari, provenii, pe de o parte din generare,
pe de alt parte prin transport de ctre curentul j, concentraie mai mare dect p0 i
dependent de poziie. Recombinarea purttorilor are loc cu viteza R = p/p i este

155

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


evident c, urmare a faptului c R > G, densitatea de curent la ieirea din volumul
considerat va fi diminuat cu o valoare dj.

Figura 12.11 O poriune dintr-un semiconductor

Din conservarea sarcinii electrice n volumul respectiv, putem scrie:


p
dp
p
edxA
= edxA + edxA 0 djA
dt
p
p
dp
Dar Adj = AeDp
+ AeppE (a se vedea relaia 12.53) i, deci:
dx
pn pn0
p n
2 pn
p n E
(12.61)

Dp
p
2
t
p
x
x
Relaia de mai sus reprezint ecuaia de transport Boltzmann.
p n
2 pn pn pn0
Dac E = 0 i
= 0, relaia de mai sus devine:
, cu soluia:

t
x 2
Dpp

pn(x) = pn0 + pn(0) e

x
Lp

(12.62)

unde
Lp = D p p

(12.63)

se numete lungime de difuzie i reprezint distana medie strbtut de un gol


injectat pn la recombinarea lui cu un electron.
Relaia 12.62 exprim scderea concentraiei de goluri (n general, de
purttori minoritari injectai ntr-o zon din semiconductor) exponenial cu distana
fa de locul de injectare.

12.7. Materiale dielectrice


12.7.1.

Noiuni generale

Multe dintre aspectele fenomenelor care au loc la introducerea unei


substane dielectrice ntr-un cmp electric exterior sunt asemntoare cu cele care
se petrec la introducerea substanei n cmp magnetic, datorit faptului c structura
dielectricului este o structur polar (permanent sau indus).
156

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


S reamintim c un dipol electric este un sistem alctuit din dou sarcini
electrice egale ca mrime dar de semn opus, +q i q, situate la o distan . Se
definete momentul electric dipolar ca fiind:

(12.64)
pe q

unde este vectorul de modul , orientat pe direcia ce unete cele dou sarcini,
cu sensul de la sarcina negativ spre cea pozitiv.
n general, momentele electrice dintr-un dielectric sunt orientate haotic, ca
urmare a agitaiei termice dar, ntr-un cmp electric exterior ele tind s se orienteze

de-a lungul acestuia, sub aciunea momentului de rotaie, M p E , ce tinde s
roteasc dipolii astfel ca acetia s se alinieze pe direcia cmpului electric exterior.
Ca urmare a acestui fapt, n dielectric apare o redistribuire a sarcinii electrice i,
dei pe ansamblu el este neutru din punct de vedere electric, la suprafaa lui apar
sarcini electrice necompensate, numite sarcini de polarizare, care creeaz n

dielectric un cmp electric de polarizare E p , ce se suprapune peste cel exterior,

E 0 , astfel nct cmpul electric total este dat de suma vectorial a celor dou:

E E0 Ep .
Se definete vectorul polarizare a dielectricului ca fiind momentul electric
dipolar al unitii de volum:
1

P p ei
(12.65)
V i
Experimental se constat c, pentru o gam larg de dielectrici (medii
liniare), este valabil relaia:

(12.66)
P e 0 E
unde e este susceptibilitatea dielectric a substanei.
Comportarea dielectricului poate fi descris prin intermediul vectorului

inducie electric, D , dat de:

(12.67)
D 0 E P 0 1 e E 0 r E
unde r este permitivitatea electric relativ a dielectricului. Aceast relaie este
valabil numai pentru medii izotrope, n cazul anizotropiei, evident, permitivitatea
se definete ca un tensor.
Valoarea permitivitii electrice relative a diferitelor materiale izolatoare
utilizate n practic este prezentat n tabelul 12.4.
Starea de polarizare a unui dielectric poate fi:
A. polarizare temporar, dac aceasta depinde de cmpuri electrice exterioare
Polarizarea temporar poate fi, la rndul ei, de dou feluri:
de deplasare
Polarizarea de deplasare poate fi:
- polarizare de deplasare electronic, dat de deplasarea limitat i elastic,
sub aciunea cmpurilor electrice exterioare, a nveliurilor electronice ale
atomilor
157

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


polarizare de deplasare ionic, dat de deplasarea limitat i elastic, sub
aciunea cmpurilor electrice exterioare a ionilor reelei (specific
cristalelor ionice).
de orientare dipolar.
Polarizarea de orientare dipolar reprezint orientarea preponderent pe
direcia cmpului electric exterior a dipolilor existeni n cristal i care, n absena
acestui cmp sunt orientai haotic, aleatoriu, ca urmare a agitaiei termice (este
caracteristic cristalelor polare).
B. polarizare permanent, dac ea nu depinde de cmpuri electrice exterioare.
Polarizarea permanent poate fi polarizare spontan, atunci cnd
ordonarea apare pe domenii de temperaturi, n cristale cu ax polar, ca urmare a
condiiei de minimizare a energiei libere a sistemului. ntruct acest tip de
polarizare este dependent de temperatur, ea se mai numete i polarizare
piroelectric. Cristalele feroelectrice sunt cele mai cunoscute cristale cu polarizare
de acest fel.
La structurile cristaline fr un centru de simetrie, sub aciunea unor factori
mecanici, poate aprea un alt tip de polarizare permanent, polarizarea
piezoelectric.
Pot fi create, sub aciunea unor radiaii, sau prin tratament termic n cmp
electric exterior, stri de polarizare cvasipermanent.
n majoritatea cazurilor, dielectricii prezint concomitent dou sau mai
multe tipuri de polarizare, din cele descrise mai sus.
-

Tabel 12.4 Permitivitatea electric relativ a claselor de materiale izolante


Clase de materiale
r
Materiale gazoase
Materiale nepolare
Materiale polare solide
Materiale polare lichide
Materiale feroelectrice

12.7.2.

~1
13
3 15
~ 10
~ 102 103

Piroelectricitatea

La cristalele ionice se poate observa o polarizare spontan piroelectric.


Pentru a explica apariia acesteia, s considerm o reea unidimensional ionic, cu
dou tipuri de ioni avnd masele M1 i M2 i sarcina electric q1 = + e, q 2 = e.
Cmpul electric cristalin local Ec = E0eit determin oscilaii ale ionilor reelei,
conform:

M1 u n 1 = (un un 1) (un 1 un 2) + eEc


(12.68)

M2 u n = (un+1 un) (un un 1) + eEc


(12.68)
Cum intereseaz numai deplasarea relativ fa de poziia de echilibru a
ionilor pozitivi, respectiv negativi, relaiile de mai sus se pot scrie sub forma:
158

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

M1 u = (u v) + eEc
(12.69)

M2 v = 2(v u) eEc
(12.69)
unde u i v sunt deplasrile din poziia de echilibru ale ionilor pozitivi, respectiv
negativi, considerate identice la ioni de acelai semn apropiai.
Din relaiile de mai sus, se obine:
e
u v = 2 M 2 EC
(12.70)
0

M1 M 2
2
i 0 =
.
M1 M 2
M
Atunci, polarizarea este:
Ne 2
Ps = eN(u v) = 2 M 2 EC
(12.71)
0
unde N este numrul celulelor elementare din unitatea de volum (egal cu
concentraia ionilor pozitivi sau negativi).
Evident, deplasarea relativ a ionilor pozitivi i negativi este dependent de
temperatur, de unde rezult c i polarizarea spontan, dat de relaia (12.71) este
dependent de temperatur. Acesta este efectul piroelectric, care const n variaia
polarizrii spontane n funcie de temperatur. Pentru caracterizarea acestui efect,
se definete coeficientul piroelectric, dat de relaia:
dP
C= s
(12.72)
dT
Dac un cristal piroelectric este supus unei variaii de temperatur, ca
urmare a variaiei polarizrii spontane, apare un curent piroelectric, prin
msurarea cruia se pot obine informaii cu privire la proprietile dielectrice ale
cristalului.
Cele mai cunoscute substane piroelectrice sunt turmalina, cuaritul, sulfatul
de litiu.

unde M =

12.7.3.

Piezoelectricitatea

Dac asupra unui cristal dielectric acioneaz o for de deformare


(comprimare sau ntindere) mecanic, este posibil ca ntre feele perpendiculare pe
direcia deformrii s apar o diferen de potenial, cristalul fiind n acest caz un
cristal piezoelectric Sensul tensiunii electrice se schimb la schimbarea sensului
forei deformatoare. Fenomenul, cunoscut sub numele de efect piezoelectric, a fost
descoperit n 1880 de fraii Pierre i Jacques Curie. El poate fi descris de ecuaiile:
P = eE KF
(12.73)
1
x = KE F
(12.74)

159

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


unde P este polarizarea, E intensitatea cmpului electric aplicat, F fora aplicat,
constanta elastic (determinat n cmp electric constant), e susceptibilitatea
dielectric, x deformarea elastic i K coeficientul piezoelectric.
n cazul substanelor anizotrope, relaiile de mai sus se scriu tensorial. Se
constat c efectul este de ordinul I (E este proporional cu deformarea).
Relaiile (12.73) i (12.74) arat i posibilitatea producerii efectului
piezoelectric invers*, care const n apariia unei deformri mecanice la
introducerea cristalului ntr-un cmp electric exterior i care este folosit la
producerea ultrasunetelor. i efectul piezoelectric direct are aplicaii importante, n
construcia dozelor piezoelectrice, a microfoanelor i difuzoarelor piezoelectrice i
a cristalelor utilizate la obinerea unor oscilaii electromagnetice de frecven foarte
precis i stabil.
Toate substanele piroelectrice sunt piezoelectrice dar mai sunt i alte
substane care prezint acest efect. Cele mai cunoscute materiale care prezint
efectul piezoelectric sunt cuarul, fosfatul hidrogenat de potasiu (KH2PO4), titanatul
de bariu (BaTiO3), sarea Seignette (Rochelle) (NaKC4H4O64H2O), fosfatul de
potasiu i hidrogen (KH2PO4), colemanita (CaB3O4[OH]3H2O), sulfatul de amoniu
([NH4]2SO4), fluorberilitul de amoniu ([NH4]2BeF4), sulfatul de metilamoniu i
aluminiu (NH4Al[SO4]212H2O), -nitratul de potasiu, (KNO3), selenatul de
triglicin, fluoritul de triglicin, sulfatul de triglicin etc. Marea majoritate a
acestora au fost studiate i analizate abia ncepnd cu deceniul al aselea al
secolului al XX-lea, multe proprieti fiind nc n studiu.

12.7.4.

Feroelectricitatea

Exist o categorie de solide dielectrice a cror comportare n cmp electric


exterior este foarte asemntoare cu cea a feromagneticilor n cmp magnetic
exterior (a se vedea capitolul urmtor). Acesta a i fost motivul pentru care ele au
fost numite substane feroelectrice. Ele sunt substane care, sub o anumit
temperatur, numit temperatur Curie feroelectric, prezint o polarizare
spontan, care se distruge peste aceast temperatur. Aceste materiale respect
peste temperatura Curie o lege de tipul legii Curie-Weiss. Exist i substane care
prezint proprieti feroelectrice numai ntr-un domeniu de temperaturi, avnd
astfel dou temperaturi de tranziie (de exemplu, sarea Seignette, care este
feroelectric numai ntre 18C i + 23C).
De asemenea, materialele feromagnetice prezint i ele un fenomen de
histerezis, la introducerea ntr-un cmp electric exterior variabil, ciclul de histerezis
electric producndu-se la fel ca producerea ciclului de histerezis magnetic la
materiale feromagnetice. Explicaia poate fi dat tot pe baza existenei unei
*

Dei, n multe lucrri, efectul piezoelectric invers este numit i efect electrostrictiv, trebuie
subliniat c aceast denumire este greit, ea desemnnd un alt fenomen, mai general, prezent la
toate materialele i constnd n modificarea dimensiunilor la introducerea n cmp electric. Aceast
variaie a dimensiunilor este proporional cu ptratul intensitii cmpului electric (i nu cu puterea
I a cmpului electric, cum se ntmpl la efectul piezoelectric invers) i este foarte mic.

160

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


structuri de domenii; n fiecare domeniu, polarizarea are o direcie unic dar
aceast direcie difer de la un domeniu la altul, astfel nct, pe ansamblu,
materialul nu prezint o polarizare msurabil.
Cristalele feroelectrice sunt, toate, piezoelectrice, dar reciproca nu este
adevrat.
La unele cristale, a fost observat i o stare antiferoelectric, care const
n aranjarea antiparalel a dipolilor electrici i care poate fi detectat printr-o
variaie brusc a susceptibilitii dielectrice la temperatura de tranziie. Cele mai
cunoscute materiale de acest fel sunt WO3, NH4H2PO4, PbZrO3, NaNbO3 etc.

12.7.5.

Electrei

Electreii sunt substane avnd o polarizare spontan observabil la scar


macroscopic i care se menine un timp ndelungat, de ordinul anilor. Primul
electret a fost obinut n anul 1925 de ctre japonezul M. Eguchi (pe baza unei
previziuni a lui O. Heaviside, fcute nc din 1896, prin analogie cu existena
magneilor permaneni), dintr-un amestec de rin de palmier, colofoniu i cear
de albine.
n anul 1953 s-au obinut electrei din polimeri cum sunt metacrilatul de
polimetil (plexiglas), nailon etc., apoi s-au realizat electrei din naftalin, sulf,
ebonit i, n anul 1956 au fost obinui primii electrei din materiale ceramice
anorganice (TiO3, MgTiO3).
Pentru obinerea electreilor este necesar, n cele mai multe cazuri,
aciunea combinat a doi factori externi, dintre care unul este un cmp electric
intens, dar sub valoarea de strpungere a dielectricului.
Dac al doilea factor este temperatura ridicat, se obine un termoelectret,
a crui polarizare crete cu temperatura la care a fost nclzit materialul. Se
constat c se obine o saturaie la o temperatur TP, numit temperatur de
polarizare, i care este o constant caracteristic materialului, ntotdeauna mai
mic dect temperatura de topire a sa.
Dac intensitatea cmpului electric extern depete o anumit valoare (~
106 V/m), polarizarea electretului are loc n acelai sens cu sensul cmpului extern,
n caz contrar polarizarea fiind n sens invers.
Cele mai cunoscute substane care pot deveni termoelectrei sunt unele
materiale ceramice, rinile (inclusiv cele sintetice), unele materiale plastice
(plexiglas), titanaii (de bariu, de zinc, de magneziu) etc.
Dac al doilea factor este radiaia vizibil sau din alte domenii spectrale, se
obine un fotoelectret, substana cea mai cunoscut din aceast categorie fiind
sulful.
Unele substane pot deveni magnetoelectrei, sub aciunea combinat a
unui cmp magnetic i a unei temperaturi ridicate. Altele (feroelectrice) pot deveni
electroelectrei sub aciunea doar a unui cmp electric intens, iar altele pot deveni
triboelectrei, prin frecare (de exemplu, plexiglasul). Se pot obine electrei i sub
aciunea radiaiilor nucleare.

161

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


n prezent fenomenul este studiat intens, pe de o parte pentru c
mecanismele de polarizare nu sunt pe deplin elucidate i, pe de alt parte, pentru
aplicaiile electreilor. Astfel, acetia sunt utilizai la construirea unor instrumente
de msur, asemntoare celor magnetoelectrice (voltmetre, electrometre),
generatoare i motoare de curent continuu sau alternativ, traductoare (microfoane,
barometre, dozimetre etc.), filtre de purificare a unor gaze, lentile electrostatice,
relee de comutaie, memorii etc.

12.8. Proprieti electrice ale materialelor


12.8.1.

Proprieti electrice ale dielectricilor

Structura benzilor de energie a materialelor electroizolante, reprezentat n


fig.12.2, este caracterizat de o lrgime benzii interzise de valori mari, peste 3 eV.
Din aceast cauz, n condiii obinuite de temperatur i cmp electric, foarte
puini electroni pot efectua tranziia din banda de valen n banda de conducie i,
deci, curentul electric determinat de acetia este foarte slab.
Dac cristalul izolator conine impuriti ce formeaz niveluri discrete
(acceptoare, donoare) n banda interzis, se produce i o conducie prin electroni i
goluri ca la semiconductorii extrinseci. ntr-un dielectric bun, impuritile au ns o
concentraie extrem de mic i, deci, conducia electric corespunztoare este, de
asemenea, nesemnificativ.
n cmpurile electrice obinuite, conducia electric la izolatori se realizeaz
mai ales prin deplasarea ionilor proprii (pentru cristale ionice) sau de impuritate. Se
deosebesc deci, n materialele dielectrice, dou tipuri de conducie electric:
conducia prin ioni, sau ionic i conducia prin electroni, sau electronic. n
cmpurile electrice uzuale, cnd E < 105 106 V/m, conducia electronic este
foarte slab i predomin conducia prin ioni. Cristalele suficient de pure cu alt tip
de legtur dect cea ionic au conductivitatea electric extrem de mic n cmpuri
electrice obinuite, deoarece ea se realizeaz, practic, numai prin electroni. n acest
domeniu de valori ale intensitii cmpului electric, conductivitatea, ca i la
conductori, nu depinde practic de E (domeniul ohmic).
n cmpurile electrice intense, pentru care 105 106 V/m < E < 108 V/m,
conductivitatea electronic crete rapid cu E, tinznd ctre infinit n momentul
strpungerii materialului, la valori ale cmpului de ordinul 108 V/m. n acest
domeniu de valori ale intensitii cmpului electric, numit domeniu Pool,
conductivitatea electronic depinde sensibil de E.
Conductivitatea ionic nu depinde practic de intensitatea cmpului electric
n nici un domeniu.
Conducia electric n lichide este realizat prin convecia ionilor pozitivi
sau/i negativi care provin fie de la impuriti, ale cror molecule se disociaz la
ptrunderea n lichid, fie de la moleculele proprii, dac lichidul are molecule
polare. Impuritile pot fi solubile sau insolubile n materialul lichid; dac sunt
solubile, o parte din ele se disociaz i din acest proces rezult purttori de sarcin
electric mobili. Conductivitatea electric a unui lichid izolator are aceeai form
162

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


ca aceea a unui dielectric solid cristalin. Ea crete exponenial cu temperatura i
proporional cu concentraia ionilor proprii sau de impuritate. n lichidele nepolare
(cu molecule nepolare) conductivitatea corespunde numai curentului de drift al
ionilor de impuritate i are valori foarte mici, astfel c dielectricii lichizi nepolari
puri au bune caliti izolante. Uleiul de transformator, de exemplu, care este
nepolar, pur are o rezistivitate foarte mare, aa cum se poate vedea n tabelul 12.4.
Solidele amorfe au comportri asemntoare cu cele ale lichidelor, ele putnd fi
considerate ca lichide suprarcite.
Conducia electric a gazelor se datoreaz deplasrii purttorilor de sarcin
electric obinui ca urmare a ionizrii (prin ciocniri, iradiere cu radiaii ionizante
etc.) a moleculelor gazului, care, n mod obinuit sunt neutre. Purttorii de sarcin
pot fi i electronii emii de electrozi metalici. Electronii, la rndul lor, se pot asocia
cu moleculele, formnd ioni negativi moleculari. O parte dintre purttorii pozitivi
se recombin cu cei negativi. Acest proces, mpreun cu procesul de formare a
curentului de drift, conduce la scderea concentraiei purttorilor de sarcin. Cnd
se atinge echilibrul dinamic, n regim staionar, numrul purttorilor generai prin
ionizri ntr-o regiune din spaiu este egal cu al acelora care se recombin sau sunt
antrenai n curentul electric din acea regiune.
n cmpuri electrice slabe i la temperaturi nu prea mari, ciocnirile dintre
particule sunt rare, astfel nct cauza apariiei purttorilor de sarcin este, n
principal, existena unor ageni de ionizare externi; ncetarea aciunii acestora
conduce la recombinarea purttorilor de sarcin i, deci, la dispariia curentului
electric.
n cmpuri electrice intense, purttorii de sarcin sunt puternic antrenai n
curentul electric i recombinarea lor este neglijabil. Ca urmare, se atinge o valoare
de saturaie, practic independent de intensitatea cmpului electric, a densitii de
curent, cnd practic toi purttorii de sarcin electric liberi sunt antrenai n
curentul electric.
n cmpuri electrice foarte intense, purttorii de sarcin capt prin
accelerare energii suficient de mari pentru ca, prin ciocniri, s ionizeze moleculele
gazului i s determine formarea n avalan a unor noi purttori de sarcin
electric liberi, ceea ce duce la apariia unei descrcri electrice prin gaz. Procesul
de ionizare prin ciocniri este, n acest caz, mult mai important dect cel determinat
de agenii exteriori, care poate fi neglijat; descrcarea electric prin gaz este
autonom (nentreinut), deoarece se produce fr aport de energie din exterior.
Apariia descrcrii n avalan conduce la o cretere rapid a densitii de curent,
dependent de intensitatea cmpului electric.
In continuare sunt prezentate principalele proprieti i mrimi fizice
caracteristice materialelor electronice i electrotehnice.
conductivitatea electric, constituie factorul principal n caracterizarea
anumitor clase de materiale electronice i electrotehnice; ea este strns legat de
structura, puritatea i condiiile de utilizare a materialelor.
rezistivitatea electric, = 1/ este mrimea invers conductivitii i poate fi
utilizat n locul acesteia.
163

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


Rezistivitatea dielectricilor este o caracteristic important a acestora, care
este dependent de numeroi factori, dintre care cei mai importani sunt structura,
coninutul de impuriti, temperatura, umiditatea, cmpul electric aplicat din
exterior.
n dielectricii cu structur ionic, conducia se realizeaz prin deplasarea
ionilor care se separ n reea, datorit agitaiei termice; mobilitatea acestora
depinde de dimensiunea razelor ionice, de numrul vecinilor de ordinul I, de modul
de legare a ionilor n reea, de valena ionilor (conducia este mai intens n cazul
cristalelor cu ioni monovaleni) i de simetria cristalului (rezistivitatea
dielectricului poate prezenta o anizotropie). n dielectricii cu structur molecular
(polietilen, parafin etc.), rezistivitatea electric este foarte mare, ea fiind
determinat doar de coninutul de impuriti. i corpurile amorfe prezint o
rezistivitate electric foarte mare, determinat de compoziia chimic, coninutul de
impuriti, gradul de polimerizare, gradul de vulcanizare etc.
Impuritile determin conductivitatea dielectricului conform relaiei:
n
b
0i exp i
(12.75)
T
i 1
unde constantele 0i i bi sunt caracteristice diferitelor tipuri de purttori de sarcin.
La creterea temperaturii, se intensific micarea de agitaie termic a
ionilor din reeaua cristalin i un numr mai mare dintre ei au o energie suficient
pentru a deveni liberi, crescnd astfel concentraia purttorilor de sarcin electric,
ceea ce duce la scderea rezistivitii dielectricului.
Umiditatea determin apariia unor noi specii de purttori de sarcin (ioni
rezultai prin disocierea impuritilor coninute n ap sau a impuritilor solubile
coninute n materiale, ioni de hidrogen i oxigen rezultai din disocierea apei,
grupe de molecule de ap electrizate etc.), ceea ce duce la scderea rezistivitii de
volum a materialului (mai ales dac acesta are o structur poroas), chiar cu cteva
ordine de mrime.
Influena cmpului electric asupra rezistivitii are loc prin procesul de
formare de sarcini electrice spaiale n dielectrici, prin favorizarea proceselor de
emisie a electrozilor i de ptrundere a umiditii, prin reducerea barierei de
potenial corespunztor contactului metal-izolator etc. Aceste fenomene devin
foarte importante n cazul cmpurilor electrice intense (E > 105 108 V/m), cnd
devine preponderent conducia electronic.
rezistivitatea superficial, s se definete convenional, pentru materialele
solide, ca fiind numeric egal cu rezistena, msurat n curent continuu, a unui
dreptunghi delimitat la suprafaa materialului prin doi electrozi paraleli, n
form de cuit; dac reprezint lungimea electrozilor i d distana ntre ei,
rezistena peliculei de pe suprafaa materialului prin care trece curentul I este:
d
Rs = s , din care, pentru d = , se obine s = Rs; valoarea rezistivitii
superficiale depinde de compoziia chimic i structura materialului, de
coninutul de impuriti solubile din material, de starea de prelucrare a
164

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


suprafeei, de temperatur, de puritatea, umiditatea i presiunea mediului
ambiant etc.
permitivitatea electric relativ, r caracterizeaz starea de polarizare
electric a corpurilor i se determin valoric cu relaia r = Cd/C0, unde Cd
reprezint capacitatea condensatorului (de obicei plan) care are ca dielectric
materialul studiat, iar C0 capacitatea aceluiai condensator avnd ca dielectric
aerul; are valori cuprinse ntre 1 (pentru gaze) i 103 (pentru materiale
feroelectrice).
Permitivitatea electric depinde de parametrii tensiunii aplicate, de
solicitrile mecanice ale corpului, de starea de umiditate, de temperatur, de
presiune, de umiditate etc.
rigiditatea dielectric, Estr reprezint valoarea minim a intensitii cmpului
electric pentru care materialul se strpunge; se calculeaz ca raport dintre
tensiunea Ustr, la care are loc strpungerea corpului (n cmp uniform) i
distana d dintre electrozii ntre care se afl corpul: Estr = Ustr/d.
Strpungerea unui dielectric este n general un fenomen nedorit, care face
materialul inapt pentru o folosire ulterioar. Rigiditatea dielectric determinat
experimental se numete rigiditate dielectric practic i depinde de
caracteristicile experimentale.
Tabel 12.4 Proprieti electrice ale unor materiale
Material
Estr (MV/m)
(m) (Ur = 0%) r
14
Parafin tehnic
10
1,9 2,2
15
16
Polietilen, polistiren,
10 10
2,5 2,8 90 120
Plexiglas
1013
3,4
90 120
14
15
Hrtie
10 10
7
Mic
1014 1015
7,5
100
10
13
Sticl
10 10
4 14
100 300
16
Ulei de transformator
10
2,2
20 30
Ulei siliconic
1012
5
15 20
5
Ap
10
81
Aer
1016
1
3,2
8
Cupru electrolitic
17210
Nichelin
36108
Constantan
50108
Aluminiu
2,75108
Fier
107
Platin
107
Wolfram
5,5108
Cmpul de strpungere depinde de starea de agregare a materialului
dielectric, temperatur, grosimea probei, gradul de puritate i omogenitate, forma
electrozilor, natura i caracteristicile mediului nconjurtor etc. Restabilirea
165

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


proprietilor materialului dup strpungeri accidentale poate fi parial, n cazul
lichidelor, sau total, n cazul gazelor. n cazul solidelor, de obicei se creeaz
canale de strpungere n material care nu mai permit restabilirea proprietilor
dielectrice.
Strpungerea gazelor are loc prin generarea n avalan a unor purttori de
sarcin (electroni, ioni), care se deplaseaz de la un electrod spre cellalt. Iniierea
avalanei este determinat de un numr redus de electroni, existeni n gaze, sau
emii de catod care, accelerai n cmpul electric exterior, acumuleaz o energie
suficient de mare pentru a ioniza o molecul a gazului i a genera nc un electron.
Cei doi electroni vor ioniza n continuare alte dou molecule (dup acumularea
energiei necesare) i aa mai departe. Rigiditatea dielectric a gazelor crete cu
creterea distanei dintre electrozi, cu creterea presiunii i cu scderea
temperaturii.
Tensiunea de strpungere a aerului este dat de relaia:
pU 0
U str 2,89 103
(12.76)
T
unde p i T reprezint presiunea (N/m2), respectiv temperatura aerului (K), iar U0
tensiunea de strpungere (V), determinat n condiii normale (p0 = 105 N/m2, T0 =
293 K).
n cazul aplicrii unor impulsuri de tensiune, strpungerea se produce la
tensiuni mult mai ridicate dect n cazul aplicrii unei tensiunii continue.
n stare foarte pur, dielectricii lichizi au rigiditate dielectric considerabil,
putnd atinge 100 MV/m. Mecanismul ionizrii prin ciocnire se produce i n acest
caz, dar drumul liber mediu este mult mai mic. Dielectricii lichizi de puritate
tehnologic (coninnd diverse particule mecanice, ap, bule de gaze etc.) au o
rigiditate mai mic, de regul nedepind 20 25 MV/m.
Rigiditatea dielectric a dielectricilor lichizi este influenat de impuriti,
temperatur, presiune (crete cu creterea presiunii), natura electrozilor, starea de
prelucrare i puritatea suprafeelor acestora, distana dintre electrozi, frecvena i
forma de variaie a tensiunii de strpungere.
Exist un mare numr de mecanisme de strpungere a dielectricilor solizi.
n cazul dielectricilor neomogeni din punct de vedere macroscopic, strpungerile
prin ionizare n incluziunile gazoase constituie mecanismul dominant. Strpungerea
n incluziunile gazoase favorizeaz strpungerea dielectricului solid n continuare,
dar mecanismul poate fi diferit de la un material la altul. n cazul dielectricilor
solizi anorganici strpungerea n incluziunile gazoase conduce la creteri locale de
temperatur care faciliteaz strpungerea termic sau fisurarea materialului.
Strpungerile din incluziunile gazoase n dielectricii solizi organici favorizeaz n
general strpungerea ulterioar a solidului prin urmtoarele mecanisme:
bombardament cu electroni i ioni rezultai din ionizarea gazului, temperaturi
ridicate local, aciunea chimic mai ndelungat a unor produse ca oxizii de azot,
ozonul, care produc oxidri.
Strpungerea termic are loc astfel: curentul de conducie (datorat unor
sarcini electrice libere), ca i fenomenele de relaxare n dielectrici (n curent
166

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


alternativ) nclzesc materialul, cldura generat local fiind mai mare dect cea
disipat prin conducie termic; prin creterea temperaturii dielectricului, are loc o
cretere a ratei de generare termic a sarcinilor libere; se produce astfel o topire
parial, local a dielectricului, nsoit i de o descompunere chimic parial. De
regul apar crpturi neregulate largi, spre deosebire de strpungerea intrinsec i
n avalan ce provoac apariia de canale fine (de ordinul a 10 ). Strpungerea
termic are o durat de declanare de ordinul secundelor, minutelor, mergnd pn
la cteva ore.
Strpungerea electrochimic este legat de existena unui curent ionic n
dielectricul supus un timp ndelungat unui cmp electric continuu. Procesul este de
lung durat, de sute i mii de ore, fiind favorizat de temperaturile ridicate, care
mresc conducia i accelereaz reaciile chimice distructive.
Strpungerea intrinsec are loc n intervale de timp foarte scurte, de ordinul
zecilor de nanosecunde i este legat de existena electronilor liberi provenii de pe
nivelurile donoare ale impuritilor, polarizarea interfacial n materialele
policristaline, dislocaii, tunelarea band-band etc. Acest fenomen este
caracteristic unor sticle, polimeri solizi, mic electrotehnic etc. i are loc de regul
sub temperatura camerei, mergnd n unele cazuri pn la 100 - 150C. Acest tip de
strpungere nu depinde de forma sau durata pulsului electric, ci numai de
intensitatea lui. De asemenea, nu depinde de natura i geometria electrozilor sau de
forma i dimensiunea probelor. Toate aceste caracteristici ale strpungerii susin
natura electronic a fenomenului, motiv pentru care fenomenul este denumit uneori
i strpungere electronic.
Rigiditatea dielectricilor solizi depinde de:
structura fizic i compoziia chimic a dielectricului; astfel, corpurile cu
structur compact (mica, sticla) au rigiditatea dielectric mult mai mare
dect cele cu structur poroas (hrtie, azbest), la care strpungerea are loc
att n materialul propriu-zis ct i n aerul coninut n porii materialului.
geometria i natura electrozilor; dac electrozii au muchii ascuite, n aceste
zone cmpul electric este foarte intens i favorizeaz apariia i dezvoltarea
procesului de strpungere la o valoare mai mic a tensiunii aplicate;
creterea ariei suprafeelor electrozilor determin o reducere a rigiditii
dielectrice, ntruct crete numrul de defecte din materialul de ncercat i
deci i probabilitatea de iniiere a unui proces de strpungere a materialului;
de asemenea, rigiditatea dielectric depinde i de natura electrozilor,
deoarece valorile lucrului mecanic de extracie a electronilor difer de la un
metal la altul.
geometria dielectricului; tensiunea de strpungere depinde direct
proporional de grosimea materialului dielectric
mediul ambiant
temperatur
forma i durata de aplicare a tensiunii de strpungere i frecvena acesteia
factorul de pierderi, tg caracterizeaz pierderile totale de energie n
dielectrici, datorit polarizrii, conduciei i descrcrilor electrice; unghiul de
167

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


pierderi dielectrice, reprezint complementul unghiului de defazare dintre
tensiunea u aplicat i curentul total, i care strbate dielectricul aflat ntre
armturile unui condensator.
Factorul de pierderi depinde de frecvena tensiunii, de temperatur i de
umiditate.
Sub aciunea prelungit a influenelor exteriore de diferite naturi (mecanice,
electrice, termice, radiaii etc.), n materialele dielectrice au loc procese fizicochimice ireversibile, care duc la o degradare continu a proprietilor lor, astfel
nct, dup un anumit timp, ele nu mai ndeplinesc condiiile pentru care au fost
alese.
Procesele care intervin n degradarea dielectricilor sunt variate i
numeroase. Astfel, toate materialele izolante sufer un proces lent de oxidare, n
urma cruia apare un efect de reticulare, ceea ce duce la scderea elasticitii i
plasticitii lor. Au loc, de asemenea, reacii de depolimerizare care contribuie la
scderea rezistenei mecanice a materialelor, la apariia unor caviti n care se
dezvolt descrcri electrice etc. La degradarea dielectricilor mai contribuie i
procesele de hidroliz, incompatibilitatea chimic ntre constitueni, prezena
solvenilor (incomplet evacuai) etc.
mbtrnirea materialelor izolante, adic nrutirea proprietilor fizicochimice este direct legat de viteza de desfurare a acestor reacii chimice. Se
poate defini o durat de via D a dielectricului (referitoare la o anumit
proprietate) ca fiind intervalul de timp de la nceperea procesului de degradare
pn cnd acesta a ajuns la stadiul considerat.

12.8.2.

Tipuri de materiale dielectrice; aplicaii

Materialele electroizolante sunt n numr foarte mare i, ca urmare a


dezvoltrii rapide a produciei unor materiale cu proprieti i utilizri tot mai
diverse, o clasificare exhaustiv este extrem de dificil. Se pot face diferite
clasificri, utiliznd diferite criterii.
O prim clasificare este cea n funcie de starea de agregare, aa cum se
poate vedea n continuarea acestui paragraf. O alt clasificare se poate face n
funcie de stabilitatea termic, n apte clase de izolaie. Ea ine seama doar de
comportarea materialelor la aciunea temperaturii:
Clasa de izolaie Y 90C
Cuprinde materiale textile (bumbac, mtase natural, fibre de celuloz, acetat de
celuloz i poliamidice), hrtii i cartoane electroizolante, lemn, polietilen,
polistiren, poliacrilai, policlorur de vinil, cauciuc natural vulcanizat etc.
Clasa de izolaie A 105C
Cuprinde materiale textile, esturi i tuburi (bumbac, mtase natural, celuloz,
poliamide) lemn, hrtii, cartoane, emailuri i rini poliamidice, folii de triacetat de
celuloz, poliamidice i materiale combinate de tipul carton-folie, cauciucuri pe
baz de butadien cu acrilnitruri i pe baz de clorbutadien, azbociment impregnat
cu substane organice.
Clasa de izolaie E 120C
168

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

Cuprinde pelicule de email sau lacuri polivinil acetalice, poliuretanice sau


epoxidice, rini epoxidice, poliesterice i poliuretanice, folii i fibre de tereftalat
de polietilen, compounduri termorigide pe baz de esteri acrilici cu umplutur
anorganic, esturi din tereftalat de polietilen.
Clasa de izolaie B 130C
Cuprinde materiale pe baz de mic sau hrtie sau esturi organice, fibre i esturi
de sticl i azbest impregnate, mase plastice de formare cu umplutur anorganic i
materiale stratificate pe baz de sticl i azbest, pelicule izolante de email sau lacuri
tereftalice, compounduri pe baz de rini sintetice termoreactive.
Clasa de izolaie F 155C
Cuprinde materiale pe baz de mic sau hrtie, fibre de sticl sau azbest, esturi i
tuburi flexibile din sticl impregnat, rini alchidice, epoxidice, poliesterice, rini
siliconice modificate.
Clasa de izolaie H 180C
Cuprinde materiale pe baz de mic, fire i esturi de azbest i sticl impregnate,
mase plastice de formare cu umplutur anorganic, elastomeri siliconici, rini i
lacuri siliconice
Clasa de izolaie C > 180C
Mic, sticl, produse din fibre de sticl, ceramici, cuar, ardezie, micalex,
politetrafluoretilen, compui anorganici i rini siliconice cu stabilitate termic
peste 225C.
O alt clasificare se poate face dup compoziia chimic, n materiale
organice, intermediare (cu proprieti ntre cele ale materialelor organice i cele
anorganice) i anorganice.
Materialele electroizolante se mai pot clasifica n funcie de componenta
principal a materialului finit (mic, rini sintetice, lac etc.), de domeniul de
utilizare (izolaie de cresttur, ntre straturi, materiale de impregnare, de acoperire
etc.), dup comportarea la solicitri termice (termoplastice i termorigide) etc.
1.
Materiale dielectrice gazoase
n general, gazele sunt materiale izolatoare. Tabelul 12.5 prezint
permitivitatea electric relativ a unor gaze.
Tabel 12.5 Permitivitatea electric relativ a unor gaze
Gaz
Permitivitate relativ r la 293 K i 1 atm
Heliu
1,000072
Hidrogen
1,00027
Oxigen
1,00055
Argon
1,00056
Azot
1,00060
Dioxid de carbon
1,00098
Etilen
1,00138

169

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


Ca izolant. sau impuritate, aerul se afl n toate schemele de izolaie ale
instalaiilor electrice. Proprietile sale dielectrice sunt satisfctoare pentru
cmpuri electrice mai puin intense. Rigiditatea dielectric a aerului e depinde de
umiditate, temperatur i presiunea la care se afl i ia valori foarte mari n cazul
presiunilor nalte sau foarte reduse. Aceast caracteristic determin utilizarea
aerului n construcia condensatoarelor, a ntreruptoarelor de nalt tensiune (cu
vid sau cu aer comprimat) etc.
2.
Materiale dielectrice lichide
Materialele dielectrice lichide se mpart n dou categorii: lichide
electroizolante naturale (uleiul mineral, uleiul de ricin etc.) i lichide
electroizolante sintetice (clorurate, fluorurate, sau siliconice).
Uleiul mineral este un amestec de hidrocarburi naftenice (> 60%, foarte
stabile i cu un punct de congelare sczut), aromatice (<30%, care conin un numr
mare de atomi de carbon ce se elibereaz sub aciunea arcului electric, reducnd
proprietile uleiului) i parafinice (<30%, cu punct de congelare ridicat,
determinnd o cretere a viscozitii), proprietile sale depinznd de compoziia
chimic, ct i de condiiile de exploatare.
Dup distilarea fraciunilor mai uoare (benzine, petrol) din reziduurile
rmase (pcura) se separ fraciuni uleioase, urmnd o rafinare prin tratare cu acid
sulfuric. Din primele astfel de fraciuni se obine uleiul de condensator cu
viscozitate mic, pierderi mici (tg ~ 104 103) i rezistivitate ridicat (~ 1011
m). Acest ulei este folosit n construcia condensatoarelor de capaciti mari, la
impregnarea hrtiei, n amestec cu 10% colofoniu.
Prin distilarea n continuare a reziduurilor se obine uleiul de transformator
cu un coninut mai mare de impuriti i ap, pierderi mai mari, rigiditate
dielectric mai sczut. Fiind nepolar, are permitivitatea relativ redus (2,1 2,4)
i slab variabil cu temperatura i frecvena (este practic independent de frecven
la valorile uzuale n electrotehnic). Acest ulei este utilizat ca lichid electroizolant
i mediu de rcire n transformatoarele de mare putere i mediu de stingere a
arcului electric la ntreruptoarele de nalt tensiune. Utilizarea lui este limitat la
temperaturi ridicate de temperatura de aprindere de aproximativ 133C, iar la
temperaturi sczute de creterea viscozitii.
Uleiurile sintetice tind s nlocuiasc uleiurile minerale care, dei au
proprieti dielectrice foarte bune, prezint deficiene importante n exploatare:
inflamabilitate i pericol de explozie, tendin de oxidare, mbtrnire rapid etc.
Dup natura chimic, uleiurile sintetice se grupeaz n uleiuri clorurate, fluorurate
i siliconice.
Dielectricii lichizi sintetici confer deplin securitate mpotriva incendiilor i
permit funcionarea dispozitivelor n limite largi de temperatur. Sunt n schimb
mai costisitoare dect uleiurile minerale. Hidrocarburile aromatice clorurate sunt
cele mai utilizate, fiind neinflamabile i avnd o mare stabilitate chimic.
Hidrocarburile fluorurate (esteri sau derivai vinilici fluorurai) au proprieti
dielectrice mai bune, nu ard i nu prezint pericol de explozie, nu produc gaze
toxice i nu atac izolaiile cu care vin n contact, dar sunt mai costisitoare.
170

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

Uleiurile siliconice sunt materiale nepolare (dimetilxiloxani) cu temperaturi


de aprindere ridicate (400C), permitivitatea 2,5 3 i factorul de pierderi sub 103.
Se utilizeaz n construcia unor transformatoare speciale i la ungerea matrielor
pentru turnarea rinilor sintetice sau a mecanismelor confecionate din mase
plastice.
3.
Materiale dielectrice solide organice
Printre primele materiale solide organice utilizate ca izolatori electrici, au
fost materialele din categoria substanelor ceroase i cea a bitumurilor i
asfalturilor.
Cerurile sunt materiale amorfe cu proprieti dielectrice bune,
higroscopicitate mic, dar cu rezistent mecanic, temperatur de topire i
conductivitate termic reduse (tabelul 9.19). Au contracie la rcire mare i sunt
solubile n uleiuri minerale i clorurate. Cerurile naturale sunt puin folosite
n prezent, datorit proprietilor lor mecanice i termice slabe, mai des utilizate
fiind substanele ceroase, att cele nepolare (parafina, cerezina), cu proprieti
dielectrice foarte bune, ct i cele polare (uleiul de ricin hidrogenat, naftalina
clorurat), cu caracteristici dielectrice mai slabe i dependente de temperatur.
Se utilizeaz la fabricarea maselor de impregnare pentru conductoare i
condensatoare, a maselor de umplere a manoanelor cablurilor i cutiilor
terminale etc.
Bitumurile sunt amestecuri amorfe de hidrocarburi, care conin n cantiti
reduse oxigen i sulf. Cele sintetice se obin prin distilarea produselor
petroliere, iar cele naturale, asfalturile, nsoesc zcmintele de petrol.
Bitumurile au contracie mare la rcire, sunt fragile la temperatura camerei,
insolubile n ap i alcooli i solubile n hidrocarburi aromatice, uleiuri i
benzin. Temperatura de nmuiere variaz ntre 50 i 150C i crete cu coninutul
de sulf. Se utilizeaz la fabricarea lacurilor de impregnare, a compoundurilor, ca
mase de umplere etc.
Tabel 12.6 Proprieti ale unor materiale dielectrice ceroase i bituminoase
Material

Densitate
(kg/m3)

Temperatur
de topire
(C)

Rezistivitate
de volum
(m)

Permitivitate
relativ, r

Parafin

890 920

55

1012 1015

2,3

Cerezin
Ulei
de
ricin
hidrogenat
Bitum

900 950
980

50 60
80 90

1011
1011 1013

2,2
10 30

1000
1100

170 200

1012

2,4 3,3

Factor
de
pierderi
tg
104
103
103
0,1

Rigiditate
dielectric
Estr
[MV/m]
10 25

nepolar

10 15
25 40

nepolar
polar

103
102

10 40

polar

Natura
moleculei

Cele mai importante materiale dielectrice solide organice sunt ns solidele


macromoleculare (polimeri liniari cu monomer cu dou legturi de valen, sau
spaiali cu monomer cu mai mult de dou legturi de valen). Pot fi naturali

171

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


(celuloz, cauciuc, colofoniu, rini fosile), obinui prin prelucrarea industrial a
unora naturali (esteri ai celulozei), sau sintetici.
Polimerii liniari sunt materiale termoplastice cu lanuri foarte lungi, un grup
reprezentativ al acestora, foarte utilizai n electrotehnic si electronic, fiind
compuii vinilici. Ei sunt polimeri formai din compui asemntori etilenei
(C2H4), cu formula generic C2H3R, unde radicalul R poate fi clorul, rezultnd
policlorura de vinil, gruparea CH3, rezultnd propilena, gruparea acetat
CH3COO, rezultnd poliacetatul de vinil, gruparea benzen C6H5, rezultnd
polivinilbenzenul (polistirenul), gruparea CN, rezultnd poliacrilonitrilul etc.
Polimerii spaiali sunt materiale sintetice termorigide, cu structur spaial
distribuit n toate direciile.
Polietilena (PE) este obinut prin polimerizarea etilenei din stare gazoas la
presiuni ridicate (1000 2000 atm) i temperaturi de aproximativ 200C, rezultnd
polietilen de mic densitate - LDPE, instabil n timp, uor oxidabil, care se
ntrete i devine casant, sau la temperatur i presiune mult mai sczute (~ 1
atm), dar n prezena unui catalizator, rezultnd polietilen de densitate ridicat HDPE, cu proprieti mecanice mai bune i temperatura de nmuiere mai ridicat.
Gradul de cristalinitate este de aproximativ 60% pentru LDPE, ajungnd pn la
90%, pentru HDPE.
Polietilena este inert chimic, avnd o bun stabilitate la acizi i baze, dar
este atacat de solveni organici. Este practic nehigroscopic i are proprieti
dielectrice foarte bune, practic independente de frecven. Se poate trage n folii de
25 30 m grosime. Se utilizeaz la izolarea cablurilor de telecomunicaii n
mediu acvatic i a conductorilor obinuii, sau pentru izolaii de nalt frecven
(radiolocaie, televiziune); foliile de polietilen se folosesc la fabricarea
condensatoarelor.
Polipropilena (PP) este un termoplastic neutru, obinut prin polimerizarea
propilenei n prezena unui catalizator, avnd un grad ridicat de cristalinitate,
proprieti mecanice bune i temperatur de utilizare mai ridicat ca a polietilenei,
de pn la 160C. Devine casant la 10C. Este utilizat ca material electroizolant
pe un domeniu larg de frecvene (cabluri de radiofrecven)
Polistirenul (PS), cunoscut i sub numele de stiroflex, este un termoplastic
nepolar, cu proprieti dielectrice foarte bune (v > 1016 m) i independente de
frecven. Se utilizeaz sub form de benzi, tuburi, fire, lacuri etc., ndeosebi n
nalt frecven, la fabricarea unor piese electronice (socluri, carcase de bobine
etc.) prin turnare sub presiune, extrudare sau prelucrare mecanic. Sub form de
pelicule cu grosimea de 10 20 m este utilizat ca dielectric pentru condensatoare
peliculare i la izolaia cablurilor de nalt frecven. Domeniul temperaturilor de
utilizare este ntre 50C i + 80C. Piesele confecionate din polistiren se pot lipi
uor, materialul fiind solubil n benzen.
Politetrafluoretilena (PTFE), cunoscut i sub numele de teflon, se obine
prin polimerizarea tetrafluoretilenei ( CF2 CF2 )n n emulsie n ap i are o
structur asemntoare cu cea a polietilenei. Energia de formare a legturii CF este
mult mai mare dect a legturii CH i confer polimerului o stabilitate foarte
172

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


ridicat. Este nepolar, are bune proprieti dielectrice i nu arde. Faza cristalin, de
80 90%, confer proprieti mecanice bune pn la +250C. La 327C trece n
faz amorf, devenind elastic pn la + 415C, cnd se descompune punnd n
libertate fluorul, gaz toxic i foarte activ chimic. La temperaturi joase este
utilizabil pn la 90C unde i pierde elasticitatea datorit prezenei fazei
amorfe. Teflonul are stabilitate chimic excepional, ce depete pe cea a aurului
i platinei. Este nehigroscopic i nu este atacat de baze sau acizi.
Se utilizeaz la fabricarea condensatoarelor peliculare i izolarea firelor n
cabluri, pentru realizarea unor izolaii n medii umede sau n atmosfere puternic
corozive, a carcaselor pentru acumulatoare, pentru bobine etc. Este unul dintre
cei mai buni dielectrici la frecvene nalte i ultranalte. Din PTFE se pot sinteriza
piese n cele mai diverse forme din pulberi presate la temperaturi de 360 380C.
Policlorura de vinil (PVC) este obinut prin polimerizarea clorurii de vinil
din faza gazoas, sub forma de PVC tare, fr plastifiani, sau PVC moale, cu
plastifiani (esteri ai acidului ftalic, fosforic, citric etc.) fiind un material stabil la
aciunea acizilor i bazelor diluate, a benzinei i alcoolului, dar cu stabilitate
termic redus. Fiind un material polar, are caracteristici dielectrice mai slabe
dect polietilena sau polistirenul, ele variind foarte mult cu frecvena i
temperatura. La peste 80C proprietile mecanice scad, iar sub 5C PVC-ul
devine fragil. Se utilizeaz de regul la frecvene joase, industriale. n curent
continuu mbtrnete foarte repede, datorit electrolizei srurilor din materialele de
adaos, iar la frecvene nalte prezint pierderi dielectrice mari (tg = 0,015 0,3),
acestea crescnd rapid cu frecvena. Se folosete pentru izolarea conductorilor de
conexiune, sau a celor din cablurile de nalt tensiune (l 20 kV), ca izolaie n
manta pentru cablurile ce nu sunt supuse la eforturi mecanice, la confecionarea
unor piese izolatoare, tuburi de protecie pentru instalaiile electrice, pentru
acoperirea unor piese etc.
Polietilentereftalatul, cunoscut i sub numele de milar, se obine prin
policondensarea etilenglicolului cu acidul tereftalic (poliester). Are un grad de
cristalinitate de aproximativ 75%, ceea ce i confer rezisten mecanic i
temperatur de topire ridicate (260C). Are permitivitatea i tangenta unghiului de
pierderi mari. Domeniul de temperaturi de utilizare este ntre 60C i + 125C.
Se utilizeaz sub form de pelicule pentru condensatoare miniatur (peliculele sunt
foarte subiri), destinate a lucra condiii deosebite de umiditate i temperatur
ridicate.
Polimetacrilatul de metil (polimetilmetacrilat - PMMA), cunoscut i sub
numele de plexiglas, sau sticl organic, este cel mai important membru al familiei
poliesterilor acrilici, avnd bune proprieti mecanice i fiind transparent n
domeniul vizibil.
Fenoplastele, descoperite n 1907 de ctre Bakeland sunt cunoscute i sub
numele de bachelite. Se obin prin policondensarea unui mol de fenol C6H5OH cu
un mol de formaldehid CH2O, n ap la temperatur ridicat i n prezena unui
catalizator bazic (amoniac, hidroxid de sodiu etc.), sau acid (clorhidric, fosforic
etc.). Reacia decurge n trei etape, importante din punct de vedere al aplicaiilor
173

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


practice. Bachelita A, sau rezolul, care apare n primul stadiu al reaciei (cu
eliminare de ap), se nmoaie la 60-80C, este solubil n aceton i alcooli i se
utilizeaz ca lac de impregnare. Prin nclzire suplimentar, se obine bachelita B,
sau rezitolul (cu eliminare de ap i polimerizare), material termoplastic, mai puin
solubil, utilizat ca mas de formare. n stadiul final, bachelita C, sau rezitul are
structur tipic termorigid, n care moleculele formeaz o reea spaial de
legturi. Bachelita C are rezisten mecanic i nu este solubil n solveni sau
acizi.
Bachelitele sunt rini polare, higroscopice, cu caracteristici dielectrice
reduse. Nu sunt stabile la descrcri electrice superficiale, formnd trasee (canale)
conductoare i producnd gaze inflamabile i ap. Nu ntrein arderea i pot fi
utilizate la temperaturi ridicate, pn la 150 200C. n industria electrotehnic se
utilizeaz la temperaturi i frecvene industriale, sub form de lacuri bachelitice i
oleobachelitice pentru impregnarea nfurrilor sau stratificatelor i pentru
fabricarea unor piese electroizolante: fie, prize, carcase pentru diverse aparate.
Tehnologia de fabricare a pieselor este prin presarea pulberii de bachelit n stadiul
A la temperaturi de 110 140C, cu polimerizare la stadiul C n timpul procesului
tehnologic.
Rinile epoxidice sunt polimeri termorigizi, care au n principiu o structur
liniar, cu o grupare epoxi la fiecare capt al moleculei. Au un aspect de lichid
viscos, care se solidific uor sub aciunea unor solidificatori, fr eliberarea unor
produse suplimentare. Alegerea solidificatorului influeneaz proprietile
mecanice i electrice. Sunt materiale dielectrice polare, cu bune proprieti electrice
i tehnologice. Datorit formrii radicalilor OH n timpul polimerizrii rinile
epoxidice au o bun aderen pe corpurile metalice i nemetalice: sticl, porelan
etc. Se utilizeaz n special ca rini de turnare, de impregnare, de lipire, sau
emailare, sub form de compounduri pentru impregnarea i umplerea diverselor
piese si componente electronice i electrotehnice: condensatoare, transformatoare,
mufe pentru cabluri, dispozitive semiconductoare. Sunt neinflamabile, stabile
termic i chimic.
Celuloza este un polimer natural cu n = 1000 3500, la care moleculele
liniare formeaz micele (mnunchiuri) cu grosimi de ordinul 20 60 , care, la
rndul lor, formeaz tuburi subiri (fibrili) cu diametrul de pn la 0,5 m, care se
unesc, formnd fibre cu diametre de ~ 50 m i lungimi de 103 102 m. ntre
fibrili i, mai ales ntre fibre, exist pori care reprezint aproximativ 50% din
volumul substanei. innd cont i de prezena gruprilor hidroxil n molecul, aa
se explic higroscopicitatea mare a materialelor celulozice, care nrutete
proprietile dielectrice ale lor (reduce i rigiditatea dielectric).
Se degradeaz termic la circa 250C prin ruperea lanurilor moleculare
(micorarea gradului de polimerizare). n prezena umiditii, la aproximativ 150C
se produce hidroliza i ruperea lanurilor moleculare. Oxigenul din aer la 60-70C
oxideaz celuloza formnd radicali aldehidici sau carboxilici, iar la temperaturi mai
ridicate produce distrugerea complet, cu formarea de CO2 sau CO.

174

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


Materiale electrotehnice pe baz de celuloz sunt hrtia, cartonul (prepanul),
firele sau esturile, care sunt materiale relativ ieftine i uor prelucrabile, dar cu
proprieti variabile n timp i higroscopice. Hrtia de cablu are densitate mic
(putnd fi impregnat), rezisten la traciune i sfiere mare, factor de pierderi
redus i rigiditate dielectric mare. Se utilizeaz la izolarea cablurilor de transport
electric, a straturilor de conductoare de bobinaj etc. Hrtia de condensator,
impregnat este omogen, dens, subire, cu bune proprieti dielectrice, fiind
utilizat la fabricarea condensatoarelor. Cartonul electrotehnic, sau prepanul este
obinut prin presarea n stare umed a straturilor de hrtie foarte fin. Este rezistent
la aciunea uleiului, cu bun rezisten mecanic, fiind utilizat la izolarea straturilor
de bobinaj la transformatoare, sau ca izolaie de cresttur n construcia motoarelor
electrice. Firele i esturile din bumbac sau mtase (natural sau artificial) se
folosesc pentru izolarea conductoarelor, a bobinelor pentru maini, a aparatelor
electrice etc.
Cauciucurile sunt materiale cu elasticitate mare care, sub aciunea unor fore
mecanice exterioare se deformeaz, dar i recapt dimensiunile iniiale odat cu
anularea acestor solicitri. In stare tensionat ele prezint tendin de cristalizare.
Cauciucul natural (produs de arborele de cauciuc), polimer natural al
izoprenului, cu grad de polimerizare cuprins ntre 2000 i 4000, este un lichid
viscos n stare natural, care, vulcanizat cu sulf la numai cteva procente (4% n
greutate), formeaz cauciucul elastic, prin stabilirea unor puni care leag lanurile
de polimeri, permindu-le ns s-i schimbe configuraiile ntmpltoare (s se
ntind). Creterea procentului de sulf (la 45%) conduce la formarea unei reele
spaiale rigide, ebonita. Materialul este atacat de oxigen i ozon. Are proprieti
dielectrice foarte bune, dar caracteristici termice i mecanice reduse. Introducerea
sulfului, a negrului de fum i a antioxidanilor (fenoli, amine, fosfai aromatici etc.)
mbuntete proprietile mecanice i termice (devine elastic i scade tendina de
cristalizare), dar, n acelai timp, scade proprietile dielectrice (scade , crete tg ,
scad rigiditatea i rezistivitatea volumic). Cauciucul se utilizeaz la izolarea
conductorilor electrici flexibili i a cablurilor pentru instalaii interioare, la tensiuni
mici i n medii care nu conin ulei mineral sau solveni halogenai.
Cauciucurile sintetice au n general proprieti dielectrice mai slabe dar
proprieti mecanice i termice superioare i, n plus, sunt rezistente la solveni,
uleiuri etc.
4.
Materiale dielectrice solide anorganice
Mica este un produs natural cu structur cristalin, pe baz de Al2O3 i SiO2,
care mai conine ca impuriti grupri hidroxil, compui ai Fe, Ca, Gr, Ti.
Se utilizeaz sub form de plci despicate manual (din minereul purificat), cu
grosimi pn la 5 m, tanate la forma i dimensiunile cerute, n condensatoare sau
ca izolant n montaje electronice, aparate de msur etc.
Produsele pe baz de mic se utilizeaz n sistemul de izolaii al aparatelor i
mainilor electrice cu regimuri dure de exploatare (puteri mari i tensiuni ridicate),
deoarece au durat de via mare i sunt rezistente la aciunea descrcrilor pariale,
la izolarea lamelelor de colector i a bobinelor electromagneilor.
175

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


Ca o concluzie a celor discutate, iat n continuare o enumerare a principalelor
utilizri n electrotehnic i electronic a materialelor dielectrice, cu precizarea
mrimilor fizice importante pentru aplicaiile respective:
dielectrici pentru condensatoare; mrimile fizice importante sunt permitivitatea
electric, dependena ei de temperatur i frecven, precum rigiditatea
dielectric i, n anumite cazuri, rezistena mecanic, conductivitatea termic,
higroscopicitatea etc.
materiale pentru piese electroizolante utilizate n electrotehnic i electronic:
cabluri, casete, socluri, comutatoare, clape; sunt importante rezistena volumic
i superficial, rigiditatea dielectric, higroscopicitatea
materiale pentru suporturi dielectrice n tehnologia circuitelor imprimate i n
microelectronica pelicular; sunt importante proprietile dielectrice i
mecanice precum i cele de higroscopicitate i conductivitate termic ridicat.
materiale electroizolante lichide sau solide de umplere i impregnare, sau de
protecie a componentelor electronice: lacuri de acoperire i compounduri,
rini epoxidice etc.
materiale dielectrice pentru dispozitive numerice, elemente de memorie: cristale
feroelectrice BaTiO3 sau compui cu ciclu de histerezis electric rectangular.
materiale pentru traductori piezoelectrici pe baz de ceramici din seria titanozirconatelor de Ba i Pb (cu formula generic PbZrTiO3), sau monocristale de
sare Rochelle etc., folosite pentru producerea ultrasunetelor, sau pentru efectul
invers, de transformare a energiei mecanice n energie electric (doze,
microfoane cu cristal piezoelectric, generatoare de tensiune nalt pentru
aprindere prin scnteie etc.).
materiale pentru transformatoare i filtre piezoelectrice cu und elastic de
volum sau de suprafa, linii de ntrziere, codificatoare i decodificatoare
pentru semnale modulate n faz, amplificatoare dielectrice etc.
materiale pentru modulatoare laser pe baza efectului electrooptic sau
obturatoare electrooptice de tip Q-switch.
materiale pentru optica neliniar: generarea de armonici, mixarea, nregistrarea
hologramelor n volum.
ceramici electrooptice cu formula generic Pb(ZrTi)O3 i structur perovskit, cu
tehnologie de fabricaie mai simpl dect monocristalele avnd i efect de
memorie electrooptic.
materiale pentru traductori piroelectrici n infrarou, pentru formarea
imaginilor termice sau msurarea temperaturii la distan.
materiale pentru modulaie i realizarea ecranelor TV cu dimensiuni de ordinul
3-5 m.
materiale feroelectrice a cror permitivitate real poate fi modificat controlat
cu cmpuri electrice continue sau alternative, utilizate pentru realizarea unor
circuite neliniare i parametrice (modulatoare dielectrice n amplitudine sau
faz, amplificatoare dielectrice sau stabilizatoare de curent sau tensiune etc.).

176

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

12.8.3.

Materiale conductoare; aplicaii

Cele mai des utilizate metale n industria electrotehnic sunt: Cu, Al, Fe,
Ag, Hg, Mo, Ni, Pt, W etc. Conductorii electrici se confecioneaz aproape
ntotdeauna din Cu sau Al i numai n cazuri speciale din Au, Ag, sau alte
materiale.
Tabel 12.7 Proprieti electrice ale unor metale utilizate n electrotehnic
Parametru
(109 m)
coeficient de variaie a
rezistivitii cu
temperatura (103 K1)
Ttopire (C)

Cu
17

Al
26

Ag
16

Au
23

Metal
Fe
87

Ni
87

Pt
108

W
70

Hg
960

3,9

4,2

3,6

3,8

5,5

1083

660

960

1063

1530

1452

1773

3380

38,9

n funcie de temperatura de topire, metalele se mpart n trei categorii:


a) metale uor fuzibile, cu temperatura de topire sub 1000C, cum sunt Ag, Pb,
Sn, Zn;
b) metale greu fuzibile, cu temperatura de topire ntre 1000C i 2000C, cum
sunt Cu, Cr, Co;
c) metale refractare, cu temperatura de topire peste 2000C, cum sunt W, Mo.
Cuprul este unul dintre cele mai utilizate metale n electrotehnic, datorit
calitilor sale foarte bune n ceea ce privete conductivitatea electric, dublate de
proprieti mecanice corespunztoare utilizrii acestuia, n special pentru
confecionarea conductorilor electrici. n natur, cuprul se ntlnete n minereuri,
sau chiar n stare nativ. n minereuri, cuprul se gsete sub form de pirite
cuprifere (pirit 60 90%, Cu 1 3%, restul steril), ale cror componente
principale sunt calcopirita (CuFeS), calcozina (Cu2S) i covelina (CuS), sau n
minereuri oxidice, cu 3 5% Cu.
Cuprul metalic pur are culoare rocat i luciu metalic, densitatea 8,92103
kg/m3, temperatura de topire 1083C i este diamagnetic. De asemenea, este
maleabil i ductil, putndu-se trage n srme subiri, cu diametrul pn la 5 m, dar
are rezisten mecanic inferioar oelului carbon. Are sudabilitate sczut, dar se
poate prelucra uor prin achiere. Este atacat chimic de acidul sulfuric i cel azotic,
mai puin de acidul clorhidric. Nu este foarte rezistent la coroziune n general, dar
este destul de rezistent n apa de mare. Vaporii de ap, n prezena CO2, atac
cuprul, formnd la suprafaa acestuia un strat de hidrocarbonat de cupru, de culoare
verde, care pasiveaz metalul, fiind un strat protector. n aer uscat, formeaz la
suprafa o pelicul de Cu2O, care pasiveaz metalul.
n electrotehnic se utilizeaz pentru conductoare numai cupru electrolitic
cu puritate de minimum 99,9%Cu.
Aliajul cuprului cu zincul se numete alam. Ea este rezistent la
coroziune, are conductivitate electric mai mic dect a cuprului, dar rezisten
mecanic i elasticitate crescute.
177

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


Aliajul cuprului cu staniul se numete bronz. Denumirea s-a extins i
pentru aliajele care au alt elemente de aliere: Al, Be, Pb, Si, P, Cd, Ti, Ag, Cr, Zr
etc. Ele au o duritate mare, sunt rezistente la coroziune i au rezistivitate electric
mai mare dect a Cu electrolitic cu aproximativ un ordin de mrime.
Aluminiul este n prezent cel mai folosit material conductor, fiind cel mai
rspndit metal n natur (aproximativ 8% n scoara terestr), sub form de
combinaii n mai toate rocile: bazalt, granit, argil, sub form de oxizi (Al2O3 corindon), silicai, hidroxizi, bauxit etc. El este un metal de culoare alb-argintie,
cu densitatea 2,7103 kg/m3 i temperatura de topire 660C. Conductivitatea
electric i cea termic sunt cu aproximativ 40% mai mici dect cele ale cuprului.
Aluminiul este maleabil i foarte ductil, putndu-se trefila i lamina n foie subiri
de pn la 5 m. Sudabilitatea aluminiului este sczut n aer, oxidndu-se repede,
motiv pentru care el se sudeaz n argon. n aer, aluminiul se acoper cu un strat
aderent, foarte subire de Al2O3 care l pasiveaz. Nu este atacat de acidul sulfuric
i cel azotic diluat, de acizii organici, de hidrocarburi, benzine, uleiuri, dar este
atacat de acidul clorhidric diluat sau concentrat, sod etc.
Aluminiul se utilizeaz la confecionarea armturilor condensatoarelor cu
hrtie, stiroflex i a celor electrolitici, a bobinajelor de maini electrice i a
transformatoarelor, a liniilor de transport al energiei electrice etc.
Fierul, dei are rezistivitatea electric mare, de ordinul 107 m, are
rezistena mecanic bun i cost sczut, fiind utilizat sub forma aliat, de oel,
pentru conductoare cu diametre de maxim 2,5 mm. Se folosete, de asemenea, la
fabricarea conductoarelor electrice solicitate mecanic (trolee, conductoare
bimetalice etc.).
Argintul are rezistivitatea cu puin mai mic dect cea a cuprului i se
oxideaz numai la temperaturi ridicate, dar este mai scump. Este utilizat pentru
confecionarea contactelor releelor de mic putere, a contactelor dispozitivelor
microelectronice etc.
Platina (Pt) i metalele platinice (Ru, Os, Ir, Pd), au temperaturi de topire
foarte ridicate (1500 3000C) i sunt rezistente la aciunea agenilor chimici i la
coroziune. Sunt utilizate pentru confecionarea termocuplelor, a creuzetelor, iar sub
form de aliaje la fabricarea contactelor electrice, a nclzitoarelor cuptoarelor
electrice, a electrozilor de bujii etc.
Wolframul are temperatura de topire foarte ridicat (3380C) i, de aceea,
este folosit la confecionarea filamentelor lmpilor cu incandescen i tuburilor
electronice, a contactelor electrice de mare putere, a anticatozilor tuburilor de raze
X i ca element de aliere n cantiti mici n oeluri speciale. Proprieti
asemntoare i, deci, utilizri similare au i molibdenul, tantalul i niobiul.
Zincul are temperatura de topire Tt = 420C i este foarte rezistent la
coroziune, motiv pentru care este utilizat la acoperirea (galvanizarea) tablelor,
evilor i srmelor de oel. Se folosete de asemenea ca element de aliere n alame
(Cu-Zn), bronzuri (Cu-Sn-Zn) i alpaca (Cu-Zn-Ni).
Staniul este un element mai rar ntlnit n natur, avnd cea mai mic
temperatur de topire, Tt = 232C, dintre metalele uzuale. El prezint dou stri
178

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


alotrope: -Sn, sau staniul cenuiu, are structura de tip diamant (ca i Ge i Si), este
semiconductor i are densitatea de 5,76103 kg/m3; -Sn, de culoare alb metalic, are
structura tetragonal cu fee centrate, este metal i are densitatea de 7,3103 kg/m3.
Plumbul este de asemenea puin rspndit n natur; are temperatura de
topire Tt = 327C, structura CFC, densitatea egal cu 11,3103 kg/m3 i
rezistivitatea mai mare, = 206109 m. Este un metal foarte rezistent la
coroziune. Se folosete la fabricarea acumulatorilor cu Pb, dar n ultimul timp
utilizarea sa s-a redus mult datorit faptului c este un material toxic.
Nichelul are structur CFC, temperatura de topire Tt = 1455C,
rezistivitatea de 95109 m i, la fel ca plumbul, este foarte rezistent la coroziune.
Cromul este un metal alb strlucitor, antiferomagnetic, cu structur CVC,
temperatura de topire Tt = 1875C. Este folosit pentru ecrane termice, teci de
termocuple, acoperiri anticorozive i decorative, oglinzi etc.
Vanadiul este un metal moale, de culoare cenuiu deschis, cu structur
CVC i temperatura de topire Tt = 1890C. Este utilizat ca element de aliere a
oelurilor sau a unor aliaje de metale neferoase i ca material de acoperire pentru
combustibilii nucleari i n construcia reactorilor nucleari cu neutroni rapizi.
n afara metalelor pure, n industria electrotehnic i n cea electronic se
folosesc i numeroase aliaje. Unele aspecte generale au fost prezentate n
paragraful 8.2. n continuare sunt prezentate i alte aspecte privitoare n special la
aplicaiile acestora.
Nichelina este un aliaj Cu-Ni, care se formeaz n orice proporie. Aliajul
32% Ni-60% Cu i adaus de alte elemente este utilizat n electrotermie (rezistene
electrice). Rezistivitatea electric este maxim cnd cuprul este n proporie de
50%.
Constantanul (40% Ni, 60% Cu) este utilizat n fabricarea termocuplurilor
i a reostatelor. Aliaje Cu-Ni se folosesc i pentru turnarea monedelor, datorit
faptului c sunt inoxidabile i rezistente la uzur.
Aliaje Ni-Fe: permalloy (38,5% Fe, restul Ni) i perminvar (45% Ni, 30%
Fe, 25% Co), cu proprieti magnetice speciale, utilizate n electronic i
automatizri, invar (36% Ni, 0,3%C, restul Fe), cu proprieti termice speciale,
utilizat la instrumente de msur, sau elinvar (aliaj de Ni, Cr, W, Mn, Si i C), cu
proprieti elastice speciale (modulul de elasticitate constant n domeniul de
temperaturi 0 40C).
Aliaje Ni-Cr i Ni-Cr-Fe: cromel (80% Ni, 20% Cr), nicrom (60% Ni,
16% Cr, 24% Fe), iconel (76% Ni, 15% Cr, 8% Fe, 1% Mn) sunt aliaje refractare
folosite pentru fabricarea rezistenelor electrice.
Manganina (Cu-Mn-Ni) este un aliaj cu rezistivitate electric mare
(constant n timp) i coeficient termic al rezistivitii redus.

179

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

13. Proprieti magnetice ale materialelor


13.1. Noiuni generale
Proprietile magnetice ale solidelor sunt determinate de existena la nivel
microscopic a unor momente magnetice elementare (orbitale i de spin). Pentru
caracterizarea comportrii magnetice a solidelor, vom reaminti aici cteva noiuni
de magnetism, absolut necesare n ceea ce urmeaz.
Dac o particul ncrcat cu sarcina electric q se mic pe o curb nchis
(n particular, pe un cerc), micarea ei reprezint un mic curent electric, care
produce un cmp magnetic. Astfel, particula echivaleaz cu un mic magnet, care,

dac se afl ntr-un cmp magnetic exterior de intensitate H , tinde s se alinieze


paralel cu acesta.
Cmpul magnetic propriu al particulei este caracterizat de mrimea numit
moment magnetic, definit prin relaia:

(13.1)
p m ISn
unde I este intensitatea curentului determinat de deplasarea particulei (dac acesta
q
parcurge traiectoria circular n perioada T, I =
= q = 2q), S este aria
T

suprafeei nchise de traiectorie i n este versorul normal la suprafaa S, cu sensul


dat de regula burghiului.

Pentru un sistem de mai multe particule se definete magnetizarea, M , ca


fiind momentul magnetic al unitii de volum:
1

(13.2)
M pm
V i
Cnd o astfel de substan este introdus ntr-un cmp magnetic extern de

intensitate H , alinierea momentelor magnetice proprii particulelor constituente ale


substanei cu cmpul exterior face ca n interiorul acesteia, cmpul magnetic s se

modifice, mrimea caracteristic a acestuia n substan, inducia magnetic, B ,


fiind legat de intensitatea cmpului magnetic i de magnetizare prin relaia:

B
H
M
(13.3)
0
sau:


B 0 H M
(13.4)

unde 0 este permeabilitatea magnetic absolut a vidului. ntre M i H se


stabilete de obicei relaia (valabil pentru medii liniare):

M mH
(13.5)
unde m este susceptibilitatea magnetic, o mrime caracteristic materialului
(dac acesta este anizotrop, ea se definete ca un tensor).

180

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

B
1 m H sau B 0 r H , rezult:
Scriind
0
r = 1 + m
(13.6)
relaie care definete permeabilitatea magnetic relativ a materialului.
Proprietile magnetice ale substanelor pot fi analizate prin intermediul
susceptibilitii magnetice sau al permeabilitii magnetice relative. Astfel, ntr-o
prim clasificare, substanele se mpart n:
diamagnetice, pentru care r < 1 (m < 0); aceste substane sunt formate din
atomi care nu posed un moment magnetic propriu permanent; magnetizarea
este n sens invers cmpului magnetic exterior i nu depinde de temperatur.
paramagnetice, pentru care r > 1 (m > 0); atomii acestor substane posed un
moment magnetic permanent; magnetizarea are loc n sensul cmpului
magnetic exterior i este puternic dependent de temperatur.
n ambele cazuri, diferena permeabilitii magnetice relative fa de unitate
(a susceptibilitii magnetice fa de zero) este foarte mic, proprietile acestor
substane manifestndu-se foarte slab.

Tabel 13.1 Valori ale susceptibilitii magnetice


Materiale diamagnetice
Materiale paramagnetice
Material
Material
= r 1
= r 1
6
Cu
Al
710
21106
Au
Cr
35106
33105
Ag
Mn
103
25106
Zn
Na
12106
8106
6
Bi
K
1810
6106
Pb
Ca
15106
21106
Hg
Pt
3105
25105
Ge
O2 (p = 1 atm)
8106
2106
Si
Fe2O3
3106
14104
Diamant
FeCl2
21106
37104
Al2O3
CrCl3
5106
15104
NaCl
Cr2O3
12106
17104

13.2. Diamagnetismul
Diamagnetismul este caracteristic tuturor atomilor i ionilor dar, cu excepia
unor situaii speciale (cum este supraconductivitatea), nu influeneaz proprietile
solidelor. El este datorat induciei electromagnetice care se produce la scar
atomic (inducerea unor cureni elementari n nveliul electronic al atomilor,
cureni care, prin cmpul magnetic pe care l creeaz, se opun cmpului magnetic
exterior).

181

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


S considerm un electron n micarea sa n jurul nucleului. Acest lucru
echivaleaz cu un mic curent electric, ce creeaz un mic cmp magnetic.
Interaciunea acestuia cu un cmp magnetic exterior determin o micare de
precesie (numit precesie Larmor, datorat tendinei de aliniere a momentului
magnetic orbital, corespunztor micrii electronului n jurul nucleului, cu direcia
cmpului magnetic exterior), constnd n rotaia momentului magnetic orbital n
jurul unei axe avnd direcia cmpului magnetic exterior.
Aceast micare are loc cu pulsaia:
eB
L =
(13.7)
2m
unde e este sarcina electric elementar, m masa electronului i B inducia
magnetic a cmpului exterior.
Pentru un atom cu Z electroni, precesia Larmor echivaleaz cu un curent
electric (indus de cmpul magnetic exterior) de intensitate:

Ze 2 B
I = Ze L
(13.8)
2
4m
cruia i corespunde un moment magnetic:
Ze 2 B 2
pm = IS = I2 =

(13.9)
4m
n care 2 este aria proieciei orbitei electronului pe un plan perpendicular pe
direcia cmpului magnetic exterior, 2 fiind media ptratului razei acestei
proiecii (figura 13.1).

Figura 13.1 Precesia Larmor a momentului magnetic

Cum 2 = x2 + y2, r2 = x2 + y2 + z2, iar la o distribuie cu simetrie


2
sferic avem relaia: x2 = y2 = z2, rezult c 2 = r2, unde r2 este media
3

182

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


ptratului razei orbitei electronice. Dac substana conine n atomi n unitatea de
M np
volum, magnetizarea este M = npm i m = 0 m , de unde:
H
B
2
nZe
m = 0
r2
(13.10)
6m
Aceasta este formula Langevin, care explic n cadrul clasic
diamagnetismul (se observ valoarea negativ a susceptibilitii magnetice). Teoria
cuantic confirm rezultatele obinute de ctre Langevin dar, n plus, ea arat c
exist i un diamagnetism al electronilor liberi (datorat momentului magnetic de
spin al electronilor liberi), numit diamagnetism Landau, susceptibilitatea
magnetic fiind dat n acest caz de o relaie de forma:
e2k F
m =
(13.11)
12 2 m

13.3. Paramagnetismul
n paragraful precedent am vzut c fiecrei micri a unui electron n jurul
nucleului i corespunde un moment magnetic orbital, a crui precesie d natere
diamagnetismului. Se poate pune ntrebarea: de ce nu am luat n discuie
contribuia acestor momente la susceptibilitatea magnetic ci numai a celor asociate
micrii de precesie? Pentru a rspunde la aceast ntrebare, trebuie s inem seama
de modul n care momentele magnetice i de spin ale electronilor dintr-un atom
interacioneaz i se combin.
Vom face o scurt trecere n revist a problemelor legate de aceste aspecte
ale structurii electronice, la un nivel minim analizei pe care ne-o propunem.
Dup cum s-a artat anterior, electronii din pturile electronice ale atomilor
sunt caracterizai de patru numere cuantice: numrul cuantic principal, n, numrul
cuantic orbital, , numrul cuantic magnetic, m i numrul cuantic de spin, s.
ntr-un atom, electronii vor ocupa stri n ordinea cresctoare a energiei i
respectnd principiul de excluziune al lui Pauli (ntr-un atom, nu pot exista doi
electroni cu aceleai valori ale celor patru numere cuantice).
Dac, pentru un n i un dai, toate strile n atom sunt ocupate cu electroni,
momentul magnetic de spin total este nul, deoarece exist electroni cu spin + n
numr egal cu electronii cu spin 1/2 . De asemenea, momentul magnetic orbital
total este nul, deoarece fiecrui electron ntr-o stare + m, i corespunde un electron
ntr-o stare m. Astfel de sisteme de electroni formeaz o aa-numit ptur
complet. Singurii electroni care pot contribui la momentul magnetic total al
atomului sunt cei de pe pturile incomplete.
Alinierea spinilor electronilor n atom i ntre atomi vecini este determinat
de interacia dintre acetia, numit interacie de schimb i care face ca, ntr-o
ptur incomplet, energia s fie minim cnd electronii se aliniaz cu spinii
paraleli (evident, cu respectarea principiului de excluziune al lui Pauli), ceea ce
face ca momentul magnetic de spin al unui astfel de ansamblu de electroni dint-o
ptur incomplet s fie diferit de zero.

183

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


La cristalele ionice nu se observ totui apariia efectelor paramagnetice,
deoarece electronii de pe stratul incomplet al unui tip de atomi sunt transferai
celuilalt tip de atomi, astfel nct toi ionii rezultai au pturi complete. Acelai
lucru se ntmpl la cristalele cu legturi covalente, deoarece energia interaciei de
schimb ntre electroni ai atomilor vecini este minim cnd momentele totale de
spin ale acestor atomi vecini se orienteaz antiparalel.
Rezult, deci, c paramagnetismul nu poate aprea dect la solide la care
atomii au pturi incomplete, altele dect cea ocupat de electronii de valen.
Sunt cinci astfel de categorii de substane:
grupa fierului, cu stratul 3d incomplet;
grupa paladiului, cu stratul 4d incomplet;
grupa lantanidelor, cu stratul 4f incomplet;
grupa platinei, cu stratul 5d incomplet;
grupa actinidelor, cu stratul 5f incomplet.
Aceste lucruri fiind stabilite, s vedem cum putem calcula momentul
magnetic total al unui atom dintr-o substan paramagnetic.
Momentul cinetic total al unui atom rezult din nsumarea vectorial a
tuturor momentelor cinetice orbitale i de spin ale electronilor si. Acest lucru se
poate face n dou feluri, n funcie de interaciunea dintre aceste momente:
n majoritatea atomilor i n special la cei uori se realizeaz cuplajul spinorbit (Russell-Saunders, L-S), cnd interacia dintre momentele individuale

orbitale ale electronilor, , unele cu altele i cea dintre momentele de spin, s ,


unele cu altele sunt mai puternice dect interacia dintre momentul orbital i cel
de spin al fiecrui electron. Momentele orbitale se compun, dnd un moment

cinetic orbital rezultant, L i , acelai lucru ntmplndu-se i cu momentele


i

cinetice de spin, rezultnd S si . Momentul cinetic total al atomului este


i

J L S . Electronii vor fi caracterizai n acest caz de numrul cuantic intern,
J, care poate lua valori variind ntre L S i L + S n trepte egale cu unitatea.
n cazul strilor excitate ale atomilor grei se produce cuplajul jj, cnd interacia
dintre momentul cinetic orbital i cel de spin ale fiecrui electron este mai
puternic dect interacia dintre diferitele momente cinetice orbitale ale
electronilor i, respectiv diferitele momente cinetice de spin ale acestora. n acest


caz, se compun i si ji , dup care J ji .
i

Acest al doilea tip de cuplaj fiind mai rar ntlnit, nu l vom discuta,
referindu-ne numai la cuplajul LS.
Completarea pturilor cu electroni se face respectnd anumite reguli care
rezult din consideraii cuantice pe care nu le vom aminti aici, limitndu-ne la
precizarea acestor reguli, cunoscute sub numele de regulile lui Hund:
- ntr-un strat electronic (n i dai), electronii se aranjeaz astfel nct un numr
ct mai mare dintre ei s aib spinii paraleli.
184

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

electronii aranjai dup regula anterioar au valori ale numrului cuantic


magnetic, m, astfel nct m este maxim.
starea fundamental, pentru un strat electronic completat cu mai puin de
jumtatea din electroni, corespunde unui numr cuantic intern cu valoarea J =
L S, respectiv, pentru un strat completat cu mai mult de jumtate din
electroni, corespunde unui numr cuantic intern J = L + S.
De exemplu, Fe, care are 6 electroni pe stratul 3d, va avea aceti electroni

aranjai astfel:
Atunci, S = s = 2 i L = m. Cum pe straturile de tip d numrul maxim de
electroni este 10, n acest caz stratul este umplut mai mult de jumtate i deci starea
fundamental este dat de J = L + S = 4.
Momentul magnetic total al atomului poate fi calculat dup relaia:
mJ = gB JJ 1
(13.12)
unde B este magnetonul Bohr-Procopiu.
eh
B =
(13.13)
4m e
i g este factorul giromagnetic (factorul de despicare Land), a crui expresie
este:
3 SS 1 LL 1
g=
(13.14)
2
2JJ 1

Dac atomul este introdus ntr-un cmp magnetic exterior de inducie B ,


momentul magnetic al atomului tinde s se alinieze cu cmpul exterior i, ca

urmare a acestei tendine, el execut o micare de precesie n jurul direciei lui B .


Interaciunea dintre momentul magnetic al atomului i cmpul magnetic exterior
este caracterizat de energia de interaciune:

Wm = m j B
(13.15)
Cum momentul magnetic total al atomului nu se poate orienta dect ntr-un
numr limitat, discret, de direcii fa de o direcie exterioar, egal cu 2J + 1,
componenta paralel cu cmpul exterior, a momentului magnetic (conform relaiei
13.11) nu poate lua dect valorile: mi = gBi, unde i = J, (J 1),..., (J 1), J,
ceea ce nseamn c energia de interaciune a momentului magnetic atomic cu
cmpul exterior este i ea cuantificat i poate lua doar valorile:
Wm = gBJB, gB(J 1)B, ... , gB(J 1)B, gBJB
(13.16)
La echilibru termodinamic, numrul atomilor cu momentul magnetic de o
anumit orientare i avnd o anumit energie de interacie cu cmpul magnetic

185

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

Wm

exterior este dat de distribuia Maxwell-Boltzmann: N = N0 e kT . La temperaturi


mari, numrul atomilor din diferite stri tinde s devin egal, ceea ce nseamn c
vor exista atomi cu momentul magnetic orientat ntr-un anumit sens, n numr
aproximativ egal cu atomii cu momentul magnetic orientat n sens invers, motiv
pentru care magnetizarea (i susceptibilitatea magnetic) a substanei este foarte
mic. La scderea temperaturii, ns, un numr din ce n ce mai mare de atomi vor
avea momentul magnetic orientat paralel sau ct mai aproape de paralel cu cmpul
magnetic exterior, ceea ce va duce la creterea magnetizrii i a susceptibilitii
magnetice, aceasta fiind comportarea tipic a materialelor paramagnetice. S
subliniem nc o dat c acest lucru este posibil numai la materialele ai cror atomi
posed un moment magnetic permanent.
Magnetizarea unei astfel de substane se calculeaz astfel (presupunnd c
momentele magnetice ale fiecrui atom sunt independente, neinteracionnd unul
cu altul):
J

N g Bie

M=

g BiB
kT

(13.17)

g BiB
kT

unde N este concentraia atomilor.


Pentru simplificare, vom considera c gBiB << kBT, lucru valabil la
temperaturi nu foarte mici, ntruct energia de interaciune a momentelor magnetice
cu cmpul magnetic exterior este foarte mic. Atunci, nlocuind gk BTiB = z, rezult:
B

Ng B izi 1

M=

izi 1

Ng B zJ J 12J 1
32J 1

adic:
M=

Ng 2 2B BJ J 1

(13.18)
3kT
M
Cum m = 0 , rezult:
B
2 2
Ng B J J 1 C

m = 0
(13.19)
3kT
T
Aceasta este legea Curie, descoperit de P. Curie n 1896. C se numete
constanta Curie. La aceast lege, se poate ajunge i pe cale clasic i este n bun
concordan cu rezultatele experimentale, inclusiv n ceea ce privete valoarea
constantei Curie. Trebuie s subliniem ns c pentru grupa de tranziie a fierului,
constanta Curie nu este cea din relaia (13.18), datorit faptului c aceste materiale
au momentul magnetic orbital al atomilor nul, caz n care, n formula respectiv

186

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


numrul cuantic intern, J, trebuie nlocuit cu numrul cuantic de spin i g are
valoarea 2.
Susceptibilitatea paramagnetic a reelei la temperatura camerei, dat de
legea Curie, este de ordinul a 103 adic o valoare cu dou ordine de mrime mai
mare dect susceptibilitatea diamagnetic, ceea ce permite neglijarea
susceptibilitii diamagnetice n substanele paramagnetice.
n cazul metalelor se poate constata i un paramagnetism al electronilor
liberi (paramagnetism Pauli), asociat momentelor magnetice de spin ale acestora,
care sunt orientate complet aleatoriu dar, cnd substana este introdus ntr-un
cmp magnetic exterior, se vor orienta fie n sensul cmpului, fie n sens invers.
S considerm toi electronii liberi aflai n aceeai stare energetic i care
pot avea spin . Aflai ntr-un cmp magnetic exterior, energia lor este egal cu
energia cinetic, la care se adaug energia de interaciune cu acest cmp:
= wm = BB
(13.20)
Numrul electronilor cu spin pozitiv, respectiv negativ va fi dat de dou
distribuii Fermi-Dirac distincte, care arat ca n figura 13.2.
B0

B=0

n+

n+

Figura 13.2 Distribuia electronilor cu spin pozitiv i respectiv negativ

n lipsa cmpului magnetic exterior, concentraiile de electroni cu spin


pozitiv, respectiv negativ, sunt egale n+ = n (n+ reprezint concentraia electronilor
cu spin negativ). Cnd sistemul este introdus n cmpul magnetic exterior, nivelul
energetic de energie se despic n dou subniveluri, conform relaiei (13.19),
acestea fiind deplasate unul fa de altul cu valoarea energetic 2BB. Cum tendina
oricrui sistem este de a trece ntr-o stare de energie minim i n acest caz sistemul
i va reduce energia prin trecerea unora din electronii cu spin negativ (i energie +
= + BB) n starea de energie = BB, prin schimbarea semnului spinului.
Acest lucru nseamn creterea concentraiei electronilor cu spin pozitiv i scderea
concentraiei celorlali. Pe ansamblu, apare o magnetizare dat de relaia:

1
M = B(n n+) = B [f0() f0(+)]N()d =
2
0

187

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

f 0
N d 2B B N F
= 2B B
(13.21)

0
Aceast relaie ne arat existena paramagnetismului electronilor liberi.
Factorul apare n calculul de mai sus datorit faptului c distribuia a fost
divizat n dou subdistribuii.
Susceptibilitatea paramagnetic a electronilor liberi va avea valoarea:
e2k F
m =
(13.22)
4 2 m e
Se poate observa c un ansamblu de electroni liberi are o susceptibilitate
pozitiv, deci se comport paramagnetic, ntruct susceptibilitatea diamagnetic
Landau este mai mic dect susceptibilitatea paramagnetic Pauli i:
e2k F
= m + L =
>0
(13.23)
6 2 m e

13.4. Feromagnetismul
Experimental, se constat existena unor substane la care magnetizarea este
diferit de zero, chiar atunci cnd cmpul exterior este nul. Dac se reprezint
grafic variaia magnetizrii n funcie de temperatur, din datele experimentale se
obine o variaie de felul celei din figura 13.3, n care se vede c, la temperaturi
peste TC, numit temperatura Curie, magnetizarea spontan dispare i materialul
se comport ca un paramagnet.
Aceste substane sunt substanele feromagnetice, comportarea lor fiind
datorat unei ordonri spontane a momentelor magnetice ale atomilor, ordonare
datorat, la rndul ei, interaciunii dintre aceste momente magnetice (interaciune
pe care am neglijat-o cnd am discutat despre paramagnetism). Dependena de
temperatur apare i ea fireasc, att timp ct agitaia termic se constituie ntr-un
factor de dezordine cu att mai puternic, cu ct temperatura este mai mare.
M
M0

T
TC
Figura 13.3 Variaia magnetizrii n funcie de temperatur

Pentru astfel de substane nu se poate aplica legea Curie, ntruct, ca s se


obin o valoare foarte mare a susceptibilitii, conform acestei legi, temperatura ar
188

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


trebui s fie sub 1 K ceea ce este contrazis de experien, care arat c, de exemplu,
fierul se comport feromagnetic pn la temperaturi de aproximativ 1000 K.
O prim explicaie a feromagnetismului a fost dat, sub o form clasic, de
ctre fizicianul P. Weiss, care a presupus existena unui cmp intern (molecular,
Weiss), care acioneaz asupra momentelor magnetice atomice, orientndu-le pe o
direcie preferenial, chiar n lipsa unui cmp magnetic exterior. Expresia acestui
cmp este:

B N p m M
(13.24)
unde este o constant dependent de material.
Cum peste temperatura Curie substana devine paramagnetic, n acest caz
i putem aplica legea Curie cu corecia de a aduga cmpului magnetic exterior


B
cmpul Weiss, deci Btot B BW . Din relaia (13.4) avem M m
; nlocuind
0

C B M
CB
C
B cu B tot i m =
, rezult: M =
M=
, de unde se
T
T 0 C
0
T
0C
obine m =
, adic:
0 T C
C
m =
(13.25)
T TC
unde
C
TC =
(13.26)
0
Relaia (13.25) este legea Curie-Weiss iar valoarea dat de relaia (13.26)
pentru temperatura Curie este n bun concordan cu cea obinut experimental.
Tabel 13.2 - Valori ale temperaturii Curie ale unor materiale feromagnetice
Material Fe
Co
Ni
TC [K]
1043
1404 631
Dup cum rezult din legea Curie-Weiss, n timp ce cmpul molecular tinde
s alinieze momentele magnetice ale atomilor din substan, agitaia termic tinde
s distrug aceast ordonare, ceea ce se ntmpl cnd ea este destul de puternic,
adic peste o temperatur TC, care separ faza ordonat, feromagnetic (la T < TC)
de faza dezordonat, paramagnetic (la T > TC).
Ceea ce nu explic teoria lui Weiss este natura acestui cmp molecular, care
este cauza comportrii feromagnetice a unor substane, dintre care cele mai
cunoscute sunt fierul, cobaltul, nichelul i unele din aliajele acestora.
Problema care se pune este aceea de a explica tendina spinilor electronilor
de a se alinia paralel unii cu ceilali. Pentru aceasta, trebuie gsit interacia care
face ca aceast aliniere s fie avantajoas din punctul de vedere al energiei totale
minime a sistemului, care asigur stabilitatea acestuia. Mecanica cuantic arat c
189

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


interacia responsabil de alinierea spinilor, caracteristic feromagneticilor, este
aa-numita interacie de schimb, care este o consecin a naturii cuantice a
sistemului. Electronii se supun statisticii Fermi-Dirac i, ca atare, pentru a avea
spini paraleli, trebuie s aib cel puin un alt numr cuantic diferit, ceea ce
nseamn c ei nu pot fi att de apropiai ca atunci cnd au spinii antiparaleli i
cnd pot aparine aceleiai stri energetice. n consecin, energia de interaciune
coulombian este mai mic atunci cnd spinii electronilor sunt paraleli, dect
atunci cnd ei sunt antiparaleli. Diferena dintre energia de interacie a electronilor
cu spini paraleli, respectiv antiparaleli se numete energia interaciei de schimb i
este dat de o expresie de forma:

Wsch = 2Isch S1S 2


(13.27)

unde Isch este aa-numita integral de schimb iar S1 i S 2 sunt momentele cinetice
de spin ale electronilor care interacioneaz.
Situaia de mai sus nu asigur ns automat alinierea paralel a spinilor,
ntruct scderea energiei de interaciune coulombian este nsoit de creterea, n
mai mare msur, n majoritatea cazurilor, a energiei cinetice. Numai n anumite
cazuri energia total se reduce la orientarea paralel, fa de cea de la orientarea
antiparalel. Acest lucru se ntmpl cnd integrala de schimb este pozitiv.
Dac electronii aparin aceluiai atom, energia este minim cnd spinii lor
sunt paraleli (aa cum stabilete i una din regulile lui Hund), I > 0, dar dac
electronii aparin unor atomi diferii, energia minim este, n majoritatea cazurilor,
cea n care spinii sunt antiparaleli (J < 0). Numai la substanele feromagnetice
energia de interacie este minim cnd spinii sunt paraleli, n acest fel putndu-se
explica feromagnetismul. Mrimea integralei de schimb depinde de gradul de
suprapunere a funciilor de und electronice ceea ce determin dificulti destul de
mari n calculul propriu-zis al integralei de schimb, n ale crui detalii nu vom
intra.
ntr-un sistem de spini ordonai, ca cel din substanele feromagnetice,
perturbaiile dinamice se pot propaga din aproape n aproape, prin intermediul
acestei interaciuni de schimb, sub forma undelor de spin. Acestea constau n
precesia spinilor n jurul direciei unui cmp magnetic extern. Analog cu fononii, se
asociaz acestor unde o particul fictiv, numit magnon, cu mas de repaus nul
i cu spin ntreg (este deci un boson).
n practic se constat c, totui, cu excepia magneilor naturali,
magnetizarea spontan sub temperatura Curie nu este prezent la majoritatea
feromagneilor, acetia trebuind s fie magnetizai prin plasarea ntr-un cmp
magnetic extern pentru a avea o magnetizare proprie, care poate fi distrus sub
aciunea unor factori mecanici (ocuri), sau termici.
Aceast comportare a fost explicat de ctre Weiss pe baza existenei
domeniilor de magnetizare spontan, care sunt regiuni macroscopice, prezentnd
o magnetizare spontan, avnd orientarea diferit, de la un domeniu la altul.
Formarea lor este datorat faptului c energia unui astfel de sistem, mprit n mai
multe domenii, este mai mic dect dac sistemul ar prezenta un singur domeniu.
190

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


Pentru a nelege de ce se petrece acest lucru, s privim figura 13.4. Dac ar exista
un singur domeniu, energia sistemului ar fi mai mare, ca urmare a nmagazinrii
unei energii n spaiul exterior magnetului (figura 13.4.a). Dac se formeaz dou
domenii cu magnetizare n sens opus, (figura 13.4.b), energia magnetic se
njumtete (n general, la divizarea n n domenii, energia scade de n ori).
Reducerea practic la zero a energiei magnetice nmagazinate n spaiul exterior al
probei se face prin apariia unor domenii de nchidere (figura 13.4.d i e).
Trecerea de la un domeniu la altul nu se face printr-un salt brusc n orientarea
momentelor magnetice ci printr-o zon de trecere, n care are loc schimbarea
treptat a direciilor acestor momente, numit perete Bloch. Dimensiunea acestora
se ntinde pe cteva distane interatomice, dup cum se poate vedea n figura 13.5.

Figura 13.4 Formarea domeniilor magnetice

Existena pereilor Bloch ntre domenii limiteaz numrul acestora, ntruct


formarea lor necesit efectuarea unui lucru mecanic mpotriva forelor de schimb,
ceea ce nseamn c, dac, pe de o parte energia sistemului scade odat cu formarea
mai multor domenii, pe de alt parte se cheltuiete mai mult energie pentru
formarea pereilor Bloch. Se ajunge astfel la un anumit numr limitat de domenii,
cnd sistemul are energia minim.

Figura 13.5 Perete Bloch

Numrul de domenii este limitat i de alte dou cauze. Prima este existena
la un cristal a unei direcii de magnetizare uoar, care este o direcie n cristal
de-a lungul creia este mai uor ca materialul s fie magnetizat. Pentru Fe, aceasta
este direcia [1 0 0], pentru Ni [1 1 1], iar pentru cobalt [0 0 1]. Asta nseamn c,
191

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


pentru a magnetiza cristalul pe direcia de magnetizare uoar cu o anumit
magnetizare, este necesar o energie mai mic dect cea necesar pentru a
magnetiza cristalul cu aceeai magnetizare, pe oricare alt direcie. Din aceast
cauz, domeniile care au magnetizarea pe alte direcii dect direcia de magnetizare
uoar vor necesita un surplus de energie la formarea lor (acest surplus pe unitatea
de volum se numete energie de anizotropie cristalin) ceea ce limiteaz numrul
domeniilor.
O alt cauz a limitrii numrului de domenii este fenomenul de
magnetostriciune*, care const n mica modificare (mrire sau micorare) a
volumului unui cristal atunci cnd el este magnetizat. Cum efectul magnetostrictiv
(variaia dimensiunii) este mai puternic pe direcia magnetizrii, este evident c
aceste variaii dimensionale ale domeniilor nu sunt egale, ceea ce duce la apariia
unor tensiuni mecanice i, deci, la creterea energiei cristalului, acest fapt fcnd ca
numrul de domenii s fie limitat i de acest factor.
Existena domeniilor de magnetizare spontan poate fi pus n eviden prin
intermediul microscopiei optice sau electronice (cnd este posibil i evidenierea
pereilor Bloch). Un fenomen simplu care permite punerea n eviden a deplasrii
pereilor Bloch la magnetizarea unui feromagnet este efectul Barkhausen, datorat
creterii magnetizrii feromagnetului n salturi atunci cnd cmpul magnetic
exterior crete continuu i uniform, ca urmare a orientrii brute a domeniilor de
magnetizare spontan pe direcia de magnetizare uoar. Acest efect poate observat
foarte uor dac primarului unui transformator cu miez feromagnetic i se aplic un
curent electric cresctor continuu. n secundarul acestuia se obine un curent cu
variaii n salturi brute, care poate fi observat fie direct pe un osciloscop, fie
amplificat i aplicat unui difuzor.
Dac se plaseaz un feromagnet ntr-un cmp magnetic cresctor de la zero
pn la o valoare maxim, se produce fenomenul de histerezis magnetic, pe care l
putem descrie i analiza pe baza curbei de histerezis din figura 13.6.
Crescnd intensitatea cmpului magnetic exterior, se observ i creterea
magnetizrii i, dac H crete suficient de mult, magnetizarea atinge o valoare
maxim MS, numit magnetizare de saturaie. Procesul cuprinde mai multe etape,
astfel: la aplicarea unui cmp cu valori mici, pereii Bloch ncep s se deplaseze
astfel nct s creasc volumul domeniilor orientate favorabil (avnd o magnetizare
cu direcia ct mai apropiat de direcia de magnetizare uoar), pe seama scderii
volumului domeniilor orientate defavorabil. Acest proces este reversibil. La
creterea n continuare a intensitii cmpului exterior, ca urmare a faptului c, n
deplasarea lor, pereii Bloch trec peste diverse obstacole (defecte de structur) care
sunt nsoite de prezena, n acea zon a unor bariere de potenial, procesul devine
ireversibil i are drept urmare eliminarea tuturor domeniilor orientate defavorabil,

fenomenul este folosit la producerea i recepia ultrasunetelor; exist i fenomenul magnetostrictiv


invers (efectul Villari), care const n magnetizarea cristalului cnd este supus unor deformri
mecanice.

192

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


astfel nct rmn numai domeniile a cror magnetizare are direcia de magnetizare
uoar.
O ultim etap are loc la creterea i mai pronunat a intensitii cmpului
exterior, cnd se produce o rotaie a direciei de magnetizare a domeniilor, astfel
nct ea s fie ct mai apropiat de direcia cmpului exterior.

Figura 13.6 Ciclul de histerezis magnetic

Evident, cele trei etape nu sunt clar delimitate, existnd domenii unde unele
din cele trei procese descrise se suprapun. Saturaia se obine cnd toate momentele
magnetice elementare ale feromagnetului s-au aliniat dea lungul direciei cmpului
exterior i orice cretere a acestuia nu mai produce nici o schimbare n material.
Curba rezultat, reprezentnd creterea magnetizrii (sau a lui B) n funcie de
creterea intensitii cmpului magnetic exterior se numete curba de magnetizare
iniial.
Dac acum intensitatea cmpului exterior ncepe s scad pn la zero, se
observ c magnetizarea scade dup o alt curb dect cea de magnetizare iniial,
astfel nct, cnd H devine nul, magnetizarea are nc o valoare pozitiv, M r,
numit magnetizare remanent. Pentru a reduce magnetizarea la zero, trebuie
aplicat un cmp de orientare invers dect cea iniial, avnd intensitatea egal cu o
valoare HC, numit cmp coercitiv.
Crescnd n continuare intensitatea cu valori negative peste cea a cmpului
coercitiv, are loc magnetizarea substanei pn la saturaie, n sens invers
magnetizrii iniiale, i aa mai departe. La un ciclu complet de variaie a
intensitii cmpului magnetic exterior de la zero la Hmax, apoi din nou la zero i
pn la Hmax i din nou la zero i apoi la Hmax, se obine ciclul variaiei
magnetizrii, numit ciclul de histerezis magnetic.
Energia disipat pe un ciclu este dat de relaia:

193

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic



Wh = B dH H dH

(13.28)

i este egal cu aria ciclului.


Analiza curbei de histerezis are o mare importan din punctul de vedere al
aplicaiilor practice. Astfel, pentru construirea magneilor permaneni, trebuie
utilizate materiale care au o magnetizare remanent mare, apropiat de cea de
saturaie. Pentru fabricarea tolelor de transformator trebuie s se utilizeze materiale
feromagnetice al cror ciclu de histerezis s aib o form foarte alungit de-a
lungul axei magnetizrii, ceea ce asigur un cmp coercitiv mic i aria ciclului
mic, astfel ca pierderile energetice n transformator s fie minime.
Pentru construirea memoriilor magnetice se folosesc materiale al cror ciclu
de histerezis are o form ct mai apropiat de cea dreptunghiular, pentru a avea o
delimitare clar ntre cele dou stri de magnetizare (magnetizare pozitiv magnetizare negativ), corespunztoare celor dou stri logice, 1 i 0 logic.
n sfrit, s amintim aici aplicaiile feromagneilor n construirea benzilor
i discurilor magnetice, materialele utilizate n acest caz trebuind s aib o
magnetizare remanent ridicat i stabil n timp iar variaia magnetizrii n funcie
de intensitatea cmpului magnetic exterior s fie ct mai apropiat de o variaie
liniar.

13.5. Antiferomagnetismul i ferimagnetismul


Dac integrala de schimb este negativ (J < 0), cum se ntmpl de obicei,
interacia de schimb determin ntr-un sistem de momente magnetice o orientare
antiparalel a acestora, ca n figura 9.7, rezultnd o ordonare antiferomagnetic
sau ferimagnetic.

Figura 13.7 Ordonare antiferomagnetic

Un astfel de sistem poate fi considerat ca fiind alctuit din dou subreele,


fiecare avnd o ordonare feromagnetic a momentelor magnetice. Dac momentele
magnetice ale acestor subreele sunt egale, avem de-a face cu un antiferomagnet,
momentul magnetic total al sistemului fiind nul.
Comportarea substanelor antiferomagnetice poate fi descris ntr-un mod
asemntor cu descrierea comportrii celor feromagnetice. Astfel, aranjarea
ordonat este datorat tot unui cmp intern (molecular), doar c acesta are expresia:

(13.29)
B M
semnul negativ aprnd datorit valorii negative a integralei de schimb.
194

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


Refcnd calculele n maniera de la paragraful precedent, rezult c
susceptibilitatea magnetic a unui antiferomagnet variaz cu temperatura dup
legea:
C
m =
(13.30)
T TN
care, se vede c este chiar legea Curie-Weiss, doar c n locul temperaturii Curie
apare, cu valoare pozitiv, temperatura Nel, dat de:
C
TN =
(13.31)
2 0
Acest lucru nseamn c, la temperaturi peste temperatura Nel,
antiferomagnetul respect legea Curie-Weiss.
Sub aceast temperatur, susceptibilitatea sa crete odat cu creterea
temperaturii (figura 13.8), materialul comportndu-se puternic anizotrop
(susceptibilitatea pe diferite direcii este diferit).

Figura 13.8 Variaia cu temperatura a susceptibilitii magnetice a unui antiferomagnet

Deci, la temperaturi mici, antiferomagnetul are o aranjare ordonat a


momentelor magnetice elementare, aranjare care, odat cu creterea temperaturii,
se stric, astfel nct, la aplicarea unui cmp magnetic exterior, apare o magnetizare
diferit de zero, ca urmare a tendinei de aliniere a momentelor magnetice pe
direcia acestuia.
Materialele antiferomagnetice standard sunt Cr, cu TN = 475 K i -Mn, cu
TN = 100 K. Alte materiale cu comportare antiferomagnetic sunt lantanidele;
astfel, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm i Eu sunt antiferomagnei cu temperaturi Nel sub 100
K, Gd este un feromagnet, n timp ce Tb, Dy, Ho, Er i Tm au o comportare
complex, fiind feromagnei la temperaturi mari i antiferomagnei la temperaturi
sczute. De altfel, aproape toate substanele paramagnetice devin antiferomagnetice
la temperaturi foarte sczute.
Tabel 13.3 - Valori ale temperaturii Nel ale unor materiale antiferomagnetice
Material MnFe2 MnO2 MnO MnS FeO NiF2 CoO
TN [K]
72
84
122
165
198
73
292

195

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


Dac momentele magnetice ale celor dou subreele sunt diferite, avem de-a
face cu un ferimagnet; momentele magnetice necompensndu-se total, rezultanta
lor determin un moment magnetic total spontan, ordonat pe domenii Weiss.
Magnetizarea se realizeaz n acest caz n cmp magnetic exterior ca la substanele
feromagnetice, prin deplasarea pereilor Bloch. Cel mai cunoscut material de acest
tip este magnetitul (Fe3 O4). Ca urmare a faptului c substanele ferimagnetice sunt
izolatori, combinat cu permeabilitatea magnetic mare a acestora, ele au o mare
importan practic, utilizndu-se ca miezuri la bobinele care lucreaz la frecvene
mari i n construcia memoriilor magnetice. Materialele utilizate n acest mod n
practic sunt cunoscute sub numele de ferite.

13.6. Proprieti magnetice


electrotehnice

ale

materialelor

electronice

cmpul coercitiv, Hc reprezint valoarea intensitii cmpului magnetic


pentru care inducia magnetic a unui corp magnetizat n prealabil se anuleaz
(figura 13.6); valoarea sa ( ntre 0,1 A/m i 30 MA/m) depinde de structura,
compoziia chimic, anizotropia i dimensiunile particulelor constituente ale
corpului, de solicitrile mecanice i termice la care acesta a fost supus etc.
inducia de saturaie, Bs reprezint valoarea pe care o are inducia magnetic
atunci cnd magnetizarea corpului, M atinge valoarea de saturaie, Ms (figura
13.6); ia valori ntre 0,2 i 2,5 T i scade cu temperatura, coninutul de
impuriti i starea de tensionare a corpului.
inducia remanent, Br reprezint valoarea induciei magnetice care persist
n corpul magnetizat n prealabil la saturaie, dup anularea cmpului de
magnetizare; depinde de aceiai parametri ca i cmpul coercitiv i poate
ajunge pn la 95% din valoarea induciei de saturaie.
indicele de calitate, (BH)max se definete ca fiind valoarea maxim a
produsului dintre inducia magnetic i intensitatea cmpului magnetic i este
proporional cu densitatea de energie magnetic nmagazinat de corp n cursul
procesului de magnetizare; materialele cu valori mari pentru (BH)max (pn la
300 kJ/m3) se utilizeaz la fabricarea magneilor permaneni.
permeabilitatea magnetic relativ static, (total) r reprezint raportul
dintre inducia magnetic B i intensitatea cmpului magnetic H multiplicat cu
permeabilitatea magnetic a vidului, 0: r = B/0H.
permeabilitatea magnetic relativ reversibil, r,rev se definete prin relaia:
1
B 1 dB
lim

r, rev =
(13.32)
0 H 0 H 0 dH
Transformarea reversibil prezint o importan deosebit n cazul
magnetizrii corpurilor n cmpuri alternative.
Dup cum i pstreaz sau nu ntr-o msur suficient starea de
magnetizare (la anularea cmpului magnetizant) materialele magnetice se mpart
n:

196

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

materiale magnetice moi, care au ciclul de histerezis ngust, cmp coercitiv


Hc mic i inducie de saturaie Bs i permeabilitate magnetic mari.
Utilizrile materialelor magnetice moi sunt legate de caracteristicile ciclului
de histerezis. Astfel, materialele cu ciclul de histerezis nclinat i k = Br/Bs < 0,5
(cu permeabilitate magnetic mic i constant n raport cu H) se utilizeaz la
confecionarea miezurilor bobinelor de inductan constant. Materialele cu ciclul
de histerezis mai nclinat i k = 0,5 0,8 (cu permeabilitate magnetic mare i
dependent de H) se utilizeaz la fabricarea miezurilor de transformatoare,
electromagnei etc. Materialele cu ciclul dreptunghiular (pentru care k > 0,8) se
utilizeaz la fabricarea miezurilor de memorii magnetice, circuite de comutaie etc.
Dintre materialele magnetice moi, cele mai utilizate sunt fierul pur i fierul
electrolitic, oelul, fonta, aliajele fier-siliciu, aliajele fier-aluminiu, aliajele nichelfier (permalloy), aliajele Fe-Co, aliajele Fe-Co-Ni etc.
materiale magnetice dure, care au ciclul de histerezis lat, inducie remanent
Br i cmp coercitiv mari.
Utilizrile materialelor magnetice dure sunt legate de mrimea lui k: cele
pentru care k < 0,4 se utilizeaz pentru nregistrarea magnetic a informaiei, iar
cele pentru care k > 0,4 se utilizeaz la fabricarea magneilor permaneni.
Dintre materialele magnetice dure, cele mai utilizate sunt oelurile aliate
(Alni Fe2NiAl, i Alnico), aliaje cu metale pretenioase (Pt-Co), ferite, alte aliaje
(oel-Cr-Ni, Cu-Ni-Fe, Co-Ni).

13.7. Substane i materiale magnetice


Aa cum s-a artat, din punct de vedere al comportrii magnetice,
substanele se mpart n dou mari categorii:
1. substane diamagnetice, formate din atomi care nu posed moment magnetic
propriu permanent i avnd permeabilitatea magnetic relativ subunitar i
susceptibilitatea magnetic negativ (r < 1, < 0); introduse ntr-un cmp
magnetic exterior, ele prezint o slab magnetizare n sens invers sensului
acestui cmp, magnetizare ce nu depinde de temperatur.

Figura 13.9 Dependena de temperatur a susceptibilitii magnetice a diferitelor


substane: paramagnetice (a), feromagnetice (b), antiferomagnetice (c)

197

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

2. substane paramagnetice, formate din atomi care au un moment magnetic


propriu permanent i avnd permeabilitatea magnetic relativ supraunitar i
susceptibilitatea magnetic pozitiv (r > 1, > 0); introduse ntr-un cmp
magnetic exterior, ele prezint o slab magnetizare n acelai sens cu sensul
acestui cmp, magnetizare puternic dependent de temperatur (legea Curie,
figura 13.9.a).
Exist ns i alte substane, care se deosebesc de cele de mai sus, prin
faptul c atomii lor au un moment magnetic propriu permanent care prezint
aranjamente ordonate (orientare pe direcii prefereniale) chiar n lipsa unui cmp
magnetic exterior. Posibilele aranjamente sunt prezentate schematic n figura
13.10. Astfel, cazul reprezentat n figura 13.10.a este cel al substanelor
feromagnetice, atomii acestora fiind identici. Substanele feromagnetice prezint o
magnetizare permanent i de valori mari. Cazurile din figura 13.10.b i 13.10.c
corespund situaiei cnd substana este alctuit din dou subreele cu orientare
antiparalel a momentelor magnetice. Dac momentele magnetice ale celor dou
subreele sunt egale n modul, ele se compenseaz reciproc, momentul magnetic
total este nul, substana fiind n acest caz un antiferomagnetic; dac momentele nu
sunt egale n modul, compensarea nu se produce total, substana fiind n acest caz
un ferimagnetic, ce prezint, ca i feromagneticii, un moment magnetic total nenul
permanent. Ultimul caz, cel prezentat n figura 13.10.d, este cel al substanelor
helimagnetice, la care momentul magnetic al atomilor prezint o orientare variabil
elicoidal.

a)

b)

c)

d)

Figura 13.10 Aranjarea momentelor magnetice atomice la substanele feromagnetice (a),


antiferomagnetice (b), ferimagnetice (c) i helimagnetice (d)

Aa cum s-a precizat mai sus, n afara strii diamagnetice, care este
neinfluenat de temperatur, celelalte stri prezint o puternic dependen de
temperatur. Astfel, susceptibilitatea magnetic a paramagneticilor depinde de
temperatur conform legii Curie (relaia 13.19).
La fero i ferimagnetici, aranjamentul ordonat spontan dispare la o
temperatur caracteristic substanei, numit temperatur Curie, TC, substana
comportndu-se peste aceast temperatur ca un paramagnetic obinuit (figura

198

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


13.9.b). n acest caz, legea dependenei susceptibilitii magnetice de temperatur
este ea legea Curie-Weiss pentru feromagnetici (relaia 13.25).
n cazul antiferomagneticilor, aranjamentul ordonat al momentelor
magnetice atomice dispare la o temperatur caracteristic substanei (temperatura
Nel, TN) (figura 13.9.c). Peste aceast temperatur, susceptibilitatea magnetic are
expresia din relaia (13.30).
Materialele cu proprieti magnetice cu posibile aplicaii practice sunt
numeroase, putnd fi clasificate dup diferite criterii.
Astfel, din punct de vedere al compoziiei chimice, putem deosebi
urmtoarele categorii de substane magnetice:
1. Materiale magnetice naturale
Cele mai cunoscute materiale din aceast categorie sunt magnetita (Fe3O4),
cunoscut nc din antichitate i pirotina (Fe2S3). Aceste substane sunt
ferimagnetice, aa cum a artat Nel, n 1947, dar ele nu sunt utilizate n aplicaii
practice.
2. Elemente chimice feromagnetice; Fe, Co, Ni
Principalele caracteristici ale acestor elemente sunt prezentate n tabelul
13.4. Analiznd acest tabel, se constat c structura Fe este la temperatur ambiant
CVC, iar cea a Ni CFC. Cobaltul are structur HC, dar peste 500C structura sa
trece n CFC. Acest element are i un punct Curie foarte ridicat (cea mai mare
valoare cunoscut a TC). Prin adugarea Co la alte substane feromagnetice, punctul
Curie al amestecului crete.
Tabel 13.4 Caracteristici ale materialelor feromagnetice
Element
Structur
Nr. vecini TC
Electroni
(B) ge
3d + 4s
de ord. I
( C)
2mc
Fe
CVC
8
770
2,218 1,04
6+2
Co
HC
12
1130
1,71
1,08
7+2
CFC
12
1,74
Ni
CFC
12
360
0,616 1,09
8+2
Magnetizarea are cea mai mare valoare la Fe ( este momentul magnetic
atomic, exprimat ca multiplu al magnetonului Bohr, B).
ge
Expresia
este aa-numitul raport giromagnetic, adic raportul dintre
2mc
modulul momentului magnetic i modulul momentului cinetic al atomului (g este
factorul Land). Din valoarea acestuia se poate evalua contribuia momentului de
spin, respectiv a momentului orbital la momentul magnetic total al atomului.
Valoarea determinat experimental pentru cele trei elemente arat c principala
contribuie este datorat spinului electronilor din pturile incomplete, momentele
orbitale ale acestora contribuind doar cu un procent sub 10 %.
3. Aliaje ale elementelor chimice feromagnetice ntre ele sau cu alte
elemente
199

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


n graficul din figura 13.11 este reprezentat variaia momentului magnetic
atomic, , (exprimat n funcie de magnetonul Bohr, B), n funcie de concentraia
celui de-al doilea component (Co sau Ni) al aliajelor Co-Ni, Fe-Ni i Fe-Co. Pentru
aliajul Co-Ni, se observ o scdere practic liniar a lui de la 1,6B la 0,6B
odat cu creterea concentraiei de Ni de la 0 la 100.
2,5

(B)

Co-Ni
Fe-Ni
Fe-Co

1,5
1
0,5
0

50
(%)

100

Figura 13.11 Dependena momentului magnetic atomic, , (exprimat n funcie de magnetonul


Bohr, B), n funcie de concentraia celui de-al doilea component (Co sau Ni) al aliajelor Co-Ni,
Fe-Ni i Fe-Co

O comportare asemntoare are i aliajul Fe-Ni. Aliajul Fe-Co are o variaie


a lui care prezint un maxim (mai mare dect valoarea lui corespunztoare
fiecrui component) pentru o concentraie n jurul a 30 % Co. Acest tip de aliaj este
utilizat la construirea pieselor polare ale electromagneilor.
Un aliaj cu proprieti foarte interesante este Co-Pt. n graficul din figura
13.12 sunt reprezentate dependenele de concentraia n Pt ale momentului
magnetic atomic (exprimat tot n funcie de magnetonul Bohr) i, respectiv
temperaturii Curie.

Figura 13.12 Variaia momentului magnetic atomic (exprimat tot n funcie de magnetonul Bohr)
i a temperaturii Curie n funcie de concentraia n Pt a aliajului Co-Pt

Se poate constata c, odat cu creterea concentraiei de platin, momentul


magnetic atomic mediu i temperatura Curie scad practic liniar. Prin extrapolare, se
200

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

poate determina momentul magnetic atomic al platinei pure ca fiind egal cu


aproximativ 0,5B, apropiat de cel al nichelului, care este de 0,6B. Platina i
nichelul au acelai numr de electroni pe stratul incomplet d, egal cu 6. Dei platina
pur nu este feromagnetic, ea se comport n acest fel atunci cnd este aliat cu
nichelul.
O caracteristic important a acestor aliaje este faptul c, n ciuda simetriei
structurii lor, de tip CVC, ele prezint o energie de anizotropie foarte mare, ceea ce
nseamn c ele pot fi folosite pentru obinerea unor magnei permaneni cu cmp
coercitiv foarte mare.
Pentru obinerea magneilor permaneni se folosesc i alte aliaje, ale cror
proprieti sunt prezentate n tabelul 13.5, unde Br reprezint inducia remanent,
HC cmpul coercitiv iar produsul BHmax reprezint produsul energetic, ce
caracterizeaz energia magnetic disipat pe ciclul de histerezis.
Tabel 13.5 Proprieti ale aliajelor folosite pentru magnei permaneni
Aliaj
Alnico II
Alnico V
Ticonal XX
Pt-Fe
Platinax
Oel
Oel cu tungsten
Oel cu crom
Oel cu cobalt

Compoziie (restul, pn la 100 % este


Fe)
12% Al, 18% Ni, 13% Co, 6% Cu
14% Ni, 8% Al, 24% Co, 3% Cu
15% Ni, 7% Al, 34% Co, 4% Cu, 5% Ti
40% Pt
50% Pt, 50% Co
1% Mn, 0,9% C
0,3% Mn, 0,7% C, 5% W
0,4% Mn, 1% C, 3,5% Cr
36% Co, 0,9% C, 3,5% Cr, 7% W

Br (T)
0,73
1,27
1,18
0,6
0,64
1
1,05
0,95
1

HC
(103A/m)
44,6
51,7
104,7
151,3
382,2
4
5,2
5,2
18,3

BHm
(10 TA/m)
1,3
4,4
8,8
2,6
7,3
0,16
0,24
0,24
0,8
-8

n ce privete aliajele Fe-Ni, acestea pot fi utilizate pentru obinerea unei


magnetizri mari sub aciunea unui cmp slab (acestea prezint o permeabilitate
magnetic foarte mare). Proprietile acestor aliaje sunt puternic sensibile la
tratamentul termic, pentru obinerea unor caliti deosebite fiind necesar de obicei
un dublu tratament termic, constnd ntr-o nclzire brusc, urmat de o rcire
lent. Aliajul Fe-Ni compus din trei pri Ni i una Fe, cunoscut sub numele de
permalloy, este utilizat pentru confecionarea ecranelor magnetice i a miezurilor
de transformator. Prin adugarea la aliaje Fe-Ni a unor mici cantiti de alte metale
se obine materialul cunoscut sub numele de supermalloy, a crui permeabilitate
magnetic de aproximativ 5 ori mai mare dect cea a permaloy-ului, care este
utilizat totui destul de mult, ca urmare a unei insensibiliti la tensiuni i deformri
mecanice foarte bune.
4. Compui de forma M-N, unde M este unul din elementele Fe, Mn, Cr iar
N un element fero-, feri- sau helimagnetic
Cei mai importani compui ai Fe cu proprieti magnetice sunt FeBe2,
Fe2B, FeB, Fe2C, Fe4N, Fe3P, Fe2P, Fe7S8 etc. Elementul cu care se compune Fe
este un diamagnetic, care se comport ca un diluant al Fe, atomii acestuia
neavnd un moment magnetic propriu. Rezult astfel un compus care este
201

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


ntotdeauna feromagnetic (cu excepia Fe7S8, care este ferimagnetic), cu punctul
Curie i momentul magnetic atomic mediu mai sczute dect ale Fe.
Dintre compuii Mn cu proprieti magnetice, se pot aminti: MnAu4, MnAs,
MnBi, MnSb, MnAlCu2, MnSnCu2 (feromagnetici), Mn4N, Mn2Sb (ferimagnetici),
MnP, MnAu2 (helimagnetici) etc. Acetia prezint un punct Curie (sau Nel)
destul de cobort, cu excepia compuilor coninnd Al, care au TC ~ 300 400 C.
De asemenea, momentul magnetic atomic mediu este foarte mare, ceea ce face ca
aceste materiale s fie folosite n construcia magneilor permaneni (n special
MnBi, care are i o energie de anizotropie ridicat). MnBi este utilizat i ca
material pentru memoriile magnetice. Astfel, acest material este depus ntr-un strat
subire (~ 100 nm) astfel ca direcia de magnetizare uoar s fie perpendicular pe
planul stratului. Sub aciunea unei radiaii luminoase, stratul premagnetizat se
nclzete local peste temperatura Curie i magnetizarea spontan dispare. La
ncetarea aciunii luminoase, zona se rcete i capt o magnetizare n sens opus
sub aciunea cmpului demagnetizat al zonelor vecine. Suprafaa unei astfel de
zone poate fi redus astfel nct diametrul su s fie de aproximativ 2 m, ceea ce
face ca densitatea de date stocate pe o astfel de suprafa s fie de 107 108
bit/cm2. tergerea se poate face prin nclzirea i rcirea ntr-un cmp slab paralel
cu magnetizarea iniial.
Compuii Cr cu proprieti magnetice ce merit a fi amintii sunt CrTe i
CrO2, amndoi feromagnetici. CrO2 este utilizat la fabricarea benzilor magnetice,
avnd performane superioare oxizilor de Fe.
5. Elemente din grupa pmnturilor rare (lantanide): Gd (feromagnetic),
Dy etc.
Lantanidele au, toate, aceeai configuraie electronic periferic, 5d1 6s2, n
timp ce stratul interior 4f se completeaz progresiv. Proprietile magnetice ale
lantanidelor sunt determinate tocmai de aceti electroni 4f. Primele lantanide sunt
paramagnetice, cu susceptibilitatea cresctoare odat cu creterea numrului de
electroni din stratul 4f. Aceast cretere este semnificativ pentru europiu,
urmtorul element, gadoliniul (Gd), fiind feromagnetic. Lantanidele urmtoare au o
comportare magnetic complex, n principal helimagnetic, sau feromagnetic la
temperaturi sczute.
Cei mai importani compui ai lantanidelor din punct de vedere al
comportrii magnetice sunt cu Co, reprezentativ fiind SmCo5, cu remarcabile
proprieti de magnet permanent: cmp coercitiv de aproximativ 2106 A/m,
produsul energetic BHmax de aproximativ dou ori mai mare dect al aliajului CoPt i TC ~ 700 C.
6. Compui de tipul L-M sau L-N, unde L este un element din grupa
pmnturilor rare iar M i N un au aceeai semnificaie ca mai sus
7. Oxizi micti ai Fe i ai altui metal (ferite) sau ai Fe i ai unui lantanid
(granate)
Feritele propriu-zise sunt oxizi micti de Fe III i de un metal bivalent, cu
formula (MeO, Fe2O3). Ionii O2 formeaz o reea CFC cu 32 de atomi n celula
elementar; n aceast reea, ionii metalici ocup dou tipuri de poziii interstiiale:
202

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


tipul A, n care au 4 ioni de oxigen vecini i tipul B, n care au 6 ioni de oxigen
vecini. Nu toate poziiile de tip B disponibile sunt ocupate. ntr-o celul elementar
sunt ocupate 8 poziii de tip A i 16 de tip B. Aceste dou tipuri de poziii definesc
dou subreele.
Din feritele simple se pot sintetiza ferite complexe, nlocuind o parte din
cele dou tipuri de ioni metalici cu alte tipuri de ioni metalici, favoriznd n acest
fel un comportament magnetic particular.
n general, feritele au temperaturi Curie ridicate, n jurul a 500C. La
temperatura ambiant ele au o rezistivitate de ordinul 10105 m, dar ea scade
exponenial.
Feritele sunt utilizate mai ales n domeniul de frecvene nalte, neavnd
practic pierderi prin cureni Foucault. Aplicaia de baz este aceea de miez de
transformatoare care lucreaz n domeniul frecvenelor nalte (unde radio
ultrascurte i chiar unde centimetrice).
Granatele sunt oxizi micti de Fe i de lantanide, de formul chimic
(5Fe2O3, 3L2O3) sau L3Fe5O12 (L reprezint elementul lantanid), neconinnd dect
ioni metalici trivaleni. Aceste cristale cu structur cubic sunt ferimagnetici, cu un
comportament analog celui al feritelor i avnd temperatura Curie de aproximativ
290C. Ca i feritele, sunt semiconductori cu proprieti deosebite la frecvene
nalte i, tot ca i la ferite, proprietile magnetice pot fi modelate prin substituirea
unor ioni metalici cu alii.
8. Materiale magnetice transparente
Multe materiale semiconductoare cu structur de ferit sau granat sunt
transparente n anumite domenii spectrale, n general fiind vorba de mici ferestre
optice situate aproape ntotdeauna n infrarou. Astfel, granatul Y3Fe5O12 are
temperatura Curie de 287C, o magnetizare convenabil i este transparent n
domeniul infrarou n intervalul 1 9 m. Acest domeniu de transparen este
suficient pentru utilizarea materialului pe baza unor efecte electrooptice, cum este
rotirea planului de polarizare sub aciunea unui cmp magnetic aplicat.
S-au sintetizat i materiale transparente n vizibil, cum sunt: RbNiF3, care
este ferimagnetic i perfect transparent n vizibil (TC este ns doar 134C), FeF3
i FeBF3, care sunt antiferomagnetici prezentnd efecte Faraday importante (TC
este 91C, respectiv 75C).

203

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

14. Alte materiale


14.1. Materiale compozite
Prin combinarea a dou sau mai multe materiale diferite, se poate obine un
nou material cu o combinaie dorit de proprieti (de exemplu, densitate, rezisten
mecanic, rezisten la coroziune etc.), numit material compozit.
Materialele compozite se pot clasifica dup mai multe criterii. Astfel, dup
vechimea folosirii lor, ele se mpart n dou mari categorii:
Materiale compozite clasice crmizi din lut amestecat cu paie (chirpici),
hrtie etc.
Materiale compozite moderne materiale de nalt tehnologie, fabricate
pentru aplicaii specifice
O alt clasificare a materialelor compozite, n funcie de modul de obinere,
le mparte n:
Materiale compozite naturale (lemn: polimer-polimer), (oase: polimerceramic).
Materiale compozite artificiale
Materialele compozite obinuite au n compoziia lor dou faze:
Matricea, cu structur continu
Faza dispers (particule, fibre)
Proprietile materialelor compozite depind de:
proprietile fazelor
geometria fazei disperse (dimensiunea particulelor, distribuia i
orientarea acestora etc.)
raportul maselor fazelor
Dup structura lor, materialele compozite sunt de trei feluri:
Materiale compozite ranforsate cu particule (particule de dimensiuni
relative mari, dispersate n matrice)
Materiale compozite ranforsate cu fibre (fibre dispuse continuu sau
fibre scurte, aliniate sau dispuse aleator)
Materiale compozite structurale (laminate i panouri sandwich)

14.1.1.

Materiale compozite ranforsate cu particule

Acestea sunt cele mai ieftine i cele mai utilizate, fiind de dou categorii, n
funcie de dimensiunea particulelor:
Materiale compozite ranforsate cu particule de dimensiuni mari, care
acioneaz prin limitarea micrilor matricei.
Proprietile acestor compozite sunt o combinaie a proprietilor
componentelor. Regula amestecurilor arat c limita superioar a modulului de
elasticitate al compozitului este dat, n funcie de modulele de elasticitate al
matricei, Em i respectiv al particulelor, Ep, de relaia:
Ec = EmVm + EpVp
(14. 1)
unde Vm i Vp sunt fraciile volumice ale celor dou faze.
204

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


Cel mai cunoscut i utilizat exemplu de astfel de material compozit este
betonul, alctuit dintr-o matrice de ciment, care leag particule de diferite mrimi
(pietri i nisip).
La rndul su, cimentul, n forma sa general, este un amestec fin de var,
alumin, silice i ap. Cimentul Portland este o pudr fin de minerale coninnd
calcar, argil i var, calcinate la 1500oC. Acesta formeaz, atunci cnd este dizolvat
n ap, o past ce se solidific n cteva minute i se ntrete lent (cteva luni, pn
la ntrirea complet). Proprietile depind de ct de bine este realizat amestecul i
de cantitatea de ap. Prea puin ap determin o legare incomplet, prea mult, o
porozitate excesiv.
Avantajul cimentului este acela c poate fi turnat pe loc, se ntrete la
temperatura camerei i chiar sub ap i este foarte ieftin. Dezavantajele sunt: o
rezisten slab, este casant, iar apa din pori poate produce fisuri, cnd nghea.
Betonul este un ciment ranforsat prin adugarea de particule. Utilizarea
unor particule de dimensiuni diferite (pietri, nisip) asigur un factor de
mpachetare mai bun dect la utilizarea unor particule de dimensiune fix.
Betonul poate cpta proprieti mai bune prin asigurarea unor pori ct mai
mici (prin utilizarea unei pudre mai fine, prin adugarea unor lubrifiani polimerici
i prin aplicarea unei presiuni n timpul ntririi.
Betonul armat este obinut prin adugarea n beton de bare, fire, sau plas
de oel. Oelul are un coeficient de dilatare similar cu cel al betonului, ceea ce
asigur un risc redus de formare a unor fisuri, ca urmare a tensiunilor termice.
Cermetul este un material compozit alctuit din particule ceramice (dure,
casante), dispersate ntr-o matrice metalic (moale, ductil), ceea ce crete
rezistena materialului. De exemplu, carbura de tungsten sau titan, dispersat n Co
sau Ni, asigur o duritate foarte mare a materialului compozit obinut, acesta fiind
folosit pentru confecionarea sculelor achietoare utilizate n prelucrarea oelurilor
dure.

Materiale compozite ranforsate cu particule fine, de dimensiuni de ordinul


10100 nm.
n acest caz, matricea suport cea mai mare parte a sarcinii aplicate i micile
particule mpiedic deplasarea dislocaiilor, limitnd deformarea plastic. Se
utilizeaz mici particule foarte dure, pentru a asigura o duritate mare a unor metale
i aliaje metalice.
Cauciucul armat este obinut prin dispersarea n cauciuc a unor particule
de carbon, cu dimensiunea de 2050 nm.

14.1.2.

Materiale compozite ranforsate cu fibre

n multe aplicaii, ca de exemplu n industria aeronautic, unde este nevoie


de o rezisten pe unitatea de mas (rezisten specific) mare, rezultate foarte bune
se pot obine cu materiale compozite ce constau dintr-o matrice uoar, de mic
densitate, ranforsat cu fibre dure. Rezistena depinde de lungimea fibrelor i
orientarea acestora n raport cu direcia tensiunii.

205

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


n mod normal, matricea are un modul de elasticitate mult mai mic dect cel
al fibrei, astfel c aceasta se deformeaz mai mult, la distane mari fa de fibr. n
imediata apropiere a acesteia, deformarea este limitat de ctre fibr. Astfel, pentru
un material compozit supus unei tensiuni, apare o tensiune de forfecare n matrice,
care acioneaz dinspre fibr, uniform pe toat suprafaa acesteia. Pentru a obine o
rigiditate i rezisten suficiente, fibrele trebuie s fie mai lungi dect o lungime
critic, c, definit ca lungimea minim la care centrul fibrei capt rezistenta de
rupere la traciune f, cnd matricea capt rezistenta la forfecare maxim, m:
c = fd/2m
(14. 2)
Materialul compozit are rezistena maxim pe direcia de orientare a fibrelor
i minim pe direcie perpendicular pe fibre. Pentru fibre dispuse discontinuu,
aleator, proprietile sunt izotropice.
Dintre materiale compozite ranforsate cu fibre, cele mai cunoscute sunt:
Compozite cu matrice polimeric
Acestea reprezint cele mai numeroase i mai utilizate materiale compozite,
datorit simplitii n fabricaie, costului redus i bunelor proprieti.
Compozite ranforsate cu fibre de sticl
Sunt dure, rezistente la coroziune i cu densitate mic, dar nu foarte rigide i
nu pot fi utilizate la temperaturi ridicate.
Compozite ranforsate cu fibre de carbon
Acestea utilizeaz fibre de carbon, care au cel mai ridicat modul de
elasticitate. Ele sunt dure, inerte i permit utilizarea la temperaturi ridicate.
Lemn
Lemnul este unul dintre cele mai vechi i mai utilizate materiale structurale.
El este un material compozit alctuit din fibre de celuloz dure i flexibile (polimer
liniar), nconjurate i meninute mpreun de o matrice de lignin i ali polimeri.
Proprietile sunt anizotrope i variaz larg, n funcie de varietatea de lemn.
Lemnul este de zece ori mai rezistent pe direcia axial, dect pe cea radial, sau
cea tangenial.
Compozite cu matrice metalic
Compozite cu matrice ceramic
Compozite Carbon-Carbon
Compozite hibride

14.1.3.

Materiale compozite structurale

Compozitele laminare sunt alctuite din folii, sau plci cu orientare diferit
a direciilor de rezisten mare, stratificate i lipite.
Plcile sandwich sunt alctuite din plci dure, rigide, legate de o structur
nucleu uoar, de exemplu de tip fagure.

14.2. Cristale lichide


Anumite substane nu prezint obinuita tranziie solid-lichid, astfel nct,
ntr-un domeniu de temperatur determinat se observ existena unor faze
mezomorfe, intermediare ntre starea solid i cea lichid. Aceste stri mezomorfe
206

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


ale substanei sunt stri particulare, pe care le prezint unele corpuri, semnalate
nc din 1889 de ctre Lehman i cunoscute sub numele de cristale lichide.
Caracteristica principal a acestor materiale nu este starea lor mai mult sau
mai puin fluid ci structurile lor foarte particulare. Domeniile de existen ale
cristalelor lichide sunt separate de domeniile de existen ale fazelor solide prin
discontinuiti ale majoritii proprietilor fizice ale acestora. Se disting trei mari
categorii de cristale lichide:
1. cristale nematice (de la grecescul nema = fir)
2. cristale smectice (de la grecescul smegma = spun)
3. cristale colesterice
Pentru a nelege caracterul specific al acestor faze, este necesar
clarificarea caracteristicilor profund distincte ale strii solide, respectiv lichide.
Solidul cristalin, a crui structur prezint o periodicitate tridimensional,
este caracterizat de proprieti vectoriale cu caracter discontinuu. Particulele
constituente ocup locuri conform unei ordini de poziie i orientare n raport cu
referenialul celulei cristalografice.
Contrar solidelor cristaline, ntr-un lichid, particulele constituente
(moleculele) sunt libere s se deplaseze aleator, lichidul fiind caracterizat tocmai de
dezordinea n poziia i orientarea acestor molecule. Faza lichid este omogen i
izotrop deoarece toate direciile din spaiu sunt echivalente. Domeniul de
stabilitate al fazei lichide corespunde ntotdeauna unor temperaturi mai mari dect
acelea corespunztoare fazei cristaline.
Domeniul de existen al fazelor mezomorfe este ntotdeauna cuprins ntre
cele dou situaii extreme, relative la starea cristalin, respectiv lichid.
Cristalele lichide (cum sunt numite uzual strile mezomorfe) sunt
caracterizate, ca i cristalele, de o anizotropie a proprietilor lor, oricare ar fi
condiiile de formare. Aceast anizotropie este, de exemplu, revelat printr-o
puternic birefringen a acestor medii, traducnd orientarea ordonat a
moleculelor. Totui, moleculele nu sunt caracterizate de o orientare ordonat
tridimensional, ca cea dintr-un solid cristalin.
Aici se observ foarte clar poziia intermediar a cristalelor lichide. Astfel,
dac solidul cristalin este caracterizat de o ordonare a particulelor constituente att
ca poziie ct i ca orientare, iar lichidul prezint o dezordine att de poziie ct i
de orientare, cristalele lichide prezint o ordine de orientare concomitent cu o
dezordine de poziie a particulelor constituente.
1. Cristale nematice
n faza nematic, moleculele constituente au una din axa lor paralel cu o
direcie dat (aranjare de tip mnunchi de nuiele). Totui, moleculele sunt
repartizate statistic aleator, ca ntr-un lichid ordinar. Ele se pot deplasa liber n toate
sensurile, cu condiia s pstreze axa paralel cu direcia de orientare dat. Acest
fapt explic marea fluiditate a cristalelor nematice.
2. Cristale smectice
La cristalele smectice, ordinea de poziie se pstreaz numai pe o singur
direcie. Sistemul poate fi asimilat cu un ansamblu de straturi lichide
207

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

bidimensionale stivuite unele peste altele la distane bine definite. Exemplul cel
mai vechi din aceast categorie l constituie spunurile, dar sunt i alte substane cu
aceast structur, la care moleculele, de form alungit, sunt aranjate n straturi
paralele, de grosime de ordinul de mrime al dimensiunii moleculei (200 300
nm). n interiorul fiecrui strat, orientarea axei moleculei este paralel cu o direcie
dat. Dac aceast direcie este cea a stivuirii, avem de-a face cu un cristal smectic
A, pe cnd, dac ea este nclinat fa de direcia de stivuire cu un unghi variabil
cu temperatura, avem de-a face cu un cristal smectic C. La cristalele smectice B se
constat o periodicitate n interiorul fiecrui strat, ele prezentnd rigiditatea unui
solid cu dou dimensiuni.
3. Cristale colesterice
Acest tip de cristal lichid este analog celui de tip nematic, structura
colesteric putnd fi obinut prin supunerea unui cristal cu structur nematic unei
torsiuni n jurul unei axe perpendiculare pe direcia de aliniere general a
moleculelor. Se obine n acest fel o structur elicoidal.

14.2.1.

Natura chimic a cristalelor lichide

Din punct de vedere al structurii chimice, se pot deosebi dou categorii de


astfel de substane:
a) Materiale termotrope
Din aceast categorie, materialele smectice i nematice au molecule de unul
din cele trei tipuri de mai jos:

A B

bifenil

dihidrofenantren

Radicalii R i R pot fi: CnH2n+1 ; OCnH2n+1 ; CO ; Br ; C N etc. iar


gruparea A B:
CH = N (benziliden amin);
N = N (azobenzen);
C C (tolan) etc.
Dintre cristalele colesterice termotrope, cele mai cunoscute sunt esterii de
colesterol.
n general, structura molecular a materialelor termotropice este constituit
numai din mici molecule organice. Schimbrile de faz sunt induse de variaia
temperaturii (solid smectic nematic lichid).
b) Materiale liotrope
Structurile liotrope sunt n general constituite din molecule destul de lungi
(lipide, fosfolipide, proteine, macromolecule) n soluie ntr-un substrat lichid (de
obicei ap).
208

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


Tranziiile de faz pot fi induse prin variaii de concentraie a moleculelor
n substrat. Aceste materiale sunt foarte sensibile la variaiile de temperatur, care
pot determina distrugerea structurii.
De obicei, ntr-un sens mai restrns, cnd se vorbete de cristale lichide, se
face referin numai la structurile termotrope.
Dintre materialele termotrope cel mai studiate, se pot aminti:
1. Paraazoxianisol (PAA)
Este un material nematic cunoscut pentru proprietile sale i studiat nc
din al doilea deceniu al secolului al XX-lea, faza nematic fiind situat ntr-un
domeniu de temperaturi destul de ridicate, fapt ce a determinat neutilizarea sa n
aplicaii practice.
2. p-metoxibenziliden p butilanilin (MBBA)
Acesta a fost primul material sintetizat (1969) cu proprieti nematice la
temperatura mediului ambiant. Totui, n ciuda remarcabilelor proprieti, MBBA
prezint o relativ instabilitate chimic (oxidare, hidroliz), motiv pentru care n
aplicaiile practice a fost nlocuit de alte materiale: benzoai, bifenili, tolani.
3. Tereftal-bis-(p-butilanilin) (TBBA)
Acest material prezint mai multe faze smectice, n funcie de temperatur.
Conform regulii generale, prima faz smectic obinut plecnd de la faza solid
este de tip B.
n ultimul timp, gama materialelor mezomorfe s-a diversificat foarte mult,
fiecare productor industrial dezvoltnd numeroase tipuri, n funcie de aplicaiile
practice.
Proprietile remarcabile ale cristalelor lichide fac ca acestea s fie utilizate
att n cercetarea fundamental ct i n aplicaii industriale.
Astfel, ele au proprieti optice cu totul speciale: cristalele nematice i cele
smectice sunt medii birefringente uniaxe. Cristalele colesterice, datorit structurii
periodice a lor, determin reflexii Bragg n domeniul lungimilor de und din
vizibil. Ca urmare a acestor fapte, materialele respective pot fi utilizate ca detectori
optici foarte sensibili.
Studiul mediilor parial ordonate este posibil prin utilizarea cristalelor
lichide. Starea lichid i fazele condensate, n particular cele ntlnite n biologie,
pot fi mai bine cunoscute prin studierea interaciilor moleculare pe distan scurt
i lung.
Studiul perturbaiilor suferite de o faz mezomorf sub aciunea cmpului
electric i magnetic (efectul electrooptic i efectul magnetooptic) face apel la
utilizarea cristalelor lichide.
Cu o birefringen neegalat de alte substane birefringente (n ~ 0,2),
comod de modulat ca urmare a fluiditii, cristalele lichide sunt utilizate i n
studiul proprietilor optice ale mediilor uniaxe i biaxe.
Aceste materiale sunt utilizate i n studierea unor probleme de
hidrodinamic i electrodinamic, n studiul tranziiilor de faz, n simularea unor
procese elementare din membranele biologice etc.

209

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


Puternica anizotropie a cristalelor lichide determin i o puternic
reactivitate a acestora sub aciunea cmpurilor electrice sau magnetice, cu
numeroase aplicaii practice.
O proprietate deosebit pe care o au cristalele lichide este aceea de orientare
preferenial a moleculelor constituente sub aciunea unui cmp electric sau
magnetic exterior, care are loc ntr-un mod specific fiecrui material. Astfel, sub
aciunea unui cmp electric exterior, moleculele MBBA (cristal negativ) se
orienteaz cu axa perpendicular pe liniile de cmp, n timp ce moleculele de
Nematel 105 (cristal pozitiv) se orienteaz cu axa paralel cu liniile de cmp; sub
aciunea unui cmp magnetic, ambele materiale i orienteaz moleculele cu axa
paralel cu liniile de cmp magnetic.

14.2.2.

Aplicaii industriale ale cristalelor lichide

Principalele aplicaii industriale ale cristalelor lichide se bazeaz pe


modificarea proprietilor lor optice sub aciunea fie a unui cmp electric (efect
electrooptic), fie a cldurii (efect termooptic). Modificarea proprietilor optice este
la rndul ei datorat modificrilor structurale induse de aciunea cauzei respective.
Dispozitivul ce funcioneaz pe baza efectului electrooptic se numete
celul cu cristale lichide, a crei construcie este prezentat n figura 14.1. Din
aceast figur se poate observa construcia celulei: stratul de cristal lichid (1), cu
grosimea de 5 100 m, este plasat ntre dou lamele de sticl transparent (3), cu
grosimea de aproximativ mm. Pe partea interioar a acestor lamele este depus un
strat metalic foarte subire (2), care constituie electrozii pe care se aplic tensiunea
electric pentru crearea cmpului electric exterior. Aceti electrozi, aflai n contact
cu suprafeele stratului de cristal lichid, au suprafaa de o anumit form, n funcie
de scopul n care este construit celula. Distanierii (4) asigur etaneitatea celulei
i rigiditatea acesteia.

Figura 14.1 Celul cu cristale lichide

Aa cum s-a precizat anterior, sub aciunea unui cmp electric exterior,
moleculele cristalului lichid se orienteaz perpendicular sau paralel cu liniile de
cmp. S considerm montajul din figura 14.2, n care o celul ca cea descris mai
sus, umplut cu un lichid nematic cu orientare perpendicular pe liniile de cmp
electric, se gsete ntre un polarizor i un analizor cu axele optice paralele. Dac se
trimite un fascicul de lumin pe direcia axei sistemului, n lipsa unei tensiuni
210

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


electrice aplicate pe celul, acesta va trece prin sistem i un observator aflat de
partea cealalt a acestuia va observa cmpul optic luminat.

U
C
P

Figura 14.2 Montaj pentru studiul orientrii prefereniale a moleculelor cristalului lichid

Aplicarea unei tensiuni pe electrozii celulei determin orientarea


preferenial a moleculelor cristalului lichid perpendicular pe direcia cmpului i
comportarea optic activ a acestuia, fapt constatat prin ntunecarea cmpului optic.
Astfel, o raz de lumin polarizat ce traverseaz celula i rotete planul de
polarizare cu un unghi , dat de relaia:
= Cdn = Cd(no ne)
(14. 3)
unde C este o constant caracteristic celulei, d distana dintre electrozi (grosimea
stratului nematic), - lungimea de und a luminii i n birefringena celulei,
care, la rndul ei, depinde de ordinea creat de orientarea impus de cmpul
electric, adic de tensiunea electric aplicat pe celul.
Un astfel de dispozitiv utilizat n lumin alb este un filtru optic (care poate
fi, de exemplu, utilizat la afiajul n culori), iar dac el este utilizat n lumin
monocromatic poate constitui un modulator de lumin.
Un dispozitiv asemntor celui din figura 14.2, dar n care analizorul i
polarizorul sunt plasai la extincie iar celula folosete un lichid nematic cu
orientarea moleculelor paralel cu liniile de cmp electric aplicat poate fi folosit n
aceleai scopuri. Trebuie precizat c, n ambele cazuri, lichidul nematic utilizat
trebuie s aib o rezistivitate mare.
Dac cristalul lichid din celul are o rezistivitate relativ sczut, se poate
obine un efect de difuzie dinamic. Astfel, oscilaiile moleculelor sub aciunea
unui cmp electric alternativ creeaz n mediu efecte turbionare, transformndu-l
ntr-un mediu difuzor de lumin.
Dac cristalul lichid este nematic, timpul de orientare (intervalul de timp
dintre momentul aplicrii cmpului i cel al stabilirii orientrii finale a moleculelor)
ca i cel de revenire (intervalul de timp dintre momentul ncetrii aplicrii
cmpului i cel al restructurrii iniiale a moleculelor) sunt comparabile i de valori
de ordinul a 1 100 ms. n acest caz, sistemul poate fi folosit la afiarea dinamic.
Dac se folosete un lichid colesteric, timpul de revenire este mult mai mare
dect cel de orientare (putnd ajunge pn la cteva zile), n acest caz dispozitivul
putnd fi folosit ca dispozitiv de memorare.
Un dispozitiv deja comun este afiorul cu 7 segmente, care, cuplat cu
circuite logice, permite afiajul digital (numeric). Acesta este alctuit din 7
211

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


segmente (n fapt, 7 celule integrate ntr-un bloc unic) care formeaz cifra 8. Prin
aprinderea numai a unora din aceste segmente se pot forma toate cifrele, de la 0
la 9 (figura 14.3).

Figura 14.3 Afiarea cifrelor prin sistemul cu 7 segmente

n general, dispozitivele de afiare cu cristale lichide pot fi utilizate pentru


afiarea prin transmisie (mai rar) sau prin reflexie.
Utilizarea cristalelor lichide n sistemele de afiare s-a rspndit foarte mult,
n special n afiajul digital, ca urmare a consumului redus de energie electric, a
dimensiunilor mici i a fiabilitii mari a acestor dispozitive. n afiajul dinamic
(imagini n micare, cum este cazul ecranelor de televiziune sau al monitoarelor
calculatoarelor) alb-negru sau color, dispozitivele cu cristalele lichide au o utilizare
din ce n ce mai larg, datorit costului, iniial ridicat, dar care s-a apropiat de cel al
dispozitivelor clasice, dublat de consumul mic de energie, ceea ce le face utile n
aparatura portabil.
n afara aplicaiilor bazate pe efectele electrooptice, cristalele lichide se
regsesc i n dispozitive a cror funcionare se bazeaz pe efecte termooptice.
Astfel, modificarea pasului elicei cristalelor colesterice sub aciunea modificrilor
de temperatur i-a gsit aplicaii importante. Aa cum s-a artat, un cristal
colesteric iluminat n lumin alb reflect lumin colorat, ntruct numai radiaiile
de lungime de und dat de relaia: psin = k(unde p este pasul elicei) vor fi
reflectate n faz.
Cum p depinde de temperatur, culoarea stratului colesteric este i ea
dependent de temperatur. Temperatura la care pasul elicei este de ordinul
lungimii de und se numete temperatur sensibil.
n funcie de natura cristalelor lichide sau a amestecurilor, s-au obinut
domenii de temperatur sensibil de mai multe zeci de grade i cu sensibiliti care
permit decelarea schimbrilor de culoare datorate unor variaii de temperatur de
ordinul unei miimi de grad.

212

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


Pe baza unor astfel de dispozitive, s-au dezvoltat aplicaii n diferite
domenii, cum sunt: msurarea temperaturii cutanate i detectarea tumorilor,
transformarea imaginilor din infrarou n imagine vizibil colorat, practic
instantaneu, controlul, reglajul i stabilizarea temperaturilor n incinte, detectarea
defectelor n metale prin detectarea viciilor de conductivitate termic etc.

14.3. Materiale supraconductoare


14.3.1.

Noiuni generale

Fenomenele legate de starea supraconductoare au nceput s fie studiate


odat cu descoperirea fenomenului, de ctre fizicianul olandez Kamerlingh Onnes,
n 1911, prin care, la temperaturi n jurul a 1 K, rezistena electric a unor metale
scade practic la zero (< 1018 m).
Ca urmare a scderii drastice a rezistenei electrice, curentul indus ntr-un
circuit supraconductor se pstreaz un timp foarte lung (~ 10 5 ani) dup ncetarea
aciunii cauzei care l-a produs. Se constat c fluxul magnetic creat de un astfel de
curent este cuantificat, conform relaiei:
= n0 ; n = 1, 2, 3, ...
(14. 4)
unde 0 este cuanta de flux magnetic, dat de:
hc
0 =
= 610 7 Wb
(14. 5)
2e
S-a observat c aceast stare cu proprieti deosebite se obine numai sub o
anumit temperatur, TC, numit temperatur critic, dependent de natura
materialului. n tabelul 14.1 sunt prezentate valorile temperaturii critice pentru
cteva materiale.
Tabel 14.1 Temperatura critic pentru cteva
material TC(K) material TC(K) material
Al
1,17 Cd
0,56
Nb3Sn
Zn
0,88 In
3,39
Pb - Bi
Ti
0,40 Sn
3,70
Mo - Tc
V
5,30 Ta
4,48
V3Si
Ga
1,10 Os
0,71
Ta - Nb
Zr
0,75 Ir
0,14
Nb3Al
Nb
9,20 Hg
4,15
V3Ga
Mo
0,95 Tl
1,37
V3Co
Tc
11,20 Pb
7,20
La3In
Ru
0,47 La
5,80
NbN
Rh
1,70 Th
1,40

materiale
TC(K)
18,05
8
14
17
6,30
17,50
16,50
17,10
10,40
14,70

n prezena unui cmp magnetic exterior, starea supraconductoare se poate


distruge dac valoarea acestuia este suficient de mare, peste o valoare dependent
de natura materialului, numit cmp critic. Dependena cmpului critic de
213

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


temperatur este dat de legea empiric:
T 2
Hc(T) = Hc0 1
(14. 6)
Tc
n figura 14.4 este reprezentat grafic aceast dependen. Din aceast
figur, se vede c curba HC = HC(T) desparte n diagrama de stri (H, T), strile
supraconductoare, situate sub ea, de cele de cristal conductor normal, situate
deasupra.

Figura 14.4 Dependena cmpului critic de temperatur

Starea supraconductoare se poate distruge brusc, ntr-un cmp de intensitate


mai mare dect cea critic, caz n care supraconductorul este un supraconductor
de tip I, sau treptat, ntre o valoare HCi, numit cmp critic inferior i o alta, HCs,
numit cmp critic superior (HCs > HCi). Acetia sunt supraconductorii de tip II,
care, ntre cmpul critic inferior i cel superior prezint proprieti
supraconductoare care se manifest incomplet.
De asemenea, se observ experimental c i cldura specific electronic
sufer un salt la temperatura critic.
n prezena unui cmp magnetic inferior celui critic (critic inferior, pentru
supraconductorii de tip II), n interiorul supraconductorului cmpul magnetic este

nul ( B ), acesta comportndu-se ca un diamagnet perfect. Fenomenul este cunoscut


sub numele de efect Meissner (descoperit de Meissner i Ochsenfeld, n 1933), o
imagine sugestiv a producerii acestuia fiind cea din figura 14.5.
Ca urmare a faptului c n interiorul supraconductorului cmpul magnetic
este nul, la suprafaa acestuia, componenta normal a cmpului magnetic este, de

asemenea, nul. Pe de alt parte, cum H j , rezult c. n interiorul
supraconductorului densitatea de curent trebuie s fie, de asemenea, peste tot, nul,
ceea ce nseamn c orice curent care circul n supraconductor este un curent
superficial. Mai mult dect att, curenii circulnd la suprafaa supraconductorului
pot duce la apariia unui curent total nenul (de exemplu cnd supraconductorul are

214

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


forma unui tor) staionar, chiar n absena unui cmp electric. Cum acest lucru
nseamn c nu are loc o disipare de energie, faptul poate fi interpretat ca o absen
total a rezistenei electrice. Acest lucru nseamn, mai departe, c rezistivitatea
foarte mic a supraconductorilor nu este dect o consecin a proprietilor
magnetice deosebite ale acestora, care reprezint aspectul esenial al
supraconductivitii.

Figura 14.5 Efectul Meissner

14.3.2.

Ecuaia London

ntr-un conductor normal, conducia electric este descris de legea lui


Ohm, care ns, pentru un supraconductor nu mai este valabil. Fizicianul London a
postulat c densitatea de curent este proporional cu potenialul vector al cmpului
magnetic local:

1
j
A
(14. 7)
2
0 L
Aceasta este ecuaia London.
Dac se aplic de dou ori operatorul rotor relaiei (14.7) i se nmulete cu

0, innd cont c B 0 j , se obine:

1
2B 2 B
(14. 8)
L
Relaia (14.8) arat c, ntr-un supraconductor, nu poate exista un cmp
magnetic uniform, dect dac acesta este nul. Ea admite o soluie de forma:
z


L
B B0 e
(14. 9)

unde B0 este cmpul la suprafaa supraconductorului i z este adncimea n acesta.


Se vede c, n interiorul supraconductorului, cmpul magnetic scade rapid
(exponenial) spre zero. Tot din aceast relaie rezult i semnificaia fizic a
constantei L, numit adncime de ptrundere: ea reprezint adncimea n
supraconductor la care cmpul magnetic se reduce de e ori fa de cea de la
suprafaa lui i are o valoare de ordinul a 510 -8 m.
Se poate spune, deci, c relaia (14.9) este expresia matematic a efectului
215

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

Meissner.

Impulsul unui electron n cmp magnetic de potenial vector A este:


(14. 10)
p mv eA
de unde:
p e
v A
(14.10)
m m
Cum j nev , rezult:
ne
ne2
(14. 11)
p
A
m
m

Comparnd relaia (14.11) cu ecuaia London, rezult c p = 0 i


j

ne 2
j
A
m

(14. 12)

i:
m
(14. 13)
0 ne 2
Teoria London se dovedete n multe aspecte ale sale conform cu
rezultatele experimentale dar nu poate explica de ce, n starea fundamental,
impulsul electronilor este nul. De asemenea, valoarea adncimii de ptrundere este
prea mic, ceea ce duce la dificulti teoretice mari i, n plus, cauza producerii
fenomenului rmne neexplicat.
Aceste probleme pot fi lmurite doar n cadrul teoriei cuantice, unde se
arat c fenomenul provine din existena unei mici fore de atracie ntre oricare doi
electroni din reea avnd energiile de valori foarte apropiate. Dei este, deja, banal
s spunem c doi electroni se resping, avnd sarcini de acelai semn, totui, n
reea, lucrurile sunt un pic diferite. Astfel, un electron din reea atrage spre el ionii
pozitiv din jur i, ca urmare, n zona respectiv reeaua va fi cu puin mai dens n
ioni pozitivi dect n mod normal. Dac un alt electron ajunge n vecintate, el va fi
atras spre aceast regiune de densitate ionic mai mare, ca i cum ar fi atras de
ctre electronul ce a creat starea respectiv n zon.
2L

Figura 14.6 Interaciunea electronilor n reea

Modul cel mai simplu de a descrie i calcula aceast for de atracie este
216

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


acela de a descrie interaciunea ca o emisie a unui fonon virtual de ctre un
electron i absorbia acestuia de ctre un alt electron (figura 14.6)

Conform figurii 14.6, un electron n starea k emite fononul de impuls g i


trece n starea k g ; un alt electron, absoarbe acest fonon, trecnd din starea k n

starea k g . Calculele se fac n teoria perturbaiilor de ordinul II i se obine o
energie de interaciune ntre cei doi electroni, care se suprapune peste cea
coulombian. Pentru a avea o stare supraconductoare este necesar ca suma acestor
dou energii s fie negativ: A fost dezvoltat o ntreag teorie * a acestor
interaciuni (n care, evident, nu vom intra), perechile de electroni care
interacioneaz n felul descris mai sus i care duc la apariia strii
supraconductoare numindu-se perechi Cooper. n cadrul acestei teorii, se arat c
la supraconductori apare o stare fundamental separat de strile excitate printr-o
band interzis de lrgime 2, de ordinul a 103 eV. Acest fapt are consecine
importante, din care vom aminti aici doar pe aceea referitoare la transparena
supraconductorului la fluxuri de fotoni de energie mai mic dect lrgimea acestei
benzi interzise.
Aa cum spuneam mai nainte, adncimea de ptrundere calculat n teoria
London este foarte mic, ea nsemnnd o tranziie foarte brusc de la starea
conductoare la cea supraconductoare. Pentru c acest lucru duce la dificulti
teoretice foarte mari, un alt fizician, Pippard, a elaborat o alt teorie n cadrul creia
se consider c tranziia are loc pe o adncime mai mare, ~ 106 m, numit
lungime de coeren. Astfel, n teoria lui Pippard, formula (14.12) se scrie sub o
form mai general:


jg Mg A g
(14. 14)

Formula este scris n spaiul reciproc, n care Mg este o funcie bine


definit de g , corespunztor cmpului magnetic aplicat. n figura 14.7 este
reprezentat aceast funcie, comparativ cu teoria London.
Pentru cmpuri variabile lent, formula London (relaia 14.12) este corect.
Odat cu creterea valorii numrului de und corespunztor cmpului magnetic

aplicat, pentru care potenialul vector are forma din relaia 14.15, Mg tinde spre
zero.

A r A g e ig r
(14. 15)
Trecerea de la regimul London la regimul Pippard are loc cnd g este
destul de mare pentru a crea o excitare, adic atunci cnd depete valoarea gC,
pentru care:
vFgc ~
(14. 16)
1
Valoarea
este tocmai lungimea de coeren.
gc
Acest rezultat, stabilit fenomenologic de ctre Pippard i dezvoltat teoretic
Este vorba de teoria BCS, dezvoltat n 1957 de ctre Bardeen, Cooper i Schreiffer.

217

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


n cadrul mecanicii cuantice prin lucrrile lui Bogoliubov, are o mare importan n
analiza detaliat a proprietilor strii supraconductoare, cum ar fi efectul pelicular
anormal i penetrarea cmpurilor magnetice.

Figura 14.7 Reprezentarea grafic a funciei M

De fapt, lungimea de coeren reprezint dimensiunea perechilor Cooper,


adic distana peste care trebuie s existe o corelaie a fazelor perechilor de
electroni. Ea poate fi calculat considernd c este de ordinul de mrime al
drumului liber mediu al electronilor care particip la supraconducie. Acetia au
energii cuprinse ntr-un domeniu de grosime kBTC n jurul valorii F i
impulsul cuprins n intervalul p, n jurul valorii pF:
k T
p ~ pF B C
(14. 17)
F
Cum principiul de nedeterminare al lui Heisenberg impune ca px ,
F
x
~ 10 6 m
(14. 18)
p F k B TC

14.3.3.

Aplicaii ale supraconductibilitii

Obinerea practic a supraconductorilor s-a perfecionat continuu, n prezent


fiind cunoscute materiale cu temperatura critic mai ridicat i care suport
densiti de curent mai mari.
S-a constatat c supraconductibilitatea apare mai uor la materiale cu
rezistivitate mai mare* n stare normal. De asemenea, s-a constatat c dac metalul
sau aliajul are un numr mediu de electroni de conducie pe atom egal sau apropiat
de 3 sau 4,7 sau 6,8 (de exemplu, Nb, Re, cu 5, respectiv 7 electroni) temperatura
critic a materialului este mai ridicat, pe cnd, dac acest numr este egal sau
apropiat de 2 sau 4 sau 5,6 (de exemplu, Zr i Mo, cu 4, respectiv 6 electroni)
Fapt evident, ntruct la aceste materiale interaciunea electroni - fononi este mai puternic ceea ce
face mai probabil apariia perechilor Cooper.
*

218

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


materialul respectiv nu prezint starea de supraconductibilitate.
Prin alierea materialelor cu proprieti supraconductoare, se pot obine
materiale cu temperaturi critice mai mari dect ale oricruia dintre componeni.
Utiliznd materiale supraconductoare pentru confecionarea bobinelor, se
pot obine cmpuri magnetice foarte puternice, ntruct supraconductorii suport
densiti de curent mult mai mari fa de conductorii normali. Astfel, au fost
obinute cmpuri magnetice de ordinul a 100 T, necesare la acceleratoarele de
particule, generatoarele magnetohidrodinamice, instalaiile de rezonan magnetic
nuclear (RMN) i la cele de cercetri pentru obinerea reaciei de fuziune
termonuclear controlat. De asemenea, se prevede ca astfel de cmpuri, obinute
cu ajutorul supraconductorilor, s fie utilizate pentru realizarea unor ecrane
magnetice, a suspensiilor magnetice i a lagrelor fr frecare (cu larg
aplicabilitate n transporturi).
n perspectiv, transportul energiei electrice cu pierderi minime (mult mai
mici dect cu tehnologia clasic) la distane mari se va putea realiza prin utilizarea
cablurilor electrice supraconductoare.
Dac n cazurile prezentate mai sus realizrile sunt, de obicei, la stadiul
cercetrilor de laborator, n domeniul aplicaiilor n electronic ale
supraconductibilitii, lucrurile sunt mai avansate. Astfel, s-au realizat generatoare
i detectoare de ultranalt frecven (UIF), pe baza jonciunilor Josephson. O
jonciune Josephson este alctuit din dou straturi de supraconductor izolate
printr-un dielectric de grosime mic. Aa cum a prevzut teoretic n 1964 fizicianul
englez B. D. Josephson, ntr-o jonciune de acest fel se pot produce dou fenomene,
care i poart numele:
efectul Josephson staionar const n trecerea unui curent prin jonciune fr
cdere de tensiune pe aceasta. Fenomenul este datorat tunelrii perechilor
Cooper prin stratul dielectric.
efectul Josephson nestaionar const n producerea unor oscilaii
electromagnetice de ultranalt frecven (~ 10 GHz) ntr-o jonciune
Josephson la capetele creia exist o cdere de tensiune (de ordinul a 10 3 V).
Pulsaia oscilaiilor depinde de cderea de tensiune, V0, conform relaiei:
2eV0
0 =
(14. 19)

Pe lng aplicaiile n generarea i detecia undelor radio de ultranalt


frecven, o astfel de jonciune prezint o mare importan prin faptul c poate
constitui un etalon de tensiune foarte precis, ntruct, aa cum se vede n relaia
(14.19), tensiunea V0 depinde numai de frecvena 0, care poate fi msurat cu
precizie i de dou constante fundamentale: sarcina electric elementar i
constanta lui Planck.
Constructiv, o jonciune Josephson se poate realiza foarte simplu prin
metoda depunerii n vid din stare de vapori. Se folosete un suport de sticl (foarte
curat) pe care se depun 4 borne de argint, servind de contacte electrice, situate n
colurile unui ptrat. Se depune apoi sub forma unei benzi nguste ce unete dou
borne situate n coluri opuse, un strat fin de staniu, se las apoi s se oxideze, ceea
219

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


ce determin apariia unui strat izolant de grosimea dorit, dup care se depune un
nou strat de staniu, sub forma unei benzi ntre celelalte dou contacte de Ag.
Jonciunea Josephson este constituit de regiunea de suprapunere a celor dou
benzi de staniu supraconductor, separate de stratul subire de oxid.
Dac se aplic un cmp magnetic perpendicular pe jonciune, acesta va
aciona asupra funciei de und a electronilor supraconductori prin intermediul
potenialului su vector. Se demonstreaz c are loc n consecin o variaie spaial
a fazei acestei unde n supraconductor.
Considernd c, n absena cmpului magnetic exterior, curentul prin
jonciunea Josephson este I0, la o valoare B0/2 a induciei magnetice a cmpului
magnetic perpendicular pe suprafaa jonciunii, variaia spaial a fazei implic
faptul c intensitatea curentului nu mai are aceeai valoare n diferite puncte ale
jonciunii. Curentul total este inferior lui I0. Pentru valoarea B0 a cmpului
magnetic, contribuia total a curentului este nul. Trebuie deci s existe o variaie
cuasiperiodic a intensitii curentului n funcie de cmpul magnetic, ceea ce a fost
verificat experimental, dovedindu-se n acest mod fundamentarea previziunilor lui
Josephson (figura 14.8).

Figura 14.8 Variaia cvasiperiodic a intensitii curentului n funcie de cmpul magnetic

Periodicitatea acestei variaii a curentului prin jonciune depinde de


geometria acesteia, ea variind de la 10 la 100 T pentru o jonciune de 1 0,1
mm. Trebuie notat c aceast periodicitate este asociat cuantificrii fluxului
magnetic. Se tie c ntr-un metal, fluxul magnetic nu poate ptrunde dect prin
cuante de h/2e, adic n jur de 21015 Wb. Fiecrui minim al curentului i
corespunde faptul c o nou cuant de flux a penetrat n jonciune.
Un dispozitiv ingenios, care permite reducerea considerabil a perioadei de
variaie a curentului, const n conectarea n paralel a dou jonciuni, astfel ca ele
s formeze o bucl supraconductoare. Suprafaa care intervine i care determin
periodicitatea este atunci aceea a buclei, astfel nct, cu suprafee de ordinul a 1
mm2 se obin perioade de 107 1010 T.

220

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


Au fost observate chiar periodiciti de 21011 T cu o bucl de 1 cm2 care
permite decelarea variaiilor de 1013 1014 T, performane neegalate n
magnetometria clasic. Un astfel de dispozitiv a fost numit SQUID
(Superconductive Quantum Interference Device).
Tot n electronic, supraconductorii sunt folosii n construcia unor
dispozitive ca: magnetometre, antene de mare sensibilitate, elemente de memorie,
elemente de comutare etc.
Astfel, nc din 1956, s-a propus utilizarea unui releu supraconductor,
criotronul. Benzi supraconductoare nguste, perpendiculare, sunt separate de un
strat subire izolator. Ele sunt realizate din materiale diferite, astfel ca trecerea unui
curent suficient printr-una, numit control, s fac posibil tranziia celei de-a
doua, numit poart, din starea supraconductoare n starea normal, prin
intermediul cmpului magnetic produs. Combinnd mai multe criotroane ntre ele,
se pot realiza principalele funcii logice necesare unui calculator electronic.
Interesul dispozitivelor cu criotroane este acela c se pot dispune un numr foarte
mare de elemente pe acelai suport, prin evaporri succesive n vid i c disiparea
energiei este foarte slab. Dificultile tehnologice de realizare i reproductibilitate
au ntrziat pn n prezent exploatarea pe scar larg a unor astfel de dispozitive.
Totui, tehnologia actual permite obinerea unor plci de 1 dm2 pe care se pot
dispune pn la 150000 criotroane i se sper obinerea unor performane
superioare.
Viteza de comutare a unui circuit criotronic este limitat n principal de
rezistena i inductana porii, atunci cnd ea revine n stare normal. Este practic
dificil s se coboare sub cteva zeci de ns. Ca urmare, s-a propus o modificare ce ar
permite ameliorarea performanelor din punctul de vedere al rapiditii. Este
suficient nlocuirea benzii poart printr-o jonciune Josephson. n absena
curentului n circuitul control, se face s circule prin jonciune un curent inferior
curentului critic Ic. Faptul de a face s treac un curent suficient prin control
creeaz un cmp magnetic ce are ca efect, dac este ales corespunztor, diminuarea
puternic a curentului critic, astfel c jonciunea devine rezistent i aceasta ntr-un
timp foarte scurt: cteva sutimi de ps.
Realizarea memoriilor calculatoarelor s-ar putea face n totalitate cu
ajutorul criotroanelor asociate corespunztor. S-au realizat deja n laboratoare
memorii supraconductoare cu strat continuu, al cror principiu de funcionare se
aseamn cu cel al torului de ferit. Este cunoscut c n memoriile cu ferit, un
element este constituit prin ncruciarea a trei fire (dou de comand nscriere i
tergere, unul de citire) care traverseaz un inel de ferit, material feromagnetic cu
ciclu de histerezis rectangular. Memoria cu strat continuu este alctuit dintr-o foi
subire de staniu supraconductor. Pe una din fee, se dispune o reea cu ochiuri
ptrate din fire de comand, din plumb. Pe cealalt fa, un fir de lectur trece pe
sub fiecare nod al reelei. Toate aceste elemente sunt, bineneles, izolate unele fa
de altele. Dac simultan circul n cele dou fire de comand un impuls de curent
electric suficient de intens, cmpul magnetic creat poate fi capabil s sparg
suprafaa continu supraconductoare, adic s creeze local o zon de conducie
221

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


normal. Aceast bucl de flux este persistent, chiar dup dispariia curentului
n firele de comand, ea fiind echivalent unui tor de ferit. Odat stabilit aceast
stare, cnd se trece un impuls de curent printr-unul sau altul din firele de comand,
sunt posibile dou cazuri: fie sensul curentului este astfel nct cmpul magnetic se
opune celui creat de bucl i atunci impulsul nu este comunicat liniei de citire, fie
sensul este acelai i un impuls este atunci transmis liniei de citire. S-au realizat
astfel de structuri (memorii) coninnd zeci de mii de celule pe aceeai plachet.
Criotroanele pot, de asemenea, s serveasc drept elemente active n
amplificatoare. ntr-adevr, tranziia ntre starea supraconductoare i cea normal
nu este niciodat perfect brusc, n funcie de curentul de control. Se poate deci
polariza criotronul n mijlocul acestui interval de tranziie i s se pstreze aceast
polarizare printr-un circuit de reacie invers cuprinznd un filtru trece-jos.
Rezistena circuitului poart este atunci o funcie de curentul de control pentru
frecvene superioare celei de tiere a filtrului. n plus, cum se lucreaz la
temperatur foarte sczut, caracteristicile de zgomot sunt excelente. De exemplu,
pentru un amplificator lucrnd la 100 Hz cu o lrgime de band de 10 Hz, se ajunge
s fie detectat un semnal de 1,31018 V.
Printre aplicaiile cele mai ambiioase, trebuie citate i cavitile rezonante
de nalt frecven, care ar putea fi folosite pentru acceleratoarele liniare de
particule. La fel, se pot aminti filtrele de frecven nalt, circuitele triplac ce pot
nlocui cablurile coaxiale, liniile de ntrziere etc.
O ultim aplicaie ce trebuie amintit este cea a bolometrelor i
magnetometrelor. Primele bolometre erau construite dintr-un strat subire
supraconductor, depus pe un suport. Sub aciunea radiaiei de studiat, acest
ansamblu se nclzete uor, ceea ce duce la tranziia stratului supraconductor n
stare normal. Apariia rezistenei permite deci detecia unei foarte slabe variaii de
temperatur. Acest dispozitiv a putut fi ameliorat datorit utilizrii efectului
Josephson, ntruct caracteristica curent-tensiune a acestuia este foarte sensibil la
radiaie. O putere de 51013 W este astfel decelabil pentru orice lungime de und
mai mare de 300 m.

222

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

Bibliografie
1. Alexandru H. V., tiina i tehnologia materialelor, Universitatea din
Bucureti, 1990
2. Askeland, D.R., The Science and Engineeing of Materials, 3rd Ed., PWS Pub.
Co., Boston 1994
3. Bair H. E., Glass Transition Measurements by DSC, in Assignment of Glass
Transition, STP 1249, Seyler R. J. (Ed.), ASTM, Philadelphia, PA, 1994
4. Bardell P.R., Magnetic Materials in the Electrical Industry, MacDonald & Co.,
London, 1960
5. Barrett C.R., Nix W. D., Tetelman A. S., The Principles of Engineering
Materials, Prentice Hall, Englewood Cliffs, NJ., 1973
6. Billmeyer, F, Textbook of Polymer Science, 2nd ed., John Wiley and Sons,
Inc., NY, 1971
7. Bond W.L., Crystal Tehnology, Wiley, New York, 1996
8. Borg R.J., Dienes, G.J., An Introduction to Solid State Diffusion, Academic
Press, San Diego, 1988
9. Boyd R.H., Philips P.J., The Science of Polymer Molecules, London:
Cambridge University Press, 1993
10. Brice J.C., Atomic Diffusion in Semiconductors, Plenum, London, 5th ed., 1991
11. Brice J.C., The Growth of Crystals from the Melt, North-Holland, Amsterdam
3rd ed., 1993
12. Brice J.C., The Growth of Crystals from Liquids, North-Holland, Amsterdam
3rd ed., 1995
13. Brice J.C., Crystal Growth and Materials, North-Holland, Amsterdam 3rd ed.,
1997
14. Bursuc I.D., Sulitanu N.D, Solidul. Fenomene. Teorii. Aplicaii, Editura
tiintific, Bucureti, 1991
15. Callister W. D., Materials Science and Engineering: An Introduction, 6th
edition, John Wiley & Sons, Inc., 2003
16. Carter G.F., Paul, D.E., Material Science and Engineering, ASM International,
United States, 1991
17. Chandler, M., Ceramics in the Modern World, Double Day & Co. Inc., Garden
City, NY, 1967
18. Chirlean G., Chirlean D., Stnescu C., Fizica corpului solid. Note de curs,
Ed. Universitii din Piteti, 2005
19. Chung, D.D.L., Carbon Fiber Composites, Butterworth-Heinemann, Boston,
1994
20. Chung, D.D.L., Ed., Materials for Electronic Packaging, ButterworthHeinemann, Boston, 1995
21. Chung, D.D.L., Applied Materials Science, CRC Press, Boca Raton London
New York Washington, D.C., 2001
22. Ciobanu Gh., Constantinescu C., Fizica strii solide, Ed. Tehnic, Bucureti,
1982
223

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

23. Crane, F.A.A., Charles, J.A., Selection and Use of Engineering Materials,
Butterworths, London, 1984
24. Davdov A.S., Teoria corpului solid, Ed tiinific, Bucureti, 1980
25. De Renzo D.J. ed., Corrosion Resistant Materials Handbook, 4th Ed., Noyes
Data Corporation, Mill Road, Park Ridge, New Jersey, 1985
26. Dieter, G.E., Engineering Design: A Materials and Processing Approach,
McGraw-Hill, New York, 1983
27. Drgnescu M., Electronica corpului solid, Ed. Tehnic, Bucureti, 1972
28. Elliot S.R., Physics of Amorphous Materials, Longman, London, New York,
1984
29. Irene E.A., Electronic Materials Science, John Wiley & Sons, Hoboken, New
Jersey, 2005
30. Fox M., Optical Properties of Solids, Oxford: Oxford University Press, 2001
31. Friedel J., Dislocations, Pergamon Press, 1964
32. Geru N, et al., Materiale metalice, Ed. Tehnic, Bucureti, 1985
33. Ghez R., Diffusion Phenomena, Kluwer Academic, Dordrecht, 2001
34. Hall C., Polymer Materials: An Introduction for Technologists and Scientists,
Second edition, Macmillan Education, 1989
35. Harper, C.A., Ed., Handbook of Plastics and Elastomers, McGraw-Hill, New
York, 1975
36. Hlavac, J., Tehnology of Glass and Ceramics, Elsevier Scientific Press,
Oxford, 1983
37. Hove, J.E., Riley,W.C., Modern Ceramics, John Wiley i Sons, NY, 1965
38. Hull D., Introduction to Dislocations, Pergamon Press, New York, 1975
39. Ispas S., Materiale compozite, Ed. Tehnic, Bucureti, 1987
40. Jeludev I.S., Cristale Electrice, Ed. Tehnic, Bucureti, 1973
41. John V.B., Engineering Materials, MacMillan Education Ltd., London, 1990
42. Kalpakjian S., Manufacturing Engineering and Tehnology, 3rd Ed., AddisonWesley Publishing Co., 1995
43. Kingery, W.D., Bowen, H.K., Uhlmann, D.R., Introduction to Ceramics, John
Wiley and Sons, NY, 1976
44. Kittel Ch., Introducere n fizica corpului solid, Ed. Tehnic, Bucureti, 1972
45. Louthan, McIntyre R. Jr., Metals: A History, ASM International, 1987
46. Mallick, P.K., Fiber Reinforced Composites: Materials, Manufacturing and
Design,Marcel Dekker, New York, 1993
47. Mazumdar, S.K., Composite manufacturing: materials, product, and process
engineering, CRC Press, Boca Raton, London, New York, Washington, D.C.,
2002
48. McKelvey J. P., Solid State Fizica for Engineering and Materials Science,
Krieger, 1993
49. Meyers M. A., Chawla K. K., Mechanical Behaviour of Materials, PrenticeHall, 1999
50. Millett E.J., et al. Crystal Growth, Pergamon, Oxford, 1987

224

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic


51. Mitoeriu L., ura V., Fizica dielectricilor, Ed. Universitii Al. I. Cuza Iai,
1999
52. Morrell, R., Handbook of Properties of Technical and Engineering Ceramics,
Part 1, Her Majestys Stationery Office, London, 1985
53. Moss T.S., Optical Properties of Semiconductors, Butterworth Publications,
London, 1995
54. Nicula Al., Puskas F., Dielectrici i feroelectrici, Ed. Scrisul Romnesc,
Craiova, 1982
55. Ohring, M., Engineering Materials Science, Academic Press, San Diego, 1995
56. Painter P. C., Coleman M., Fundamentals of Polymer Science: An Introductory
Text Second edition, Technomic Publishing, 1997
57. Quere Y., Physique des materiaux, Editions de l'Ecole polytechnique, 1994
58. Rabek J. F., Experimental Methods in Polymer Chemistry: Physical Principles
and Applications, Wiley, New York, 1994
59. Richerson, D.W., Modern Ceramic Engineering, Marcel Dekker, Inc., NY,
1982
60. Rosenborg H.M., The Solid State, Clarendon Press, Oxford, 1975
61. Rusu G.G., Baban C., Rusu M., Materiale i dispozitive semiconductoare lucrri de laborator, Ed. Universitii Al. I. Cuza Iai, 1998
62. Schaffer, J.P., et al., The Science and Design of Engineering Materials, 2nd
Ed., McGraw-Hill, Boston, 1995
63. Schwartz, M. M. (editor), Engineering Aplications of Ceramic Materials,
American Society for Metals, Metals Park, OH, 1985
64. Shackelford, J.F., Alexander W.,
Materials Science and Engineering
Handbook, 3rd Ed., CRC Press LLC N.W. Corporate Blvd., Boca Raton,
Florida, 2000
65. Shackelford, J.R., Introduction to Materials Science for Engineers, 3rd Ed.,
Macmillan, New York, 1992
66. Shewmon P. G., Diffusion in Solids, McGraw-Hill, New York, 1963
67. Simmons J.H., Potter K. S., Optical Materials, San Diego, CA: Academic
Press, 2000
68. Smith, W.F., Principles of Materials Science and Engineering, 3rd Ed.,
McGraw-Hill, New York, 1996
69. Smith,W.F., Foundations of Material Science and Engineering, McGraw Hill,
Inc., 1993
70. Smith E.V., Manual of Experiments in Applied Physics, London Butterworths,
1970
71. Smithells, C.J., Ed., Metals Reference Book,6 ed., Butterworths, London, 1984
72. Stnescu C., Chirlean G., Chirlean D., Aplicaii n fizica solidului, Ed.
Universitii din Piteti, 2005
73. Strong A. B., Plastics: Materials and Processing, Second edition, PrenticeHall, 2000
74. Suzanne J., Gay J.M. in Handbook of surface science, vol 1 Ed W.N. Unertl,
North-Holland, 1996
225

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

75. Thornton P. A., Colangelo V. J., Fundamental of Engineering Materials,


Prentice Hall, Englewood Cliffs, NJ. 1985
76. Turi E. A. (Ed.), Thermal Caracterization of Polymeric Materials, vol. I, 2nd
ed, Academic Press, Inc., London, 1997
77. Vincenzini, P., Fundamentals of Ceramic Engineering, Elsevier Aplied
Science, NY, 1991
78. Voinea R., Voiculescu D., Simion F.P., Introducere n fizica solidului cu
aplicaii n inginerie, Editura Academiei Romne, Bucureti, 1990
79. Wanniers G.H., Elements of Solid State Theory, Cambridge University Press,
1959
80. White, M.A., Properties of Materials, Oxford University Press, New York,
1999
81. Zet Gh., Ursu D., Fizica strii solide. Aplicaii n inginerie, Ed. Tehnic,
Bucureti, 1989
82. Ziman J.M., Principles of the Theory of Solids, Cambridge University Press,
1974
http://cst-www.nrl.navy.mil/lattice
http://dmoz.org/Science/Physics/Crystallography/Software/
http://materials.usask.ca/M&D%20Web%20Resources/
http://ocw.mit.edu/OcwWeb/Materials-Science-and-Engineering/
http://prelas.nuclear.missouri.edu/ne455/links.html
http://solidstate.physics.sunysb.edu/book/prob/
http://zig.onera.fr/lem/DisGallery/3D.html
http://www2.ncsu.edu/ncsu/pams/science_house/ctchem.html
http://www.ceramics.org
http://www.chem1.com/acad/webtext/chembond/
http://www.chm.bris.ac.uk
http://www.cmse.ed.ac.uk/MSE3/mse3.html
http://www.chem.vt.edu/chem-dept/marand/
http://www.ecma.ch
http://www.hkbu.edu.hk/~matsci/
http://www.lbl.gov/MicroWorlds/Kevlar/KevlarIntro.html
http://www.lexmark.com/ptc/book.html
http://www.martindalecenter.com/GradMaterial_2_CM.html
http://www.matsceng.ohio-state.edu/~flores/mse205/
http://www.matter.org.uk/universities.htm
http://www.mse.uiuc.edu/info/mse182
http://www.msm.cam.ac.uk/phase-trans
http://www.msm.cam.ac.uk/Teaching/PtIIAB/C9/
http://www.people.virginia.edu/~lz2n/mse305/
http://www.psigate.ac.uk/roads/cgi-bin
http://www.sciences.univnantes.fr/physique/perso/gtulloue/Cristallo/Index_Cristallo.html
226

Constantin Stnescu Materiale pentru electronic i electrotehnic

http://www.soton.ac.uk/~pasr1/build.htm#page7
http://www.tms.org/Meetings/Specialty/Superalloys2000/SuperalloysHistory.html
http://www.uccs.edu/~tchriste/courses/PHYS549/549lectures/
http://www.umist.ac.uk/MatSci/research/intmic/schools/default.htm
http://www.umr.edu/~wlf/
http://www.virginia.edu/bohr/mse209/class.htm
http://www.webelements.com
http://www.wtec.org

227